專利名稱：等離子體處理裝置以及器件的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種等離子體處理裝置以及器件的制造方法，特別涉及適合于制作微細結構的等離子體處理裝置以及器件的制造方法，該微細結構用于構成各種電子元件、半導體集成電路元件、各種傳感器、各種微型機械元件等器件。
背景技術：
作為等離子體處理裝置的一個例子，可舉出有磁場感應耦合型的干蝕刻裝置。這種干蝕刻裝置是在放電容器內產生感應耦合型等離子體、利用該等離子體對配置在處理室內的基板的表面進行干蝕刻的裝置(例如，參照專利文獻1)。放電容器由電介體形成，在其周圍卷繞有線圈狀的天線，該天線在減壓條件下的放電容器內產生感應電場。自高頻電源向天線供給電力。另外，在天線的外周配置有環(huán)狀的電磁體，環(huán)狀的電磁體與放電容器呈同心圓狀。利用該電磁體所生成的發(fā)散磁場使在放電容器內生成的等離子體擴散到處理室內。具有這樣的電磁體的有磁場感應耦合型的干蝕刻裝置能夠高效率地使等離子體擴散到處理室內，能量轉換效率高，另外，能夠得到非常有用的加工特性。專利文獻1 日本特開2000-133498號公報然而，在上述結構的干蝕刻裝置中，存在如下問題在放電容器的與處理室相反的一側存在閉塞端部，該閉塞端部產生由等離子體引起的損壞。特別是由電磁體形成的發(fā)散磁場的磁力線集中在放電容器的中心軸線部而易于局部地產生損壞，產生材質變質等、嚴重時開孔而大氣混入這樣的問題。在此，所謂的損壞是指由等離子體引起的高能帶電粒子的入射損壞、由該入射引起的發(fā)熱及其熱損壞等。作為構成放電容器的電介體，使用高頻損失少且加工特性優(yōu)越的石英玻璃，但在上述的閉塞端部易于產生玻璃的結晶化(經常稱為失透)、孔的開口。因此，存在高價的放電容器的更換周期變短這樣的問題。因此，為了使干蝕刻裝置穩(wěn)定運轉，上述的損壞部分的改善成為了必須的課題。

發(fā)明內容
鑒于上述的情況，本發(fā)明的目的在于提供一種等離子體處理裝置和使用該等離子體處理裝置的器件的制造方法，該處理裝置能夠降低由在放電容器內發(fā)生的等離子體引起的損壞，從而能夠使放電容器的更換周期延長。針對上述的問題，人們想到將放電容器從電磁體的軸向中心離開規(guī)定距離以上的方法，但在此情況下，特別是在徑向上遠離電磁體的中心軸線的區(qū)域不能確保需要的磁場強度，所以不能充分地擴散等離子體。另外，往往會因未擴散的帶電粒子導致內壁的腐蝕加快。針對于此，如本發(fā)明這樣，設置突出部而使放電容器的內壁從由等離子體形成的帶電粒子的聚集(focus)位置偏移，從而不降低擴散效率就能夠提高放電容器的耐久性。為了達成上述的目的而做成的本發(fā)明的技術方案如下所述。
S卩、本發(fā)明的等離子體處理裝置的特征在于，其包括處理室，其劃分出處理空間； 放電容器，其由筒體構成，該筒體的一端以面對上述處理室的內部的方式開口，該筒體的另一端被閉塞；天線，其配置在上述放電容器的周圍，用于使感應電場產生并用于在減壓條件下的上述放電容器的內部生成等離子體；磁體，其配置在上述放電容器的周圍，用于在上述放電容器的內部形成發(fā)散磁場，上述放電容器的閉塞端部具有向上述處理室側突出的突出部。另外，本發(fā)明的等離子體處理裝置的特征在于，其包括處理室，其劃分出處理空間；放電容器，其由筒體構成，該筒體的一端以面對上述處理室的內部的方式開口，該筒體的另一端被閉塞；天線，其配置在上述放電容器的周圍，用于產生感應電場并用于在減壓條件下的上述放電容器的內部生成等離子體；磁體，其具有被配置在上述放電容器的周圍的線圈；遮蔽構件，其位于上述放電容器內，且至少配置在上述磁體的軸向中心的位置，用于對從上述磁體的軸向中心向與上述處理室相反的一側的等離子體的擴散進行遮蔽。另外，本發(fā)明的器件的制造方法是在放電容器的內部生成等離子體、利用磁體的發(fā)散磁場使等離子體發(fā)散到處理室的內部、從而對處理對象進行處理來制造器件的方法， 其特征在于，當進行等離子體處理時配置上述放電容器，該放電容器在閉塞端部具有向上述處理室側突出的突出部。采用本發(fā)明，因為放電容器的閉塞端部具有向處理室側突出的突出部，所以能夠降低由等離子體引起的放電容器的損壞，從而能夠使放電容器的更換周期延長。


圖1是表示第1實施方式的干蝕刻裝置的概略結構的圖。圖2是表示放電容器的結構的剖視圖。圖3是用于說明電磁體的結構的概略局部剖視圖。圖4是表示電磁體與突出部的位置關系的圖。圖5是將放電容器局部地分解而表示的剖視圖。圖6是表示電磁體與突出部的位置關系的圖。圖7是示意性地表示第2實施方式的干蝕刻裝置的概略圖。圖8是表示突出部的溫度與蝕刻殘渣量之間的關系的說明圖。圖9是表示使用第2實施方式的干蝕刻裝置并以各冷卻效率進行干蝕刻處理的情況下的放電容器的溫度推移的說明圖。圖10是表示反復進行干蝕刻工序的情況下的放電容器的溫度推移的說明圖。圖11是示意性地表示第3實施方式的干蝕刻裝置的概略圖。圖12是表示配合各基板的處理而只在放電時進行冷卻的情況下、包括不放電的時間在內地連續(xù)進行冷卻的情況下的放電容器的溫度推移的說明圖。
具體實施例方式下面，參照

本發(fā)明的實施方式，但本發(fā)明不限定于本實施方式。第1實施方式在本實施方式中，作為等離子體處理裝置，例示了有磁場高頻感應耦合型的干蝕刻裝置。圖1是示意性地表示本實施方式的干蝕刻裝置的概略圖。如圖1所示，本實施方式的干蝕刻裝置1具有用于劃分出處理空間的處理室2，在其上部壁的中央部配置有放電容器3。放電容器3是一端被開口、另一端被閉塞的容器，以開口端部為下端、以閉塞端部為上端，以開口側面對處理室2內的方式配置。即、放電容器3的內部與處理室2的內部相連通。另外，處理室與排氣系統(tǒng)相連接，從而能夠一邊進行排氣一邊進行處理，這一點未加圖示。參照圖2和圖5說明本實施方式的放電容器3的詳細的結構。圖2是本實施方式的放電容器3的剖視圖，圖5是為了說明結構和制作方法而將放電容器3局部地分解而表示的剖視圖。本實施方式的放電容器3是圓筒狀的筒體，閉塞端部具有向處理室2側突出的突出部15(遮蔽構件，其在放電容器3內，且至少配置在磁體9的軸向中心的位置，用于對從磁體9的軸向中心向與處理室2相反的一側的等離子體的擴散進行遮蔽)。在此，突出部 15形成為在該突出部15與放電容器3的中心軸線Al的交點C的位置最突出的彎曲面，以使放電容器3的閉塞端部的壁厚增大。作為形成材料，可以使用石英玻璃、陶瓷、藍寶石等介電體，特別是使用石英玻璃時，因為高頻損失少、加工特性優(yōu)越，所以優(yōu)選。另外，開口端部形成有凸緣16，由此，能夠利用該凸緣將開口端部安裝到處理室2上。放電容器3例如是在分別形成凸緣16、圓筒狀的主體17以及突出部15之后，進行接合而成形為一體。另外，在本實施方式中，因為放電容器3的閉塞端部兼作突出部15，所以該突出部 15由與放電容器3相同的材料形成，但也可以由不同的材料的電介體形成。另外，突出部 15不限于彎曲面，也可以突出成圓錐狀、臺階狀。在放電容器3的周圍配置有線圈狀的天線4，該天線4例如經由匹配電路6連接到高頻電源等電源7。天線4利用來自于電源7的電力供給使放電容器3內產生感應電場并向減壓條件下的處理室2和放電容器3內導入放電用氣體，在放電容器3內生成等離子體。 另外，在本實施方式中，電源7的一端與天線4相連接，另一端接地。在高頻電源的情況下， 例如，使用13. 56MHz或者27. 12MHz的高頻。另外，在天線4的外周，作為磁場設定部件，設有環(huán)狀或者螺旋狀的電磁體9，其中心軸線A2與放電容器3的中心軸線Al配置在相同的軸線上。電磁體9用于沿軸向形成交變磁場，利用向處理室2側發(fā)散的發(fā)散磁場M使在放電容器3的內部生成的等離子體P向處理室2內擴散。在本實施方式中，使用單一的電磁體，但例如，也可以同心圓狀地配置兩個以上的電磁體。在此情況下，只要至少一個電磁體滿足本申請的發(fā)明的關系即可，例如， 在電磁體的強度有差別的情況下，優(yōu)選使形成強磁場的一方的電磁體滿足本申請的發(fā)明的關系。在處理室2內的下部設有對作為處理對象的基板10進行保持的基板保持件11，基板保持件11能夠以基板10的被處理面IOa朝向放電容器3的方式進行保持。在該基板保持件11上經由匹配電路12連接有偏置電源13，可以通過對施加到基板10的電壓進行控制來控制向基板10入射的離子能量。另外，在處理室2上設有與未圖示的氣體導入部件相連通的氣體導入口 14，可以從該氣體導入口 14向處理室2內導入用于蝕刻的處理氣體、等離子體生成所需要的放電用氣體。放電用氣體、處理氣體的種類沒有特別限定，作為放電用氣體，可以使用例如Ar、 Kr、N2等非活性氣體。另外，作為處理氣體，可以根據蝕刻處理對象的種類單獨或者組合使用例如Cl2、BC1、CHF3等鹵素或者鹵化物氣體、SO2等硫化物氣體、N2, O2等。根據處理氣體的種類的不同，也可以不使用放電氣體而將處理氣體用于放電用、蝕刻用。另外，特別是含有Sh和&的混合氣體等在超過300°C的高溫條件下易于產生蝕刻殘渣。因此，優(yōu)選如后述的第2和第3實施方式那樣一邊利用冷卻機構21將放電容器3冷卻到300°C以下一邊進行干蝕刻處理的情況(參照后述的圖7和圖11)。下面，說明作為本發(fā)明的特征部分的放電容器3的突出部15與電磁體9之間的位
置關系。如圖4所示，優(yōu)選以如下所述的方式設定突出部15的突出量和電磁體9的配置 成為電磁體9的軸向中心和徑向中心的中心點D(參照圖3)與突出部15的突出端、即突出部15和電磁體9的中心軸線A2的交點(在本實施方式中與交點C 一致)之間的距離L是 20mm以上。如圖4所示，在等離子體生成時，因為帶電粒子以卷繞于發(fā)散磁場M的磁力線的方式運動(在圖中用附圖標記E表示)，所以在磁力線集中的電磁體9的中心點D附近帶電粒子易于集中。利用突出部15將放電容器3的內壁從該易于被蝕刻的聚集位置偏移地設置，從而能夠抑制放電容器3的內壁被蝕刻。雖然設有突出部15但距離L小于20mm時，有可能不能充分地避免蝕刻。另外，將放電容器3與電磁體9過度分離而該距離L變得太大時，有可能在放電容器3內、特別是在徑向外側的部分不能確保充分的發(fā)散磁場M而擴散效率下降。同樣，也在突出部15的突出量較大的情況下，磁場的大小有可能在徑向大幅變化而擴散效率下降。因此，優(yōu)選距離L為 60mm以下。另外，雖然對放電容器3內壁的閉塞端面與電磁體9的軸向中心之間的在軸向上的距離沒有特別限定，但優(yōu)選該閉塞端面位于電磁體9的軸向中心的附近，考慮到在徑向外側得到充分的磁場的強度，優(yōu)選上述距離在Omm IOmm左右的范圍內。關于突出部的突出量，考慮到放電容器的耐久性、放電容器內的容積，優(yōu)選從放電容器底部到突出部頂端的距離為27mm 47mm。突出量過少則耐久性差，突出量過長則放電容器的容積變小而變得難以產生等離子體。另外，在圖4的例子中，將放電容器3內壁的閉塞端面和突出部15配置在比電磁體9的軸向中心靠處理室2側的位置，但不限于此。例如，如圖6所示，也可以在將閉塞端面配置在比電磁體9的軸向中心靠大氣側的位置的狀態(tài)下，通過將突出部15的突出量增大， 使得距離L為20匪以上。另外，在電磁體9和放電容器3不是同心配置的情況下，也只要突出部15沿著電磁體9的中心軸線A2向處理室2側突出，使電磁體9的軸向中心、突出部15和電磁體9的中心軸線A2的交點之間的距離為20mm以上即可。另外不需要在突出部15與電磁體9的中心軸線A2的交點位置最突出，也可以在其他的部分更突出，任意地設定突出部15的形狀。下面，說明干蝕刻裝置1的作用效果，并說明使用該干蝕刻裝置1所實施的器件的制造方法。
使用圖1的干蝕刻裝置1干蝕刻基板10的被處理面10a。另外，在本實施方式中， 例如，在器件基板10的被處理面IOa上形成的以有機物為主成份的抗蝕劑膜是處理對象。首先，在處理室2內進行等離子體處理時，配置在上述閉塞端部具有向處理室側突出的突出部15的放電容器3。在進行干蝕刻時，對處理室2進行減壓且導入放電用氣體，向天線4供給電力，從而在減壓條件下的放電容器3內生成等離子體。然后，利用電磁體9形成發(fā)散磁場，使等離子體向處理室2內擴散而與導入到處理室2內的處理氣體反應。另外，圖1中的G是處理氣體的流動方向。處理氣體在處理室2內由于等離子體P的作用而發(fā)生化學反應，從而蝕刻基板10 的被處理面10a。此時，根據需要從偏置電源13向基板保持件11的內部的電極供給電力， 從而調整向基板10入射的離子能量。例如，在基板10的被處理面IOa上制作的SW2膜的蝕刻例如通過如下方式進行 作為處理氣體使用CF4氣體來生成等離子體時，生成氟的活性種而與SiA反應。通過將產生的反應生成物(31&、02等)作為氣體而排氣、除去，實現(xiàn)蝕刻。另外，實際的微細加工預先利用光曝光和顯影技術將規(guī)定的微細的圖案作為掩模形成在要蝕刻的膜的表面上，使用該掩模圖案來實現(xiàn)對目標材料膜的蝕刻的實施。采用本實施方式的干蝕刻裝置1，因為利用突出部15，以避免由環(huán)狀的電磁體9引起的磁力線的集中部分的方式來配置放電容器3的內壁，所以降低了對放電容器3的損壞， 耐久性優(yōu)越。為了確認本發(fā)明的作用效果，使用圖1的干蝕刻裝置1進行了耐久性試驗。具體而言，用石英玻璃構成放電容器3，將突出部15的厚度設定為多種值，對于形成有突出部15 的情況和未形成突出部15的情況分別反復進行規(guī)定的干蝕刻工序，從而確認了耐久性。結果，在形成有突出部15的情況下，任意一個情況與未形成突出部15的情況相比都確認了耐久性提高的效果。這樣，使用本實施方式的干蝕刻裝置1時，能夠大幅改善放電容器3的更換周期， 在器件制造領域非常有益。第2實施方式下面，參照圖7至圖10來說明本發(fā)明的等離子體處理裝置的第2實施方式。在第 2實施方式中，與第1實施方式同樣，作為等離子體處理裝置例示了有磁場高頻感應耦合型的干蝕刻裝置。圖7是示意性地表示第2實施方式的等離子體處理裝置的概略圖。如圖7所示，第2實施方式的干蝕刻裝置20具有匹配箱5和冷卻機構21，這點與第1實施方式的干蝕刻裝置1不同。另外，對于與第1實施方式相同的構成要件標注相同的附圖標記進行說明。冷卻機構21是將突出部15局部地冷卻到10°C 300°C的裝置。本實施方式的冷卻機構21例如由送風扇形成，送風扇從放電容器3的外側朝向放電容器3的閉塞端部輸送作為冷卻介質的空氣，通過調整其送風量來設定為規(guī)定的冷卻效率。在本實施方式中，通過將冷卻效率設定為3. Off/Κ 100W/K，將突出部15冷卻為10°C 300°C。冷卻機構21配置在匹配箱5之上，在該冷卻機構21的正下方形成有開口部22，能夠直接向放電容器3送風。另外，冷卻機構21不限定于送風扇。
這樣，通過將突出部15冷卻為10°C 300°C，能夠抑制蝕刻殘渣的產生。在此，對蝕刻殘渣的產生機理進行說明。突出部15被來自于等離子體P的熱量輸入加熱時，電介體的石英玻璃、陶瓷等材料、或者沉積的沉積物被濺射，飛散到作為蝕刻對象的基板10的被處理面IOa上。在蝕刻對象的蝕刻速度比飛散的物質的飛散速度還慢的情況下、即，與蝕刻對象的選擇比大的情況，飛散的物質變成微型掩模。變成該微型掩模而被蝕刻掉的部分成為蝕刻殘渣。圖8是表示突出部的溫度與蝕刻殘渣量之間的關系的說明圖。如圖8所示，在突出部的溫度超過300°C (T0)時，產生蝕刻殘渣，隨著溫度的上升急劇地增加。因此，通過將突出部的溫度冷卻到300°C以下，能夠抑制蝕刻殘渣的產生。另外，因為在將突出部15的溫度設為小于10°C時存在結露等問題，所以優(yōu)選冷卻到10°C以上。另外，圖9是表示使用第2實施方式的干蝕刻裝置、以各冷卻效率進行干蝕刻處理的情況下的放電容器的溫度推移的說明圖。另外，放電容器3的溫度是通過用非接觸式溫度計測量突出部15的溫度而得到的。結果，確認了在冷卻效率為3W/K以上時，在一次通常的干蝕刻工序的上限處理時間、即600秒的放電中抑制為300°C以下，且平衡溫度抑制為300°C附近。下面，圖10是表示反復進行干蝕刻工序的情況下的放電容器的溫度推移的說明圖。如圖10所示，沒有冷卻機構21的結構的突出部15的溫度超過300°C而過熱，但在利用冷卻機構21進行冷卻的情況下(冷卻效率3W/K)，能夠維持突出部15在300°C以下。因此，采用第2實施方式，除了與第1實施方式相同的作用效果之外，還起到如下所述的有利的效果利用冷卻機構21的冷卻來抑制突出部15的溫度上升或者蝕刻中的溫度變化，從而能夠抑制殘渣的產生。另外，過度提高冷卻效率時，會促進沉積物向放電容器3內沉積，從而形成微粒的產生原因，或者使維護周期變短，所以最大冷卻效率優(yōu)選為ioow/κ以下。第3實施方式下面，參照圖11以及圖12說明本發(fā)明的等離子體處理裝置的第3實施方式。在第3實施方式中，與第1以及第2實施方式同樣，作為等離子體處理裝置，例示了有磁場高頻感應耦合型的干蝕刻裝置。圖11是示意性地表示第3實施方式的干蝕刻裝置的概略圖。如圖11所示，第3實施方式的干蝕刻裝置30具有對冷卻機構21進行控制的控制裝置31，這點與第2實施方式的干蝕刻裝置20不同。另外，對與第1以及第2實施方式相同的構成要件標注相同的附圖標記而進行說明?？刂蒲b置31具有與等離子體放電的閃爍(日文點滅)同步地使冷卻機構20進行動作的功能。具體而言，在處理室2內具有用于對等離子體激勵時的發(fā)光進行檢測的放電傳感器32，控制裝置31以如下所述的方式進行控制，即、在放電傳感器32檢測到放電的期間使冷卻機構21進行動作、不放電時使冷卻機構21的動作停止。放電傳感器32由受光元件形成，如圖11所示，放電傳感器32以面對處理室2內的方式配置在窗部33的外側，該窗部33形成在處理室2的側壁上。即、放電傳感器32根據經由上述窗部33檢測到的受光量對放電的有無進行判定。不限定于基于放電傳感器的檢測的間歇冷卻，例如，也可以采用如下所述的方式， 即、預先按照工藝過程用規(guī)定的序列執(zhí)行從電源7向天線4的電力供給的通/斷，控制裝置31配合該電力供給的通/斷使冷卻機構21進行間歇運轉。或者，也可以在連接電源7和天線4的傳輸路徑上設置放電檢測電路用以檢測實際的放電的開始、結束，控制裝置31以與該放電的開始、結束同步的方式使冷卻機構21進行間歇運轉。另外，不限于使冷卻機構21 進行間歇運轉的情況，例如，也可以在放電裝置31不放電時和放電時階段式地或者連續(xù)地使冷卻效率變化，從而間歇冷卻放電容器3。在此，在蝕刻處理中，溫度因來自等離子體P的熱量輸入而上升，在不進行蝕刻處理的期間，主要是自突出部15的大氣側表面利用與大氣溫度之差來降低溫度。由于該突出部15的溫度變化，導致沉積的沉積物的膜應力發(fā)生變化而引起膜剝落，作為微粒向處理對象即基板10的被處理面IOa上飛散。該微粒也變成微型掩模，從而成為蝕刻殘渣的原因。 因此，通過如上述那樣設置與放電同步地進行冷卻的控制裝置31，能夠抑制蝕刻處理前后的溫度變化，從而能夠抑制微粒的產生、蝕刻殘渣的產生。圖12是表示配合各基板的處理，只在放電時進行冷卻的情況下、包括不放電的時間地連續(xù)冷卻的情況下的放電容器的溫度推移的說明圖。如圖12所示，在沒有同步功能的情況下，蝕刻中的突出部15的溫度變化有116°C左右。相對于此，在利用上述控制裝置31 與放電同步地進行冷卻的情況下，能夠使突出部15的溫度變化減小到85°C，從而能夠抑制伴隨溫度變化的蝕刻殘渣的產生。另外，由于產生等離子體P的高頻的功率、蝕刻的時間、蝕刻處理的連續(xù)的不同， 突出部15的上升溫度不同。在此情況下，通過與突出部15的溫度相對應地變更冷卻機構 21的冷卻效率，能夠將突出部15的溫度抑制到不產生殘渣的溫度。這樣，第3實施方式基本上起到與第2實施方式相同的作用效果，但采用第3實施方式，通過運用突出部15的冷卻方法，能夠更確實地起到抑制蝕刻殘渣的產生這一有利的效果。上面，說明了本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式，但上述是用于本發(fā)明的說明的例示，其宗旨不是將本發(fā)明的范圍僅限定在上述實施方式。本發(fā)明在不脫離其主旨范圍內，能夠以與上述實施方式不同的多種方式實施。例如，突出部的形狀不限定于上述實施方式。例如，放電容器的閉塞端部的外表面也可以是在突出部凹陷而形成的凹面?？傊?，在上述實施方式中，以使閉塞端部的外表面在突出部和突出部的周圍都形成為相同的平坦面的方式對閉塞端部的外表面形成壁，但保持一定程度的壁厚并且形成凹陷時，由于能抑制突出部分的熱容量，且從外表面?zhèn)冗M行冷卻時能夠增大冷卻面積，所以冷卻效果好。另外，適用裝置不限定于蝕刻裝置，也能在下述裝置中適用，S卩、在放電容器產生等離子體，經由柵極(grid)向處理室側引入離子束的離子束裝置、CVD裝置等。
實施例下面，說明本發(fā)明的實施例。在圖1所示的干蝕刻裝置1中，調整電磁體9與放電容器3的位置關系，將上述距離L設定為各種值，在下述所示的條件下進行了耐久性試驗。處理氣體=CH3OH處理氣體流量30sccm
向天線4供給的電力3000W偏置電力2000W電磁體電流25A向處理室2內導入CH3OH作為處理氣體，進行總計7小時的放電，然后，利用目視比較各放電容器3的內壁的狀態(tài)。結果，距離L小于20mm時，在突出部15的表面略微殘留有切削的痕跡，在距離L 為20 60mm的本發(fā)明的突出部15的表面未殘存有受到切削、損壞的痕跡。另外，L遠大于60mm時，未引起充分的擴散，從而蝕刻率下降。根據上述的情況確認了本發(fā)明的等離子體處理裝置的放電容器的耐久性優(yōu)越。附圖標記說明1、20、30、干蝕刻裝置(等離子體處理裝置)；2、處理室；3、放電容器；4、天線；7、 電源；9、電磁體；10、基板；10a、被處理面；11、基板保持件；15、突出部；16、凸緣；17、主體； 21、冷卻機構；31、控制裝置；32、放電傳感器；P、等離子體；M、發(fā)散磁場。
權利要求
1.一種等離子體處理裝置，其特征在于， 等離子體處理裝置包括處理室，其用于劃分出處理空間；放電容器，其由筒體構成，該筒體的一端以面對上述處理室的內部的方式被開口，該筒體的另一端被閉塞；天線，其配置在上述放電容器的周圍，用于產生感應電場并用于在減壓條件下的上述放電容器的內部生成等離子體；磁體，其配置在上述放電容器的周圍，用于在上述放電容器的內部形成發(fā)散磁場； 上述放電容器的閉塞端部具有向上述處理室側突出的突出部。
2.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 上述磁體是具有被配置在放電容器周圍的線圈的電磁體； 上述突出部向比上述磁體的軸向中心靠上述處理室的一側突出。
3.根據權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于，上述突出部的突出端與上述磁體的軸向中心之間的在軸向上的距離設定為20mm以上。
4.根據權利要求1至3中的任意一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于，上述突出部由與上述放電容器相同的材料或者不同的材料的電介體形成，以使上述放電容器的閉塞端部的壁厚增大的方式形成。
5.根據權利要求1至4中的任意一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 等離子體處理裝置具有用于冷卻上述突出部的冷卻機構。
6.一種等離子體處理裝置，其特征在于， 等離子體處理裝置包括處理室，其用于劃分出處理空間；放電容器，其由筒體構成，該筒體的一端以面對上述處理室的內部的方式被開口，該筒體的另一端被閉塞；天線，其配置在上述放電容器的周圍，用于產生感應電場，并用于在減壓條件下的上述放電容器的內部生成等離子體；磁體，其具有在上述放電容器的周圍配置的線圈；遮蔽構件，其位于上述放電容器內，且至少配置在上述磁體的軸向中心的位置，用于對從上述磁體的軸向中心向與上述處理室相反的一側的等離子體的擴散進行遮蔽。
7.一種器件的制造方法，其在放電容器的內部生成等離子體，利用磁體的發(fā)散磁場使等離子體向處理室的內部擴散，從而對處理對象進行處理來制造器件，其特征在于，當進行等離子體處理時配置上述放電容器，該放電容器在閉塞端部具有向上述處理室側突出的突出部。
8.根據權利要求7所述的器件的制造方法，其特征在于，上述等離子體處理是在上述處理室的內部利用等離子體對處理對象進行干蝕刻的處理。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子體處理裝置以及器件的制造方法。等離子體處理裝置降低由在放電容器中產生的等離子體引起的損壞，從而使放電容器的更換周期延長。等離子體處理裝置(1)包括處理室(2)，其用于劃分出處理空間；放電容器(3)，其一端以面對處理室(2)的內部的方式被開口，另一端被閉塞；天線(4)，其配置在放電容器(3)的周圍，用于產生感應電場并用于在減壓條件下的放電容器(3)的內部生成等離子體；電磁體(9)，其配置在放電容器(3)的周圍，用于在放電容器(3)的內部形成發(fā)散磁場。在放電容器(3)的閉塞端部形成有向處理室側突出的突出部(15)。
文檔編號H01L21/3065GK102428545SQ20108002181
公開日2012年4月25日 申請日期2010年8月25日 優(yōu)先權日2009年8月25日
發(fā)明者關口敦, 小平吉三, 松井尚子, 松橋亮, 赤坂洋 申請人:佳能安內華股份有限公司