專利名稱：真空加熱/冷卻裝置及磁阻元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在真空中高速加熱/冷卻半導(dǎo)體器件、電子器件、磁性器件、顯示器件等的真空加熱/冷卻裝置以及磁阻元件的制造方法。
背景技術(shù)：
具有氧化鎂隧道阻擋層的用作磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)的傳感器元件或者磁頭的隧道磁阻元件形成金屬膜(磁性膜和非磁性膜)和絕緣體膜以多層形式被層疊 (laminate)的結(jié)構(gòu)。這種磁阻元件是通過具有良好生產(chǎn)性的濺射法成膜的，然后，在其他裝置(磁場(chǎng)中的熱處理爐)中在施加1特斯拉(tesla)以上的高磁場(chǎng)的狀態(tài)下實(shí)施熱處理 (參見非專利文獻(xiàn)1)。作為氧化鎂隧道阻擋層的形成方法，已公開了如下方法通過RF濺射氧化鎂靶的直接濺射成膜方法(參見專利文獻(xiàn)1)，通過反應(yīng)性濺射法在氧氣氛中形成金屬鎂膜，并且在形成金屬鎂膜之后在最后階段施加氧化處理的方法(參見專利文獻(xiàn)幻；在形成金屬鎂膜之后施加氧化處理，然后在最后階段再次形成金屬鎂膜的方法(參見專利文獻(xiàn) 3)；在形成金屬鎂膜之后施加氧化處理，并且經(jīng)受熱處理，然后再次形成金屬鎂膜以及再次經(jīng)受熱處理(參見專利文獻(xiàn)4)等。作為更高質(zhì)量氧化鎂隧道阻擋層的形成方法，如非專利文獻(xiàn)2中公開的，已知如下方法在通過RF濺射法使氧化鎂靶直接經(jīng)受濺射成膜之后立即在將基板保持在真空的同時(shí)用紅外線照射基板并且促進(jìn)氧化鎂膜的結(jié)晶化。作為在真空中高速加熱基板的方法，在形成半導(dǎo)體元件的步驟中，如專利文獻(xiàn)5 公開的，已知如下方法經(jīng)由諸如0形環(huán)等真空密封構(gòu)件透過加熱光的窗被設(shè)置在真空室中，并且被保持在真空室中的基板由配置在大氣側(cè)并且放射輻射熱的放射能量源加熱，該放射能量源例如為紅外線燈等。此外，作為急速地冷卻被加熱的基板的方法，如專利文獻(xiàn)6中公開的，已知通過將基板移到與加熱室相鄰并且與加熱室熱隔離的室來冷卻基板的方法。在該方法的冷卻方法中，設(shè)計(jì)出通過直接將基板放置在被冷卻的基板支撐臺(tái)上，并且通過熱傳遞急速地冷卻所述基板。作為在基板留在加熱室而未移動(dòng)到冷卻室的狀態(tài)下冷卻基板的方法，如專利文獻(xiàn) 7中公開的，已知將冷卻氣體導(dǎo)入到加熱室利用氣體的對(duì)流來進(jìn)行冷卻的方法。在該方法中，公開了通過在加熱之后在放射能量源和基板之間插入用于切斷來自放射能量源的余熱的遮避板來提高冷卻效率的思想。作為進(jìn)一步提高冷卻效率的方法，如專利文獻(xiàn)8中公開的，已知使用設(shè)置有冷卻源和固定于作為加熱室的同一空間內(nèi)的可移動(dòng)冷卻板的熱處理裝置的方法。在專利文獻(xiàn) 8中公開的方法中，可移動(dòng)的冷卻板被配置并且被冷卻以便在加熱基板過程中與冷卻源接觸。接著，在完成基板的加熱之后，可移動(dòng)的冷卻板與冷卻源分離并且與基板接觸，使得通過基板與可移動(dòng)的冷卻板之間的熱傳遞來實(shí)現(xiàn)冷卻。作為在作為加熱室的同一空間中冷卻基板的另一方法，專利文獻(xiàn)9公開了通過使可移動(dòng)的冷卻源與裝有加熱抵抗體(heating resistor body)的基板支撐臺(tái)接觸來間接地
6冷卻基板的方法。此外，在專利文獻(xiàn)10和11中，公開了通過使基板支撐臺(tái)與加熱源或者冷卻源接觸來加熱或者冷卻基板的類似方法。在專利文獻(xiàn)11中，基板支撐臺(tái)本身已具有加熱和冷卻功能以及用于提高加熱和冷卻效率的靜電吸附功能，而且該具有靜電吸附功能的基板支撐臺(tái)還具有刻在與基板的背面接觸的面上的槽，并且用于促進(jìn)熱交換的氣體被導(dǎo)入到該槽中。作為加熱源和冷卻源分別地設(shè)置在一個(gè)真空室中以直接地加熱和冷卻僅基板本身的示例，在專利文獻(xiàn)12中已經(jīng)公開了示例，其中，濺射裝置的裝載鎖定室(load lock chamber)設(shè)置有利用來自燈加熱器的加熱光加熱的機(jī)構(gòu)和通過靜電吸收而使基板與被冷卻的基板支撐臺(tái)接觸并且冷卻基板的機(jī)構(gòu)。在該示例中，由于這兩個(gè)機(jī)構(gòu)均設(shè)置在裝載鎖定室中，所以不能連續(xù)地進(jìn)行加熱和冷卻。然而，通過分別地在裝載鎖定室的抽真空和通氣時(shí)進(jìn)行加熱和冷卻，減小了用于實(shí)現(xiàn)基板加熱的濺射成膜的處理時(shí)間。在專利文獻(xiàn)13至15中公開了將磁場(chǎng)施加到配置于真空中的基板以處理基板的示例。專利文獻(xiàn)13和14中的示例中均涉及在真空中施加磁場(chǎng)的同時(shí)對(duì)多個(gè)基板實(shí)施加熱處理的裝置，并且設(shè)計(jì)成能夠在均勻的磁場(chǎng)中進(jìn)行大量的熱處理。然而，他們都不能在連續(xù)真空中進(jìn)行成膜處理和加熱/冷卻處理。此外，專利文獻(xiàn)15中的示例具有如下思想在將磁場(chǎng)施加到基板的同時(shí)進(jìn)行濺射成膜的裝置中，設(shè)置使產(chǎn)生與基板面平行的磁場(chǎng)的磁體與基板的轉(zhuǎn)動(dòng)同步地轉(zhuǎn)動(dòng)的機(jī)構(gòu)，使得能夠施加相對(duì)于基板總是沿一個(gè)方向的平行的磁場(chǎng)。專利文獻(xiàn)16和17公開了在同一室中設(shè)置有加熱基板的加熱機(jī)構(gòu)、冷卻基板的冷卻機(jī)構(gòu)、以及使基板在靠近加熱機(jī)構(gòu)或與加熱機(jī)構(gòu)接觸的位置和靠近冷卻機(jī)構(gòu)或與冷卻機(jī)構(gòu)接觸的位置之間移動(dòng)的移動(dòng)機(jī)構(gòu)的熱處理裝置。在專利文獻(xiàn)16中，裝有加熱器的基板支撐體被用作加熱機(jī)構(gòu)，水冷型或者制冷劑冷卻型的冷卻板被用作冷卻機(jī)構(gòu)。如果用加熱機(jī)構(gòu)加熱基板，那么通過使基板與由加熱器加熱的基板支撐體接觸來加熱基板。在與基板加熱相關(guān)的另一個(gè)示例中，基板與基板支撐體在配置上是分開的，并且通過允許被加熱的諸如氮等干燥氣體在基板與基板支撐體之間流動(dòng)來加熱基板。另一方面，如果冷卻基板，則通過冷卻流體冷卻冷卻板，并且通過使基板接觸或靠近被冷卻的冷卻板來冷卻基板。在專利文獻(xiàn)17中，設(shè)置了加熱板和冷卻板，并且當(dāng)加熱或者冷卻基板時(shí)，以預(yù)定間隔將加熱板或者冷卻板與所述基板隔開。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開2006-801165號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 美國(guó)專利第6841395號(hào)說明書專利文獻(xiàn)3 日本特開2007-142424號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4 日本特開2007-173843號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5 日本特開平6-13324號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)6 日本特開平5-251377號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)7 日本特許第觀86101號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)8 日本特許第3660254號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)9 日本特表2002巧41似8號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)10 日本特開2003-318076號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)11 日本特開2002-76105號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)12 日本特開2003-13215號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)13 日本特開2001-102211號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)14 日本特許第3862660號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)15 日本特開2002-53956號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)16 日本特開2001-196363號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)17 日本特開平7-254545號(hào)公報(bào)非專利文獻(xiàn)非專利文獻(xiàn)1 恒川等人的“半導(dǎo)體生產(chǎn)線中的磁性隧道結(jié)的成膜和微細(xì)加工工藝”(日本應(yīng)用磁氣學(xué)會(huì)第2卷，第7期，358至363頁Q007))非專禾0文獻(xiàn) 2 :S. Isogami 等人的 “In situ heat treatment of ultrathin MgO layerfor giant magnetoresistance ratio with low resistance area product in CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel juctions”(應(yīng)用物理快報(bào)，93，192109 Q008))

發(fā)明內(nèi)容
在層疊膜的界面起作用的磁阻元件中，器件性能在很大程度上取決于未形成膜時(shí)吸附于膜表面的雜質(zhì)(主要是殘留氣體)。在真空中入射到膜表面的殘留氣體量一般與表示真空度的壓力P與膜表面暴露到真空氣氛期間的時(shí)間T的乘積PT成比例，因此，需要使基板的加熱、冷卻和傳送期間的氣氛的壓力和各處理所需的時(shí)間分別地小。在將基板傳送到用于冷卻的另一個(gè)室的現(xiàn)有技術(shù)中，存在的問題是，浪費(fèi)了傳送所需的時(shí)間，也就是說，暴露時(shí)間T變大。通過將冷卻氣體導(dǎo)入加熱室來冷卻基板的方法具有如下問題真空度變差，也就是說，壓力P升高。在加熱和冷卻基板支撐臺(tái)本身的方法中， 存在的問題是，由于基板支撐臺(tái)的熱容量，升溫速度和降溫速度變慢，特別是當(dāng)基板溫度降低到大約室溫時(shí)，花費(fèi)時(shí)間長(zhǎng)，這也增加了暴露時(shí)間T。在裝載鎖定室中進(jìn)行加熱處理或者冷卻處理的現(xiàn)有設(shè)計(jì)方法中，急速且連續(xù)地進(jìn)行薄膜的加熱或者冷卻處理是不可能的。即使在成膜后基板被返回到裝載鎖定室并且繼續(xù)地進(jìn)行加熱/冷卻處理，由于裝置的操作程序而不能接著進(jìn)行成膜。而且，也存在如下問題由于在各處理處與大氣壓通氣的裝載鎖定室具有低的真空度，即，高的壓力P，所以乘積PT異常的高。在磁場(chǎng)中對(duì)大量基板進(jìn)行熱處理的裝置中，已經(jīng)在另一個(gè)成膜裝置中被施加成膜處理的基板一度被取出到大氣中，然后被再次放入用于在磁場(chǎng)中加熱的裝置中以進(jìn)行加熱處理，因此不能在連續(xù)的真空中進(jìn)行成膜處理與加熱/冷卻處理。還是在成膜期間施加磁場(chǎng)的裝置中，沒有提供加熱/冷卻功能，所以在成膜之后在連續(xù)真空中進(jìn)行加熱/冷卻處理是不可能的。此外，如專利文獻(xiàn)16和17那樣，甚至考慮到在連續(xù)真空中的熱處理而將加熱機(jī)構(gòu)和冷卻機(jī)構(gòu)設(shè)置在相同的室的模式也具有以下問題。例如，在專利文獻(xiàn)16和17公開的發(fā)明中，如果通過加熱基板支撐體或者加熱板來加熱基板，則歸因于基板支撐體或者加熱板的熱容量，溫度升高需要時(shí)間，乘積PT變大。
此外，在專利文獻(xiàn)16中，如果基板不是通過加熱基板支撐體自身而被加熱，而是基板支撐體和基板是分開的，并且將被加熱的氣體供給在基板支撐體和基板之間以加熱基板，則基板能夠被加熱而不管基本支撐體的熱容量如何。然而，由于供給用于加熱的氣體的量而增加了壓力P，結(jié)果，增加了乘積PT。鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的問題做出了本發(fā)明，并且本發(fā)明具有提供一種能夠在成膜處理之后在維持高真空度的狀態(tài)下急速地加熱和急速地冷卻僅基板本身的真空加熱/冷卻裝置以及磁阻元件的制造方法的目的。為了實(shí)現(xiàn)該目的，本發(fā)明是一種在真空中加熱/冷卻基板的真空加熱/冷卻裝置， 該裝置包括真空室；放射能量源，其被配置在所述真空室的大氣側(cè)并且放射加熱光；入射部，其用于使來自所述放射能量源的加熱光進(jìn)入所述真空室；配置在所述真空室內(nèi)部并且具有冷卻機(jī)構(gòu)的構(gòu)件，該構(gòu)件能由所述冷卻機(jī)構(gòu)冷卻；以及基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其具有用于保持所述基板的基板保持部，所述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)使所述基板保持部停在加熱位置和與所述加熱位置不同的冷卻位置，并且還使所述基板保持部在所述加熱位置和所述冷卻位置之間移動(dòng)，其中，所述加熱位置是當(dāng)所述基板被加熱時(shí)所述基板應(yīng)當(dāng)位于的位置并且是靠近所述放射能量源的位置，所述冷卻位置是當(dāng)所述基板被冷卻時(shí)所述基板應(yīng)當(dāng)位于的位置并且是靠近所述構(gòu)件的位置或者是所述基板被載置于所述構(gòu)件的位置。此外，本發(fā)明是一種磁阻元件的制造方法，該磁阻元件包括具有至少磁化固定層、 隧道阻擋層或非磁性傳導(dǎo)層、以及磁化自由層的三層結(jié)構(gòu)，該制造方法包括準(zhǔn)備形成有所述隧道阻擋層或者非磁性傳導(dǎo)層的基板的步驟；利用加熱光加熱所述基板的加熱步驟，所述加熱光從內(nèi)部配置有所述基板的真空室的外部入射；和在所述真空室中的與利用所述加熱光進(jìn)行加熱的位置不同的位置冷卻該被加熱的基板的冷卻步驟。另外，本發(fā)明是一種磁阻元件的制造方法，該磁阻元件包括具有至少第一磁性層、 隧道阻擋層或非磁性傳導(dǎo)層、以及第二磁性層的三層結(jié)構(gòu)，該制造方法包括在基板上形成所述第一磁性層和所述隧道阻擋層或非磁性傳導(dǎo)層的步驟；在預(yù)定位置配置形成有所述第一磁性層和所述隧道阻擋層或非磁性傳導(dǎo)層的所述基板的步驟；通過用加熱光照射形成有所述第一磁性層和所述隧道阻擋層或非磁性傳導(dǎo)層的所述基板來加熱所述基板的加熱步驟，其中，所述加熱光從內(nèi)部配置有形成有所述第一磁性層和所述隧道阻擋層或非磁性傳導(dǎo)層的所述基板的真空室的外部被導(dǎo)入所述真空室中；和在所述真空室中的與所述預(yù)定位置不同的位置處冷卻被加熱后的基板的冷卻步驟，其中，所述隧道阻擋層或非磁性傳導(dǎo)層是氧化鎂層；并且在所述加熱步驟和所述冷卻步驟中的至少一個(gè)步驟中，施加磁場(chǎng)以使所述第一磁性層的磁化方向一致。根據(jù)本發(fā)明，即使在成膜處理之后，也能夠在維持高真空度的狀態(tài)下僅基板被急速加熱或者急速冷卻。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的真空加熱/冷卻裝置的構(gòu)造圖。圖2是連接有根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的真空加熱/冷卻裝置的濺射裝置的構(gòu)造圖。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的真空加熱/冷卻裝置中的控制系統(tǒng)的概略構(gòu)造的框圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的真空加熱/冷卻裝置的構(gòu)造圖。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式對(duì)加熱處理后的基板進(jìn)行冷卻時(shí)的時(shí)間與基板溫度之間關(guān)系的降溫曲線。圖6是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的真空加熱/冷卻裝置的構(gòu)造圖。圖7是用于說明圖6中示出的磁場(chǎng)施加機(jī)構(gòu)(磁路)的配置的俯視圖。圖8A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于比較形成于已熱處理基板上的磁性膜的磁化方向的圖，并且是示出在熱處理期間未施加磁場(chǎng)時(shí)磁化方向的圖。圖8B是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于比較形成于已熱處理基板上的磁性膜的磁化方向的圖，并且是示出在熱處理期間施加磁場(chǎng)時(shí)磁化方向的圖。圖9是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的真空加熱/冷卻裝置的構(gòu)造圖。圖IOA是用于說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的使基板在加熱位置和冷卻位置之間移動(dòng)的機(jī)構(gòu)的圖，是該機(jī)構(gòu)的概略主視圖。圖IOB是用于說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的使基板在加熱位置和冷卻位置之間移動(dòng)的機(jī)構(gòu)的圖，示出該機(jī)構(gòu)的上面。圖IOC是用于說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的使基板在加熱位置和冷卻位置之間移動(dòng)的機(jī)構(gòu)的圖，是當(dāng)使用該機(jī)構(gòu)時(shí)基板支撐臺(tái)的俯視圖。圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的隧道磁阻元件的MR-RA的圖。
具體實(shí)施例方式下面將參照附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施方式。在下面說明的附圖中，功能相同的部件使用相同的附圖標(biāo)記，并且將省略重復(fù)說明。(第一實(shí)施方式)圖1是根據(jù)本實(shí)施方式的真空加熱/冷卻裝置的裝置構(gòu)造圖。在圖1中，在真空室1的上部，經(jīng)由真空密封構(gòu)件(未示出)固定有用于透過來自鹵素?zé)?的加熱光的石英窗(quartz window) 30該石英窗3起到使從鹵素?zé)?輸出的加熱光進(jìn)入真空室1的入射部的作用。真空密封構(gòu)件優(yōu)選具有高耐熱性，例如為Viton (注冊(cè)商標(biāo))或者Kalrez (注冊(cè)商標(biāo))等。如圖1所示，通過在真空室1與石英窗3之間設(shè)置用于安裝/拆卸石英窗的環(huán)4，來方便石英窗3的安裝/拆卸。石英窗3的尺寸優(yōu)選為基板5 的尺寸的1.5倍以上。并且，作為放射加熱光的放射能量源的鹵素?zé)?配置在大氣側(cè)。也就是說，鹵素?zé)?配置在真空室1的外部，以便用加熱光照射石英窗3。作為放射能量源，并不限于鹵素?zé)簦灰缒軌蚍派渲T如紅外線等加熱光即可。環(huán)狀遮蔽板7設(shè)置在鹵素?zé)?2與石英窗3之間，使得來自鹵素?zé)?的加熱光不直接照射0型環(huán)6。遮蔽板7由導(dǎo)熱良好的鋁制成，并且具有通過設(shè)置冷卻水路8而用冷卻水冷卻的結(jié)構(gòu)。在鹵素?zé)?下方的真空室1的內(nèi)部，配置了直徑與基板5的直徑大體相同的基板支撐臺(tái)9。而且，水冷套10被配置成與基板支撐臺(tái)9接觸。也就是說，在本實(shí)施方式中，具有冷卻機(jī)構(gòu)的構(gòu)件包括基板支撐臺(tái)9和與基板支撐臺(tái)9接觸的水冷套10。作為基板支撐臺(tái) 9，優(yōu)選地使用具有高導(dǎo)熱率的介電材料，在本實(shí)施方式中使用AlN(氮化鋁)。水冷套10優(yōu)選地具有能夠盡可能大范圍地接收來自鹵素?zé)?的加熱光的尺寸，使得來自鹵素?zé)?的加熱光不直接照射真空室1的內(nèi)壁。對(duì)于內(nèi)置有冷卻水路12的水冷套10，其中冷卻水路12成為作為制冷劑的冷卻水的通道，該水冷套10優(yōu)選地使用具有低氣體放出率(gas emission rate)和高導(dǎo)熱率的材料，在本實(shí)施方式中使用鋁。此外，冷卻水導(dǎo)入口 1 和冷卻水排出口 12b被連接到冷卻水路12，泵(未示出) 被連接到冷卻水導(dǎo)入口 12a。由此，通過驅(qū)動(dòng)泵，經(jīng)由冷卻水導(dǎo)入口 1 將冷卻水導(dǎo)入冷卻水路12，該冷卻水通過包含在冷卻套10中的冷卻水路12以冷卻冷卻套10，并且經(jīng)由冷卻水排出口 12b排出。當(dāng)冷卻套10由冷卻水冷卻時(shí)，冷卻效果到達(dá)基板支撐臺(tái)9，如果基板5 載置于基板支撐臺(tái)9，則能夠冷卻該載置的基板5。在本實(shí)施方式中，使用了具有冷卻水路12的水冷套10與基板支撐臺(tái)9彼此接觸的模式，但是冷卻水路12也可以置于基板支撐臺(tái)9中。也就是說，在本發(fā)明中，重點(diǎn)在于基板支撐臺(tái)9具有冷卻功能，由此，基板支撐臺(tái)9與用于使制冷劑流動(dòng)的冷卻機(jī)構(gòu)(諸如水冷套10、冷卻水路12等)接觸或者基板支撐臺(tái)9內(nèi)置有冷卻機(jī)構(gòu)。在基板支撐臺(tái)9和水冷套10中，在基板5的尺寸范圍內(nèi)的外周部上的至少三個(gè)位置處分別開有通孔，并且使基板5上下移動(dòng)的升降銷(lift pin) 13被插入這些通孔。升降銷13經(jīng)由波紋管11被連接到位于大氣側(cè)的上下驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)15，并且通過上下驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)15的驅(qū)動(dòng)而上下升降。作為上下驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)15，可以使用電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)型或者使用采用壓縮空氣的氣缸型。上下驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)15被連接到稍后將說明的控制部(在圖1中未示出)，并且借助于由控制部對(duì)上下驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)15的驅(qū)動(dòng)的控制，控制升降銷13的(上下)升降。在本實(shí)施方式中，通過用至少三個(gè)升降銷13的末端13a支撐基板5的下面(與待處理的面相反的面)，由升降銷13保持基板5。也就是說，基板5由升降銷13的末端13a 保持，從而各升降銷13的末端13a分別起到基板保持部的作用。由升降銷13保持的基板 5能夠借助于通過控制部對(duì)上下驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)15的控制而停在冷卻位置P1、傳送位置P2和加熱位置P3 (靜止)，并且也能在冷卻位置Pl和加熱位置P3之間移動(dòng)。在圖1中，為了方便， 用虛線示出停在傳送位置P2和加熱位置P3的基板5。在本說明書中，“冷卻位置”是當(dāng)基板將被冷卻時(shí)基板應(yīng)當(dāng)被配置的位置，在本實(shí)施方式中，基板5載置于基板支撐臺(tái)9的位置被稱為冷卻位置Pl。該冷卻位置不限于基板載置于基板支撐臺(tái)的位置，還可以是靠近基板支撐臺(tái)的位置，只要基板在具有冷卻功能的基板支撐臺(tái)產(chǎn)生的冷卻效果起作用的范圍即可。此外，“加熱位置”是與冷卻位置不同并且當(dāng)基板將被加熱時(shí)基板應(yīng)當(dāng)配置的位置，該加熱位置是位于放射能量源與具有冷卻功能的基板支撐臺(tái)之間的位置，并且被設(shè)定在比冷卻位置Pl靠近放射能量源的位置。在本實(shí)施方式中，加熱位置P3被設(shè)定在石英窗 3附近。此外，“傳送位置”是從外部傳送來的基板首先被保持并且被設(shè)定在冷卻位置Pl與加熱位置P3之間的位置。在本實(shí)施方式中，傳送位置P2被設(shè)定在面對(duì)傳送基板用的閘閥 14的開口的空間內(nèi)以及在該開口的寬度范圍內(nèi)的空間內(nèi)。從外部傳送來的基板5在傳送位置P3處由升降銷13的末端保持，然后通過升降銷13的升降被移動(dòng)到加熱位置P3或者冷卻位置P1。傳送位置P3優(yōu)選被設(shè)定在上述空間內(nèi)，不過也可以被設(shè)定在該空間外側(cè)的位置。 這是因?yàn)?，在本發(fā)明中，重點(diǎn)在于在連續(xù)真空中進(jìn)行急速加熱和急速冷卻。為此目的，必要的是在相同的真空室內(nèi)分別地設(shè)置加熱位置P3和冷卻位置Pl，并且在加熱位置P3處進(jìn)行加熱處理，在冷卻位置Pl處進(jìn)行冷卻處理。因此，只要實(shí)現(xiàn)該必要的要求，傳送位置可以在任何地方。在真空室1的側(cè)面，配置了傳送基板用的閘閥14，使得能夠在與其他相鄰的真空室一起保持真空的狀態(tài)下取出/放入基板5。在真空室1中的與傳送基板用的閘閥14相對(duì)的一側(cè)，經(jīng)由真空密封用的閘閥18配置有抽真空的真空泵16。真空室1由氣體放出率低的鋁或者不銹鋼制成，并且在該真空室的大氣側(cè)，卷繞有用于烘烤(baking)的護(hù)套式加熱器(sheath heater)(未示出)和用于冷卻的冷卻水管路(未示出)。如果從大氣抽空真空室1，那么使護(hù)套式加熱器通電以將真空室1加熱到 150°C以上并且進(jìn)行至少2個(gè)小時(shí)以上的烘烤以促進(jìn)從室內(nèi)壁的氣體釋放。當(dāng)室的烘烤完成時(shí)，使水流動(dòng)通過冷卻水管路以便將真空室冷卻到室溫。當(dāng)真空室1中的真空度飽和時(shí)， 準(zhǔn)備完成，但是為了防止真空室1在加熱處理期間升溫而使冷卻水繼續(xù)流動(dòng)。而且，分別在真空室1中的至少一個(gè)位置處安裝真空計(jì)17和氣體導(dǎo)入口 19。圖3是示出本實(shí)施方式的真空加熱/冷卻裝置中的控制系統(tǒng)的概略構(gòu)造的框圖。在圖3中，附圖標(biāo)記1000表示作為控制整個(gè)真空加熱/冷卻裝置的控制部件的控制部。該控制部1000具有執(zhí)行諸如各種演算、控制、判斷等處理操作的CPU 1001 ；和存儲(chǔ)由該CPU 1001執(zhí)行的各種控制程序的ROM 1002。而且，控制部1000還具有臨時(shí)存儲(chǔ)CPU 1001的處理操作期間的數(shù)據(jù)、輸入數(shù)據(jù)等的RAM 1003 ；和諸如閃存、SRAM等非易失性存儲(chǔ)器(nonvolatile memory)1004。而且，該控制部1000還連接有包括用于輸入預(yù)定指令或數(shù)據(jù)等的鍵盤或者各種開關(guān)在內(nèi)的輸入操作部1005 ；和做出包括真空加熱/冷卻裝置的輸入/設(shè)定狀態(tài)在內(nèi)的各種顯示的顯示部1006。并且，控制部1000還通過驅(qū)動(dòng)回路1007、1008、1009、1010、1011和 1012分別與鹵素?zé)?、上下驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)15、真空泵16、用于導(dǎo)入冷卻水的泵1013、用于傳送基板的閘閥14以及用于真空密封的閘閥18相連。根據(jù)來自CPU 1001的指令，鹵素?zé)?放射出輻射光(radiation light)，并且上下驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)15使升降銷13上下移動(dòng)。泵1013被連接到冷卻水導(dǎo)入口 12a，并且根據(jù)來自 CPU 1001的指令將冷卻水導(dǎo)入冷卻水導(dǎo)入口 12a。并且，根據(jù)來自CPU1001的指令，驅(qū)動(dòng)真空泵16和用于真空密封的閘閥18，以便將真空室1抽空。另外，根據(jù)來自CPU1001的指令， 控制用于傳送基板的閘閥14的開/閉，使得基板5能夠被傳送到真空室1。隨后，將使用

本實(shí)施方式的操作。圖2示出與根據(jù)本實(shí)施方式的真空加熱/冷卻裝置連接的濺射裝置的室的構(gòu)造。 圖2中示出的濺射裝置是能夠在連續(xù)真空中形成包括具有至少磁化固定層、隧道阻擋層或非磁性傳導(dǎo)層、以及磁化自由層的三層結(jié)構(gòu)在內(nèi)的磁阻元件和形成半導(dǎo)體元件的制造裝置。圖2中示出的濺射裝置包括設(shè)置有2個(gè)真空傳送機(jī)構(gòu)(機(jī)器人)21的真空傳送室 22。真空傳送室22通過閘閥分別與安裝有多個(gè)濺射陰極23的三個(gè)濺射成膜室M、25J6、 用于清潔基板表面的蝕刻室27、用于在大氣與真空之間取出/放入基板的裝載鎖定室觀， 以及根據(jù)圖1中說明的實(shí)施方式的真空加熱/冷卻裝置四相連。因此，能夠在不破壞真空的狀態(tài)下使基板在各室之間移動(dòng)。在各濺射成膜室M至沈中布置有基板保持件30a至 30c。在真空傳送室22中，可以設(shè)置氧化處理室。在本實(shí)施方式中，在濺射成膜室M中安裝鉭靶、釕靶、銥錳靶、鈷鐵靶和鈷鐵硼靶，在濺射成膜室25中安裝至少氧化鎂靶，在濺射成膜室沈中安裝至少鈷鐵硼靶和鉭靶。 借助于真空傳送機(jī)構(gòu)21，使硅基板21經(jīng)由裝載鎖定室觀導(dǎo)入真空中，并且首先在蝕刻室 27中將附著在硅基板上的雜質(zhì)去除。之后，通過真空傳送機(jī)構(gòu)21將硅基板傳送到濺射成膜室對(duì)，并且在濺射成膜室M中，在硅基板上形成鉭(5nm)/釕Onm)/銥錳(5nm)/鈷鐵 0.5nm)/釕(0.85nm)/鈷鐵硼(3nm)膜的層疊體。隨后，借助于真空傳送機(jī)構(gòu)21，將硅基板從濺射成膜室M傳送到濺射成膜室25，并且在濺射成膜室25中，在層疊體上形成大約 Inm的氧化鎂膜，以便具有硅基板/鉭(5nm)/釕Qnm) /銥錳/ (5nm) /鈷鐵(2. 5nm)/釕 (0.85nm)/鈷鐵硼(3nm)/氧化鎂(Inm)的結(jié)構(gòu)。此后，借助于真空傳送機(jī)構(gòu)21，將硅基板從濺射成膜室25傳送到真空加熱/冷卻裝置四，并且該真空加熱/冷卻裝置四將被傳送的硅基板(基板5)進(jìn)行傳送并且進(jìn)行加熱/冷卻處理。最后，借助于真空傳送機(jī)構(gòu)21，將硅基板從真空加熱/冷卻裝置四傳送到濺射成膜室沈，并且在濺射成膜室沈中，在形成于被傳送的硅基板上的層疊體上層疊鈷鐵硼(3nm)/鉭(5nm)以完成隧道磁阻元件。隨后，將詳細(xì)地說明在根據(jù)圖1所示的本實(shí)施方式的真空加熱/冷卻裝置四中的處理內(nèi)容。一旦收到加熱/冷卻處理的指令，控制部1000就執(zhí)行控制以打開用于傳送基板的閘閥14。此時(shí)，通過真空傳送室22的基板傳送機(jī)構(gòu)21將直到在濺射成膜室25中形成了氧化鎂膜的基板(硅基板)5傳送到在真空加熱/冷卻裝置四中等在傳送位置P2的升降銷13。之后，借助于控制部1000的控制，將閘閥14關(guān)閉，并且將升降銷13升起。此時(shí)，控制部1000控制上下驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)15并且升起升降銷13使得由升降銷13保持的基板5位于加熱位置P3。此時(shí)，優(yōu)選地將加熱位置P3設(shè)定成使得鹵素?zé)?與基板5之間的距離為IOOmm 以下。在這種狀態(tài)下，根據(jù)來自控制部1000的指令，將電力輸入到鹵素?zé)?，并且從大氣側(cè)用加熱光經(jīng)由石英窗3照射基板5。當(dāng)基板5的溫度達(dá)到期望溫度時(shí)，控制部1000降低鹵素?zé)?的輸入電力并且執(zhí)行控制使得基板溫度維持在一定值。如上所述進(jìn)行基板的加熱處理。在本實(shí)施方式中，在加熱處理完成之前的預(yù)定時(shí)刻，開始基板支撐臺(tái)9的冷卻操作。在冷卻操作中，控制部1000執(zhí)行驅(qū)動(dòng)泵1013的控制。借助于該控制，冷卻水從泵1013 被導(dǎo)入到冷卻水導(dǎo)入口 12a，并且經(jīng)由冷卻水路12從冷卻水排出口 12b排出。此時(shí)，基板支撐臺(tái)9由通過冷卻水路12的冷卻水冷卻。在經(jīng)過了期望時(shí)間之后，控制部1000執(zhí)行停止為鹵素?zé)?提供電力的控制。接著，控制部1000控制上下驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)15以便使用于支撐已經(jīng)受到加熱處理的基板5的升降銷13下降，并且使基板5位于冷卻位置P1。也就是說，基板5放置在由用于冷卻基板5的冷卻水冷卻的基板支撐臺(tái)9 (冷卻位置Pl)上。當(dāng)基板5的溫度冷卻到大約室溫時(shí)，控制部 1000控制上下驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)15以將升降銷13升起到傳送位置P2、打開閘閥14并且通過基板傳送機(jī)構(gòu)21將升降銷13上的基板5送出。如上所述，控制部1000控制升降銷13的驅(qū)動(dòng)使得基板5在加熱處理中位于加熱位置P3，并且使基板5停在加熱位置P3以進(jìn)行加熱處理。接著，控制部1000可以執(zhí)行控制使得冷卻水在加熱處理期間或者從加熱處理之前的階段流動(dòng)通過冷卻水路12。因此，當(dāng)完成加熱處理時(shí)，基板支撐臺(tái)9已經(jīng)進(jìn)入充分冷卻狀態(tài)。隨后，控制部1000控制升降銷13的驅(qū)動(dòng)以便使基板5位于冷卻處理中的冷卻位置P1，并且使得該基板5停在用于冷卻處理的冷卻位置PI。如上所述，在本實(shí)施方式中，通過在真空室1和真空室1中的基板支撐臺(tái)9 一直被冷卻的狀態(tài)下用加熱光僅加熱基板5，能夠在維持高真空的狀態(tài)下急速地實(shí)現(xiàn)基板的加熱和冷卻。也就是說，在本實(shí)施方式中，當(dāng)對(duì)基板5進(jìn)行加熱時(shí)，沒有采用基板支撐臺(tái)9自身被加熱的構(gòu)造，而是通過在與具有冷卻功能的基板支撐臺(tái)9分開的加熱位置P3處保持和加熱基板5來完成加熱，因此，能夠加熱基板5而不管基板支撐臺(tái)9的熱容量如何。所以，能夠減少基板加熱所需的時(shí)間，并且能夠急速加熱基板。也就是說，由于放射加熱光的鹵素?zé)? 配置于真空室1的外部且用來自鹵素?zé)?的加熱光加熱基板，所以，能夠加熱基板而不會(huì)像專利文獻(xiàn)16和17那樣加熱包含在加熱機(jī)構(gòu)中的基板支撐體本身或者加熱板本身。因此， 在加熱機(jī)構(gòu)和冷卻機(jī)構(gòu)設(shè)置于同一室的模式下，本實(shí)施方不具有加熱預(yù)定構(gòu)件并且將該預(yù)定構(gòu)件的熱傳遞給基板來加熱基板的構(gòu)造，能夠減小加熱所需時(shí)間，并且能夠減小作為殘留氣體的指標(biāo)(index)的乘積PT中的時(shí)間要素“Τ”。此外，在專利文獻(xiàn)16中的另一個(gè)示例中，如上所述基板和基板支撐體是分開，并且加熱了的干燥氣體被導(dǎo)入基板與基板支撐體之間的分開區(qū)域以便用干燥氣體的熱加熱基板。根據(jù)該構(gòu)造，由于基板支撐體本身不被加熱，所以能夠省略用于加熱基板支撐體本身的時(shí)間，并且能夠減小乘積PT中的時(shí)間要素“T”。然而，在該構(gòu)造中，需要供給用于加熱基板的干燥氣體，并且增加了用于該供給的干燥氣體的那部分壓力。因此，即使能夠減小乘積PT中的時(shí)間要素“Τ”，但是壓力要素“P” 增加了，所也不能很好地減小乘積PT。因此，即使為了減小乘積PT而降低室中的壓力，由于增加了用于供給加熱用氣體的那部分壓力，所以難以在保持高真空度的同時(shí)進(jìn)行加熱處理。另一方面，在本實(shí)施方式中，使用了通過加熱光加熱基板的思想，鹵素?zé)?設(shè)置在真空室1的大氣側(cè)(外部)，使從鹵素?zé)?發(fā)出的加熱光經(jīng)由石英窗2進(jìn)入真空室1，并且用入射的加熱光照射待加熱的基板。也就是說，在本實(shí)施方式中，由于基板是由諸如紅外線等加熱光加熱，該基板能夠在無需使用諸如加熱了的干燥氣體等導(dǎo)致壓力增加的要素的狀態(tài)下被加熱。因此，基板能夠被加熱而不會(huì)增加PT乘積的壓力要素“P”。因此，通過降低真空室1中的壓力，也降低了壓力要素“P”，能夠在高真空度下進(jìn)行加熱處理。而且，由于在同一真空室1中加熱位置Ρ3與冷卻位置Pl布置于分開的位置，所以能夠在加熱位置Ρ3處進(jìn)行加熱處理時(shí)或者從加熱處理之前的階段開始冷卻基板支撐臺(tái)9。 因此，在當(dāng)基板的加熱處理完成并且該處理進(jìn)入冷卻基板的階段中，能夠充分地冷卻基板支撐臺(tái)9，并且當(dāng)基板5被載置于基板支撐臺(tái)9上或者配置成靠近基板支撐臺(tái)9 ( S卩，當(dāng)基板 9配置在冷卻位置Pl)時(shí)，能夠使基板支撐臺(tái)9的冷卻作用立即對(duì)基板5起效果。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)急速冷卻。另外，在本實(shí)施方式中，基板5由升降銷13支撐并且在加熱位置Ρ3和冷卻位置Pl 之間移動(dòng)。因此，由于基板5不是由面支撐而是由點(diǎn)支撐，所以能夠減小在加熱處理過程中支撐基板5的構(gòu)件(升降銷13)的熱容量的影響。因此，如果在加熱處理之后進(jìn)行冷卻處理，那么由于升降銷13與基板5之間的接觸區(qū)域小，所以減小升降銷13的熱容量的影響。 因此，能夠減小基板5的溫度降低所需的時(shí)間，并且能夠?qū)崿F(xiàn)急速冷卻。而且，在加熱處理中，也能夠減小升降銷13的熱容量對(duì)基板5的加熱的影響，因此能夠?qū)崿F(xiàn)急速加熱。如上所述，在本實(shí)施方式中，冷卻位置Pl和加熱位置P3分開地設(shè)置在真空室1 中，另外，通過使加熱光進(jìn)入基板而進(jìn)行基板的加熱處理。因此，在同一室中，在維持高的真空度的狀態(tài)下，能夠同時(shí)地且獨(dú)立地進(jìn)行用于基板加熱處理的準(zhǔn)備和用于基板冷卻處理的準(zhǔn)備。因此，能夠高效地減小乘積PT的壓力要素“P”和時(shí)間要素“T”兩者。圖11是示出在上述隧道磁阻元件成膜中在形成氧化鎂膜之后不加熱地形成隨后的層的情況、在形成氧化鎂膜之后進(jìn)行加熱且接著在同一室中進(jìn)行冷卻并且形成隨后的層的情況(本實(shí)施方式)以及在形成氧化鎂膜之后進(jìn)行加熱但在不冷卻的狀態(tài)下形成隨后的層的情況的MR-RA的曲線圖。如果隧道磁阻元件被用作磁頭的傳感器，優(yōu)選在RA較低的區(qū)域獲得較高的MR比。 如圖11所示，如果在形成氧化鎂膜之后不進(jìn)行加熱，在RA大約為6Ω μ m2至7Ω μ m2時(shí)MR 比急速地下降。另一方面，如圖11所示，如果在形成氧化鎂膜之后進(jìn)行加熱，雖然MR比隨著RA下降而劣化的現(xiàn)象是相同的，但是MR比的下降率比在形成氧化鎂膜之后不進(jìn)行加熱的情況緩和，并且保持高的MR比。另外，如果在加熱之后不進(jìn)行冷卻，MR比從2 Ω μ m2附近開始急速地下降，但是，通過在加熱之后進(jìn)行冷卻，MR比的下降率能夠被抑制。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，當(dāng)制造隧道磁阻元件的氧化鎂膜時(shí)，通過在加熱位置 Ρ3用加熱光加熱所形成的氧化鎂膜并且還通過在同一室中在與加熱位置Ρ3不同的冷卻位置Pl處冷卻該氧化鎂膜，可以使乘積PT小，另外，能夠在較低的RA實(shí)現(xiàn)較高的MR比，這是特別有利的。如上所述，在本實(shí)施方式中，能夠在同一真空室中進(jìn)行基板的加熱處理和基板的冷卻處理，而且，加熱處理所需的時(shí)間和冷卻處理所需的時(shí)間都能夠減小。因此，表示真空度的壓力P和暴露時(shí)間T均能夠減小，并且能夠減小入射到基板的膜表面的殘留氣體。(第二實(shí)施方式)在第一實(shí)施方式中，如果加熱溫度高或者依據(jù)基板5的類型，當(dāng)基板5被載置于被冷卻的基板支撐臺(tái)9上時(shí)，基板可能由于熱沖擊而破裂(split)。為了防止基板的這種破裂，在本實(shí)施方式中，在完成第一實(shí)施方式中的加熱之后，當(dāng)升降銷17降低時(shí)，并不立即使基板5載置于基板支撐臺(tái)9上，而是使基板一度停止在基板支撐臺(tái)9上方的預(yù)定位置。該預(yù)定位置優(yōu)選在基板支撐臺(tái)9上方20mm的范圍內(nèi)。作為選擇，在非加熱期間，基板5可以一度停止在鹵素?zé)?和基板5之間的距離為IOOmm以上的位置。通過上述構(gòu)造，能夠在避免破裂的情況下冷卻基板。也就是說，在本實(shí)施方式中， 如果基板5的溫度已經(jīng)下降到即使基板載置于被冷卻的基板支撐臺(tái)9之后基板也不會(huì)破裂的溫度，那么升降銷13被降低到冷卻位置且基板5載置于基板支撐臺(tái)9上，使得基板溫度能夠在避免基板5破裂的情況下急速地冷卻到室溫附近。(第三實(shí)施方式)在第一和第二實(shí)施方式中，為了在基板5載置于被冷卻的基板支撐臺(tái)9上之后進(jìn)一步減小基板溫度達(dá)到室溫的時(shí)間，在基板支撐臺(tái)9上設(shè)置諸如靜電卡盤(electrostatic chuck)等靜電吸附機(jī)構(gòu)和為基板支撐臺(tái)9的表面供給冷卻氣體兩者中的至少一個(gè)是有效的。圖4是用于說明在圖1中示出的真空加熱/冷卻裝置的基板支撐臺(tái)中設(shè)置靜電卡
15盤功能的模式的圖。在圖4中，基板支撐臺(tái)41是根據(jù)本實(shí)施方式將靜電卡盤功能增加到圖1所示的基板支撐臺(tái)9的基板支撐臺(tái)。具體地，由介電體制成的基板支撐臺(tái)41與導(dǎo)入電(電力)的導(dǎo)線(未示出)接觸或者內(nèi)置有導(dǎo)線，并且該導(dǎo)線與外部電源電連接。外部電源被構(gòu)造成根據(jù)來自控制部1000的指令將電壓施加到導(dǎo)線。由此，如果根據(jù)來自控制部1000的靜電吸附的指令將電壓施加到導(dǎo)線，那么基板能夠被電壓產(chǎn)生的靜電吸附到基板支撐臺(tái)41上。而且，槽42形成于基板支撐臺(tái)41的與基板5的背面接觸的一面(載置基板5的一面)，并且用于將冷卻氣體導(dǎo)入到大氣側(cè)并且從大氣側(cè)排出冷卻氣體的至少一對(duì)氣體導(dǎo)入管路43被連接到槽42。該氣體導(dǎo)入管路43被連接到用于將冷卻氣體導(dǎo)入到氣體導(dǎo)入管路43或者從氣體導(dǎo)入管路43排出冷卻氣體的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)(未示出)，并且該氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)根據(jù)來自控制部1000的指令將冷卻氣體導(dǎo)入氣體導(dǎo)入管路43。在本實(shí)施方式中，在第一和第二實(shí)施方式中，在完成加熱處理之后的使升降銷13 降下并且使基板5載置于基板支撐臺(tái)41之后，控制部1000控制外部電源以便為基板支撐臺(tái)41的靜電卡盤機(jī)構(gòu)(導(dǎo)線)提供電力并且借助于靜電使基板5與被冷卻的基板支撐臺(tái) 41緊密接觸。此外，控制部1000控制氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)以便將作為冷卻氣體的氬氣導(dǎo)入到刻在基板支撐臺(tái)41中的用于導(dǎo)入冷卻氣體的槽42，并且氬氣與基板5的背面直接接觸，使得能夠大幅地改善到達(dá)室溫的冷卻時(shí)間。圖5是直徑為300mm且被加熱到550°C的硅片(基板5)僅載置于被冷卻的基板支撐臺(tái)41上的情況(僅由冷卻水路12冷卻)，和基板5載置于被冷卻的基板支撐臺(tái)41上然后經(jīng)受靜電卡盤并且使氬氣在基板5的背面流動(dòng)的情況的降溫曲線的比較圖。在圖5中，虛線是基板5僅載置于基板支撐臺(tái)41上的情況的降溫曲線。實(shí)線中用附圖標(biāo)記51表示的區(qū)域是在基板5載置于基板支撐臺(tái)41上并且靜電卡盤和氬氣導(dǎo)入均進(jìn)行的情況下當(dāng)未進(jìn)行靜電卡盤和氬氣導(dǎo)入時(shí)的時(shí)間段內(nèi)的降溫曲線。而，實(shí)線中用附圖標(biāo)記52表示的區(qū)域是在靜電卡盤和氬氣導(dǎo)入均進(jìn)行的情況下當(dāng)開啟了靜電卡盤時(shí)的時(shí)間段內(nèi)的降溫曲線。另外，實(shí)線中用附圖標(biāo)記53表示的區(qū)域是在靜電卡盤和氬氣導(dǎo)入均進(jìn)行的情況下當(dāng)開啟了靜電卡盤此外還導(dǎo)入了氬氣的時(shí)間段內(nèi)的降溫曲線。在圖5中，通過在時(shí)間tl進(jìn)行靜電卡盤，增加了冷卻速度，而且，通過在時(shí)間t2處將作為冷卻氣體的氬氣導(dǎo)入到基板5的背面，進(jìn)一步增加了冷卻速度。結(jié)果，已知在從冷卻開始過了兩分鐘之后，基板溫度達(dá)到40°C以下的室溫水平。(第四實(shí)施方式)在本實(shí)施方式中，如圖6所示，作為磁場(chǎng)施加機(jī)構(gòu)的磁體61配置在用于冷卻基板支撐臺(tái)41的水冷套10的外側(cè)。另外，為了防止由于加熱光對(duì)磁體61的直接入射而引起溫度上升，設(shè)置反射器62以圍繞磁體61。此時(shí)，為了防止反射器62的溫度上升，反射器62自身優(yōu)選地具有內(nèi)部裝有冷卻水管路63使得反射器62與制冷劑接觸的水冷套結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，采用了所謂Halbach型磁路作為磁體61，在該磁路中分成多個(gè)塊(磁體元件71)的永磁體如圖7所示以各磁體元件71的方向(磁化方向7 沿環(huán)形配置。采用該結(jié)構(gòu)，變得能夠在冷卻期間為基板5施加與基板面平行排列而且也在基板面中平行排列的磁場(chǎng)(磁力線7 。通過不將基板5載置于被冷卻的基板支撐臺(tái)41上而是使基板5停在基板支撐臺(tái)41上方例如20mm范圍內(nèi)的位置處，并且通過將鹵素?zé)?的輸入電力設(shè)定為比加熱位置P3處的輸入電力高，能夠在施加磁場(chǎng)的同時(shí)保持高溫。通過在冷卻期間或者在加熱和冷卻期間施加與基板平行的磁場(chǎng)，如圖8A與8B所示，磁性膜的磁化方向能夠沿一個(gè)方向排列。在圖8A和8B中，附圖標(biāo)記81表示磁性膜被堆積的基板，附表標(biāo)記82表示磁化。迄今為止，通過由濺射裝置形成磁阻元件的膜，然后通過能夠在以后的工序中施加磁場(chǎng)的熱處理裝置(與濺射裝置不同的裝置)在磁場(chǎng)中對(duì)其進(jìn)行退火(anneal)，磁化方向已經(jīng)沿一個(gè)方向排列。另一方面，在本實(shí)施方式中，在磁阻元件的成膜加工過程中，在磁場(chǎng)中進(jìn)行加熱和冷卻。因此，現(xiàn)有技術(shù)的隨后工序中在磁場(chǎng)中的熱處理工序能夠跳過。(第五實(shí)施方式)在第四實(shí)施方式中，通過用電磁體替換永磁體作為磁場(chǎng)施加機(jī)構(gòu)，可以期待相同的優(yōu)點(diǎn)。此時(shí)，電磁體優(yōu)選地被構(gòu)造成施加至少25高斯(gauss)以上的磁場(chǎng)。(第六實(shí)施方式)為了施加更強(qiáng)的電磁場(chǎng)，在本實(shí)施方式中，如圖9所示，具有磁軛92和電磁體用線圈93的電磁體91配置于真空室1的外部。作為電磁體91的構(gòu)造的示例，如果基板5停在冷卻位置Pl上方的預(yù)定位置，那么電磁體91可以被構(gòu)造為產(chǎn)生與基板5的處理面大體平行排列并且也在該處理面中平行排列的磁力線。在這種情況下，如果基板位于加熱位置P3，則電流不會(huì)流經(jīng)電磁體用的線圈 93。也就是說，在未施加磁場(chǎng)的狀態(tài)下加熱基板5，并且當(dāng)基板溫度達(dá)到期望溫度時(shí)，使升降銷13降低，并且將基板位置移動(dòng)到基板支撐臺(tái)43上方20mm范圍內(nèi)的位置(預(yù)定位置) 處。此時(shí)，待輸入到鹵素?zé)?的電力被調(diào)節(jié)成使得基板溫度維持在期望溫度。同時(shí)，使DC 電流流經(jīng)電磁體用的線圈93以產(chǎn)生磁場(chǎng)。在該狀態(tài)下，將基板5加熱期望的時(shí)間，然后停止輸入到鹵素?zé)?的電力，并且開始基板5的冷卻。為了有效地冷卻基板5，如第三實(shí)施方式所示，在進(jìn)行靜電卡盤的同時(shí)導(dǎo)入冷卻氣體。當(dāng)基板溫度達(dá)到室溫附近時(shí)，停止電磁體用的線圈93的電力供給，并且取消電磁場(chǎng)。此外，作為電磁體91的構(gòu)造的另一示例，如果基板5停在冷卻位置Pl (如果如圖 9所示基板5載置于基板支撐臺(tái)41上)，則電磁體91可以被構(gòu)造成產(chǎn)生與基板5的處理面大體平行排列并且也在處理面內(nèi)平行排列的磁力線。磁場(chǎng)施加機(jī)構(gòu)不限于電磁體也可以使用永磁體。而且，諸如電磁體或者永磁體的磁場(chǎng)施加機(jī)構(gòu)優(yōu)選地被構(gòu)造成使得至少25高斯以上的磁場(chǎng)被施加到基板。該過程如果是在形成磁性膜之后施加則是有效的，而采用第一實(shí)施方式中示出的膜構(gòu)造時(shí)，如果在銥錳上施加鈷鐵膜、在釕上施加鈷鐵硼膜并且在氧化鎂上施加鈷鐵硼膜， 那么磁性膜能夠獲得高的磁各向異性。(第七實(shí)施方式)在本實(shí)施方式中，在上述各實(shí)施方式中，通過在加熱基板5的過程中經(jīng)由氣體導(dǎo)入口 19導(dǎo)入氧氣，有助于氧從位于基板5的最外面的氧化鎂膜上脫附(desorption)，并且形成更高質(zhì)量的氧化鎂膜是可以期待的。如上所述，在本實(shí)施方式中，在進(jìn)行加熱處理與冷卻處理中的至少一種處理之前時(shí)，通過根據(jù)位于形成在基板5上的膜的最外面的膜導(dǎo)入氣體，處理之后的膜能夠獲得更高的質(zhì)量。(第八實(shí)施方式)
在第一實(shí)施方式至第七實(shí)施方式中，作為使基板在諸如加熱處理和冷卻處理等熱處理中移動(dòng)并且使基板停在預(yù)定位置(冷卻位置P1、傳送位置P2和加熱位置P3等)的基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)，說明了升降銷。然而，在本發(fā)明中，基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)不限于升降銷，而是只要能夠使基板在冷卻處理期間保持在冷卻位置P1、在加熱處理期間保持在加熱位置P3并且能夠使基板在冷卻位置Pl與加熱位置P3之間移動(dòng)，就可以使用任何部件。在圖IOA至IOC中示出基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)的另一示例。圖IOA是根據(jù)本實(shí)施方式使基板在加熱位置與冷卻位置之間移動(dòng)的基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)的概略主視圖，IOB是該基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)的俯視圖，圖IOC是使用該基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)時(shí)基板支撐臺(tái)的俯視圖。在圖IOA中，為了簡(jiǎn)化圖面，僅說明了與基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)、鹵素?zé)?和石英窗 3相關(guān)的構(gòu)造。在圖IOA中，附圖標(biāo)記101表示具有與基板支撐臺(tái)9的冷卻功能相似的冷卻功能的基板支撐臺(tái)。升降機(jī)構(gòu)10 和102b被設(shè)置成使得將基板支撐臺(tái)夾在中間。在各升降機(jī)構(gòu)10 和102b中，沿長(zhǎng)度方向形成有兩個(gè)導(dǎo)軌。在升降機(jī)構(gòu)10 的各導(dǎo)軌上，安裝有可沿導(dǎo)軌移動(dòng)的可移動(dòng)部103a和103b。而且，在升降機(jī)構(gòu)102b的各導(dǎo)軌上，安裝有可沿導(dǎo)軌移動(dòng)的可移動(dòng)部10 和104b。升降機(jī)構(gòu)l(^a(102b)能夠根據(jù)來自控制部1000的指令使可移動(dòng)部103a、103b (可移動(dòng)部10 和104b)沿著導(dǎo)軌移動(dòng)。附圖標(biāo)記105a和10 分別表示支撐基板5的支撐桿，并且如圖IOB所示，支撐桿 105a的一端由可移動(dòng)部103a支撐，而另一端由可移動(dòng)部10 支撐。此外，支撐桿10 的一端由可移動(dòng)部103b支撐，而另一端由可移動(dòng)部104b支撐。此時(shí)，可移動(dòng)部103a、103b、 10 和104b的位置和移動(dòng)被控制成使得各支撐桿10 和10 與基板支撐臺(tái)101的基板載置面大體平行。因此，如果基板5停在冷卻位置Pl或加熱位置P3處或者在冷卻位置Pl 與加熱位置P3之間移動(dòng)，則能夠使基板5維持與基板支撐臺(tái)101的基板載置面一直平行。在該構(gòu)造中，控制部1000控制升降機(jī)構(gòu)10 和102b使得基板5在加熱處理中被放置在加熱位置P3，并且控制升降機(jī)構(gòu)10 和102b使得基板5在冷卻處理中位于冷卻位置P1。如果基板5載置于基板支撐臺(tái)101的位置被設(shè)定為冷卻位置P1，那么，如圖IOC所示，僅需要在基板支撐臺(tái)101上形成與支撐桿10 和10 匹配的槽106a和106b。結(jié)果， 當(dāng)支撐桿10 和10 分別被裝配在槽106a和106b時(shí)，基板5載置于基板支撐臺(tái)101上。同樣在本實(shí)施方式中，基板5不是由面支撐而是由線支撐，所以可以減小與基板5 接觸的區(qū)域，并且可以減小用于在加熱處理中支撐基座5的構(gòu)件(支撐桿10 和105b)的熱容量的影響。因此，能夠降低支撐桿10 和10 的熱容量的影響，并且能夠?qū)崿F(xiàn)急速加熱和急速冷卻。如上所述，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)具有用于保持基板的基板保持部(例如，圖1的構(gòu)造中的升降銷13的末端13a和圖IOA至IOC的構(gòu)造中的支撐桿10 和10 )。該基板支撐部?jī)?yōu)選地被構(gòu)造為與基板的一部分接觸以通過用點(diǎn)或線支撐基板來支撐基板。通過如上構(gòu)造，能夠降低在熱處理中基板保持部的熱容量對(duì)基板的影響。此外， 基板支撐機(jī)構(gòu)還具有使由基板支撐部支撐的基板停在冷卻位置和加熱位置以及在冷卻位置與加熱位置之間移動(dòng)的功能。因此，能夠在同一真空室中的不同位置處進(jìn)行基板的加熱處理和冷卻處理。
權(quán)利要求
1.一種在真空中加熱/冷卻基板的真空加熱/冷卻裝置，該裝置包括真空室；放射能量源，其被配置在所述真空室的大氣側(cè)并且放射加熱光；入射部，其用于使來自所述放射能量源的加熱光進(jìn)入所述真空室；配置在所述真空室內(nèi)部并且具有冷卻機(jī)構(gòu)的構(gòu)件，該構(gòu)件能由所述冷卻機(jī)構(gòu)冷卻；以及基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其具有用于保持所述基板的基板保持部，所述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)使所述基板保持部停在加熱位置和與所述加熱位置不同的冷卻位置，并且還使所述基板保持部在所述加熱位置和所述冷卻位置之間移動(dòng)，其中，所述加熱位置是當(dāng)所述基板被加熱時(shí)所述基板應(yīng)當(dāng)位于的位置并且是靠近所述放射能量源的位置，所述冷卻位置是當(dāng)所述基板被冷卻時(shí)所述基板應(yīng)當(dāng)位于的位置并且是靠近所述構(gòu)件的位置或者是所述基板被載置于所述構(gòu)件的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于，還包括 閘閥，其用于將所述基板傳送到所述真空室，其中，所述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)能夠進(jìn)一步使所述基板保持部停在傳送位置；并且所述傳送位置位于面對(duì)所述閘閥的開口的空間中，所述空間位于所述開口的寬度的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于， 所述基板保持部以與所述基板的一部分接觸的方式保持所述基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于， 所述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)是升降銷。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于，所述升降銷由經(jīng)由波紋管被安裝在所述大氣側(cè)的上下驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)上下驅(qū)動(dòng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于，在照射所述加熱光時(shí)，所述基板保持部被所述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)升起到靠近所述放射能量源的位置，并且所述放射能量源與所述基板之間的距離是IOOmm以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于，當(dāng)不進(jìn)行加熱時(shí)，所述基板保持部被所述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)降低到遠(yuǎn)離所述放射能量源的位置，并且所述放射能量源與所述基板之間的距離是IOOmm以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于， 所述構(gòu)件與用于允許制冷劑流動(dòng)的管路接觸或者內(nèi)置有所述管路。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于，所述構(gòu)件由介電體制成，與用于導(dǎo)入電的導(dǎo)線接觸或者內(nèi)置有所述導(dǎo)線，并通過靜電吸附所述基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于，所述由介電體制成的構(gòu)件在與所述基板的背面接觸的面中刻有槽，并且所述槽被連接到用于從所述大氣側(cè)導(dǎo)入氣體或者將氣體排到所述大氣側(cè)的至少一對(duì)氣體管路。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于， 所述由介電體制成的構(gòu)件被配置成與由制冷劑冷卻的冷卻套接觸。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于，還包括控制部件，其控制所述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使得當(dāng)所述基板通過照射所述加熱光而被加熱時(shí)，使所述基板停在靠近所述放射能量源的所述加熱位置處，而在加熱完成之后，使所述基板遠(yuǎn)離所述放射能量源并靠近所述構(gòu)件，并且當(dāng)所述基板被冷卻時(shí)，所述基板被載置于所述構(gòu)件上并且停在所述冷卻位置。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于，還包括控制部件，其控制所述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使得當(dāng)所述基板通過照射所述加熱光而被加熱時(shí)，使所述基板停在靠近所述放射能量源的所述加熱位置處，而在完成加熱之后，使所述基板遠(yuǎn)離所述放射能量源并靠近所述構(gòu)件，并且當(dāng)所述基板被冷卻時(shí)，所述基板被載置于所述構(gòu)件上并且停在所述冷卻位置，所述構(gòu)件通過靜電吸附所述基板。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于，還包括控制部件，其控制所述基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使得當(dāng)所述基板通過照射所述加熱光而被加熱時(shí)，使所述基板停在靠近所述放射能量源的所述加熱位置處，而在完成加熱之后，使所述基板遠(yuǎn)離所述放射能量源并靠近所述構(gòu)件，并且當(dāng)所述基板被冷卻時(shí)，所述基板被載置于所述構(gòu)件上并且停在所述冷卻位置處，所述構(gòu)件通過靜電吸附所述基板，并且氣體被導(dǎo)入到刻在所述構(gòu)件中的槽內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于，還包括配置于所述真空室的外部的磁體，其中，所述磁體產(chǎn)生與所述基板位于所述加熱位置時(shí)的基板面大體平行并且也在所述基板面中平行排列的磁力線。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于， 所述磁體是永磁體，并且對(duì)所述基板施加25高斯以上的磁場(chǎng)。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于， 所述磁體是電磁體，并且對(duì)所述基板施加25高斯以上的磁場(chǎng)。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于，還包括配置于所述真空室外部的磁體，其中，所述磁體產(chǎn)生與所述基板位于所述冷卻位置時(shí)的基板面大體平行并且也在所述基板面中平行排列的磁力線。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于， 所述磁體是永磁體，并且對(duì)所述基板施加25高斯以上的磁場(chǎng)。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于， 所述磁體是電磁體，并且對(duì)所述基板施加25高斯以上的磁場(chǎng)。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于，還包括配置于所述真空室內(nèi)部的磁體，其中，所述磁體產(chǎn)生與所述基板位于所述冷卻位置時(shí)的基板面大體平行并且也在所述基板面中平行排列的磁力線。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于，所述磁體被反射器包圍，所述反射器反射所述加熱光使得所述磁體不被所述加熱光直接照射。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于， 所述反射器通過與制冷劑接觸而被冷卻。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于， 所述磁體是電磁體，并且對(duì)所述基板施加25高斯以上的磁場(chǎng)。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于， 所述磁體是永磁體，并且對(duì)所述基板施加25高斯以上的磁場(chǎng)。
26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空加熱/冷卻裝置，其特征在于， 所述真空室包括氣體導(dǎo)入口，并且氣體經(jīng)由所述氣體導(dǎo)入口被導(dǎo)入。
27.一種形成磁阻元件的制造裝置，所述磁阻元件包括具有至少磁化固定層、隧道阻擋層或非磁性傳導(dǎo)層、以及磁化自由層的三層結(jié)構(gòu)，所述制造裝置包括真空傳送室，其包括基板傳送機(jī)構(gòu)；多個(gè)濺射成膜室，其經(jīng)由間閥與上述真空傳送室連接地配置； 氧化處理室，其經(jīng)由間閥與所述真空傳送室連接地配置；根據(jù)權(quán)利要求1的真空加熱/冷卻裝置，其經(jīng)由閘閥與所述真空傳送室連接地配置；以及裝載鎖定室，其經(jīng)由間閥與所述真空傳送室連接地配置，并且能夠?qū)⑺龌鍙恼婵杖〕龅酱髿饣蛘邔⑺龌鍙拇髿夥湃氲秸婵?，其中?所述磁阻元件在連續(xù)真空中形成。
28.一種形成磁阻元件的制造裝置，所述磁阻元件包括具有至少磁化固定層、隧道阻擋層或非磁性傳導(dǎo)層、以及磁化自由層的三層結(jié)構(gòu)，所述制造裝置包括真空傳送室，其包括基板傳送機(jī)構(gòu)；多個(gè)濺射成膜室，其經(jīng)由間閥與所述真空傳送室連接地配置； 蝕刻室，其經(jīng)由間閥與所述真空傳送室連接地配置；權(quán)利要求1的真空加熱/冷卻裝置，其經(jīng)由閘閥與所述真空傳送室連接地配置；以及裝載鎖定室，其經(jīng)由間閥與所述真空傳送室連接地配置，并且能夠?qū)⑺龌鍙恼婵杖〕龅酱髿饣蛘邔⑺龌鍙拇髿夥湃氲秸婵眨渲校?所述磁阻元件在連續(xù)真空中形成。
29.一種半導(dǎo)體元件的制造裝置，其包括 真空傳送室，其包括基板傳送機(jī)構(gòu)；成膜室，其經(jīng)由間閥與所述真空傳送室連接地配置；權(quán)利要求1的真空加熱/冷卻裝置，其經(jīng)由閘閥與所述真空傳送室連接地配置；以及裝載鎖定室，其經(jīng)由間閥與所述真空傳送室連接地配置，并且能夠?qū)⑺龌鍙恼婵杖〕龅酱髿饣蛘邔⑺龌鍙拇髿夥湃氲秸婵?，其中?薄膜在連續(xù)真空中形成。
30.一種磁阻元件的制造方法，該磁阻元件包括具有至少磁化固定層、隧道阻擋層或非磁性傳導(dǎo)層、以及磁化自由層的三層結(jié)構(gòu)，該制造方法包括準(zhǔn)備形成有所述隧道阻擋層或者非磁性傳導(dǎo)層的基板的步驟； 利用加熱光加熱所述基板的加熱步驟，所述加熱光從內(nèi)部配置有所述基板的真空室的外部入射；和在所述真空室中的與利用所述加熱光進(jìn)行加熱的位置不同的位置冷卻該被加熱的基板的冷卻步驟。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的制造方法，其特征在于， 所述隧道阻擋層或者非磁性傳導(dǎo)層是氧化鎂層。
32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的制造方法，其特征在于，在所述加熱步驟和所述冷卻步驟中的至少一個(gè)步驟中，對(duì)所述基板施加磁場(chǎng)。
33.一種磁阻元件的制造方法，該磁阻元件包括具有至少第一磁性層、隧道阻擋層或非磁性傳導(dǎo)層、以及第二磁性層的三層結(jié)構(gòu)，該制造方法包括在基板上形成所述第一磁性層和所述隧道阻擋層或非磁性傳導(dǎo)層的步驟； 在預(yù)定位置配置形成有所述第一磁性層和所述隧道阻擋層或非磁性傳導(dǎo)層的所述基板的步驟；通過用加熱光照射形成有所述第一磁性層和所述隧道阻擋層或非磁性傳導(dǎo)層的所述基板來加熱所述基板的加熱步驟，其中，所述加熱光從內(nèi)部配置有形成有所述第一磁性層和所述隧道阻擋層或非磁性傳導(dǎo)層的所述基板的真空室的外部被導(dǎo)入所述真空室中；和在所述真空室中的與所述預(yù)定位置不同的位置處冷卻被加熱后的基板的冷卻步驟，其中，所述隧道阻擋層或非磁性傳導(dǎo)層是氧化鎂層；并且在所述加熱步驟和所述冷卻步驟中的至少一個(gè)步驟中，施加磁場(chǎng)以使所述第一磁性層的磁化方向一致。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠在成膜處理之后在維持高真空度的狀態(tài)下僅急速地加熱和急速地冷卻基板的真空加熱/冷卻裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的真空加熱/冷卻裝置包括真空室(1)、發(fā)出加熱光的鹵素?zé)?2)、用于允許加熱光進(jìn)入真空室(1)的石英窗(3)、具有冷卻功能的基板支撐臺(tái)(9)、以及使基板(5)停在加熱位置(P3)和冷卻位置(P1)并且使基板(5)在加熱位置(P3)與冷卻位置(P1)之間移動(dòng)的升降銷(13)。
文檔編號(hào)H01L21/26GK102460650SQ20108002830
公開日2012年5月16日 申請(qǐng)日期2010年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月24日
發(fā)明者古川真司, 恒川孝二, 永峰佳紀(jì) 申請(qǐng)人:佳能安內(nèi)華股份有限公司