專利名稱：空穴注入傳輸層用器件材料、空穴注入傳輸層形成用油墨、具有空穴注入傳輸層的器件及 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過能量照射潤濕性變化，而且具有空穴注入傳輸性的空穴注入傳輸層用器件材料、以及、使用了該器件材料的空穴注入傳輸層形成用油墨、具有空穴注入傳輸層的器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為具有空穴注入傳輸層的器件，一直期待其在有機(jī)電致發(fā)光元件(以下稱為有機(jī)EL元件)、有機(jī)晶體管、有機(jī)太陽能電池、有機(jī)半導(dǎo)體等有機(jī)器件以及量子點(diǎn)發(fā)光元件、 氧化物系化合物太陽能電池等廣泛的基本元件和用途中的發(fā)展。例如，有機(jī)EL元件是利用了到達(dá)發(fā)光層的電子和空穴再結(jié)合時產(chǎn)生的發(fā)光的電荷注入型的自發(fā)光器件。目前，有機(jī)EL元件的元件結(jié)構(gòu)為了獲得高發(fā)光效率和長驅(qū)動壽命，已提出了由電子注入層/電子傳輸層/發(fā)光層/空穴傳輸層/空穴注入層構(gòu)成的5層結(jié)構(gòu)等各種多層結(jié)構(gòu)。據(jù)說在這些電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層、空穴注入層等發(fā)光層以外的層中，具有容易將電荷注入傳輸?shù)桨l(fā)光層的效果或者通過阻擋從而保持電子電流和空穴電流的平衡的效果、抑制光能激子的擴(kuò)散等效果。以電荷傳輸能力和電荷注入能力的改善為目的，嘗試了將氧化性化合物混合到空穴傳輸性材料中，從而提高電導(dǎo)率。專利文獻(xiàn)1 4中，作為氧化性化合物即電子接受性化合物，使用了作為化合物半導(dǎo)體的金屬氧化物。使用例如五氧化二釩、三氧化鉬等金屬氧化物，采用蒸鍍法形成薄膜， 或者通過鉬氧化物和胺系的低分子化合物的共蒸鍍來形成混合膜。非專利文獻(xiàn)1中，作為五氧化二釩的涂膜形成的嘗試，列舉了作為氧化性化合物即電子接受性化合物，使用將氧絡(luò)釩(V)三異丙氧基氧化物溶解的溶液，在其與空穴傳輸性高分子的混合涂膜的形成后在水蒸汽中使其水解而制成釩氧化物，形成電荷移動絡(luò)合物的制作方法。專利文獻(xiàn)5中，作為三氧化鉬的涂膜形成的嘗試，記載了使將三氧化鉬物理粉碎而制作的微粒分散于溶液，從而制作漿料，將其涂布而形成空穴注入層。但是，即使將專利文獻(xiàn)1 5和非專利文獻(xiàn)1中公開的氧化性材料用于空穴傳輸性材料，也難以實(shí)現(xiàn)長壽命元件，有必要進(jìn)一步提高壽命。對于專利文獻(xiàn)1 4中公開的金屬氧化物而言，可以認(rèn)為雖然空穴注入特性在某種程度上改善，但與鄰接的有機(jī)化合物層的界面的密合性變得不足，從而對壽命特性產(chǎn)生了不良影響。專利文獻(xiàn)5中記載了使用將平均粒徑20nm的氧化鉬微粒分散于溶劑而得到的漿料，采用網(wǎng)版印刷法制作電荷注入層的技術(shù)要點(diǎn)。但是，如果是如專利文獻(xiàn)5那樣將MoO3粉末粉碎的方法等，對于形成例如IOnm左右的空穴注入層的要求，以IOnm以下的尺度制作粒徑整齊的微粒實(shí)際上非常困難。此外，對于粉碎而制作的氧化鉬微粒而言，不使其凝聚而使其在溶液中穩(wěn)定地分散是非常困難的。如果微粒的溶液化不穩(wěn)定，涂布膜制作時只能形成凹凸大的平滑性差的膜，成為器件的短路的原因。當(dāng)只能采用蒸鍍法形成薄膜時，存在著即使采用噴墨法等溶液涂布法將發(fā)光層分開涂布來形成，結(jié)果也不能充分利用溶液涂布法的優(yōu)點(diǎn)的問題。即，為了不因成為親液性的鉬氧化物而損害各發(fā)光層間的隔壁(圍欄，bank) 的疏液性，必須使用高精細(xì)掩模來蒸鍍含有無機(jī)化合物的鉬氧化物的空穴注入層或空穴傳輸層，結(jié)果從成本、收率方面出發(fā)，不能充分利用溶液涂布法的優(yōu)點(diǎn)。此外，無機(jī)化合物的鉬氧化物是氧缺失型的氧化物半導(dǎo)體，在導(dǎo)電性上，與氧化數(shù)+6的MoO3相比，氧化數(shù)+5的 Mo2O5在常溫下為良導(dǎo)體，但在大氣中不穩(wěn)定，能夠容易地進(jìn)行熱蒸鍍的化合物限定為MoO3 或MoA等具有穩(wěn)定的價數(shù)的氧化化合物。成膜性、薄膜的穩(wěn)定性與元件的壽命特性的關(guān)系很大。一般而言，所謂有機(jī)EL元件的壽命，是指在一定電流驅(qū)動等下連續(xù)驅(qū)動時的亮度半衰期，亮度半衰期越長則元件的驅(qū)動壽命越長。另一方面，使用了 EL元件等的顯示器的制造中，一般地，進(jìn)行了發(fā)光層等的構(gòu)圖。 作為發(fā)光層等的構(gòu)圖方法，提出了將材料隔著蔭罩板進(jìn)行蒸鍍的方法、采用噴墨的分開涂布方法、將發(fā)光色素轉(zhuǎn)印的方法、柔版印刷法、凹版印刷法等各種構(gòu)圖方法。對于采用噴墨的分開涂布方法，為了獲得高精細(xì)的微細(xì)圖案，提出了形成隔壁(圍欄)，通過氟氣等的等離子體處理來對隔壁表面進(jìn)行疏油墨處理(例如參照專利文獻(xiàn)6)或使用疏液性材料形成隔壁(例如參照專利文獻(xiàn)7)。此外，作為發(fā)光層的構(gòu)圖方法，也提出了能夠形成高精細(xì)的圖案的、使用光催化劑的方法(例如專利文獻(xiàn)8)、使用真空紫外光的方法(例如專利文獻(xiàn)9)。如果采用通過氟氣等的等離子體處理對上述的隔壁表面進(jìn)行疏油墨處理的方法， 該疏油墨處理的耐熱性低，在其后的工序中產(chǎn)生問題。例如，存在由于疏油墨處理后在隔壁的開口部形成層時施加上述較高的溫度(例如200°C)的加熱，造成引入隔壁部的氟脫離， 從而使隔壁部親油墨化，而且不能將層層疊，器件的特性降低的問題。此外，即使是使用疏液性材料形成隔壁的情況下，大量的疏液性材料由于比較高的溫度的加熱，氟容易脫離，不具有耐性，因此也存在與上述同樣的問題。此外，這樣的隔壁中，隔壁的頂部為疏油墨性，但不能使側(cè)面為親油墨性。此外，使用上述的光催化劑的方法和使用真空紫外光的方法中，在與能量照射相伴的光催化劑的作用所及的部分或照射了真空紫外光的部分，利用了潤濕性變化以使得液體的接觸角降低這樣的現(xiàn)象。即，利用了與能量照射相伴的光催化劑的作用所及的部分或照射了真空紫外光的部分成為親液性區(qū)域，與能量照射相伴的光催化劑的作用未及的部分或沒有照射真空紫外光的部分成為疏液性區(qū)域的現(xiàn)象。因此，在與能量照射相伴的光催化劑的作用所及的部分或照射了真空紫外光的部分上變得能形成發(fā)光層等。但是，潤濕性變化的層具有空穴傳輸性等的情況下，存在如下問題與能量照射相伴的光催化劑的作用能及的部分或照射了真空紫外光的部分，材料劣化，空穴傳輸性等會受到損害?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開2006-155978號公報專利文獻(xiàn)2 日本特開2007-287586號公報專利文獻(xiàn)3 日本專利第3748110號公報
專利文獻(xiàn)4 日本專利第觀對411公報專利文獻(xiàn)5 日本特開2008-041894號公報專利文獻(xiàn)6 日本專利第3951445號公報專利文獻(xiàn)7 日本特開昭59-75205號公報專利文獻(xiàn)8 日本特開2004-71286號公報專利文獻(xiàn)9 日本特開2007-178783號公報非專利文獻(xiàn)非專利文獻(xiàn)1 =SID 07DIGEST 第 1840-1843 頁(2007)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題使用上述的光催化劑的方法和使用真空紫外光的方法，是只通過能量的照射就能夠利用潤濕性的不同形成圖案，在能夠使發(fā)光層等的構(gòu)圖所需的工時大幅節(jié)省的觀點(diǎn)出發(fā)是有用的方法。但是，目前為止，不存在既適用于上述的使用光催化劑的方法和使用真空紫外光的方法，又對于紫外光等的能量照射的耐性高而不損害空穴注入傳輸性，并且加熱工序時不損害親液性和疏液性的構(gòu)圖性的材料。同時，希望能夠采用溶液涂布法形成空穴注入傳輸層，制造工序容易，還希望空穴注入傳輸性優(yōu)異，能夠?qū)崿F(xiàn)器件的長壽命的空穴注入傳輸材料。本發(fā)明鑒于上述問題點(diǎn)而完成，其目的在于提供通過能量照射潤濕性變化，同時工序耐性高，并且具有優(yōu)異的空穴注入傳輸性，能夠采用溶液涂布法形成空穴注入傳輸層的空穴注入傳輸層用器件材料，以及使用了該器件材料的空穴注入傳輸層用油墨。此外，本發(fā)明的另一目的在于提供通過使用上述空穴注入傳輸層用器件材料形成由親液性區(qū)域和疏液性區(qū)域組成的圖案，由此能夠?qū)υ诳昭ㄗ⑷雮鬏攲由蠈盈B的層進(jìn)行構(gòu)圖，并且能夠?qū)崿F(xiàn)長壽命的器件及其制造方法。用于解決課題的手段本發(fā)明人為了實(shí)現(xiàn)上述目的而進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)表面附著有含氟有機(jī)化合物的包含過渡金屬氧化物的含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇，通過光催化劑作用、真空紫外光照射，潤濕性能夠變化，而且工序耐性高，并且能夠采用溶液涂布法形成層，制造工序容易，同時會改善空穴注入特性，并且成為與鄰接的電極、有機(jī)層的密合性也優(yōu)異的穩(wěn)定性高的膜，從而完成本發(fā)明。即，本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料，其特征在于，在至少包含過渡金屬氧化物的含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇的表面附著了含氟有機(jī)化合物。本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料中，從驅(qū)動電壓的降低、改善元件壽命的觀點(diǎn)出發(fā)，作為上述含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇中所含的過渡金屬氧化物中的過渡金屬優(yōu)選包含選自鉬、鎢和釩中的至少1種金屬。本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料中，從能量照射產(chǎn)生的潤濕性的變化良好， 獲得優(yōu)異的構(gòu)圖的觀點(diǎn)出發(fā)優(yōu)選上述含氟有機(jī)化合物含有氟化烷基。本發(fā)明的空穴注入傳輸層形成用油墨，其特征在于，含有上述本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料和有機(jī)溶劑。
6
本發(fā)明的器件的制造方法的第一實(shí)施方式，是具有在基板上對置的2個以上的電極、及在其中的2個電極間配置的空穴注入傳輸層的器件的制造方法，其特征在于，具有空穴注入傳輸層形成工序，在以圖案狀形成了第一電極層的基板上形成含有上述本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料的空穴注入傳輸層；以及， 潤濕性變化圖案形成工序，將在基體上形成了至少含有光催化劑的含光催化劑的層的帶有含光催化劑的層的基板，相對于上述空穴注入傳輸層，相隔與能量照射相伴的光催化劑的作用能及的間隙配置后，以圖案狀進(jìn)行能量照射，從而在上述空穴注入傳輸層表面形成潤濕性變化了的潤濕性變化圖案。此外，本發(fā)明的器件的制造方法的第二實(shí)施方式是具有在基板上對置的2個以上的電極、及在其中的2個電極間配置的空穴注入傳輸層的器件的制造方法，其特征在于，具有空穴注入傳輸層形成工序，在以圖案狀形成了電極層的基板上，形成含有上述本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料的空穴注入傳輸層；以及潤濕性變化圖案形成工序，通過以圖案狀照射真空紫外線，在上述空穴注入傳輸層表面形成潤濕性變化了的潤濕性變化圖案。根據(jù)本發(fā)明的器件及其制造方法，由于空穴注入傳輸層含有疏液性的附著有含氟有機(jī)化合物的材料，因此通過光催化劑的作用或真空紫外線的照射，可將該含氟有機(jī)化合物分解除去，從而能夠在能量的照射部分和未照射部分在潤濕性上產(chǎn)生大的差異。通過隔著含光催化劑的層對潤濕性能夠變化的空穴注入傳輸層進(jìn)行能量照射或者進(jìn)行真空紫外線的照射，從而能夠形成潤濕性變化圖案，通過利用該潤濕性變化圖案的潤濕性的不同，能夠容易地在該空穴注入傳輸層上層疊圖案狀的層。根據(jù)本發(fā)明的器件及其制造方法，由于空穴注入傳輸層中含有的上述本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料中所含的包含過渡金屬氧化物的含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇對潤濕性變化圖案形成工序中使用的紫外光具有耐性，因此具有優(yōu)異的空穴注入傳輸性即使經(jīng)過潤濕性變化圖案形成工序也不劣化，不被破壞的優(yōu)點(diǎn)。此外，上述本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料，對于比較高的溫度(例如200°C)的加熱也具有耐性，因此加熱工序時不損害潤濕性變化圖案，在空穴注入傳輸層上以圖案狀層疊任何層的工序都可以。此外，本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料，由于耐熱性、耐光性高，難以劣化，因此采用本發(fā)明的制造方法制造的器件的壽命也提高。本發(fā)明的器件的制造方法中，在上述空穴注入傳輸層形成工序中，從制造工序容易并且空穴注入傳輸性變得良好的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選具有以下工序調(diào)制含有上述本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料、有機(jī)溶劑的空穴注入傳輸層形成用油墨的工序；以及在氧存在下加熱該空穴注入傳輸層形成用油墨的工序。本發(fā)明的器件的制造方法的第一實(shí)施方式中，在上述空穴注入傳輸層形成工序前，可具有在上述以圖案狀形成了第一電極層的基板上的上述第一電極層的圖案間形成絕緣層、隔壁等隔離部的隔離部形成工序。此外，本發(fā)明的器件的制造方法的第一實(shí)施方式中，優(yōu)選的是，形成了上述第一電極層的基板為透光性基板，上述隔離部是將在潤濕性變化圖案形成工序中照射的能量線反射或吸收的隔離部，在上述潤濕性變化圖案形成工序中，通過從上述透光性基板側(cè)進(jìn)行上述能量照射，在上述空穴注入傳輸層表面形成潤濕性變化了的潤濕性變化圖案。這種情況下，將照射的能量線反射或吸收的隔離部起到與掩模同樣的功能，即使不另外準(zhǔn)備掩模，也能夠?qū)昭ㄗ⑷雮鬏攲右詧D案狀進(jìn)行能量照射。本發(fā)明的空穴注入傳輸層中使用的空穴注入傳輸層用器件材料的透射率高，即使UV照射，元件特性也難以劣化，因此也能從這樣的空穴注入傳輸層的背面照射能量。本發(fā)明的器件的制造方法的第一實(shí)施方式中，上述潤濕性變化圖案形成工序中， 以圖案狀進(jìn)行能量照射的方法可以是使用掩模進(jìn)行能量照射的方法，也可以是以圖案狀掃描紫外激光進(jìn)行能量照射的方法。本發(fā)明的器件的第一實(shí)施方式，是具有在基板上對置的2個以上的電極、及在其中的2個電極間配置的空穴注入傳輸層的器件，其特征在于上述空穴注入傳輸層含有上述本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料，且上述空穴注入傳輸層的表層部的上述空穴注入傳輸層用器件材料的含氟有機(jī)化合物已被分解除去。此外，本發(fā)明的器件的第二實(shí)施方式，是具有在基板上對置的2個以上的電極、及在其中的2個電極間配置的空穴注入傳輸層的器件，其特征在于在以圖案狀形成了第一電極層的基板上的上述第一電極層的圖案間具有隔離部， 在上述隔離部的開口部內(nèi)的上述第一電極層上和上述隔離部上具有連續(xù)的空穴注入傳輸層，上述隔離部的開口部內(nèi)的上述第一電極層上和上述隔離部的側(cè)部上的空穴注入傳輸層中，將上述本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料的至少一部分的含氟有機(jī)化合物分解除去，并且上述絕緣層的頂部上的空穴注入傳輸層含有上述本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料。本發(fā)明的器件，由于空穴注入傳輸層含有將至少一部分的含氟有機(jī)化合物分解除去的上述本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料，因此制造工序容易，同時空穴注入傳輸性優(yōu)異，能夠?qū)崿F(xiàn)長壽命。本發(fā)明的器件可采用上述本發(fā)明的器件的制造方法得到。本發(fā)明的器件，適合用作含有至少包含發(fā)光層的有機(jī)層的有機(jī)EL元件。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供通過能量照射潤濕性變化的同時，工序耐性高，并且具有優(yōu)異的空穴注入傳輸性，能夠采用溶液涂布法形成空穴注入傳輸層的空穴注入傳輸層用器件材料，以及使用了該器件材料的空穴注入傳輸層用油墨。根據(jù)本發(fā)明的器件的制造方法，能夠提供制造工序容易，同時能夠利用空穴注入傳輸層的良好的潤濕性變化圖案，能夠得到優(yōu)異的空穴注入傳輸層，因此能夠?qū)崿F(xiàn)長壽命的器件。本發(fā)明的器件，制造工序容易，同時空穴注入傳輸性優(yōu)異，能夠?qū)崿F(xiàn)長壽命。


圖1 (A) 圖1 (C)是表示本發(fā)明的器件的制造方法的一例的工序圖。圖2(A) 圖2(C)是表示本發(fā)明的器件的制造方法的另一例的工序圖。圖3(A) 圖3(C)是表示本發(fā)明的器件的制造方法的另一例的工序圖。圖4(A) 圖4(C)是表示本發(fā)明的器件的制造方法的另一例的工序圖。
圖5是表示本發(fā)明的器件的部分的器件用基板的實(shí)例的示意剖面圖。圖6(A) 圖6(B)是表示本發(fā)明中使用的帶有含光催化劑的層的基板的實(shí)例的示意剖面圖。圖7(A) 圖7(B)是表示本發(fā)明的器件的部分的器件用基板的實(shí)例的示意剖面圖。圖8是表示本發(fā)明的器件的一例的示意剖面圖。圖9是表示本發(fā)明的器件的另一例的示意剖面圖。圖10是表示本發(fā)明的有機(jī)EL元件的一例的示意剖面圖。圖11是表示本發(fā)明的有機(jī)EL元件中潤濕性變化的實(shí)驗(yàn)的示意剖面圖。圖12㈧ 圖12⑶是本發(fā)明中使用的形成了絕緣層和隔壁的ITO基板的一例， 圖12(A)表示部分放大示意剖面圖，圖12(B)表示部分放大示意俯視圖。圖13是合成例5中得到的含氟有機(jī)化合物F-I的IH NMR波譜。圖14是合成例6中得到的含氟有機(jī)化合物F-2的IH NMR波譜。圖15是合成例7中得到的含氟有機(jī)化合物F-3的IH NMR波譜。圖16是合成例8中得到的含氟有機(jī)化合物F-4的IH NMR波譜。
具體實(shí)施例方式I.空穴注入傳輸層用器件材料本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料，其特征在于，在至少包含過渡金屬氧化物的含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇的表面附著了含氟有機(jī)化合物。本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料，是表面附著有含氟有機(jī)化合物的包含過渡金屬氧化物的含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇，因此通過與能量照射相伴的光催化劑的作用或真空紫外光的照射等，能夠?qū)⒈砻娓街暮袡C(jī)化合物分解除去，從而潤濕性從疏液性變化為親液性的材料。如果使用本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料，則與能量照射相伴的光催化劑的作用所及的部分或者照射了真空紫外光的部分成為親液性區(qū)域，與能量照射相伴的光催化劑的作用未及的部分或者沒有照射真空紫外光的部分成為疏液性區(qū)域。本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料，通過與能量照射相伴的光催化劑的作用或真空紫外光的照射等，將表面附著的含氟有機(jī)化合物分解除去，但包含過渡金屬氧化物的含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇自身，對紫外光、比較高溫的加熱也具有耐性，因此具有如下優(yōu)點(diǎn)包含過渡金屬氧化物的含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇所具有的優(yōu)異的空穴注入傳輸性在能量照射、光催化劑的作用時和加熱時等工序時不受損害。此外，本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料具有如下優(yōu)點(diǎn)經(jīng)過將氟分解的光催化劑處理等處理，被氧化，離子化電勢變大，空穴注入性改善。此外，本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料，與使用無機(jī)化合物的鉬氧化物的情況不同，在含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇表面含有至少包含含氟有機(jī)化合物的有機(jī)部分作為保護(hù)劑，因此與鄰接的有機(jī)層的界面的密合性也變得良好。通常，以在將使用了本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料的空穴注入傳輸層的至少表層部的含氟有機(jī)化合物分解而成為親液性區(qū)域上，層疊另外的有機(jī)層的方式使用，因此與鄰接的有機(jī)層的界面中的來自含氟有機(jī)化合物的疏液性的影響也不存在，界面的密著性變得優(yōu)異。
此外，含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇所含的過渡金屬氧化物或過渡金屬化合物的反應(yīng)性高，可以認(rèn)為容易形成電荷移動絡(luò)合物。因此，本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料能夠形成可實(shí)現(xiàn)低電壓驅(qū)動、高電力效率、長壽命的器件的空穴注入傳輸層。此外，本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料中使用的包含過渡金屬氧化物的含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇，與使用無機(jī)化合物的鉬氧化物等的情況不同，表面含有至少包含含氟有機(jī)化合物的有機(jī)部分作為保護(hù)劑，因此在溶劑中具有分散性。 因此，能夠采用溶液涂布法形成薄膜，因此只采用依次涂布工序就能夠在基板上形成從空穴注入傳輸層到發(fā)光層等層疊的有機(jī)層，制造工序上的優(yōu)勢大。因此，與如無機(jī)化合物的鉬氧化物的情況那樣用高精細(xì)的掩模蒸鍍等蒸鍍空穴注入層后，采用蒸鍍法或溶液涂布法形成空穴傳輸層、發(fā)光層，進(jìn)而蒸鍍第二電極的工藝相比，具有簡單、能夠以低成本制作器件的優(yōu)點(diǎn)。以下依次說明本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料的構(gòu)成。<含有過渡金屬的納米粒子和含有過渡金屬的納米簇>本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料中所含的含有過渡金屬的納米粒子至少包含過渡金屬氧化物。其中，所謂納米粒子，是指直徑為nm(納米)級、即小于Iym的粒子。至少包含過渡金屬氧化物的含有過渡金屬的納米粒子可以是單一結(jié)構(gòu)，也可以是復(fù)合結(jié)構(gòu)，可以是核殼結(jié)構(gòu)、合金、島結(jié)構(gòu)等。在含有過渡金屬的納米粒子內(nèi)，因處理?xiàng)l件的不同，可包含各種價數(shù)的過渡金屬原子、化合物，例如過渡金屬的碳化物、硫化物、硼化物、 硒化物、鹵化物、絡(luò)合物等。另一方面，本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料中所含的、包含過渡金屬氧化物的含有過渡金屬的納米簇是指至少過渡金屬原子與氧原子多個聚集而形成了特定的結(jié)構(gòu)單元的原子團(tuán)、包含該原子團(tuán)的化合物、或該化合物的集合體。所謂納米簇，是指其形狀的最長部為nm(納米)級、即小于Iym的簇。本發(fā)明的含有過渡金屬的納米簇，優(yōu)選為含有化學(xué)合成的多金屬氧酸鹽(POM)的巨大分子。POM具有由含氧酸形成的多酸結(jié)構(gòu)。含有該化學(xué)合成的POM的含有過渡金屬的納米簇的特征在于是巨大的分子，因此大小和重量用分子量規(guī)定，雖然每個簇形狀、大小存在異構(gòu)體，但基本上相同。此外，含有化學(xué)合成的POM的含有過渡金屬的納米簇具有如下特征電性質(zhì)為陰離子，各簇的特性彼此相同。例如，此次實(shí)施例中使用的Na15 [Movi126Mov28 O462H14 (H2O) J ο. 5 [Movi124Mov28O457H14 (H2O) J。. 5 ·400Η20 簇({Mo 154}的 1 種)的情況下，分子呈面包圈形狀，直徑約為4nm。此外，該鉬氧化物納米簇還具有如下特征是在每個的分子內(nèi)6 價(Movi)和5價的鉬(Mov)共存的混合原子價多金屬氧酸鹽，成為陰離子簇。本申請中，含有過渡金屬的納米粒子和含有過渡金屬的納米簇中，必定含有過渡金屬氧化物。由于必定含有過渡金屬氧化物，因此離子化電勢的值達(dá)到最適值，預(yù)先抑制由不穩(wěn)定的氧化數(shù)+0的金屬的氧化引起的變化，從而能夠改善驅(qū)動電壓的下降、提高元件壽命。其中，含有過渡金屬的納米粒子和含有過渡金屬的納米簇，優(yōu)選氧化數(shù)不同的過渡金屬氧化物共存而含有。由于必定含有過渡金屬氧化物并且氧化數(shù)不同的過渡金屬氧化物共存，因此利用氧化數(shù)的平衡可以適度地控制空穴傳輸、空穴注入性，從而能夠使驅(qū)動電壓的下降、改善元件壽命。
本發(fā)明中使用的含有過渡金屬的納米粒子和含有過渡金屬的納米簇中所含的、過渡金屬、或、過渡金屬化合物中所含的過渡金屬是周期表中第3族 第11族間存在的金屬元素的總稱。過渡金屬，具體地，可以列舉例如鉬、鎢、釩、錸、鎳、銅、鈦、鉬、銀等。其中，從由于反應(yīng)性高，因此容易形成電荷移動絡(luò)合物，驅(qū)動電壓的下降、改善元件壽命的觀點(diǎn)出發(fā)，上述含有過渡金屬的納米粒子和含有過渡金屬的納米簇中所含的、過渡金屬氧化物中的過渡金屬優(yōu)選包含選自鉬、鎢和釩中的至少1種的金屬。上述含有過渡金屬的納米粒子和含有過渡金屬的納米簇中所含的金屬可以是單一金屬，也可含2種以上。作為納米粒子中含2種以上金屬的形態(tài)，可以將2種以上的金屬微?；蚪饘傺趸镂⒘?fù)合而含有，也可以將2種以上的金屬制成合金而含有。需要說明的是，含有過渡金屬的納米粒子和含有過渡金屬的納米簇中所含的金屬，只要至少含過渡金屬，就也可含非過渡金屬。通過包含2種以上的金屬，具有如下優(yōu)點(diǎn)能夠形成使空穴傳輸性、空穴注入性相互補(bǔ)充，或賦予光催化性，或同時具有對薄膜的折射率、透射率進(jìn)行控制等其他的功能的空穴注入傳輸層。本發(fā)明中使用的含有過渡金屬的納米粒子中所含的過渡金屬氧化物，優(yōu)選在過渡金屬和過渡金屬化合物中含30摩爾％以上，從驅(qū)動電壓的降低、使元件壽命改善的觀點(diǎn)出發(fā)，更優(yōu)選含50摩爾％以上。作為本發(fā)明中使用的含有過渡金屬的納米簇，可以使用下述式所示的多金屬氧酸
Τττ . ο[XxMy 0z]其中，X為選自第13-18族的至少1種的元素、鈷、或選自稀土類的至少1種的元素，M為選自第4-11族的至少1種的過渡金屬元素或鋁，X或M的至少任一者中含過渡金屬
元素。0表示氧原子。M 可以列舉例如 Mo、W、Cr、V、Nb、Fe、Ta、Al 等。X 可以列舉例如 P、As、Si、B、Co 等。χ為0以上的整數(shù)，y為1以上的整數(shù)，ζ為1以上的整數(shù)。χ = 0的情況下，為同多酸， χ為1以上的整數(shù)的情況下，為雜多酸。此外，上述X和M各自獨(dú)立地可以為單獨(dú)1種，也可以含2種以上。同多酸的具體例可以列舉[Mo6O19]2_、[MoltlO32]4_等。作為雜多酸的具體例，可以列舉[PMo12O4J3-、[Bff12O40] [Sbff6O24] [SiV2W10O40] [V18O44N3In^ [PWnMom040]3"(n+m = 12， n、m 為 0、1、2、3".)、[SiWnMom040]4-(n+m = 12，n、m 為 0、1、2、3…，[PVnffm040]r_(n+m = 1， η = l、2、3、4，r-n = 3)、[PVnMom040]r-(n+m = 12,η = l，2，3，4，r_n = 3)等。通常的 MoO3 等的鉬氧化物的組成式為MovinO3n，而[Movi6019]2_等多酸為Mon03n+m(m = 1、2、3、…)，即使是相同的6價的鉬，多酸的氧多，有助于陰離子狀態(tài)。這些的陰離子簇通常與抗衡陽離子一起以水合物形式存在，例如，[BW12OJ5-的情況下，已知作為K5[BW12O4J · 13H20存在。作為本發(fā)明中使用的含有過渡金屬的納米簇的金屬氧化物簇的結(jié)構(gòu)，可以使用例如凱金(Keggin)型、道森型、安德森型等。POM可以在過渡金屬離子上配位有4 6個氧化物離子，以四面體、四角錐、八面體等多面體為基本單位，重疊它們而構(gòu)成。從原子和結(jié)構(gòu)的組合出發(fā)，可考慮非常多的分子結(jié)構(gòu)，進(jìn)而還存在α、β、Y、ο體等結(jié)構(gòu)異構(gòu)體。作為本發(fā)明中使用的含有過渡金屬的納米簇，也可使用還原的混合原子價多金屬氧酸鹽。任何POM均可通過還原反應(yīng)而容易地形成混合原子價狀態(tài)。例如，[PMovi12O4J3-能夠還原為[PMovi11MOvO4q] 3_、[PMOviiqMOv2O4q] 4_，能夠形成分子內(nèi)具有不同原子價的結(jié)構(gòu)。POM 能夠被例如給體性客體分子等還原。被還原的陰離子具有連同一個電子一起穩(wěn)定地被還原的特征，與通常的MoO3等鉬氧化物不同。作為本發(fā)明中使用的含有過渡金屬的納米簇，可使用將上述的結(jié)構(gòu)組合的、巨大的混合原子價POM。例如，作為本實(shí)施例中使用的簇，可以列舉Na15[Movi126Mov28O462H14(H2O) το!ο.5[Movi124Mov28O457H14(H2O)68]0.5 ·400Η20ο這些由于分子結(jié)構(gòu)復(fù)雜，作為簡便的表示法，一般使用以分子內(nèi)所含的過渡金屬代表、將該結(jié)構(gòu)表示為{Μο154}的方法。作為本發(fā)明中能夠應(yīng)用的含有過渡金屬的納米簇，適合使用例如球形狀的{Μο132}、環(huán)形狀的{Μο142}、{ΜΟ154}和 {Μο176}、輪形狀的{Μο248}、檸檬形狀的{Μο368}。此外，也可使用[PMO6019]2_、[PMo12O4J3_ 等。此外，作為含鎢、釩的含有過渡金屬的納米簇，可以列舉例如[KAs4W4tl(VO)2014。]23_、 MO8V2O28 · 7Η20、[α-P2W18Ofi2] 6_、[ α -P2W17V (V) O62] [ α _1，2，3_P2W15V (V) 3062] 9_、 [[α -Pff12O40] 3I)、[ α -P W11V (V) O40]4_、[ α -1，2-Pff10V (V) 2 040 ] 5_、[ α -1，2，3-Pff9V (V) 3040]6_、 [α -1,4,Q-Pff9V(V)3O40]6-, [V10028]6_等。需要說明的是，上述記載中“V(V) ”表示5價的釩。上述以外，也可使用包含2種以上的過渡金屬元素的、例如用鎢將{MO132}的一部分置換的(W72Mo6010 此外，也可使用(Mo57V6) > (Mo57Fe6I, (Mo72Cr30I > Iff72Mo6J、(Ag2Mo8I 等。本發(fā)明中作為含有過渡金屬的納米簇使用的混合原子價P0M，用化學(xué)反應(yīng)將POM 還原而合成，導(dǎo)入具有不同原子價的金屬(例如在Mo的6價中導(dǎo)入Mo的5價)而使其結(jié)合，因此結(jié)構(gòu)上穩(wěn)定，引入的具有不同原子價的金屬(例如Mo的5價)也能夠穩(wěn)定地存在。 由于不同原子價穩(wěn)定地存在，能夠維持穩(wěn)定的陰離子狀態(tài)，因此能夠形成壽命特性優(yōu)異的空穴注入層。另一方面，通常的MoO3等鉬氧化物的情況下，鉬幾乎為MoVI，組成式為Μοη03η。 但是，由于蒸鍍時的氧缺失、或因漿料形成時的物理粉碎產(chǎn)生的粒子表面等存在的氧缺陷等，成為Mon03n_m，可能也少量存在Μον。但是，在MoO3中導(dǎo)入的Mov由氧缺陷產(chǎn)生，因此不均勻，不穩(wěn)定。本發(fā)明中使用的含有過渡金屬的納米簇，如含有化學(xué)合成的POM的金屬氧化物簇那樣，多個簇可含有抗衡陽離子。作為抗衡陽離子，適合使用H+、Na+、K+。此外，也可使用陽離子性有機(jī)物或離子性液體。含有過渡金屬的納米簇內(nèi)，因合成條件的不同，可含有各種氧化數(shù)的過渡金屬原子、過渡金屬化合物，例如過渡金屬的硫化物、硼化物、硒化物、鹵化物、配體、非過渡金屬原丁寸。<表面附著的含氟有機(jī)化合物>本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料，在上述至少包含過渡金屬氧化物的含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇的表面附著了含氟有機(jī)化合物。本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料中，所謂“附著”，是指以即使在有機(jī)溶劑中分散也不剝離的程度，含氟有機(jī)化合物固定于含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇表面?！案街币舶健⑴湮唬珒?yōu)選為離子鍵、共價鍵等化學(xué)鍵?！案街钡男螒B(tài)， 可以是以含氟有機(jī)化合物被覆含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇的表面的全部的方式而附著的形態(tài)，也可以是含氟有機(jī)化合物附著于表面的一部分的形態(tài)。本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料中，特別地在含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇表面，附著有至少包含含氟有機(jī)化合物的有機(jī)化合物，因此與專利文獻(xiàn)5那樣的單純地將過渡金屬氧化物粉碎而形成的粒子不同，納米粒子或納米簇的分散穩(wěn)定性非常高，能夠形成均勻性高的nm級的薄膜。因此，由本發(fā)明的空穴注入傳輸層用器件材料形成的薄膜，經(jīng)時穩(wěn)定性和均勻性高，因此難以短路。此外，與鄰接的電極、有機(jī)層的密合性優(yōu)異。對附著于表面的含氟有機(jī)化合物的種類適當(dāng)選擇，無特別限定。作為含氟有機(jī)化合物，可以列舉可含有氟以外的雜原子的、將直鏈、支化或環(huán)狀的飽和或不飽和烴中所含的氫的一部分或全部用氟取代的有機(jī)化合物。可以是以往作為空穴注入傳輸材料使用的可含雜原子的有機(jī)化合物中所含的氫的一部分或全部用氟取代的有機(jī)化合物?；蛘撸梢允且酝鳛榭昭ㄗ⑷雮鬏敳牧鲜褂玫目珊s原子的有機(jī)化合物中導(dǎo)入了包含含氟有機(jī)化合物的取代基的化合物。作為含氟有機(jī)化合物，具體地，可以列舉將直鏈、支化或環(huán)狀的烷基、芳基的氫的一部分或全部氟化的氟化烷基或氟化芳基以及它們的組合。氟化烷基的碳數(shù)并無特別限定，但優(yōu)選2 10，更優(yōu)選4 6。此外，對氟化芳基、或氟化芳基化烷基等氟化烷基和氟化芳基的組合的碳數(shù)也無特別限定，優(yōu)選6 12，更優(yōu)選6 9。作為上述含氟有機(jī)化合物，從能量照射引起的潤濕性的變化良好，獲得優(yōu)異的構(gòu)圖觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選含有氟化烷基。此外，由于通過能量照射容易使含氟有機(jī)化合物分解，因此從潤濕性變化圖案形成工序中感度改善的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選作為含氟有機(jī)化合物含-NH-、-N =、-S-、-0-、-NH(C = 0)-,-0- (C = 0)-,-0-(S02)-,-0- (C = 0)-0-、-S-(C = 0) -O-^-SiR2- (C = 0)-0-、_5讓2-之類的沒有形成雜環(huán)的雜原子。其中，CnF2n+1 CmH2m-[m為0 20的整數(shù)，η為1 20的整數(shù)，m+n為1 30。]所示的氟化烷基，從維持高的疏油性方面以及m為1以上時與醚鍵等其他元素結(jié)合時，從穩(wěn)定性提高觀點(diǎn)出發(fā)，與直接與CnF2n+1結(jié)合相比，更優(yōu)選經(jīng)由CmH2m的結(jié)合的情況。另一方面，對于與醚鍵等其他的元素結(jié)合時直接與CnF2n+1結(jié)合的情況而言，由于通過能量照射容易將氟有機(jī)化合物分解，因此從在潤濕性變化圖案形成工序中感度改善，空穴注入傳輸層表面的殘留有機(jī)成分變少，因此薄膜界面的密合性改善，元件特性改善觀點(diǎn)出發(fā)，是優(yōu)選的。η更優(yōu)選為2 10的整數(shù)，進(jìn)一步優(yōu)選為4 6的整數(shù)。m優(yōu)選為0 10的整數(shù)，更優(yōu)選為2 8的整數(shù)。上述氟化烷基的氟化率(烷基中的氟原子的比例)優(yōu)選為50 100%，更優(yōu)選為 80 100%，從顯現(xiàn)高的防油性的觀點(diǎn)出發(fā)，特別優(yōu)選將氫原子全部用氟原子取代的全氟焼基。此外，從能夠提高含氟有機(jī)化合物的沸點(diǎn)的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選含芳香族烴和/或雜環(huán)的含氟有機(jī)化合物。例如，具有能夠使本發(fā)明的含氟有機(jī)化合物附著的空穴注入傳輸層用器件材料的合成溫度的制約擴(kuò)寬，能夠?qū)⒅谱髌骷r的高溫工序溫度設(shè)定得高的優(yōu)點(diǎn)。此外，由于芳香族烴和/或雜環(huán)多具有電荷傳輸性，因此能夠?qū)⒂珊枷阕鍩N和/ 或雜環(huán)的含氟有機(jī)化合物制作的空穴注入傳輸層中的電荷遷移率維持在高水平，有助于以低電壓化為代表的高效率化。通過后述的將含氟有機(jī)化合物分解的處理，將膜的表層部的含氟有機(jī)化合物除去，但在膜的內(nèi)部含芳香族烴和/或雜環(huán)的含氟有機(jī)化合物殘留，因此電荷傳輸性高能夠有助于高效率化。此外，例如有機(jī)EL元件等有機(jī)器件的各層中通常含有芳香族烴和/或雜環(huán)電荷傳輸性材料，因此考慮到鄰接的有機(jī)層與空穴注入傳輸層的密合性的改善時，從有利于長驅(qū)動壽命化的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選含芳香族烴和/或雜環(huán)的結(jié)構(gòu)。作為氟化烷基的實(shí)例，可以列舉下述結(jié)構(gòu)。CF3-> CF3CF2-, CHF2CF2-, CF3 (CF2) 2_、CF3 (CF2) 3_、CF3 (CF2) 4_、CF3 (CF2) 5_、CF3 (CF2) 6_、 CF3 (CF2)廠、CF3(CF2)8-, CF3(CF2)9-, CF3(CF2)11-, CF3(CF2)15-, CF3CH2CH2-, CF3CF2CH2CH2-, CHF2CF2CH2CH2-, CF3(CF2)2CH2CH2-, CF3(CF2)3CH2CH2-, CF3(CF2)4CH2CH2-, CF3(CF2)5CH2CH2-, CF3 (CF2) J5CH2CH2-、CF3 (CF2)7CH2CH2-, CF3 (CF2)8CH2CH2-, CF3 (CF2)9CH2CH2-, CF3 (CF2)11CH2CH2-, CF3 (CF2) 15CH2CH2-、CF3 (CF2) 50 (CF3) CF-、CF3 (CF2) 20 (CF3) CFCF2O (CF3) CF-、CF3 (CF2) 20 (CF3) CFCF2O(CF3)CFCF2O(CF3)CFCF2O(CF3)CF-XF3(CF2)50(CF3)CF- 以上例示了直鏈結(jié)構(gòu)，但也可以是異丙基等支化結(jié)構(gòu)。作為含芳香族烴和/或雜環(huán)的含氟有機(jī)化合物的實(shí)例，可以列舉五氟苯基、2，3， 5,6-四氟苯基、3，4，5_三氟苯基、2，4_ 二氟苯基、3，4_ 二氟苯基、3，5_ 二氟苯基、九氟聯(lián)苯基、α，α，α，2，3，5，6_七氟-對-甲苯基、七氟萘基、(三氟甲基)苯基、3，5_雙(三氟甲基)苯基、五氟苯基甲基、2，3，5，6_四氟苯基甲基、3，4，5_三氟苯基甲基、2，4_ 二氟苯基甲基、3，4_二氟苯基甲基、3，5_二氟苯基甲基、九氟聯(lián)苯基甲基、α , α , α，2，3，5，6_七氟-對甲苯基甲基、七氟萘基甲基、(三氟甲基)苯基甲基、3，5_雙(三氟甲基)苯基甲基、4，4’， 4”-三氟三苯甲基等。作為含氟有機(jī)化合物，從含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇的表面保護(hù)和分散穩(wěn)定性觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選在含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇的表面，使用產(chǎn)生與上述過渡金屬和/或過渡金屬化合物連接的作用的連接基而附著。艮口， 優(yōu)選通過在含氟有機(jī)化合物的末端含有連接基的保護(hù)劑，使含氟有機(jī)化合物附著于含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇的表面。作為連接基，只要具有與過渡金屬和/或過渡金屬化合物連接的作用，則并無特別限定。連接也包含吸附、配位，但優(yōu)選為離子鍵、共價鍵等化學(xué)鍵。保護(hù)劑中的連接基的數(shù)量在分子內(nèi)只要為1個以上，可以是幾個。但是，考慮在溶液中的溶解性、分散穩(wěn)定性、疏油性的顯現(xiàn)性時，優(yōu)選連接基在保護(hù)劑的1分子內(nèi)為1個。連接基的數(shù)量在1分子內(nèi)為1 個的情況下，保護(hù)劑與粒子結(jié)合，或者通過2分子反應(yīng)形成二聚體而使反應(yīng)停止。對于該二聚體，與含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇的密合性弱，因此含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇的制備工序中給予進(jìn)行沖洗的工序時，能夠容易地去除。此外，如果連接基的數(shù)量在1分子內(nèi)存在2個以上，有可能將納米粒子之間連接，在油墨中粒子容易凝聚。作為該連接基，可以列舉例如羧基、氨基、羥基、硫醇基、醛基、磺酸基、酰氨基、磺酰氨基、磷酸基、膦酸基、P = 0基等親水性基、或、銨鹽、咪唑鐺鹽、吡啶鐺鹽、锍鹽、鱗鹽、嗎啉鐺鹽、哌啶鐺鹽等離子性液體等。作為連接基，優(yōu)選為選自以下的式(Ia) (In)所示的官能團(tuán)中的1種以上。[化1]
權(quán)利要求
1.一種空穴注入傳輸層用器件材料，其特征在于，在至少包含過渡金屬氧化物的含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇的表面附著有含氟有機(jī)化合物。
2.如權(quán)利要求1所述的空穴注入傳輸層用器件材料，其特征在于，作為所述含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇中所含的、過渡金屬氧化物中的過渡金屬，包含選自鉬、鎢和釩中的至少1種金屬。
3.如權(quán)利要求1或2所述的空穴注入傳輸層用器件材料，其特征在于，所述含氟有機(jī)化合物含有氟化烷基。
4.一種空穴注入傳輸層形成用油墨，其特征在于，含有所述權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的空穴注入傳輸層用器件材料和有機(jī)溶劑。
5.一種器件的制造方法，其是具有在基板上對向的2個以上的電極和在其中的2個電極間配置的空穴注入傳輸層的器件的制造方法，其特征在于，具有空穴注入傳輸層形成工序，在以圖案狀形成了第一電極層的基板上，形成含有所述權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的空穴注入傳輸層用器件材料的空穴注入傳輸層；以及潤濕性變化圖案形成工序，將基體上形成了至少含有光催化劑的含光催化劑的層的帶有含光催化劑的層的基板，相對于所述空穴注入傳輸層，相隔與能量照射相伴的光催化劑的作用能及的間隙而配置后，以圖案狀進(jìn)行能量照射，從而在所述空穴注入傳輸層表面形成潤濕性變化了的潤濕性變化圖案。
6.如權(quán)利要求5所述的器件的制造方法，其特征在于，在所述空穴注入傳輸層形成工序前具有隔離部形成工序，該隔離部形成工序在所述以圖案狀形成了第一電極層的基板上的所述第一電極層的圖案間形成隔離部。
7.如權(quán)利要求6所述的器件的制造方法，其特征在于，形成了所述第一電極層的基板是透光性基板，所述隔離部是將潤濕性變化圖案形成工序中照射的能量線反射或吸收的隔離部，所述潤濕性變化圖案形成工序中，通過從所述透光性基板側(cè)進(jìn)行能量照射，在所述空穴注入傳輸層表面形成潤濕性變化了的潤濕性變化圖案。
8.如權(quán)利要求5 7中任一項(xiàng)所述的器件的制造方法，其特征在于，所述潤濕性變化圖案形成工序中，以圖案狀進(jìn)行能量照射的方法是使用掩模進(jìn)行能量照射的方法。
9.如權(quán)利要求5 7中任一項(xiàng)所述的器件的制造方法，其特征在于，所述潤濕性變化圖案形成工序中，以圖案狀進(jìn)行能量照射的方法是以圖案狀掃描紫外激光進(jìn)行能量照射的方法。
10.一種器件的制造方法，其是具有在基板上對向的2個以上的電極和在其中的2個電極間配置的空穴注入傳輸層的器件的制造方法，其特征在于，具有空穴注入傳輸層形成工序，在以圖案狀形成了電極層的基板上，形成含有所述權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的空穴注入傳輸層用器件材料的空穴注入傳輸層；以及潤濕性變化圖案形成工序，通過以圖案狀照射真空紫外線，在所述空穴注入傳輸層表面形成潤濕性變化了的潤濕性變化圖案。
11.如權(quán)利要求5 10中任一項(xiàng)所述的器件的制造方法，其特征在于，所述空穴注入傳輸層形成工序中，具有調(diào)制含有所述權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的空穴注入傳輸層用器件材料和有機(jī)溶劑的空穴注入傳輸層形成用油墨的工序，以及將該空穴注入傳輸層形成用油墨在氧存在下加熱的工序。
12.—種器件，其是具有在基板上對向的2個以上的電極和在其中的2個電極間配置的空穴注入傳輸層的器件，其特征在于，所述空穴注入傳輸層含有所述權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的空穴注入傳輸層用器件材料，且所述空穴注入傳輸層的表層部的所述空穴注入傳輸層用器件材料的含氟有機(jī)化合物已被分解除去。
13.一種器件，其是具有在基板上對向的2個以上的電極和在其中的2個電極間配置的空穴注入傳輸層的器件，其特征在于，以圖案狀形成了第一電極層的基板上的所述第一電極層的圖案間具有隔離部，在所述隔離部的開口部內(nèi)的所述第一電極層上和所述隔離部上具有連續(xù)的空穴注入傳輸層，在所述隔離部的開口部內(nèi)的所述第一電極層上和所述隔離部的側(cè)部上的空穴注入傳輸層中，所述權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的空穴注入傳輸層用器件材料的至少一部分的含氟有機(jī)化合物被分解除去，并且所述隔離部的頂部上的空穴注入傳輸層含有所述權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的空穴注入傳輸層用器件材料。
14.如權(quán)利要求12或13所述的器件，其中所述器件是含有有機(jī)層的有機(jī)EL元件，該有機(jī)層至少包含發(fā)光層。
全文摘要
本發(fā)明提供通過能量照射潤濕性變化，同時工序耐性高，并且具有優(yōu)異的空穴注入傳輸性，能夠采用溶液涂布法形成空穴注入傳輸層的空穴注入傳輸層用器件材料以及使用了該器件材料的空穴注入傳輸層用油墨。此外，還提供能夠?qū)⒃诳昭ㄗ⑷雮鬏攲由蠈盈B的層構(gòu)圖，并且能夠?qū)崿F(xiàn)長壽命的器件及其制造方法。本發(fā)明涉及空穴注入傳輸層用器件材料，其特征在于，在至少包含過渡金屬氧化物的含有過渡金屬的納米粒子或含有過渡金屬的納米簇的表面附著有含氟有機(jī)化合物。此外，還涉及使用了該器件材料的、空穴注入傳輸層用油墨、器件及其制造方法。
文檔編號H01L51/50GK102473850SQ201080029869
公開日2012年5月23日 申請日期2010年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月31日
發(fā)明者上野滋弘, 下河原匡哉, 岡田政人, 多谷奈苗, 武誠司, 田口洋介 申請人:大日本印刷株式會社