專利名稱：包括補(bǔ)償元件的放大器部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及放大器部件，尤其涉及位于芯片外殼(chip housing)內(nèi)具有補(bǔ)償元件的高頻放大器部件，其用于例如在移動(dòng)無線電基站中對無線電和電視信號進(jìn)行傳輸?shù)耐ㄐ偶夹g(shù)中、為了科學(xué)目的的計(jì)算機(jī)測量技術(shù)中，以便產(chǎn)生較大的高頻功率。
背景技術(shù)：
放大器部件基本上由功率晶體管組成，其取決于應(yīng)用場合應(yīng)當(dāng)例如以若干倍頻程運(yùn)行。在這種情況下，晶體管的功率相對越高，連接的負(fù)載電阻就越低。在具有例如從100W 到例如1000W的晶體管功率的情況下，負(fù)載電阻被設(shè)置在從幾歐姆向下至低于一歐姆的范圍內(nèi)。該負(fù)載電阻必須經(jīng)由匹配網(wǎng)絡(luò)傳遞至阻抗通常為50歐姆的系統(tǒng)。限制該匹配網(wǎng)絡(luò)的帶寬的寄生電容形成在放大器部件的輸出處。該寄生電容可以通過必須提供電感特性的補(bǔ)償元件被補(bǔ)償。這種補(bǔ)償元件通常由集成到放大器部件中的小并聯(lián)電感形成。從US 4，107，728中可知提供兩個(gè)偶極晶體管的放大器部件，這兩個(gè)偶極晶體管以“推挽”(push-pull)結(jié)構(gòu)被布置，其中晶體管沖模(transistor die)或晶體管芯片(半導(dǎo)體元件)容納在普通芯片外殼(半導(dǎo)體放大器的外殼)中。在這種情況下，寄生輸出電容形成在集電器表面與參考地面之間，其中兩個(gè)發(fā)射器也連接至參考地面。為了補(bǔ)償該寄生輸出電容，在芯片外殼中形成將兩個(gè)集電器表面彼此連接的并聯(lián)電感。并聯(lián)電感自身由薄的金屬帶形成。US 4，107，728的缺點(diǎn)在于，為了實(shí)現(xiàn)這種集成的并聯(lián)電感，需要相對大且昂貴的芯片外殼形狀。此外，并聯(lián)電感在與將晶體管沖模連接至集電器的連接插頭的接合線平行的位置延伸，從而形成耦合。由耦合而導(dǎo)致的互感對補(bǔ)償特性具有不利的影響，使得匹配網(wǎng)絡(luò)的帶寬最終被減小。而且，實(shí)現(xiàn)為印刷導(dǎo)體的這種并聯(lián)電感不能直接應(yīng)用于凸緣，而是需要額外的絕緣層。在使用偶極晶體管或DMOS晶體管(擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(diffused metal oxide semiconductor))的情況下，實(shí)際上必須存在通常由陶瓷或基板形成的這種絕緣層，然而，在使用其它類型的晶體管的情況下，不需要這種絕緣層，因此這種絕緣層必須額外應(yīng)用于該并聯(lián)電感。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種放大器部件，利用該放大器部件，可以在針對該放大器部件不需要特定且昂貴的芯片外殼形狀的情況下補(bǔ)償寄生輸出電容。此外，根據(jù)本發(fā)明的放大器部件應(yīng)當(dāng)以如下方式被設(shè)計(jì)并聯(lián)電感與將晶體管沖模連接至輸出插頭的接合線之間的耦合得以避免。而且，結(jié)果，放大器部件的輸出電容應(yīng)當(dāng)以最佳方式被補(bǔ)償，使得匹配網(wǎng)絡(luò)可以以最大的帶寬運(yùn)行。最終，如果可能的話，不需要在放大器部件內(nèi)應(yīng)用額外的絕緣層。該目的通過具有權(quán)利要求1的特征的放大器部件而實(shí)現(xiàn)。從屬權(quán)利要求提供本發(fā)明的進(jìn)一步有利的發(fā)展。
在這種情況下，補(bǔ)償元件用于補(bǔ)償放大器部件的寄生輸出電容，并且提供電感特性。放大器部件自身包括至少兩個(gè)放大器元件，其中根據(jù)本發(fā)明的補(bǔ)償元件通過連接焊片 (connecting lug)在芯片外殼外部形成在連接至放大器元件的兩個(gè)連接插頭之間。因?yàn)檠a(bǔ)償元件被布置在芯片外殼外部，因此不需要使用特定且昂貴的芯片外殼。 此外，放大器外殼內(nèi)的單獨(dú)部件組的布置由于放大器部件的補(bǔ)償元件的缺少而得以簡化。 因?yàn)檠a(bǔ)償元件被布置在外部，從而遠(yuǎn)離將晶體管沖模連接至連接插頭的接合線，因此耦合被額外減少。此外，不需要額外的絕緣層來應(yīng)用于放大器部件內(nèi)的形成為印刷導(dǎo)體帶的補(bǔ)償元件。這意味著寄生輸出電容能夠被可靠地補(bǔ)償，并且匹配網(wǎng)絡(luò)的帶寬可以顯著增加，并且同時(shí)用于放大器部件的成本得以減少。本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)點(diǎn)在于，芯片外殼的連接插頭和形成為連接焊片的補(bǔ)償元件在一個(gè)部分中具體實(shí)現(xiàn)。這意味著補(bǔ)償元件可以在用于芯片外殼的制造工藝中直接被添加， 并且不需要額外的焊接工藝。因此，可以保證每個(gè)單獨(dú)的補(bǔ)償元件的電感幅度總是相同。如果芯片外殼的連接插頭提供彎曲邊緣，則本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)點(diǎn)可以實(shí)現(xiàn)。因此， 補(bǔ)償元件可以以如下方式被彎曲優(yōu)選為45°到135°，特別優(yōu)選為90°的角度形成在補(bǔ)償元件與芯片外殼的連接插頭之間。這實(shí)現(xiàn)了耦合的進(jìn)一步減少。此外，有利的是，形成為連接焊片的補(bǔ)償元件可以在中斷點(diǎn)或窄口處與芯片外殼的連接插頭分離。結(jié)果，相同的放大器部件還可以用于如下應(yīng)用中這種補(bǔ)償元件會與缺點(diǎn)相關(guān)聯(lián)。而且，有利的是，形成為連接焊片的補(bǔ)償元件可以以不同的方式具體實(shí)現(xiàn)，以便以簡單的方式補(bǔ)償不同幅度的寄生輸出電容，而不必在每種情況下改變芯片設(shè)計(jì)。本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)點(diǎn)在于，兩個(gè)放大器元件為功率晶體管，優(yōu)選為LDMOS晶體管 (橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(laterally diffused metal-oxide semiconductor))，其以所謂的推挽結(jié)構(gòu)被布置。在這種情況下，相同幅度的電源電壓被供應(yīng)給兩個(gè)功率晶體管的漏極接頭，使得在不具有用于直接電壓去耦合的額外電容器的情況下，補(bǔ)償元件可以串聯(lián)布置在兩個(gè)漏極接頭之間，從而避免進(jìn)一步不期望的共振。


以下參照附圖通過示例的方式描述本發(fā)明的各種示例性實(shí)施例。相同的主題提供相同的附圖標(biāo)記。附圖中相應(yīng)的圖如下圖1示出根據(jù)本發(fā)明的具有補(bǔ)償元件的放大器部件的等效電路圖；圖2示出根據(jù)本發(fā)明的具有補(bǔ)償元件的打開的放大器部件的平面圖；圖3示出根據(jù)本發(fā)明的放大器部件的補(bǔ)償元件的中斷點(diǎn)的細(xì)節(jié)圖；圖4示出第一示例性實(shí)施例的處于準(zhǔn)備裝配條件下的補(bǔ)償元件的前視圖；圖5示出第二示例性實(shí)施例的處于準(zhǔn)備裝配條件下的補(bǔ)償元件的前視圖；圖6示出第三示例性實(shí)施例的處于準(zhǔn)備裝配條件下的補(bǔ)償元件的前視圖；圖7示出第四示例性實(shí)施例的處于準(zhǔn)備裝配條件下的補(bǔ)償元件的前視圖；圖8示出具有根據(jù)本發(fā)明的處于裝配條件下的補(bǔ)償元件的放大器部件的側(cè)面圖；圖9示出具有根據(jù)本發(fā)明的處于裝配條件下的補(bǔ)償元件的放大器部件的又一示例性實(shí)施例的側(cè)面圖。
具體實(shí)施例方式圖1示出根據(jù)本發(fā)明的具有補(bǔ)償元件2的放大器部件1的電路圖(等效電路圖)。 放大器部件1被構(gòu)建為關(guān)于軸12鏡像對稱。放大器部件1提供至少兩個(gè)放大器元件3” ；32，這兩個(gè)放大器元件優(yōu)選以反相方式被控制并且以推挽結(jié)構(gòu)被布置。放大器元件3”32也可以被稱之為晶體管沖模3^3”在這種情況下，放大器部件1被密封在芯片外殼(其未示出)中。放大器元件3^ 優(yōu)選提供至少一個(gè)功率晶體管，該功率晶體管優(yōu)選為場效應(yīng)晶體管，尤其為LDMOS晶體管(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(laterally diffused metal-oxide semiconductor))。因此，第一輸入連接觸頭l優(yōu)選連接至第一放大器元件S1的柵極。第二接頭S1優(yōu)選連接至第一放大器元件S1的漏極，并且第三接頭G1優(yōu)選連接至第一放大器元件3工的源極。此外，第一輸入連接觸頭42優(yōu)選連接至第二放大器元件\的柵極。第二接頭\優(yōu)選連接至第二放大器元件\的漏極，并且第三接頭4優(yōu)選連接至第二放大器元件\的源極。放大器元件3”32優(yōu)選以推挽結(jié)構(gòu)被布置，使得第一放大器元件S1的第三接頭G1被連接至第二放大器元件\的第三接頭化。兩個(gè)接頭G1A2都額外連接至參考地面。第一放大器元件S1的第二接頭S1經(jīng)由節(jié)點(diǎn)T1連接至電容器S1的第一接頭。該電容器S1的第二接頭連接至參考地面。此外，放大器元件\的第二接頭\經(jīng)由節(jié)點(diǎn)72連接至電容器&的第一接頭。電容器&的第二接頭連接至參考地面。兩個(gè)電容器S1A2都由形成在放大器元件3i、\的漏表面和源表面之間的寄生輸出電容S1A2形成。如果這些寄生輸出電容器S1A2不被補(bǔ)償，則匹配網(wǎng)絡(luò)(其未示出)的帶寬顯著減少。節(jié)點(diǎn)T1進(jìn)一步連接至電感％的第一接頭。電感％的第二接頭連接至節(jié)點(diǎn)Il115節(jié)點(diǎn)Il1連接至芯片外殼(其未示出)的連接觸頭IO115與關(guān)于通路12鏡像對稱結(jié)構(gòu)相對應(yīng)， 節(jié)點(diǎn)72連接至電感92的第一接頭。電感92的第二接頭連接至節(jié)點(diǎn)112。節(jié)點(diǎn)Il2連接至芯片外殼(其未示出)的連接觸頭102。兩個(gè)電感％和92都由印刷導(dǎo)體帶和/或接合線形成，其將放大器元件3^ 的第二接頭5^ 連接至芯片外殼(其未示出)的連接觸頭IOp IO20另一電感2將這兩個(gè)節(jié)點(diǎn)Il1和Il2連接在一起，因此將芯片外殼(其未示出)的連接觸頭IO1和IO2連接在一起。該電感2被形成為并聯(lián)電感，并且用于補(bǔ)償寄生電容Si、 S2的操作頻率。也被稱之為補(bǔ)償元件2的該電感2，被設(shè)計(jì)為在芯片外殼外部位于這兩個(gè)連接觸頭IO1和IO2之間的連接焊片2，如將在下面更詳細(xì)地說明的那樣。功率晶體管的兩個(gè)漏極接頭優(yōu)選經(jīng)由補(bǔ)償元件2彼此連接。在這種情況下，補(bǔ)償元件2提供電感特性。作為補(bǔ)償元件2安裝在放大器部件1的外部的措施的結(jié)果，所需要的芯片表面可以減小。因此，不需要特定的芯片外殼形狀。此外，可以避免芯片外殼內(nèi)的補(bǔ)償元件2與接合線和/或其它印刷導(dǎo)體帶之間的耦合。這對于匹配網(wǎng)絡(luò)的可獲得帶寬具有有利的影響。 總地來說，開發(fā)成本可以減少，并且同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)減少的生產(chǎn)成本。作為放大器元件3^ 以推挽結(jié)構(gòu)被布置，并且在每種情況下放大器元件3^ 的第二接頭5^0 以相同電源電壓操作的事實(shí)的結(jié)果，不需要串聯(lián)連接另一電容到補(bǔ)償元件 2用于直接電壓去耦合，從而避免了額外的不期望的共振。為了視覺清楚起見，圖1中未示出優(yōu)選連接至放大器元件3^ 的柵極的第一接頭4p42處的電源電壓以及優(yōu)選連接至放大器元件3i、\的漏極的第二接頭5^ 處的電源電壓。圖2示出根據(jù)本發(fā)明的具有補(bǔ)償元件2的打開的放大器部件1的平面圖。如圖1 中已示出的，放大器部件1被構(gòu)建為沿軸12精確鏡像對稱。放大器部件1被附接到優(yōu)選位于凸緣20上的矩形基底元件，其中凸緣20的拐角為圓形。凸緣20的兩個(gè)缺口四沿縱軸 21形成，該縱軸21通過凸緣20的中心，并且在中點(diǎn)處與軸12正交。凸緣20經(jīng)由諸如螺釘連接(其未示出)之類的固定設(shè)備附接到冷卻元件(其未示出)。絕緣層23形成在凸緣20上。該絕緣層23以環(huán)狀形成，其中也可以考慮其它形狀。 絕緣層23包括陶瓷或基板。至少兩個(gè)輸入連接觸頭t和42在一端與縱軸21平行地布置在該絕緣層23上。輸入連接觸頭1和42的一部分投影到凸緣20的基底表面之外。輸入連接觸頭I和42被設(shè)計(jì)成矩形或T形，其中這兩者優(yōu)選以相同的方式形成，以便減少制造成本并保證對稱特性。與輸入連接觸頭^和42平行地，連接觸頭IO1和IO2被布置在凸緣 20的相對側(cè)上。連接觸頭IO1和IO2優(yōu)選提供相同的基底表面，并且輸入連接觸頭I和42 也形成在絕緣層23上。矩形晶體管沖模3p32或晶體管芯片S1J2被布置為直接在凸緣20上與連接觸頭 IO1和IO2平行。在這種情況下，晶體管沖模3^ 通過焊接或膠接連接至凸緣。為了通過設(shè)置在芯片外殼外部的補(bǔ)償元件2實(shí)現(xiàn)寄生電容S1A2的最佳補(bǔ)償，應(yīng)當(dāng)考慮將晶體管沖模 3^ 布置為盡可能接近芯片外殼的連接觸頭IO1和102。這一方面確保接合線％、92盡可能短，從而確保低電感，另一方面確保與并聯(lián)電感不耦合。因?yàn)閮蓚€(gè)放大器元件或晶體管沖模
分別直接連接至凸緣20，因此可以保證最佳的熱傳遞。輸入連接觸頭I經(jīng)由至少一條接合線21連接至晶體管沖模S1，從而優(yōu)選連接至放大器元件S1的柵極。經(jīng)由至少另一條接合線％，連接觸頭IO1連接至晶體管沖模31;從而優(yōu)選連接至放大器元件S1的漏極。放大器元件S1的源極經(jīng)由晶體管沖模S1的下側(cè)直接連接至凸緣20或經(jīng)由焊接或膠接連接至凸緣20，從而連接至參考地面。相同情況應(yīng)用于放大器元件；32。輸入連接觸頭42經(jīng)由至少一條接合線242連接至晶體管沖模；32，從而優(yōu)選連接至放大器元件\的柵極。經(jīng)由至少另一條接合線92，連接觸頭IO2連接至晶體管沖模；32，從而優(yōu)選連接至放大器元件\的漏極。放大器元件\的源極經(jīng)由晶體管沖模\的下側(cè)直接連接至凸緣20或經(jīng)由焊接或膠接連接至凸緣20，從而連接至參考地面和放大器元件S1的源極。作為優(yōu)選使用LDMOS晶體管的事實(shí)的結(jié)果，晶體管沖模3^ 可以相應(yīng)地直接形成在凸緣20上或者經(jīng)由焊接或膠接形成在凸緣20上。LDMOS晶體管的源極相應(yīng)地以導(dǎo)電方式直接連接至凸緣20。因此，不需要如US4，107，728中所示的位于晶體管沖模與凸緣之間的絕緣層，因?yàn)檫@個(gè)原因，制造成本可以進(jìn)一步減少。如果補(bǔ)償元件2形成在芯片外殼中， 則必須首先在凸緣20上創(chuàng)建這種絕緣層，這再次增加生產(chǎn)成本。然而，如果補(bǔ)償元件2根據(jù)本發(fā)明被布置在芯片外殼的外部，則相比之下可以使得芯片設(shè)計(jì)簡單。兩個(gè)連接觸頭IO1和IO2經(jīng)由形成為連接焊片2的補(bǔ)償元件2彼此連接。在這種情況下，連接焊片2被設(shè)計(jì)為弓形。T形凹口沈被設(shè)置在連接焊片2與連接觸頭IO1和IO2 之間。弓形連接焊片2的至少一個(gè)拐角在該示例性實(shí)施例中成斜角。優(yōu)選地，連接焊片2 以及芯片外殼的至少兩個(gè)連接觸頭IO1和IO2形成在一片中。這對于連接焊片2以及兩個(gè)連接觸頭IO1和IO2的制造工藝具有有利的影響。這些可以優(yōu)選以單沖壓工藝制造。因此，形成為連接焊片2的補(bǔ)償元件2提供可再現(xiàn)價(jià)值。如果形成為連接焊片2的補(bǔ)償元件2被具體實(shí)現(xiàn)為獨(dú)立的部件，則它將必須借助于進(jìn)一步焊接工藝連接至連接觸頭IO1和102。這必須在將放大器部件1安裝到整個(gè)電路中之后實(shí)施，其中寄生電容S1和&的補(bǔ)償然后會以不同的質(zhì)量發(fā)生。除了增加的生產(chǎn)成本之外，放大器部件1不會提供與其它放大器部件精確相同的性能。這意味著匹配網(wǎng)絡(luò)(其未示出)的帶寬大幅度改變。作為補(bǔ)償元件2與連接觸頭IO1UO2-起的一片實(shí)施例的結(jié)果，放大器部件1可以與形成為連接焊片2的補(bǔ)償元件2 —起自動(dòng)布置在印刷電路板上，并且例如利用回流技術(shù)被焊接。此外，彎曲邊緣27優(yōu)選形成在芯片外殼的至少兩個(gè)連接觸頭IO1和IO2的下三分之一處。彎曲邊緣27在圖2中以虛線示出。該彎曲邊緣27優(yōu)選通過沖壓工藝形成。作為彎曲邊緣27的結(jié)果，連接焊片2可以非常簡單地在相對于芯片外殼的連接觸頭IO1和IO2 的從例如45°到例如135°的角度范圍內(nèi)定位。優(yōu)選地，連接焊片2在相對于芯片外殼的連接觸頭IO1UO2* 90°的角度處定位。該定位可以在一個(gè)額外的裝配步驟中非常簡單地實(shí)現(xiàn)。作為連接焊片2優(yōu)選定位在相對于芯片外殼的連接觸頭IO1UO2* 90°的角度處的事實(shí)的結(jié)果，放大器部件1可以以節(jié)省空間的方式集成到印刷電路板(其未示出)上。另外的部件可以直接位于連接觸頭IO1和IO2上。此外，磁耦合在連接焊片2與接合線％、92 之間的90°的角度處被進(jìn)一步最小化。因此，寄生電容S1A2可以很好地被補(bǔ)償，從而增加匹配網(wǎng)絡(luò)的帶寬。作為彎曲邊緣形成在連接觸頭IO1UO2的下三分之一處的事實(shí)的結(jié)果，補(bǔ)償元件2被設(shè)置為與晶體管沖模3”32更加接近。此外，優(yōu)選提供中斷點(diǎn)28，在該中斷點(diǎn)觀處連接焊片2可以與芯片外殼的連接觸頭IO1UO2分離。如下面將說明的，該中斷點(diǎn)觀形成在芯片外殼的連接觸頭IO1UO2與連接焊片2之間的窄口處。通過將形成為連接焊片2的補(bǔ)償元件2分離，放大器部件1還可以在如下應(yīng)用中使用作為這種并聯(lián)電感2的結(jié)果，連接觸頭IO1UO2之間的連接會不利。這使得放大器部件1以通用方式有用，其中用于各種放大器部件1的存儲的成本可以節(jié)省。圖2清楚地示出一旦補(bǔ)償元件2被布置在放大器部件1的外部，放大器部件1內(nèi)的空間需求就可以顯著減少。結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)顯著較短的接合線長度，從而可以實(shí)現(xiàn)從放大器元件3^ 到連接觸頭IO1UO2W減少的寄生串聯(lián)電感U215除了減少的磁耦合之外，這還減少了放大器部件1的成本，并且這意味著放大器部件1可以以非常通用的方式使用。圖3再次示出連接焊片2與連接觸頭IO1UO2如何分離的可能性。為了這個(gè)目的， 假設(shè)為例如矩形形狀的小槽口 30優(yōu)選分別形成在連接觸頭IO1UO2與連接焊片2之間的過渡或窄口處。諸如小刀或剪刀之類的切割工具可以應(yīng)用于這些槽口 30。連接焊片2沿其可以與連接觸頭IO1UO2分離的中斷點(diǎn)觀以虛線示出。該中斷點(diǎn)22還可以被設(shè)計(jì)為穿孔的，使得連接焊片可以在不使用切割工具的情況下通過沿中斷點(diǎn)觀彎曲若干次而分離。類似地，可以通過進(jìn)一步的沖壓工藝來將連接焊片2分離。這具有以下優(yōu)點(diǎn)放大器部件1還可以在不需要額外的補(bǔ)償元件2的應(yīng)用中使用。圖4示出沿處于準(zhǔn)備裝配條件下的放大器部件1的縱軸21的前視圖。形成為連接焊片2的補(bǔ)償元件2通過朝向芯片外殼40的護(hù)套的方向近似90°在彎曲邊緣27處與連接觸頭IO1UO2的一部分一起向上彎曲。放大器部件1如何形成在用作基底表面并用于連接至參考地面的凸緣20上是明顯的。以環(huán)狀形成的絕緣層23被示出為點(diǎn)區(qū)域。連接觸頭IO1UO2和連接焊片2的彎曲部分被示出在絕緣層23上方。放大器部件1的芯片外殼40的護(hù)套由虛線示出。很明顯，連接焊片2高于芯片外殼40的護(hù)套。在一個(gè)示例性實(shí)施例(其未示出)中，連接焊片2可以低于芯片外殼40的護(hù)套。 圖4中的連接焊片提供與圖2和圖3相同的弓形實(shí)施例。為了視覺清楚起見，圖4中未示出圖3的中斷點(diǎn)觀。在圖4的情況下，還可以在窄口處將連接焊片2與連接觸頭IO1和IO2 分離。為了利用補(bǔ)償元件2補(bǔ)償這種幅度的寄生電容S1A2，連接焊片2的形狀可以被適配是必須的，這是因?yàn)檫B接焊片2的形狀直接決定校正元件2的電感。圖5再次示出沿處于準(zhǔn)備裝配條件下的放大器部件1的縱軸21的前視圖。形成為連接焊片2的補(bǔ)償元件2通過芯片外殼40的護(hù)套的方向90°在彎曲邊緣27處與連接觸頭IO1UO2的一部分一起向上彎曲。放大器部件1如何形成在凸緣20上是明顯的，其用作基底表面并用于參考地面連接。以環(huán)狀形成的絕緣層23被示出為在凸緣20上的點(diǎn)區(qū)域。 可以看出連接觸頭IO1UO2和連接焊片2的彎曲部分在絕緣層23上方。放大器部件1的芯片外殼40的護(hù)套由虛線示出。與圖2、圖3和圖4中已知的連接焊片2相比，連接焊片2提供圓形拐角。圖5中形成為連接焊片2的補(bǔ)償元件2也可以在沖壓工藝中制造。為了視覺清楚起見，圖5中未示出圖3的中斷點(diǎn)觀。圖5中，還可以利用已知方法將連接焊片2與連接觸頭IO1和IO2分離。圖6也示出沿處于準(zhǔn)備裝配條件下的放大器部件1的縱軸21的前視圖，其中補(bǔ)償元件2提供又一實(shí)施例。形成為連接焊片2的補(bǔ)償元件2通過朝向芯片外殼40的護(hù)套的方向90°在彎曲邊緣27處與連接觸頭IO1UO2的一部分一起向上彎曲。放大器部件1如何形成在凸緣20上是明顯的，其用作基底表面并用于參考地面連接。以環(huán)狀形成在凸緣20 上的絕緣層23被示出為點(diǎn)區(qū)域。可以看出連接觸頭IO1UO2和連接焊片2的彎曲部分在絕緣層23上方。放大器部件1的芯片外殼40的護(hù)套由虛線示出。與圖2、圖3、圖4和圖5 的連接焊片2相比，連接焊片2提供了強(qiáng)烈彎曲的形狀。在這種情況下，連接焊片2可以形成半圓形，其中半徑可以以補(bǔ)償元件2投影到遠(yuǎn)離芯片外殼40的護(hù)套之外或不投影到遠(yuǎn)離芯片外殼40的護(hù)套之外的方式選擇。圖6中形成為連接焊片2的補(bǔ)償元件2也可以在沖壓工藝中制造。為了視覺清楚起見，圖6中未示出圖3的中斷點(diǎn)觀。圖6中，還可以利用已知方法將連接焊片2與連接觸頭IO1和IO2分離。圖7也示出沿處于準(zhǔn)備裝配條件下的放大器部件1的縱軸21的前視圖，其中補(bǔ)償元件2提供另一實(shí)施例。形成為連接焊片2的補(bǔ)償元件2通過朝向芯片外殼40的護(hù)套的方向90°在彎曲邊緣27處與連接觸頭IO1UO2的一部分一起向上彎曲。放大器部件1如何形成在凸緣20上是明顯的，其用作基底表面并用于參考地面連接。以環(huán)狀形成在凸緣20 上的絕緣層23被示出為點(diǎn)區(qū)域。可以看出連接觸頭IO1UO2和連接焊片2的彎曲部分在絕緣層23上方。放大器部件1的芯片外殼40的護(hù)套由虛線示出。與圖2、圖3、圖4、圖5和圖6的已知連接焊片2相比，連接焊片2提供了曲折的實(shí)施例。連接焊片包括基本上以行方向彼此設(shè)置的三個(gè)U形段，其中拐角在每種情況下為矩形。作為這種曲折實(shí)施例的結(jié)果， 補(bǔ)償元件2的電感被增加。因此，甚至相對較大的寄生電容S1A2也可以以可靠的方式被補(bǔ)
圖7中形成為連接焊片2的補(bǔ)償元件2也可以在沖壓工藝中制造。為了視覺清楚起見，圖7中未示出圖3的中斷點(diǎn)。圖7中，還可以利用已知方法將連接焊片2與連接觸頭 IO1* IO2分離。在另一實(shí)施例(其未示出)中，以曲折形狀設(shè)計(jì)的連接焊片2的拐角為圓形。圖8示出具有根據(jù)本發(fā)明的處于裝配條件下的補(bǔ)償元件2的放大器部件1沿軸12 的橫截面圖。在這種情況下，冷卻元件52提供矩形凹口。印刷電路板50附接到除矩形凹口以外的冷卻元件52。與根據(jù)本發(fā)明的補(bǔ)償元件2 —起形成在凸緣20上的放大器部件1以如下方式被布置在冷卻元件的凹口中補(bǔ)償元件2經(jīng)由凸緣20的缺口 29，例如借助于螺釘連接(其未示出)剛性連接至冷卻元件52。為了這個(gè)目的，冷卻元件52提供相應(yīng)的鉆孔。凸緣20與冷卻元件52之間的連接必須以使得熱電阻盡可能小的方式具體實(shí)現(xiàn)， 以便將在推挽結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生且在操作期間不可忽略的廢熱從芯片外殼40中安全地去除。除了良好的導(dǎo)熱性之外，凸緣20與冷卻元件52之間的過渡也必須提供非常好的導(dǎo)電性，這是因?yàn)榉糯笃髟1J2的第三接頭6p62通過凸緣20連接到參考地面。LDMOS晶體管的源極優(yōu)選經(jīng)由凸緣20連接至參考地面。此外，示出將放大器部件1連接至印刷電路板50的輸入連接觸頭I。在具有輸入連接觸頭I的連接位置處，印刷電路板50提供接觸表面(其未示出)，在該表面上，優(yōu)選提供類似漿糊的黏度的焊接介質(zhì)51借助于分配器單元被施加。在焊接工藝中，輸入連接觸頭 I以實(shí)現(xiàn)低歐姆電接觸的方式連接至印刷電路板50。圖8還示出輸入連接觸頭I如何經(jīng)由接合線M1分別連接至放大器元件S1或晶體管沖模在這種情況下，放大器元件S1或晶體管沖模S1仍然經(jīng)由接合線％連接至連接觸頭IO115如在前附圖所示，作為連接焊片2提供的補(bǔ)償元件2形成在連接觸頭IO1上。該補(bǔ)償元件2在芯片外殼40的護(hù)套方向上在彎曲邊緣27 (其在圖8中未示出)處以如下方式被彎曲近似90°的角度形成在連接觸頭IO1與作為連接焊片2提供的補(bǔ)償元件2之間。 一般來說，補(bǔ)償元件2還可以以不同角度彎曲。在這種情況下，可以考慮從45°到135°范圍的角度。然而，在接合線％、92與設(shè)計(jì)為連接焊片2的補(bǔ)償元件2之間的磁耦合在90° 的角度下最小。連接觸頭IO1連接至印刷電路板50。為了這個(gè)目的，印刷電路板50在與連接觸頭 IO1的連接位置處提供接觸表面(其未示出)，其中優(yōu)選提供類似漿糊的黏度的焊接介質(zhì)51 借助于分配器單元被施加于該連接觸頭IO115連接觸頭IO1在焊接工藝中以實(shí)現(xiàn)低歐姆電接觸的方式被連接至印刷電路板50。還示出在其上形成輸入連接觸頭I和連接觸頭IO1的絕緣層23。放大器元件S1 或晶體管沖模S1分別直接設(shè)置在凸緣20上。芯片外殼40的護(hù)套被示出為虛線。印刷電路板50可以與放大器部件1 一起自動(dòng)安裝。在制造工藝的開始時(shí)，優(yōu)選僅僅插入螺釘連接， 以便實(shí)現(xiàn)凸緣20與冷卻元件52之間提高的熱傳遞和提高的電接觸。如果螺釘連接在制造工藝的結(jié)束時(shí)被附接，則這會導(dǎo)致在焊接接合點(diǎn)處的機(jī)械應(yīng)力。凸緣可以為金板，以便實(shí)現(xiàn)最低歐姆接觸。為了實(shí)現(xiàn)輸入連接觸頭4p42與連接觸頭IO1UO2以及印刷電路50之間的永久剛性，這里不應(yīng)當(dāng)使用金板接觸。與輸入連接觸頭42、接合線92、242、放大器元件\或晶體管沖模\和連接觸頭IO2精確相同的要素應(yīng)用于第二側(cè)(其未示出)。
在又一示例性實(shí)施例中，圖9示出具有根據(jù)本發(fā)明的處于裝配條件下的補(bǔ)償元件 2的放大器部件1沿軸12的側(cè)面圖。放大器部件1的結(jié)構(gòu)和功能已經(jīng)在前面附圖的描述中詳細(xì)說明，現(xiàn)在參考這些附圖。圖9與圖8的區(qū)別在于圖9的連接觸頭IO1提供凹槽實(shí)施例60，其開口面對朝向芯片外殼40的方向。這里，凹槽實(shí)施例60提供被設(shè)置在例如一毫米以下直至至少一毫米范圍內(nèi)的深度。凹槽實(shí)施例60可以通過沖壓工藝形成在連接觸頭IO1 中，其中較大的連接強(qiáng)度在焊接工藝中實(shí)現(xiàn)。該凹槽實(shí)施例60也存在與連接觸頭IO2 (其未示出)中。此外，輸入連接觸頭4工和42還可以被提供有這種凹槽實(shí)施例60。本發(fā)明不限于所提出的示例性實(shí)施例。所描述和/或所示出的所有元件根據(jù)需要可以在本發(fā)明的框架內(nèi)彼此結(jié)合。例如，也可以使用偶極晶體管。
權(quán)利要求
1.一種放大器部件(1)，具有外殼GO)和至少兩個(gè)放大器元件(3^ ),其中，寄生電容(S1A2)形成在每個(gè)放大器元件(3^ )的至少兩個(gè)接頭(5^ 和S1A2)之間，并且其中該寄生電容(S1A2)通過電感補(bǔ)償元件(2)被補(bǔ)償，其特征在于，所述補(bǔ)償元件( 通過連接焊片( 在所述外殼GO)外部形成在兩個(gè)連接觸頭(10” IO2)之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放大器部件， 其特征在于，所述連接焊片( 的形狀決定所述補(bǔ)償元件O)的電感。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的放大器部件， 其特征在于，所述外殼GO)的至少兩個(gè)連接觸頭(IO1UO2)提供彎曲邊緣07)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的放大器部件， 其特征在于，所述連接焊片( 在所述彎曲邊緣(XT)上相對于所述外殼GO)的連接觸頭(IO1UO2) 形成從45°到135°角度范圍內(nèi)的角度，優(yōu)選近似90°的角度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的放大器部件， 其特征在于，所述連接焊片⑵和所述外殼GO)的兩個(gè)連接觸頭(IO1UO2)形成在一片中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的放大器部件， 其特征在于，所述連接焊片⑵和所述連接觸頭(IO1UO2)在沖壓工藝中一起制造。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的放大器部件， 其特征在于，提供中斷點(diǎn)( )，在該中斷點(diǎn)08)處，所述連接焊片(2)能夠與所述外殼G0)的連接觸頭(IO1UO2)分離。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的放大器部件， 其特征在于，所述連接焊片( 被設(shè)計(jì)成弓形。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的放大器部件， 其特征在于，所述連接焊片O)以曲線方式被設(shè)計(jì)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的放大器部件， 其特征在于，所述連接焊片( 被設(shè)計(jì)成曲折形狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的放大器部件， 其特征在于，所述連接觸頭(IO1UO2)提供凹槽設(shè)計(jì)(60)，以便在焊接工藝中實(shí)現(xiàn)高連接強(qiáng)度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的放大器部件，其特征在于，所述放大器元件(3^ )被布置為接近所述外殼GO)的連接觸頭(IO1UO2K
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的放大器部件， 其特征在于，所述放大器元件(3p32)直接連接至凸緣00)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的放大器部件， 其特征在于，兩個(gè)放大器元件(3^ )以反相方式被控制并且以推挽結(jié)構(gòu)被布置。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的放大器部件， 其特征在于，所述放大器元件(3^ )為晶體管沖模(3i、32)，并且每個(gè)晶體管沖模以、32)提供至少一個(gè)功率晶體管，優(yōu)選LDMOS晶體管。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的放大器部件， 其特征在于，兩個(gè)功率晶體管的兩個(gè)漏極接頭(5i、52)經(jīng)由所述補(bǔ)償元件( 彼此連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種放大器部件(1)，其包括芯片外殼(40)和至少兩個(gè)放大器元件(31、32)。寄生電容(81、82)形成在每個(gè)放大器元件(31、32)的至少兩個(gè)接頭(51、52和61、62)之間，所述寄生電容(81、82)通過電感補(bǔ)償元件(2)被補(bǔ)償。所述補(bǔ)償元件(2)通過所述芯片外殼(40)外部的連接焊片(2)形成在兩個(gè)連接觸頭(101、102)之間。
文檔編號H01L23/64GK102349233SQ201080011517
公開日2012年2月8日 申請日期2010年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月28日
發(fā)明者貝恩哈德·凱恩斯 申請人:羅德施瓦茲兩合股份有限公司