專利名稱：具有非平面基底表面的基底處理方法
技術領域：
本發(fā)明涉及具有非平面表面的基底處理方法。
背景技術：
在制造高級元件中，可能有必要處理具有非平面表面的基底。此類元件的實例包含三維(three dimensional，3D)FinFET，其具有升高鰭，所述鰭具有水平及垂直定向的表面區(qū)段；以及CMOS影像感測器(CMOS image sensor，CIS)及eDRAM，其各自具有溝槽，所述溝槽具有水平及垂直定向的表面區(qū)段。用于處理此基底的技術中的一個可包含摻雜，以修改原始基底的電、機械、光學及熱特性或此類特性的組合。FinFET的源極/漏極(source/ drain, SD)區(qū)、CMOS影像感測器中的淺溝槽(shallow trench)的側壁，及eDRAM中的深溝槽(de印trench, DT)的側壁可經摻雜以修改基底的特性?？山浻呻x子植入(即，基于粒子的步驟)而執(zhí)行摻雜技術。在離子植入中，在離子源中產生離子。其后，以單一、均一或實質上均一的角度朝向位于離子源下游處的基底引導離子。離子隨后入射于基底表面上且處理所述基底。無論用于平面亦或非平面基底，離子植入技術均為視線(line-of-sight)技術。 充分地暴露且有效地處理垂直于或實質上垂直于離子的入射角的表面區(qū)段。然而，以另一角度定向的其他表面區(qū)段可能未經充分暴露，且所述表面可能無法有效處理。例如，在基于等離子的摻雜技術中，基底的靠近垂直于或實質上垂直于離子流的表面區(qū)段的區(qū)域可能以比靠近平行于離子流的表面區(qū)段的其他區(qū)域高得多的劑量(例如，高達10至100倍)被摻雜。因此，可能發(fā)生非保形(non-conformal)處理。處理中的此變化可能導致具有非均一特性的基底，且最終元件可能無法最佳地操作。因為高級元件需要均一特性，故所述技術保形地處理以不同角度定向的表面可為合意的。例如，在摻雜技術中，在靠近不同定向的表面區(qū)段的區(qū)域中達成相等或實質上相等的摻雜劑濃度可為合意的。盡管已提出眾多技術，但所提出的技術達成有限的成就。因此， 需要一種新技術。

發(fā)明內容
本發(fā)明揭示一種保形地處理具有非平面表面的基底的技術。所述技術包含若干階段。在第一階段中，有效地處理所述基底的某些表面。在第二階段期間，這些表面經處理以限制或消除對這些表面的進一步處理。在第三階段期間，處理所述基底的其他表面。在某些應用中，在所述第一及第二階段中處理垂直于或實質上垂直于粒子流的表面，而在所述第三階段中處理其他表面。在某些實施例中，所述第二階段包含在所述基底上沉積膜。


為了更好地理解本發(fā)明，對附圖作出參考，在附圖中，用相同標號參考相同元件， 且其中
圖Ia至圖Id表示根據(jù)一個實施例用于處理具有非平面表面的基底的一系列步
馬聚ο圖2為顯示含有停止1. 5keV植入所需的As的膜的厚度的圖表。圖3為顯示氧處理對AsH3植入的保留劑量的影響的圖表。圖4為顯示保留劑量及串聯(lián)電阻對AsH3植入的劑量之間的關系的圖表。圖5為顯示保留劑量及串聯(lián)電阻對AsH2植入的劑量之間的關系的圖表。圖6表示根據(jù)一個實施例用于處理基底的系統(tǒng)。圖7表示根據(jù)第二實施例用于處理基底的系統(tǒng)。
具體實施例方式在本發(fā)明中，介紹用于處理具有非平面表面的基底的新穎技術的若干實施例。出于清楚及簡明的目的，將在一系統(tǒng)及制程的上下文中描述實施例，在所述系統(tǒng)及制程中，在一或多種處理劑入射于基底上時處理所述基底。系統(tǒng)及制程的特定實例可包含基于等離子的系統(tǒng)及技術，其中所述處理劑包含帶電粒子。本發(fā)明中的粒子可涉及基于亞原子、原子或分子的粒子，包含光子、聲子、電子、質子、中子、離子、氣團(gas cluster)等。本發(fā)明中不排除沒有必要涉及等離子的系統(tǒng)及制程(例如，化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)技術、原子層沉積(atomic layer deposition, ALD)技術、分子束磊晶(molecular beam epitaxy,MBE)技術)。此外，本發(fā)明可同等地適用于基于其他粒子或其他類似于粒子的處理劑(包含中性粒子、光子及聲子)的系統(tǒng)及技術，例如，基于雷射的系統(tǒng)及制程等。為了避免混淆，本發(fā)明將集中于基于等離子的制程，例如，等離子輔助型摻雜(plasma assisted doping, PLAD)或等離子浸沒式離子植入(plasma immersion ion implantation, PHI)系統(tǒng)，或等離子增強型化學氣相沉積系統(tǒng)(plasma enhanced chemical vapor deposition system, PECVD)，及其執(zhí)行系統(tǒng)。然而，本領域技術人員將認識到，本發(fā)明不限于此類基于等離子的系統(tǒng)及制程。另外，本發(fā)明將集中于具有多個表面區(qū)段的FinFET基底，其中所述表面區(qū)段中的一個經定向以與另一不同表面區(qū)段相比具有對朝基底導向的粒子的較大暴露。前一表面區(qū)段可經定向為橫越(但不一定垂直)朝基底導向的粒子路徑，使得所述表面區(qū)段具有對所述粒子的較大暴露。同時，后一表面區(qū)段可經定向為沿著(但不一定平行)粒子路徑，使得后一表面區(qū)段具有對粒子的較小暴露。雖然本發(fā)明集中于FinFET基底，但本領域技術人員將認識到，本發(fā)明將同等地適用于具有以不同角度定向的表面區(qū)段的任何類型的基底。用于處理具有非平面表面的基底的方法參看圖Ia至圖ld，顯示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例用于處理具有非平面表面的基底的方法。所述方法可包括第一至第三階段。在一個實施例中，可循序地執(zhí)行所述階段，其中一個階段僅在另一階段完成的后執(zhí)行。在另一實施例中，可同時執(zhí)行所述階段中的至少一些。又在另一實施例中，兩個或兩個以上階段的至少一部分可同時發(fā)生。在一個實施例中，可指定所述階段的次序。然而，在另一實施例中，可不指定所述階段的次序，且可以任何次序執(zhí)行所述階段。在第一階段期間，可優(yōu)先處理基底100的第一區(qū)。本文中，第一表面區(qū)段可為具有對入射于基底上的粒子或處理劑的最高暴露的表面區(qū)段。在粒子以垂直于或實質上垂
5直于基底的角度入射的一個實施例中，所述第一表面區(qū)段可為水平延伸區(qū)段102，且第一區(qū) 10 可為水平延伸區(qū)段102下方的區(qū)域。同時，第二表面區(qū)段可為垂直延伸區(qū)段104，且第二區(qū)可為鄰近于垂直延伸區(qū)段104的區(qū)域10如。在另一實施例中，第一表面區(qū)段可為垂直延伸區(qū)段104，且第一區(qū)可為鄰近于垂直延伸區(qū)段104的區(qū)域l(Ma。同時，第二表面區(qū)段可為水平延伸區(qū)段102，且第二區(qū)可為水平延伸區(qū)段102下方的區(qū)域10加。出于清楚及簡明的目的，將在前一實施例的上下文中描述所述方法。因此，本文中的第一表面區(qū)段可指代水平延伸表面區(qū)段，且水平延伸表面區(qū)段下方的區(qū)域將被稱作第一區(qū)。在一個實施例中，可在第一階段期間執(zhí)行的制程可為摻雜制程。另外，可例如經由離子植入制程執(zhí)行所述摻雜。在執(zhí)行所述摻雜制程中，如圖Ib中所示，可用摻雜劑植入第一區(qū)102a，直至達成所要摻雜劑程度為止。在本發(fā)明中，所要摻雜劑程度可處于約IXlO5 摻雜劑/cm2至約IXlO3tl摻雜劑/cm2的范圍中。另外，可以所要深度植入第一區(qū)10加。所植入的粒子的能量可處于約^feV至約15KeV的范圍中。若諸如PLAD系統(tǒng)的基于等離子的系統(tǒng)用于執(zhí)行第一階段，則可藉由調整施加至基底的偏壓來控制所要摻雜劑深度。若使用諸如束線離子植入系統(tǒng)(beam-line ion implantation system)的系統(tǒng)，則可藉由調整朝基底導向的粒子的加速或減速來控制摻雜劑深度。亦可藉由經由例如退火制程調整基底的溫度來控制摻雜劑深度。在某些實施例中，與第二表面區(qū)段104及第二區(qū)10 相比，第一階段可更完全地處理第一表面區(qū)段102及第一區(qū)10 。舉例而言，在摻雜制程中，可以所要劑量的摻雜劑植入第一區(qū)102a，而第二區(qū)10 可能接納很少或不接納所植入的摻雜劑。本發(fā)明的方法亦可包括第二階段。在一個實施例中，可在第一階段的后執(zhí)行第二階段。在另一實施例中，可同時執(zhí)行第一及第二階段。又在另一實施例中，可在第一階段之前執(zhí)行第二階段。在本實施例中，可在第二階段期間執(zhí)行的制程可為沉積制程。然而，在另一實施例中，第二制程技術可為另一不同類型的制程。在第二階段期間，如圖Ic中所示，可在第一表面區(qū)段102上形成薄的膜106。盡管亦可在第二表面區(qū)段104上形成薄的膜108， 但膜108形成于第二表面區(qū)段104上的速率可小于膜106形成于第一表面區(qū)段102上的速率。因此，若膜106及108分別形成于第一區(qū)段102及第二區(qū)段104兩者上，則形成于第一區(qū)段102上的膜106可比形成于第二區(qū)段104上的膜厚。第二階段可繼續(xù)，直至形成于第一表面區(qū)段102上的膜106的厚度大于80 A為止。在另一實施例中，第二階段可繼續(xù)，直至形成于第一表面區(qū)段102上的膜106的厚度比形成于第二表面區(qū)段104上的膜108的厚度大約10倍或10倍以上為止。又在另一實施例中，第二階段可繼續(xù)，直至膜106具有足夠厚度以防止或限制第一表面區(qū)段102及第一區(qū)10 在第三階段期間進一步處理為止，如下文所描述。在第二階段結束時，以不同角度定向的不同表面區(qū)段可具有擁有不同厚度的膜。如圖2中所說明，可使用碼TRIM計算含有停止1. ^eV植入所需的As的膜的厚度。 圖2顯示很少的離子穿透通過約80 A的深度。因此，此厚度的As膜將足以限制或防止對第一區(qū)10 的進一步離子植入?？山逵傻谌A段(如下文所述)的制程條件(例如，粒子種類及植入能量)和/或經形成以防止或限制在第三階段期間進一步植入的膜的特性(例如，密度或種類)來界定在第二階段期間所形成的膜可能需要達到的厚度。對于較高能量及較低膜密度，厚度將增加。形成于第一表面區(qū)段102上的膜可含有第一階段的摻雜劑中亦含有的物質。舉例而言，第一階段中所使用的摻雜劑及第二階段期間所形成的膜可含有砷(As)、碳(C)、硼 (B)、鎵(( )、鍺(Ge)、硅(Si)或其他金屬或非金屬材料。在另一實例中，第二階段期間所形成的膜可不含有第一階段期間所植入的摻雜劑中的物質。若諸如PLAD或PECVD系統(tǒng)的基于等離子的系統(tǒng)用于執(zhí)行第二階段，則施加較低或較佳為零的偏壓以促進膜的形成和/或阻礙將帶電粒子植入至基底中。另外，等離子參數(shù)可經調整以控制形成于第一表面區(qū)段102及第二表面區(qū)段104上的膜的厚度的比率。舉例而言，可調整等離子密度及反應速率。可藉由增加施加至等離子源的功率來調整等離子密度。可在第11/771，190號、第12/098，781號及第12/105，761號共同待決申請案中找到調整等離子密度的詳細描述，所述申請案中的每一個全文以引用的方式并入本文中。同時， 可藉由增加施加至等離子源的RF功率，或替代地藉由增加引入至系統(tǒng)的膜前驅體(film precursor)的濃度，來調整反應速率。本發(fā)明的方法亦可包括第三階段。在第三階段中，優(yōu)先處理其上尚未形成膜或其上形成具有較小厚度的膜的第二表面區(qū)段104。在本實施例中，第三階段可與第一階段相同或類似于第一階段。由此，若第一階段例如為植入制程，則第三階段亦可為植入制程。另外，在第一及第三階段期間所植入的摻雜劑可含有相同或不同物質。當粒子入射于第二表面區(qū)段104上時，處理區(qū)域10如。同時，形成于第一表面區(qū)段102上的膜106可防止或替代地限制表面區(qū)段102及第一區(qū)10 受到進一步處理。因此，可防止第一表面區(qū)段102及第一區(qū)10 被以粒子植入且經處理。或者，可以比植入第二表面區(qū)段104的速率低得多的速率以摻雜劑植入第一表面區(qū)段102。藉由用膜防止或限制第一表面區(qū)段102上的粒子植入，且促進第二表面區(qū)段104及第二區(qū)10 上的粒子植入， 可避免或校正摻雜劑程度、植入深度或在不同表面區(qū)段間原本將發(fā)生的其他結果的較廣變化。本發(fā)明中所描述的方法可具有可選的化學或等離子處置階段。在所述可選階段期間，沉積于一或多個表面區(qū)段上的膜可暴露于含有氧的原子、分子或等離子(例如，02、03、 H2O),且所述膜可被氧化?；蛘?，所述膜可暴露于含有氮的原子、分子或等離子(例如，隊或 NH3)，且致使膜的氮化。又在另一實例中，所述膜可暴露于另一氣態(tài)物質且與所述氣態(tài)物質起化學反應。藉由對所述膜進行改質，可減少沉積于基底上的材料的揮發(fā)性(volatility)。 另外，可在所述階段期間對所述膜進行化學改質，以改良可溶性(solubility)且可進行植入后剝離(post implant stripping)。在圖3中給出仏等離子處置及其對As保留劑量及植入分布的影響的實例。在此實例中，As的濃度在暴露于氧處置10秒后在幾乎所有深度處增加。在本實施例中，第一至第三階段以及可選改質階段的制程條件及參數(shù)可不同。如上文所述，較佳在第二階段期間避免粒子的植入。然而，在第三階段期間，最小程度的沉積或濺鍍?yōu)檩^佳。在此階段期間沉積膜可防止在所要表面區(qū)段處植入粒子。同時，濺鍍可移除含有先前植入的摻雜劑的區(qū)域。在圖4及圖5中說明摻雜依據(jù)PLAD劑量而增加的制程的實例。在第一至第三階段為基于等離子的制程的實施例中，包含施加至等離子源和/或基底的RF功率、能量、氣體成分、稀釋氣體(diluent gas)、工作系數(shù)(duty factor)等的制程條件可經調整以將等離子摻雜制程置于所需機制(regime)的中心。在第11/771，190 號、第12/098，781號、第12/105，761號及第11/376，522號共同待決申請案中描述了多設
7定點 RF 產生器(multi set-point RF generator)禾口 / 或斜坡電壓(ramped voltage)的使用，所述申請案中的每一個全文以引用的方式并入本文中。在本發(fā)明中，每一階段可繼續(xù)，直至達成所要特性為止。在第一及第三階段涉及摻雜劑植入且第二階段涉及膜形成的實施例中，每一階段可繼續(xù)，直至達成所要的植入劑量或膜厚度為止。可藉由監(jiān)視粒子劑量、由制程表征(process characterization)及校準所判定的制程時間或自基底本身或腔室所接收的信號(例如，光學信號)來偵測每一階段的終點。上文所描述的制程順序是例示性的制程順序。視特定應用的要求而定，可改變上文所描述的步驟的次序。另外，可重復每一個別階段，且可重復一組階段。此外，可視應用及結構的幾何形狀而定調整制程條件，以達成最佳結果。舉例而言，用于處理具有非平面表面的基底的方法可用于有效地摻雜動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic random access memory, DRAM)電容器結構的溝槽。在此實例中，所述溝槽可具有IOOnm開口及4000nm深度的尺寸。為了摻雜所述溝槽，可以較高植入能量(例如，大于等于IOkV)以As對所述結構進行植入。此例示性實施例中所使用的系統(tǒng)可為PLAD 系統(tǒng)或束線離子植入器。在第一階段期間，具有足夠植入能量的離子可以淺角(shallow angle)入射于溝槽壁上。入射于溝槽上的壁上的離子的一部分可自表面彈起，且可均一地摻雜溝槽的整個深度。在可選的化學或等離子處置階段期間，所述膜可暴露于O2等離子。 所述處置階段可減小沉積于晶圓上的材料的揮發(fā)性，并促進后處理(post processing)。例示性系統(tǒng)參看圖6，顯示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例用于處理具有非平面表面的基底的例示性系統(tǒng)。本文中所揭示的系統(tǒng)600可為獨立系統(tǒng)。或者，系統(tǒng)600可為包含一或多個系統(tǒng) 600、一或多個基底監(jiān)視系統(tǒng)、一或多個其他類型的基底處理系統(tǒng)及用于在不同系統(tǒng)之間轉移基底的一或多個轉移系統(tǒng)的群集工具(cluster tool)的一部分。系統(tǒng)600可包括處理腔室602，其通常能夠與例如渦輪泵606、機械泵608以及其他必需的真空密封組件一起具有高真空基礎壓力(high vacuum base pressure)。在處理腔室602內可存在支撐至少一個基底603的平臺610。平臺610可裝備有一或多個溫度管理元件，以調整并維持基底603的溫度。亦可適應(accommodate)基底603的傾斜或旋轉， 以將基底與背景磁場(background magnetic field)對準。偏壓源620可電耦接至平臺 610，因此耦接至基底603，從而將偏壓施加至基底603?？山逵商峁┻B續(xù)或脈沖RF或DC電流來施加所述偏壓。若偏壓源620提供RF電流，則可在偏壓源與平臺610之間提供阻抗匹配網路(impedance matching network)(未圖示)。在本實施例中，偏壓源620能夠在操作期間調整并改變施加至基底603的偏壓。舉例而言，偏壓源620可在操作期間連續(xù)地或步進地斜坡升高或降低施加至基底603的偏壓。處理腔室602亦可裝備有一或多個原位(in situ)監(jiān)視系統(tǒng)。舉例而言，處理系統(tǒng)602中可包含一或多個溫度監(jiān)視系統(tǒng)，以監(jiān)視基底的溫度和/或環(huán)境溫度。腔室602亦可裝備有磁場監(jiān)視系統(tǒng)(未圖示)，其能夠監(jiān)視背景磁場和/或制程完整性。系統(tǒng)600亦可包括等離子腔室604，其可與處理腔室602耦接或與處理腔室602間隔開，因此遠離處理腔室602。等離子腔室亦可包含等離子源612，以用于產生高或低密度等離子。舉例而言，等離子腔室604可包含感應耦接等離子(inductively coupled plasma,ICP)源、電容耦接等離子(capacitively coupled plasma, CCP)源、微波(microwave，MW) 源、輝光放電(glow-discharge，⑶)源、螺旋波(helicon)源或其組合。若等離子腔室604 裝備有ICP源，則系統(tǒng)600可包括平面及螺旋形線圈61 及612b中的至少一個、電耦接至線圈61 及61 中的一個或兩者的電源612c以及阻抗匹配網路612d。若系統(tǒng)600裝備有CCP源，則系統(tǒng)600可包括至少一個電極(未圖示)，其經定位以使得基底602界于所述電極與平臺610之間。亦可包含電源612c，以將電極及平臺610電耦接。此外，電源612c 可耦接至阻抗匹配網路612d。若系統(tǒng)600裝備有⑶源，則系統(tǒng)600可包括至少一個電極 (未圖示)，其經定位以使得基底602界于所述電極與平臺610之間。另外，電源612可電耦接至電極及平臺610。視等離子源612的類型而定，所述電源可為RF電源或DC電源。舉例而言，若等離子源612為ICP或CCP源，則電源可為RF電源。然而，若等離子源612為GD源，則電源 612可為DC源。若等離子源為CCP源，則電源612c可提供處于30至200MHz的范圍中的高頻RF電流。然而，亦可使用具有其他頻率的RF電流。若等離子源612為ICP源，則由電源 612c提供的RF電流可為處于1至30MHz的范圍中的RF電流。然而，亦可使用具有其他頻率的RF電流。若等離子源612為麗源，則RF電流可處于.3至300GHz的范圍中。然而， 亦可使用具有其他頻率的RF電流。電源612可提供連續(xù)或脈沖電流。可在第10/905，172 號共同待決申請案中找到對具有ICP等離子源的系統(tǒng)的詳細描述，所述申請案全文以引用的方式并入本文中。在一個實施例中，將功率提供至等離子源(例如，線圈或電極)的電源612c亦可為將偏壓提供至平臺610的偏壓源。舉例而言，系統(tǒng)600可包括用以啟動(activate)平臺以及多個線圈(或電極)中的至少一個的單一電源。然而，系統(tǒng)600可較佳包括兩個或兩個以上電源，至少一個電源啟動等離子源的線圈或電極，且至少一個另一電源啟動處理腔室的平臺。系統(tǒng)600亦可包含一或多個處理氣體源614及一或多個稀釋氣體源616。在本發(fā)明中，處理氣體源614可含有包含硼(B)、磷或As的物質。處理氣體源614可含有其他物質。一或多個稀釋劑源616可含有包含氦、氖、氬、氪、氙、氡、氧、氮或其他氣體的物質。如上文所述，本文中所描述的系統(tǒng)600可為獨立系統(tǒng)600。或者，系統(tǒng)600可為含有一或多個處理和/或監(jiān)視系統(tǒng)的群集工具的一部分。若系統(tǒng)600為群集工具的一部分， 則所述群集工具可包含轉移機構，其用以將基底轉移至各種處理和/或監(jiān)視系統(tǒng)及自各種處理和/或監(jiān)視系統(tǒng)轉移基底，以在不將基底引入至開放大氣的情況下循序地執(zhí)行各種制程。參看圖7，顯示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例用于處理具有非平面表面的基底的例示性系統(tǒng)。在此實施例中，顯示束線離子植入器。所述離子植入器可包含用于產生離子的離子源702。離子植入器700亦可包括一系列束線組件，離子束706通過所述束線組件。束線組件的實例可包含萃取電極704、磁質量分析器(magnetic mass analyzer) 706、多個透鏡 708、束平行化器(beam parallelizer) 710及加速/減速平臺712。離子植入器700亦可包含支撐待植入的晶圓714的平臺716。同時，可藉由一組件(有時稱作“轉板(roplat)”) (未圖示)使晶圓714在一或多個維度上移動(例如，平移、旋轉及傾斜)。在植入期間，自離子源702產生及萃取諸如氫離子的所要物質的離子。其后，所萃取的離子707沿著束線組件以束狀狀態(tài)行進并植入至晶圓714。非常類似于操縱光束的一系列光學透鏡，束線組件操縱離子束707。由束線組件操縱的離子束707被引導。
揭示一種用于處理具有非平面表面的基底的新穎方法及系統(tǒng)。如上文所述，所述系統(tǒng)及方法可適用于制造或處理各種類型的基底(包含F(xiàn)inFET或DRAM)。雖然本文已在出于特定目的特定實施于特定環(huán)境中的特定實施例的上下文中描述了本發(fā)明，但本領域技術人員將認識到，其有效性不限于此且本發(fā)明可出于任何數(shù)目的目的有益地實施于任何數(shù)目的環(huán)境中。在不脫離本文中所界定的本發(fā)明的精神及范疇的情況下，可作出形式及細節(jié)上的各種改變。因此，應依據(jù)本文中所描述的本發(fā)明的全部廣度及精神來解釋下文所陳述的申請專利范圍。
權利要求
1. 一種處理非平面基底的方法，所述基底具有第一表面及第二表面，所述處理非平面基底的方法包括在所述基底上執(zhí)行第一階段，其中所述階段比所述第二表面更完全地處理所述第一表執(zhí)行第二階段，所述第二階段限制對所述第一表面的進一步處理；以及在所述第二階段之后執(zhí)行第三階段，其中所述第二表面比所述第一表面處理得更完全。
2.根據(jù)權利要求1所述的處理非平面基底的方法，其中所述第一階段及所述第三階段包括相同的處理步驟。
3.根據(jù)權利要求1所述的處理非平面基底的方法，其中所述第一表面及所述第二表面以不同角度定向。
4.根據(jù)權利要求3所述的處理非平面基底的方法，其中所述第一表面及所述第二表面實質上彼此垂直。
5.根據(jù)權利要求2所述的處理非平面基底的方法，其中所述第一階段及所述第三階段包括將離子植入于所述基底中。
6.根據(jù)權利要求1所述的處理非平面基底的方法，其中所述第一表面經定向為與所述第二表面相比具有對朝所述基底導向的粒子的較大暴露。
7.根據(jù)權利要求1所述的處理非平面基底的方法，其中粒子在朝向所述基底的粒子路徑中行進，且所述第一表面實質上垂直于所述粒子路徑。
8.根據(jù)權利要求7所述的處理非平面基底的方法，其中所述第二表面平行于或實質上平行于所述粒子路徑。
9.根據(jù)權利要求1所述的處理非平面基底的方法，其中所述第二階段包括在所述基底上沉積膜。
10.根據(jù)權利要求8所述的處理非平面基底的方法，其中所述第二階段繼續(xù)，直至在所述第一表面上沉積足夠厚以限制進一步處理的膜為止。
11.根據(jù)權利要求8所述的處理非平面基底的方法，進一步包括將所述膜暴露于含有氧的原子、分子或等離子。
12.根據(jù)權利要求8所述的處理非平面基底的方法，進一步包括將所述膜暴露于含有氮的原子、分子或等離子。
13.根據(jù)權利要求1所述的處理非平面基底的方法，其中所述第二階段在所述第一階段之前。
14.一種將離子植入于非平面基底中的方法，包括將所述離子植入至所述基底中，所述基底具有垂直于或實質上垂直于所述離子的流的第一表面區(qū)段以及平行于或實質上平行于所述離子的所述流的第二表面區(qū)段，藉此，所述第一表面區(qū)段比所述第二表面區(qū)段被更多地植入；將膜沉積在所述基底上，藉此，所述第一表面區(qū)段上所述膜的厚度大于所述第二表面區(qū)段上所述膜的厚度；以及將所述離子植入至所述基底中，藉此，所述第一表面區(qū)段上的所述膜限制將額外離子植入至所述第一表面區(qū)段中，同時將所述離子植入于所述第二表面區(qū)段中。
15.根據(jù)權利要求14所述的將離子植入于非平面基底中的方法，藉此，所述第一表面區(qū)段上的所述膜足夠厚，以防止所述離子穿透所述膜并對所述第一表面區(qū)段進行植入。
16.根據(jù)權利要求14所述的將離子植入于非平面基底中的方法，進一步包括將所述膜暴露于含有氧的原子、分子或等離子。
17.根據(jù)權利要求14所述的將離子植入于非平面基底中的方法，進一步包括將所述膜暴露于含有氮的原子、分子或等離子。
全文摘要
本發(fā)明提供一種保形地處理具有非平面表面的基底的技術。所述技術包含若干階段。在第一階段中，有效地處理所述基底的某些表面。在第二階段期間，這些表面經處置以限制或消除對這些表面的進一步處理。在第三階段期間，處理所述基底的其他表面。在某些應用中，在所述第一及第二階段中處理垂直于或實質上垂直于粒子流的表面，而在所述第三階段中處理其他表面。在某些實施例中，所述第二階段包含在所述基底上沉積膜。
文檔編號H01L21/02GK102449731SQ201080023330
公開日2012年5月9日 申請日期2010年4月23日 優(yōu)先權日2009年4月24日
發(fā)明者喬治·D·帕帕守爾艾迪斯, 尹赫云, 維克拉姆·辛 申請人:瓦里安半導體設備公司