專利名稱：一種底板直焊、平面型功率電阻器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電阻技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種底板直焊、平面型功率電阻器。
背景技術(shù)：
當(dāng)前市場上采用T0220標(biāo)準(zhǔn)封裝的厚膜、平面型功率電阻器，額定功率一般為 20 35瓦，采用單端M3螺絲固定安裝，單端固定不平衡性，影響電阻底板和系統(tǒng)散熱板之間的緊固程度，影響散熱效率，從而造成不穩(wěn)定因素。此外由于固定螺絲孔占據(jù)面積較大， 影響了裝配密度的進(jìn)一步提高。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的問題是提供一種底板直焊、平面型功率電阻器，以克服現(xiàn)有技術(shù)的電阻器散熱差及裝配密度差的缺點(diǎn)。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案提供一種底板直焊、平面型功率電阻器， 所述電阻器包括鍍鎳白銅片、陶瓷基片、鈀銀電極、電阻漿料和二個(gè)引腳；所述陶瓷基片焊接在所述鍍鎳白銅片上；所述陶瓷基片上前后分別印制燒結(jié)鈀銀電極和電阻漿料；所述二個(gè)弓I腳焊接在所述鈀銀電極上。進(jìn)一步，所述陶瓷基片的長度為8mm、寬度為5. 5mm、厚度為0. 5mm。進(jìn)一步，所述陶瓷基片為96%氧化鋁陶瓷基片。進(jìn)一步，所述電阻漿料上涂有一層玻璃鈾。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型的底板直焊、平面型功率電阻器通過采用電阻器底板直接和系統(tǒng)散熱底板錫焊連接，并且去掉了固定用螺孔，使其散熱效果好并提高了裝配密度。

圖1為本實(shí)用新型的底板直焊、平面型功率電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本實(shí)用新型，但不用來限制本實(shí)用新型的范圍。本實(shí)用新型底板直焊、平面型功率電阻器的結(jié)構(gòu)如圖1所示，所述電阻器包括鍍鎳白銅片(1)、陶瓷基片O)、鈀銀電極(3)、電阻漿料(4)和二個(gè)引腳(5)；所述陶瓷基片⑵焊接在所述鍍鎳白銅片⑴上；所述陶瓷基片⑵上前后分別印制燒結(jié)鈀銀電極(3)和電阻漿料⑷；所述二個(gè)引腳(5)焊接在所述鈀銀電極(3)上。所述陶瓷基片O)的長度為8mm、寬度為5. 5mm、厚度為0. 5mm。
3[0020]所述陶瓷基片( 為96%氧化鋁陶瓷基片。所述電阻漿料(4)上涂有一層玻璃鈾。本實(shí)用新型的底板直焊、平面型功率電阻器制備過程如下在長8mm、寬5. 5mm、厚度0. 5mm的96%陶瓷基片⑵上前后分別印制燒結(jié)(經(jīng)過 850°C)鈀銀電極(3)、電阻漿料G)，再在電阻漿料(4)上涂一層玻璃鈾(經(jīng)過550°C燒結(jié))，然后通過定位模將整個(gè)陶瓷基片( 定位在鍍鎳白銅片(1)上(兩者之間均勻涂上焊錫膏)，再將其以上整個(gè)部份放入焊接模內(nèi)固定，通過焊接模將二個(gè)引腳( 定位在鈀銀電極(3)上(兩者之間均勻涂上焊錫膏)，最后全部放入真空焊接爐內(nèi)進(jìn)行真空焊接，將焊接后的產(chǎn)品涂上硅膠再進(jìn)行注塑即可完成。本實(shí)用新型的底板直焊、平面型功率電阻器通過采用電阻器底板直接和系統(tǒng)散熱底板錫焊連接，并且去掉了固定用螺孔，使其散熱效果好并提高了裝配密度。所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種底板直焊、平面型功率電阻器，其特征在于，所述電阻器包括鍍鎳白銅片(1)、 陶瓷基片O)、鈀銀電極(3)、電阻漿料(4)和二個(gè)引腳(5)；所述陶瓷基片( 焊接在所述鍍鎳白銅片(1)上；所述陶瓷基片(2)上前后分別印制燒結(jié)鈀銀電極(3)和電阻漿料；所述二個(gè)引腳( 焊接在所述鈀銀電極C3)上。
2.如權(quán)利要求1所述的一種底板直焊、平面型功率電阻器，其特征在于，所述陶瓷基片 (2)的長度為8mm、寬度為5. 5mm、厚度為0. 5mm。
3.如權(quán)利要求1所述的一種底板直焊、平面型功率電阻器，其特征在于，所述陶瓷基片 (2)為96%氧化鋁陶瓷基片。
4.如權(quán)利要求1所述的一種底板直焊、平面型功率電阻器，其特征在于，所述電阻漿料 (4)上涂有一層玻璃鈾。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種底板直焊、平面型功率電阻器，所述電阻器包括鍍鎳白銅片(1)、陶瓷基片(2)、鈀銀電極(3)、電阻漿料(4)和二個(gè)引腳(5)；所述陶瓷基片(2)焊接在所述鍍鎳白銅片(1)上；所述陶瓷基片(2)上前后分別印制燒結(jié)鈀銀電極(3)和電阻漿料(4)；所述二個(gè)引腳(5)焊接在所述鈀銀電極(3)上。本實(shí)用新型的底板直焊、平面型功率電阻器通過采用電阻器底板直接和系統(tǒng)散熱底板錫焊連接，并且去掉了固定用螺孔，使其散熱效果好并提高了裝配密度。
文檔編號H01C7/00GK201984910SQ20102069761
公開日2011年9月21日 申請日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者艾小軍, 魏莊子 申請人:深圳意杰(Ebg)電子有限公司