專利名稱：一種pmoled掃描電極布線結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及平面顯示技術(shù)，具體的說是涉及一種PMOLED掃描電極布線結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)是新一代的照明和顯示裝置，其通過將有機(jī)發(fā)光材料夾在透明陽極和金屬反射陰極之間，形成有機(jī)薄膜，對(duì)有機(jī)薄膜施加電壓來進(jìn)行發(fā)光。PMOLED 是被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)發(fā)光的OLED顯示屏，一般是由驅(qū)動(dòng)IC(芯片)向顯示屏中的發(fā)光像素供電， 通過對(duì)顯示屏的掃描電極進(jìn)行逐行掃描來達(dá)到顯示圖像的目的。由于顯示屏的空間大小有局限性，而其接線又極其復(fù)雜，要在有限的空間內(nèi)布置下繁復(fù)的線路，這就涉及到對(duì)掃描電極的布線問題。傳統(tǒng)技術(shù)中的PMOLED掃描電極布線結(jié)構(gòu)如圖1所示，其包括像素點(diǎn)陣列和分布在像素點(diǎn)陣列左右兩側(cè)的η個(gè)掃描電極，η等于像素點(diǎn)陣列的行數(shù)；第一個(gè)掃描電極分布在像素點(diǎn)陣列的一側(cè)連接像素點(diǎn)陣列的第一行，第二個(gè)掃描電極分布在像素點(diǎn)陣列的另一側(cè)連接像素點(diǎn)陣列的第二行，第三個(gè)掃描電極分布在像素點(diǎn)陣列的一側(cè)連接像素點(diǎn)陣列的第三行，第四個(gè)掃描電極分布在像素點(diǎn)陣列的另一側(cè)連接像素點(diǎn)陣列的第四行…以此類推；其中，每個(gè)掃描電極分五段設(shè)計(jì)第一段為與像素點(diǎn)1連接的接觸孔2，其寬度等于一個(gè)像素點(diǎn)1的高度；第二段為接觸孔的引出電極，水平方向布線；第三段為豎直方向布線的電極；第四段為向中央傾斜布線的電極；第五段為豎直方向布線的電極，用于連接驅(qū)動(dòng)IC ；處于像素點(diǎn)陣列同側(cè)的各掃描電極的第二段逐漸縮短(從圖1中可見，連接奇數(shù)行的掃描電極的第二段逐漸縮短，連接偶數(shù)行的掃描電極的第二段也逐漸縮短)，不同的掃描電極之間在寬度設(shè)計(jì)上基本是一致的。上述布線結(jié)構(gòu)存在著缺陷由于掃描電極本身存在一定的電阻，當(dāng)電流由驅(qū)動(dòng)IC流向OLED發(fā)光單元時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電流損耗，而距離驅(qū)動(dòng)IC越遠(yuǎn)則電流損耗越大，因此，電流在各行像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)的掃描電極中的損耗大小不一致，造成OLED發(fā)光單元中行與行之間亮度有差異，從而導(dǎo)致整個(gè)PMOLED顯示屏的亮度顯示不均勻。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)傳統(tǒng)技術(shù)的不足，提出一種新型的 PMOLED掃描電極布線結(jié)構(gòu)，減小掃描電極的自身壓降，保證PMOLED顯示屏的的發(fā)光亮度，
改善其品質(zhì)。本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種PMOLED掃描電極布線結(jié)構(gòu)，包括像素點(diǎn)陣列和分布在像素點(diǎn)陣列左右兩側(cè)的η個(gè)掃描電極，η等于像素點(diǎn)陣列的行數(shù)；第一個(gè)掃描電極分布在像素點(diǎn)陣列的一側(cè)連接像素點(diǎn)陣列的第一行，第二個(gè)掃描電極分布在像素點(diǎn)陣列的另一側(cè)連接像素點(diǎn)陣列的第二行，第三個(gè)掃描電極分布在像素點(diǎn)陣列的一側(cè)連接像素點(diǎn)陣列的第三行，第四個(gè)掃描電極分布在像素點(diǎn)陣列的另一側(cè)連接像素點(diǎn)陣列的第四行…以此類推；其中，每個(gè)掃描電極分五段設(shè)計(jì)第一段為與像素點(diǎn)連接的接觸孔；第二段為接觸孔的引出電極；第三段為豎直方向布線的電極；第四段為向中央傾斜布線的電極；第五段為豎直方向布線的電極；處于像素點(diǎn)陣列同側(cè)的各掃描電極的第二
3段逐漸縮短，每個(gè)掃描電極的第一段的寬度為兩個(gè)像素點(diǎn)高度之和。進(jìn)一步，每個(gè)掃描電極的第二段與水平方向呈一定角度。進(jìn)一步，所述一定角度為45°。
進(jìn)一步，處于像素點(diǎn)陣列同側(cè)的各掃描電極滿足以下要求各掃描電極的第一段的寬度均相等；各掃描電極的第二段的寬度均相等；各掃描電極的第三段的寬度呈漸變趨勢(shì)，越向外側(cè)越寬；各掃描電極的第四段的寬度均相等；各掃描電極的第五段的寬度均相寸。進(jìn)一步，所述掃描電極采用Cr或Mo或Al制成。本實(shí)用新型的有益效果是將掃描電極分五段設(shè)計(jì)，每段設(shè)計(jì)都最大化地利用了空間，按照金屬薄膜電阻的定義，掃描電極面積越大，則電阻越低，因此，減小了因掃描電極引起的電壓降，從而保證了發(fā)光亮度；同時(shí)對(duì)于不同的掃描電極的第三段采取了漸變式的設(shè)計(jì)掃描電極寬度從外向內(nèi)逐漸減小，從而減小了行與行之間的亮度顯示差異，改善了 PMOLED顯示屏的品質(zhì)。

圖1為傳統(tǒng)的PMOLED掃描電極布線結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的PMOLED掃描電極布線結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，1為像素點(diǎn)，2為接觸孔，3為掃描電極的第二段，4為掃描電極的第三段，5為掃描電極的第四段，6為掃描電極的第五段。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。本實(shí)用新型公開了一種新型的PMOLED掃描電極布線結(jié)構(gòu)，其目的在于減小掃描電極的自身壓降，保證PMOLED顯示屏的的發(fā)光亮度，改善其品質(zhì)。相對(duì)于傳統(tǒng)技術(shù)，其改進(jìn)點(diǎn)在于增加了掃描電極的第一段設(shè)計(jì)的寬度，由于掃描電極寬度的增加，降低了其自身電阻，因此，通過掃描電極的電流損耗減小，從而保證了發(fā)光亮度；再進(jìn)一步設(shè)計(jì)，將掃描電極的第二段設(shè)計(jì)為傾斜式，則可以減小掃描電極的長度，尤其是將第二段設(shè)計(jì)為與水平方向呈45°角，則可以將掃描電極的長度減小到最短，進(jìn)一步減小掃描電極的電流損耗。此外，對(duì)于不同的掃描電極的第三段采取了漸變式的設(shè)計(jì)掃描電極寬度從外向內(nèi)逐漸減小。對(duì)于同一種材質(zhì)的掃描電極來說，掃描電極導(dǎo)線越長，即離驅(qū)動(dòng)IC越遠(yuǎn)電流損耗就越大，因此，分布在同一側(cè)的不同的掃描電極的電流損耗是呈漸變趨勢(shì)的，越往外側(cè)，掃描電極導(dǎo)線的長度越長，電流損耗越大；因此，我們通過將同一側(cè)的不同的掃描電極的第三段的寬度也設(shè)計(jì)成漸變形式的，越往外側(cè)，寬度越大，從而減小了行與行之間的亮度顯示差異，改善了 PMOLED顯示屏的品質(zhì)。實(shí)施例如圖2所示，本例中的PMOLED掃描電極布線結(jié)構(gòu)，包括像素點(diǎn)陣列和分布在像素點(diǎn)陣列左右兩側(cè)的η個(gè)掃描電極，η等于像素點(diǎn)陣列的行數(shù)；第一個(gè)掃描電極分布在像素點(diǎn)陣列的左側(cè)連接像素點(diǎn)陣列的第一行，第二個(gè)掃描電極分布在像素點(diǎn)陣列的右側(cè)連接像素點(diǎn)陣列的第二行，第三個(gè)掃描電極分布在像素點(diǎn)陣列的左側(cè)連接像素點(diǎn)陣列的第三行，第四個(gè)掃描電極分布在像素點(diǎn)陣列的右側(cè)連接像素點(diǎn)陣列的第四行…以此類推；其中，每個(gè)掃描電極分五段設(shè)計(jì)第一段為與像素點(diǎn)1連接的接觸孔2，其寬度等于兩個(gè)像素點(diǎn)1的高度之和；第二段3為接觸孔的引出電極，與水平方向呈45°角；第三段4為豎直方向布線的電極；第四段5為向中央傾斜布線的電極；第五段6為豎直方向布線的電極，用于連接驅(qū)動(dòng) IC ；處于像素點(diǎn)陣列同側(cè)的各掃描電極的第二段逐漸縮短。分布在同一側(cè)的不同的掃描電極之間需滿足以下要求第一段的寬度均相等；第二段3的寬度均相等；第三段4的寬度呈漸變趨勢(shì)，越向外側(cè)越寬；第四段5的寬度均相等； 第五段6的寬度均相等。通過上述設(shè)計(jì)，最大化利用了 PMOLED顯示屏的周圍空間，減小了掃描電極自身的電流損耗，有力保證了顯示屏的發(fā)光亮度，并且減小了行與行之間的亮度顯示差異，改善了 PMOLED顯示屏的品質(zhì)，有利于提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。本實(shí)用新型中的掃描電極可采用Cr或Mo或Al材料制成，也可采用其它金屬材料制成。
權(quán)利要求1.一種PMOLED掃描電極布線結(jié)構(gòu)，包括像素點(diǎn)陣列和分布在像素點(diǎn)陣列左右兩側(cè)的 η個(gè)掃描電極，η等于像素點(diǎn)陣列的行數(shù)；第一個(gè)掃描電極分布在像素點(diǎn)陣列的一側(cè)連接像素點(diǎn)陣列的第一行，第二個(gè)掃描電極分布在像素點(diǎn)陣列的另一側(cè)連接像素點(diǎn)陣列的第二行，第三個(gè)掃描電極分布在像素點(diǎn)陣列的一側(cè)連接像素點(diǎn)陣列的第三行，第四個(gè)掃描電極分布在像素點(diǎn)陣列的另一側(cè)連接像素點(diǎn)陣列的第四行，余類推；其中，每個(gè)掃描電極分五段設(shè)計(jì)第一段為與像素點(diǎn)連接的接觸孔；第二段為接觸孔的引出電極；第三段為豎直方向布線的電極；第四段為向中央傾斜布線的電極；第五段為豎直方向布線的電極；處于像素點(diǎn)陣列同側(cè)的各掃描電極的第二段逐漸縮短，其特征在于每個(gè)掃描電極的第一段的寬度為兩個(gè)像素點(diǎn)高度之和。
2.如權(quán)利要求1所述的一種PMOLED掃描電極布線結(jié)構(gòu)，其特征在于每個(gè)掃描電極的第二段與水平方向呈一定角度。
3.如權(quán)利要求2所述的一種PMOLED掃描電極布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述一定角度為 45°。
4.如權(quán)利要求3所述的一種PMOLED掃描電極布線結(jié)構(gòu)，其特征在于處于像素點(diǎn)陣列同側(cè)的各掃描電極滿足以下要求各掃描電極的第一段的寬度均相等；各掃描電極的第二段的寬度均相等；各掃描電極的第三段的寬度呈漸變趨勢(shì)，越向外側(cè)越寬；各掃描電極的第四段的寬度均相等；各掃描電極的第五段的寬度均相等。
5.如權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的一種PMOLED掃描電極布線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述掃描電極采用Cr或Mo或Al制成。
專利摘要本實(shí)用新型涉及平面顯示技術(shù)，其針對(duì)傳統(tǒng)技術(shù)的不足，公開了一種新型的PMOLED掃描電極布線結(jié)構(gòu)，減小掃描電極的自身壓降，保證PMOLED顯示屏的發(fā)光亮度，改善其品質(zhì)。其技術(shù)方案的要點(diǎn)可概括為增大了掃描電極的第一段寬度，按照金屬薄膜電阻的定義，掃描電極面積越大，則電阻越低，因此，減小了因掃描電極引起的電壓降，從而保證了發(fā)光亮度；同時(shí)對(duì)于不同的掃描電極的第三段采取了漸變式的設(shè)計(jì)掃描電極寬度從外向內(nèi)逐漸減小，從而減小了行與行之間的亮度顯示差異，改善了PMOLED顯示屏的品質(zhì)。本實(shí)用新型適用于PMOLED顯示屏。
文檔編號(hào)H01L51/52GK201946599SQ20102066527
公開日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2010年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月17日
發(fā)明者閆曉劍 申請(qǐng)人:四川虹視顯示技術(shù)有限公司