專利名稱：陣列基板和液晶顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板和液晶顯示面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)是液晶顯示器中的主流產(chǎn)品。陣列基板是液晶顯示器的重要部件。陣列基板上可分為像素區(qū)域和接口區(qū)域，像 素區(qū)域中形成各像素單元。每個像素單元包括TFT開關(guān)和像素電極；TFT開關(guān)包括柵電極、 源電極、漏電極和有源層；柵電極連接?xùn)啪€，漏電極連接數(shù)據(jù)線，源電極連接像素電極，有源 層形成在源電極和漏電極與柵電極之間。現(xiàn)有技術(shù)中，因源電極和漏電極形狀的不同，可以 形成如圖1和圖2所示的兩種形式的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖。其中，圖1中源電極 7和漏電極8彼此平行，溝道的形狀呈一條直線。圖2中的漏電極8將源電極7包圍，溝道 的形狀呈U形。當某一行的柵電極3加上開啟電壓Von時，TFT開關(guān)打開，漏電極8與源電 極7導(dǎo)通，給定的信號從數(shù)據(jù)線5上加到像素電極11上。在公共電極電壓不變的情況下， 像素電極11上一定的電壓便決定了對應(yīng)像素單元上一定的灰度。液晶顯示器就是通過不 同像素單元的不同灰度來從整體上展現(xiàn)一幅畫面的。但是在陣列基板的制造過程中，由于組成陣列基板的每一層薄膜都需要經(jīng)過沉 積、曝光、刻蝕等工序以形成不同的圖案，而各層薄膜之間的對位精度是有限的，因此每一 層薄膜之間的圖案都會出現(xiàn)一定程度的錯位。這種層與層之間的錯位很容易導(dǎo)致寄生電容 值的變化。尤其對于模式為步進(Steper)的曝光機，會出現(xiàn)在同一張襯底基板上的同一層 薄膜曝光多次的情況，即同一層薄膜會分為多個曝光區(qū)域分別進行曝光。如果同一張襯底 基板上的不同曝光區(qū)域各層薄膜之間的對位尺寸不同，就會導(dǎo)致不同曝光區(qū)域中的寄生電 容不同，尤其是柵電極和源電極之間的寄生電容Cgs。柵電極和源電極之間的寄生電容Cgs 會引起像素電極上電壓的跳變，這樣的電壓跳變會對像素單元的灰度產(chǎn)生影響。同一張襯 底基板上不同曝光區(qū)域的Cgs不同，從而導(dǎo)致不同曝光區(qū)域同一灰階的灰度有所差別，整 張襯底基板的灰度不均勻，產(chǎn)生與曝光區(qū)域相對應(yīng)的明顯分區(qū)。

實用新型內(nèi)容本實用新型提供一種陣列基板和液晶顯示面板，以解決同一張襯底基板多次曝光 情況下可能出現(xiàn)的寄生電容Cgs不均勻的問題。本實用新型提供一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上形成有導(dǎo)電圖案 和絕緣層，所述導(dǎo)電圖案至少包括數(shù)據(jù)線、柵線、TFT開關(guān)的柵電極、源電極、漏電極，以及 像素電極，其中所述柵線橫跨所述像素電極，將所述像素電極分為第一部分和第二部分，將所述 TFT開關(guān)的柵電極分為上下相同的兩部分，將所述TFT開關(guān)的源電極分為上下相同的兩部 分；所述TFT開關(guān)的源電極的兩部分分別與所述像素電極的第一部分和第二部分相連接。[0008]如上所述的陣列基板，其中，所述TFT開關(guān)的源電極關(guān)于所述柵線軸對稱。如上所述的陣列基板，其中，所述TFT開關(guān)的源電極的兩部分彼此分離。如上所述的陣列基板，其中，所述TFT開關(guān)的漏電極為T型，與所述數(shù)據(jù)線和所述 TFT開關(guān)的源電極的兩部分分別組成相同的U型溝道。如上所述的陣列基板，其中，所述像素電極的第一部分和第二部分相同，且所述柵 電極位于所述第一部分和所述第二部分之間。如上所述的陣列基板，其中，所述數(shù)據(jù)線縱跨所述像素電極，將所述TFT開關(guān)的柵 電極分為左右相同的兩部分；所述TFT開關(guān)的源電極的兩部分彼此分離，且分別位于所述數(shù)據(jù)線的左右兩側(cè)。如上所述的陣列基板，其中，所述數(shù)據(jù)線將所述像素電極分為左右相同的兩部分。本實用新型還提供了一種液晶顯示面板，包括對盒設(shè)置的陣列基板和彩膜基板， 所述陣列基板和彩膜基板之間填充有液晶層，其中所述陣列基板采用如上所述的陣列基 板。本實用新型提供的陣列基板和液晶顯示面板，在不改變TFT開關(guān)功能和基本結(jié)構(gòu) 的前提下，改良了 TFT開關(guān)的結(jié)構(gòu)，通過將柵電極與源電極的重合部分設(shè)計為對稱結(jié)構(gòu)，即 便在對位過程中出現(xiàn)水平方向的錯位和/或是豎直方向的錯位時，也可以消除柵金屬薄膜 層與數(shù)據(jù)金屬薄膜層在形成圖形的曝光過程中由于錯位而造成的重合面積變化，從而有效 保證了寄生電容Cgs的穩(wěn)定，改善T^epper曝光工藝中灰度不均勻的問題，提高產(chǎn)品的成 品率。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的第二種局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實用新型實施例一提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4A和圖4B為本實用新型實施例一提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本實用新型實施例一提供的陣列基板的第二種局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本實用新型實施例一提供的陣列基板的第三種局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標記I-襯底基板；2-柵線； 3-柵電極；5-數(shù)據(jù)線； 7-源電極；8-漏電極；11-像素電極。
具體實施方式
為使本實用新型實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本實用新 型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描 述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤?例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于 本實用新型保護的范圍。實施例一[0029]圖3為本實用新型實施例一提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3所示， 該陣列基板包括襯底基板1，襯底基板1上形成有導(dǎo)電圖案和絕緣層，其中的導(dǎo)電圖案至少 包括數(shù)據(jù)線5、柵線2、TFT開關(guān)的柵電極3、源電極7、漏電極，以及像素電極11，絕緣層至 少包括柵絕緣層和鈍化層。其中，該陣列基板的柵線2橫跨像素電極11，并將像素電極11 分為第一部分和第二部分，將TFT開關(guān)的柵電極3分為上下相同的兩部分，將TFT開關(guān)的源 電極7分為上下相同的兩部分，TFT開關(guān)的源電極7的兩部分分別與像素電極11的第一部 分和第二部分相連接。采用本實用新型實施例提供的陣列基板，在不改變TFT開關(guān)功能和基本結(jié)構(gòu)的前 提下，改良了 TFT開關(guān)的結(jié)構(gòu)，將柵電極與源電極的重合部分設(shè)計為對稱結(jié)構(gòu)，即便在對位 過程中出現(xiàn)水平方向的錯位和/或是豎直方向的錯位時，也可以消除柵金屬薄膜層與數(shù)據(jù) 金屬薄膜層在形成圖形的曝光過程中由于錯位而造成的重合面積變化，從而有效保證了寄 生電容Cgs的穩(wěn)定，改善了 St印per曝光工藝中灰度不均勻的問題，提高產(chǎn)品的成品率。結(jié)合圖4A和圖4B所示的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，在圖4A和圖4B中，分 別表示了數(shù)據(jù)金屬薄膜層相對于柵金屬薄膜層發(fā)生水平方向的錯位和豎直方向的錯位兩 種情況，相對于圖3中所示的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖而言，柵電極3和源電極7之 間的重合面積都是不發(fā)生改變的，穩(wěn)定了寄生電容Cgs的大小。在本實施例中，TFT開關(guān)的源電極7優(yōu)選關(guān)于柵線2軸對稱。結(jié)合圖中的位置，以 柵線2的延伸方向為χ軸的延伸方向，以數(shù)據(jù)線5的延伸方向為y軸的延伸方向。那么，關(guān) 于柵線2軸對稱可以理解為源電極7關(guān)于χ軸對稱。這種結(jié)構(gòu)的陣列基板，將數(shù)據(jù)線5作 為TFT開關(guān)的漏電極，源電極7直接跨過柵線2，并關(guān)于柵線2軸對稱，構(gòu)圖工藝簡單、易操 作，不需對現(xiàn)有的工藝做過多的改進。在本實施例中，如圖5所示的本實用新型實施例提供的陣列基板的第二種局部俯 視結(jié)構(gòu)示意圖，TFT開關(guān)的源電極7的兩部分彼此分離。結(jié)合圖中的位置，這種彼此分離的 源電極7的兩部分既可以關(guān)于χ軸對稱，也可以關(guān)于原點對稱，以獲得更加靈活的源電極7 的位置構(gòu)造。在本實施例中，如圖5所示，漏電極8為T型結(jié)構(gòu)，與數(shù)據(jù)線5和源電極7的兩部 分分別組成相同的U型溝道。這種結(jié)構(gòu)的陣列基板，將源電極7分為相互分離的兩部分，并 與T型結(jié)構(gòu)的漏電極8以及數(shù)據(jù)線5分別組成了兩個相同的U型溝道，這種結(jié)構(gòu)可以提高 溝道寬長比，進而可以提高開口率，減小寄生電容Cgs。當然，漏電極8還可以是一字型結(jié) 構(gòu)，這種漏電極8的結(jié)構(gòu)比較簡單，易于實現(xiàn)。需要說明的是，上述實施例中提供的柵電極3還可以在y軸方向位于像素電極11 的中心位置。這種中心位置可以理解為像素電極11的第一部分和第二部分相同，且柵電 極3位于相同的第一部分與第二部分之間。這種結(jié)構(gòu)可以保證薄膜層之間的錯位較大時， 也不會出現(xiàn)寄生電容Cgs不均勻問題。在本實施例中，如圖6所示的本實用新型實施例提供的陣列基板的第三者局部俯 視結(jié)構(gòu)示意圖，數(shù)據(jù)線5縱跨像素電極11，將TFT開關(guān)的柵電極3分為左右相同的兩部分， 被柵線2分成的TFT開關(guān)的源電極7的兩部分彼此分離，且分別位于數(shù)據(jù)線5的左右兩側(cè)。 這種結(jié)構(gòu)的陣列基板，適合溝道寬長比較大的情況。需要說明的是，數(shù)據(jù)線5可以在χ軸方向位于像素電極11的中心位置，這種中心位置可以理解為像素電極11被數(shù)據(jù)線5分為左右相同的兩部分。這種結(jié)構(gòu)可以保證薄膜 層之間的錯位較大時，也不會出現(xiàn)寄生電容Cgs不均勻的問題。如果數(shù)據(jù)線5在χ軸方向位于像素電極11的中心位置，柵線2在y軸方向位于像 素電極11的中心位置，此時，柵線2和數(shù)據(jù)線5將像素電極分為相同的四個部分。這是一 種優(yōu)選的陣列基板的結(jié)構(gòu)，可以最大限度地保證薄膜層之間的錯位較大時，不會出現(xiàn)寄生 電容Cgs不均勻的問題。本實用新型提供的陣列基板，在不改變TFT開關(guān)功能和基本結(jié)構(gòu)的前提下，改良 了 TFT開關(guān)的結(jié)構(gòu)，通過將柵電極與源電極的重合部分設(shè)計為對稱結(jié)構(gòu)，即便在對位過程 中出現(xiàn)水平方向的錯位和/或是豎直方向的錯位時，也可以消除柵金屬薄膜層與數(shù)據(jù)金屬 薄膜層在形成圖形的曝光過程中由于錯位而造成的重合面積變化，從而有效保證了寄生電 容Cgs的穩(wěn)定，改善了 St印per曝光工藝中灰度不均勻的問題，提高產(chǎn)品的成品率。實施例二本實用新型實施例還提供了一種液晶顯示面板，該液晶顯示面板包括對盒設(shè)置的 陣列基板和彩膜基板，陣列基板與彩膜基板之間填充有液晶層，其中，陣列基板采用上述實 施例一中提供的陣列基板。最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本實用新型的技術(shù)方案，而非對其限制； 盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解: 其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等 同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實用新型各實施例技術(shù) 方案的精神和范圍。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上形成有導(dǎo)電圖案和絕緣層，所述導(dǎo)電 圖案至少包括數(shù)據(jù)線、柵線、TFT開關(guān)的柵電極、源電極、漏電極，以及像素電極，其特征在 于所述柵線橫跨所述像素電極，將所述像素電極分為第一部分和第二部分，將所述TFT 開關(guān)的柵電極分為上下相同的兩部分，將所述TFT開關(guān)的源電極分為上下相同的兩部分； 所述TFT開關(guān)的源電極的兩部分分別與所述像素電極的第一部分和第二部分相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述TFT開關(guān)的源電極關(guān)于所述柵線 軸對稱。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述TFT開關(guān)的源電極的兩部分彼此 分離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述TFT開關(guān)的漏電極為T型，與所 述數(shù)據(jù)線和所述TFT開關(guān)的源電極的兩部分分別組成相同的U型溝道。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極的第一部分和第二部 分相同，且所述柵電極位于所述第一部分和所述第二部分之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線縱跨所述像素 電極，將所述TFT開關(guān)的柵電極分為左右相同的兩部分；所述TFT開關(guān)的源電極的兩部分彼此分離，且分別位于所述數(shù)據(jù)線的左右兩側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線將所述像素電極分為左 右相同的兩部分。
8.一種液晶顯示面板，包括對盒設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板和彩膜基 板之間填充有液晶層，其特征在于所述陣列基板采用權(quán)利要求1 7中任一項所述的陣列基板。
專利摘要本實用新型公開了一種陣列基板和液晶顯示面板。該陣列基板，包括襯底基板，襯底基板上形成有導(dǎo)電圖案和絕緣層，導(dǎo)電圖案至少包括數(shù)據(jù)線、柵線、TFT開關(guān)的柵電極、源電極、漏電極，以及像素電極，柵線橫跨像素電極，將像素電極分為第一部分和第二部分，將TFT開關(guān)的柵電極分為上下相同的兩部分，將TFT開關(guān)的源電極分為上下相同的兩部分；TFT開關(guān)的源電極的兩部分分別與像素電極的第一部分和第二部分相連接。本實用新型提供的方案，可以消除各薄膜層在形成圖形的曝光過程中由于錯位而造成的重合面積變化，有效保證了寄生電容Cgs的穩(wěn)定，改善了Stepper曝光工藝中灰度不均勻的問題，提高產(chǎn)品的成品率。
文檔編號H01L27/02GK201845776SQ20102057463
公開日2011年5月25日 申請日期2010年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月15日
發(fā)明者劉宏宇, 李云飛, 王剛 申請人:京東方科技集團股份有限公司