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光學(xué)涂層的制作方法

文檔序號(hào):6986764閱讀:563來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:光學(xué)涂層的制作方法
光學(xué)涂層本發(fā)明涉及一種包含多孔顆粒或可從多孔顆粒獲得的光學(xué)涂層,該光學(xué)涂層優(yōu)選對(duì)可見光是透射的,且優(yōu)選地提供抗反射性能,且任選地提供其它另外的功能。涂層特別地但不排他地適合于應(yīng)用到光伏電池、顯示器、發(fā)光二極管和太陽(yáng)能聚光器。太陽(yáng)能電池主要在暴露于環(huán)境的玻璃基底上制造。通常,玻璃(或聚合物)片材的每個(gè)表面反射約4% -5%的入射太陽(yáng)光-電池?fù)p失的能量。玻璃可以被抗反射涂層涂覆,這將反射降至小于2%。

圖1示意性地圖示了在基底2上的常規(guī)的單層抗反射(AR)涂層1。AR涂層1的厚度是d。如果從AR涂層1的前表面和后表面反射的光被布置成相消干涉,那么反射率降低。如果涂層1的厚度等于涂層介質(zhì)中的入射光波長(zhǎng)的四分之一,那么可
實(shí)現(xiàn)這種降低(對(duì)于正入射而言),即
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)涂層,其包含多孔二氧化硅顆粒,其中所述涂層的平均厚度在75nm至 400nm的范圍內(nèi),且其中所述涂層的表面粗糙度在2nm至300nm的范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)涂層,其中所述涂層的折射率在1.0至1. 4的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)涂層,其是抗反射涂層。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)涂層,其中對(duì)于具有從450nm至700nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的入射光,反射率小于2%,優(yōu)選地小于1.5%。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)涂層,其中所述涂層的表面粗糙度在IOnm 至150nm的范圍內(nèi),且任選地在20nm至80nm的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)涂層,包括以下另外的層中的至少一種紫外屏蔽層、下轉(zhuǎn)換層、疏水性層、量子切割層、紅外反射層或光催化層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)涂層,其中所述多孔顆粒設(shè)置在一種所述另外的層的表面上。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)涂層,其中所述多孔顆粒被集成到至少一種所述另外的層中。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)涂層,其中所述多孔顆粒包括中孔二氧化硅顆粒。
10.一種太陽(yáng)能電池,包含根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)涂層。
11.一種顯示器,包含根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的光學(xué)涂層。
12.一種發(fā)光部件,包含根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的光學(xué)涂層。
13.—種眼用元件,包含根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的光學(xué)涂層。
14.一種制備光學(xué)涂層的方法,包括提供具有從IOnm至70nm范圍內(nèi)的最大尺寸的混合物的多孔二氧化硅顆粒的共混物;以及將所述顆粒涂覆到基底以形成具有從75nm至400nm范圍內(nèi)的平均厚度的層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,還包括在所述二氧化硅顆粒周圍添加粘合劑材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法,其中所述粘合劑是以下物質(zhì)中的至少一種基于硅酸鹽的、二氧化硅、基于硅酮的、基于硅氧烷的或基于丙烯酸酯的。
17.根據(jù)權(quán)利要求14至16中任一項(xiàng)所述的方法,還包括預(yù)處理所述基底以將所述顆?;瘜W(xué)結(jié)合到所述基底。
18.根據(jù)權(quán)利要求14至17中任一項(xiàng)所述的方法,其中所述多孔顆粒包括中孔二氧化硅顆粒。
全文摘要
一種光學(xué)涂層,其包含多孔顆粒,或由多孔的前體顆粒形成。該涂層的平均厚度在75nm至400nm的范圍內(nèi),且涂層的表面粗糙度在2nm至300nm的范圍內(nèi)。該涂層提供整個(gè)電磁譜的可見部分和近紅外部分的寬帶抗反射性能。
文檔編號(hào)H01L31/0216GK102308231SQ201080006453
公開日2012年1月4日 申請(qǐng)日期2010年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月20日
發(fā)明者喬恩-保羅·格里菲思, 加雷斯·韋克菲爾德, 塔德烏什·安東尼·波德戈斯基, 理查德·查爾斯·溫斯維茨, 馬丁·賴安·加德納 申請(qǐng)人:牛津能源科技有限公司
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