專利名稱：強脈沖耐受性能的功率電阻器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種電阻，是一種強脈沖耐受性能的功率電阻器。
背景技術(shù)：
在電器設(shè)備中，經(jīng)常有強脈沖負(fù)荷作用于電阻器的應(yīng)用場合，在這種應(yīng)用中金屬電阻器具有最佳的脈沖耐受特性，是任何薄膜或厚膜電阻器所無法比擬的。但是金屬電阻器最大的局限是電阻值局限于低值范圍，目前用于線繞或合金箔電阻器的合金材料，最高的電阻率約為1.5μ Ω ·πι。很明顯，當(dāng)電阻值> IOR時，用線繞或合金箔電阻器實現(xiàn)功率電阻器是很困難的，除非把電阻體積設(shè)計得非常大，在很多應(yīng)用場合是不現(xiàn)實的，一般的厚膜功率電阻器的脈沖特性和一些用戶的要求又有一定距離。

實用新型內(nèi)容針對上述技術(shù)中存在的不足之處，本實用新型提供一種結(jié)構(gòu)簡單，可以增加電阻器的熱容量，提高電阻器隨機脈沖負(fù)荷的吸收和散發(fā)能力的耐受性能的功率電阻器。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供一種強脈沖耐受性能的功率電阻器，在陶瓷瓷棒的兩端均設(shè)有鍍鎳銅帽，在所述陶瓷瓷棒的表面印制有鈀銀電極區(qū)域與電阻漿料區(qū)域， 所述鈀銀電極區(qū)域印制在所述電阻漿料區(qū)域的兩端。在所述電阻漿料區(qū)域的表面還印制有玻璃鈾層。所述陶瓷瓷棒的長度為42mm，所述陶瓷瓷棒橫截面的直徑為14mm及20mm。所述鍍鎳銅帽的直徑為15mm及21mm，高度為16mm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有以下優(yōu)點本實用新型提供的強脈沖耐受性能的功率電阻器，在陶瓷瓷棒的兩端均設(shè)有鍍鎳銅帽，在陶瓷瓷棒的表面印制有鈀銀電極區(qū)域與電阻漿料區(qū)域，鈀銀電極區(qū)域印制在電阻漿料區(qū)域的兩端，在電阻漿料區(qū)域的表面還印制有玻璃鈾層。本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，體積小，可以增加電阻器的熱容量，提高電阻器隨機脈沖負(fù)荷的吸收和散發(fā)能力。

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)圖。主要元件符號說明如下1陶瓷瓷棒2鈀銀電極區(qū)域3電阻漿料區(qū)域 4鍍鎳銅帽
具體實施方式
為了更清楚的表述本實用新型，
以下結(jié)合附圖對本實用新型作進(jìn)一步的描述。如圖1所示，本實用新型提供一種強脈沖耐受性能的功率電阻器，在陶瓷瓷棒1的兩端均設(shè)有鍍鎳銅帽4，在陶瓷瓷棒1的表面印制有鈀銀電極區(qū)域2與電阻漿料區(qū)域3，鈀
3銀電極區(qū)域2印制在電阻漿料區(qū)域3的兩端。在電阻漿料區(qū)域3的表面還印制有玻璃鈾層 (圖中未描述)。陶瓷瓷棒的長度為42mm，直徑為14mm及20mm。鍍鎳銅帽橫截面的直徑為 15mm 及 21mm,高度為 16mm。陶瓷瓷棒由含量為96%的氧化鋁制成，其品質(zhì)有極高的要求，須經(jīng)特殊的工藝進(jìn)行篩選。在陶瓷瓷棒的表面分別印制鈀銀電極與電阻漿料，并經(jīng)850°C的高溫?zé)Y(jié)，然后在電阻漿料的表面印制上玻璃鈾層，經(jīng)陽01高溫?zé)Y(jié)，最后用壓帽機將兩個鍍鎳銅帽安裝在陶瓷瓷棒兩端即可。以上公開的僅為本實用新型的幾個具體實施例，但是，本實用新型并非局限于此， 任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員能思之的變化都應(yīng)落入本實用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種強脈沖耐受性能的功率電阻器，其特征在于，在陶瓷瓷棒的兩端均設(shè)有鍍鎳銅帽，在所述陶瓷瓷棒的表面印制有鈀銀電極區(qū)域與電阻漿料區(qū)域，所述鈀銀電極區(qū)域印制在所述電阻漿料區(qū)域的兩端。
2.如權(quán)利要求1所述的一種強脈沖耐受性能的功率電阻器，其特征在于，在所述電阻漿料區(qū)域的表面還印制有玻璃鈾層。
3.如權(quán)利要求1所述的一種強脈沖耐受性能的功率電阻器，其特征在于，所述陶瓷瓷棒的長度為42mm，所述陶瓷瓷棒橫截面的直徑為14mm及20mm。
4.如權(quán)利要求1所述的一種強脈沖耐受性能的功率電阻器，其特征在于，所述鍍鎳銅帽的直徑為15mm及21mm，高度為16mm。
專利摘要本實用新型涉及一種強脈沖耐受性能的功率電阻器，在陶瓷瓷棒的兩端均設(shè)有鍍鎳銅帽，在陶瓷瓷棒的表面印制鈀銀電極區(qū)域與電阻漿料區(qū)域，鈀銀電極區(qū)域印制在電阻漿料區(qū)域的兩端，在電阻漿料區(qū)域的表面還印制有玻璃鈾層。本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，可以增加電阻器的熱容量，提高電阻器隨機脈沖負(fù)荷的吸收和散發(fā)能力。
文檔編號H01C7/00GK201984911SQ20102069761
公開日2011年9月21日 申請日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者艾小軍, 魏莊子 申請人:深圳意杰(Ebg)電子有限公司