專利名稱：反熔絲元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及反熔絲元件。
背景技術(shù)：
對(duì)于一般的熔絲而言，當(dāng)為規(guī)定以上的電壓時(shí)就熔斷來(lái)切斷電流。與此相反，提出了當(dāng)為規(guī)定以上的電壓時(shí)就短路而使電流流動(dòng)的反熔絲元件。例如在專利文獻(xiàn)1中公開了圖5的剖面圖所示的構(gòu)造。絕緣層108由絕緣材料 (例如SiO2)構(gòu)成，絕緣層108與基板101上形成的布線圖案10k、102t的雙方接觸，并按照跨過(guò)布線圖案10k、102t的空隙103的方式連續(xù)地形成。在布線圖案102s、102t上使用焊錫104a、10 連接有LED (發(fā)光二極管)106的引線端子104、105。通常時(shí)，電流向LED106的正方向流動(dòng)。例如，電流從一布線圖案10 ，通過(guò)焊錫 105a、引線端子105、LED106、引線端子104、焊錫104a，流至另一布線圖案102t。但是，當(dāng)由于LED106的不良、故障等變?yōu)殡娏鞑辉贚ED106內(nèi)流動(dòng)的開路狀態(tài)(導(dǎo)通不良)時(shí)，由于施加于布線圖案10k、102t間的電壓，基于絕緣層108的絕緣被破壞，電流從一布線圖案10 ，通過(guò)絕緣層108流向另一布線圖案102t。這樣的構(gòu)成的反熔絲元件，用于即使例如圖6的電路圖所示串聯(lián)地連接的 LED111A、111B、...Illn的一部分發(fā)生故障，其他的LED也可持續(xù)點(diǎn)亮。該情況下，反熔絲元件112A、112B、. . . 112η以與串聯(lián)地連接的LED111A、111Β、. . . Illn的各個(gè)并聯(lián)地連接的狀態(tài)被使用。當(dāng)電流在一部分的LED(例如111Α)中不流動(dòng)的導(dǎo)通不良時(shí)，與該LED并聯(lián)地連接的反熔絲元件(例如112A)發(fā)生短路，電流繞道而流向反熔絲元件(例如112A)，電流在其他的LED中流動(dòng)，因此其他的LED持續(xù)點(diǎn)亮。η個(gè)LED串聯(lián)連接，當(dāng)將LED的正方向電壓下降的電壓值設(shè)為Vf時(shí)，在LED變?yōu)閷?dǎo)通不良的情況下，在串聯(lián)連接了的η個(gè)LED的兩端施加大約VfXn的電壓來(lái)破壞反熔絲元件的絕緣而使反熔絲元件短路來(lái)點(diǎn)亮其他的LED。圖7是表示反熔絲元件的絕緣破壞電壓與反熔絲元件的通電電流的關(guān)系的曲線圖。在圖7那樣的現(xiàn)有技術(shù)的反熔絲元件中，當(dāng)在反熔絲元件上施加的電壓(圖7中的施加電壓)超過(guò)絕緣破壞電壓(50V)時(shí)，絕緣破壞就會(huì)開始。專利文獻(xiàn)1 日本特開2007-3M355號(hào)公報(bào)如上所述，反熔絲元件當(dāng)LED開路時(shí)被施加電壓而短路。因此，不優(yōu)選在LED開路時(shí)的電壓以外的電壓下短路。然而，當(dāng)反熔絲元件與LED并聯(lián)地連接時(shí)，例如由于安裝時(shí)的靜電，反熔絲元件有可能發(fā)生絕緣破壞。需要對(duì)反熔絲元件施以這樣的靜電放電 (ElectroStaticDischarge ；ESD)的對(duì)策。一般地靜電放電是指由于帶電的導(dǎo)電性物體的接觸、接近而使帶電電荷移動(dòng)，從而脈沖性的大電流流動(dòng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述的現(xiàn)有技術(shù)，目的在于提供一種難以發(fā)生因靜電放電引起的絕緣
3破壞的反熔絲元件。本發(fā)明所涉及的反熔絲元件具備電容部，該電容部具有絕緣層和在所述絕緣層的上下面上形成的至少一對(duì)電極層，所述電容部具有對(duì)靜電放電的保護(hù)功能。在本發(fā)明中，電容部具有對(duì)靜電放電的保護(hù)功能。也就是說(shuō)，使反熔絲元件具有一定量的靜電電容，從而向電容部聚集帶電電荷來(lái)防止絕緣破壞帶來(lái)的大電流流動(dòng)。因此，能夠提供難以產(chǎn)生例如因部件安裝時(shí)的靜電放電引起的絕緣破壞的反熔絲元件。另外，優(yōu)選本發(fā)明的反熔絲元件的所述電容部的機(jī)器模型的靜電破壞試驗(yàn)中的耐壓為100V 250V。該情況下，可以得到即使由于靜電等施加了大電壓時(shí)，也難以產(chǎn)生絕緣破壞的反熔絲元件。另外，優(yōu)選本發(fā)明的反熔絲元件的所述電容部的靜電電容為InF lOOnF。另外， 優(yōu)選本發(fā)明的反熔絲元件的所述電容部的靜電電容為4. 2nF 15nF。另外，優(yōu)選本發(fā)明的反熔絲元件的所述絕緣層的介電常數(shù)為100 1000。另外，優(yōu)選本發(fā)明的反熔絲元件，當(dāng)施加所述絕緣層的絕緣破壞電壓以上的電壓時(shí)，所述至少一對(duì)電極層熔融，所述至少一對(duì)電極層彼此熔接而電連接。該情況下，通過(guò)施加絕緣層的絕緣破壞電壓以上的電壓，一對(duì)電極層容易短路。另夕卜，當(dāng)通入大電流時(shí)也為低電阻，短路后的電阻值也穩(wěn)定。另外，優(yōu)選本發(fā)明的反熔絲元件，當(dāng)施加所述絕緣層的絕緣破壞電壓以上的電壓時(shí)，所述至少一對(duì)電極層熔融，并且所述絕緣層被斷開，在卷入所述絕緣層的狀態(tài)下所述至少一對(duì)電極層彼此熔接。在該情況下，一對(duì)電極層彼此牢固地被一體化，可以可靠地實(shí)現(xiàn)低電阻、穩(wěn)定的導(dǎo)通狀態(tài)。另外，對(duì)于本發(fā)明的反熔絲元件，優(yōu)選所述絕緣層的材質(zhì)為(Ba、Sr)Ti03，所述至少一對(duì)電極層的材質(zhì)為由從金、銀、鉬、鈀、銠、銥、釕、鋨構(gòu)成的組中選出的至少一種元素構(gòu)成的金屬或者其合金。在該情況下，即使通過(guò)靜電等施加了大電壓時(shí)，也可以得到難以產(chǎn)生絕緣破壞的反熔絲元件。在本發(fā)明的反熔絲元件中，電容部具有針對(duì)靜電放電的保護(hù)功能，因此能夠提供難以產(chǎn)生由靜電放電引起的絕緣破壞的反熔絲元件。


圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的反熔絲元件的俯視圖。圖2是圖1的A-A剖面圖。圖3是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的反熔絲元件的從絕緣狀態(tài)向通電狀態(tài)變化時(shí)的機(jī)理的示意圖。圖4是使用了在實(shí)驗(yàn)例中制作的反熔絲元件的模塊的電路圖。圖5是表示現(xiàn)有的反熔絲元件的剖面圖。圖6是現(xiàn)有的反熔絲元件的電路圖。圖7是表示現(xiàn)有的反熔絲元件的特性的曲線圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的方式進(jìn)行說(shuō)明。〔第1實(shí)施方式〕圖1是本發(fā)明的第1實(shí)施方式的反熔絲元件的俯視圖。而且，圖2是圖1的八_八剖面圖。例如選擇Si單晶基板作為基板11。而且，在基板11的表面上形成有氧化物層12。 氧化物層12是以防止基板11與緊貼層13的相互擴(kuò)散的目的而設(shè)置的。氧化物層12例如通過(guò)對(duì)基板11進(jìn)行熱處理而形成。然后，在氧化物層12之上依次層疊有緊貼層13、下部電極層21、絕緣層22、上部電極層23。然后，在上部電極層23之上形成有第1無(wú)機(jī)保護(hù)層31。緊貼層13為了確保氧化物層12與下部電極層21的緊貼性而形成。緊貼層13可以使用與絕緣層22相同的材料，也可以使用不同的材料。當(dāng)使用了相同的材料時(shí)，具有制造變得簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。在下部電極層21以及上部電極層23中使用具有導(dǎo)電性的金屬材料。反熔絲元件在短路后會(huì)長(zhǎng)時(shí)間流過(guò)電流，在該情況下，需要防止由氧化引起的球狀化(玉化)等不良。 因此，優(yōu)選在下部電極層21以及上部電極層23中使用貴金屬。例如，優(yōu)選由從金、銀、鉬、 鈀、銠、銥、釕、鋨構(gòu)成的組選出的至少一種元素構(gòu)成的金屬或者其合金。下部電極層21、絕緣層22和上部電極層23構(gòu)成電容部20。優(yōu)選電容部20的靜電電容為InF lOOnF。當(dāng)靜電電容小于InF時(shí)，不能得到希望的針對(duì)靜電放電的保護(hù)功能，因此不優(yōu)選。另外，當(dāng)靜電電容比IOOnF大時(shí)，作為反熔絲元件，從被施加電壓到短路的反應(yīng)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，因此不優(yōu)選。另外，若電容部20的靜電電容為4. 2 15nF，則反熔絲元件在靜電破壞試驗(yàn)中的耐壓為最佳的范圍，因而更優(yōu)選。對(duì)絕緣層22而言，選擇若在下部電極層21與上部電極層23之間施加的電壓超過(guò)規(guī)定量，則絕緣被破壞，使下部電極層21與上部電極層23短路那樣的材料。優(yōu)選絕緣層22的介電常數(shù)為100 1000。這是因?yàn)橹灰谠摲秶鷥?nèi)，就可以在優(yōu)選的范圍內(nèi)設(shè)計(jì)絕緣層22的厚度、面積等對(duì)針對(duì)靜電放電的保護(hù)功能產(chǎn)生影響的因素。為了滿足該要求，作為絕緣層22的材質(zhì)的例子，可以舉出介電常數(shù)為100左右的 TiO2、介電常數(shù)為400左右的(Ba、Sr) TiO3、介電常數(shù)為1000左右的Pb (Zr、Ti) 03。第1無(wú)機(jī)保護(hù)層31具有減小在下部電極層21與上部電極層23之間施加了電壓時(shí)的漏電流的作用。對(duì)第1無(wú)機(jī)保護(hù)層31而言，可以使用與絕緣層22相同的材料，也可以使用不同的材料。當(dāng)使用相同的材料時(shí)，具有制造變得簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。第2無(wú)機(jī)保護(hù)層32以覆蓋緊貼層13、電容部20以及第1無(wú)機(jī)保護(hù)層31的方式形成。作為第2無(wú)機(jī)保護(hù)層32的材質(zhì)的例子，可以舉出SiNx、Si02、Al203、Ti02。第1有機(jī)保護(hù)層33被形成于第2無(wú)機(jī)保護(hù)層32之上。作為第1有機(jī)保護(hù)層33 的材質(zhì)的例子，可以舉出聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂。第1外部電極42與第2外部電極43按照其表面在反熔絲元件10的上面露出的方式形成。第1外部電極42經(jīng)由引出電極41與下部電極層21電連接。另外，第2外部電極43經(jīng)由引出電極41與上部電極層23電連接。第2有機(jī)保護(hù)層34按照覆蓋第2無(wú)機(jī)保護(hù)層32、第1有機(jī)保護(hù)層33以及引出電極41的方式形成。作為第2有機(jī)保護(hù)層34的材質(zhì)的例子可以舉出聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂。第1有機(jī)保護(hù)層33與第2有機(jī)保護(hù)層34按照覆蓋無(wú)機(jī)保護(hù)層32的方式形成。因此，例如即使起因于下部電極層21與上部電極層23的熔接而產(chǎn)生了層間的剝離時(shí)，也能夠通過(guò)第1有機(jī)保護(hù)層33與第2有機(jī)保護(hù)層34來(lái)進(jìn)行密封。因此，在短路后也能夠穩(wěn)定地在反熔絲元件中流過(guò)電流。此外，在圖2中，絕緣層22為1層構(gòu)造，但絕緣層22也可以存在多層。在該情況下，會(huì)通過(guò)各個(gè)絕緣層和存在于各個(gè)絕緣層的上下的一對(duì)電極層形成各個(gè)電容部。在該情況下，也可以按照電連接存在于多個(gè)絕緣層的上下的電極層與外部電極的方式設(shè)置引出電極。可以通過(guò)引出電極的形成位置，并聯(lián)地連接由各個(gè)絕緣層產(chǎn)生的電容部。圖3是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的反熔絲元件的從絕緣狀態(tài)向?qū)顟B(tài)變化時(shí)的機(jī)理的示意圖。圖3(a)是與反熔絲元件并聯(lián)地連接的例如LED等電子部件正常動(dòng)作時(shí)的圖。在該情況下，下部電極層21與上部電極層23隔著絕緣層22而處于絕緣狀態(tài)。但是，當(dāng)LED等電子部件由于斷線等變?yōu)殚_路狀態(tài)時(shí)，會(huì)在反熔絲元件上施加絕緣層22的絕緣破壞電壓以上的電壓。而且，應(yīng)在LED等電子部件中流動(dòng)的例如IOmA以上的大電流會(huì)流入電容部20。圖3(b)是表示在反熔絲元件上施加了絕緣層22的絕緣破壞電壓以上的電壓，絕緣破壞發(fā)生時(shí)的圖。利用流入電容部20的電流，產(chǎn)生焦耳熱。由于該發(fā)熱，下部電極層21 以及上部電極層23熔融而球狀化。例如下部電極層21熔融而形成球狀化部25a、25b。另夕卜，上部電極層23熔融而形成球狀化部^5aJ6b。然后，絕緣層22被球狀化部的熔融熱加熱而產(chǎn)生裂縫對(duì)。圖3(c)是下部電極層21與上部電極層23的熔融深化時(shí)的圖。由于向電容部20 繼續(xù)地流入電流，因此隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)，下部電極層21與上部電極層23的熔融深化。球狀化部25a、25bJ6aJ6b向箭頭方向膨大化。然后，絕緣層22通過(guò)熔融熱被完全地?cái)嚅_。圖3(d)是熔融進(jìn)一步深化的狀態(tài)的圖。當(dāng)球狀化部25a、25bJ6aJ6b的膨大化進(jìn)行時(shí)，膨大化的球狀化部彼此以卷入被斷開的絕緣層22的狀態(tài)熔接而一體化。然后，形成接合部27來(lái)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)，由通電導(dǎo)致的發(fā)熱被抑制，溫度降低而低電阻化。因此，大電流會(huì)經(jīng)由反熔絲元件而流動(dòng)。研究本發(fā)明的反熔絲元件在圖6那樣的電路中使用的情況。也就是說(shuō)，例如當(dāng) LED111A為導(dǎo)通不良而熄滅時(shí)，與LED111A并聯(lián)連接的反熔絲元件112A的下部電極層以及上部電極層利用上述的機(jī)理相互熔接而短路，從絕緣狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。然后，電流繞過(guò) LED 11IA流入反熔絲元件112A。由此，與LEDl IlA串聯(lián)連接的其他的LED會(huì)維持通電狀態(tài)，
持續(xù)點(diǎn)亮。在本實(shí)施方式中，說(shuō)明了與LED連接的例子，但反熔絲元件連接的電子部件不限于LED。通過(guò)使用本發(fā)明的反熔絲元件，即使串聯(lián)連接的電子部件的一部分發(fā)生故障而成為開路狀態(tài)，其他的電子部件也可以持續(xù)進(jìn)行正常動(dòng)作。然而，在使由Pt、Au構(gòu)成的高融點(diǎn)的
6貴金屬材料形成的電極層彼此熔融以及熔接而短路的情況下，即使熔融也不會(huì)發(fā)生氧化或者高電阻化，能夠維持低電阻。因此，也不需要電力容量大的電源?！矊?shí)驗(yàn)例〕在本實(shí)驗(yàn)例中，制作了改變了靜電電容的4種類的反熔絲元件。首先，如下制作了條件1的反熔絲元件。條件1的反熔絲元件具有圖2那樣的構(gòu)造。首先，準(zhǔn)備形成了厚度700nm的氧化物層的Si單晶基板(以下稱為“Si基板”)。接下來(lái)，形成了鈦酸鍶鋇((Ba、Sr)TiO3,以下稱為“BST”)層作為緊貼層。具體地，通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂敷法將Ba的有機(jī)化合物、Sr的有機(jī)化合物以及Ti的有機(jī)化合物混合為 Ba Sr Ti = 70 30 100(摩爾比)的比例的原料液涂敷于Si基板的上面，在加熱板上以300°C的溫度進(jìn)行干燥。將其重復(fù)2次后，以升溫速度5°C /s進(jìn)行RTA (Rapid Thermal Annealing 高速升溫加熱)處理，在氧氣氛圍中以600°C的條件進(jìn)行30分鐘熱處理。這樣， 形成了厚度90nm的BST層。接下來(lái)，使用濺射法在緊貼層之上形成了厚度200nm的Pt層作為下部電極層。接下來(lái)，按順序形成了絕緣層、上部電極層、第1無(wú)機(jī)保護(hù)層。也就是說(shuō)，在Pt層之上，利用與前述的BST層同樣的方法形成了厚度90nm的BST層作為絕緣層。在該BST層之上，利用與前述的Pt層同樣的方法形成了厚度200nm的Pt層作為上部電極層23。進(jìn)而， 在該P(yáng)t層之上，形成了厚度90nm的BST層作為第1無(wú)機(jī)保護(hù)層。接下來(lái)，進(jìn)行了第1無(wú)機(jī)保護(hù)層與上部電極層的圖案形成。也就是說(shuō)，在作為第 1無(wú)機(jī)保護(hù)層的BST層之上涂敷抗蝕劑，通過(guò)曝光、顯影形成了抗蝕劑圖案。然后，通過(guò) RIE (Reactive Ion Etching ；反應(yīng)離子蝕刻)形成規(guī)定形狀的圖案后，通過(guò)灰化除去抗蝕齊U。用同樣的方法，形成絕緣層、下部電極層、緊貼層的圖案后，除去抗蝕劑。接下來(lái)，按照覆蓋形成圖案后的第1無(wú)機(jī)保護(hù)層、上部電極層、絕緣層、下部電極層以及緊貼層的上面與側(cè)面的方式，如下形成第2無(wú)機(jī)保護(hù)層與第1有機(jī)保護(hù)層。也就是說(shuō)，通過(guò)濺射形成厚度400nm的SiNx層作為第2無(wú)機(jī)保護(hù)層。在其上，旋轉(zhuǎn)涂敷感光性聚酰亞胺作為第1有機(jī)保護(hù)層。然后，通過(guò)曝光、顯影、固化形成聚酰亞胺樹脂的掩模圖案。使用該掩模圖案，按照通過(guò)RIE形成開口部的方式形成SiNx層與BST層的圖案。接下來(lái)，形成引出電極。具體地，使用磁控管濺射法連續(xù)地形成Ti層(層厚50nm) 與Cu層(層厚500nm)。接下來(lái)，進(jìn)行引出電極的圖案形成。具體地，通過(guò)按順序進(jìn)行抗蝕劑涂敷、曝光、顯影形成抗蝕劑圖案。然后，將抗蝕劑圖案作為掩模，通過(guò)濕式蝕刻形成Cu層的圖案。接下來(lái)，直接使用抗蝕劑圖案，通過(guò)RIE形成Ti層的圖案。接下來(lái)，形成第1外部電極與第2外部電極。具體地，通過(guò)按順序進(jìn)行抗蝕劑涂敷、 曝光、顯影形成抗蝕劑圖案。然后，在抗蝕劑圖案的開口部通過(guò)電解鍍敷形成厚度Iym的 Ni層。在其上形成厚度1 μ m的Au層。接下來(lái)，在第1外部電極與第2外部電極的周圍，形成聚酰亞胺樹脂層作為第2有機(jī)保護(hù)層。具體地，旋轉(zhuǎn)涂敷感光性聚酰亞胺作為阻焊劑，通過(guò)按順序進(jìn)行曝光、顯影、固化，以形成圖案的狀態(tài)形成感光性聚酰亞胺。然后，切割基板，取出反熔絲元件。具體地，研磨Si基板的未形成電容部側(cè)的主面直至Si基板變?yōu)?. Imm的厚度。然后，使用切割鋸來(lái)切割基板，取出規(guī)定大小的芯片形狀的反熔絲元件。這樣就得到了條件1的反熔絲元件。條件1的反熔絲元件的尺寸為 Li. OXffO. 5XTO. 5mm，有效電極面積為0. 385mm2。另外，靜電電容為15nF。
接下來(lái)，制作了條件2的反熔絲元件。條件2的反熔絲元件是交替地形成4層電極層與3層絕緣層的構(gòu)造。然后，通過(guò)并聯(lián)連接起因于各個(gè)絕緣層的電容部，形成增大靜電電容的構(gòu)造。絕緣層1層的厚度和電極層1層的厚度與條件1相同。另外，其他制作條件與條件1相同。條件2的反熔絲元件的尺寸為0. 6X0. 3X0. 3mm，有效電極面積為0. 256mm2。 另外，靜電電容為lOnF。接下來(lái)，制作了條件3的反熔絲元件。條件3的反熔絲元件的尺寸和靜電電容的條件是與條件1不同的條件。其他的制作條件與條件1相同。條件3的反熔絲元件的尺寸為0. 6X0. 3X0. 3mm，有效電極面積為0. 108mm2。另外，靜電電容為4. 2nF。接下來(lái)，作為比較例，制作了條件4的反熔絲元件。在條件4的反熔絲元件的絕緣層中，與條件1 3的BST (介電常數(shù)400)不同，使用了 SiNx (介電常數(shù)7)。此外，條件4 的絕緣層的厚度為75nm。另外，在作為絕緣層的SiNx層的形成中使用了 ECR濺射。其他的制作條件與條件1同樣。條件4的反熔絲元件的尺寸為1. 0X0. 5X0. 5mm，有效電極面積為 0. 385mm20另夕卜，靜電電容為0. 26nF。對(duì)得到的各條件的樣品，進(jìn)行了以下的測(cè)量。首先，根據(jù)電壓-電流(V-I)特性的測(cè)量結(jié)果求出絕緣破壞電壓(Break Down Voltage =BDV)。將測(cè)量次數(shù)設(shè)為20，采用了 BDV值的最大值。接下來(lái)，求出了機(jī)器模型的靜電破壞試驗(yàn)中的耐壓。機(jī)器模型是金屬制設(shè)備帶有的電荷與元件接觸時(shí)放電的模型，是向元件脈沖式地導(dǎo)入電流的模型。試驗(yàn)方法依據(jù)EIAJ ED-4701/304。測(cè)量次數(shù)設(shè)為20，關(guān)于試驗(yàn)，改變極性并5次5次地進(jìn)行試驗(yàn)。靜電破壞試驗(yàn)從50V開始，當(dāng)樣品中未出現(xiàn)一位以上的電阻劣化時(shí)，每次將試驗(yàn)電壓增加50V來(lái)重復(fù)試驗(yàn)。未出現(xiàn)一位以上的電阻劣化的試驗(yàn)電壓的最大值為耐壓。耐壓越大表示對(duì)靜電放電的耐性越高。接下來(lái)，進(jìn)行反熔絲元件短路的確認(rèn)。具體地，如圖4所示，制作了串聯(lián)連接了 12 個(gè)IW的白色LED50的模塊。然后，在12個(gè)LED50之間的1個(gè)位置設(shè)置開關(guān)(圖中表示為 S)，用焊錫將反熔絲元件10并聯(lián)地連接于開關(guān)與LED50。在關(guān)閉開關(guān)的狀態(tài)下，使用恒定電流電源流入300mA的電流。通入300mA電流時(shí)的電壓約為40V。在該狀態(tài)下，斷開開關(guān)，確認(rèn)反熔絲元件10有無(wú)短路。此外，將恒定電流電源的電壓的上限值設(shè)定為48V。表1中表示了實(shí)驗(yàn)條件與結(jié)果。[表 1]
權(quán)利要求
1.一種反熔絲元件，其特征在于，具備電容部，該電容部具有絕緣層和形成于所述絕緣層的上下面的至少一對(duì)電極層， 所述電容部具有針對(duì)靜電放電的保護(hù)功能。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲元件，其特征在于，所述電容部在機(jī)器模型的靜電破壞試驗(yàn)中的耐壓為100V 250V。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的反熔絲元件，其特征在于， 所述電容部的靜電電容為InF lOOnF。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的反熔絲元件，其特征在于， 所述電容部的靜電電容為4. 2nF 15nF。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的反熔絲元件，其特征在于， 所述絕緣層的介電常數(shù)為100 1000。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的反熔絲元件，其特征在于，當(dāng)施加所述絕緣層的絕緣破壞電壓以上的電壓時(shí)，所述至少一對(duì)電極層熔融，所述至少一對(duì)電極層彼此熔接而電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的反熔絲元件，其特征在于，當(dāng)施加所述絕緣層的絕緣破壞電壓以上的電壓時(shí)，所述至少一對(duì)電極層熔融，并且所述絕緣層被斷開，在卷入所述絕緣層的狀態(tài)下所述至少一對(duì)電極層彼此熔接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的反熔絲元件，其特征在于，所述絕緣層的材質(zhì)為(Ba、SiOTiO3，所述至少一對(duì)電極層的材質(zhì)為由從金、銀、鉬、鈀、 銠、銥、釕、鋨構(gòu)成的組中選出的至少一種元素構(gòu)成的金屬或者其合金。
全文摘要
本發(fā)明提供一種難以產(chǎn)生因靜電放電導(dǎo)致的絕緣破壞的反熔絲元件。本發(fā)明的反熔絲元件(10)的特征在于，具備電容部(20)，該電容部(20)具有絕緣層(22)和在所述絕緣層的上下面形成的至少一對(duì)電極層(21)、(23)，電容部(20)具有對(duì)靜電放電的保護(hù)功能。在本發(fā)明中，電容部具有對(duì)靜電放電的保護(hù)功能，因此能夠提供難以產(chǎn)生例如因部件安裝時(shí)的靜電放電導(dǎo)致的絕緣破壞的反熔絲元件。
文檔編號(hào)H01L21/822GK102473674SQ201080028169
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月9日
發(fā)明者中磯俊幸, 竹島裕, 谷晉輔 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所