專利名稱：開關(guān)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
開關(guān)裝置
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種開關(guān)裝置，尤其指一種薄型開關(guān)裝置。背景技術(shù)：
相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)請(qǐng)參閱中國臺(tái)灣專利公告號(hào)第TW M363062號(hào)專利所示，該專利揭示了一種按壓開關(guān)，包括絕緣本體、固定于絕緣本體的常開接點(diǎn)及位于常開接點(diǎn)上方的可動(dòng)觸片。按壓時(shí)，可動(dòng)觸片向下彈性變形與常開接點(diǎn)接觸，松開時(shí)，可動(dòng)觸片在自身彈性作用下恢復(fù)原狀。所述常開接點(diǎn)圍繞與可動(dòng)觸片接觸區(qū)域的中心設(shè)有線狀凸部。所述絕緣本體頂壁設(shè)有“一”字形通氣槽。但是，在多次反復(fù)按壓時(shí)，“一”字形通氣槽處的絕緣本體可能發(fā)生翹曲，而且，粉塵等雜物易通過“一”字形通氣槽進(jìn)入開關(guān)內(nèi)部。鑒于以上問題，實(shí)有必要提供一種改進(jìn)的開關(guān)裝置，以解決上述問題。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種增強(qiáng)絕緣本體強(qiáng)度的開關(guān)裝置。本實(shí)用新型公開一種開關(guān)裝置，其包括絕緣本體、可動(dòng)觸片、端子組及遮蔽薄膜。 所述絕緣本體凹陷形成容置空間，端子組固持于絕緣本體內(nèi)，可動(dòng)觸片容置于容置空間且懸置于端子組上方，遮蔽薄膜遮覆于絕緣本體上。所述絕緣本體設(shè)有曲折延伸的通氣槽。相較于現(xiàn)有技術(shù)，所述絕緣本體設(shè)有“Z”字形通氣槽，其可避免絕緣本體發(fā)生翹曲，增加絕緣本體強(qiáng)度，同時(shí)，亦可減少粉塵進(jìn)入開關(guān)裝置內(nèi)部。

圖1是本實(shí)用新型開關(guān)裝置的立體組合圖；圖2是本實(shí)用新型開關(guān)裝置的立體分解圖；圖3是本實(shí)用新型開關(guān)裝置的絕緣本體的立體圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖來詳細(xì)說明本使用新型開關(guān)裝置100的具體實(shí)施方式
。請(qǐng)參閱圖1-圖3，本實(shí)用新型開關(guān)裝置100，包括絕緣本體1、容置于絕緣本體1內(nèi)的可動(dòng)觸片2、固持于絕緣本體1內(nèi)的端子組3及遮覆于絕緣本體1上的遮蔽薄膜4。所述絕緣本體1大致呈長方體狀，其設(shè)有頂壁11、底壁12及四側(cè)壁13。所述頂壁 11中部向下凹陷形成一大致呈圓形的容置空間111及位于容置空間111兩側(cè)相對(duì)設(shè)置且大致呈矩形的兩容置凹槽112，所述容置空間111底面中部設(shè)有一圓形端子收容槽113。頂壁11在某兩端相對(duì)設(shè)有“Z”字形通氣槽114，所述通氣槽114與容置空間111相連通。相對(duì)通氣槽114所在方向與相對(duì)容置凹槽112所在方向垂直。兩通氣槽114關(guān)于兩容置凹槽 112所在直線對(duì)稱。絕緣本體1的四側(cè)壁13兩端部分別向內(nèi)凹陷形成扣持凹部131。[0014]所述端子組3包括第一端子31和第二端子32。第一端子31呈“T”字形，其包括第一基體311、自第一基體311相互反向延伸形成的兩第一連接部312、與第一連接部312 相連且向下彎折形成的第一焊接部313、自第一焊接部313遠(yuǎn)離第一連接部312的一端向上彎折形成的第一扣持部314、自第一基體311中部沿垂直于第一連接部312的方向延伸形成的第一金屬臂315、與第一金屬臂315相連且大致呈圓形的第一金屬底盤316、位于第一金屬底盤316上且高出第一金屬底盤316表面的第一接觸部317及自第一金屬底盤316延伸且往上彎折形成的固持部318。所述第一基體311高于第一焊接部313。第二端子32呈 “K”字形，其包括第二基體321、自第二基體321相互反向延伸形成的兩第二連接部322、與第二連接部322相連且向下彎折形成的第二焊接部323、自第二焊接部323遠(yuǎn)離第二連接部 322的一端向上彎折形成的第二扣持部324、自第二基體321中部相對(duì)斜向延伸出兩第二金屬臂325、與第二金屬臂325相連且經(jīng)由向上彎折形成的第二金屬底盤326及位于第二金屬底盤326上且高出第二金屬底盤326表面的第二接觸部327。所述第二基體321高于第二焊接部323。所述可動(dòng)觸片2呈薄片型穹頂狀，其相對(duì)于絕緣本體1的容置空間111設(shè)計(jì)成圓形且面積略小于容置空間111的面積。所述遮蔽薄膜4呈八邊形，其包括位于中心的按壓區(qū)41、位于外側(cè)的貼片區(qū)43及連接按壓區(qū)41和貼片區(qū)43的隆起區(qū)42。所述隆起區(qū)42向上隆起。以上為本實(shí)用新型開關(guān)裝置100的結(jié)構(gòu)，下面介紹該開關(guān)裝置100的組裝以便進(jìn)一步明確本實(shí)用新型的實(shí)施過程。端子組3由金屬板沖壓成型，再與絕緣本體1 一體注塑成型。此時(shí)，第一端子31與第二端子32被埋嵌于絕緣本體1內(nèi)，第一端子31的固持部318埋嵌于絕緣本體1內(nèi)，第一扣持部314和第二扣持部324與絕緣本體1的扣持凹部131扣持。因此，端子組3與絕緣本體1穩(wěn)定固持。第一焊接部313和第二焊接部323凸露于絕緣本體1的底壁12，用以焊接于電路板。第一端子31的第一金屬底盤316和第一接觸部317容置于絕緣本體1的端子收容槽113內(nèi)，第二端子32的第二金屬底盤326和第二接觸部327容置于絕緣本體1的容置凹槽112內(nèi)。然后，可動(dòng)觸片2蓋合于容置空間111并懸置于端子組3上方，其邊緣與第二接觸部327接觸。遮蔽薄膜4貼合于絕緣本體1頂壁11，覆蓋于可動(dòng)觸片2上方。在較佳實(shí)施方案中，第二金屬底盤326略高于第一金屬底盤316，第二接觸部327略高于第一接觸部317。在操作時(shí)，開關(guān)裝置100的遮蔽薄膜4受到一向下的壓力，設(shè)于遮蔽薄膜4下方的可動(dòng)觸片2被按壓產(chǎn)生彈性反轉(zhuǎn)，從而實(shí)現(xiàn)可動(dòng)觸片2與第一接觸部317的接觸，實(shí)現(xiàn)第一端子31和第二端子32的電性連接；松開時(shí)，可動(dòng)觸片2則在自身彈性作用下恢復(fù)原狀，第一端子31和第二端子32電性斷開。開關(guān)裝置100的頂壁11設(shè)有連通容置空間111的“Z”字形通氣槽114，其可防止絕緣本體1發(fā)生翹曲及減少粉塵進(jìn)入開關(guān)裝置100內(nèi)部。以上所述僅為本實(shí)用新型提供的實(shí)施方式，不是全部或唯一的實(shí)施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員通過閱讀本實(shí)用新型說明書而對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案采取的任何等效的變化，均為本實(shí)用新型的權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求1.一種開關(guān)裝置，包括絕緣本體、可動(dòng)觸片、端子組及遮蔽薄膜；所述絕緣本體凹陷形成容置空間，端子組固持于絕緣本體內(nèi)，可動(dòng)觸片容置于容置空間且懸置于端子組上方，遮蔽薄膜遮覆于絕緣本體上，其特征在于所述絕緣本體設(shè)有曲折延伸的通氣槽。
2.如權(quán)利要求1所述的開關(guān)裝置，其特征在于所述通氣槽與容置空間相連通。
3.如權(quán)利要求1所述的開關(guān)裝置，其特征在于所述通氣槽為兩“Z”字形通氣槽。
4.如權(quán)利要求1或2或3所述的開關(guān)裝置，其特征在于所述絕緣本體設(shè)有位于容置空間兩側(cè)相對(duì)設(shè)置的兩容置凹槽，兩容置凹槽所在方向與兩通氣槽所在方向垂直。
5.如權(quán)利要求4所述的開關(guān)裝置，其特征在于所述兩通氣槽關(guān)于兩容置凹槽所在直線對(duì)稱。
6.如權(quán)利要求4所述的開關(guān)裝置，其特征在于所述端子組包括第一端子和第二端子， 所述第一端子設(shè)有第一接觸部，第二端子設(shè)有第二接觸部，第二接觸部高于第一接觸部。
7.如權(quán)利要求6所述的開關(guān)裝置，其特征在于所述第一端子設(shè)有第一金屬底盤，第二端子設(shè)有第二金屬底盤，第二金屬底盤高于第一金屬底盤。
8.如權(quán)利要求6所述的開關(guān)裝置，其特征在于所述第一端子設(shè)有向上彎折的固持部， 所述固持部埋嵌于絕緣本體內(nèi)。
9.如權(quán)利要求6所述的開關(guān)裝置，其特征在于所述第一端子設(shè)有第一基體及第一焊接部，第一基體高于第一焊接部；所述第二端子設(shè)有第二基體及第二焊接部，第二基體高于第二焊接部。
10.如權(quán)利要求7所述的開關(guān)裝置，其特征在于絕緣本體設(shè)有端子收容槽，第一金屬底盤和第一接觸部容置于端子收容槽；第二金屬底盤和第二接觸部容置于容置凹槽。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種開關(guān)裝置，其包括絕緣本體、可動(dòng)觸片、端子組及遮蔽薄膜。所述絕緣本體凹陷形成容置空間，端子組固持于絕緣本體內(nèi)，可動(dòng)觸片容置于容置空間且懸置于端子組上方，遮蔽薄膜遮覆于絕緣本體上。所述絕緣本體設(shè)有曲折延伸的通氣槽，其可避免絕緣本體發(fā)生翹曲，同時(shí)，減少粉塵進(jìn)入開關(guān)裝置內(nèi)部。
文檔編號(hào)H01H13/06GK202003877SQ201020643909
公開日2011年10月5日 申請(qǐng)日期2010年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月7日
發(fā)明者孫亮, 王永佳, 譚世杰 申請(qǐng)人:富士康(昆山)電腦接插件有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司