專利名稱：轉(zhuǎn)換劑體、光電子半導體芯片和用于制造光電子半導體芯片的方法
轉(zhuǎn)換劑體、光電子半導體芯片和用于制造光電子半導體芯片的方法
說明了一種轉(zhuǎn)換劑體以及一種具有轉(zhuǎn)換劑體的光電子半導體芯片。此外說明了一種用于制造光電子半導體芯片的方法。
要解決的任務(wù)在于說明一種在半導體層序列上具有高附著能力的轉(zhuǎn)換劑體。另一要解決的任務(wù)在于，說明一種具有這種轉(zhuǎn)換劑體的光電子半導體芯片。此外，要解決的任務(wù)在于說明一種用于制造這種光電子半導體芯片的方法。
根據(jù)轉(zhuǎn)換劑體的至少一個實施形式，該轉(zhuǎn)換劑體設(shè)置用于安置在光電子半導體芯片上。半導體芯片可以是光電二極管、激光二極管或者優(yōu)選地是發(fā)光二極管。尤其是，轉(zhuǎn)換劑體具有與半導體芯片的幾何尺寸相當?shù)膸缀纬叽纭＠?，半導體芯片和/或轉(zhuǎn)換劑體的平均橫向尺寸在0. 3mm到10. Omm之間、尤其是在0. 5mm到3. Omm之間，其中包括邊界值。
根據(jù)轉(zhuǎn)換劑體的至少一個實施形式，該轉(zhuǎn)換劑體包括基質(zhì)材料和嵌入到基質(zhì)材料中的轉(zhuǎn)換劑顆粒。在這種情況下，可以使用一種類型的或者多種不同類型的轉(zhuǎn)換劑顆粒。
根據(jù)轉(zhuǎn)換劑體的至少一個實施形式，基質(zhì)材料未完全硬化和/或未完全交聯(lián) (vernetzen)。換言之，基質(zhì)材料的硬度和/或彈性模量通過其他硬化工藝或者交聯(lián)工藝是可提高的。
根據(jù)轉(zhuǎn)換劑體的至少一個實施形式，該轉(zhuǎn)換劑體在室溫時具有在邵氏AO到邵氏 A35之間(其中包括邊界值)或者在邵氏A2到邵氏A15之間(其中包括邊界值)的硬度，和 /或，具有在10. OPa · S到150Pa · S之間(其中包括邊界值)或者在15. OPa · S到70Pa · S 之間(其中包括邊界值)的粘度。室溫尤其是指的是約四；31(的溫度。具有未完全硬化和 /或交聯(lián)的基質(zhì)材料的轉(zhuǎn)換劑體也比較軟性。
在針對光電子半導體芯片設(shè)置的轉(zhuǎn)換劑體的至少一個實施形式中，該轉(zhuǎn)換劑體包括基質(zhì)材料和嵌入到基質(zhì)材料中的轉(zhuǎn)換劑顆粒?；|(zhì)材料在此未完全硬化和/或未完全交聯(lián)，并且轉(zhuǎn)換劑體在室溫時顯示在邵氏AlO到邵氏A 35之間(其中包括邊界值)硬度和/ 或在101 · S到701 · S之間(其中包括邊界值)的粘度。
轉(zhuǎn)換劑體在未完全硬化和/或交聯(lián)的狀態(tài)下可被形狀配合地安置在半導體層序列上。通過隨后硬化轉(zhuǎn)換劑體，在轉(zhuǎn)換劑體與半導體層序列之間可實現(xiàn)特別牢固的機械連接。由此可延長半導體芯片的使用壽命。
根據(jù)轉(zhuǎn)換劑體的至少一個實施形式，基質(zhì)材料包括硅樹脂或者由硅樹脂構(gòu)成。同樣，基質(zhì)材料能包括環(huán)氧化物或者硅樹脂-環(huán)氧化物混合材料或者由其構(gòu)成。
根據(jù)轉(zhuǎn)換劑體的至少一個實施形式，該轉(zhuǎn)換劑體沒有觸變劑。已強調(diào)的是，尤其是通過針對硅樹脂使用長鏈的原料和/或針對基質(zhì)材料使用高粘性的原材料可阻止轉(zhuǎn)換劑顆粒在未硬化的基質(zhì)材料中的去混合和/或下沉。由此可省去尤其是作為顆粒、特別是納米顆粒存在的觸變劑。
根據(jù)轉(zhuǎn)換劑體的至少一個實施形式，轉(zhuǎn)換劑顆粒的重量比例在20%到75%之間、 優(yōu)選地在55%到70%之間，其中包括邊界值。換言之，轉(zhuǎn)換劑體的極大的重量比例由轉(zhuǎn)換劑顆粒引起。
根據(jù)轉(zhuǎn)換劑體的至少一個實施形式，該轉(zhuǎn)換劑體一體式成形。也就是說，基質(zhì)材料形成轉(zhuǎn)換劑顆粒被嵌入其中的、連續(xù)的、不中斷的單元。尤其是，轉(zhuǎn)換劑體于是不具有帶有多個轉(zhuǎn)換劑顆粒的部分區(qū)域，這些轉(zhuǎn)換劑顆粒例如通過相界彼此鄰接和/或在平均材料組成方面和/或在物理特性方面彼此區(qū)分。
此外，說明了一種光電子半導體芯片，其例如包括根據(jù)上述實施形式中的一個或多個的轉(zhuǎn)換劑體。轉(zhuǎn)換劑體的特征因而也針對此處描述的光電子半導體芯片公開，并且反之亦然。
在光電子半導體芯片的至少一個實施形式中，該光電子半導體芯片包括具有至少一個有源層的半導體層序列。此外，半導體芯片包含具有基質(zhì)材料的一體式的轉(zhuǎn)換劑體，轉(zhuǎn)換劑顆粒被嵌入該基質(zhì)材料中。轉(zhuǎn)換劑體在這種情況下與半導體層序列直接接觸，并且此外無連接劑地被施加在半導體層序列上。轉(zhuǎn)換劑體的硬度為至少邵氏A30和至多邵氏D80、 優(yōu)選地至少邵氏A60和至多邵氏D80、尤其是至少邵氏D30和至多邵氏D75。
“無連接劑地”可以意味著在半導體層序列與轉(zhuǎn)換劑體之間沒有如膠粘劑、膠粘膜或者焊料的連接劑?！鞍雽w層序列和轉(zhuǎn)換劑體至少局部地彼此直接接觸”可意味著，基質(zhì)材料至少局部地與半導體層序列的半導體材料物理接觸。
如果接觸結(jié)構(gòu)直接地、牢固地、持久地和/或構(gòu)成整體地與半導體材料相連，則例如直接被施加在半導體層序列的半導體材料上的電接觸結(jié)構(gòu)在這種情況下可被算作屬于半導體層序列。也就是說，“與半導體層序列直接接觸”也可意味著，轉(zhuǎn)換劑體被直接施加在這種電接觸結(jié)構(gòu)上，其例如利用金屬或者透明導電氧化物成型。
根據(jù)光電子半導體芯片的至少一個實施形式，半導體層序列的輻射穿透面和邊緣分別被轉(zhuǎn)換劑體覆蓋至少90%。覆蓋度尤其是在垂直于半導體層序列的相應(yīng)面的方向上被確定。
根據(jù)光電子半導體芯片的至少一個實施形式，轉(zhuǎn)換劑體形狀配合地施加在半導體層序列的至少一個邊界面上。這意味著，尤其是在顯微鏡刻度上，轉(zhuǎn)換劑體和邊界面彼此緊靠。特別地，半導體層序列的粗化可以由轉(zhuǎn)換劑體復(fù)制在邊界面上。由此，尤其是可以在顯微鏡的刻度上得到在半導體層序列與轉(zhuǎn)換劑體之間的嚙合，由此可實現(xiàn)在轉(zhuǎn)換劑體與半導體層序列之間的特別高的附著。同樣增大了半導體層序列與轉(zhuǎn)換劑體之間的接觸面，使得增附也通過粘附力增加。轉(zhuǎn)換劑體的背離半導體本體的邊界面的側(cè)在這種情況下可平滑地或者平坦地來構(gòu)造，使得例如在該側(cè)不復(fù)制粗化。
根據(jù)至少一個實施形式，半導體芯片的邊緣、即尤其是平行于半導體芯片的生長方向的橫向邊界面在垂直于這些邊緣的方向上被轉(zhuǎn)換劑體覆蓋至多15%或者至多5%。尤其是，這些邊緣沒有被轉(zhuǎn)換劑體遮蓋。
此外，說明了一種用于制造光電子半導體芯片的方法。半導體芯片例如根據(jù)上述實施形式中的一個或多個來構(gòu)建。轉(zhuǎn)換劑體以及光電子半導體芯片的特征因而也針對此處描述的方法被公開，并且反之亦然。
在該方法的至少一個實施形式中，該方法包括以下步驟
-提供具有至少一個有源層的半導體層序列，
-提供具有基質(zhì)材料的一體式的轉(zhuǎn)換劑體，轉(zhuǎn)換劑顆粒被嵌入所述基質(zhì)材料中，其中所述基質(zhì)材料未完全交聯(lián)和/或硬化，并且其中轉(zhuǎn)換劑體在室溫下具有在邵氏AO到邵氏A35之間的硬度，其中包括邊界值，和/或在101 · S到150Pa · S之間的粘度，其中包括邊界值，
-將轉(zhuǎn)換劑體施加到半導體層序列上，使得其彼此直接接觸，
-使轉(zhuǎn)換劑體硬化，其中在硬化之后，轉(zhuǎn)換劑體的硬度為至少邵氏A30和至多邵氏 D80，以及
-制成光電子半導體芯片。
根據(jù)該方法的至少一個實施形式，轉(zhuǎn)換劑體被施加在支承膜上并且被遮蓋膜覆蓋。換言之，轉(zhuǎn)換劑體處于支承膜與遮蓋膜之間。尤其是只要轉(zhuǎn)換劑體的基質(zhì)材料也未完全硬化，至少遮蓋膜就能從轉(zhuǎn)換劑體無毀壞地被去除。
根據(jù)該方法的至少一個實施形式，只要基質(zhì)材料未完全硬化，則不僅支承膜而且遮蓋膜都能從轉(zhuǎn)換劑體被去除，而無需損害該轉(zhuǎn)換劑體。
根據(jù)該方法的至少一個實施形式，支承膜和/或遮蓋膜在紫外和/或在藍色光譜范圍中是至少部分地透射輻射的。由此可能的是，基質(zhì)材料例如可以穿過支承膜以光化學方式來交聯(lián)和/或硬化。
根據(jù)該方法的至少一個實施形式，轉(zhuǎn)換劑體被提供為使得其尤其是以至多25%或者至多5%的容差而具有半導體芯片的橫向尺寸和/或形狀。轉(zhuǎn)換劑體因此已經(jīng)可以在施加到半導體芯片上之前如半導體芯片的輻射穿透面或者近似如半導體芯片的輻射穿透面那樣來成型和/或裁剪。轉(zhuǎn)換劑體因此尤其是與輻射穿透面重合地來成型，例如在支承膜上成型，并且被施加到半導體芯片上。
隨后，參考附圖借助實施例進一步闡述此處描述的器件以及此處描述的方法。相同的附圖標記在此說明各個附圖中的相同元件。但是，在此沒有示出按比例的關(guān)系，更確切地說，為了更好的理解而夸大地示出各個元件。
其中


圖1至4示出此處描述的光電子半導體芯片的實施例的示意性截面圖，
圖5示出了此處描述的轉(zhuǎn)換劑體在此處描述的光電子半導體芯片上的附著能力的時間相關(guān)性的示意圖，
圖6和7示出了針對此處描述的光電子半導體芯片的此處描述的制造方法的示意圖，以及
圖8示出了常規(guī)的半導體器件的示意性截面圖。
在圖1中示出了光電子半導體芯片1的實施例。半導體芯片1包括含有至少一個有源層的半導體層序列3。例如，半導體層序列3是發(fā)光二極管，其在工作時尤其是發(fā)射紫外和/或藍色輻射。在半導體層序列3的輻射穿透面32上產(chǎn)生粗化。通過粗化，在輻射穿透面32上提高來自半導體層序列3的光耦合輸出。邊緣34是半導體層序列3的橫向邊界面。
此外，半導體芯片1包括轉(zhuǎn)換劑體5。轉(zhuǎn)換劑體5具有嵌入基質(zhì)材料50中的轉(zhuǎn)換劑顆粒55。轉(zhuǎn)換劑顆粒55統(tǒng)計學地和/或均勻地分布在基質(zhì)材料50中。通過轉(zhuǎn)換劑顆粒 55，半導體層序列3在工作時產(chǎn)生的輻射部分地或者完全被轉(zhuǎn)換成具有其他波長的輻射。 轉(zhuǎn)換劑體5優(yōu)選地相對于半導體層序列3發(fā)射的輻射并且相對于工作時出現(xiàn)的熱負載在光化學方面穩(wěn)定。
轉(zhuǎn)換劑顆粒55的平均直徑例如在Inm到IOOnm之間，其中包括邊界值。同樣可替選地或者附加地可能的是，轉(zhuǎn)換劑顆粒陽或者其他轉(zhuǎn)換劑顆粒的直徑在1 μ m到20 μ m之間，其中包括邊界值。在其他圖中，基質(zhì)材料50和轉(zhuǎn)換劑顆粒55分別沒有示出。
一體式的轉(zhuǎn)換劑體5形狀配合地緊靠半導體層序列3的輻射穿透面32。在輻射穿透面32的粗化與基質(zhì)材料50之間，由此得到在顯微鏡刻度上的嚙合，由此可實現(xiàn)在半導體層序列3與轉(zhuǎn)換劑體5之間的特別穩(wěn)定的附著。
轉(zhuǎn)換劑體5在橫向方向上與半導體層序列3的邊緣34平齊地結(jié)束。轉(zhuǎn)換劑體5 和/或半導體層序列3的橫向尺寸優(yōu)選地在300 μ m到3mm之間、尤其是在500 μ m到2mm 之間，其中包括邊界值。轉(zhuǎn)換劑體的厚度優(yōu)選地在20μπι到125 μ m之間、尤其是在30 μ m 到70 μ m之間，其中包括邊界值。半導體層序列3的厚度優(yōu)選地為至多200 μ m、尤其是至多 12 μ m。
在根據(jù)圖2的實施例中，轉(zhuǎn)換劑體5在橫向方向上突出于半導體層序列3。半導體層序列3在這種情況下被施加到支承體2上。半導體層序列3在此由支承體2、轉(zhuǎn)換劑體5 和圖2中未繪出的用于電接觸半導體層序列3的電接觸結(jié)構(gòu)完全圍繞。在此可能的是在半導體層序列3的邊緣34上構(gòu)造空腔7。
轉(zhuǎn)換劑體5的背離支承體2的邊界面在輻射穿透面32之上的區(qū)域中具有透鏡狀的造型。換言之，轉(zhuǎn)換劑體陽(相對于支承體2)的高度不是在整個橫向延伸上恒定的。
在根據(jù)圖3的實施例中，構(gòu)造電接觸結(jié)構(gòu)6a_d。成形為接合線的接觸結(jié)構(gòu)6c在這種情況下在垂直于半導體層序列3的主延伸方向的方向上完全穿透一體式的轉(zhuǎn)換劑體5。
轉(zhuǎn)換劑體5在此分別遮蓋輻射穿透面32和邊緣34的至少90%。電接觸結(jié)構(gòu)6b 例如被蒸鍍到半導體層序列3的半導體材料上。
在根據(jù)圖4的實施例中，直接施加在半導體層序列3上的、一體式的轉(zhuǎn)換劑體5完全被接觸結(jié)構(gòu)6b穿透，該接觸結(jié)構(gòu)6b例如通過蒸鍍和/或通過光刻工藝來產(chǎn)生。不僅接觸結(jié)構(gòu)6b而且轉(zhuǎn)換劑體5都被電絕緣層11完全覆蓋。絕緣層5的材料優(yōu)選地不同于轉(zhuǎn)換劑體5的基質(zhì)材料。
轉(zhuǎn)換劑體5的硬度在邵氏D45到邵氏D80之間，其中包括邊界值。通過該高硬度， 半導體層序列3可通過轉(zhuǎn)換劑體5以機械方式來保護。此外，高硬度實現(xiàn)了特別有效的嚙合并且因此實現(xiàn)了在輻射穿透面32的結(jié)構(gòu)化部或粗化部與基質(zhì)材料50之間的高附著能力。
在圖5中圖示了半導體層序列3上的(例如根據(jù)圖1至4之一的)轉(zhuǎn)換劑體的根據(jù)時間t的切力F。在這種情況下，在為IOOOh的整個時間區(qū)間上，溫度為185°C。使轉(zhuǎn)換劑體5例如與根據(jù)圖1至4之一的半導體層序列3分層的切力分別為至少50N。
在圖6中圖示了針對半導體芯片1的制造方法。根據(jù)圖6A，在支承膜8上通過尤其是絲網(wǎng)印刷方法施加轉(zhuǎn)換劑體5，該支承膜8例如是乙烯-四氟乙烯膜。隨后，具有基質(zhì)材料和轉(zhuǎn)換劑顆粒的轉(zhuǎn)換劑體5借助溫度作用在為約150°C的溫度下在^iin的時間區(qū)間上硬化?；|(zhì)材料在這種情況下例如是制造商Siin-Etsu的LPS-AF500Y。通過硬化，轉(zhuǎn)換劑體具有在邵氏AlO到邵氏A35之間的硬度(其中包括邊界值)，使得轉(zhuǎn)換劑體借助取置機(BestUckungsautomaten) 10 (英語為 Pick and Place Machine)可施力口至Ij半導體層序列上，參見圖6B。
在支承膜8上產(chǎn)生的轉(zhuǎn)換劑體5在圖6中未圖示的、可選的其他方法步驟中是可平滑的，使得得到轉(zhuǎn)換劑體5的特別均勻的厚度和/或該厚度在橫向尺寸上是可裁剪的。在這種情況下，不同于圖6A中所示，也可能的是，支承膜8在橫向方向上與半導體本體5平齊地結(jié)束。
在圖6C中示出，隨后基質(zhì)材料通過溫度作用T完全硬化和/或交聯(lián)。硬化時間優(yōu)選地為至少lOmin。例如，硬化在為150°C的溫度下在Ih的時間區(qū)間上進行?？蛇x地，轉(zhuǎn)換劑體5在整個或者部分熱硬化期間通過壓力作用ρ被壓制和/或擠壓到半導體層序列3上。
在根據(jù)圖7的方法中，轉(zhuǎn)換劑體5位于支承膜8與遮蓋膜9之間，參見圖7A。轉(zhuǎn)換劑體5的硬化例如通過溫度作用T和/或通過穿過支承膜8的紫外或者藍色輻射實現(xiàn)。在硬化之后，轉(zhuǎn)換劑體5僅具有小硬度和/或僅具有在10 · S到70 · S之間的粘度，其中包括邊界值。轉(zhuǎn)換劑體5的造型例如通過輾壓并且可選地通過隨后的分割和/或裁剪來實現(xiàn)。壓印或者模壓也是可能的，尤其是如果轉(zhuǎn)換劑體5透鏡狀地成形。
根據(jù)圖7B，在硬化之后，遮蓋膜9從轉(zhuǎn)換劑體5被去除。在這種情況下，轉(zhuǎn)換劑體 5殘留在支承膜8上。
在圖7C中示出，通過支承膜8，轉(zhuǎn)換劑體5被安置在半導體層序列3上。一體式的轉(zhuǎn)換劑體5的通過溫度作用T進行的硬化或者光化學方式的硬化優(yōu)選地在同時的壓力作用P下進行。支承膜8可以在硬化時還殘留在轉(zhuǎn)換劑體5上，或者不同于圖7C中所示，已經(jīng)在轉(zhuǎn)換劑體5完全硬化和/或交聯(lián)之前被去除，例如在將轉(zhuǎn)換劑體5定位在半導體層序列3上之前或者緊接其后。
如果支承膜8不是已經(jīng)在硬化之前已被去除，則該支承膜8在轉(zhuǎn)換劑體5完全硬化之后而減少，參見圖7D。
在圖8中示出了常規(guī)的半導體器件，其同樣包括轉(zhuǎn)換劑體5。根據(jù)圖8A，尤其是包括硅樹脂的轉(zhuǎn)換劑體5通過連接劑4被安置在半導體層序列3上。連接劑4例如是低粘性的硅樹脂膠粘劑。與轉(zhuǎn)換劑體5相反，連接劑4在半導體層序列3在工作時產(chǎn)生輻射的光譜區(qū)域中是透明的或透視的。
由于連接劑4在施加時具有僅小的粘度，在橫向方向上施加轉(zhuǎn)換劑體5時，連接劑 4部分地使半導體層序列3的邊緣34或者也使支承體2濕潤。這種濕潤可通過支承體2或半導體層序列3的特定設(shè)計以及通過支承體2的特別的清潔步驟來避免。但是，這種措施提高了制造成本。由于例如根據(jù)圖1至4以無連接劑的方式施加轉(zhuǎn)換劑體5，所以沒有通過連接劑4污染例如支承體2的風險，并且可省去支承體2和/或半導體層序列3的費事的設(shè)計。
根據(jù)圖8B，轉(zhuǎn)換劑體5通過絲網(wǎng)印刷方法被直接施加到半導體層序列3上。這種方法要求高精確并且相對費用多。為了將轉(zhuǎn)換劑體5直接施加在半導體芯片3上，原材料和尤其制成的轉(zhuǎn)換劑體5僅具有相對小的硬度，尤其是小于邵氏A80或者小于邵氏A60的硬度。
除了在直接到半導體層序列3上的絲網(wǎng)印刷方法的情況下在硬度方面的材料限制以外，轉(zhuǎn)換劑體5的厚度相對于根據(jù)圖1至4的轉(zhuǎn)換劑體5也不均勻地構(gòu)成，由此可以出現(xiàn)經(jīng)過波長轉(zhuǎn)換的輻射的局部色度坐標波動。與在使用連接劑4的情況下同樣地，在將轉(zhuǎn)換劑體5直接擠壓到半導體層序列3上時存在通過轉(zhuǎn)換劑體5的材料污染邊緣34或者支承體2的風險。
此處描述本發(fā)明并不通過參照實施例的描述來限制。更確切地說，本發(fā)明包括任意新特征以及任意特征組合，這尤其是包含權(quán)利要求中的任意特征組合，即使該特征或者該組合本身沒有明確地在權(quán)利要求或者實施例中被說明。
本專利申請要求德國專利申請10 2009 040 148. 2的優(yōu)先權(quán)，該德國專利申請的公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1.一種用于光電子半導體芯片(1)的轉(zhuǎn)換劑體(5)，其具有 -基質(zhì)材料(50)，以及-轉(zhuǎn)換劑顆粒65)，其被嵌入到基質(zhì)材料(50)中， 其中，-基質(zhì)材料(50)未完全硬化和/或交聯(lián)，以及-轉(zhuǎn)換劑體( 在室溫下具有在邵氏AO到邵氏A35之間的硬度，其中包括邊界值，和/ 或在101 · S到150Pa · S之間的粘度，其中包括邊界值。
2.根據(jù)前一權(quán)利要求所述的轉(zhuǎn)換劑體(5)， 其中基質(zhì)材料(50)包含硅樹脂或者是硅樹脂。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的轉(zhuǎn)換劑體(5)，其中基質(zhì)材料(50)能夠以熱學方式完全交聯(lián)和/或硬化并且硬化時間為至少lOmin。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的轉(zhuǎn)換劑體(5)， 其沒有觸變劑。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的轉(zhuǎn)換劑體(5)，其中轉(zhuǎn)換劑顆粒(55)的重量比例在20%到75%之間、尤其在55%到70%之間，其中包括邊界值。
6.一種光電子半導體芯片(1)，其具有-帶有至少一個有源層的半導體層序列(3)，以及-帶有基質(zhì)材料(50)的一體式的轉(zhuǎn)換劑體(5)，轉(zhuǎn)換劑顆粒(5 被嵌入該基質(zhì)材料 (50)中， 其中，-轉(zhuǎn)換劑體(5)與半導體層序列( 直接接觸并且以無連接劑的方式安置在半導體層序列(3)上，以及-轉(zhuǎn)換劑體(5)的硬度為至少邵氏A30和至多邵氏D80。
7.根據(jù)前一權(quán)利要求所述的光電子半導體芯片(1)，其中轉(zhuǎn)換劑體(5)的橫向尺寸在300μπι到3mm之間，其中包括邊界值，并且轉(zhuǎn)換劑體 (5)具有在20μπι到125 μ m之間的厚度，其中包括邊界值。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的光電子半導體芯片(1)，其中半導體層序列(3)的輻射穿透面(3 和邊緣(34)分別被轉(zhuǎn)換劑體( 覆蓋至少 90%。
9.根據(jù)權(quán)利要求6至8之一所述的光電子半導體芯片(1)，其中轉(zhuǎn)換劑體( 形狀配合地施加在半導體層序列(3)的至少一個邊界面(32，34)上。
10.根據(jù)權(quán)利要求6至9之一所述的光電子半導體芯片(1)， 其中轉(zhuǎn)換劑體(5)被一個或者多個電接觸結(jié)構(gòu)(5)穿透。
11.用于制造光電子半導體芯片(1)的方法，其具有以下步驟 -提供具有至少一個有源層的半導體層序列(3)，-提供具有基質(zhì)材料(50)的一體式的轉(zhuǎn)換劑體(5)，轉(zhuǎn)換劑顆粒(5 被嵌入所述基質(zhì)材料(50)中，其中所述基質(zhì)材料(50)未完全交聯(lián)和/或硬化，并且其中轉(zhuǎn)換劑體( 在室溫下具有在邵氏AO到邵氏A35之間的硬度，其中包括邊界值，和/或在101 · S到150Pa · S 之間的粘度，其中包括邊界值，-將轉(zhuǎn)換劑體( 施加到半導體層序列C3)上，使得其彼此直接接觸，以及 -使轉(zhuǎn)換劑體( 硬化，其中在硬化之后，轉(zhuǎn)換劑體(5)的硬度為至少邵氏A30和至多邵氏D80。
12.根據(jù)前一權(quán)利要求所述的方法，其中轉(zhuǎn)換劑體(5)被施加在支承膜(8)上并且被遮蓋膜(9)覆蓋，并且其中至少支承膜(8)在紫外和在藍色光譜區(qū)域中是至少部分透射輻射的。
全文摘要
在本方法的至少一個實施形式中，本方法包括以下步驟提供具有至少一個有源層的半導體層序列(3)，提供一體式的轉(zhuǎn)換劑體(5)，其中基質(zhì)材料(50)未完全交聯(lián)和/或硬化，并且其中轉(zhuǎn)換劑體(5)在室溫下具有在邵氏A0到邵氏A35之間的硬度，其中包括邊界值，和/或在10Pa·S到150Pa·S之間的粘度，其中包括邊界值，將轉(zhuǎn)換劑體(5)施加到半導體層序列(3)上，使得其彼此直接接觸，以及使轉(zhuǎn)換劑體(5)硬化，其中在硬化之后，轉(zhuǎn)換劑體(5)的硬度為至少邵氏A30和至多邵氏D80。
文檔編號H01L33/50GK102498751SQ201080030130
公開日2012年6月13日 申請日期2010年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月4日
發(fā)明者貝爾特·布勞內(nèi) 申請人:歐司朗光電半導體有限公司