專利名稱：半導(dǎo)體元件用基板的制造方法及半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于安裝半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體元件用基板，尤其涉及在結(jié)構(gòu)面兼有與引線框相似的特征的基板的制造方法以及使用了該制造方法的半導(dǎo)體器件。本申請基于在2009年3月30日在日本申請的特愿2009-081785號來主張優(yōu)先權(quán)， 在這里引用該內(nèi)容。
背景技術(shù)：
利用晶片工藝制造的各種的存儲器、CM0S、CPU等的半導(dǎo)體元件具有電連接用的端子。電連接用端子的間距和用于安裝半導(dǎo)體元件的印刷電路板側(cè)的連接部的間距，尺寸的差異為數(shù)倍到數(shù)百倍左右。因此，在要連接半導(dǎo)體元件和印刷電路板時，使用被稱為內(nèi)插板 (interposer)的用于變換間距的調(diào)節(jié)用基板(半導(dǎo)體元件安裝用基板)。在內(nèi)插板的一個面上安裝半導(dǎo)體元件，用另一個面或者基板的周邊與印刷電路板進(jìn)行連接。在內(nèi)插板的內(nèi)部或者表面上具有金屬引線框。通過引線框來設(shè)置電連接路徑，內(nèi)插板由此擴(kuò)大外部連接端子的間距，該外部連接端子用于與印刷電路板進(jìn)行連接。作為內(nèi)插板的一種，存在QFN(Quad Flat Non-lead 四邊扁平無引腳)式引線框。 在圖4A至圖4C中示意性地示出了其結(jié)構(gòu)。在由鋁、銅等構(gòu)成的引線框的中央部設(shè)置有用于裝載半導(dǎo)體元件16的引線框的平坦部分15。在引線框的外周部配設(shè)有間距大的引線17。 利用使用了金線等金屬線18的鍵合(bonding)法，使引線17和半導(dǎo)體元件16的電連接端子之間連接。最后，利用成型用樹脂19進(jìn)行成型來使整體一體化。印刷電路板的內(nèi)插板的連接如下實(shí)現(xiàn)，在端子數(shù)少時，在內(nèi)插板的外延部的取出電極20上安裝金屬管腳；此外，在端子數(shù)多時，使用球柵陣列封裝(Ball Grid Array)，將焊料球呈陣列狀配置于外周部分的外部連接端子上。在面積狹小并且端子數(shù)多時，往往也采取使配線層多層化進(jìn)行層疊的方法。若使用該方法，雖然能夠?qū)?yīng)多端子化，但是也存在如下問題，即，基板的結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜，可靠性或穩(wěn)定性下降，不能夠面向例如車載用等。這樣的內(nèi)插板，根據(jù)所使用的材料或結(jié)構(gòu)可區(qū)分為多個種類，例如保持引線框部分的結(jié)構(gòu)為陶瓷的內(nèi)插板、或者如P-BGA(Plastic Ball Grid Array 塑封球柵陣列封裝)、 CSP (Chip Size Package 芯片尺寸封裝)、LGA (Land Grid Array 柵格陣列封裝)等基體材料為有機(jī)物的內(nèi)插板等，這些多種內(nèi)插板，根據(jù)目的和用途而被區(qū)分使用。在任一情況下，都要對應(yīng)半導(dǎo)體元件的小型化、多管腳化、高速化，來推進(jìn)內(nèi)插板的與半導(dǎo)體元件之間的連接部分的小間距化(fine pitch)以及對高速信號的對應(yīng)。若考慮微細(xì)化的進(jìn)展，則端子部分的間距有必要在80 120 μ m?？墒牵€框是導(dǎo)通部的同時，也是支撐部件。引線框的厚度最低也需要100 120μπι，以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的蝕刻處理和搬運(yùn)處理(handling)。此外，為了在引線鍵合(wire bonding)時保持充分的接合強(qiáng)度，也需要一定程度的焊盤的大小?；谏鲜隼碛?，在引線框中，小型化的限度是引線的間距為120 μ m、引線線寬為60 μ m左右。
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作為解決該問題并實(shí)現(xiàn)引線框的進(jìn)一步小間距化的方法，例如在專利文獻(xiàn)1中公開了將預(yù)成型樹脂作為金屬線的支撐體的結(jié)構(gòu)的、具有與引線框的結(jié)構(gòu)稍微相似的特征的半導(dǎo)體元件用基板。對專利文獻(xiàn)1的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法進(jìn)行描述。在金屬板的第一面形成用于形成連接用柱的抗蝕劑圖案，在第二面形成用于形成配線圖案的抗蝕劑圖案。從第一面上對銅進(jìn)行蝕刻直到所希望的厚度為止，然后，在第一面上填充預(yù)成型用的樹脂，并使連接用柱的底面確實(shí)露出，之后，盡可能厚地形成樹脂層。接著，進(jìn)行第二面的蝕刻，在形成配線圖案之后，剝離兩面上的抗蝕劑圖案，而完成半導(dǎo)體元件用基板的制造。在像以上那樣制造的半導(dǎo)體元件用基板中，由于形成為通過預(yù)成型樹脂來支撐金屬的結(jié)構(gòu)，即使將金屬的厚度減小到可進(jìn)行精密蝕刻(fine etching)的水平，也能夠進(jìn)行穩(wěn)定的蝕刻?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開平10-022440號公報專利文獻(xiàn)2 日本特開2006-303216號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題然而，在專利文獻(xiàn)1的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法中，在蝕刻到金屬板的厚度方向中途的面上涂敷預(yù)成型樹脂的工序存在技術(shù)上的困難。其原因在于，涂敷的厚度必須是足以給基板賦予必要的剛性的程度的厚度，并且，連接用柱的底面必須完全露出。作為控制厚度來進(jìn)行涂敷的方法的一個例子，可以考慮如下的方法例如，使用注射器等從涂敷面底部的一點(diǎn)或多個點(diǎn)流入樹脂，并等待至該樹脂浸潤擴(kuò)散到整個涂敷面或浸潤擴(kuò)散到足以形成均勻的厚度的樹脂的寬度為止，然后使接下來的樹脂流入，并重復(fù)這樣的步驟。然而，預(yù)成型樹脂具有某種程度的粘性，因此，使該預(yù)成型樹脂浸潤擴(kuò)散需要時間，所以在生產(chǎn)效率方面存在問題。進(jìn)而，也存在因預(yù)成型樹脂的表面張力，使樹脂成為球狀，而停留在狹小的范圍內(nèi)。這時，存在如下問題即使注入少量的樹脂，高度也會變大，容易發(fā)生樹脂到達(dá)連接用柱的底面的不良后果。此外，作為其他的方法，也考慮到使用分配器(dispenser)等，在涂敷面底，一次一次少量配置樹脂的方法。然而，該方法也在生產(chǎn)效率方面存在問題。此外，也存在因表面張力使樹脂成為球狀并停留在狹小的范圍內(nèi)的情況，這種情況下，即使注入少量的樹脂，高度也會變大，使預(yù)成型樹脂附著在連接用柱的底面上，也產(chǎn)生給連接性造成障礙的不良后果。作為為解決上述問題的對策也考慮如下方法，例如，在第一面上填充預(yù)成型樹脂時，首先以覆蓋整個第一面的方式填充樹脂，使樹脂固化后，從上開始對第一面進(jìn)行研磨加工，使連接用柱露出。具體地說，首先，在第一面上涂敷計算上的在第一面填充所需的量以上的預(yù)成型樹脂，并且，在預(yù)成型樹脂固化后，其上施加能夠容易剝離的材質(zhì)的薄膜或板狀的保護(hù)膜。
4然后，從保護(hù)膜的上方進(jìn)行沖壓加工，在第一面的細(xì)微部分也填充了樹脂后，使樹脂固化。 然后，除去保護(hù)膜，對于在第一面上覆蓋的預(yù)成型樹脂，例如通過拋光等進(jìn)行研磨加工，除去預(yù)成型樹脂，直到連接用柱的上底面露出為止。這樣一來，比較容易地得到具有足以支撐基板的厚度，并確實(shí)地使連接用柱露出的預(yù)成型樹脂層。然而，該方法也存在問題。即，在第一面涂敷預(yù)成型樹脂時，為使樹脂遍布到第一面的細(xì)微部分，理論上，需要比所需的量稍多的量。在對其沖壓時，通常過剩的樹脂從基板主體圖案的某個地方露出，并向外側(cè)擴(kuò)散。這里，在成為材料的金屬板中，在大部分的情況下，成為基板主體的部分會分配在材料的中央附近，在其外側(cè)的材料的周圍部會配置定位標(biāo)記，該定位標(biāo)記用于特定情形下的定位，該特定情形是指，在基板形成之后，安裝半導(dǎo)體芯片等部件時，或安裝于模具內(nèi)進(jìn)行成型加工時等。關(guān)于在第一面上涂敷的樹脂量，雖然應(yīng)該被計算為盡可能不產(chǎn)生過剩的部分，但是即使如此也存在向外側(cè)擴(kuò)散的部分不為零，并僅在某個方向顯著擴(kuò)散的情況。這時，若過剩的樹脂到達(dá)至上述的定位標(biāo)記，則也存在覆蓋定位標(biāo)記而給后加工造成障礙的問題。本發(fā)明鑒于上述的現(xiàn)有技術(shù)的問題點(diǎn)，提供一種半導(dǎo)體元件用基板及半導(dǎo)體器件，在制造帶有預(yù)成型樹脂的半導(dǎo)體元件用基板的過程中，能夠簡便并且確實(shí)地防止如下問題，即，過剩的樹脂向材料外周部擴(kuò)散，阻礙定位標(biāo)記等發(fā)揮功能。用于解決問題的手段本發(fā)明的第一方式是一種半導(dǎo)體元件用基板的制造方法，包括第一工序和第二工序，所述第一工序包括如下步驟在金屬板的第一面上形成第一感光性樹脂層，在所述金屬板的與所述第一面不同的第二面上設(shè)置第二感光性樹脂層，根據(jù)第一圖案，選擇性地對所述第一感光性樹脂層進(jìn)行曝光并顯影，從而在所述金屬板的所述第一面上形成用于形成連接用柱的第一抗蝕劑圖案，該第一抗蝕劑圖案由被進(jìn)行過顯影的所述第一感光性樹脂層構(gòu)成，根據(jù)第二圖案，選擇性地對所述第二感光性樹脂層進(jìn)行曝光并顯影，從而在所述金屬板的所述第二面上形成用于形成配線圖案的第二抗蝕劑圖案，該第二抗蝕劑圖案由進(jìn)行過顯影的所述第二感光性樹脂層構(gòu)成；所述第二工序包括如下步驟對所述金屬板的所述第一面進(jìn)行蝕刻，直到從所述第一面蝕刻至所述金屬板的中途為止，從而在所述第一面上形成所述連接用柱，向被蝕刻的所述第一面上填充預(yù)成型用的液態(tài)樹脂，使所述預(yù)成型用的液態(tài)樹脂固化，來形成預(yù)成型樹脂層，對所述第一面進(jìn)行研磨加工，以使所述連接用柱的上底面從所述預(yù)成型樹脂層露出，從所述第二面對所述金屬板的所述第二面進(jìn)行蝕刻，來形成所述配線圖案；通過實(shí)施所述第一工序和所述第二工序，在基板主體的圖案的周圍形成槽狀的結(jié)構(gòu)，該槽狀的結(jié)構(gòu)具有直至所述金屬板的厚度方向中途的深度。根據(jù)本發(fā)明的第一方式，在經(jīng)由保護(hù)膜對涂敷在基板主體圖案上所的預(yù)成型樹脂來進(jìn)行沖壓時，向外側(cè)擴(kuò)散的樹脂在到達(dá)金屬材料周邊部的定位標(biāo)記等上之前，落入槽狀的結(jié)構(gòu)中，以防止再向外擴(kuò)散，從而能夠防止定位標(biāo)記等被樹脂覆蓋。本發(fā)明的第二方式是本發(fā)明的第一方式所述的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法，所述槽狀的結(jié)構(gòu)以包圍所述基板主體的圖案的方式連在一起。根據(jù)本發(fā)明的第二方式，能夠更確實(shí)防止多余的樹脂到達(dá)定位標(biāo)記等。
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本發(fā)明的第三方式是一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體元件用基板和安裝于所述半導(dǎo)體元件用基板上的半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件用基板包括金屬板，其包括第一面和與所述第一面不同的第二面，連接用柱，其配置于所述金屬板的所述第一面上，配線圖案，其配置于所述金屬板的所述第二面上，預(yù)成型樹脂層，其配置于所述金屬板的所述第一面上的未配置有所述連接用柱的部分；所述連接用柱的上底面從所述預(yù)成型樹脂層露出，所述半導(dǎo)體元件用基板和所述半導(dǎo)體元件之間通過金屬線電連接。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，用液態(tài)的預(yù)成型樹脂覆蓋整個第一面之后，通過研磨加工來去除多余的樹脂，從而能夠在制造帶有預(yù)成型樹脂的半導(dǎo)體元件用基板的過程中，簡便并且確實(shí)地防止過剩的樹脂擴(kuò)散至材料外周部，阻礙用于定位等的標(biāo)記等的結(jié)構(gòu)。


圖IA是示意地表示本發(fā)明的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法的一個例子的說明圖。圖IB是示意地表示本發(fā)明的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法的一個例子的說明圖。圖IC是示意地表示本發(fā)明的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法的一個例子的說明圖。圖ID是示意地表示本發(fā)明的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法的一個例子的說明圖。圖IE是示意地表示本發(fā)明的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法的一個例子的說明圖。圖IF是示意地表示本發(fā)明的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法的一個例子的說明圖。圖IG是示意地表示本發(fā)明的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法的一個例子的說明圖。圖IH是示意地表示本發(fā)明的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法的一個例子的說明圖。圖II是示意地表示本發(fā)明的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法的一個例子的說明圖。圖IJ是示意地表示本發(fā)明的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法的一個例子的說明圖。圖IK是示意地表示本發(fā)明的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法的一個例子的說明圖。圖IL是示意地表示本發(fā)明的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法的一個例子的說明圖。圖IM是示意地表示本發(fā)明的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法的一個例子的說明圖。圖2是示意地表示本發(fā)明的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法中的銅板材內(nèi)的配置
6的一個例子的說明圖。圖3是示意地表示本發(fā)明的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法中的框內(nèi)的配置的一個例子的說明圖。圖4A是示意地表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體元件用基板的說明圖。圖4B是示意地表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體元件用基板的說明圖。圖4C是示意地表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體元件用基板的說明圖。
具體實(shí)施例方式下面，利用圖IA至圖3來說明本發(fā)明的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法的代表例。實(shí)施例在圖2至圖3中示意地示出成為材料的金屬板1中的配置。圖2是示意地表示本發(fā)明的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法中的銅板材26內(nèi)的配置的一個例子的說明圖。圖3 是示意地表示本發(fā)明的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法中的框M內(nèi)的配置的一個例子的說明圖。基板25的最終形態(tài)是邊長為12mm的正方形，并且基板25排成3列3行就構(gòu)成一個區(qū)塊(block)23。三個區(qū)塊23空開8mm的間隔排列成一列，就構(gòu)成一張框Μ。然后，如圖 2那樣，成為材料的銅板材沈是邊長為450mm的正方形，在其中配置有12張框M。假定在基板完成后的工序中鍍金、安裝芯片、引線鍵合、封固樹脂，這些以框M為單位來進(jìn)行。在各框M上，在長邊端附近的4處開有直徑為0. 6mm的圓形的孔12(參照圖3)， 該圓形的孔12用于在進(jìn)行樹脂封固時放入模具時的定位。在各區(qū)塊23的周圍，在將上述的孔12和區(qū)塊23分開的位置，配置有寬度為Imm 的槽狀結(jié)構(gòu)13。槽狀結(jié)構(gòu)13是在進(jìn)行第一蝕刻時被制作的，因此槽狀結(jié)構(gòu)13的深度與通過第一蝕刻蝕刻的其他的部分大致相同。接著，對加工的步驟進(jìn)行說明。首先，如圖IA所示，準(zhǔn)備邊長為450mm的正方形、 厚度為200μπι的銅板材1。接下來，如圖IB所示，在銅板材1的兩面用輥涂機(jī)涂敷感光性抗蝕劑2 (東京應(yīng)化(株式會社)制造，0FPR4000)使該感光性抗蝕劑2達(dá)到5 μ m的厚度后，在90°C下預(yù)烘干。接著，經(jīng)由具有所希望的圖案的曝光用光掩模，從兩面進(jìn)行圖案曝光， 然后，使用氫氧化鈉水溶液進(jìn)行顯影處理之后，進(jìn)行水洗以及后烘干，如圖IC所示得到了第一抗蝕劑圖案3以及第二抗蝕劑圖案30。另外，在銅板材的一個面?zhèn)?與裝載半導(dǎo)體芯片的面相反的面。以下稱為第一面)，形成了用于形成連接用柱4的第一抗蝕劑圖案3， 在另一個面(以下稱第二面)形成了用于形成配線圖案9的第二抗蝕劑圖案30。接著，用背板(back sheet)覆蓋銅板材1的整個第二面來保護(hù)后，使用氯化鐵溶液，從銅基材1的第一面?zhèn)冗M(jìn)行第一次蝕刻處理，使第一面?zhèn)鹊膹牡谝豢刮g劑圖案3露出的銅基板1的部位薄至厚度30 μ m(圖1D)。設(shè)氯化鐵溶液的比重為1. 48，液體溫度為50°C。 進(jìn)行第一次蝕刻時，銅基板1的形成有連接用柱4形成用的第一抗蝕劑圖案3的部位未被進(jìn)行蝕刻處理。因此，形成連接用柱4，該連接用柱4在銅基板1的厚度方向上延伸，具有從在第一次的蝕刻處理中形成的蝕刻面到銅基板1的下側(cè)面為止的高度，能夠?qū)崿F(xiàn)與印刷電路板的外部連接。另外，在第一次蝕刻中，并不是通過蝕刻處理完全溶解去除銅基板1的進(jìn)行蝕刻
7處理的部位，而是將蝕刻處理進(jìn)行到中途，在銅基板1具有規(guī)定的厚度的階段結(jié)束蝕刻處理。接著，如圖IE所示，針對第一面，通過20%氫氧化鈉水溶液對第一抗蝕劑圖案3進(jìn)行剝離，設(shè)剝離液的溫度在100°c。接著，如圖IF所示，在第一面中的各區(qū)塊的中央附近配置有液態(tài)預(yù)成型樹脂6。作為液態(tài)預(yù)成型樹脂6的量，以充分覆蓋各區(qū)塊并且盡可能不露出至區(qū)塊之外為目標(biāo)。根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果，設(shè)液態(tài)預(yù)成型樹脂6的量為覆蓋各區(qū)塊所需的最低的樹脂量的計算值的1. 6倍。 然后，在所有的區(qū)塊上配置液態(tài)預(yù)成型樹脂6后，在各框上裝載保護(hù)膜7。作為保護(hù)膜7的材質(zhì)，為了以后容易從液態(tài)預(yù)成型樹脂6剝離，使用氟樹脂類的塑料薄膜。接著，經(jīng)由保護(hù)膜7，在將液態(tài)預(yù)成型樹脂6向第一面的凹部埋入的方向上，對上述的銅板材1進(jìn)行沖壓加工。進(jìn)行沖壓加工時，使用真空加壓式層壓(laminate)裝置，沖壓部的溫度在70°C，真空腔室內(nèi)的氣壓在0. 2torr，沖壓時間為90秒。其結(jié)果，在第一面上，液態(tài)預(yù)成型樹脂6的一部分雖然從區(qū)塊內(nèi)露出至區(qū)塊外，但是因落入槽部13，沒有再向槽部外露出。此外，通過在真空腔室內(nèi)進(jìn)行沖壓加工，有消除在液態(tài)預(yù)成型樹脂層內(nèi)產(chǎn)生的空隙的效果，并且有抑制在樹脂內(nèi)產(chǎn)生孔隙的效果。接著，對液態(tài)預(yù)成型樹脂6進(jìn)行加熱固化。加熱固化以兩個階段進(jìn)行，首先，在加熱到90°C的烘箱內(nèi)進(jìn)行1個小時的處理，在液態(tài)預(yù)成型樹脂6半固化的時刻，去除保護(hù)膜， 接著，在加熱到150°C的的烘箱中進(jìn)行3個小時的處理。其結(jié)果，第一面上的區(qū)塊和區(qū)塊的周邊部被固化后的預(yù)成型樹脂層8覆蓋。預(yù)成型樹脂層8的高度，從連接用柱的上底面高出20 μ m以上(圖1G)。接著，如圖IH所示，對第一面上的預(yù)成型樹脂層8進(jìn)行研磨加工。加工時，使用拋光輥旋轉(zhuǎn)式研磨裝置，拋光輥使用相當(dāng)于800號的粒度。直到第一面的連接用柱4的上底面完全露出為止進(jìn)行加工。接著，如圖11所示，在整個第一面貼付保護(hù)膜11來保護(hù)，之后，如圖IJ所示，對第二面進(jìn)行蝕刻。作為蝕刻液，使用氯化鐵溶液，設(shè)液體的比重為1.48，液體溫度為50°C。蝕刻的目的在于在第二面形成配線圖案9，溶解除去第二面上的從第二抗蝕劑圖案30露出的銅板材1。接著，如圖IK所示，剝離除去第一面上的保護(hù)膜11。在對液態(tài)預(yù)成型樹脂6進(jìn)行沖壓加工時，由于區(qū)塊周邊的槽部狀結(jié)構(gòu)13捕獲了從區(qū)塊內(nèi)露出的樹脂，所以在對第二面進(jìn)行蝕刻加工后，在框外周附近加工有定位標(biāo)記，形成了具有規(guī)定尺寸的貫通的定位用穴12。接下來，如圖IL所示，對第二面的第二抗蝕劑圖案30進(jìn)行剝離。設(shè)剝離液為20% 氫氧化鈉水溶液，液體溫度在100°C。直到加工至該階段為止，以框?yàn)閱挝粊聿们秀~板材1。然后，以每一個框?yàn)閱挝?，針對露出的金屬面，利用非電解?鈀/金鍍層形成法來實(shí)施表面處理?？梢圆扇‰娊怆婂兎▉硐蛞€框形成電鍍層。然而，在電解電鍍法中，必須形成用于供給電鍍電流用的電鍍電極，而使配線區(qū)域減小與形成電鍍電極相應(yīng)的量，從而配線的設(shè)置變得困難。因此，在本實(shí)施例中，采用了不需要供給用電極的非電解鎳/鈀/金鍍層形成法。S卩，通過在金屬面上實(shí)施酸性脫脂、軟蝕刻、酸洗、鈀催化劑活性處理、預(yù)浸漬、
8非電解鍍鎳、非電解鍍鈀、非電解鍍金來形成鍍層。設(shè)鍍層厚度為鎳3 μ m、鈀0.2 μ m、金 0·03μπι。在所使用的電鍍液中，鎳為“Emplate Ni”(梅爾特斯會社(MeltexInc)制造)、 鈀為“PAUR0B0N EP”(勞姆安德哈斯會社(RohmandHaas Company)制造)、金為“PAUR0B0ND IG"(勞姆安德哈斯會社(RohmandHaas Company)制造)。接著，在各框內(nèi)的每一個半導(dǎo)體元件用基板的島部(iSland)5的表面10上，用固定用粘接劑或者固定用膠帶14粘接裝載半導(dǎo)體元件16后，使用金細(xì)線來對半導(dǎo)體元件16 的電連接用端子和配線圖案的規(guī)定的部位(引線鍵合用焊盤)之間進(jìn)行引線鍵合后，進(jìn)行成型來覆蓋引線框和半導(dǎo)體元件，從而得到各半導(dǎo)體基板。接著，對拼版(imposition)的半導(dǎo)體基板進(jìn)行裁剪，從而得到各半導(dǎo)體基板。這樣適用本發(fā)明的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法或半導(dǎo)體器件同樣在制造帶有預(yù)成型樹脂的半導(dǎo)體元件用基板的過程中，能夠簡便并且確實(shí)地防止如下問題多余的樹脂擴(kuò)散至材料外周部，妨礙定位標(biāo)記等發(fā)揮作用。以上，雖然說明并例示了本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施例，但這些只不過是本發(fā)明的例示，而不應(yīng)該理解為對本發(fā)明的限定，能夠在不超出本發(fā)明的范圍進(jìn)行追加、刪除、置換及其他的變更。即，本發(fā)明并不由之前所述的實(shí)施例限定，而是由權(quán)利要求來限定。產(chǎn)業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，通過用液體狀的預(yù)成型樹脂覆蓋整個第一面，并利用研磨加工去除多余的樹脂，從而能夠在制作帶有預(yù)成型樹脂的半導(dǎo)體元件用基板的過程中，簡便并確實(shí)地防止多余的樹脂擴(kuò)散至材料外周部，阻礙用于定位等的標(biāo)記等的結(jié)構(gòu)。附圖標(biāo)記說明
1銅板材
2感光性抗蝕劑
3第一抗蝕劑圖案
4連接用柱
5島部
6液態(tài)預(yù)成型樹脂(固化前)
7保護(hù)膜(液態(tài)樹脂沖壓用)
8液態(tài)預(yù)成型樹脂層(固化后)
9配線圖案
10島部的表面
11保護(hù)膜(蝕刻保護(hù)用)
12定位用孔
13槽狀結(jié)構(gòu)
14固定用粘接劑或固定用膠帶
15引線框的平坦部分
16半導(dǎo)體元件
17引線
18金屬線
19成型用樹脂
9
20取出電極
21保持件
22固定用樹脂或固定用膠帶
23區(qū)塊
24框
25基板
26銅板材
30第二抗蝕劑圖案
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體元件用基板的制造方法，其特征在于，包括第一工序和第二工序， 所述第一工序包括如下步驟在金屬板的第一面上形成第一感光性樹脂層，在所述金屬板的與所述第一面不同的第二面上設(shè)置第二感光性樹脂層， 根據(jù)第一圖案，選擇性地對所述第一感光性樹脂層進(jìn)行曝光并顯影，從而在所述金屬板的所述第一面上形成用于形成連接用柱的第一抗蝕劑圖案，該第一抗蝕劑圖案由進(jìn)行過顯影的所述第一感光性樹脂層構(gòu)成，根據(jù)第二圖案，選擇性地對所述第二感光性樹脂層進(jìn)行曝光并顯影，從而在所述金屬板的所述第二面上形成用于形成配線圖案的第二抗蝕劑圖案，該第二抗蝕劑圖案由進(jìn)行過顯影的所述第二感光性樹脂層構(gòu)成； 所述第二工序包括如下步驟對所述金屬板的所述第一面進(jìn)行蝕刻，直到從所述第一面蝕刻至所述金屬板的中途為止，從而在所述第一面上形成所述連接用柱，向被蝕刻的所述第一面上填充預(yù)成型用的液態(tài)樹脂， 使所述預(yù)成型用的液態(tài)樹脂固化，來形成預(yù)成型樹脂層，對所述第一面進(jìn)行研磨加工，以使所述連接用柱的上底面從所述預(yù)成型樹脂層露出， 從所述第二面對所述金屬板的所述第二面進(jìn)行蝕刻，來形成所述配線圖案； 通過實(shí)施所述第一工序和所述第二工序，在基板主體的圖案的周圍形成槽狀的結(jié)構(gòu)， 該槽狀的結(jié)構(gòu)具有直至所述金屬板的厚度方向中途的深度。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件用基板的制造方法，其特征在于，所述槽狀的結(jié)構(gòu)以包圍所述基板主體的圖案的方式連在一起。
3.一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體元件用基板和安裝于所述半導(dǎo)體元件用基板上的半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件用基板包括 金屬板，其包括第一面和與所述第一面不同的第二面， 連接用柱，其配置于所述金屬板的所述第一面上， 配線圖案，其配置于所述金屬板的所述第二面上，預(yù)成型樹脂層，其配置于所述金屬板的所述第一面上的未配置有所述連接用柱的部分；所述連接用柱的上底面從所述預(yù)成型樹脂層露出，所述半導(dǎo)體元件用基板和所述半導(dǎo)體元件之間通過金屬線電連接。
全文摘要
一種半導(dǎo)體元件用基板的制造方法，該方法的第一工序包括在金屬板的第一面上形成第一感光性樹脂層；在所述金屬板的第二面上設(shè)置第二感光性樹脂層；在所述第一面上形成連接用柱形成用的第一抗蝕劑圖案；在所述第二面上形成配線圖案形成用的第二抗蝕劑圖案，第二工序包括在所述第一面上形成所述連接用柱；在所述第一面上填充預(yù)成型用的液態(tài)樹脂；使所述預(yù)成型用的液態(tài)樹脂固化來形成預(yù)成型樹脂層；對所述第一面進(jìn)行研磨加工來使所述連接用柱的上底面從所述預(yù)成型樹脂層露出；在所述第二面上形成所述配線圖案，通過實(shí)施所述第一工序及所述第二工序，在基板主體的圖案的周圍形成槽狀的結(jié)構(gòu)，該槽狀的結(jié)構(gòu)具有直至所述金屬板的厚度方向中途的深度。
文檔編號H01L23/50GK102365737SQ201080014228
公開日2012年2月29日 申請日期2010年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月30日
發(fā)明者塚本健人, 戶田順子, 馬庭進(jìn) 申請人:凸版印刷株式會社