專利名稱：一種mos晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種MOS晶體管。
背景技術(shù)：
MOS晶體管(以下簡(jiǎn)稱MOS管)是場(chǎng)效應(yīng)(FET)晶體管的一種，其全稱是金屬-氧化物-半導(dǎo)體(metal-oxide-semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。MOS管是一種電壓控制型器件， 能夠把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化成輸出電流的變化。一個(gè)MOS管是由四端構(gòu)成，當(dāng)在柵端施加一個(gè)合適的電壓的時(shí)候，MOS管會(huì)開啟，形成一個(gè)從源端(source)到漏端(drain)的通路。 相比于傳統(tǒng)的雙極型晶體管來說，MOS管更小更省電，更易于集成，在現(xiàn)代的集成電路中得到了比雙極型晶體管更廣泛的應(yīng)用。通常情況下的MOS管的版圖。MOS管是一個(gè)四端器件，包括柵端(gate)、源端 (source) JJPSKdrain)和體端(bulk)。通常情況下的MOS管版圖會(huì)在這四端通過各端的接觸孔(contact)來連接金屬層(metal)，再通過金屬層連接到相應(yīng)的地方。傳統(tǒng)的MOS管柵極的柵極是一個(gè)長(zhǎng)的直條形，當(dāng)我們需要一個(gè)很大的MOS管的時(shí)候，就會(huì)發(fā)現(xiàn)整個(gè)版圖會(huì)占用很大的面積，導(dǎo)致整個(gè)芯片的面積變大，最終會(huì)造成芯片的生產(chǎn)成本較高。而且這種情況下，漏區(qū)的電容很大，會(huì)限制整個(gè)MOS管的開關(guān)速度和頻率響應(yīng)。無論對(duì)于模擬電路還是數(shù)字電路，減小漏區(qū)電容都有很大的好處。使用較小的晶體管會(huì)使得漏區(qū)電容變小，但是同時(shí)也會(huì)使跨導(dǎo)減小，這些因素互相抵消的情況下，小MOS管并不比大MOS管快多少。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種MOS晶體管，以克服現(xiàn)有MOS晶體管的版圖占用面積大，導(dǎo)致整個(gè)芯片的面積變大，最終會(huì)造成芯片的生產(chǎn)成本較高。而且這種情況下，漏區(qū)的電容很大，會(huì)限制整個(gè)MOS管的開關(guān)速度和頻率響應(yīng)。本實(shí)用新型的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)一種MOS晶體管，包括金屬層、柵端、源端、漏端和體端，其中柵端設(shè)置在襯底上的阱之上，所述柵端、源端、漏端和體端上均設(shè)有若干接觸孔，柵端、源端、漏端和體端均通過接觸孔連接到金屬層，所述柵端為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，柵端圍繞在漏端周圍，柵端外圍設(shè)有源端，源端旁邊設(shè)有體端，所述柵端的環(huán)狀結(jié)構(gòu)可以采用圓環(huán)或方形環(huán)。本實(shí)用新型的有益效果為1、本MOS晶體管具有更小的版圖面積，從而減小芯片面積，節(jié)約制造成本；2、由于更小的漏端寄生電容，使MOS晶體管的開關(guān)速度更快，性能更好。

下面根據(jù)附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例所述的MOS晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例所述的MOS晶體管的柵端為圓形環(huán)結(jié)構(gòu)示意圖；[0011]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例所述的MOS晶體管的柵端為方形環(huán)結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1、金屬層；2、柵端；3、源端；4、漏端；5、體端；6、接觸孔；7、阱。
具體實(shí)施方式
如圖1-3所示，本實(shí)用新型實(shí)施例所述的一種MOS晶體管，包括金屬層1，柵端2、 源端3、漏端4和體端5，其中柵端2設(shè)置在襯底上的阱7之上，所述柵端2、源端3、漏端4和體端5上均設(shè)有若干接觸孔6，柵端2、源端3、漏端4和體端5均通過接觸孔6連接到金屬層1，所述柵端2為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，柵端2圍繞在漏端4周圍，柵端2外圍設(shè)有源端3，源端3旁邊設(shè)有體端5，所述柵端2的環(huán)狀結(jié)構(gòu)可以采用圓環(huán)或方形環(huán)。對(duì)于圖2中的圓形柵的環(huán)形MOS結(jié)構(gòu)，如圖所示，其內(nèi)柵直徑為A，外柵直徑為B， 那么可以得到圓形柵環(huán)形MOS管的寬度和長(zhǎng)度分別為；而對(duì)于圖3中的方形柵的環(huán)形MOS結(jié)構(gòu)，如圖所示，其柵的內(nèi)正方形邊長(zhǎng)為C，外正方形的邊長(zhǎng)為D，在忽略拐角效應(yīng)的情況下，那么可以得到方形柵的MOS管的寬度和長(zhǎng)度分別為；通常，環(huán)形MOS管的柵極還會(huì)被拉長(zhǎng)，有時(shí)可以用這種方法來形成封閉的溝道。通常情況下，根據(jù)工藝制造廠的設(shè)計(jì)規(guī)則文件，就確定了固定尺寸的MOS管的版圖面積大小， 但是應(yīng)用本實(shí)用新型，就可以通過減小MOS管的版圖面積來減小芯片的面積，最終達(dá)到節(jié)約成本的目的。綜上所述，本實(shí)用新型通過將柵極設(shè)計(jì)成環(huán)形結(jié)構(gòu)，并將環(huán)形結(jié)構(gòu)中間部分作為MOS管漏極，環(huán)形結(jié)構(gòu)的外圍部分作為MOS管的源極，實(shí)現(xiàn)了減小MOS管所占版圖，并提高了 MOS管的開關(guān)速度。本實(shí)用新型不局限于上述最佳實(shí)施方式，任何人在本實(shí)用新型的啟示下都可得出其他各種形式的產(chǎn)品，但不論在其形狀或結(jié)構(gòu)上作任何變化，凡是具有與本申請(qǐng)相同或相近似的技術(shù)方案，均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種MOS晶體管，包括金屬層(1)、柵端(2)、源端(3)、漏端(4)和體端(5)，其中柵端 (2)設(shè)置在襯底上的阱(7)之上，其特征在于所述柵端(2)、源端(3)、漏端(4)和體端(5) 上均設(shè)有若干接觸孔(6)，柵端(2)、源端(3)、漏端(4)和體端(5)均通過接觸孔(6)連接到金屬層(1)，所述柵端(2)為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，柵端(2)圍繞在漏端(4)周圍，柵端(2)外圍設(shè)有源端(3 )，源端(3 )旁邊設(shè)有體端(5 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS晶體管，其特征在于所述柵端(2)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)采用圓環(huán)或方形環(huán)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種MOS晶體管，包括金屬層，柵端、源端、漏端和體端，其中柵端設(shè)置在襯底上的阱之上，所述柵端、源端、漏端和體端上均設(shè)有若干接觸孔，柵端、源端、漏端和體端均通過接觸孔連接到金屬層，所述柵端為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，柵端圍繞在漏端周圍，柵端外圍設(shè)有源端，源端旁邊設(shè)有體端，所述柵端的環(huán)狀結(jié)構(gòu)可以采用圓環(huán)或方形環(huán)。本實(shí)用新型的有益效果為1、本MOS晶體管具有更小的版圖面積，減小芯片面積，節(jié)約制造成本；2、更小的漏端寄生電容，使MOS晶體管的開關(guān)速度更快，性能更好。
文檔編號(hào)H01L29/78GK201946601SQ201020679919
公開日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2010年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月24日
發(fā)明者姚瑞琨, 景春忠, 田道璟 申請(qǐng)人:葉兆屏