專利名稱：制造電子裝置的設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及將鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)和平面電子裝置集成于共同襯底上的裝置以及形成這些裝置的方法。
背景技術(shù)：
技術(shù)的進(jìn)步已產(chǎn)生更小且更強(qiáng)大的個人計算裝置。舉例來說，當(dāng)前存在多種便攜式個人計算裝置，包括無線計算裝置，例如便攜式無線電話、個人數(shù)字助理(PDA)和尋呼裝置，其體積小、重量輕且易于由用戶攜帶。更具體來說，便攜式無線電話(例如蜂窩式電話和因特網(wǎng)協(xié)議(IP)電話)可經(jīng)由無線網(wǎng)絡(luò)傳送話音和數(shù)據(jù)包。此外，許多這些無線電話包括并入于其中的其它類型的裝置。舉例來說，無線電話還可包括靜態(tài)數(shù)字相機(jī)、數(shù)字視頻相機(jī)、數(shù)字記錄器和音頻文件播放器。而且，這些無線電話可處理可執(zhí)行指令，包括可用于接入因特網(wǎng)的軟件應(yīng)用程序(例如網(wǎng)絡(luò)瀏覽器應(yīng)用程序)。然而，這些便攜式裝置的功率消耗可快速耗盡電池且削弱用戶的體驗。減少功率消耗已導(dǎo)致這些便攜式裝置內(nèi)的更小的電路特征大小和操作電壓。特征大小和操作電壓的減小在減少功率消耗的同時還增加對噪聲和對制造工藝變化的敏感度。 鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)為可密集地封裝于襯底上的低功率、高速晶體管。遺憾的是， FinFET并不適合于集成電路設(shè)計中的所有目的。不同應(yīng)用可能涉及不同類型晶體管裝置的使用。一個應(yīng)用可能包括絕緣體上硅(SOI)或塊體硅襯底上的FinFET和平面金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)兩者。然而，集成FinFET和MOSFET的技術(shù)通常傾向于導(dǎo)致FinFET柵極與MOSFET柵極之間的大高度差。因而，此高度差除了導(dǎo)致若干制造步驟(例如使用多個光致抗蝕劑層)以外，還導(dǎo)致復(fù)雜光刻和蝕刻工藝來形成FinFET和MOSFET裝置。

發(fā)明內(nèi)容
在一特定實施例中，本發(fā)明揭示一種設(shè)備。所述設(shè)備包括具有壓印表面的模板。所述壓印表面包括具有適于制造鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)裝置的第一圖案的第一區(qū)，和具有適于制造平面電子裝置的第二圖案的第二區(qū)。在另一特定實施例中，本發(fā)明揭示一種制造電子裝置的方法。所述方法包括通過將模板施加于由襯底支撐的流體光致抗蝕劑材料而形成圖案化光致抗蝕劑層，和使用所述形成的圖案化光致抗蝕劑層來形成所述電子裝置。所述模板具有壓印表面，所述壓印表面包括具有適于制造鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)裝置的第一圖案的第一區(qū)，和具有適于制造平面電子裝置的第二圖案的第二區(qū)。在另一特定實施例中，本發(fā)明揭示一種裝置。所述裝置包括鰭式場效應(yīng)晶體管 (FinFET)裝置和平面電子裝置。所述FinFET裝置和所述平面電子裝置位于單片襯底上。 通過利用具有壓印表面的模板圖案化流體光致抗蝕劑材料來形成所述FinFET裝置和所述平面電子裝置。所述壓印表面包括具有適于制造FinFET裝置的第一圖案的第一區(qū)，和具有適于制造平面電子裝置的第二圖案的第二區(qū)。由所述揭示的實施例中的至少一者提供的特定優(yōu)點為可在不需要將額外光致抗蝕劑層施加于所述襯底的情況下使用壓印技術(shù)在共同襯底上形成FinFET裝置和平面電子裝置，因為所述FinFET裝置和所述平面電子裝置實質(zhì)上同時形成。本發(fā)明的其它方面、優(yōu)點和特征將在審閱包括以下章節(jié)的完整申請案之后變得顯而易見“


”、“具體實施方式
”和“權(quán)利要求書”。

圖1為用于制造電子裝置的模板在所述模板被按壓到襯底上的可壓印媒體中之前的特定說明性實施例的俯視圖；圖2為用于制造電子裝置的模板在所述模板被按壓到襯底上的可壓印媒體中之前的特定說明性實施例的側(cè)視圖；圖3為正被按壓到襯底上的可壓印媒體中的模板的特定說明性實施例的側(cè)視圖；圖4為固體經(jīng)壓印光致抗蝕劑層的表面輪廓的特定說明性實施例的側(cè)視圖；圖5為將圖案從固體經(jīng)壓印光致抗蝕劑層轉(zhuǎn)印到襯底的特定說明性實施例的側(cè)視圖；圖6為制造電子裝置的方法的特定說明性實施例的流程圖；以及圖7為包括在共同襯底上的FinFET和平面電子裝置的便攜式裝置的方框圖。
具體實施例方式參看圖1，描繪用于制造電子裝置的模板在所述模板被按壓到襯底上的可壓印媒體中之前的特定說明性實施例的俯視圖，且將其整體標(biāo)示為100。模板110具有表示待形成于襯底120上的圖案的壓印表面。壓印表面包括第一區(qū)112和第二區(qū)114。第一區(qū)112包括適于制造鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)裝置的第一拓?fù)鋱D案116。第二區(qū)114包括適于制造平面電子裝置的第二拓?fù)鋱D案118。在一特定實施例中，平面電子裝置為場效應(yīng)晶體管 (FET)或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。通過將模板110按壓到襯底120上的可壓印媒體122中而將第一拓?fù)鋱D案116和第二拓?fù)鋱D案118轉(zhuǎn)印到可壓印媒體122。在圖2中說明將此些圖案轉(zhuǎn)印到可壓印媒體中的實例?？蓧河∶襟w122可(例如)經(jīng)提供為沉積于襯底120上的光致抗蝕劑層。在一特定實施例中，可壓印媒體122為熱固性聚合物樹脂、熱塑性聚合物樹脂或光可固化液體光致抗蝕劑?？蓧河∶襟w122在與模板110接觸期間流入界定于模板110上的圖案特征中， 且此后硬化可壓印媒體122以使得形成具有模板圖案的輪廓的固體層。此后，將經(jīng)壓印的圖案經(jīng)由圖案轉(zhuǎn)印工藝(例如反應(yīng)性離子蝕刻或濕式化學(xué)蝕刻)而從可壓印媒體122轉(zhuǎn)印到襯底120。多個FinFET和平面電子裝置圖案可包括于模板110的壓印表面上，借此在后續(xù)的處理步驟中在共同襯底上同時形成多個FinFET和平面電子裝置。另外，可通過如下步驟而使用模板110來圖案化襯底120的小區(qū)域?qū)⒛０?10壓印到可壓印媒體122中；固化模板110下方的可壓印媒體122 ；移除模板110 ；步進(jìn)到襯底120的鄰近區(qū)；以及重復(fù)所述操作，其中第一圖案116適于制造多個FinFET裝置，且第二圖案118適于制造多個平面電子裝置，以產(chǎn)生具有多個FinFET裝置和平面電子裝置的多個區(qū)。模板壓印表面上的特征的分辨率可能為對形成于襯底上的特征的可得分辨率的限制性因素。因而，能夠形成極高分辨率的技術(shù)可有利于形成壓印表面圖案?？赏ㄟ^電子束寫入形成模板壓印表面圖案。另外，還可考慮模板110的釋放特性，因為不良模板釋放或粘貼可引起剝落或?qū)?jīng)壓印層的其它損壞，從而導(dǎo)致經(jīng)壓印圖案或特征的尺寸完整性的降級。模板110可(例如)用例如潤滑劑涂層等表面處理材料來處理以在模板110上形成釋放層。參看圖2，描繪用于制造電子裝置的模板210的特定說明性實施例的側(cè)視圖，且將其整體標(biāo)示為200，可通過將模板210按壓到襯底220上的可壓印媒體222中而制造電子裝置。模板210具有表示待形成于襯底220上的圖案的壓印表面。在一示范性實施例中，模板210為單片模板，且具有包括第一區(qū)212、第二區(qū)214、第三區(qū)242和第四區(qū)244的壓印表面。第一區(qū)212包括適于制造鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)裝置的第一圖案216。第二區(qū) 214包括適于制造平面電子裝置(例如FET)的第二圖案218。第三區(qū)242包括適于制造另一 FinFET裝置的第三圖案對6。第四區(qū)244包括適于制造另一平面電子裝置(例如第二 FET)的第四圖案M8。通過包括將模板210按壓到可壓印媒體(例如襯底220上的光致抗蝕劑層22 中的工藝，可將第一圖案216、第二圖案218、第三圖案246和第四圖案248轉(zhuǎn)印到襯底220。光致抗蝕劑層222在與模板210接觸期間流入界定于模板210上的圖案特征中，且此后硬化光致抗蝕劑層222以使得形成具有模板圖案的輪廓的固體層。此后，可將經(jīng)壓印圖案經(jīng)由圖案轉(zhuǎn)印工藝(例如反應(yīng)性離子蝕刻或濕式化學(xué)蝕刻)從光致抗蝕劑層222 轉(zhuǎn)印到襯底220。參看圖3，描繪將模板按壓到可壓印媒體(例如光致抗蝕劑層)中的特定說明性實施例的側(cè)視圖，且將其整體標(biāo)示為300。模板310具有表示待形成于襯底320上的圖案的壓印表面。在一特定實施例中，模板310可為圖2中所示的模板210。壓印表面包括第一區(qū)312、第二區(qū)314、第三區(qū)342和第四區(qū)344。第一區(qū)312包括適于制造鰭式場效應(yīng)晶體管 (FinFET)裝置的第一圖案316。第二區(qū)314包括適于制造平面電子裝置(例如FET)的第二圖案318。第三區(qū)342包括適于制造另一 FinFET裝置的第三圖案346。第四區(qū)344包括適于制造另一平面電子裝置(例如第二 FET)的第四圖案348。柱317勾勒出第一圖案的輪廓，柱319勾勒出第二圖案的輪廓，柱347勾勒出第三圖案的輪廓，且柱349勾勒出模板310 的第四圖案的輪廓。通過包括將模板310按壓到可壓印媒體(例如襯底320上的光致抗蝕劑層32 中的工藝，可將第一圖案、第二圖案、第三圖案和第四圖案轉(zhuǎn)印到襯底320。將模板310按壓到光致抗蝕劑層322中以便形成壓縮區(qū)313。在所說明的實施例中，柱317、319、 347和349被按壓到光致抗蝕劑層322中，但并不接觸下伏襯底320的表面。使光致抗蝕劑層322的至少部分為可流動的，以使得光致抗蝕劑層322接觸柱317、319、347與349之間的部分。結(jié)果，光致抗蝕劑層322實質(zhì)上符合模板310的第一圖案316、第二圖案318、第三圖案346和第四圖案348的形狀。參看圖4，描繪固體經(jīng)壓印光致抗蝕劑層422的表面輪廓的特定說明性實施例的側(cè)視圖，且將其整體標(biāo)示為400。通過將光致抗蝕劑層422形成為固體層，并通過移除壓印模板(未圖示)而在襯底420上形成光致抗蝕劑層422。在一特定實施例中，根據(jù)符合圖 2中所描繪的說明性模板210的第一圖案、第二圖案、第三圖案和第四圖案的模板的多個柱和凹部來形成固體經(jīng)壓印光致抗蝕劑層422的輪廓。參看圖5，描繪圖案從固體經(jīng)壓印光致抗蝕劑層轉(zhuǎn)印到襯底的特定說明性實施例的側(cè)視圖，且將其整體標(biāo)示為500?？墒褂脠D案轉(zhuǎn)印工藝(例如反應(yīng)性離子蝕刻)以將圖案從固體經(jīng)壓印光致抗蝕劑層轉(zhuǎn)印到襯底。在一特定實施例中，經(jīng)由圖案轉(zhuǎn)印工藝(例如反應(yīng)性離子蝕刻或濕式化學(xué)蝕刻)將圖4中所描繪的固體經(jīng)壓印光致抗蝕劑層422的表面輪廓轉(zhuǎn)印到襯底520，借此在襯底520上形成待用于FinFET裝置530和平面電子裝置540 (例如，F(xiàn)ET)中的特征。不需要將額外的圖案化光致抗蝕劑層施加于襯底520以形成待用于 FinFET裝置530和平面電子裝置540中的特征，F(xiàn)inFET裝置530和平面電子裝置540實質(zhì)上同時形成。參看圖6，描繪制造電子裝置的方法的特定說明性實施例的流程圖，且將其整體標(biāo)示為600。在602處，提供模板，其中所述模板具有壓印表面，所述壓印表面包括適于制造 FinFET裝置的第一圖案和適于制造平面電子裝置(例如FET)的第二圖案。作為說明性實例，所述模板可為圖1中所描繪的模板110或圖2中所描繪的模板210。移動到604，通過將模板施加于可壓印媒體而將壓印表面圖樣轉(zhuǎn)印到可壓印媒體(例如襯底上的光致抗蝕劑層)。繼續(xù)到606，將可壓印媒體(例如，光致抗蝕劑層)形成為固體層。舉例來說，當(dāng)使用熱固性或熱塑性聚合物樹脂時，將所述樹脂加熱到一溫度，使得樹脂在與模板接觸后即刻為充分可流動的，以流入界定于模板上的圖案特征中。接著冷卻圖案化樹脂。作為另一實例，當(dāng)使用光可固化液體光致抗蝕劑時，模板通常是由透明材料制成。在此情況下，在將模板和光致抗蝕劑按壓在一起后，光致抗蝕劑在UV光中固化，且變?yōu)楣腆w。移動到608，使模板與可壓印媒體分離，且在襯底上形成包括經(jīng)壓印圖案的固體經(jīng)壓印層。繼續(xù)到610，經(jīng)由圖案轉(zhuǎn)印工藝(例如反應(yīng)性離子蝕刻或濕式化學(xué)蝕刻)將經(jīng)壓印的FinFET圖案和平面電子圖案從經(jīng)壓印光致抗蝕劑層(或其它可壓印媒體)轉(zhuǎn)印到襯底， 借此在襯底上形成FinFET裝置的特征和平面電子裝置(例如，F(xiàn)ET)的特征。在一示范性實施例中，平面電子裝置可為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。在不使用額外的圖案化光致抗蝕劑層的情況下，形成FinFET裝置和平面電子裝置的特征。多個FinFET和平面電子裝置圖案可包括于模板的壓印表面上，借此形成多個FinFET和平面電子裝置。在形成FinFET裝置和平面電子裝置之后，進(jìn)行處理以便形成包括互連件、接觸件、導(dǎo)線層等(未圖示)其余集成電路結(jié)構(gòu)，所述其余集成電路結(jié)構(gòu)通常在裝置層級上方形成。此處理包括絕緣層的形成和導(dǎo)電層的形成。選擇性地蝕刻絕緣層和導(dǎo)電層以形成其余集成電路結(jié)構(gòu)。參看圖7，如本文中所描述，描繪例如無線電話等電子裝置的特定說明性實施例的方框圖，且將其整體標(biāo)示為700，所述電子裝置包括通過壓印模板而形成于共同襯底上的 FinFET和平面電子裝置。裝置700包括處理器，例如耦合到存儲器732的數(shù)字信號處理器 (DSP) 710，存儲器732包括通過壓印模板而形成于共同襯底上的FinFET裝置768和平面電子裝置766。在一說明性實施例中，存儲器732包括讀出放大器770、解碼器772和存儲器單元774。在特定實施例中，平面電子裝置766可包括于存儲器732的讀出放大器770或解碼器772內(nèi)，且FinFET裝置768可包括于存儲器單元774內(nèi)。在一說明性實例中，通過壓印模板而形成于共同襯底上的FinFET裝置768和平面電子裝置766包括圖5中所描繪的FinFET裝置和平面電子裝置結(jié)構(gòu)，且具有使用圖6的方法，使用圖1的模板110或圖2的模板210或其任何組合而確定的拓?fù)涮卣鳌D7還展示耦合到數(shù)字信號處理器710和顯示器728的顯示器控制器726。編碼器/解碼器(CODEC) 734還可耦合到數(shù)字信號處理器710。揚(yáng)聲器736和麥克風(fēng)738可耦合到 CODEC 734。圖7還指示無線控制器740可耦合到數(shù)字信號處理器710和無線天線742。在一特定實施例中，DSP 710、顯示器控制器726、存儲器732、C0DEC 734、無線控制器740和通過壓印模板而形成于共同襯底上的FinFET 768和平面電子裝置766被包括于系統(tǒng)級封裝或芯片上系統(tǒng)722中。在一特定實施例中，輸入裝置730和電源744耦合到芯片上系統(tǒng)722。 此外，在一特定實施例中，如圖7中所說明，顯示器728、輸入裝置730、揚(yáng)聲器736、麥克風(fēng) 738、無線天線742，和電源744處于芯片上系統(tǒng)722的外部。然而，每一者均耦合到芯片上系統(tǒng)722的組件(例如接口或控制器)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)進(jìn)一步了解，結(jié)合本文中所揭示的實施例而描述的各種說明性邏輯塊、配置、模塊、電路和算法步驟可實施為電子硬件、由處理器執(zhí)行的計算機(jī)軟件或所述兩者的組合。為了清楚地說明硬件與軟件的此互換性，上文已大體上在其功能性方面描述了各種說明性組件、塊、配置、模塊、電路和步驟。將此功能性實施為硬件還是由處理器執(zhí)行的軟件視特定應(yīng)用和強(qiáng)加于整個系統(tǒng)的設(shè)計約束而定。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可針對每一特定應(yīng)用以不同方式來實施所描述的功能性，但不應(yīng)將此些實施方案決策解釋為導(dǎo)致脫離本發(fā)明的范圍。結(jié)合本文中所揭示的實施例而描述的方法或算法的步驟可直接體現(xiàn)于硬件中、 由處理器執(zhí)行的軟件模塊中，或所述兩者的組合中。軟件模塊可駐留于隨機(jī)存取存儲器 (RAM)、快閃存儲器、只讀存儲器(ROM)、可編程只讀存儲器(PR0M)、可擦除可編程只讀存儲器(EPROM)、電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)、寄存器、硬盤、可裝卸磁盤或此項技術(shù)中已知的任何其它形式的存儲媒體中。示范性存儲媒體耦合到處理器，使得處理器可從存儲媒體讀取信息和將信息寫入到存儲媒體。在替代方案中，存儲媒體可與處理器成一體式。 處理器和存儲媒體可駐留于專用集成電路(ASIC)中。ASIC可駐留于計算裝置或用戶終端中。在替代方案中，處理器和存儲媒體可作為離散組件而駐留于計算裝置或用戶終端中。提供對所揭示的實施例的先前描述旨在使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠制作或使用所揭示的實施例。在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易明白對這些實施例的各種修改，且可將本文中所界定的原理應(yīng)用于其它實施例。因此，本發(fā)明無意限于本文中所展示的實施例，而是將被賦予可能與如由所附權(quán)利要求書界定的原理和新穎特征一致的最廣范圍。
權(quán)利要求
1.一種設(shè)備，其包含具有壓印表面的模板，其中所述壓印表面包括具有適于制造鰭式場效應(yīng)晶體管FinFET 裝置的第一圖案的第一區(qū)，和具有適于制造平面電子裝置的第二圖案的第二區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述模板為單片模板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述FinFET裝置和所述平面電子裝置位于襯底上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述模板經(jīng)配置以將所述第一圖案和所述第二圖案賦予襯底上的可壓印媒體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述FinFET裝置和所述平面電子裝置是在不使用額外的圖案化光致抗蝕劑層的情況下而制造。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述平面電子裝置為場效應(yīng)晶體管FET。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一圖案適于制造多個FinFET裝置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第二圖案適于制造多個平面電子裝置。
9.一種制造電子裝置的方法，所述方法包含通過將模板施加于由襯底支撐的流體光致抗蝕劑材料而形成圖案化光致抗蝕劑層； 使用所述形成的圖案化光致抗蝕劑層來形成所述電子裝置；其中所述模板具有壓印表面，所述壓印表面包括具有適于制造鰭式場效應(yīng)晶體管 FinFET裝置的第一圖案的第一區(qū)，和具有適于制造平面電子裝置的第二圖案的第二區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其進(jìn)一步包含 將所述圖案化光致抗蝕劑層形成為固體層；以及將所述適于制造FinFET裝置的第一圖案和所述適于制造平面電子裝置的第二圖案轉(zhuǎn)印到所述襯底。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述模板是單片的。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中在不將額外的圖案化光致抗蝕劑層施加于所述襯底的情況下制造所述FinFET裝置和所述平面電子裝置。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述流體光致抗蝕劑材料包含熱塑性聚合物樹脂、熱固性聚合物樹脂或光可固化液體。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述平面電子裝置為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述壓印表面包括具有適于在所述襯底上制造另一 FinFET裝置的第三圖案的第三區(qū)，和具有適于在所述襯底上制造另一平面電子裝置的第四圖案的第四區(qū)。
16.一種裝置，其包含鰭式場效應(yīng)晶體管FinFET裝置；以及平面電子裝置；其中所述FinFET裝置和所述平面電子裝置位于單片襯底上； 其中所述FinFET裝置和所述平面電子裝置是通過使用具有壓印表面的模板來圖案化流體光致抗蝕劑材料而形成，所述壓印表面包括具有第一圖案的第一區(qū)，所述第一圖案適于制造所述FinFET裝置；以及具有第二圖案的第二區(qū)，所述第二圖案適于制造所述平面電子裝置。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中所述模板為單片模板。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中所述平面電子裝置為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其進(jìn)一步包含無線電話，所述無線電話包括所述 FinFET裝置和所述平面電子裝置。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中所述平面電子裝置包括于存儲器裝置的讀出放大器中。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的裝置，其中所述FinFET裝置包括于所述存儲器裝置的存儲器單元中。
22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中所述平面電子裝置包括于存儲器裝置的解碼器中。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的裝置，其中所述FinFET裝置包括于所述存儲器裝置的存儲器單元中。
24.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其進(jìn)一步包含第二FinFET裝置，其中所述第一圖案進(jìn)一步適于制造所述第二 FinFET裝置。
25.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其進(jìn)一步包含第二平面電子裝置，其中所述第二圖案進(jìn)一步適于制造所述第二平面電子裝置。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種制造電子裝置的設(shè)備和方法。在一特定實施例中，一設(shè)備包括具有壓印表面的模板。所述壓印表面包括具有適于制造鰭式場效應(yīng)晶體管FinFET裝置的第一圖案的第一區(qū)，和具有適于制造平面電子裝置的第二圖案的第二區(qū)。
文檔編號H01L29/78GK102449769SQ201080024098
公開日2012年5月9日 申請日期2010年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月3日
發(fā)明者宋森秋, 穆罕默德·哈?！ぐ⒉?拉赫馬, 韓秉莫 申請人:高通股份有限公司