專利名稱：用于產(chǎn)生針對(duì)晶片的檢查過程的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體涉及用于產(chǎn)生針對(duì)晶片的檢查過程的方法和系統(tǒng)。某些實(shí)施方案涉及基于針對(duì)晶片的設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位(different locations)確定的局部屬性(local attribute)來確定檢查過程的靈敏度。2.相關(guān)技術(shù)的描沭下面的描述和實(shí)施方案憑借其在這部分內(nèi)的包含內(nèi)容而不被承認(rèn)是現(xiàn)有技術(shù)。構(gòu)造諸如邏輯或存儲(chǔ)器件之類的半導(dǎo)體器件的步驟通常包括使用大量的半導(dǎo)體構(gòu)造工藝來加工諸如半導(dǎo)體晶片之類的襯底，以形成半導(dǎo)體器件的各種特征和多個(gè)層。例如，光刻是涉及將來自掩模版的圖案轉(zhuǎn)印到半導(dǎo)體晶片上布置的抗蝕劑的半導(dǎo)體構(gòu)造工藝。另外的半導(dǎo)體構(gòu)造工藝的實(shí)例包括(但不限于)化學(xué)一機(jī)械拋光、蝕刻、沉積和離子注入。多個(gè)半導(dǎo)體器件可以構(gòu)造成被布置在單個(gè)半導(dǎo)體晶片上，并且然后被分成單獨(dú)的半導(dǎo)體器件。檢查過程用于半導(dǎo)體制造工藝中的各個(gè)步驟，用于檢測(cè)晶片上的缺陷。檢查過程一直以來是構(gòu)造諸如集成電路之類的半導(dǎo)體器件的重要部分。然而，隨著半導(dǎo)體器件的尺寸減小，檢查過程對(duì)于成功地制造可接受的半導(dǎo)體器件來說更加重要。例如，隨著半導(dǎo)體器件的尺寸減小，對(duì)于大小減小的缺陷的檢測(cè)變得必要，這是由于即使相對(duì)小的缺陷也可能造成半導(dǎo)體器件中出現(xiàn)意想不到的偏差。因此，檢查領(lǐng)域中的大量努力已致力于設(shè)計(jì)出能夠檢測(cè)其大小在之前是可忽略的缺陷的檢查系統(tǒng)。大多數(shù)類型的檢查系統(tǒng)具有可調(diào)節(jié)的靈敏度(或缺陷檢測(cè))參數(shù)，使得可以使用不同的參數(shù)來檢測(cè)不同的缺陷或避免產(chǎn)生意想不到的(干擾(nuisance))事件的源頭。盡管可調(diào)節(jié)的靈敏度參數(shù)對(duì)于半導(dǎo)體器件的制造者表現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)，但是如果對(duì)檢查過程使用了不合適的靈敏度參數(shù)，則檢查系統(tǒng)基本上是不起作用的。盡管使用合適的靈敏度參數(shù)對(duì)于檢查結(jié)果可以起到非常好的效果，但是可以料想到，當(dāng)前仍有許多檢查過程正使用不正確或并非最佳的靈敏度參數(shù)被執(zhí)行。另外，可能是有利的是，在晶片上的不同部分使用不同的靈敏度參數(shù)來檢測(cè)缺陷(例如，基于與在晶片上形成的器件相關(guān)的信息或與來自晶片的光的特性相關(guān)的信息)。然而，許多用于針對(duì)晶片的不同部分確定不同的靈敏度參數(shù)的方法和系統(tǒng)是不利的。例如，通過目前使用的檢查系統(tǒng)，在晶片上被印刷的圖案化特征變得更加難以成像。因此，難以使用通過掃描晶片得到的與所述晶片上形成的器件相關(guān)的信息來根據(jù)器件中正被檢測(cè)缺陷的部分改變靈敏度。因此，將會(huì)有利的是，開發(fā)出用于產(chǎn)生針對(duì)晶片的檢查過程的方法和系統(tǒng)，所述檢查過程包括基于針對(duì)晶片的設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位確定的局部屬性來確定報(bào)告所述晶片上檢測(cè)到的缺陷的靈敏度，所述方法和系統(tǒng)沒有目前使用的系統(tǒng)和方法的一個(gè)或更多個(gè)缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
下面對(duì)方法、計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)和系統(tǒng)的各種實(shí)施方案進(jìn)行的描述將不以任何方式被理解為限制所附權(quán)利要求書的主題。一個(gè)實(shí)施方案涉及計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，所述方法用于產(chǎn)生針對(duì)晶片的檢查過程。 所述方法包括基于會(huì)在晶片的設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位造成至少一種類型的故障機(jī)制的缺陷，分別確定針對(duì)所述不同部位的局部屬性值。所述方法還包括基于所述局部屬性值確定靈敏度，將采用所述靈敏度針對(duì)與設(shè)計(jì)內(nèi)的所述不同部位對(duì)應(yīng)的晶片上的不同部位報(bào)告缺陷。 另外，所述方法包括基于所確定的所述靈敏度產(chǎn)生針對(duì)所述晶片的檢查過程。在一個(gè)實(shí)施方案中，局部屬性值是會(huì)在不同部位造成至少一種類型的故障機(jī)制的缺陷的臨界半徑。在另一個(gè)實(shí)施方案中，局部屬性值根據(jù)不同部位中的設(shè)計(jì)的一個(gè)或更多個(gè)特征的至少一個(gè)尺寸、與所述不同部位毗鄰的設(shè)計(jì)的一個(gè)或更多個(gè)特征，或者它們的某種組合來確定。在另外的實(shí)施方案中，使用所述設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)執(zhí)行分別確定局部屬性值的步驟。在附加的實(shí)施方案中，所述不同部位遍及整個(gè)所述設(shè)計(jì)。在一些實(shí)施方案中，基于會(huì)在不同部位造成至少一種類型的故障機(jī)制的缺陷和將執(zhí)行檢查過程的檢查系統(tǒng)的一個(gè)或更多個(gè)參數(shù)來執(zhí)行分別確定局部屬性值的步驟。在一個(gè)實(shí)施方案中，局部屬性值與靈敏度成反比的關(guān)系。在另一個(gè)實(shí)施方案中，所確定的靈敏度不同于將在晶片上的所述不同部位檢測(cè)缺陷所采用的靈敏度。在附加的實(shí)施方案中，靈敏度是將在晶片上的不同部位檢測(cè)并且針對(duì)晶片上不同部位報(bào)告缺陷所采用的靈敏度。在另外的實(shí)施方案中，靈敏度是對(duì)于檢查過程期間針對(duì)晶片產(chǎn)生的輸出中的各個(gè)輸出的特性的幅度的靈敏度。在一個(gè)實(shí)施方案中，所述方法包括根據(jù)設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位產(chǎn)生局部屬性值的圖， 并且使用所述圖執(zhí)行確定靈敏度的步驟。在另一個(gè)實(shí)施方案中，確定靈敏度的步驟包括根據(jù)設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位產(chǎn)生將針對(duì)晶片上的不同部位報(bào)告缺陷所采用的靈敏度的圖。在一個(gè)實(shí)施方案中，確定靈敏度的步驟包括基于局部屬性值將設(shè)計(jì)內(nèi)不同部位分配給不同組，由此將與設(shè)計(jì)內(nèi)將具有至少近似噪聲統(tǒng)計(jì)的不同部位對(duì)應(yīng)的晶片上的不同部位分配到同一組。在另一個(gè)實(shí)施方案中，確定靈敏度的步驟包括基于局部屬性值將設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位分配給不同的分段(segment)，并且分別針對(duì)不同的分段估計(jì)噪聲統(tǒng)計(jì)。在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，所述噪聲統(tǒng)計(jì)是針對(duì)與被分配給不同分段的設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位對(duì)應(yīng)的晶片上的不同部位處在檢查過程期間將要產(chǎn)生的輸出的噪聲統(tǒng)計(jì)。在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，確定靈敏度的步驟還包括基于噪聲統(tǒng)計(jì)針對(duì)不同的分段來確定靈敏度。在一個(gè)實(shí)施方案中，確定靈敏度的步驟包括將局部屬性值的整個(gè)范圍內(nèi)的不同部分分配給不同的分段，并且基于被分配給不同的分段的不同部分中的局部屬性值分別確定針對(duì)不同的分段的不同的靈敏度。在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，確定靈敏度的步驟還包括基于其中針對(duì)不同部位確定的局部屬性值降低的不同部分，分別將設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位分配給不同的分段。在另一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，確定靈敏度的步驟包括基于所述不同部位的所述局部屬性值、被分配給所述不同的分段的所述局部屬性值的整個(gè)范圍的所述不同部分以及針對(duì)所述不同的分段確定的不同靈敏度來產(chǎn)生靈敏度的圖，將采用所述靈敏度的圖根據(jù)所述設(shè)計(jì)內(nèi)的所述不同部位針對(duì)所述晶片上的不同部位報(bào)告缺陷。在一個(gè)實(shí)施方案中，所述方法包括基于檢查過程期間由檢查系統(tǒng)針對(duì)所述晶片產(chǎn)生的輸出，分別確定針對(duì)所述晶片上的所述不同部位的局部圖像屬性值。在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，基于局部屬性值和局部圖像屬性值執(zhí)行確定靈敏度的步驟。在另一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，基于局部屬性值、局部圖像屬性值和檢查系統(tǒng)的坐標(biāo)誤差執(zhí)行確定靈敏度的步馬聚ο在一個(gè)實(shí)施方案中，基于局部屬性值和與設(shè)計(jì)中的熱點(diǎn)相關(guān)的信息執(zhí)行確定靈敏度的步驟。在另一個(gè)實(shí)施方案中，所述局部屬性值不指示所述設(shè)計(jì)內(nèi)的所述不同部位是否為所述設(shè)計(jì)中的熱點(diǎn)，并且不基于與所述設(shè)計(jì)中的所述熱點(diǎn)相關(guān)的信息執(zhí)行確定所述靈敏度的步驟。在另一個(gè)實(shí)施方案中，執(zhí)行所述檢查過程的檢查系統(tǒng)無法分辨(resolve)印刷在所述晶片上的所述設(shè)計(jì)。在一些實(shí)施方案中，在所述檢查過程中檢測(cè)所述晶片上的缺陷之前，執(zhí)行分別確定所述局部屬性值和確定所述靈敏度的步驟。在另一個(gè)實(shí)施方案中，脫機(jī)(offline)執(zhí)行分別確定局部屬性值和確定靈敏度的步驟。在一個(gè)實(shí)施方案中，使用所述檢查過程，基于所述檢查過程期間針對(duì)所述晶片產(chǎn)生的輸出中的各個(gè)輸出的特性的幅度檢測(cè)缺陷，而不基于所述缺陷的大小檢測(cè)所述缺陷。 在另一個(gè)實(shí)施方案中，使用所述檢查過程，基于所述檢查過程期間針對(duì)所述晶片產(chǎn)生的輸出中的各個(gè)輸出的特性的幅度報(bào)告缺陷，而不基于所述缺陷的大小報(bào)告所述缺陷。在另外的實(shí)施方案中，所述檢查過程包括確定在設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)空間中進(jìn)行檢查過程期間由所述檢查系統(tǒng)針對(duì)所述晶片產(chǎn)生的輸出的位置，使得能夠識(shí)別出與所述設(shè)計(jì)內(nèi)的所述不同部位對(duì)應(yīng)的所述晶片上的所述不同部位處產(chǎn)生的輸出。還可以如本文所述地實(shí)現(xiàn)上述的由計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法的每個(gè)實(shí)施方案中的每個(gè)步驟。另外，上述由計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法的每個(gè)實(shí)施方案可以包括本文所述的任何其他方法 (一個(gè)或更多個(gè))中的任何其他步驟(一個(gè)或更多個(gè))。此外，可以通過本文所述的任何系統(tǒng)執(zhí)行上述由計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法的每個(gè)實(shí)施方案。另一個(gè)實(shí)施方案涉及計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其包括在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上可執(zhí)行的程序指令，用于執(zhí)行由計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，以產(chǎn)生針對(duì)晶片的檢查過程。所述方法包括基于會(huì)在晶片的設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位造成至少一種類型的故障機(jī)制的缺陷，分別確定針對(duì)所述不同部位的局部屬性值。所述方法還包括基于局部屬性值確定靈敏度，將采用所述靈敏度針對(duì)與設(shè)計(jì)內(nèi)不同部位對(duì)應(yīng)的晶片上的不同部位報(bào)告缺陷。另外，所述方法包括基于所確定的所述靈敏度針對(duì)所述晶片產(chǎn)生檢查過程。還可以根據(jù)本文所述的任何實(shí)施方案(一個(gè)或更多個(gè))進(jìn)一步構(gòu)造上述的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。還可以如本文所述地進(jìn)一步執(zhí)行由程序指令可執(zhí)行的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法中的每個(gè)步驟。另外，由程序指令可執(zhí)行的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法可以包括本文所述的任何其他方法 (一個(gè)或更多個(gè))中的任何其他步驟(一個(gè)或更多個(gè))。另外的實(shí)施方案涉及被構(gòu)造用于對(duì)晶片產(chǎn)生并執(zhí)行檢查過程的系統(tǒng)。所述系統(tǒng)包括計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)，其被構(gòu)造用于基于會(huì)在晶片的設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位造成至少一種類型的故障機(jī)制的缺陷，分別確定針對(duì)所述不同部位的局部屬性值。計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)也可以被構(gòu)造用于基于所述局部屬性值確定靈敏度，將采用所述靈敏度針對(duì)與設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位對(duì)應(yīng)的晶片上的不同部位報(bào)告缺陷。另外，所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)被構(gòu)造用于基于所確定的靈敏度產(chǎn)生針對(duì)所述晶片的檢查過程。所述系統(tǒng)還包括被構(gòu)造用于對(duì)晶片執(zhí)行檢查過程的檢查子系統(tǒng)。還可以根據(jù)本文所述的任何實(shí)施方案(一個(gè)或更多個(gè))進(jìn)一步構(gòu)造上述系統(tǒng)的實(shí)施方案。另外，上述系統(tǒng)的實(shí)施方案可以被構(gòu)造用于執(zhí)行本文所述的任何方法實(shí)施方案 (一個(gè)或更多個(gè))中的任何步驟(一個(gè)或更多個(gè))。


得益于下面對(duì)優(yōu)選實(shí)施方案的詳細(xì)描述并且參照附圖，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚，在附圖中圖1是圖示說明如何可以確定缺陷的臨界半徑的實(shí)施例的平面圖的示意圖，所述缺陷會(huì)在晶片的設(shè)計(jì)內(nèi)的某一部位造成至少一種類型的故障機(jī)制；圖2是根據(jù)距晶片的設(shè)計(jì)內(nèi)的特征中心的距離示出不同局部屬性值的圖線；圖3是圖示說明計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的一個(gè)實(shí)施方案的框圖，所述計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上可執(zhí)行的程序指令，用于執(zhí)行由計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法以產(chǎn)生針對(duì)晶片的檢查過程；以及圖4是圖示說明被構(gòu)造用于對(duì)晶片產(chǎn)生并執(zhí)行檢查過程的系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施方案的框圖。盡管本發(fā)明的具體實(shí)施方案在附圖中以實(shí)施例的方式示出并且將會(huì)在本文中被詳細(xì)描述，但本發(fā)明易于形成各種修改形式和可替換的形式。附圖可以不按比例繪制。然而，應(yīng)該理解，附圖以及對(duì)其的詳細(xì)描述不旨在將本發(fā)明限于所公開的具體形式，而是相反地，本發(fā)明將涵蓋落入所附權(quán)利要求書限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的所有修改形式、等同形式和可替換的形式。
具體實(shí)施例方式如本文所使用的，術(shù)語(yǔ)“晶片”通常是指由半導(dǎo)體或非半導(dǎo)體材料形成的襯底。這種半導(dǎo)體或非半導(dǎo)體材料的實(shí)例包括(但不限于)單晶硅、砷化鎵和磷化銦。通?？梢栽诎雽?dǎo)體構(gòu)造設(shè)施中找到和/或加工這種襯底。晶片可以包括在襯底上形成的一個(gè)或更多個(gè)層。例如，這種層可以包括(但不限于)抗蝕劑、電介質(zhì)材料、導(dǎo)電材料和半導(dǎo)體材料。許多不同類型的這種層是本領(lǐng)域已知的，并且如本文所使用的術(shù)語(yǔ)“晶片”旨在涵蓋包括所有類型的這種層的晶片。在晶片上形成的一個(gè)或更多個(gè)層可以被圖案化或不被圖案化。例如，晶片可以包括多個(gè)管芯(die)，每個(gè)管芯具有可重復(fù)的圖案化特征。這種材料層的形成和加工會(huì)最終產(chǎn)生完整的器件?？梢栽诰闲纬芍T如集成電路(IC)之類的許多不同類型的器件，并且本文使用的術(shù)語(yǔ)“晶片”旨在涵蓋其上面構(gòu)造了本領(lǐng)域已知的任何類型的器件的晶片。盡管本文中的實(shí)施方案是針對(duì)晶片描述的，但是要理解，這些實(shí)施方案可以用于諸如掩模版之類的其他樣本，該掩模版通常也可以被稱作掩?；蚬庋谀?。在本領(lǐng)域中已知許多不同類型的掩模版，并且本文使用的術(shù)語(yǔ)“掩模版”、“掩?！焙汀肮庋谀！敝荚诤w本領(lǐng)域已知的所有類型的掩模版。本文使用的術(shù)語(yǔ)“設(shè)計(jì)”通常是指IC的物理設(shè)計(jì)(布局)以及通過復(fù)雜的仿真或簡(jiǎn)單的幾何和布爾運(yùn)算由物理設(shè)計(jì)推導(dǎo)出的數(shù)據(jù)。所述設(shè)計(jì)不僅可以包括布局信息， 也可以包括電氣和材料設(shè)計(jì)信息。從根本上說，所述設(shè)計(jì)可以包括用于形成“器件”的任何設(shè)計(jì)信息。另外，通過掩模版檢查系統(tǒng)和/或其衍生物獲取的掩模版圖像可以被用作設(shè)計(jì)的“代理(proxy)”或“多個(gè)代理”。這種掩模版圖像或其衍生物可以被用作使用設(shè)計(jì)的本文所述的任何實(shí)施方案中的設(shè)計(jì)的替代物。所述設(shè)計(jì)可以包括在以下專利申請(qǐng)中描述的任何其他的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)或設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)代理由Kulkarni等人共同擁有的美國(guó)專利申請(qǐng) No. 11/561,735 (2007年7月5日被公開為美國(guó)專利申請(qǐng)公開No. 2007/0156379)以及由 hfar等人共同擁有的美國(guó)專利申請(qǐng)No. 11/561，659 (2007年12月13日被公開為美國(guó)專利公開No. 2007/0288219)，二者均在2006年11月20日提交，并且均以引用方式被并入，視同在本文中被完全闡述?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)到附圖，要注意的是，未按比例繪制附圖。具體來講，附圖中一些元件的比例在很大程度上被夸大，以強(qiáng)調(diào)這些元件的特性。還注意的是，未按相同的比例繪制附圖。 已使用相同的附圖標(biāo)記指示不止一個(gè)附圖中示出的可能具有類似構(gòu)造的元件?！獋€(gè)實(shí)施方案涉及計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，用于產(chǎn)生針對(duì)晶片的檢查過程。所述檢查過程可以是多個(gè)不同類型的檢查過程。例如，檢查過程可以是亮場(chǎng)(BF)檢查過程。在另一個(gè)實(shí)施方案中，檢查過程可以是暗場(chǎng)(DF)檢查過程。檢查過程還可以包括在對(duì)晶片進(jìn)行的同一次掃描或多次掃描中在晶片上僅執(zhí)行一種類型的檢查或執(zhí)行不同類型的檢查。例如， 檢查過程可以包括對(duì)晶片執(zhí)行DF和BF檢查這二者。此外，檢查過程可以包括執(zhí)行本領(lǐng)域已知的任何其他類型的檢查，這個(gè)過程可能結(jié)合了上述的檢查類型。所述方法包括基于在晶片的設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位會(huì)造成至少一種類型的故障機(jī)制的缺陷，分別確定針對(duì)所述不同部位的局部屬性值。可以通過多種不同的方式限定所述設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位。例如，不同部位可以按照任意或預(yù)定的方式來限定，并且可以具有任何合適的尺寸。每個(gè)不同部位還可以具有相同的尺寸?？梢赃x擇不同部位的尺寸，使得在整個(gè)設(shè)計(jì)內(nèi)以相對(duì)高的分辨率或相對(duì)低的分辨率來確定局部屬性值。用于限定不同部位的分辨率可以根據(jù)(例如)將被用于執(zhí)行檢查過程的檢查系統(tǒng)的分辨率或像素大小而有所不同。 例如，用于確定整個(gè)設(shè)計(jì)內(nèi)的局部屬性值的分辨率可以對(duì)應(yīng)于在印刷在晶片上的整個(gè)設(shè)計(jì)內(nèi)檢查系統(tǒng)產(chǎn)生輸出將使用的分辨率。也可以在設(shè)計(jì)內(nèi)限定不同的部位，使得所述不同的部位遍及整個(gè)設(shè)計(jì)。局部屬性之所以為“局部”，是因?yàn)樗腔诓煌课坏闹辽僖环N類型的故障機(jī)制。換句話講，基于不到整個(gè)設(shè)計(jì)的信息或?qū)傩詠泶_定局部屬性，但是基于整個(gè)設(shè)計(jì)中剛好大于每個(gè)部位的部分的信息或?qū)傩詠泶_定局部屬性，并且所述部分可以根據(jù)設(shè)計(jì)本身和至少一個(gè)故障機(jī)制而有所不同。例如，如果故障機(jī)制是短路，則被用于確定針對(duì)設(shè)計(jì)內(nèi)的部位的局部屬性值的設(shè)計(jì)的信息或?qū)傩钥梢园ㄔO(shè)計(jì)內(nèi)的特征的信息或?qū)傩裕绻谶@個(gè)部位存在缺陷，則所述設(shè)計(jì)可能是短路的。因此，可以使用部位周圍的設(shè)計(jì)內(nèi)的“相鄰部分”的相關(guān)屬性或信息(其可以包括與設(shè)計(jì)內(nèi)的其他不同部位處的設(shè)計(jì)相關(guān)的屬性或信息)執(zhí)行確定針對(duì)設(shè)計(jì)內(nèi)的部位的局部屬性值的步驟。然而，每個(gè)已確定的局部屬性值是只針對(duì)設(shè)計(jì)內(nèi)的一個(gè)不同部位確定的。例如，局部屬性值不是針對(duì)一個(gè)部位確定，并且隨后被分配給多個(gè)其他的不同部位。另外，局部屬性值不是針對(duì)多個(gè)不同部位集體地(collectively)確定的。此外，即使局部屬性值所依據(jù)的至少一個(gè)故障機(jī)制可能造成全局失效(例如，對(duì)應(yīng)于設(shè)計(jì)的器件整體失效)，局部屬性值仍然也只基于關(guān)于設(shè)計(jì)的局部屬性或局部信息來確定。 盡管上面將短路用作局部屬性值可以依據(jù)的一種故障機(jī)制的實(shí)施例，但至少一種類型的故障機(jī)制可以包括本領(lǐng)域已知的任何其他類型的故障機(jī)制(例如，開路等)。此外，可以基于設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位處的不同故障機(jī)制來確定局部屬性值(例如，根據(jù)設(shè)計(jì)在任何給定部位易受到的故障機(jī)制的類型(一種或更多種)，所述故障機(jī)制的類型可以按任何合適的方式來確定)。在一個(gè)實(shí)施方案中，局部屬性值為缺陷的臨界半徑，所述缺陷會(huì)在不同部位造成至少一種類型的故障機(jī)制。在另一個(gè)實(shí)施方案中，使用針對(duì)設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)執(zhí)行分別確定局部屬性值的步驟。例如，分別確定局部屬性值的步驟可以包括針對(duì)設(shè)計(jì)從設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)(例如，圖形數(shù)據(jù)流(GDS))中提取局部臨界屬性(如，臨界半徑)和/或局部設(shè)計(jì)信息。局部設(shè)計(jì)信息可以通常被定義為來自檢查部位的相鄰部分的設(shè)計(jì)信息。例如，臨界半徑是局部設(shè)計(jì)屬性，其可以被用于本文所述的實(shí)施方案中。多邊形密度是另一個(gè)可以用于本文所述的實(shí)施方案中的局部設(shè)計(jì)屬性?？梢詮闹T如客戶之類的任何合適的源獲取用于設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。另外，可以不基于任何響應(yīng)于來自晶片的光的任何輸出或者任何輸出的相關(guān)信息或?qū)傩詠泶_定局部屬性值。例如，局部屬性值可以基于設(shè)計(jì)本身和會(huì)造成設(shè)計(jì)中出現(xiàn)至少一種類型的故障機(jī)制的與缺陷相關(guān)的信息來確定，但不基于與檢查過程期間設(shè)計(jì)將如何影響檢查系統(tǒng)檢測(cè)到的光相關(guān)的信息。此外，局部屬性值可以如本文所述地來確定，而不基于讓器件運(yùn)行的設(shè)計(jì)中的特征的臨界性。例如，即使基于某一部位的缺陷會(huì)造成的至少一種類型的故障機(jī)制來確定局部屬性值，局部屬性值也并不基于將要受到或會(huì)受到該至少一種類型的故障機(jī)制影響的特征的臨界性。臨界半徑r(x，y)是不同類型的故障機(jī)制的最小缺陷半徑，如，如果缺陷的中心將落在(x，y)上則將會(huì)出現(xiàn)的開路或短路。例如，如圖1所示，如果缺陷位于晶片上形成的兩個(gè)圖案化特征12和14之間的部位10上，則缺陷的中心被定位成與圖案化特征12相距Rl 并且與圖案化特征14相距R2。如此，如果缺陷的半徑等于或大于R2，則缺陷將造成短路。 因此，被定位在部位10的缺陷的臨界半徑是R2(rsh。,t(x，y) = R2)。Wagner等人在IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing (1995)上發(fā)表的"An interactive VLSI CAD tool for yield estimation (用于場(chǎng)估計(jì)的交互式VLSI CAD工具)”引入臨界半徑作為計(jì)算臨界面積的手段。對(duì)于半徑為r的給定缺陷，可以使用下面的等式確定臨界面積 A(r) :A(r) = {(x,y) r(x,y)彡r}?？梢允褂迷摰仁皆诒疚乃龅膶?shí)施方案中確定臨界面積。在Mtya等人共同擁有的美國(guó)專利No 6，918，101中描述了另一種用于確定臨界半徑的算法，該專利以引用方式被并入，視同在本文中被完全闡述。可以如該專利中所述地， 在本文所述的實(shí)施方案中確定臨界半徑。也可以按照多種其他方法執(zhí)行臨界面積分析(CAA)。例如，可以如Satya等人共同擁有的美國(guó)專利No 6，813，572所述地，在本文所述的實(shí)施方案中確定臨界面積信息，該美國(guó)專利以引用方式被并入，視同在本文中被完全闡述。也可以如^tya等人共同擁有的美國(guó)專禾Ij No. 6，751，519和Satya等人共同擁有的美國(guó)專利No. 6，948，141所述地，針對(duì)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)確定臨界面積信息，這兩個(gè)美國(guó)專利以引用方式被并入，視同在本文中被完全闡述。本文所述的實(shí)施方案可以包括這些專利中所述的任何步驟(一個(gè)或更多個(gè))。在另一個(gè)實(shí)施方案中，根據(jù)以下內(nèi)容來確定局部屬性值設(shè)計(jì)中的不同部位的一個(gè)或更多個(gè)特征的至少一個(gè)尺寸、設(shè)計(jì)中毗鄰所述不同部位的一個(gè)或更多個(gè)特征，或者它們的某種組合。例如，臨界半徑只是可以如本文所述地用于確定靈敏度的一個(gè)局部設(shè)計(jì)屬性。如上所述，臨界半徑可以為設(shè)計(jì)中一個(gè)或更多個(gè)特征(例如，行寬和行間距)的至少一個(gè)尺度的函數(shù)。如本文進(jìn)一步描述的，也可以使用設(shè)計(jì)中一個(gè)或更多個(gè)特征(例如，行寬和行間距)的至少一個(gè)尺寸的其他函數(shù)來確定靈敏度。例如，如圖2所示，對(duì)于諸如寬度為 90nm的行或間距之類的特征，該圖根據(jù)與特征中心的距離(單位為nm)示出臨界半徑(cr) 的值(單位為nm)。另外，圖2根據(jù)與特征中心的距離(單位為nm)示出了行寬和行間距 (Iwls)(單位為nm)的另一函數(shù)的值。具體來講，特征中心位于圖中的Onm處。因此，由于特征的寬度為90nm，因此特征在圖線的χ軸上從-45nm延伸至45nm。如圖2中進(jìn)一步示出的，臨界半徑的值與特征中心具有一個(gè)函數(shù)關(guān)系，并且行寬和行間距與特征中心具有不同的函數(shù)關(guān)系。例如，臨界半徑可以與行寬和行間距具有一個(gè)函數(shù)關(guān)系?？梢匀绫疚乃龅卮_定臨界半徑。然而，也可以通過與行寬和行間距的另一函數(shù)關(guān)系來確定局部屬性值。另外，在空間的第三維中的特征的高度信息可以用于提取局部設(shè)計(jì)屬性?？梢匀绫疚乃龅厥褂萌魏芜@種不同的局部屬性值。毗鄰不同部位中的任一個(gè)部位的設(shè)計(jì)的一個(gè)或更多個(gè)特征(其至少一個(gè)尺寸被用于確定局部屬性)可以包括被定位成與所述部位相距某一距離的一個(gè)或更多個(gè)特征，并且在此意義上不與所述部位相鄰。然而，所述一個(gè)或更多個(gè)特征可以毗鄰不同部位，其原因在于沒有其他特征位于所述一個(gè)或更多個(gè)特征與所述部位之間。另外，所述一個(gè)或更多個(gè)特征可以被定位成與所述部位相距不同距離，所述一個(gè)或更多個(gè)特征的至少一個(gè)尺寸被用于確定局部屬性。在一些實(shí)施方案中，基于會(huì)在不同部位造成至少一種類型的故障機(jī)制的缺陷和將執(zhí)行檢查過程的檢查系統(tǒng)的一個(gè)或更多個(gè)參數(shù)，執(zhí)行分別確定局部屬性值的步驟。例如，可以將諸如本文進(jìn)一步描述的任何局部設(shè)計(jì)信息之類的局部設(shè)計(jì)信息與檢查系統(tǒng)參數(shù)(一個(gè)或更多個(gè))(例如，諸如光的角度之類的圖像設(shè)置)結(jié)合，以確定局部屬性值。在一些實(shí)施方案中，所述不同的部位遍及整個(gè)設(shè)計(jì)。例如，分別確定局部屬性值的步驟可以包括在每個(gè)像素，從用于設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)(例如，GDQ中提取諸如臨界半徑之類的局部臨界或設(shè)計(jì)屬性。以此方式，每個(gè)不同部位可以被定義為設(shè)計(jì)中的像素。設(shè)計(jì)中的像素可以與檢查中的像素對(duì)應(yīng)。以此方式，在檢查過程中，可以為每個(gè)像素提取局部臨界或設(shè)計(jì)屬性。然而，設(shè)計(jì)中的每個(gè)像素可以小于檢查像素的大小，因?yàn)樗菑脑O(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中被提取的。如此，在整個(gè)設(shè)計(jì)中，可以分別確定不同部位處的局部屬性值。如果在檢查過程中將檢查晶片上印刷的整個(gè)設(shè)計(jì)(或晶片上的設(shè)計(jì)的整個(gè)范圍)，則確定整個(gè)設(shè)計(jì)中的局部屬性值會(huì)尤為有利。然而，如果檢查過程將涉及僅檢查印刷在晶片上的設(shè)計(jì)中的一部分或僅涉及晶片上的設(shè)計(jì)的整個(gè)范圍中的一部分(例如，如果檢查過程的覆蓋模式小于管芯面積的100% )，則可以針對(duì)將被檢查的僅設(shè)計(jì)中的該部分或僅設(shè)計(jì)中的整個(gè)范圍的該部分，分別確定局部屬性值?？梢园幢疚倪M(jìn)一步描述的多種不同方式，在檢查過程中使用上述的局部屬性。例如，所述方法包括基于局部屬性值確定靈敏度，該靈敏度是將針對(duì)晶片上與設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位對(duì)應(yīng)的不同部位來報(bào)告缺陷所采用的靈敏度。以此方式，本文所述的實(shí)施方案使用局部設(shè)計(jì)信息來確定靈敏度。例如，本文描述的實(shí)施方案利用基于設(shè)計(jì)的臨界性分析，在傳統(tǒng)意義上所述臨界分析已成為確定檢查靈敏度的過程中進(jìn)行場(chǎng)預(yù)測(cè)的一部分。以此方式，本文所述的實(shí)施方案可以使用基于設(shè)計(jì)的信息，以將場(chǎng)與檢查靈敏度聯(lián)系起來。例如，可以如本文所述被確定的與場(chǎng)有關(guān)的諸如上述臨界半徑和其他臨界屬性的局部屬性值可以用于確定檢查靈敏度。以此方式，本文所述的實(shí)施方案可以使用臨界半徑和其他臨界屬性或其他基于設(shè)計(jì)的臨界屬性來確定檢查靈敏度。由于用于晶片的設(shè)計(jì)內(nèi)的至少一些不同部位將具有不同的局部屬性值，因此針對(duì)所述至少一些不同部位所確定的靈敏度將是不同的。如此，用于設(shè)計(jì)中的所述至少一些不同部位和晶片上的相應(yīng)部位的靈敏度將是不同的。因此，本文所述的實(shí)施方案可以在用于確定檢查靈敏度的新方式中使用本文所述的臨界半徑和/或其他局部屬性，而傳統(tǒng)上，臨界半徑和其他局部屬性已用于臨界面積分析和場(chǎng)預(yù)測(cè)。如此，本文描述的實(shí)施方案實(shí)質(zhì)上在缺陷檢測(cè)中引入基于設(shè)計(jì)的臨界分析。 本文使用的術(shù)語(yǔ)“使用基于設(shè)計(jì)的臨界分析來確定檢查靈敏度”與術(shù)語(yǔ)“使用臨界半徑和其他臨界屬性進(jìn)行缺陷檢測(cè)”和“基于設(shè)計(jì)的靈敏度圖”可以互換使用。如本文將進(jìn)一步描述的，本文所述的實(shí)施方案可以用于增加檢查的靈敏度。具體來講，實(shí)施方案使用基于設(shè)計(jì)的臨界屬性來增加檢查靈敏度。在一個(gè)實(shí)施方案中，局部屬性值與靈敏度成反比關(guān)系。例如，如果局部屬性值為臨界半徑，則隨著臨界半徑減小，靈敏度應(yīng)該增加。另外，如本文進(jìn)一步描述的，所述方法可以包括產(chǎn)生局部屬性值的圖。以此方式，因?yàn)樯鲜龅木植繉傩灾岛挽`敏度之前的關(guān)系，對(duì)于圖中具有較小值的像素，在這些像素處的靈敏度應(yīng)該較高。然而，局部屬性值和靈敏度之間可以存在其他關(guān)系。例如，如果局部屬性值是多邊形密度，則隨著多邊形密度增加，靈敏度應(yīng)該增加。因此，局部屬性值可以不與靈敏度成反比關(guān)系。確定靈敏度的方式可以根據(jù)局部屬性而有所不同，因?yàn)槭窃谠O(shè)計(jì)中的不同部位確定其值。例如，如果局部屬性是臨界半徑，則可以將靈敏度確定為僅小于臨界半徑的值或?qū)?yīng)于臨界半徑的值。在另一個(gè)實(shí)施方案中，如果局部屬性是臨界半徑，則針對(duì)最小的已確定臨界半徑值的靈敏度可以被確定為可能最高的靈敏度，并且針對(duì)最大的已確定臨界半徑值的靈敏度可以被確定為可能最低的靈敏度。針對(duì)最小值和最大值之間的已確定臨界半徑值的靈敏度可以被確定為在可能最高的靈敏度和可能最低的靈敏度之間的靈敏度。另外， 確定靈敏度的方式可以根據(jù)檢查過程中將使用的缺陷檢測(cè)算法和/或方法而有所不同。例如，如果缺陷檢測(cè)算法和/或方法具有“連續(xù)可變的”靈敏度或不使用分段，則局部屬性的每個(gè)不同值可以與不同的靈敏度關(guān)聯(lián)。在這種情形下，局部屬性和靈敏度的值可以成反比， 并且還可能是線性的關(guān)系。然而，如果缺陷檢測(cè)算法和/或方法使用可以與不同靈敏度相關(guān)的分段，則局部屬性值的不同范圍可以與分段關(guān)聯(lián)(如本文進(jìn)一步描述的)，并且因此可以與和分段相關(guān)的靈敏度關(guān)聯(lián)，或者可以針對(duì)與一個(gè)分段相關(guān)的局部屬性的不同值集中地確定靈敏度。在一個(gè)實(shí)施方案中，已確定靈敏度與將被用于對(duì)晶片上的不同部位檢測(cè)缺陷的靈敏度不同。例如，如本文所述，已確定靈敏度是將被用于報(bào)告缺陷的靈敏度，其可以與將被用于檢測(cè)缺陷的靈敏度不同。如此，已確定靈敏度可以是檢查靈敏度。以此方式，檢查靈敏度與檢測(cè)靈敏度可以不同。例如，可以采用一個(gè)靈敏度檢測(cè)缺陷，并且接著采用另一個(gè)靈敏度報(bào)告缺陷(例如，通過基于某種標(biāo)準(zhǔn)過濾已檢測(cè)到的缺陷，從而得到報(bào)告的缺陷)。在另外的實(shí)施方案中，靈敏度是將被用于檢測(cè)晶片上的不同部位的缺陷并且針對(duì)晶片上不同部位報(bào)告缺陷的靈敏度。另外，如上所述，局部屬性可以是臨界半徑。以此方式， 本文所述的實(shí)施方案可以采用新的方式使用臨界半徑(例如，用于確定檢測(cè)靈敏度)。然而，本文所述的任何局部設(shè)計(jì)屬性可以用于缺陷檢測(cè)，以基于設(shè)計(jì)中圖案的臨界性來確定檢測(cè)靈敏度。如此，用于檢測(cè)缺陷的靈敏度可以與用于報(bào)告缺陷的靈敏度相同。以此方式， 還可以報(bào)告所有檢測(cè)到的缺陷。因此，在報(bào)告缺陷之前可以不過濾檢測(cè)到的缺陷。無論如何按本文所述地確定靈敏度，可以按任何合適的方式報(bào)告缺陷。例如，可以通過如下步驟報(bào)告缺陷對(duì)晶片執(zhí)行檢查過程，產(chǎn)生檢查過程的結(jié)果，并且儲(chǔ)存該結(jié)果，使得該結(jié)果可以被顯示給使用者、被用于本文所述的方法和/或系統(tǒng)實(shí)施方案中、通過另一種方法和/或系統(tǒng)來使用等等。檢查過程的結(jié)果可以具有任何合適的格式(例如，KLARF文件)，并且可以被儲(chǔ)存在包括本文所述的任何儲(chǔ)存介質(zhì)中的任何合適的儲(chǔ)存介質(zhì)中。另外， 檢查結(jié)果可以包括與晶片上檢測(cè)到的缺陷相關(guān)的任何合適的信息。在另一實(shí)施方案中，靈敏度是在檢查過程期間針對(duì)晶片產(chǎn)生的輸出中的各個(gè)輸出的特性的幅度的靈敏度。例如，各個(gè)輸出的特性的幅度可以是與缺陷或“缺陷幅度”對(duì)應(yīng)的各個(gè)輸出強(qiáng)度的幅度。缺陷幅度與缺陷大小的不同之處在于，缺陷幅度指對(duì)應(yīng)于缺陷的單個(gè)輸出的灰度級(jí)，而缺陷大小通常指被確定為對(duì)應(yīng)于缺陷的各個(gè)輸出的像素?cái)?shù)量。以此方式，缺陷幅度對(duì)應(yīng)于缺陷有多“強(qiáng)”，或者檢查系統(tǒng)檢測(cè)到的缺陷反射或散射的光線有多強(qiáng)。在某些情形下，缺陷幅度可以是缺陷圖像和參考圖像之差的絕對(duì)值。因此，可以使用多個(gè)不同的當(dāng)前使用的缺陷檢測(cè)算法來確定缺陷幅度。例如，執(zhí)行針對(duì)晶片產(chǎn)生的輸出的管芯-管芯比較的缺陷檢測(cè)算法，并且接著用于檢測(cè)晶片上的缺陷的比較結(jié)果的閾值可以用于確定缺陷幅度(例如，管芯-管芯比較的結(jié)果)。因此，本文所述的實(shí)施方案可以建立基于設(shè)計(jì)的臨界性分析和檢查中缺陷幅度之間的聯(lián)系。另外，如上所述，局部屬性可以是臨界半徑。如此，本文所述的實(shí)施方案可以將臨界半徑與缺陷幅度結(jié)合。換句話講，因?yàn)槿绫疚乃龅?，臨界半徑實(shí)質(zhì)上可以被用于缺陷檢測(cè)，并且可以通過設(shè)定缺陷幅度的閾值來執(zhí)行缺陷檢測(cè)，所以臨界半徑可以與檢查幅度結(jié)合。然而，本文所述的任何其他局部屬性還可以按類似的方式與缺陷幅度結(jié)合。以此方式，本文所述的實(shí)施方案可以不依賴或使用缺陷大小信息。當(dāng)缺陷相對(duì)小或非常小時(shí)，本文所述的實(shí)施方案可能尤為有利，因?yàn)椴皇侨毕莸拇笮《侨毕莸姆仁顷P(guān)鍵。例如，由于檢查系統(tǒng)的成像子系統(tǒng)的限制(例如，分辨率和/ 或像素化的限制)和檢查算法的限制，導(dǎo)致通過檢查系統(tǒng)報(bào)告的缺陷大小可能不可靠。因此，“實(shí)際”缺陷大小(例如，由掃描電鏡(SEM)觀察而確定的)可以與通過檢查(例如，BF 檢查)確定的缺陷大小明顯不同。對(duì)于非常小的缺陷，缺陷大小尤其不可靠。例如，從1個(gè)像素至2個(gè)像素的缺陷大小的不同可能只是由于僅像素化的原因，而不是實(shí)際缺陷大小存在任何不同。另一方面，用于非常小的缺陷的缺陷幅度或能量可能更可靠。在一些實(shí)施方案中，所述方法包括根據(jù)設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位產(chǎn)生局部屬性值的圖。 例如，所述方法可以包括根據(jù)設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位產(chǎn)生臨界半徑值或任何其他局部屬性值的圖。在一些這樣的實(shí)施例中，圖中不同的灰度級(jí)可以對(duì)應(yīng)于臨界半徑或其他局部屬性的不同值。例如，每個(gè)灰度級(jí)可以對(duì)應(yīng)于Inm的臨界半徑。換句話講，每個(gè)灰度級(jí)增量可以對(duì)應(yīng)于臨界半徑的Inm增量。因此，所述圖可以是具有由相對(duì)于設(shè)計(jì)尺寸的不同部位的尺寸限定的分辨率的灰度級(jí)圖像。然而，所述圖可以具有任何合適的格式，如，根據(jù)不同部位示出局部屬性值的二維OD)圖線或根據(jù)不同部位的局部屬性值的三維(3D)圖線。在局部屬性是臨界半徑的實(shí)施方案中，所述方法可以包括根據(jù)晶片的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)檢查晶片之前創(chuàng)建臨界半徑圖。所述臨界半徑圖是其中臨界面積圖的每個(gè)值為能夠造成設(shè)計(jì)中的故障的缺陷半徑的臨界面積圖。具體來講，臨界半徑圖可以包括會(huì)造成故障(如，圖中不同部位的短路或開路)的最小缺陷大小。例如，在所述方法的實(shí)時(shí)實(shí)現(xiàn)過程中，可以預(yù)處理設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)，以產(chǎn)生臨界半徑圖，即，其中圖中每個(gè)值表示會(huì)造成設(shè)計(jì)中的故障的缺陷大小的半徑的3D版本的臨界面積圖。以此方式，本文所述的實(shí)施方案的有益效果在于，所述方法可以包括預(yù)處理設(shè)計(jì)以形成臨界半徑圖。可以使用任何合適的方法或系統(tǒng)執(zhí)行根據(jù)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)創(chuàng)建臨界半徑圖的步驟。例如，在^tya等人共同擁有的美國(guó)專利No.6，918，101中描述了一種用于創(chuàng)建臨界半徑圖的有效方法，該美國(guó)專利以引用方式被并入，視同在本文中被完全闡述。本文所述的實(shí)施方案可以包括此專利中描述的任何方法(一個(gè)或更多個(gè))的任何步驟(一個(gè)或更多個(gè))。另外，可以通過類似的方式產(chǎn)生本文所述的任何其他局部屬性值的圖(例如，在檢查晶片之前預(yù)處理晶片的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù))。局部屬性值的圖可以不包括晶片的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。以此方式，已產(chǎn)生的圖可以不包含晶片的原始設(shè)計(jì)。因此，如果如本文進(jìn)一步所述地產(chǎn)生檢查過程使得檢查過程使用到所述圖，則包括或使用這種圖的檢查過程的方法可以是簡(jiǎn)便的，而不存在任何涉及器件設(shè)計(jì)共享的知識(shí)產(chǎn)權(quán)問題。在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，使用所述圖執(zhí)行確定靈敏度的步驟。例如，由于圖包括設(shè)計(jì)內(nèi)不同部位的局部屬性值，因此圖可以用于針對(duì)與設(shè)計(jì)內(nèi)不同部位對(duì)應(yīng)的晶片上的不同部位如本文所述地確定靈敏度。在一個(gè)實(shí)施方案中，確定靈敏度的步驟包括根據(jù)設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位產(chǎn)生將針對(duì)晶片上的不同部位報(bào)告缺陷所采用的靈敏度的圖。以此方式，本文所述的實(shí)施方案可以包括基于或使用諸如臨界半徑或本文所述的任何其他局部屬性之類的局部臨界或設(shè)計(jì)屬性，產(chǎn)生基于設(shè)計(jì)的靈敏度圖。例如，本文所述的實(shí)施方案可以包括在確定檢查靈敏度和產(chǎn)生基于設(shè)計(jì)的靈敏度圖的過程中利用基于設(shè)計(jì)的臨界性分析。如上所述，局部屬性值可以與靈敏度具有反比關(guān)系。例如，靈敏度值可以基本上與臨界半徑成反比。以此方式，靈敏度圖可以基本上與臨界半徑圖成反比。另外，靈敏度圖中的灰度級(jí)可以對(duì)應(yīng)于不同的靈敏度值。例如，每個(gè)灰度級(jí)可以對(duì)應(yīng)于對(duì)IOnm的缺陷大小的靈敏度。以此方式，在所述圖中的某一像素處的值越高，在該像素處的靈敏度應(yīng)該越高。然而，如本文所述，靈敏度與局部屬性可以具有任何關(guān)系，并且所述關(guān)系可以根據(jù)局部屬性的變化而變化。此外，可以通過臨界半徑確定靈敏度圖，所述臨界半徑是設(shè)計(jì)的一個(gè)或更多個(gè)特征(例如，行寬或行間距)的至少一個(gè)尺寸的一個(gè)函數(shù)。另外，可以通過設(shè)計(jì)的一個(gè)或更多個(gè)特征(例如，行寬或行間距) 的至少一個(gè)尺寸的另一個(gè)函數(shù)確定靈敏度圖。另外，盡管可以使用局部屬性值的圖產(chǎn)生靈敏度圖，但是可以使用本文所述的具有任何格式的局部屬性值來產(chǎn)生靈敏度圖。還可以如本文所述地構(gòu)造靈敏度圖。例如，靈敏度圖可以是灰度級(jí)圖像，其具有相對(duì)于設(shè)計(jì)的尺寸的不同部位的尺寸所限定的分辨率。然而，所述圖可以具有任何合適的格式，如，根據(jù)不同部位示出靈敏度值的2D圖線或者根據(jù)不同部位的靈敏度值的3D圖線。另外，靈敏度值的圖可以不包括設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。以此方式，已產(chǎn)生的圖可以不包括晶片的原始設(shè)計(jì)。因此，如果如本文進(jìn)一步所述地產(chǎn)生檢查過程使得檢查過程使用所述圖，則包括或使用這種圖的檢查過程的方法可以是簡(jiǎn)便的，不存在任何涉及器件設(shè)計(jì)共享的知識(shí)產(chǎn)權(quán)問題。在一個(gè)實(shí)施方案中，確定靈敏度的步驟包括基于局部屬性值，將設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位分配給不同的組，由此將與將具有至少近似的噪聲統(tǒng)計(jì)的設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位對(duì)應(yīng)的晶片上的不同部位分配到同一組。例如，本文所述的任何局部設(shè)計(jì)屬性可以用于缺陷檢測(cè)，以產(chǎn)生設(shè)計(jì)中具有至少近似的局部屬性值的不同部位的分段、區(qū)域(region)或組。另外，通過使用本文所述的局部設(shè)計(jì)屬性將設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位分組，往往會(huì)把設(shè)計(jì)中具有近似噪聲統(tǒng)計(jì)的像素分組到一起。通過以此方式將設(shè)計(jì)中不同部位分組，有效地將晶片上將具有至少近似噪聲統(tǒng)計(jì)的對(duì)應(yīng)部位分組到同一組。以此方式將像素分組可以是由缺陷檢測(cè)算法 (如，分段自動(dòng)閾值(SAT)算法和多管芯自動(dòng)閾值(MDAT)算法)執(zhí)行的重要步驟?？梢匀绫疚倪M(jìn)一步所述地執(zhí)行基于局部屬性值將設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位分配給不同組的步驟。所述噪聲統(tǒng)計(jì)可以包括本文所述的任何噪聲統(tǒng)計(jì)。在另一個(gè)實(shí)施方案中，確定靈敏度的步驟包括基于局部屬性值將設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位分配給不同的分段，以及分別針對(duì)不同的分段估計(jì)噪聲統(tǒng)計(jì)?？梢匀绫疚倪M(jìn)一步所述地執(zhí)行基于局部屬性值將設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位分配給不同的分段的步驟。可以按任何合適的方式執(zhí)行針對(duì)不同的分段估計(jì)噪聲統(tǒng)計(jì)的步驟。在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，所述噪聲統(tǒng)計(jì)是針對(duì)輸出的噪聲統(tǒng)計(jì)，將會(huì)在與被分配給不同分段的設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位對(duì)應(yīng)的晶片上的不同部位處進(jìn)行檢查過程期間產(chǎn)生所述輸出。例如，可以基于與設(shè)計(jì)相關(guān)的信息和與將在檢查過程中使用的檢查系統(tǒng)的一個(gè)或更多個(gè)參數(shù)相關(guān)的信息來仿真噪聲統(tǒng)計(jì)。在一個(gè)這樣的實(shí)施例中，將要在晶片上對(duì)應(yīng)的不同部位產(chǎn)生的輸出(例如，信號(hào))可以被仿真，并且針對(duì)被分配給一個(gè)分段的不同部位的仿真的輸出可以用于估計(jì)這個(gè)分段的噪聲統(tǒng)計(jì)。噪聲統(tǒng)計(jì)可以包括任何合適的統(tǒng)計(jì)或所關(guān)注的統(tǒng)計(jì)。例如，噪聲統(tǒng)計(jì)可以包括均值噪聲、平均噪聲、最大噪聲等?？晒┻x擇地，針對(duì)一個(gè)或更多個(gè)晶片產(chǎn)生的輸出可以用于分別針對(duì)不同的分段估計(jì)噪聲統(tǒng)計(jì)。例如，被分配給一個(gè)分段的晶片(或不同的晶片)上對(duì)應(yīng)的部位處所產(chǎn)生的輸出可以集中用于確定這個(gè)分段的噪聲統(tǒng)計(jì)。噪聲統(tǒng)計(jì)可以包括上述的任何噪聲統(tǒng)計(jì)。以此方式，本文所述的任何局部設(shè)計(jì)屬性可以用于缺陷檢測(cè)，以進(jìn)行比用其他分段方法所產(chǎn)生的分段更好的分段，這會(huì)導(dǎo)致更好地針對(duì)不同的分段估計(jì)噪聲統(tǒng)計(jì)。在一個(gè)這樣的實(shí)施方案中，確定靈敏度的步驟包括基于噪聲統(tǒng)計(jì)，針對(duì)不同的分段確定靈敏度。例如，本文所述的任何局部設(shè)計(jì)屬性可以用于缺陷檢測(cè)，以進(jìn)行比用其他分段方法所產(chǎn)生分段更好的分段，這會(huì)導(dǎo)致更好地針對(duì)不同的分段估計(jì)噪聲統(tǒng)計(jì)。另外，通過進(jìn)行更好的分段或像素分組，會(huì)導(dǎo)致針對(duì)分段或組更可靠的噪聲統(tǒng)計(jì)，并且因此對(duì)于分段或組的靈敏度增強(qiáng)。具體來講，可以基于噪聲統(tǒng)計(jì)確定要被用于不同分段的靈敏度。例如， 可以基于噪聲統(tǒng)計(jì)，確定與靈敏度相關(guān)的缺陷檢測(cè)算法和/或方法的靈敏度或參數(shù)(例如， 閾值)，使得缺陷檢測(cè)算法和/或方法將最小量的噪聲檢測(cè)為潛在的缺陷。在一個(gè)這樣的實(shí)施例中，如果噪聲統(tǒng)計(jì)包括平均噪聲，則可以將分段的閾值設(shè)置為大于平均噪聲，以減少被檢測(cè)為潛在缺陷的噪聲量。因此，由于噪聲統(tǒng)計(jì)更可靠，因此與其他基于噪聲統(tǒng)計(jì)確定靈敏度的方法相比，將提高基于噪聲統(tǒng)計(jì)針對(duì)不同的分段確定的靈敏度。在另一個(gè)實(shí)施方案中，確定靈敏度的步驟包括將局部屬性值的整個(gè)范圍中的不同部分分配給不同的分段，并且基于被分配給不同分段的不同部分的局部屬性值，分別針對(duì)不同的分段來確定不同的靈敏度。以此方式，分段可以將每個(gè)局部屬性值與不同的靈敏度水平關(guān)聯(lián)。例如，將局部屬性值的整個(gè)范圍中的不同部分分配到不同的分段的步驟可以包括基于柱狀圖設(shè)定閾值。具體來講，將局部屬性值的整個(gè)范圍中的不同部分分配到不同的分段的步驟可以包括產(chǎn)生針對(duì)不同部位確定的局部屬性值的柱狀圖，并且然后基于所
15述柱狀圖來確定分段(例如，使用設(shè)定閾值的步驟)。然而，確定分段的步驟可以不包括產(chǎn)生或使用柱狀圖。例如，如果局部屬性值為臨界半徑，則使用者可能希望臨界半徑小于約 45nm的所有像素很熱(即，被分配給與諸如“熱”閾值之類的“熱”缺陷檢測(cè)參數(shù)關(guān)聯(lián)的分段)，臨界半徑大于200nm的所有像素很冷(即，被分配給與諸如“冷”閾值之類的“冷”缺陷檢測(cè)參數(shù)關(guān)聯(lián)的分段)，并且所有的其他像素為中間的狀態(tài)(即，被分配給與在“熱”和 “冷”之間的缺陷檢測(cè)參數(shù)關(guān)聯(lián)的分段)。然后，如本文所述，可以將不同的靈敏度分配給不同的分段。例如，可以基于分段的臨界性、與所述分段關(guān)聯(lián)的局部屬性值或上述使用者選擇的參數(shù)來確定被分配給分段的靈敏度。具體來講，分段越嚴(yán)格，對(duì)于所述分段而言，檢查過程應(yīng)該越敏感。此外，在沒有分段的情況下，可以使用基于設(shè)計(jì)的靈敏度圖。在一個(gè)實(shí)施方案中，所述方法包括基于針對(duì)不同部位確定的局部屬性的值降低的不同部分，分別將設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位分配給不同的分段。例如，一旦局部屬性值的整個(gè)范圍中的一些部分被分配給不同的分段，就可以將針對(duì)不同部位確定的每個(gè)局部屬性值與這些部分進(jìn)行比較。然后，將與值降低的部分對(duì)應(yīng)的分段確定為值已被確定的不同部位將被分配到的分段。以此方式，可以將不同的部位分配到不同的分段。另外，在本文所述的實(shí)施方案中，可以使用將不同部位分配給分段的任何其他方式。在另一個(gè)實(shí)施方案中，所述方法包括基于針對(duì)不同部位的局部屬性值、被分配給不同分段的局部屬性值的整個(gè)范圍中的不同部分以及針對(duì)不同的分段確定的不同靈敏度， 根據(jù)設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位產(chǎn)生將針對(duì)晶片上的不同部位報(bào)告缺陷所采用的靈敏度的圖。以此方式，所述方法可以包括產(chǎn)生基于分段設(shè)計(jì)的靈敏度圖，并且然后通過分段將每個(gè)像素與不同靈敏度水平相關(guān)聯(lián)。例如，基于分段設(shè)計(jì)的靈敏度圖可以包括針對(duì)不同分段的不同值， 使得可以在圖中可視地識(shí)別不同的分段(例如，熱分段或冷分段)。換句話講，一旦部位被分配給分段(可以如本文所述地來執(zhí)行)，就可以在所述部位的圖中示出與所述分段關(guān)聯(lián)的靈敏度。如此，圖中將僅示出被分配給分段的靈敏度，由此創(chuàng)建基于分段設(shè)計(jì)的靈敏度圖。還可以如本文所述地進(jìn)一步構(gòu)造基于分段設(shè)計(jì)的靈敏度圖。在一個(gè)實(shí)施方案中，所述方法包括在檢查過程期間基于由檢查系統(tǒng)針對(duì)晶片產(chǎn)生的輸出，分別確定針對(duì)晶片上的不同部位的局部圖像屬性值。例如，強(qiáng)度的均值和/或范圍、本底噪聲，或者它們的一些組合，已用于確定檢查靈敏度。具體來講，一些缺陷檢測(cè)算法被構(gòu)造用于確定檢查過程期間產(chǎn)生的輸出的強(qiáng)度的均值和/或范圍以及本底噪聲，并且基于強(qiáng)度的均值和/或范圍以及本底噪聲來確定要被用于所述輸出的檢查靈敏度。這種算法的實(shí)施例包括自動(dòng)設(shè)置閾值(AT)、SAT和MDAT算法，可商購(gòu)自加利福利亞圣何塞(San Jose)的KLA-Tencor的檢查系統(tǒng)使用這些算法。因此，任何這些算法都可以用于在本文所述的實(shí)施方案中分別確定針對(duì)晶片上的不同部位的局部圖像屬性的值。但是，與使用這種算法的當(dāng)前所用的檢查過程不同，在本文所述的實(shí)施方案中，不單獨(dú)使用局部圖像屬性值來確定檢查靈敏度。例如，在一個(gè)實(shí)施方案中，基于局部屬性值和局部圖像屬性值來執(zhí)行確定靈敏度的步驟。在一個(gè)這樣的實(shí)施例案中，所述方法可以包括將基于設(shè)計(jì)的局部臨界屬性和局部圖像屬性(如，均值和/或范圍)或者來自圖像的其他信息結(jié)合起來，以確定每個(gè)像素處的檢測(cè)算法的靈敏度。一些當(dāng)前使用的缺陷檢測(cè)算法基于圖像的均值和范圍來限定分段。然而，與這些缺陷檢測(cè)算法相比，本文所述的實(shí)施方案從本質(zhì)上在靈敏度分段確定的過程中引入了新的尺寸(例如，基于設(shè)計(jì)的靈敏度圖)。以此方式，所述臨界信息可以與當(dāng)前使用的局部圖像屬性/信息一起被用于確定檢查靈敏度。 例如，一旦基于針對(duì)設(shè)計(jì)內(nèi)不同部位的局部屬性值確定了靈敏度，就可以基于晶片上對(duì)應(yīng)的部位處獲取的圖像的屬性或相關(guān)信息來調(diào)節(jié)靈敏度。例如，如果在晶片上的某個(gè)部位處獲取的圖像具有較多的噪聲，則可以降低基于局部屬性值被分配給設(shè)計(jì)內(nèi)對(duì)應(yīng)部位的靈敏度，以減少由于噪聲在這個(gè)部位檢測(cè)到的故障缺陷或噪聲或干擾事件的數(shù)量。相比之下，如果在晶片上的某個(gè)部位獲取的圖像相對(duì)安靜，則可以增加基于局部屬性值被分配給設(shè)計(jì)內(nèi)對(duì)應(yīng)部位的靈敏度，使得可以按更高的靈敏度檢測(cè)這個(gè)部位的缺陷。在另一個(gè)實(shí)施方案中，基于局部屬性值、局部圖像屬性值和檢查系統(tǒng)的坐標(biāo)誤差執(zhí)行確定靈敏度的步驟。例如，所述方法可以包括將基于設(shè)計(jì)的局部臨界屬性和局部圖像屬性(例如，均值和/或范圍)與來自圖像的其他信息結(jié)合起來，以在考慮到坐標(biāo)誤差的情況下如上述所述地確定每個(gè)像素處的檢測(cè)算法的靈敏度。在一個(gè)這種實(shí)施例中，如果坐標(biāo)誤差為約1個(gè)像素并且如果局部屬性是臨界半徑，則可以使用在設(shè)計(jì)中任一個(gè)像素周圍的 3像素X3像素的相鄰部分內(nèi)的最小臨界半徑以及由檢查系統(tǒng)針對(duì)晶片產(chǎn)生的輸出中的對(duì)應(yīng)像素周圍的3像素X3像素的相鄰部分內(nèi)的局部圖像屬性來確定針對(duì)這一像素的靈敏度。以此方式，用于每個(gè)像素的靈敏度不同于其應(yīng)該具有的值的可能性可以被降低。在一個(gè)實(shí)施方案中，基于局部屬性值和與設(shè)計(jì)中熱點(diǎn)相關(guān)的信息來執(zhí)行確定靈敏度的步驟。例如，本文所述的方法可以將來自客戶的熱點(diǎn)信息與直接根據(jù)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)(例如， ⑶S)確定的局部設(shè)計(jì)屬性結(jié)合起來，以確定檢查靈敏度。具體來講，在生產(chǎn)IC產(chǎn)品之前，通過不同的程序驗(yàn)證半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)。例如，可以通過軟件仿真來檢驗(yàn)半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)，以驗(yàn)證在制造過程中的光刻之后將被正確印刷的所有特征。這種檢驗(yàn)的步驟通常包括諸如設(shè)計(jì)規(guī)則檢驗(yàn)(DRC)、光學(xué)規(guī)則檢驗(yàn)(ORC)以及基于更復(fù)雜軟件的驗(yàn)證方法，這些驗(yàn)證方法包括被校準(zhǔn)為特定制造(fab)或工藝的工藝仿真。物理設(shè)計(jì)驗(yàn)證步驟的輸出可以被用于識(shí)別設(shè)計(jì)中潛在的大量臨界點(diǎn)，這些臨界點(diǎn)有時(shí)被稱作“熱點(diǎn)”。“熱點(diǎn)”可以通常被定義為印刷在晶片上的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的部位，在所述部位可能存在致命的缺陷。因此，通常設(shè)計(jì)的創(chuàng)建者會(huì)發(fā)現(xiàn)熱點(diǎn)，所述創(chuàng)建者通常是檢查系統(tǒng)制造商的客戶或檢查系統(tǒng)使用者的客戶。可以按任何方式使用與局部設(shè)計(jì)屬性結(jié)合的熱點(diǎn)信息以確定檢查靈敏度。例如， 本文所述的方法可以使用來自客戶的熱點(diǎn)信息和直接根據(jù)GDS確定的局部設(shè)計(jì)屬性，來產(chǎn)生靈敏度圖。另外，可以基于局部屬性值以本文所述的任何方式確定靈敏度，并且然后可以基于設(shè)計(jì)中與熱點(diǎn)相關(guān)的信息來調(diào)節(jié)已確定的靈敏度。例如，如果基于熱點(diǎn)信息將設(shè)計(jì)中的特定部位確定為設(shè)計(jì)中的熱點(diǎn)部位，則可以評(píng)價(jià)針對(duì)這個(gè)部位確定的靈敏度，以確定是否可以或應(yīng)該增加靈敏度。相比之下，如果基于熱點(diǎn)信息將設(shè)計(jì)中的特定部位確定為不是設(shè)計(jì)中的熱點(diǎn)部位，則可以評(píng)價(jià)針對(duì)這個(gè)部位確定的靈敏度，以確定是否可以或應(yīng)該降低靈敏度。在一些實(shí)施方案中，局部屬性值并不指示設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位是否為設(shè)計(jì)內(nèi)的熱點(diǎn)，并且不基于與設(shè)計(jì)中的熱點(diǎn)相關(guān)的信息來執(zhí)行確定靈敏度的步驟。例如，如果熱點(diǎn)將被用于檢查和/或確定靈敏度，則必須經(jīng)常從客戶獲取與熱點(diǎn)相關(guān)的信息。然而，如本文進(jìn)一步所述的，可以直接根據(jù)設(shè)計(jì)(以及會(huì)在不同部位造成至少一種類型的故障機(jī)制的缺陷) 確定局部屬性值。另外，基于局部屬性值確定靈敏度。因此，可以不基于(并且因此可能不需要)與熱點(diǎn)相關(guān)的信息來執(zhí)行這些步驟。此外，可以不基于(并且因此可能不需要)與熱點(diǎn)相關(guān)的信息來執(zhí)行本文所述的任何方法實(shí)施方案中的任何步驟。在一個(gè)實(shí)施方案中，無法由執(zhí)行檢查過程的檢查系統(tǒng)分辨晶片上印刷的設(shè)計(jì)。例如，當(dāng)設(shè)計(jì)規(guī)格縮減時(shí)，檢查系統(tǒng)無法分辨許多圖案。以此方式，基于圖像的屬性和/或信息可能不足以確定靈敏度。然而，本文描述的實(shí)施方案使用基于設(shè)計(jì)的臨界屬性來增強(qiáng)檢查靈敏度，并且因此不需要依賴任何基于圖像的屬性和/或信息來確定靈敏度。例如，可以在不將局部圖像屬性與圖結(jié)合的情況下使用基于設(shè)計(jì)的靈敏度圖。另外，基于圖像的屬性或信息(如，均值或范圍)可能不足以區(qū)分分段。然而，本文所述的實(shí)施方案可以使用針對(duì)設(shè)計(jì)內(nèi)不同部位的局部屬性值來區(qū)分分段，并且因此不需要依賴任何基于圖像的屬性或信息來區(qū)分分段。然而，如本文進(jìn)一步描述的，基于圖像的屬性和/或信息可以與針設(shè)計(jì)內(nèi)不同部位的局部屬性值結(jié)合來用于確定靈敏度。在另一個(gè)實(shí)施方案中，在檢查過程中檢測(cè)晶片上的缺陷之前，執(zhí)行分別確定局部屬性值和確定靈敏度的步驟。例如，可以在檢查過程的檢測(cè)部分中執(zhí)行本文所述的實(shí)施方案。以此方式，可以在檢查過程期間或現(xiàn)場(chǎng)(in-situ)執(zhí)行所述方法中的某些步驟(一個(gè)或更多個(gè))。例如，可以使用現(xiàn)有的檢查過程在掃描晶片期間執(zhí)行所述方法中的某些步驟 (一個(gè)或更多個(gè))，并且然后使用所述步驟(一個(gè)或更多個(gè))的結(jié)果來改變現(xiàn)有的檢查過程的一個(gè)或更多個(gè)參數(shù)(例如，靈敏度)，由此有效地產(chǎn)生檢查過程。在另外的實(shí)施方案中，脫機(jī)執(zhí)行分別確定局部屬性值和確定靈敏度的步驟。例如， 可以在預(yù)處理過程中脫機(jī)執(zhí)行本文所述的實(shí)施方案或至少本文所述實(shí)施方案的一些步驟。 在一個(gè)這樣的實(shí)施例中，可以在預(yù)處理期間脫機(jī)執(zhí)行操縱GDS、確定臨界半徑、生成靈敏度圖和儲(chǔ)存靈敏度圖的步驟。聯(lián)機(jī)(online)處理可以包括在掃描設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)空間期間確定針對(duì)晶片產(chǎn)生的輸出的位置并且實(shí)時(shí)得到靈敏度圖?？梢匀缫陨弦玫腒ulkarni等人的專利申請(qǐng)中所述地執(zhí)行確定設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)空間中輸出的位置的步驟。另外，聯(lián)機(jī)處理可以包括將基于設(shè)計(jì)的靈敏度圖與基于圖像的靈敏度圖結(jié)合起來。此外，可以在檢查過程的后期處理中執(zhí)行本文所述的實(shí)施方案。所述方法還包括基于已確定的靈敏度產(chǎn)生針對(duì)晶片的檢查過程。產(chǎn)生檢查過程的步驟可以包括儲(chǔ)存可以如本文所述地產(chǎn)生的靈敏度圖，并且構(gòu)造檢查過程方法，使得在檢查過程期間獲得并使用所述圖。在一個(gè)實(shí)施方案中，檢查過程包括在設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)空間中進(jìn)行檢查過程期間，由檢查系統(tǒng)確定針對(duì)晶片產(chǎn)生的輸出的位置，使得能夠識(shí)別出與設(shè)計(jì)內(nèi)不同部位對(duì)應(yīng)的晶片上的不同部位處產(chǎn)生的輸出。例如，檢查過程可以包括確定設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)空間中輸出的位置，并且基于被分配給設(shè)計(jì)內(nèi)不同部位的靈敏度和設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)空間中不同部位的位置將靈敏度分配給輸出。另外，在檢查過程期間，可以獲得所述圖并將其與檢查過程中產(chǎn)生的輸出對(duì)齊，使得可以將所述圖中的各個(gè)靈敏度應(yīng)用到與所述圖對(duì)齊的各個(gè)輸出。由于靈敏度圖是根據(jù)設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位來產(chǎn)生的，因此將所述圖與輸出對(duì)齊基本上確定了設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)空間中輸出的位置。因此，可以使用諸如以上引用的Kulkarni等人的專利申請(qǐng)中描述的方法和/或系統(tǒng)，確定設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)空間中輸出的位置，從而執(zhí)行將靈敏度圖與輸出對(duì)齊的步驟。另外，可以通過使用將靈敏度圖與灰度級(jí)圖像對(duì)齊的任何方法或系統(tǒng)來執(zhí)行將靈敏度圖與輸出對(duì)應(yīng)的步驟。也可以這樣產(chǎn)生檢查過程使得通過檢查過程中使用的缺陷檢測(cè)算法儲(chǔ)存和使用將針對(duì)不同部位報(bào)告缺陷所采用的靈敏度圖。例如，靈敏度圖可以被用作缺陷檢測(cè)算法(如，MDAT算法)中的特征尺寸。
在一個(gè)實(shí)施方案中，使用檢查過程，基于在檢查過程期間針對(duì)晶片產(chǎn)生的輸出中的各個(gè)輸出的特性的幅度檢測(cè)在晶片上的缺陷，而不是基于缺陷的大小檢測(cè)缺陷。例如，如上所述的，靈敏度可以是對(duì)于檢查過程期間針對(duì)晶片產(chǎn)生的輸出中的各個(gè)輸出的特性的幅度的靈敏度，并且該靈敏度可以是檢測(cè)缺陷所采用的靈敏度。另外，各個(gè)輸出的特性的幅度可以是與缺陷或“缺陷幅度”對(duì)應(yīng)的單個(gè)輸出的幅度。因此，由于可以依據(jù)各個(gè)輸出的特性的幅度確定檢測(cè)靈敏度，所以可以依據(jù)幅度而不是缺陷大小在檢查過程中檢測(cè)缺陷。例如， 檢查過程可以被構(gòu)造用于使用缺陷檢測(cè)算法執(zhí)行管芯-管芯比較，以確定各個(gè)輸出的強(qiáng)度的幅度，并且可以將閾值應(yīng)用于比較的結(jié)果以檢查晶片上的缺陷，由此基于幅度而不是基于大小檢測(cè)晶片上的缺陷，可以基于本文所述的實(shí)施方案確定的靈敏度確定所述閾值，或者所述閾值可以與本文的實(shí)施方案確定的靈敏度關(guān)聯(lián)。在另一個(gè)實(shí)施方案中，使用檢查過程，基于在檢查過程期間針對(duì)晶片產(chǎn)生的輸出中的各個(gè)輸出的特性的幅度報(bào)告晶片上的缺陷，而不是基于缺陷的大小報(bào)告晶片上的缺陷。例如，如上所述的，所述靈敏度可以是對(duì)于檢查過程期間針對(duì)晶片產(chǎn)生的輸出中的各個(gè)輸出的特性的幅度的靈敏度，并且所述靈敏度可以是報(bào)告缺陷所采用的靈敏度。另外， 各個(gè)輸出的特性的幅度可以是與缺陷或“缺陷幅度”對(duì)應(yīng)的各個(gè)輸出的幅度。因此，由于可以依據(jù)各個(gè)輸出的特性的幅度確定報(bào)告缺陷所采用的靈敏度，所以可以基于幅度而不是缺陷大小在檢查過程中報(bào)告缺陷。例如，檢查過程可以被構(gòu)造用于使用缺陷檢測(cè)算法執(zhí)行管芯-管芯比較，以確定各個(gè)輸出的強(qiáng)度的幅度，并且可以將閾值應(yīng)用于比較的結(jié)果以檢查晶片上的缺陷，由此基于幅度而不是基于大小檢測(cè)晶片上的缺陷，可以基于本文所述的實(shí)施方案確定的靈敏度確定所述閾值，或者所述閾值可以與本文的實(shí)施方案確定的靈敏度關(guān)聯(lián)。如果檢測(cè)缺陷所采用的靈敏度與報(bào)告缺陷所采用的靈敏度相同，則可以報(bào)告檢測(cè)到的缺陷。例如，可以報(bào)告所有檢測(cè)到的缺陷。然而，如果檢測(cè)缺陷所采用的靈敏度與報(bào)告缺陷所采用的靈敏度不同，則可以如上所述或以任何其他方式(其可以基于缺陷幅度或不基于缺陷幅度)檢測(cè)缺陷，并且然后可以基于缺陷幅度過濾檢測(cè)到的缺陷，由此產(chǎn)生將要被報(bào)告的缺陷。以此方式，可以基于缺陷幅度而不是缺陷大小來報(bào)告缺陷。本文所述的實(shí)施方案還可以包括對(duì)晶片執(zhí)行所產(chǎn)生的檢查過程?？梢园慈魏魏线m的方式對(duì)晶片執(zhí)行所產(chǎn)生的檢查過程。以此方式，本文所述的實(shí)施方案可以包括通過對(duì)晶片執(zhí)行所產(chǎn)生的檢查過程來產(chǎn)生檢查結(jié)果。檢查結(jié)果可以包括在檢查過程期間與在晶片上被檢測(cè)到并且確定為將要被報(bào)告(即，確定將在檢查結(jié)果中被包括)的缺陷相關(guān)的信息。檢查結(jié)果可以具有本文所述的任何合適的格式。本文所述的實(shí)施方案具有優(yōu)于其他用于產(chǎn)生檢查過程的方法和系統(tǒng)的多個(gè)優(yōu)點(diǎn)。 例如，以前，晶片檢查工具只可以使用從晶片獲取的圖像來確定靈敏度。然而，由于檢查系統(tǒng)圖像分辨能力的限制，導(dǎo)致通常不能分辨下層的電路圖案。直到最近，工業(yè)上開始尋找利用晶片的設(shè)計(jì)來改善檢查結(jié)果的方式。這種趨勢(shì)的一個(gè)實(shí)施例是基于環(huán)境的檢查(CBI)。在以上引用的Kulkarni等人的專利申請(qǐng)中描述了用于執(zhí)行CBI的方法和系統(tǒng)的實(shí)施例。另外，在該專利申請(qǐng)中描述了用于基于設(shè)計(jì)的檢查的方法和系統(tǒng)的實(shí)施例。因?yàn)榄h(huán)境圖可以是多個(gè)不同的設(shè)計(jì)信息/屬性，所以該專利申請(qǐng)中描述的方法和系統(tǒng)可以使用許多方面的設(shè)計(jì)信息。另外，在該專利申請(qǐng)中描述的方法和系統(tǒng)涉及許多方面的檢查，如，確定靈敏度、干擾過濾、缺陷分類和缺陷排序或抽樣。雖然該專利申請(qǐng)中描述的方法和系統(tǒng)通常涉及環(huán)境信息以確定靈敏度，但是在該專利申請(qǐng)中描述的方法和系統(tǒng)沒有被構(gòu)造用于執(zhí)行本文所述的至少某些步驟(一個(gè)或更多個(gè))(例如，如何如本文所述地提取環(huán)境信息并且使用所述環(huán)境信息來確定靈敏度)。當(dāng)前所使用方法的另一個(gè)實(shí)施例是基于熱點(diǎn)的檢查?；跓狳c(diǎn)的檢查在檢查過程中基本上使用來自客戶的熱點(diǎn)信息。然而，基于熱點(diǎn)的檢查是不利的，這是因?yàn)樗蕾囉趤碜钥蛻舻臒狳c(diǎn)信息。與基于熱點(diǎn)的檢查相比，本文描述的實(shí)施方案可以不依賴于來自客戶的熱點(diǎn)信息。例如，本文描述的實(shí)施方案使用局部設(shè)計(jì)信息確定靈敏度并且可以不依賴于來自客戶的熱點(diǎn)信息。當(dāng)前所使用方法的另外的實(shí)施例涉及針對(duì)晶片上檢測(cè)到的缺陷確定缺陷臨界索引(DCI)，并且在“片上(leaf)”計(jì)算機(jī)(“片上DCI”)上執(zhí)行該實(shí)施例。檢測(cè)缺陷之后， 片上DCI通過使用CAA針對(duì)給定的缺陷大小確定DCI。以此方式，片上DCI將臨界半徑與通過檢查所報(bào)告的缺陷大小結(jié)合起來。因此，片上DCI依賴于通過檢查所報(bào)告的缺陷大小信息。但當(dāng)缺陷相對(duì)或非常小時(shí)，不是缺陷的大小而是缺陷的幅度是關(guān)鍵。此外，有時(shí)通過檢查所報(bào)告的缺陷大小并不精確。2008年4月14日提交的Chen等人共同擁有的美國(guó)專利申請(qǐng)No. 12/102，343(其以引用的方式被并入，視同在本文被完全闡述)和以上引用的hfar 等人的專利申請(qǐng)示出了用于針對(duì)晶片上的缺陷確定DCI的方法和系統(tǒng)的其他實(shí)施例。因此，與片上DCI相比，本文所述的實(shí)施方案將臨界半徑或其他局部屬性與缺陷幅度結(jié)合起來。以此方式，本文所述的實(shí)施方案可以不依賴通過檢查報(bào)告的缺陷大小信息。 當(dāng)缺陷相對(duì)小或非常小時(shí)，本文所述的實(shí)施方案可能是有利的，因?yàn)椴皇侨毕莸拇笮《侨毕莸姆仁顷P(guān)鍵。另外，本文所述的實(shí)施方案可以使用臨界半徑或其他局部屬性的方式而不同于片上DCI使用臨界半徑的方式。例如，片上DCI按傳統(tǒng)方式使用臨界半徑(例如， 針對(duì)給定的缺陷大小確定臨界面積(CA))。相比之下，本文所述的實(shí)施方案可以按新的方式使用臨界半徑或另一個(gè)局部屬性，以確定檢測(cè)靈敏度。此外，可以在算法的不同部分中實(shí)現(xiàn)本文所述的實(shí)施方案和片上DCI。例如，片上DCI必須在檢測(cè)之后和后續(xù)處理過程中被執(zhí)行，因?yàn)樗蕾囉谕ㄟ^檢查所報(bào)告的缺陷大小。相比之下，盡管可以在后期處理中執(zhí)行本文所述的實(shí)施方案，但也可以在檢測(cè)部分執(zhí)行本文所述的實(shí)施方案。上述方法的每個(gè)實(shí)施方案可以包括本文所述的任何方法(一個(gè)或更多個(gè))的任何其他步驟(一個(gè)或更多個(gè))。另外，可以通過本文所述的系統(tǒng)實(shí)施方案執(zhí)行上述方法的每個(gè)實(shí)施方案。本文所述的任何方法可以包括將本文所述的一個(gè)或更多個(gè)方法中的一個(gè)或更多個(gè)步驟的結(jié)果儲(chǔ)存在儲(chǔ)存介質(zhì)中。所述結(jié)果可以包括本文所述的任何結(jié)果?？梢圆捎帽绢I(lǐng)域已知的任何方式儲(chǔ)存所述結(jié)果。另外，儲(chǔ)存介質(zhì)可以包括本文所述的任何儲(chǔ)存介質(zhì)或本領(lǐng)域已知的任何其他合適的儲(chǔ)存介質(zhì)。在已儲(chǔ)存結(jié)果之后，可以訪問儲(chǔ)存介質(zhì)中的所述結(jié)果并且通過本文所述的任何方法或系統(tǒng)實(shí)施方案或任何其他方法或系統(tǒng)使用所述結(jié)果。另外，可以將結(jié)果“永久地”、“半永久地”、臨時(shí)地儲(chǔ)存或儲(chǔ)存一段時(shí)間。例如，儲(chǔ)存介質(zhì)可以是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)，并且可能不需要無限期地維持儲(chǔ)存介質(zhì)中的結(jié)果。另外，可以使用諸如2008年9月19日提交的Miaskar等人共同擁有的美國(guó)專利申請(qǐng)No. 12/234，201中描述的方法和系統(tǒng)來儲(chǔ)存本文所述的任何方法(一個(gè)或更多個(gè))中的任何步驟(一個(gè)或更多個(gè))的結(jié)果，該專利申請(qǐng)以引用的方式被并入，視同在本文被完全闡述。另一個(gè)實(shí)施方案涉及計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其包括在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上可執(zhí)行的程序指令，以執(zhí)行由計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的用于產(chǎn)生針對(duì)晶片的檢查過程的方法。圖3圖示說明了一個(gè)這樣的實(shí)施方案。具體來講，如圖3所示，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)16包括在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)20上可執(zhí)行的程序指令18。由計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法包括基于會(huì)在不同部位造成至少一種類型的故障機(jī)制的缺陷針對(duì)晶片設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位來確定局部屬性值?？梢愿鶕?jù)本文所述的任何實(shí)施方案來執(zhí)行分別確定局部屬性值的步驟。局部屬性值可以包括本文所述的任何這種值。局部屬性可以包括本文所述的任何局部屬性。設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位可以包括本文所述的任何不同部位。所述設(shè)計(jì)可以包括本文所述的任何設(shè)計(jì)。至少一種類型的故障機(jī)制可以包括本文所述的任何類型(一種或更多種)的故障機(jī)制。由計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法也包括基于局部屬性值確定靈敏度，將采用所述靈敏度針對(duì)與設(shè)計(jì)內(nèi)不同部位對(duì)應(yīng)的晶片上的不同部位報(bào)告缺陷?？梢愿鶕?jù)本文所述的任何實(shí)施方案執(zhí)行確定靈敏度的步驟。所述靈敏度可以包括本文所述的任何靈敏度。晶片上的不同部位可以包括本文所述的任何不同部位。由計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法還包括基于所確定的靈敏度產(chǎn)生針對(duì)晶片的檢查過程?？梢愿鶕?jù)本文所述的任何實(shí)施方案來執(zhí)行產(chǎn)生檢查過程的步驟。所述檢查過程可以包括本文所述的任何檢查過程。由計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法可以包括本文所述的任何其他實(shí)施方案(一個(gè)或更多個(gè))的任何其他步驟(一個(gè)或更多個(gè))。可以將實(shí)現(xiàn)諸如本文所述方法的程序指令18儲(chǔ)存在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)16上。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以是諸如只讀存儲(chǔ)器、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、磁盤或光盤，或者磁帶之類的儲(chǔ)存介質(zhì)。另外，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以包括本領(lǐng)域已知的任何其他合適的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)20可以采取各種形式，包括個(gè)人計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、大型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、工作站、圖像計(jì)算機(jī)、并行處理器或本領(lǐng)域已知的任何其他裝置。通常，術(shù)語(yǔ)“計(jì)算機(jī)系統(tǒng)”可以被寬泛地定義為包含任何具有一個(gè)或更多個(gè)處理器的裝置，所述處理器執(zhí)行來自儲(chǔ)存介質(zhì)的指令。上述計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可以被構(gòu)造為不形成檢查、測(cè)量、查看或其他工具的一部分的獨(dú)立系統(tǒng)。在這樣的實(shí)施方案中，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可以被構(gòu)造用于通過傳輸介質(zhì)(可以包括“有線”和/或“無線”部分)向其他系統(tǒng)發(fā)送數(shù)據(jù)或信息(例如，向檢查系統(tǒng)發(fā)送檢查過程)。 以此方式，傳輸介質(zhì)可以用作計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和其他系統(tǒng)之間的數(shù)據(jù)鏈路。另外，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可以借助傳輸介質(zhì)從其他系統(tǒng)接收和/或獲取數(shù)據(jù)。然而，在其他實(shí)施方案中，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)被包含在檢查系統(tǒng)中?？梢园幢疚乃龅貥?gòu)造檢查系統(tǒng)。另外的實(shí)施方案涉及被構(gòu)造用于對(duì)晶片產(chǎn)生并執(zhí)行檢查過程的系統(tǒng)。圖4示出了這種系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施方案。如圖4所示，所述系統(tǒng)包括計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)M。計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)被構(gòu)造用于基于會(huì)在不同部位造成至少一種類型的故障機(jī)制的缺陷，分別確定針對(duì)晶片設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位的局部屬性值。計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)可以被構(gòu)造用于根據(jù)本文所述的任何實(shí)施方案分別確定局部屬性值。局部屬性值可以包括本文所述的任何這種值。局部屬性可以包括本文所述的任何局部屬性。設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位可以包括本文所述的任何不同部位。所述設(shè)計(jì)可以包括本文所述的任何設(shè)計(jì)。至少一種類型的故障機(jī)制可以包括本文所述的任何類型 (一種或更多種)的故障機(jī)制。計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)還可以被構(gòu)造用于基于局部屬性值確定靈敏度，將采用所述靈敏度
21針對(duì)與設(shè)計(jì)內(nèi)不同部位對(duì)應(yīng)的晶片上的不同部位報(bào)告缺陷。計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)可以被構(gòu)造用于根據(jù)本文所述的任何實(shí)施方案確定靈敏度。所述靈敏度可以包括本文所述的任何靈敏度。 晶片上的不同部位可以包括本文所述的任何不同部位。另外，計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)被構(gòu)造用于基于所確定的靈敏度產(chǎn)生針對(duì)晶片的檢查過程。計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)可以被構(gòu)造用于根據(jù)本文所述的任何實(shí)施方案產(chǎn)生檢查過程。所述檢查過程可以包括本文所述的任何檢查過程。此外， 所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)可以被構(gòu)造用于執(zhí)行本文所述的任何方法(一個(gè)或更多個(gè))中的任何步驟(一個(gè)或更多個(gè))。相對(duì)于圖3中示出的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)20，還可以如上所述地來構(gòu)造計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)。所述系統(tǒng)還包括被構(gòu)造用于對(duì)晶片執(zhí)行檢查過程的檢查子系統(tǒng)22。檢查子系統(tǒng) 22可以包括任何合適的檢查子系統(tǒng)，如，商購(gòu)的檢查系統(tǒng)中包括的那些檢查子系統(tǒng)。包括合適的檢查子系統(tǒng)的商購(gòu)檢查系統(tǒng)的實(shí)施方案包括可以購(gòu)自KLA-Tencor的2360、2365、2371 和23xx系統(tǒng)以及Puma 90xx和91xx系列工具。另外，檢查子系統(tǒng)可以是被構(gòu)造用于對(duì)晶片進(jìn)行DF檢查和/或?qū)M(jìn)行BF檢查的檢查子系統(tǒng)。此外，檢查子系統(tǒng)可以被構(gòu)造用于對(duì)圖案化晶片進(jìn)行檢查和/或?qū)ξ磮D案化晶片進(jìn)行檢查。此外，可以改造現(xiàn)有的檢查系統(tǒng) (例如，可以改造檢查系統(tǒng)的計(jì)算機(jī)子系統(tǒng))，使得現(xiàn)有的檢查系統(tǒng)(包括其檢查子系統(tǒng)) 可以被構(gòu)造為并被用作本文所述的系統(tǒng)。檢查子系統(tǒng)可以被構(gòu)造用于以任何合適的方式對(duì)晶片執(zhí)行檢查過程。所述系統(tǒng)還可以被構(gòu)造用于產(chǎn)生對(duì)晶片執(zhí)行的檢查過程的結(jié)果?？梢园慈魏魏线m的方式產(chǎn)生所述結(jié)果，并且所述結(jié)果可以具有任何合適的格式。另外，檢查子系統(tǒng)可以被構(gòu)造用于執(zhí)行本文所述的任何方法(一個(gè)或更多個(gè))中的任何步驟(一個(gè)或更多個(gè))。還可以如本文所述地構(gòu)造上述系統(tǒng)的實(shí)施方案。依據(jù)本說明書，本發(fā)明各方面的另外的修改形式和可供選擇的實(shí)施方案對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說會(huì)是清楚的。例如，提供了用于產(chǎn)生針對(duì)晶片的檢查過程的方法和系統(tǒng)。 因此，本說明書將被理解為只是示例性的并且其目的在于教導(dǎo)本領(lǐng)域的技術(shù)人員執(zhí)行本發(fā)明的通用方式。要理解，本文示出和描述的本發(fā)明的形式將被當(dāng)作目前優(yōu)選的實(shí)施方案。元件和材料可以被本文示出和描述的元件和材料替代，部件和工藝可以顛倒，并且可以單獨(dú)利用本發(fā)明的某些特征，在本領(lǐng)域的技術(shù)人員受益于本發(fā)明的該說明書之后，所有這些都將是顯而易見的。可以在不脫離如以下權(quán)利要求書描述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下， 對(duì)本文描述的元件進(jìn)行變化。
權(quán)利要求
1.一種計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，所述方法用來產(chǎn)生針對(duì)晶片的檢查過程，所述方法包括基于會(huì)在所述晶片的設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位造成至少一種類型的故障機(jī)制的缺陷，分別確定針對(duì)所述不同部位的局部屬性值；基于所述局部屬性值確定靈敏度，將采用所述靈敏度針對(duì)與所述設(shè)計(jì)內(nèi)的所述不同部位對(duì)應(yīng)的所述晶片上的不同部位報(bào)告缺陷；以及基于所確定的所述靈敏度產(chǎn)生針對(duì)所述晶片的檢查過程。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述局部屬性值是會(huì)在所述不同部位造成至少一種類型的故障機(jī)制的所述缺陷的臨界半徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述局部屬性值被根據(jù)以下內(nèi)容來確定在所述不同部位的所述設(shè)計(jì)的一個(gè)或更多個(gè)特征的至少一個(gè)尺寸、與所述不同部位毗鄰的所述設(shè)計(jì)的一個(gè)或更多個(gè)特征，或者它們的某種組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用所述設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)來執(zhí)行分別確定所述局部屬性值的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，基于以下內(nèi)容來執(zhí)行分別地確定所述局部屬性值的步驟會(huì)在所述不同部位造成所述至少一種類型的故障機(jī)制的所述缺陷以及將執(zhí)行所述檢查過程的檢查系統(tǒng)的一個(gè)或更多個(gè)參數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述不同部位遍及整個(gè)所述設(shè)計(jì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述局部屬性值與所述靈敏度成反比關(guān)系。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所確定的所述靈敏度與將在所述晶片上的所述不同部位檢測(cè)缺陷所采用的靈敏度不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述靈敏度是將在所述晶片上的所述不同部位檢測(cè)缺陷并且針對(duì)所述晶片上的所述不同部位報(bào)告所述缺陷所采用的靈敏度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述靈敏度是對(duì)于所述檢查過程期間針對(duì)所述晶片產(chǎn)生的輸出中的各個(gè)輸出的特性的幅度的靈敏度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括根據(jù)所述設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位產(chǎn)生所述局部屬性值的圖，其中，使用所述圖執(zhí)行確定所述靈敏度的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，確定所述靈敏度的步驟包括產(chǎn)生所述靈敏度的圖，將采用所述靈敏度的圖根據(jù)所述設(shè)計(jì)內(nèi)的所述不同部位針對(duì)所述晶片上的所述不同部位報(bào)告所述缺陷。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，確定所述靈敏度的步驟包括基于所述局部屬性值將所述設(shè)計(jì)內(nèi)的所述不同部位分配給不同的組，由此將與所述設(shè)計(jì)內(nèi)將具有至少近似的噪聲統(tǒng)計(jì)的不同部位對(duì)應(yīng)的所述晶片上的不同部位分配到同一組。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，確定所述靈敏度的步驟包括基于所述局部屬性值將所述設(shè)計(jì)內(nèi)的所述不同部位分配給不同的分段，并且分別針對(duì)所述不同的分段估計(jì)噪聲統(tǒng)計(jì)，并且其中，所述噪聲統(tǒng)計(jì)是針對(duì)輸出的噪聲統(tǒng)計(jì)，在所述檢查過程期間將要在與被分配到所述不同的分段的所述設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位對(duì)應(yīng)的所述晶片上的所述不同部位上產(chǎn)生所述輸出。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，確定所述靈敏度的步驟包括基于所述局部屬性值將所述設(shè)計(jì)內(nèi)的所述不同部位分配到不同的分段，分別針對(duì)所述不同的分段估計(jì)噪聲統(tǒng)計(jì)，并且基于所述噪聲統(tǒng)計(jì)針對(duì)所述不同的分段確定所述靈敏度，并且其中，在所述檢查過程期間將要在與被分配到所述不同的分段的所述設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位對(duì)應(yīng)的所述晶片上的所述不同部位上產(chǎn)生所述輸出。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，確定所述靈敏度的步驟包括將所述局部屬性值的整個(gè)范圍內(nèi)的不同部分分配給不同的分段，基于被分配給所述不同的分段的所述不同部分中的所述局部屬性值分別確定針對(duì)所述不同的分段的不同靈敏度，并且基于針對(duì)所述不同部位確定的所述局部屬性值降低的所述不同部分將所述設(shè)計(jì)內(nèi)的所述不同部位分配給所述不同的分段。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，確定所述靈敏度的步驟包括將所述局部屬性值的整個(gè)范圍內(nèi)的不同部分分配到不同的分段，基于被分配到所述不同的分段的所述不同部分中的所述局部屬性值分別確定針對(duì)所述不同的分段的不同靈敏度，并且基于所述不同部位的所述局部屬性值、被分配給所述不同的分段的所述局部屬性值的整個(gè)范圍的所述不同部分以及針對(duì)所述不同的分段確定的所述不同靈敏度來產(chǎn)生靈敏度的圖，將采用所述靈敏度的圖根據(jù)所述設(shè)計(jì)內(nèi)的所述不同部位針對(duì)所述晶片上的所述不同部位報(bào)告缺陷。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括基于所述檢查過程期間由檢查系統(tǒng)針對(duì)所述晶片產(chǎn)生的輸出，分別確定針對(duì)所述晶片上的所述不同部位的局部圖像屬性值，其中，基于所述局部屬性值和所述局部圖像屬性值來執(zhí)行確定所述靈敏度的步驟。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括基于所述檢查過程期間由檢查系統(tǒng)針對(duì)所述晶片產(chǎn)生的輸出，分別確定針對(duì)所述晶片上的所述不同部位的局部圖像屬性值，其中，基于所述局部屬性值、所述局部圖像屬性值以及所述檢查系統(tǒng)的坐標(biāo)誤差來執(zhí)行確定所述靈敏度的步驟。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，基于所述局部屬性值和與所述設(shè)計(jì)中的熱點(diǎn)相關(guān)的信息，執(zhí)行所述確定靈敏度的步驟。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述局部屬性值不指示所述設(shè)計(jì)內(nèi)的所述不同部位是否為所述設(shè)計(jì)中的熱點(diǎn)，并且其中不基于與所述設(shè)計(jì)中的所述熱點(diǎn)相關(guān)的信息執(zhí)行確定所述靈敏度的步驟。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，執(zhí)行所述檢查過程的檢查系統(tǒng)無法分辨印刷在所述晶片上的所述設(shè)計(jì)。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述檢查過程中檢測(cè)所述晶片上的缺陷之前，執(zhí)行分別確定所述局部屬性值和確定所述靈敏度的步驟。
24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，脫機(jī)執(zhí)行分別確定所述局部屬性值和確定所述靈敏度的步驟。
25.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用所述檢查過程，基于所述檢查過程期間針對(duì)所述晶片產(chǎn)生的輸出中的各個(gè)輸出的特性的幅度檢測(cè)缺陷，而不基于所述缺陷的大小檢測(cè)所述缺陷。
26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用所述檢查過程，基于所述檢查過程期間針對(duì)所述晶片產(chǎn)生的輸出中的各個(gè)輸出的特性的幅度報(bào)告缺陷，而不基于所述缺陷的大小報(bào)告所述缺陷。
27.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述檢查過程包括確定在設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)空間中進(jìn)行檢查過程期間由所述檢查系統(tǒng)針對(duì)所述晶片產(chǎn)生的輸出的位置，使得能夠識(shí)別出與所述設(shè)計(jì)內(nèi)的所述不同部位對(duì)應(yīng)的所述晶片上的所述不同部位處產(chǎn)生的輸出。
28.一種計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，所述計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上可執(zhí)行的程序指令，以執(zhí)行用于產(chǎn)生針對(duì)晶片的檢查過程的由計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，其中，所述由計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法包括基于會(huì)在晶片的設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位造成至少一種類型的故障機(jī)制的缺陷，分別確定針對(duì)所述不同部位的局部屬性值；基于所述局部屬性值確定靈敏度，將采用所述靈敏度針對(duì)與所述設(shè)計(jì)內(nèi)的所述不同部位對(duì)應(yīng)的所述晶片上的不同部位報(bào)告缺陷；以及基于所確定的所述靈敏度產(chǎn)生針對(duì)所述晶片的檢查過程。
29.一種被構(gòu)造用于對(duì)晶片產(chǎn)生并執(zhí)行檢查過程的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括 計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)，所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)被構(gòu)造來基于會(huì)在晶片的設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位造成至少一種類型的故障機(jī)制的缺陷，分別確定針對(duì)所述不同部位的局部屬性值；基于所述局部屬性值確定靈敏度，將采用所述靈敏度針對(duì)與所述設(shè)計(jì)內(nèi)的所述不同部位對(duì)應(yīng)的所述晶片上的不同部位報(bào)告缺陷；以及基于所確定的所述靈敏度產(chǎn)生針對(duì)所述晶片的檢查過程；以及檢查子系統(tǒng)，所述檢查子系統(tǒng)被構(gòu)造用于對(duì)所述晶片執(zhí)行所述檢查過程。
全文摘要
本發(fā)明提供了用于產(chǎn)生針對(duì)晶片的檢查過程的方法和系統(tǒng)。一種計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法包括基于會(huì)在晶片的設(shè)計(jì)內(nèi)的不同部位造成至少一種類型的故障機(jī)制的缺陷，分別確定針對(duì)所述不同部位的局部屬性值。所述方法還包括基于所述局部屬性值確定靈敏度，將采用所述靈敏度針對(duì)與所述設(shè)計(jì)內(nèi)的所述不同部位對(duì)應(yīng)的晶片上的不同部位報(bào)告缺陷。另外，所述方法包括基于所確定的所述靈敏度產(chǎn)生針對(duì)所述晶片的檢查過程?？梢曰谒鼍植繉傩灾诞a(chǎn)生組，由此把將具有至少近似噪聲統(tǒng)計(jì)的像素分配到同一組，這對(duì)于缺陷檢測(cè)算法將會(huì)是重要的。更好的分段可以導(dǎo)致更好的噪聲統(tǒng)計(jì)估計(jì)。
文檔編號(hào)H01L21/66GK102422405SQ201080021084
公開日2012年4月18日 申請(qǐng)日期2010年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月13日
發(fā)明者熊艷 申請(qǐng)人:恪納騰公司