專利名稱：用于處理半導體晶片的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于處理半導體晶片的方法。更具體地，本發(fā)明涉及半導體晶片的濕處理方法，其中包括氧化鑭或鑭系氧化物的層相對于沉積有該層的下層被選擇性蝕刻，以便暴露下層。
背景技術：


圖1所示為在應用根據(jù)本發(fā)明實施方式的方法之前的高k金屬柵堆疊(stack) 1 的橫截面的示意圖。在硅晶片的塊狀硅10上按表1順序沉積多個層。表 權利要求
1.用于處理半導體晶片的方法，該方法包括提供包含氧化鑭或鑭系氧化物(例如Dy2O3，Pr2O3, Ce2O3)的層運用水溶液，其中該水溶液是碳酸水，以在特定區(qū)域移除所述包含氧化鑭或鑭系氧化物的層，以便暴露表面，該表面上已沉積有所述包含氧化鑭或鑭系氧化物的層。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述碳酸水通過混合具有小于100K歐姆米的電阻率(特定的電阻)的水生成。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述氧化鑭或鑭系氧化物沉積在包含有材料的層上，所述材料選自下面的組中氧化鉿、氧化鋯、硅酸鉿(HfSiOx)、鋁酸鉿(HfAWx)、氮氧化硅鉿(HfSiON)、氮氧化鋁鉿(HfAlON)、硅酸鋯(&SiO)、ZrA10x、氮氧化硅鋯(ZrSiON)、氮氧化鋁鋯(ZrAlON)、氧化鋁(Al2O3)、氮氧化鉿(HfON)、以及氮氧化鋯(ZrON)
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述水溶液中二氧化碳的分析濃度至少為0.Ig/L·
5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述溶液的PH值不超過5.5。
6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其中所述溶液的PH值不超過5。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述溶液的PH值至少為3。
8.根據(jù)權利要求7所述的方法，其中所述溶液的PH值至少為3.5。
9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中在至少1.2巴的壓強(約0.2巴表壓)下，將二氧化碳添加到水中。
全文摘要
披露了用于處理半導體晶片的方法，該方法包括提供包含氧化鑭或鑭系氧化物(例如Dy2O3，Pr2O3，Ce2O3)的層。運用水溶液，其中該水溶液是碳酸水，以在特定區(qū)域移除所述包含氧化鑭或鑭系氧化物的層，以便暴露表面，該表面上已沉積有所述包含氧化鑭或鑭系氧化物的層。
文檔編號H01L29/78GK102460662SQ201080027554
公開日2012年5月16日 申請日期2010年6月14日 優(yōu)先權日2009年6月25日
發(fā)明者木下惠 申請人:朗姆研究公司