專利名稱：光電子半導(dǎo)體器件的制作方法
光電子半導(dǎo)體器件本發(fā)明涉及一種光電子半導(dǎo)體器件，尤其是LED，其具有包含銦的磷化物半導(dǎo)體材料或氮化物半導(dǎo)體材料。本專利申請要求德國專利申請10 2009 004 895. 2的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過引
用結(jié)合于此。在用于通?；贗nGaAlN或hGaAlP的光電子器件的半導(dǎo)體層的外延制造中，在優(yōu)化的工藝條件下通常出現(xiàn)不期望的效果。在由InGaAlN構(gòu)成的外延半導(dǎo)體層中可以形成富銦區(qū)域，所謂的簇。在簇的區(qū)域中形成可導(dǎo)致形成晶體缺陷的高的局部應(yīng)力，其作為非發(fā)射復(fù)合的中心而降低LED的效率。即使只形成小的不致形成晶體缺陷的簇，通過由于在內(nèi)簇(In-Cluster)的區(qū)域中局部載流子密度提高引起在光學(xué)有源層中的俄歇復(fù)合率提高，LED的效率也降低。曾確定的是通過使用高的生長溫度，可降低形成富銦區(qū)域的趨勢，然而由此也使銦嵌入到外延制造的層中劣化。在借助MOVPE (金屬有機氣相外延)外延制造IniUGaN半導(dǎo)體層的情況下，簇的形成也可通過超過800豪巴的較高反應(yīng)器壓力而減少。而這導(dǎo)致例如含NH3或有機金屬化合物如TMGa、TMAl或TMh的工藝氣體的不希望的預(yù)反應(yīng)強烈增加， 由此導(dǎo)致納米顆粒的形成并由此會導(dǎo)致半導(dǎo)體層中的缺陷。通過將負責(zé)預(yù)反應(yīng)的源材料的輸送空間和時間分離而減小這種預(yù)反應(yīng)也是由于與此關(guān)聯(lián)的對生長參數(shù)、尤其是生長率的限制，以及對外延設(shè)備的較高要求和與此關(guān)聯(lián)的高成本僅為有限地合適的。通過利用第V族材料與第III族材料的高比例，尤其是通過在氣相中較高的NH3S 數(shù)，可以也減小銦簇的形成，但在此情況下也增加了工藝氣體的預(yù)反應(yīng)和提供NH3W成本提尚ο在外延制造用于基于InGaAlP的LED的半導(dǎo)體層時應(yīng)注意的是，外延層的材料有序地沉積，使得形成具有或多或少明顯的第III族原子的交替布置的區(qū)域。該效應(yīng)也稱作"排序(Ordering)“。這些區(qū)域通過晶粒邊界彼此分離，其在LED的有源層中會作為非發(fā)射復(fù)合的中心而降低效率。在LED中，有源層通常由阻擋層包圍，該阻擋層具有比有源層大的電子帶隙， 并且因此導(dǎo)致有源層中載流子約束(confinement)。層觀察到通過排序而出現(xiàn)半導(dǎo)體材料的帶隙的降低，這損害了阻擋層的功能，并且以此方式會導(dǎo)致泄漏電流的提高，并由此降低了 LED的效率。排序可以通過使用高生長溫度而至少局部減少，然而這由此也增強了摻雜物至外延層中的不希望的擴散。本發(fā)明所基于的任務(wù)是提出了一種基于含銦的磷化物半導(dǎo)體或氮化物半導(dǎo)體的光電子半導(dǎo)體器件，其具有提高的效率。尤其是，要降低前述的對效率有負面影響的不利效應(yīng)。該任務(wù)通過根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子半導(dǎo)體器件或根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電子半導(dǎo)體器件來解決。本發(fā)明的有利擴展方案和改進方案是從屬權(quán)利要求的主題。通過在半導(dǎo)體材料中除了 P或N之外還包含第V主族的至少一種附加元素的方式可以降低在由含銦的磷化物半導(dǎo)體材料或氮化物半導(dǎo)體材料外延制造半導(dǎo)體層時前述的不利效應(yīng)。尤其是，在氮化物半導(dǎo)體材料的情況下通過添加As、Bi和/或Sb或在磷化物半導(dǎo)體材料的情況下通過添加Bi和/或Sb可以提高光電子器件的效率。根據(jù)一個實施形式，光電子半導(dǎo)體器件具有適于發(fā)射輻射的有源層，該有源層由包覆層包圍，其中包覆層和/或有源層具有含銦的磷化物半導(dǎo)體材料并且磷化物半導(dǎo)體材料含元素Bi或Sb中的至少一個，作為第V主族的附加元素。由于磷化物半導(dǎo)體材料含Bi或Sb作為第V主族的附加元素，所以所謂的排序，即半導(dǎo)體層中有序區(qū)的形成減少，其中有序區(qū)以交替的序列包含主要含銦的層和含Al或( 的層。通過減小排序也減少了磷化合物半導(dǎo)體材料中晶粒邊界的數(shù)目，晶粒邊界會作為非發(fā)射復(fù)合的中心而降低發(fā)射輻射的光電子半導(dǎo)體器件的效率。同時，在化學(xué)計量組分相同的情況下提高了化合物半導(dǎo)體的帶隙。此外假設(shè)的是減小排序的效應(yīng)基于重原子Sb或Bi降低在外延生長期間原子在半導(dǎo)體層表面上的遷移率。由于第V主族的附加原子的質(zhì)量對于該機制而言是重要的，所以較重元素Bi的添加與Sb的添加一樣或更有效。另外，附加原子可以改變表面的電子結(jié)構(gòu)使得降低排序。包圍有源層的包覆層優(yōu)選包含Bi和/或Sb作為第V主族的附加元素。有利地， 包覆層具有比有源層大的電子帶隙。包覆層以該方式使載流子約束在有源層中，由此提高發(fā)射輻射的光電子器件的效率。這已表明作為第V主族的附加元素的Bi和/或Sb的添加不僅減少了排序，而且導(dǎo)致磷化物半導(dǎo)體材料的電子帶隙的提高。包覆層的作用通過帶隙的這種提高而增強并且以此方式提高光電子半導(dǎo)體器件的效率，其中光電子半導(dǎo)體器件尤其可是LED、半導(dǎo)體激光器或太陽能電池。在一個優(yōu)選的變形方案中，第V主族的附加元素Bi和/或Sb嵌入到包覆層中，而不是有源層中。因此，僅在包覆層中出現(xiàn)電子帶隙的提高，由此增大了有源層和包覆層之間的電子帶隙的差異，并且因此進一步改進了有源層中的載流子約束。但可替選地也可能的是，不僅包覆層而且有源層都包含Bi和/或Sb，或僅有源層包含Bi和/或Sb，因為在有源層的磷化物半導(dǎo)體材料中排序的減少也已經(jīng)通過晶粒邊界的減少而提高了光電子器件的效率。包覆層和/或有源層的磷化物半導(dǎo)體材料尤其可具有組成MxGayAl1^PhSbz或 hxGa/lhiPhBiz，其中 0<x 彡 1，0 彡 y<l，x+y 彡 1 且0<ζ<1。此外，磷化物半導(dǎo)體材料也可以包含Sb和Bi兩者。于是，磷化物半導(dǎo)體材料具有組成 Inxfe^AlhiPh (SbuBi1Jz，其中 0<x彡 1，0 彡 y<l，x+y 彡 1，0 彡u 彡 1 且0<z < 1。有利地，磷化物半導(dǎo)體材料不僅包含In、( 而且包含Al，作為第III族元素。在該情況下于是適用x>0，y>0且x+y < 1。磷化物半導(dǎo)體材料也優(yōu)選為五級 (quinteru^res)半導(dǎo)體材料。有利的是，通過添加來自第V主族的至少一種附加元素，不形成半導(dǎo)體材料的附加摻雜，因為第V族位置上的等電子的Sb或Bi嵌入到晶格中。已表明的是非常少量的第V族元素Sb或Bi已經(jīng)足以減少排序。優(yōu)選地，至少一種附加的第V族元素在磷化物半導(dǎo)體材料中的比例ζ適用于0 < ζ < 0. 03。優(yōu)選適用0<z^0. 02，甚至特別優(yōu)選適用0 < ζ < 0. 005。由于磷化物半導(dǎo)體材料僅添加非常少量的第V主族的附加元素，所以除了排序的有利減少和帶隙的提高之外對半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)和電子特性僅有不顯著的影響。當(dāng)磷化物半導(dǎo)體材料具有約0. 5的銦比例時，第V主族的附加元素的嵌入是特別有利的，因為半導(dǎo)體材料排序的傾向在銦比例為約0. 5時最大，半導(dǎo)體材料中的銦比例有利地為0. 3彡χ彡0. 7，優(yōu)選0. 4彡χ彡0. 6，特別優(yōu)選0. 45彡χ彡0. 55。根據(jù)另一實施形式，光電子半導(dǎo)體器件包含有源層，其中有源層具有含銦的氮化物半導(dǎo)體材料，其中有源層的氮化物半導(dǎo)體材料包含As、Bi或Sb的至少一種作為第V主族的附加元素。尤其已表明的是，通過在氮化物半導(dǎo)體材料的制造中添加元素As、Bi或Sb中的至少一種來降低銦簇的形成。在有源層中用作非發(fā)射復(fù)合的中心的晶體缺陷的形成通過銦簇形成的降低來減少。以此方式改進了光電子半導(dǎo)體器件的效率，其中尤其涉及LED、半導(dǎo)體激光器或太陽能電池。假定降低銦簇形成的效應(yīng)基于與N相比較重的原子As、Sb或Bi尤其是由于碰撞而降低了在外延生長期間銦化合物在晶體表面上的遷移長度。表面上的重原子似乎降低了銦化合物的遷移率，使得銦原子在其可以與其他銦原子合并成簇之前在如下部位附近嵌入到晶格中，其中在該部位上所述銦原子撞擊表面。因為第V主族的附加原子的質(zhì)量對于該機制而言起作用，所以較重元素Sb或Bi 的添加比As的添加更為有效。特別優(yōu)選添加比Sb更重的Bi。銦簇的形成以該方式減少，而不需要伴隨有與此關(guān)聯(lián)的不利影響的提高的生長溫度或提高的V/III比例。此外，有利的是，在第V族位置上的等電子元素As、Sb或Bi嵌入到晶格中并且因此不產(chǎn)生附加摻雜。在借助MOVPE的半導(dǎo)體層的外延制造中，附加元素As、Sb或Bi可以以附加工藝氣體譬如TESb或AsH3的形式輸送給反應(yīng)器?？商孢x地，As、Sb或Bi也可作為工藝氣體如 TMGa或TMAl中的有針對性的雜質(zhì)而被輸送。氮化物半導(dǎo)體材料優(yōu)選具有組成LxGayAl^yNhASp LxGayAl^yNhSbz或 LxGi^AlhiNhBiz，其中分別為 0<x 彡 1，0彡 y 彡 l，x+y 彡 1 且0<ζ<1。此外，氮化物半導(dǎo)體材料也可以包含元素As、Sb或Bi中的兩種或三種。氮化物半導(dǎo)體材料于是具有組成MxGayAl1TyN1I (AsuSbvBi1^v) z，其中0 < χ彡1，0彡y < 1，x+y彡1， 0彡u彡1，0彡ν彡l，u+v彡1且0<ζ<1。氮化物半導(dǎo)體材料尤其可以具有全部三種第III族元素In、( 和Al，也即適用χ > 0，y > 0且Ι-χ-y > 0。在該情況下，氮化物半導(dǎo)體材料優(yōu)選為五級半導(dǎo)體材料。已表明的是非常少量的第V族元素As、Sb或Bi已經(jīng)足以減少銦簇的形成。至少一種附加的第V族元素在氮化物半導(dǎo)體材料中的比例ζ適用于0 < ζ < 0. 03。優(yōu)選適用0 <z^0. 02，甚至特別優(yōu)選適用0 < ζ < 0. 005。由于氮化物半導(dǎo)體材料僅添加非常少量的第V主族的附加元素，所以除了銦簇形成的有利減少之外對半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)和電子特性僅有并不顯著的影響。當(dāng)?shù)锇雽?dǎo)體材料具有較高含量的銦時，第V主族的附加元素的嵌入是特別有利的，因為隨著銦含量增加，形成銦簇的風(fēng)險也上升。半導(dǎo)體材料中的銦比例有利地為 χ ^ 0. 1，優(yōu)選χ彡0. 2并且甚至特別優(yōu)選χ彡0. 3。這類對氮化物半導(dǎo)體材料而言較高的銦含量對于發(fā)射綠光的光電子半導(dǎo)體器件的制造而言尤其需要。由于半導(dǎo)體材料的帶隙隨著銦含量的增加而降低，所以由有源層發(fā)射的輻射的波長隨著銦含量增加而朝著更長的波長推移。因此，代替通常在紫外或藍色光譜范圍中發(fā)射的氮化物半導(dǎo)體器件，在較大的銦含量的情況下也能夠?qū)崿F(xiàn)有效的發(fā)射綠光的器件。在下文中借助兩個實施例結(jié)合

圖1和2來進一步描述本發(fā)明。其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的光電半導(dǎo)體器件的橫截面的示意圖，以及圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的光電半導(dǎo)體器件的橫截面的示意圖。相同或作用相同的組成部分在附圖中設(shè)置有相同的附圖標(biāo)記。所示的組成部分以及組成部分彼此間的大小關(guān)系并不能視為合乎比例的。圖1中所示的光電半導(dǎo)體器件為LED。該LED具有施加到襯底1上的外延層序列 8，其尤其可以借助MOVPE來制造。外延層序列8包含發(fā)射輻射的有源層4。有源層例如可以構(gòu)建為單層、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu)。術(shù)語“量子阱結(jié)構(gòu)”尤其不包含關(guān)于量子化維度的說明。 因此，其還包括量子槽、量子線和量子點以及這些結(jié)構(gòu)的任意組合。有源層4設(shè)置在第一包覆層3a和第二包覆層北之間。包覆層3a、!3b有利地具有比有源層4大的電子帶隙，由此導(dǎo)致有源層4中的載流子約束。包覆層3a、!3b也可以構(gòu)建為多個部分層構(gòu)成的層序列。在襯底1和第一包覆層3a之間可以設(shè)置一個或多個另外的半導(dǎo)體層2。此外，在第二包覆層北之后也可以跟隨有一個或多個另外的半導(dǎo)體層5，例如電流擴展層或接觸層。 例如，在襯底1和有源層4之間設(shè)置的半導(dǎo)體層2、3a被η摻雜，而設(shè)置在有源層4的背離有襯底1的側(cè)上的半導(dǎo)體層北、5被ρ摻雜。襯底1例如可以為GaAs襯底。為了電接觸LED，例如第一接觸金屬化部7施加到襯底1的背離外延層序列8的背側(cè)上，而第二接觸金屬化部6施加到外延層序列8的背離襯底的表面上。包覆層3a、!3b和/或有源層4包含含銦的磷化物半導(dǎo)體材料，其中所述磷化物半導(dǎo)體材料除了具有P之外還具有作為第V主族的附加元素的元素Sb和Bi中的至少一種。包覆層3a、!3b和/或有源層4的磷化物半導(dǎo)體材料優(yōu)選具有組成 ^力已/丄卜廣八—^！^或 Inxfe^Alh—yPhBiz，其中 0<x 彡 1，0 彡 y<l，x+y 彡 1 且0<ζ<1。 另外，磷化物半導(dǎo)體材料也可以具有兩種附加的第V族元素Sb和Bi。磷化物半導(dǎo)體材料于是具有組成dnxfe^AlmPh (SbuBi1Jz，其中0<x彡1，0彡y<l，x+y彡1，0彡u彡1 且 0 < ζ < 1。通過添加作為第V主族的附加元素的Sb和/或Bi，在磷化物半導(dǎo)體材料中的所謂排序減少，由此也降低了在半導(dǎo)體材料中的晶粒邊界的形成。由于在半導(dǎo)體材料的有序區(qū)域之間的晶粒邊界如載流子的非發(fā)射復(fù)合的中心起作用，通過降低晶粒邊界而提高了 LED 的效率。當(dāng)有源層4包含作為附加元素的Sb或Bi時情況尤其如此。在另一優(yōu)選實施形式中，在包覆層3a、3b的磷化物半導(dǎo)體材料中包含附加元素Sb和/或Bi。已表明的是通過Sb和/或Bi的添加提高了磷化物半導(dǎo)體材料的電子帶隙。 以此方式增強了包覆層對有源層4中的載流子約束的作用。已經(jīng)在較少量的第V族附加材料的情況下發(fā)生了附加元素Sb和/或Bi對減小排序和提高磷化物半導(dǎo)體材料帶隙的有利影響。元素Sb和/或Bi在磷化物半導(dǎo)體材料中的比例有利地為ζ ( 0. 03，優(yōu)選ζ ^ 0. 02并且特別優(yōu)選ζ ( 0. 005。當(dāng)磷化物半導(dǎo)體材料具有約0. 5的銦比例時，附加元素Sb和/或Bi的嵌入是特別有利的，因為半導(dǎo)體材料排序的傾向在銦比例為約0. 5時最大。半導(dǎo)體材料中的銦比例有利地為0. 3彡χ彡0. 7，優(yōu)選0. 4彡χ彡0. 6并且特別優(yōu)選0. 45彡χ彡0. 55。圖2中以橫截面示意性示出的光電子半導(dǎo)體器件為薄膜LED。薄膜LED應(yīng)理解為如下LED 其中原始生成襯底被從外延層序列8中剝離并且外延層序列8安裝在支承體9上的與原始生長襯底對置的側(cè)上。從支承體9出發(fā)，外延層序列8例如具有一個或多個ρ摻雜的層5，ρ摻雜的第二包覆層北，有源層4，η摻雜的第一包覆層3a和一個或多個η摻雜的層2。因此，外延層序列8的結(jié)構(gòu)對應(yīng)于圖1中所示的結(jié)構(gòu)，但具有相反順序的半導(dǎo)體層。這樣，在薄膜LED的情況下，P摻雜的半導(dǎo)體層北、5通常朝向支承體9而η摻雜的層2、3a背離支承體9。通過將原始生長襯底從外延層序列8中剝離并且施加到優(yōu)選設(shè)置有反射接觸層7的支承體9上， 可提高LED的效率并且有利地再利用生長襯底。這尤其對用于氮化物半導(dǎo)體的較昂貴的生長襯底例如GaN和藍寶石構(gòu)成的襯底而言是有利的。如圖1中所描述的實施例那樣，LED的有源層4設(shè)置在第一包覆層3a和第二包覆層北之間。有源層4包含含銦的氮化物半導(dǎo)體材料。氮化物半導(dǎo)體材料除包含N之外還包含材料As、Sb或Bi中的至少一種作為第V主族的附加元素。有源層4的氮化物半導(dǎo)體材料尤其可以具有組成LxGayAl1TyNhAsz, ^力已/丄卜”^—^！^或 Inxfe^Alh—yNhBiz，其中 0<x 彡 1，0 彡 y<l，x+y 彡 1 且0<ζ<1。具有附加元素As、Sb或Bi中的兩種或三種的化合物也是可能的。氮化物半導(dǎo)體材料也具有組成 LxGayAl1TyNh(AsuSbvBiitv)z，其中 0 < χ 彡 1，0 彡 y < 1，x+y 彡 1， 0彡u彡1，0彡ν彡l，u+v彡1且0<ζ<1。通過至少一種附加元素As、Bi或Sb有利地減小了有源層4的氮化物半導(dǎo)體材料中的銦簇的形成。銦簇的減少具有以下優(yōu)點會作為非發(fā)射復(fù)合中心而降低LED的效率的晶體缺陷的形成將減少。以此方式減小了在銦簇的區(qū)域中局部載流子密度提高，其會使非發(fā)射俄歇復(fù)合率提高。薄膜LED的電接觸例如可以通過在支承體9上的接觸金屬化部7以及通過在外延層序列8的背離支承體9的表面上的接觸金屬化部6來實現(xiàn)，其中接觸金屬化部7優(yōu)選對于LED所射的輻射是反射性的。當(dāng)發(fā)射輻射的有源層4具有較高的銦含量時，向氮化物半導(dǎo)體材料中添加作為第 V主族的附加元素的As、Sb或Bi是特別有利的。有源層4的銦含量尤其為X > 0. 1，特別優(yōu)選X彡0.2，或甚至為彡0.3。為了減少銦簇的形成，在氮化物半導(dǎo)體材料中少量的元素As、Sb或Bi之一就已經(jīng)足夠。有利地，附加元素的比例ζ為0 < ζ < 0. 03，優(yōu)選0 < ζ < 0. 02，并且特別優(yōu)選 0 < ζ ^ 0. 005。有利地，在少量的附加元素的情況下僅輕微影響氮化物半導(dǎo)體材料的電子特性。當(dāng)然，不僅可將具有基于氮化物半導(dǎo)體材料的外延層序列8的LED實現(xiàn)為根據(jù)第二實施例的沒有生長襯底的薄膜LED，而且可將上述第一實施例的基于磷化物半導(dǎo)體材料的外延層序列8實現(xiàn)為根據(jù)第二實施例的沒有生長襯底的薄膜LED。同樣，可將第二實施例的基于氮化物半導(dǎo)體材料的外延層序列8可替選地實施為具有生長襯底的LED，如圖1所
7J\ ο本發(fā)明并不限于根據(jù)這些實施例的描述。更確切地說，本發(fā)明包括任意的新特征和特征的任意組合，這尤其包含權(quán)利要求中的特征的任意組合，即使該特征或該組合本身并未在權(quán)利要求或?qū)嵤├杏枰悦鞔_說明。
權(quán)利要求
1.一種光電子半導(dǎo)體器件，其具有適于發(fā)射輻射的有源層G)，所述有源層由包覆層 (3a, 3b)包圍，其中所述包覆層(3a，;3b)和/或有源層(4)具有含銦的磷化物半導(dǎo)體材料并且所述磷化物半導(dǎo)體材料包含元素Bi或Sb中的至少一種作為第V主族的附加元素。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子半導(dǎo)體器件，其中所述包覆層(3a，;3b)包含Bi和/或Sb。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子半導(dǎo)體器件，其中所述有源層(4)既不包含Bi也不包含Sb。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子半導(dǎo)體器件，其中所述有源層(4)包含Bi和/或Sb。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子半導(dǎo)體器件，其中所述磷化物半導(dǎo)體材料具有組成 Inxfe^AlhiPhSbz，其中 0<x彡 1，0 彡y 彡 l，x+y 彡 1且0<ζ<1。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一所述的光電子半導(dǎo)體器件，其中所述磷化物半導(dǎo)體材料具有組成 Inxfe^Alh—yPhBiz，其中 0<x彡 1，0 彡y 彡 l，x+y 彡 1且0<ζ<1。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的光電子半導(dǎo)體器件，其中0< ζ < 0. 03。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7之一所述的光電子半導(dǎo)體器件，其中0.3 < χ < 0. 7。
9.一種光電子半導(dǎo)體器件，其具有有源層G)，所述有源層具有含銦的氮化物半導(dǎo)體材料，其中所述有源層(4)的氮化物半導(dǎo)體材料包含元素As、Bi或Sb中的至少一種作為第 V主族的附加元素。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電子半導(dǎo)體器件，其中所述氮化物半導(dǎo)體材料具有組成 LxGa/lh-yNhASz，其中 0<x 彡 1，0彡 y 彡 l，x+y 彡 1 且0<ζ<1。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電子半導(dǎo)體器件，其中所述氮化物半導(dǎo)體材料具有組成 LxGi^AlhiNhSbz，其中 0<x 彡 1，0彡 y 彡 l，x+y 彡 1 且0<ζ<1。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電子半導(dǎo)體器件，其中所述氮化物半導(dǎo)體材料具有組成 hxGa/lhiNhBiz，其中 0<x 彡 1，0 彡 y<l，x+y 彡 1 且0<ζ<1。
13.根據(jù)權(quán)利要求10至12之一所述的光電子半導(dǎo)體器件，其中0< ζ < 0. 03。
14.根據(jù)權(quán)利要求10至13之一所述的光電子半導(dǎo)體器件，其中χ> 0. 1。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光電子半導(dǎo)體器件，其中χ> 0. 2。
全文摘要
公開了一種光電子半導(dǎo)體器件，其具有適于發(fā)射輻射的有源層(4)，該有源層被包覆層(3a，3b)包圍，其中包覆層(3a，3b)和/或有源層(4)具有含銦的磷化物半導(dǎo)體材料并且磷化物半導(dǎo)體材料包含元素Sb或Bi中的至少一種作為第V主族的附加元素。此外，還公開了一種光電子半導(dǎo)體器件，其具有適于發(fā)射輻射的有源層(4)，其中有源層具有含銦的氮化物半導(dǎo)體材料并且氮化物半導(dǎo)體材料包含元素As、Sb或Bi中的至少一種作為第V主族的附加元素。
文檔編號H01L33/30GK102272952SQ201080004438
公開日2011年12月7日 申請日期2010年1月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月16日
發(fā)明者亞歷山大·貝雷斯, 馬蒂亞斯·扎巴蒂爾 申請人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司