專利名稱：有機(jī)光電子部件和用于制造有機(jī)光電子部件的方法
有機(jī)光電子部件和用于制造有機(jī)光電子部件的方法提出了一種有機(jī)光電子部件。此外提出了一種用于制造有機(jī)光電子部件的方法。要解決的任務(wù)在于，提出一種具有亮區(qū)和暗區(qū)的有機(jī)光電子部件，亮區(qū)和暗區(qū)在部件不工作時(shí)不能區(qū)分。另一要解決的任務(wù)在于，提出一種用于制造這種有機(jī)部件的方法。根據(jù)有機(jī)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，這種有機(jī)部件具有支承體。支承體用于以機(jī)械方式支持部件。于是可以通過支承體將部件以機(jī)械方式穩(wěn)定化。支承體可以包括以下材料中的一種或者由以下材料中的一種構(gòu)成玻璃、玻璃膜、石英、塑料、塑料膜、金屬、金屬膜、硅。優(yōu)選地，襯底對于要由部件發(fā)射的電磁輻射完全或部分地透明或者半透明。根據(jù)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，在支承體上施加有第一電極。第一電極可以與支承體直接、緊緊地接觸。同樣可能的是，在支承體和第一電極之間局部或者整面地施加有至少一個(gè)中間層。通過中間層可以將支承體的表面特性匹配于第一電極。例如，中間層用于支承體和第一電極之間的增附。也可以通過中間層減小支承體表面的粗糙度。如果存在中間層，則該中間層優(yōu)選地相對于要由部件發(fā)射的輻射透明或者半透明地構(gòu)建。根據(jù)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，第一電極對于要從部件發(fā)射的輻射透射輻射地、 優(yōu)選地透明地構(gòu)建。例如，第一電極實(shí)施為陽極。第一電極于是用作空穴注入的材料。第一電極例如由透明導(dǎo)電氧化物構(gòu)成。合適的材料例如尤其是氧化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化銦、氧化銦鋅或者氧化銦錫。第一電極的材料可以具有摻雜材料并且至少局部地P 摻雜或者η摻雜。根據(jù)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，在第一電極的背離支承體的主側(cè)上施加有有機(jī)層序列。有機(jī)層序列包括至少一個(gè)有機(jī)有源層。有源層構(gòu)建為在部件的工作中產(chǎn)生要發(fā)射的電磁輻射。輻射的波長在200nm到3000nm之間的光譜范圍中、優(yōu)選地在350nm到850nm之間的范圍中。尤其在工作中在有源層中產(chǎn)生可見輻射。根據(jù)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，有機(jī)層序列除了至少一個(gè)有機(jī)有源層之外具有至少一個(gè)載流子注入層和/或載流子輸運(yùn)層和/或載流子停止層。根據(jù)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，有機(jī)有源層包括至少一個(gè)有機(jī)聚合物、有機(jī)低聚物、有機(jī)單體、有機(jī)的小的非聚合分子或者其組合。根據(jù)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，在有機(jī)層序列的背離支承體的側(cè)上施加有第二電極。有機(jī)層序列于是位于第一電極和第二電極之間。例如第二電極實(shí)施為陰極。例如第二電極包括以下材料的一種或者由這種材料構(gòu)成鋁、鋇、銦、銀、金、鎂、鈣、鋰、鋼。優(yōu)選地，第二電極對于在有機(jī)層序列中產(chǎn)生的輻射不透射和/或反射性地來構(gòu)建?？赡艿氖?，除了支承體之外，第二電極以機(jī)械方式將部件穩(wěn)定化。根據(jù)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，該部件具有輻射透射面。輻射透射面可以是部件的邊界面，通過其，在有源層中產(chǎn)生的輻射或者該輻射的一部分或者大部分離開該部件。例如，輻射透射面通過支承體的背離有機(jī)層序列的主側(cè)形成。輻射透射面也可以通過支承體的該主側(cè)上的例如抗反射性作用的涂層來實(shí)現(xiàn)。根據(jù)有機(jī)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，在橫向方向上構(gòu)建有至少一個(gè)暗區(qū)和至少一個(gè)亮區(qū)。橫向尤其表示沿著有機(jī)部件的至少一個(gè)主伸展方向。亮區(qū)在此是部件的輻射透射
4面的如下區(qū)域，在該區(qū)域中每個(gè)面單元發(fā)射比在暗區(qū)中大的輻射功率。尤其，在該部件的俯視圖中于是在部件的工作中亮區(qū)顯得比暗區(qū)亮。優(yōu)選地，該部件具有多個(gè)亮區(qū)和多個(gè)暗區(qū)。 亮區(qū)和暗區(qū)在此分別是部件的輻射透射面的相互連接的區(qū)域。根據(jù)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，不僅在至少一個(gè)暗區(qū)中而且在至少一個(gè)亮區(qū)中完全地或者局部地將第一電極和第二電極以及有機(jī)層序列施加在支承體上。換言之，亮區(qū)和暗區(qū)相對于電極和有機(jī)層序列具有相同的部件。例如，第二電極和有機(jī)層序列不僅在亮區(qū)中而且在暗區(qū)中在制造容差的范圍中相同地制成。例如，第二電極同樣是尤其連續(xù)地在暗區(qū)和亮區(qū)上伸展的層，該層優(yōu)選地具有在制造容差范圍中恒定的厚度。這就是說，輻射透射面在亮區(qū)和暗區(qū)中的結(jié)構(gòu)化并不通過第一電極、第二電極和有機(jī)層序列的造型或者幾何構(gòu)型來實(shí)現(xiàn)。根據(jù)有機(jī)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，該有機(jī)部件具有暗區(qū)的第一反射性。例如，第一反射性是輻射透射面在暗區(qū)中的反射性。相應(yīng)地，部件具有亮區(qū)的第二反射性，其例如是輻射透射面在亮區(qū)中的反射性。根據(jù)有機(jī)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，暗區(qū)的第一反射性與亮區(qū)的第二反射性彼此偏差最高15%、優(yōu)選地最高10%、尤其最高5%。換言之，在亮區(qū)中在輻射透射面上的反射性與在暗區(qū)中在輻射透射面上的反射性相等或者優(yōu)選地在制造容差的范圍中相等。反射性例如相應(yīng)地為入射的輻射功率與反射性的、出射的輻射功率的商。為了確定反射性，于是例如將射到輻射透射面上的光功率測量并且與輻射透射面所反射的光功率比較。如果例如暗區(qū)的第一反射性是15%，則亮區(qū)的第二反射性優(yōu)選地在10%到20%之間，包括邊界值。在有機(jī)光電子部件的至少一個(gè)實(shí)施形式中，該部件包括支承體以及安置在支承體上的第一電極。此外，該部件包含帶有至少一個(gè)有機(jī)有源層的有機(jī)層序列。此外，該部件具有第二電極，使得有機(jī)層序列位于第一電極和第二電極之間。在橫向方向上形成至少一個(gè)暗區(qū)和至少一個(gè)亮區(qū)。不僅在暗區(qū)中而且在亮區(qū)中，局部地或者整面地將第一電極和第二電極以及有機(jī)層序列施加在支承體上。暗區(qū)的第一反射性與亮區(qū)的第二反射性相差最高 15%。通過至少一個(gè)亮區(qū)和至少一個(gè)暗區(qū)可以在部件工作中構(gòu)建模式和/或標(biāo)簽和/或符號。亮區(qū)形成例如模式的明亮、發(fā)光的區(qū)域。通過暗區(qū)不發(fā)光或者較弱地發(fā)光形成與亮區(qū)的對比。通過暗區(qū)的第一反射性與亮區(qū)的第二反射性近似相等的方式而可能的是，例如在部件工作中示出的模式在部件不工作時(shí)并不可見。換言之，當(dāng)部件不工作時(shí)，以肉眼從外部可以看到部件，尤其是部件的輻射透射面顯得均勻并且未結(jié)構(gòu)化。這就是說，在部件不工作時(shí)，模式不能被觀察者識別。根據(jù)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，在至少一個(gè)暗區(qū)中在第一電極的背離支承體的主面上施加有具有自組織的分子的單層。單層尤其僅僅在暗區(qū)中施加，使得亮區(qū)沒有單層。優(yōu)選地，整個(gè)暗區(qū)被單層覆蓋。換言之，暗區(qū)可以僅僅在如下位置，在那里有機(jī)層序列尤其在垂直于第一電極的主面的方向上產(chǎn)生單層。單層優(yōu)選地表示主側(cè)上的分子的層水平僅僅為恰好一個(gè)分子。因此，在單層中優(yōu)選地沒有相同的分子彼此疊置。單層于是位于第一電極和有機(jī)層序列之間。單層例如可以通過印刷方法施加到第一電極上。單層的可實(shí)現(xiàn)的結(jié)構(gòu)尺寸在橫向方向上例如為100 μ m、尤其為25 μ m。優(yōu)選地，結(jié)構(gòu)尺寸僅僅受例如所使用的印刷方法在產(chǎn)生單層時(shí)的位置分辨率限制。換言之，可以產(chǎn)生單層的非常精致的模式。根據(jù)有機(jī)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，單層無色地構(gòu)建。換言之，單層的吸收系數(shù)和/或反射系數(shù)在可見的光譜范圍中近似與波長無關(guān)。例如，吸收系數(shù)和/或反射系數(shù)在 470nm到650nm之間的光譜范圍中在10%的偏差以下、尤其3%的偏差以下為恒定的。例如，吸收系數(shù)在0%到10%之間，尤其在0.01%到3%之間，包括邊界值。根據(jù)有機(jī)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，單層電絕緣地構(gòu)建。在垂直于第一電極的方向上，于是在部件的工作中不進(jìn)行通過單層的電流流動。如果有機(jī)層序列具有可忽略的橫向?qū)щ娔芰Γ瑒t輻射在有機(jī)層序列中僅僅在如下區(qū)域中產(chǎn)生，在這些區(qū)域中未施加單層。優(yōu)選此，單層在垂直于第一電極的方向上具有為至少lMV/cm、尤其為至少30MV/cm的擊穿電壓。根據(jù)有機(jī)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，單層的厚度在垂直于第一電極的方向上在 0. 5nm到5. Onm之間、尤其在1. Onm到3. Onm之間，包括邊界值。單層于是與在有機(jī)層序列中產(chǎn)生的輻射的波長相比非常薄。因此，單層不影響或者僅僅可忽略地影響部件的光學(xué)特性、尤其是光學(xué)折射率。根據(jù)有機(jī)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，單層借助分子形成或者由如下分子構(gòu)成， 這些分子具有長的脂肪鏈并且包括作為頭部基團(tuán)的磷酸基、硅酸基、羧酸基、三氯甲苯基或者類似的基團(tuán)?？商孢x地或者附加地，單層的分子也可以包含帶有所結(jié)合的環(huán)系 (Ringsystem)(例如苯或者環(huán)戊烷)的大的基團(tuán)。這種分子的示例是2[(三甲氧基硅烷) 乙基]苯或者3-[2-(三甲氧基硅烷)乙基]嘧啶。根據(jù)有機(jī)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，支承體在朝向?qū)有蛄械膫?cè)在暗區(qū)中具有粗化部。換言之，支承體的朝向?qū)有蛄械膫?cè)在亮區(qū)中近似平滑并且在暗區(qū)中有針對性地粗糙。粗化部于是位于支承體和第一電極之間。根據(jù)有機(jī)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，輻射透射面在制造容差的范圍中在亮區(qū)中以及在暗區(qū)中具有相同的性質(zhì)，例如在粗糙度方面相同的性質(zhì)。換言之，尤其是支承體的背離有機(jī)層序列的側(cè)并未結(jié)構(gòu)化。根據(jù)有機(jī)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，粗化部的平均粗糙度在5nm到1 μ m之間、尤其在20nm到500nm之間，包括邊界值。粗糙度于是尤其具有如下平均粗糙度，該平均粗糙度小于或者等于在有機(jī)層序列中產(chǎn)生的輻射的波長。根據(jù)有機(jī)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，粗化部和/或暗區(qū)具有為至少1mm、尤其至少 3mm的橫向結(jié)構(gòu)尺寸。換言之，粗化部以及優(yōu)選地暗區(qū)在一個(gè)或兩個(gè)方向上具有至少為上述值的伸展。粗化部于是可以平面地成形。根據(jù)有機(jī)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，支承體的粗化部在暗區(qū)中通過凹槽狀或者溝道狀的結(jié)構(gòu)形成，這些結(jié)構(gòu)具有與平均粗糙度對應(yīng)的平均深度。凹槽狀可以表示結(jié)構(gòu)的平均長度比平均寬度大至少十倍。根據(jù)有機(jī)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，在支承體和第一電極之間存在中間層。中間層優(yōu)選地具有如下折射率，該折射率與支承體的折射率偏差最高0. 1、尤其最高0. 05。支承體的折射率例如為1. 50，則中間層的折射率優(yōu)選地在1. 45到1. 55之間。例如，中間層是氧化物層、尤其是二氧化硅層。
根據(jù)有機(jī)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，中間層的厚度在垂直于第一電極的方向上在 IOnm到200nm之間、尤其在15nm到40nm之間，包括邊界值。如果中間層施加在粗化部之上，則中間層的背離支承體的側(cè)優(yōu)選地在粗化部的區(qū)域中比支承體平滑。中間層的平均厚度可以在支承體的粗化部的平均粗糙度的范圍中。根據(jù)有機(jī)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，至少一個(gè)暗區(qū)的每個(gè)面單元的平均輻射功率為至少一個(gè)亮區(qū)的每個(gè)面單元的平均輻射功率的最高60%、尤其最高45%。例如，在暗區(qū)中近似不發(fā)射輻射功率。同樣可能的是，暗區(qū)的每個(gè)面單元的輻射功率在亮區(qū)的每個(gè)面單元的輻射功率的1 %到60 %之間、優(yōu)選地在2 %到45 %之間、尤其在4 %到30 %之間，包括邊界值。根據(jù)有機(jī)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，支承體借助玻璃構(gòu)建，第一電極借助透明導(dǎo)電氧化物構(gòu)建并且第二電極借助金屬構(gòu)建或者由所提及的材料構(gòu)成。在有機(jī)層序列中產(chǎn)生的輻射于是穿過支承體并且尤其在支承體的背離有機(jī)層序列的主側(cè)發(fā)射。根據(jù)有機(jī)部件的至少一個(gè)實(shí)施形式，第一電極的背離支承體的主面在至少一個(gè)暗區(qū)中具有比在至少一個(gè)亮區(qū)中高的逸出功。逸出功例如是最小能量，該能量被需要以便將載流子例如電子從第一電極內(nèi)的點(diǎn)運(yùn)輸?shù)降谝浑姌O的表面之外的點(diǎn)。例如，第一電極在暗區(qū)中的逸出功與在亮區(qū)中的逸出功相差至少0. 10eV、優(yōu)選地至少0. 25eV、尤其至少0. 40eV。逸出功的絕對值在此優(yōu)選地在4. OeV到5. OeV之間，包括邊界值，尤其為大約 4. 5eV0逸出功的修改優(yōu)選地并不通過如下方式實(shí)現(xiàn)施加例如具有薄的、尤其是單層的有機(jī)分子的獨(dú)立的涂層。換言之，第一電極于是沒有這種獨(dú)立的、影響逸出功的涂層。此外，提出了一種用于制造光電子有機(jī)部件的方法。例如可以借助該方法制造有機(jī)光電子部件，如其結(jié)合上述事實(shí)形式中的一個(gè)或多個(gè)所描述那樣。因此，有機(jī)光電子部件的特征也對于在此描述的方法公開并且反之亦然。在該方法的至少一個(gè)實(shí)施形式中，該方法包括以下步驟-提供帶有第一電極的支承體；-在第一電極上施加光敏材料，并且在區(qū)帶之外將該光敏材料曝光，-移除光敏材料，其中第一電極的厚度在制造容差的范圍中保持不變，-在第一電極上施加另外的光敏材料，并且在下部區(qū)域之外將該另外的光敏材料曙光，-移除該另外的光敏材料，以及-至少在第一電極上產(chǎn)生帶有至少一個(gè)有機(jī)有源層的有機(jī)層序列和第二電極。在此優(yōu)選地，逸出功在第一電極的背離支承體的主面上在其中區(qū)帶與下部區(qū)域交疊的至少一個(gè)交疊區(qū)域中與第一電極的其余區(qū)域相比下降。換言之，在一個(gè)方法步驟中例如將光刻膠施加在第一電極上，并且光刻膠至少局部地曝光。隨后，例如在顯影之后將光刻膠移除，其中第一電極不必結(jié)構(gòu)化。在該方法的另一步驟中，另一種光敏材料例如光刻膠施加在第一電極上、曝光并且尤其也顯影?？蛇x地， 可以通過將第二光刻膠至少局部地移除將第一電極結(jié)構(gòu)化。同樣可能的是，又將第二光刻膠移除，而第一電極并不通過取走材料來結(jié)構(gòu)化。至少一個(gè)亮區(qū)于是通過第一電極的區(qū)域形成，在該區(qū)域中曾兩次將光敏材料施加并且又移除并且該區(qū)域并未經(jīng)受光敏材料的曝光?，F(xiàn)在假設(shè)，優(yōu)選地通過光敏的、未曝光的
7材料的兩次涂敷、兩次移除和優(yōu)選地兩次顯影可以將第一電極的逸出功降低。降低的逸出功又引起，如此處理的區(qū)域在所制造的部件的工作中顯得更亮。根據(jù)該方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，第一電極借助氧化銦錫構(gòu)建或者由氧化銦錫構(gòu)成。此外，光敏材料和/或另外的光敏材料通過借助O2等離子體灰化和/或通過借助溶劑沖洗來移除。根據(jù)該方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，在曝光另外的光敏材料的步驟和移除另外的光敏材料的步驟之間在附加的方法步驟中在其中該另外的光敏超材料并未曝光過的下部區(qū)域之外將第一電極的材料完全或者部分地移除。換言之，第一電極通過由該另外的光敏材料形成的掩膜結(jié)構(gòu)化，其中結(jié)構(gòu)化通過將第一電極在下部區(qū)域之外(例如通過刻蝕掉)的材料取走來實(shí)現(xiàn)。根據(jù)該方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，通過其中下部區(qū)域和區(qū)帶交疊的交疊區(qū)域形成至少一個(gè)亮區(qū)。亮區(qū)于是構(gòu)建第一電極的至少一個(gè)區(qū)域，-在該區(qū)域中曾兩次將光敏材料施加在第一電極上，-該區(qū)域未曾曝光，-在該區(qū)域中光敏材料曾分別被再次移除，以及-在該區(qū)域中優(yōu)選地光敏材料也分別顯影。根據(jù)該方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，在第一電極的不屬于下部區(qū)域的區(qū)域中成形有至少一個(gè)暗區(qū)。至少一個(gè)亮區(qū)和至少一個(gè)暗區(qū)并不在第一電極的厚度或者材料組成方面不同，而是優(yōu)選地僅僅通過在第一電極的背離支承體的主側(cè)上的逸出功不同。根據(jù)該方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，第一電極由氧化銦錫(縮寫ΙΤ0)成形或者由 ITO構(gòu)成。光敏材料和另外的光敏材料的曝光借助在MOnm到380nm之間(包括邊界值) 的波長進(jìn)行。優(yōu)選地分別將正性光刻膠用作光敏材料。尤其，在亮區(qū)中優(yōu)選地進(jìn)行光敏材料以及另外的光敏材料的顯影。根據(jù)該方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，將光敏材料完全移除。換言之，制成的、有機(jī)部件于是沒有光敏材料。其中可以使用在此描述的有機(jī)部件的一些應(yīng)用領(lǐng)域例如是顯示器或者指示裝置的背光照明。此外，可以將在此所描述的光電子部件用在用于投影目的的照明裝置中、用在大燈或光輻射器中或者在通用照明的情況下使用。下面，借助實(shí)施實(shí)例參考附圖進(jìn)一步闡述在此描述的部件以及在此描述的方法。 相同的附圖標(biāo)記在此說明各個(gè)附圖中相同的元件。然而在此并未示出合乎比例的基準(zhǔn)，更確切而言，各個(gè)元件可以為了更好的理解而夸大地示出。其中

圖1示出了在此描述的有機(jī)光電子部件的一個(gè)實(shí)施例的示意性截面圖，圖2示出了確定亮區(qū)和暗區(qū)的反射性的示意圖，圖3和4示出了在此描述的有機(jī)部件的另外的實(shí)施例的示意性截面圖，以及圖5示出了用于制造在此描述的有機(jī)光電子部件的在此描述的方法的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。在圖1中可以看到有機(jī)光電子部件1的一個(gè)實(shí)施例。在支承體2的主側(cè)20上施加有第一電極11。在第一電極11的背離支承體2的主面6上施加有帶有有機(jī)有源層33的有機(jī)層序列3。在有機(jī)層序列3的背離支承體2的側(cè)上存在第二電極22。于是，在部件1 的工作中，有機(jī)層序列3通過第一電極11和第二電極22來供電。在有機(jī)層序列33中，在部件1的工作中生成電磁輻射，優(yōu)選地為在可見或者近紫外的光譜范圍中的電磁輻射。支承體2例如借助玻璃或者借助玻璃膜構(gòu)建。第一電極11例如由氧化銦錫或者氧化銦鋅構(gòu)成。支承體2的厚度在垂直于支承體2的主側(cè)20的方向上例如在200 μ m到2mm 之間，包括邊界值。第一電極11的厚度例如在50nm到200nm之間，包括邊界值，尤其為大約120nm。第一電極11的材料的折射率尤其在1. 7到1. 8之間，包括邊界值。支承體2的材料的折射率在1. 45到1. 55之間，包括邊界值。有機(jī)層序列3具有在IOOnm的量級中的厚度。第二電極22的厚度優(yōu)選地在20nm到500nm之間的范圍中，該第二電極例如通過氣相淀積的金屬或者通過鋼膜形成。在第一電極11的主面6上局部地施加有單層7。單層7由自組織的分子構(gòu)成。例如，單層7借助印刷方法施加在主面6上。單層7的厚度在垂直于第一電極11的主面6的方向上尤其在0. 5nm到5nm之間，包括邊界值。單層7的厚度于是優(yōu)選地比有機(jī)層序列3 的厚度小許多倍。單層7電絕緣并且在光學(xué)上透明。因?yàn)橛袡C(jī)層序列3在平行于第一電極11的主面6的方向上僅僅具有可忽略的橫向?qū)щ娔芰Γ詢H僅在其中未將單層7施加在第一電極11上的區(qū)域中實(shí)現(xiàn)對有機(jī)有源層 33的供電。其中施加單層7的區(qū)域構(gòu)建暗區(qū)4。其中未施加單層7的區(qū)域形成亮區(qū)5。在有機(jī)部件1的工作中，暗區(qū)4顯得明顯比亮區(qū)5暗。在暗區(qū)4中，在部件1的工作中在有源層33中近似地不產(chǎn)生電磁輻射。在部件1中，于是第一電極、有機(jī)層序列3以及第二電極22并不相對于其在暗區(qū) 4和在亮區(qū)5的構(gòu)型而彼此不同。尤其通過第一電極11基本上覆蓋支承體2的整個(gè)主側(cè) 20的方式，在部件1不工作時(shí)不可識別通過單層7形成的亮區(qū)5和暗區(qū)4的模式。因?yàn)榈谝浑姌O11具有與支承體2明顯不同的折射率以及由此不同的反射特性，所以在例如在暗區(qū) 4中被移除的第一電極11的情況下可以在部件1不工作時(shí)識別通過暗區(qū)4并且通過亮區(qū)5 形成的模式。在有機(jī)層序列33中產(chǎn)生的輻射通過支承體2離開部件1。支承體2的背離第一電極11的主側(cè)在此形成輻射透射面17。優(yōu)選地，第二電極22相對于在有機(jī)層序列3中產(chǎn)生的輻射反射性地和/或不透射輻射地構(gòu)建。換言之，在部件1不工作時(shí)并且朝輻射透射面17看去，亮區(qū)4和暗區(qū)5并不可以彼此區(qū)分。在第二電極22不透光的情況下，這表示亮區(qū)4的第一反射性近似地與暗區(qū)5 的第二反射性并不不同。在圖2中進(jìn)一步闡述第一反射性和第二反射性。反射性可以通過如下方式確定 將在至少一個(gè)亮區(qū)4中和在至少一個(gè)暗區(qū)5中的射到輻射透射面17上的輻射Ru、R5a的功率與在輻射透射面17上反射的輻射R4,2、R5,2的輻射功率確定并且互相比較。暗區(qū)4的第一反射性于是為輻射功率R4,2和R4il的商。相應(yīng)地，亮區(qū)5的第二反射性是輻射功率1 5,2 和I^1的商。例如，第一反射性和第二反射性在可見的光譜范圍中，即尤其在480nm和640nm之間，以及在0°到70°之間(包括邊界值)的入射角范圍中并不互相偏差或者近似地并不
互相偏差。
9
對于部件1透明或者透射輻射的情況，可以對于第一反射性和對于第二反射性可替選地或者附加地，以類似方式將部件1在暗區(qū)4和在亮區(qū)5中的透射值確定并且互相比較。優(yōu)選地，于是在暗區(qū)4中和在亮區(qū)5中的透射值并不彼此不同或者近似地并不彼此不同，以及優(yōu)選地其反射性也并不彼此不同或者近似地并不彼此不同。概括而言，暗區(qū)4和亮區(qū)5在部件1不工作時(shí)不能從部件外部以視覺方式區(qū)分的原因尤其在于第一電極11不僅覆蓋暗區(qū)4而且覆蓋亮區(qū)5，并且單層7并不影響或者并不顯著影響在部件1上或者穿過部件1的輻射的反射性、吸收和/或透射。在圖3中示出了部件1的另一實(shí)施例。在第一電極11和支承體2之間安置有例如由氧化硅構(gòu)成的中間層12。中間層12的厚度在垂直于第一電極11的主面6的方向上例如為大約20nm。在暗區(qū)4中，支承體2的主側(cè)20具有粗化部8。粗化部8被中間層12覆蓋。中間層12的背離支承體2的主側(cè)近似平滑。換言之，中間層12可以將支承體2的粗化部8完全或者部分地平滑。第一電極11、第二電極22以及有機(jī)層序列3于是在支承體2的主側(cè)20上在制造容差的范圍中完全相同地施加。在橫向方向上，在整個(gè)有機(jī)層序列3中在部件1的工作中產(chǎn)生輻射。通過粗化部8實(shí)現(xiàn)從暗區(qū)4出來朝著亮區(qū)5離去的光偏轉(zhuǎn)。由此，在輻射透射面17離開部件1的每個(gè)單位面積的平均輻射功率在暗區(qū)4中比在亮區(qū)5中小了例如50%。 通過粗化部近似地并不影響輻射透射面和第一電極11的反射性。在部件1不工作時(shí)，朝著輻射透射面17看于是并不能區(qū)分暗區(qū)4和亮區(qū)5。粗化部8的平均粗糙度例如在20nm到500nm之間，包括邊界值。粗化部例如可以通過激光照射支承體2的主側(cè)20或者通過借助帶有所限定的粒度的磨削工具磨削主側(cè)20 來實(shí)現(xiàn)。粗化部8可以相對于支承體2的主伸展方向均質(zhì)地構(gòu)建或者例如以與粗糙度對應(yīng)的平均深度的近似平行走向的溝道為形式來實(shí)現(xiàn)。在根據(jù)圖4的實(shí)施例中，第一電極IlaUlb又是在支承體2的主側(cè)20之上連續(xù)的層。然而，第一電極IlaUlb的主面6在暗區(qū)4中具有比在亮區(qū)5中高的逸出功。由此在暗區(qū)4中比在亮區(qū)5中將更少的載流子注入到有機(jī)層序列中。由此，暗區(qū)4顯得較暗，因?yàn)樵诓考?的工作中在暗區(qū)4中產(chǎn)生較少輻射。在部件1不工作時(shí)，朝輻射透射面17看，無法以肉眼區(qū)分暗區(qū)4和亮區(qū)5。在亮區(qū)5中的第一電極lib以及在暗區(qū)4中的第一電極Ila的主面6上的逸出功例如可測量，其中將第二電極22和有源層序列從第一電極11移除，其中第一電極IlaUlb 的主面6近似地并不改變。接下來，逸出功可以局部地例如通過光電發(fā)射分光鏡來測量?？蛇x地，也可以在根據(jù)圖1和4的實(shí)施例中在電極11和支承體12之間施加中間層12(在圖1和4中未示出)。在圖5中示出了一種用于制造(例如根據(jù)圖4的)有機(jī)光電子部件的方法。在一個(gè)方法步驟中，參見圖5A，在支承體2的主側(cè)20上施加有第一電極11。例如， 第一電極由氧化銦錫(縮寫ΙΤ0)構(gòu)成。在圖5B中示出，在第一電極11的主面6上施加有光敏材料9并且尤其也顯影。 光敏材料9的厚度例如為大約2 μ m。光敏材料9優(yōu)選地為正性光刻膠，英語為positive resist。這就是說，通過曝光，光敏材料9尤其在顯影之后至少部分地?fù)p毀或者對于確定的溶劑可溶。光敏材料例如是AZ 1518或者OCG 825。對于光敏材料，例如MIF350用作顯影劑。 曝光優(yōu)選地借助帶有大約4mW/cm2的輻射功率和大約20s的曝光持續(xù)時(shí)間的Hg高壓燈或者HgXe高壓燈的未濾光的紫外輻射來進(jìn)行。曝光例如僅僅在第一電極11的區(qū)帶13外部進(jìn)行。在圖5B中曝光通過箭頭示出。如在圖5C中所示那樣，下面剝離光敏材料9。在剝離光敏材料9時(shí)，相對于第一電極11不進(jìn)行材料剝離或者不進(jìn)行顯著的材料剝離。換言之，第一電極11的厚度在垂直于支承體2的主側(cè)20的方向上不受光敏材料9的剝離的影響。剝離優(yōu)選地通過借助氧氣離子體灰化或者通過借助溶劑(例如為乙二醇酯)沖洗來進(jìn)行。此外，在第一電極11上(參見圖5D)施加有另外的光敏材料14并且優(yōu)選地也顯影。另外的光敏材料14可以是正性光刻膠。在下部區(qū)域15外部也將另外的光敏材料14 曝光，這通過箭頭示出?？蛇x地也可能的是，區(qū)帶13和/或下部區(qū)域15包括支承體2的整個(gè)主側(cè)20，其中于是可以省去另外的光敏材料14的曝光，同樣也可以省去光敏材料9的曝光。第一電極11的區(qū)帶13被下部區(qū)域15完全或者部分地圍繞，在區(qū)帶13之外已經(jīng)進(jìn)行光敏材料9的曝光。其中下部區(qū)域15和區(qū)帶13交疊的區(qū)域?yàn)榻化B區(qū)域16。在交疊區(qū)域16中于是將光敏材料9，14分別顯影，然而未曝光。在另一可選的方法步驟中(參見圖5E)，將另外的光敏材料在下部區(qū)域15外部移除。此外，可以在下部區(qū)域15外部將第一電極11剝離。換言之，第一電極11的結(jié)構(gòu)化通過第一電極11的材料的材料剝離進(jìn)行。尤其，支承體2的主側(cè)20至少局部地暴露。如在圖5F中所示的那樣，接下來將另外的光敏材料14剝離，而不改變第一電極11 在下部區(qū)域15中的厚度。通過兩次顯影和兩次移除光敏材料9，14，在交疊區(qū)域16中在主面6上第一電極 lib的逸出功與交疊區(qū)域16外部的第一電極Ila相比下降。隨后，部件1制成，參見圖5G。在此施加帶有至少一個(gè)有源層33的有機(jī)層序列3 以及第二電極22。施加在此可以僅僅在第一電極11上進(jìn)行或者如在圖5G中所示那樣也整面地進(jìn)行?？蛇x地可能的是，在圖5G中未示出的另外的層例如為了包封部件1和尤其包封有機(jī)層序列3而施加。此外可選地可能的是，在輻射穿透面17上例如施加有抗反射層。在此描述的發(fā)明并不通過借助實(shí)施例的描述受限。更確切而言，本發(fā)明包括任意新特征以及特征的任意組合，這尤其包含權(quán)利要求中的特征的任意組合，即使該特征或者該組合本身并未在權(quán)利要求或者實(shí)施例中明確說明。該專利申請要求德國專利申請10 2009 015 574. 0和20 2009 022 902. 7的優(yōu)先
權(quán)，其公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)光電子部件(1)，其具有 -支承體⑵，-第一電極(11)，該第一電極安置在支承體(2)上， -具有至少一個(gè)有機(jī)有源層(33)的至少一個(gè)有機(jī)層序列(3)，以及 -第二電極(22)，使得所述層序列(3 位于第一電極(11)和第二電極0 之間， 其中在橫向方向上形成至少一個(gè)暗區(qū)(4)和至少一個(gè)亮區(qū)(5)， 并且其中不僅在所述暗區(qū)中而且在所述亮區(qū)(5)中至少局部地將第一電極(11) 和第二電極0 以及所述層序列(3 施加在支承體上，并且其中所述暗區(qū)⑷的第一反射性與所述亮區(qū)(5)的第二反射性相差最高15%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)部件(1)，其中在所述暗區(qū)⑷中在第一電極(11)的背離支承體的主面(6)上施加有帶有自組織的分子的單層(7)。
3.根據(jù)上一權(quán)利要求所述的有機(jī)部件(1)，其中單層(7)無色并且為電絕緣的并且具有在0. 5nm到5. Onm之間的厚度，包括邊界值。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的有機(jī)部件(1)，其中單層(7)借助2[(三甲氧基硅烷) 乙基]苯或者3-[2-(三甲氧基硅烷)乙基]嘧啶形成或者由此構(gòu)成。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的有機(jī)部件(1)，其中在所述暗區(qū)中支承體(2)在朝向所述層序列(3)的側(cè)(20)具有粗化部(S)0
6.根據(jù)上一權(quán)利要求所述的有機(jī)部件(1)，其中粗化部(8)的平均粗糙度在5nm到 1 μ m之間，包括邊界值。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的有機(jī)部件(1)，其中在支承體( 和第一電極(11)之間存在透明的中間層(12)，其中中間層(12)的厚度在IOnm到200nm之間，包括邊界值。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的有機(jī)部件(1)，其具有多個(gè)暗區(qū)(4)和多個(gè)亮區(qū)(5)， 其中通過所述亮區(qū)(4)形成至少一個(gè)模式和/或符號，所述至少一個(gè)模式和/或符號在部件(1)不工作時(shí)不可見。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的有機(jī)部件(1)，其中所述暗區(qū)的每個(gè)面單元的輻射功率為所述亮區(qū)(5)的每個(gè)面單元的輻射功率的最高50%。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的有機(jī)部件(1)，其中支承體( 借助玻璃構(gòu)建，第一電極(11)借助透明導(dǎo)電氧化物構(gòu)建并且第二電極02)借助金屬構(gòu)建。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的有機(jī)部件(1)，其中第一電極(11)的背離支承體(2) 的主面(6)在所述暗區(qū)⑷中顯示出比在所述亮區(qū)(5)中高的逸出功，其中第一電極(11) 的材料在所述暗區(qū)⑷中和在所述亮區(qū)(5)中相同。
12.一種用于制造有機(jī)光電子部件(1)的方法，具有以下步驟 -提供帶有第一電極(11)的支承體0)，-將光敏材料(9)施加在第一電極(11)上，并且在區(qū)帶(1 之外將該材料曝光， -移除光敏材料(9)，其中第一電極(11)的厚度保持不變，-將另外的光敏材料(14)施加在第一電極(11)上，并且在下部區(qū)域(1 之外將該材料曝光，-移除所述另外的光敏材料(14)，以及-至少在第一電極(11)上產(chǎn)生帶有至少一個(gè)有機(jī)有源層(3 的有機(jī)層序列( 和第二電極(22)，其中在第一電極(11)的背離支承體O)的主面(6)上的逸出功在其中區(qū)帶(13)和下部區(qū)域(15)交疊的至少一個(gè)交疊區(qū)域(16)中與第一電極(11)的其余區(qū)域相比下降。
13.根據(jù)上一權(quán)利要求所述的方法，其中在曝光步驟和移除所述另外的光敏材料(14) 的步驟之間在另一步驟中在下部區(qū)域(1 之外將第一電極(11)的材料移除，并且其中通過所述交疊區(qū)域(15)成形至少一個(gè)亮區(qū)(5)，并且其中通過下部區(qū)域(15)的其余的、不屬于所述亮區(qū)(5)的區(qū)域成形至少一個(gè)暗區(qū)⑷。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的方法，其中第一電極(11)借助氧化銦錫成形或者由氧化銦錫成形，借助包括邊界值的MOnm到380nm之間的波長執(zhí)行所述光敏材料(9，14)的曝光，并且將正性光刻膠用作所述光敏材料(9，14)并且在交疊區(qū)域(16)中將兩種光敏材料(9，14)顯影。
全文摘要
在有機(jī)光電子部件(1)的至少一個(gè)實(shí)施形式中，該部件包括支承體(2)以及安裝在支承體(2)上的第一電極(11)。此外，部件(1)包含帶有至少一個(gè)有機(jī)有源層(33)的至少一個(gè)有機(jī)層序列(3)。此外，部件(1)具有第二電極(22)，使得有機(jī)層序列(3)位于第一電極(11)和第二電極(22)之間。在橫向方向上形成至少一個(gè)暗區(qū)(4)和至少一個(gè)亮區(qū)(5)。不僅在暗區(qū)(4)中而且在亮區(qū)(5)中局部地或者整面地將第一電極(11)和第二電極(22)以及有機(jī)層序列(3)施加在支承體(2)上。暗區(qū)(4)的第一反射性與亮區(qū)(5)的第二反射性相差最高15％。
文檔編號H01L51/52GK102362213SQ201080013281
公開日2012年2月22日 申請日期2010年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月30日
發(fā)明者安德魯·英格爾 申請人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司