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具有阻擋層的鋁鎵銦磷系化合物半導(dǎo)體發(fā)光器的制作方法

文檔序號(hào):6985363閱讀:176來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:具有阻擋層的鋁鎵銦磷系化合物半導(dǎo)體發(fā)光器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件,尤其涉及一種鋁鎵銦磷系化合物半導(dǎo)體發(fā)光器。
背景技術(shù)
作為市場(chǎng)上最炙手可熱的半導(dǎo)體材料,鋁鎵銦磷材料的應(yīng)用已經(jīng)得到迅猛的發(fā)展。業(yè)界一般使用導(dǎo)電銀漿把鋁鎵銦磷發(fā)光器固晶于金屬支架上。在鋁鎵銦磷系發(fā)光器件結(jié)構(gòu)上,N型金屬層處于器件底部,再通過(guò)導(dǎo)電銀漿和支架連接,起導(dǎo)通作用。常規(guī)的N型金屬層由N型歐姆接觸金屬層和保護(hù)金屬層組成,常規(guī)的N型歐姆接觸金屬層金屬組份為金鍺鎳合金,保護(hù)金屬層為金。在目前的鋁鎵銦磷系發(fā)光器件的使用中,經(jīng)常發(fā)生器件由于 N型金屬層和固晶銀漿脫離而導(dǎo)致器件失效的情況,后續(xù)分析發(fā)現(xiàn)N型金屬層中的N型歐姆接觸金屬層金屬鍺和鎳穿透出保護(hù)層,在表面氧化形成氧化鍺和氧化鎳,造成N型金屬層和銀漿脫離接觸,呈現(xiàn)開路現(xiàn)象,從而造成器件失效故障。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)中N型金屬層可靠性較差的技術(shù)問(wèn)題,提出一種改進(jìn)的具有阻擋層的鋁鎵銦磷系化合物半導(dǎo)體發(fā)光器。為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型提出的一種具有阻擋層的鋁鎵銦磷系化合物半導(dǎo)體發(fā)光器,包括依次層疊的N型金屬層、N型層、鋁鎵銦磷有源區(qū)、P型層、P型金屬層。所述的N型金屬層由N型歐姆接觸金屬層、阻擋金屬層和保護(hù)金屬層層疊而成。其中所述的阻擋金屬層可以由鉬、鎢或鉭任一種金屬材料制作。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的N型金屬層采用三明治結(jié)構(gòu),由于在N型歐姆接觸金屬層5和保護(hù)金屬層7層之間增加了一阻擋金屬層6,則可以阻擋N型歐姆接觸金屬層5 內(nèi)的金屬鍺和鎳容易穿透出保護(hù)金屬層6,而造成器件失效的發(fā)生。大大提高了器件的可靠性。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作詳細(xì)的說(shuō)明,其中

圖1是現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體發(fā)光器件的截面示意圖;圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的截面示意圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖1,現(xiàn)有的鋁鎵銦磷系化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件包括順序疊加的N型金屬層、N型層4、鋁鎵銦磷有源區(qū)3、P型層2、P型金屬層1。而N型金屬層由歐姆接觸金屬層 5和保護(hù)金屬層6構(gòu)成。該結(jié)構(gòu)中N型歐姆接觸金屬層5內(nèi)的金屬鍺和鎳容易穿透出保護(hù)金屬層6,在表面氧化形成氧化鍺和氧化鎳,造成N型金屬層在金屬支架上開路,從而造成器件失效故障。[0011]圖2顯示出了本實(shí)用新型的實(shí)施例的結(jié)構(gòu),其主體結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有鋁鎵銦磷系化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件基本相同,也包括順序疊加的N型金屬層、N型層4、鋁鎵銦磷有源區(qū)3、P型層2、P型金屬層1。所不同的是N型金屬層采用三明治結(jié)構(gòu),由N型歐姆接觸金屬層5、阻擋金屬層6和保護(hù)金屬層7層疊而成。阻擋金屬層6采用高密度的鉬、鎢或鉭任一種金屬制作。由于在N型歐姆接觸金屬層5和保護(hù)金屬層7層之間增加了一阻擋金屬層6,則可以阻擋N型歐姆接觸金屬層5內(nèi)的金屬鍺和鎳容易穿透出保護(hù)金屬層7,而造成器件失效的發(fā)生。大大提高了器件的可靠性。在半導(dǎo)體器件工藝過(guò)程中,通常采用金屬鍍膜的工藝將金屬層蒸鍍到半導(dǎo)體晶圓表面,通常N型金屬層鍍膜一次完成,即N型歐姆接觸金屬層,阻擋金屬層和保護(hù)金屬層在一次鍍膜工序中完成,相對(duì)于常規(guī)結(jié)構(gòu),生產(chǎn)工序沒(méi)有大的區(qū)別。實(shí)驗(yàn)證明,本實(shí)用新型發(fā)光器件的可靠性穩(wěn)定提高,失效率降低萬(wàn)分之 3(300ppm)。
權(quán)利要求1.一種具有阻擋層的鋁鎵銦磷系化合物半導(dǎo)體發(fā)光器,包括依次層疊的N型金屬層、N 型層、鋁鎵銦磷有源區(qū)、P型層、P型金屬層,其特征在于所述的N型金屬層由N型歐姆接觸金屬層、阻擋金屬層和保護(hù)金屬層層疊而成。
2.如權(quán)利要求1所述的具有阻擋層的鋁鎵銦磷系化合物半導(dǎo)體發(fā)光器,其特征在于 所述的阻擋金屬層由鉬、鎢或鉭任一種金屬材料制作。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種具有阻擋層的鋁鎵銦磷系化合物半導(dǎo)體發(fā)光器,包括依次層疊的N型金屬層、N型層、鋁鎵銦磷有源區(qū)、P型層、P型金屬層。所述的N型金屬層由N型歐姆接觸金屬層、阻擋金屬層和保護(hù)金屬層層疊而成。本實(shí)用新型提出的三明治結(jié)構(gòu)式的N型金屬層,使N電極的可靠性提高,從而降低了器件失效概率,提高了器件可靠性。
文檔編號(hào)H01L33/14GK201975414SQ20102068710
公開日2011年9月14日 申請(qǐng)日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月29日
發(fā)明者吳質(zhì)樸, 袁彤, 馬學(xué)進(jìn) 申請(qǐng)人:深圳市奧倫德科技有限公司
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