專利名稱：基于圖像處理的光刻系統(tǒng)和目標對象涂覆方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開一般地涉及光刻系統(tǒng)，并且更具體地，涉及基于圖像處理的光刻系統(tǒng)和涂覆目標對象的方法。
背景技術(shù)：
光刻系統(tǒng)是用于在基板上形成想要的圖案的設(shè)備。使用光刻系統(tǒng)的曝光エ藝是半導體エ藝的必要部分?？梢允褂闷毓猊ㄋ囋诨迳闲纬上胍膱D案 。為了在基板上形成想要的圖案，可以采用其上形成圖案的光掩模。由于形成在光掩模上的圖案被固定為特定圖案，因此為了在基板上形成新的圖案，光掩模應(yīng)該被替換為新的光掩模。在半導體エ藝中，光掩模的頻繁改變會導致制造成本的増加和產(chǎn)率的降低。因此，需要性價比高并且高產(chǎn)的新光刻系統(tǒng)。另外，對于小型芯片來說性價比高的封裝(例如，涂覆)エ藝顯著地影響著集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)?，F(xiàn)在，商用的射頻識別(RFID)和發(fā)光器件(LED)具有大約200 μ m或更小的芯片尺寸。拾放技術(shù)正在應(yīng)用于小型芯片的生產(chǎn)。隨著在單個半導體晶圓上制造的芯片的數(shù)目的増加，拾放技術(shù)導致了較低的處理速度、較低的產(chǎn)率和較高的成本。因此，需要性價比高并且增加處理速度和產(chǎn)率的新エ藝。

發(fā)明內(nèi)容
[技術(shù)方案]根據(jù)不例性實施方式，公開了ー種光刻系統(tǒng)。該光刻系統(tǒng)包括布置在基板上的至少ー個目標對象；處理器，該處理器被構(gòu)造為處理目標對象的圖像并且確定用于目標對象的涂覆層的光學圖案；以及曝光設(shè)備，該曝光設(shè)備被構(gòu)造為將由處理器確定的光學圖案提供給基板。根據(jù)另ー示例性實施方式，提供了一種涂覆目標對象的方法。該方法包括制備基板，該基板的ー個表面上布置有至少ー個目標對象；通過處理目標對象的圖像確定用于目標對象的涂覆層的光學圖案；以及將具有確定的光學圖案的光提供到基板。根據(jù)另ー示例性實施方式，提供了一種涂覆目標對象的方法。該方法包括制備基板，該基板的ー個表面上布置有至少ー個目標對象；在目標對象和基板的表面的至少一部分上形成光致抗蝕劑；通過處理目標對象的圖像形成用于目標對象的涂覆層的周壁；以及將樹脂提供到由周壁圍繞的目標對象的表面的至少部分區(qū)域和基板。根據(jù)另ー示例性實施方式，提供一種涂覆芯片的方法。該方法包括制備布置在柔性基板上的多個芯片，該多個芯片具有在基板上的第一排列結(jié)構(gòu)；通過使柔性基板發(fā)生形變來使第一排列結(jié)構(gòu)變?yōu)榈诙帕薪Y(jié)構(gòu)；在多個芯片和基板的表面的至少一部分上形成光致抗蝕劑；以及通過將光致抗蝕劑選擇性地暴露于光來在多個芯片的表面上形成第一涂覆層。該第一涂覆層是固化的光致抗蝕劑。根據(jù)另ー示例性實施方式，提供了ー種芯片涂覆系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括柔性基板，在該柔性基板的ー個表面上布置有具有第一排列結(jié)構(gòu)的多個芯片；固定件，該固定件連接到柔性基板并且被構(gòu)造為使柔性基板發(fā)生形變以將第一排列結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換為第二排列結(jié)構(gòu)；第一涂覆器，該第一涂覆器被構(gòu)造為能夠在多個芯片和基板的表面的至少一部分上形成光致抗蝕劑；以及光刻系統(tǒng)，該光刻系統(tǒng)被構(gòu)造為能夠通過選將光致抗蝕劑擇性地暴露于光來在多個芯片的表面上形成涂覆層。該涂覆層是固化的光致抗蝕劑。上述部分構(gòu)成下面詳細描述的主題的在某種程度上簡化的摘要。這些部分不意在指定本發(fā)明的主要或必要特征或者限制所附權(quán)利要求的范圍。


圖I是根據(jù)示例性實施方式的光刻系統(tǒng)的圖；圖2是根據(jù)示例性實施方式的基于圖像處理的曝光系統(tǒng)的圖；圖3是示出根據(jù)示例性實施方式的涂覆目標對象的方法的流程圖；圖4(a)至6(c)是示出根據(jù)示例性實施方式的涂覆目標對象的方法的圖；圖7(a)和7(b)是包括使用參考圖4 (a)至6 (C)描述的涂覆目標對象的方法形成的涂覆層的目標對象的截面圖；圖8是示出根據(jù)另ー示例性實施方式涂覆目標對象的方法的流程圖；圖9(a)至13是示出根據(jù)另ー示例性實施方式的涂覆目標對象的方法的圖；圖14是包括使用在上面參考圖9(a)至13描述的涂覆目標對象的方法形成的涂覆層的目標對象的圖；圖15是示出根據(jù)示例性實施方式的涂覆芯片的方法的流程圖；圖16(a)至22(b)是示出根據(jù)示例性實施方式的涂覆芯片的方法中的各處理的圖；圖23 (a)和23 (b)是包括使用在上面參考圖15(a)至22(b)描述的涂覆芯片的方法形成的涂覆層的多個芯片的圖；以及圖24是根據(jù)示例性實施方式的芯片涂覆系統(tǒng)的圖。
具體實施例方式在下文中，將參考附圖詳細描述本公開的示例性實施方式。附圖中的相同的附圖標記表示相同的元件，除非另有所述。然而，這里描述的示例性實施方式并不意在限制本公開，本公開可以包括不同的實施方式。換言之，可以在不偏離本公開的范圍的情況下對示例性實施方式進行修改。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該容易地理解的是，本公開的元件，即在附圖中ー般性示出并且描述的元件可以以各種不同的方式來布置、構(gòu)造、連接和設(shè)計，同時這些元件仍然處于本公開的范圍和發(fā)明精神內(nèi)。在附圖中，為了清楚起見，可以夸大層或區(qū)域的寬度、長度、厚度或形狀。將理解的是，當元件或?qū)颖环Q為“布置在”或“形成在”另一元件或?qū)印爸小睍r，其能夠直接地布置或形成在該另一元件或?qū)又谢蛘呖梢源嬖谥虚g元件或?qū)?。將理解的是，當元件或?qū)颖环Q為處于另一元件或?qū)印吧稀睍r，其能夠直接地位于另一元件或?qū)由匣蛘呖梢源嬖谥虚g元件或?qū)?。本申請中使用的術(shù)語“涂覆層”不僅指布置在目標對象上的具有均勻厚度的薄層，而且可以用作包括布置在目標對象上的具有任意形狀的三維結(jié)構(gòu)的概念。該三維結(jié)構(gòu)可以例如為可變厚度的薄層、微透鏡、微軌或者突起。除了這些示例之外，可以使用根據(jù)本公開的基于圖像處理的光刻系統(tǒng)形成的任意形狀的任何其它三維結(jié)構(gòu)都可以用作“涂覆層”。圖I是根據(jù)不例性實施方式的光刻系統(tǒng)的圖。參考圖1，光刻系統(tǒng)100包括基板110、至少ー個目標對象120和基于圖像處理的曝光系統(tǒng)130?；趫D像處理的曝光系統(tǒng)130包括處理器140和曝光設(shè)備150。在其它實施方式中，光刻系統(tǒng)100可以可選地進ー步包括第一涂覆器160。在另外的實施方式中，光刻系統(tǒng)100可以可選地進ー步包括第二涂覆器170。至少ー個目標對象120被布置在基板110上?？梢允褂酶鞣N基板作為基板110?；?10可以例如為半導體基板(例如，娃基板)、玻璃基板、塑料基板或者電路基板(例如，印刷電路板(PCB))。在附圖中，例如，示出了半導體基板作為基板110。在另外的實施方式中，可以使用柔性基板作為基板110。柔性基板可以例如為塑料基板、塑料膜或者柔性PCB。當使用柔性基板作為基板110時，該柔性基板可以由于外部力而發(fā)生形變。在該情況 下，可以改變布置在基板110上的至少ー個目標對象120的排列結(jié)構(gòu)。外部力可以為施加到基板110的拉カ或者壓縮力。即，在布置在基板Iio上的目標對象120之間的水平間隔(例如，X軸間隔)或豎直間隔(例如，Y軸間隔)可以由于外部カ而改變?？梢允褂酶鞣N目標對象作為目標對象120。例如，目標對象120可以是微芯片。微芯片可以是面積小于Imm2的芯片。例如，微芯片可以具有10 μ mX 10 μ mX 20 μ m的尺寸。在另外的示例中，目標對象120可以是半導體芯片。半導體芯片可以例如為從發(fā)光器件(LED)芯片、射頻識別(RFID)芯片、互補金屬氧化物半導體(CMOS)芯片及其組合中選擇的至少ー種芯片。可以使用半導體エ藝在半導體晶圓上制造從微芯片、LED芯片、RFID芯片、CMOS芯片及其組合中選擇的芯片。在另外的示例中，目標對象120可以為微結(jié)構(gòu)。微結(jié)構(gòu)可以是從單元、半導體納米粒子、典型的納米粒子、無機結(jié)構(gòu)、異質(zhì)聚合物珠、微顆粒、微結(jié)構(gòu)及其組合中選擇的至少ー種。除了這些示例之外，可以使用各種對象作為目標對象120?；趫D像處理的曝光系統(tǒng)130包括處理器140和曝光設(shè)備150。處理器140處理目標對象120的圖像并且確定用于目標對象120的涂覆層的光學圖案。處理器140可以例如為計算機視覺系統(tǒng)。在一個示例性實施方式中，處理器140可以包括相機(未示出)和圖像處理器(未示出)。曝光設(shè)備150將具有由處理器140確定的光學圖案的光提供到基板110。在一個不例性實施方式中，曝光設(shè)備150可以包括光源(未不出)和空間光調(diào)制器(未不出)?？臻g光調(diào)制器可以響應(yīng)于由處理器140提供的信號調(diào)制由光源提供的光。將參考圖2詳細描述包括處理器140和曝光設(shè)備150的基于圖像處理的曝光系統(tǒng)130。第一涂覆器160可以將光致抗蝕劑(未示出)提供到目標對象120和基板110的表面的至少一部分?？梢允褂酶鞣N設(shè)備作為第一涂覆器160。第一涂覆器160可以例如為旋轉(zhuǎn)涂覆器或者噴射涂覆器。在另外的示例中，第一涂覆器160可以包括微流通道(未示出)。微流通道可以圍繞目標對象120。在該情況下，光致抗蝕劑可以被提供到微流通道，從而目標對象120的表面與基板110的表面的部分區(qū)域可以被提供有光致抗蝕劑?？梢允褂酶鞣N材料用于微流通道。微流通道的材料可以例如為聚合物化合物(例如，聚ニ甲基硅氧烷(PDMS))。在一些實施方式中，微流通道可以進一歩包括用于分別注入和排出光致抗蝕劑的入口管(未示出)和出口管(未示出)。在該情況下，微流通道和基板110之間的空間可以由微流通道和基板110圍繞，并且僅通過入口管和出口管連接到外部空間。微流通道的內(nèi)壁可以進一歩包括氧阻聚層(未示出)。接觸氧阻聚層的光固化液體沒有被光(例如，UV光)固化。因此，氧阻聚層用作抗粘附層。除了這些示例之外，可以使用各種其它設(shè)備(作為第一涂覆器160)?？梢允褂酶鞣N光致抗蝕劑材料作為光致抗蝕劑。光致抗蝕劑可以是正性抗蝕劑或者負性抗蝕劑。例如，光致抗蝕劑可以不包括磷。在該情況下，固化的光致抗蝕劑可以例如用作透明層或者成型層。在另外的示例中，光致抗蝕劑可以包括磷。在該情況下，固化的光致抗蝕劑可以例如用作磷層?？梢允褂酶鞣N磷作為磷。磷可以例如為從紅磷、綠磷、藍磷、黃磷及其組合中選擇的ー種。當使用LED芯片作為目標對象120時，可以通過控制LED芯片的光學波長和光強度以及磷的種類和濃度來實施具有各種顏色的光或者具有各種色溫的白光。色溫表示基于白色以絕對溫度Kelvin (K)為單位描述根據(jù)溫度示出的發(fā)射光的顏色改變。第二涂覆器170可以在目標對象120和基板110的表面的至少一部分上形成導電層或者絕緣層?？梢允褂酶鞣N設(shè)備作為第二涂覆器170。第二涂覆器170可以例如為旋轉(zhuǎn)涂覆器、噴射涂覆器、物理氣相沉積(PVD)設(shè)備、化學氣相沉積(CVD)設(shè)備或者電鍍設(shè)備。除了這些示例之外，可以使用各種其它設(shè)備作為第二涂覆器170。在其它實施方式中，當僅使用光致抗蝕劑時，可以省略第二涂覆器170。圖2是根據(jù)示例性實施方式的基于圖像處理的曝光系統(tǒng)的圖。參考圖2，基于圖像處理的曝光系統(tǒng)包括處理器140和曝光設(shè)備150。在另外的實施方式中，基于圖像處理的曝光系統(tǒng)130可以可選地進ー步包括分束器180、縮小透鏡182和照明器184。處理器140處理目標對象120的圖像并且確定用于目標對象120的涂覆層的光學圖案。處理器140可以例如為計算機視覺系統(tǒng)。例如，圖2示出了處理器140包括相機142和圖像處理器144。相機142捕獲目標對象120的圖像并且將對應(yīng)于捕獲的目標對象120的圖像的電信號提供到圖像處理器144。由相機142捕獲的目標對象120的圖像可以為移動圖像或靜態(tài)圖像。例如，相機142可以將由目標對象120反射的光轉(zhuǎn)換為模擬電信號。例如，相機142可以包括成像透鏡146和圖像傳感器148。成像透鏡146用于接收來自分束器180的光并且將該光發(fā)送到圖像傳感器148，并且使能圖像傳感器148上的圖像的形成。圖像傳感器148用于產(chǎn)生對應(yīng)于入射光的電信號?？梢允褂酶鞣N傳感器作為圖像傳感器148。圖像傳感器148可以例如為光電ニ極管、光電晶體管或者電荷稱合器件(CCD)。圖像處理器144基于由相機142捕獲的目標對象120的圖像確定適合于目標對象120的涂覆層的光學圖案。圖像處理器144可以例如為個人計算機(PC)或者膝上計算機。例如，圖像處理器144可以包括被構(gòu)造為對由相機142提供的電信號進行采樣和量化的采樣器和量化器。曝光設(shè)備150將具有由處理器140確定的光學圖案的光提供到基板110。在ー個不例性實施方式中，曝光設(shè)備150可以包括光源152和空間光調(diào)制器154。光源152可以例如為紫外(UV)光源或者可見光源。光源152可以例如為UV光源準直器156和UV濾波器158。UV光源準直器156用于輸出準直的UV光。例如，UV光源準直器156可以包括200W UV燈(未不出)和基于光纖的光導系統(tǒng)(未不出)。UV濾波器158用于選擇性地使來自UV光源準直器156的UV光到達空間光調(diào)制器154?？臻g光調(diào)制器154可以響應(yīng)于由處理器140提供的信號調(diào)制由光源152提供的光。例如，空間光調(diào)制器154可以是被制造為ニ維陣列的數(shù)字微鏡陣列，如圖2中所示?；蛘?，空間光調(diào)制器154可以被制造為不同于附圖中所示的類型的ー維陣列。而且，可以使用不同于附圖中所示的方式的除了微鏡技術(shù)之外的技術(shù)(例如，液晶顯示器(LCD)技木)來制造空間光調(diào)制器154?？臻g光調(diào)制器154的光調(diào)制操作可以被編程。即，空間光調(diào)制器154可以可選地將入射在空間光調(diào)制器154的想要的像素上的光在想要的時間發(fā)送到基板110。分束器180用于將由曝光系統(tǒng)150提供的調(diào)制光通過縮小透鏡182發(fā)送到基板110。而且，分束器180用于將從基板110通過縮小透鏡182發(fā)送的圖像發(fā)送到相機142。例如，分束器180可以為半反射鏡，如圖2中所示。縮小透鏡182用于縮小由曝光系統(tǒng)150提供的光井且將縮小的光提供到基板110?？梢允褂镁哂?1、41、101、201、401和60x的各種倍數(shù)的顯微物鏡作為縮小透鏡182。例如，可以使用IOx顯微物鏡作為縮小透鏡182來將曝光系統(tǒng)150的圖像以大約8. 9的縮小倍率投射在最終的物面上。
照明器184用于提供照明，從而相機142能夠獲得基板110的圖像。由于在固化的光致抗蝕劑(未示出)和未固化的光致抗蝕劑(未示出)之間僅在折射率方面存在小的差異，因此，優(yōu)選地使用離軸照明來示出固化的光致抗蝕劑。往回參考圖I和圖2，根據(jù)本公開的光刻系統(tǒng)100包括基于圖像處理的曝光系統(tǒng)130?；趫D像處理的曝光系統(tǒng)130可以處理目標對象120的圖像并且確定用于目標對象120的涂覆層的光學圖案?？梢酝ㄟ^處理器140對光學圖案進行編程。在半導體エ藝中，光掩模的頻繁改變可以増加制造成本并且減少產(chǎn)率。根據(jù)本公開的光刻系統(tǒng)100的使用沒有涉及改變光掩模以形成新圖案。因此，可以獲得性價比高并且產(chǎn)率高的新光刻系統(tǒng)。此外，根據(jù)本公開的光刻系統(tǒng)100可以在不使用光掩模的情況下在目標對象120的表面上形成具有任意形狀的三維涂覆層。圖3是示出根據(jù)示例性實施方式的涂覆目標對象的方法的流程圖。參考圖3，從塊310開始涂覆目標對象的方法。在塊310，制備基板，該基板的ー個表面上布置有至少ー個目標對象。在塊320，對目標對象的圖像進行處理以確定用于目標對象的涂覆層的光學圖案。在一個實施方式中，確定光學圖案的處理可以包括獲得目標對象的圖像以及將獲得的目標對象的圖像轉(zhuǎn)換為黑白圖像。在塊330，將具有確定的光學圖案的光提供到基板。在一個實施方式中，將具有確定的光學圖案的光提供給基板的步驟可以包括提供光源并且基于光學圖案調(diào)制由光源提供的光。在另外的實施方式中，涂覆目標對象的方法可以可選地進ー步包括在目標對象和基板的表面的至少一部分上形成光致抗蝕劑。光致抗蝕劑可選地通過具有確定的光學圖案的光來進行固化。在一個實施方式中，光致抗蝕劑的形成可以包括使用其中包含光致抗蝕劑的微流通道在目標對象和基板的表面的至少一部分上形成光致抗蝕劑。在該情況下，可以根據(jù)微流通道的內(nèi)橫向表面與目標對象的頂表面之間的距離來控制布置在目標對象的頂表面上的固化的光致抗蝕劑的厚度。在另外的實施方式中，可以在形成光致抗蝕劑之前執(zhí)行涂覆目標對象的方法，并且涂覆目標對象的方法可以進一歩包括在目標對象的表面的至少一部分上形成的額外的涂覆層。而且，可以在形成額外的涂覆層之后執(zhí)行涂覆目標對象的方法，并且涂覆目標對象的方法可以進一步包括選擇性地蝕刻額外的涂覆層以形成圖案。在該情況下，通過在參考 塊320和330描述的處理期間提供的光形成的涂覆層可以用作選擇性地蝕刻額外的涂覆層 所需要的蝕刻掩模。涂覆層可以是固化的光致抗蝕劑。額外的涂覆層的蝕刻可以是通常在 半導體工藝中使用的干法蝕刻或者濕法蝕刻處理?？梢允褂酶鞣N材料用于額外的涂覆層。 例如，額外的涂覆層可以是導電層。在另外的示例中，額外的涂覆層可以是絕緣層。在另外的實施方式中，可以在制備基板之后執(zhí)行涂覆目標對象的方法，并且涂覆 目標對象的方法可以進一步包括改變目標對象的排列結(jié)構(gòu)。在該情況下，可以使用柔性基 板作為基板?？梢允褂酶鞣N方法來使柔性基板發(fā)生形變。在一個實施方式中，可以在從X 方向、Y方向及其組合中選擇的至少一個方向上將拉力施加到柔性基板以拉伸基板，從而柔 性基板可以發(fā)生形變。在另外的實施方式中，可以在從X方向、Y方向及其組合中選擇的至 少一個方向上將壓縮力施加到柔性基板以壓縮基板，從而柔性基板可以發(fā)生形變。壓縮力 可以不僅是外部施加的壓縮力而且可以是柔性基板的恢復(fù)力。恢復(fù)力可以對應(yīng)于施加到柔 性版的拉伸強度。另外，可以使用各種其它方法來使柔性基板發(fā)生形變。在下文中，將參考 圖4(a)至6(c)詳細描述根據(jù)示例性實施方式的涂覆目標對象的方法。圖4(a)至6(c)是示出根據(jù)示例性實施方式的涂覆目標對象的方法的圖。參考圖4(a)和4(b)，首先，制備基板410，在基板410的一個表面上布置有至少一 個目標對象420。圖4 (a)和4(b)分別是平面圖和截面圖。圖4(b)的截面圖是沿著圖4(a) 的平面圖的線IV-IV’截取的。當使用柔性基板作為基板410時，柔性基板可以由于外部力 而發(fā)生形變。在該情況下，可以改變布置在基板410上的至少一個目標對象420的排列結(jié) 構(gòu)。由于基板410和目標對象420分別與以上參考圖I描述的基板110和目標對象120基 本上相同，因此為了簡要起見，將省略其詳細描述。為了清楚起見，在下面將假設(shè)使用半導 體芯片作為目標對象420。然而，涂覆目標對象420的方法不限于特定類型或者特定目標對 象。參考圖5 (a)至5 (c)，在目標對象420和基板410的表面的至少一部分上形成光致 抗蝕劑430。圖5(a)至5(c)是截面圖。參考圖5 (a)，可以使用在半導體工藝中通常使用 的涂覆工藝在目標對象420和基板410的表面的至少一部分上形成光致抗蝕劑430。例如， 圖5 (a)至5 (c)示出了光致抗蝕劑430在目標對象420的表面上形成為均勻的厚度?；蛘?， 可以在目標對象420的表面上形成具有較大的厚度偏差的光致抗蝕劑430。涂覆工藝可以 例如為旋轉(zhuǎn)涂覆工藝或者噴射涂覆工藝。在一個示例性實施方式中，當使用旋轉(zhuǎn)涂覆工藝 作為涂覆工藝時，可以根據(jù)光致抗蝕劑的種類、旋轉(zhuǎn)涂覆時間和旋轉(zhuǎn)涂覆速度來控制在目 標對象420的頂表面上形成的光致抗蝕劑430的厚度。在另外的示例性實施方式中，當使 用噴射涂覆工藝作為涂覆工藝時，可以通過調(diào)整光致抗蝕劑的種類或者噴射單元的位置來 控制布置在目標對象420的頂表面上的光致抗蝕劑430的厚度和厚度偏差。參考圖5(b)， 可以使用其中包含光致抗蝕劑的微流通道440在目標對象420和基板410的表面的至少一 部分上形成光致抗蝕劑430。在該情況下，可以根據(jù)微流通道440的內(nèi)橫向表面和目標對 象420的頂表面之間的距離Gl控制布置在目標對象420的頂表面上的光致抗蝕劑430的 厚度。參考圖5(c)，可以使用其中包含光致抗蝕劑的間隔物490和板480在目標對象420 和基板410的表面的至少一部分上形成光致抗蝕劑430。在該情況下，可以根據(jù)板480的 內(nèi)橫向表面和目標對象420的頂表面之間的距離G2控制布置在目標對象420的頂表面上的光致抗蝕劑430的厚度。圖5(c)示出了平面板作為板480?；蛘?，板480可以是非均勻 板。非均勻板可以例如為包括形成在其內(nèi)橫向表面中的輪槽的板?？梢酝ㄟ^間隔物490確 定板480的內(nèi)橫向表面與目標對象420的頂表面之間的距離G2。圖5 (c)例如示出了間隔 物490與板480分離?；蛘撸g隔物490可以與板480形成為一體。在另外的實施方式中， 當制備了能夠精確地控制目標對象420的頂表面和板480之間的距離的另一單元時，可以 省略間隔物490。板480可以包括入口(未示出)和出口(未示出)。入口對應(yīng)于注入光 致抗蝕劑430所通過的孔，并且出口對應(yīng)于在光致抗蝕劑430的注入期間排出內(nèi)部空氣所 通過的孔。在另外的實施方式中，入口和出口可以被布置在間隔物490或者基板410中或 者可以省略入口和出口。板480的內(nèi)橫向表面和布置為與板480的內(nèi)橫向表面相對的間隔 物490的壁可以進一步包括氧阻聚層(未示出)。接觸氧阻聚層的光致抗蝕劑430沒有被 光(例如UV光)固化。因此，氧阻聚層用作抗粘附層。除了該示例之外，可以使用各種其 它設(shè)備。板480可以是整體或者部分透明的。例如，板480可以是玻璃板或者塑料板。間 隔物490可以是整體或部分透明的。間隔物490可以例如包括玻璃或塑料。由于光致抗蝕劑430和微流通道440的材料和性質(zhì)與在上面參考圖I所描述的基 本上相同，因此為了簡要起見，將省略其詳細描述。參考圖6 (a)至6 (c)，對目標對象420的圖像進行處理以確定用于目標對象420的 涂覆層的光學圖案。例如，可以通過使用在上面參考圖I和2描述的處理器140處理目標 對象420的圖像來獲得光學圖案。在該情況下，可以使用各種方法基于目標對象420的圖 像獲得光學圖案。在一個實施方式中，獲得光學圖案的步驟可以包括獲得目標對象420的 圖像以及將獲得的目標對象420的圖像轉(zhuǎn)換為黑白圖像。圖6(a)示出了其上形成光致抗 蝕劑430的目標對象420和基板410。例如，圖6 (a)示出了圍繞整個基板410和目標對象 420的光致抗蝕劑430。在另外的實施方式中，光致抗蝕劑430可以圍繞目標對象420和基 板410的部分區(qū)域。例如，光致抗蝕劑430可以沒有形成在目標對象420的頂表面上。圖 6 (b)示出了目標對象420的黑白圖像450，并且圖6(c)示出了通過處理目標對象420的圖 像450確定的光學圖案460。光學圖案460可以進一步包括與鍵合線接觸所要求的目標對 象420的頂表面的光學圖案462A和464A。例如，圖6 (c)示出了與鍵合線接觸所要求的光 學圖案462A和464A是具有相同形狀的兩個區(qū)域。在另外的實施方式中，可以以各種其它 數(shù)目或形狀來提供與鍵合線接觸所要求的光學圖案462A和464A。從目標對象420的黑白 圖像450檢測目標對象420的邊緣和角部，并且基于檢測到的邊緣和角部計算目標對象420 的位置和旋轉(zhuǎn)角度?？梢曰谟嬎愕哪繕藢ο?20的位置和旋轉(zhuǎn)角度來獲得用于目標對象 420的涂覆層的光學圖案460。即，可以通過在預(yù)定范圍內(nèi)增加或減少目標對象420的圖像 450來獲得光學圖案460。此外，可以通過將與鍵合線接觸所要求的光學圖案462A和464A 相加來獲得光學圖案460。接下來，將具有確定的光學圖案460的光提供到基板410。在一個實施方式中，將 具有確定的光學圖案460的光提供到基板410的步驟可以包括提供光源并且基于確定的光 學圖案460調(diào)制由光源提供的光?？梢允褂迷谏厦鎱⒖紙DI和2描述的基于圖像處理的曝 光系統(tǒng)130將具有確定的光學圖案460的光提供到基板410。由于能夠從參考圖I和2提 供的描述了解將具有確定的光學圖案460的光提供到基板410的步驟，因此，為了簡要起 見，將省略其詳細描述。
圖7(a)和7(b)是包括使用參考圖4 (a)至6 (c)描述的涂覆目標對象的方法形成 的涂覆層的目標對象的截面圖。參考圖7 (a),使用上述涂覆目標對象的方法在目標對象420和基板410的表面上 形成涂覆層432。與鍵合線接觸所要求的目標對象420的頂表面的部分區(qū)域462和464可 以沒有被涂覆層432覆蓋。在另外的實施方式中，當目標對象420的頂表面不需要接觸鍵 合線時，與鍵合線接觸所要求的部分區(qū)域462和464可以替換為涂覆層432。涂覆層432對 應(yīng)于固化的光致抗蝕劑430。可以控制涂覆層432的厚度。在一個實施方式中，如圖5(a) 中所示，當使用旋轉(zhuǎn)涂覆工藝在目標對象420的表面上形成光致抗蝕劑430時，可以根據(jù)光 致抗蝕劑的種類、旋轉(zhuǎn)涂覆時間和旋轉(zhuǎn)涂覆速度來控制涂覆層432的厚度。在另外的實施 方式中，當使用噴射涂覆工藝作為涂覆工藝時，可以通過調(diào)整光致抗蝕劑的種類和噴射單 元的位置來控制布置在目標對象420的頂表面上的涂覆層432的厚度和厚度偏差。在另外 的實施方式中，如圖5(b)中所示，當使用微流通道440在目標對象420的表面上形成光致 抗蝕劑430時，假設(shè)光致抗蝕劑430在固化處理期間既不膨脹也不收縮，則涂覆層432的厚 度H對應(yīng)于微流通道440的內(nèi)橫向表面與目標對象420的頂表面之間的距離G。參考圖7 (b),使用上述涂覆目標對象的方法在基板410和目標對象420的表面上 形成涂覆層432。在一些實施方式中，可以在基板410和目標對象420的表面上進一步形成 額外的涂覆層470。與鍵合線接觸所要求的目標對象420的頂表面的部分區(qū)域462和464 可以沒有被涂覆層432和額外的涂覆層470覆蓋。在另外的實施方式中，當目標對象420 的頂表面不需要接觸鍵合線時，與鍵合線接觸所要求的部分區(qū)域462和464可以替換為涂 覆層432和額外的涂覆層470。可以使用各種材料作為額外的涂覆層470。例如，額外的涂 覆層470可以是導電層。在另外的示例中，額外的涂覆層470可以是絕緣層。例如，圖7 (b)示出了額外的涂覆層470是使用上述涂覆目標對象的方法形成的固 化的光致抗蝕劑。例如，額外的涂覆層470可以包括磷。在該情況下，例如，額外的涂覆層 470可以為磷層。當使用LED芯片作為目標對象420時，包括磷的額外的涂覆層470可以 與包括磷的涂覆層432 —起實施具有各種顏色的光或者具有各種色溫的白光。在另外的示 例中，額外的涂覆層470可以不包括磷。在該情況下，額外的涂覆層470可以例如用作保護 層。保護層可以在目標對象420和涂覆層432之間形成適當?shù)目臻g。當使用LED芯片作為 目標對象420并且使用磷層作為涂覆層432時，該空間可以用于針對由LED芯片產(chǎn)生的高 熱的影響保護涂覆層432。在另外的實施方式中，額外的涂覆層470可以是使用上述涂覆目標對象的方法圖 案化的涂覆層?；蛘撸~外的涂覆層470可以具有各種形狀和功能。例如，額外的涂覆層470 可以是電連接所要求的互連線。在另外的示例中，額外的涂覆層470可以是與鍵合線接觸 所要求的接觸焊盤?？梢栽谛纬赏扛矊又髨?zhí)行涂覆目標對象的方法，并且可以通過使用 利用涂覆目標對象的方法形成的圖案選擇性地蝕刻涂覆層來形成額外的涂覆層470。可以 使用各種方法來執(zhí)行通過選擇性地蝕刻涂覆層形成額外的涂覆層470的處理。由于對于本 領(lǐng)域技術(shù)人員來說，形成額外的涂覆層470的方法是顯而易見的，因此為了簡要起見，將省 略其詳細描述。圖案對應(yīng)于使用涂覆目標對象的方法獲得的固化的光致抗蝕劑。例如，涂 覆層可以是導電層。在另外的實施方式中，涂覆層可以是絕緣層。可以使用各種方法在目 標對象420的表面的至少一部分上形成涂覆層。在另外的情況中，可以使用PVD工藝、CVD工藝或者電鍍工藝在目標對象420的表面的至少部分區(qū)域上形成涂覆層。除了這些示例之 外，可以使用各種其它方法形成涂覆層。圖8是示出根據(jù)另一示例性實施方式的涂覆目標對象的方法的流程圖。參考圖8， 從塊810開始涂覆目標對象的方法。在塊810，制備基板，該基板的一個表面上布置有至少 一個目標對象。在塊820，在目標對象和基板的表面的至少一部分上形成光致抗蝕劑。在 塊830，對目標對象的圖像進行處理以形成用于目標對象的涂覆層的周壁。在一個實施方式 中，形成周壁的步驟可以包括獲得目標對象的圖像并且使用獲得的目標對象的圖像將具有 對應(yīng)于周壁的光學圖案的光提供到基板。在塊840，將樹脂提供到由周壁圍繞的目標對象和 基板的表面的至少部分區(qū)域。在一個實施方式中，樹脂可以包括磷。在另外的實施方式中，可以在形成光致抗蝕劑之前執(zhí)行涂覆目標對象的方法，并 且涂覆目標對象的方法可以進一步包括在目標對象的表面的至少一部分上形成額外的涂 覆層。而且，可以在形成額外的涂覆層之后執(zhí)行涂覆目標對象的方法，并且涂覆目標對象的 方法可以進一步包括選擇性地蝕刻額外的涂覆層以形成圖案。在該情況下，可以使用由于 使用參考塊320和330描述的處理提供的光而形成的涂覆層作為選擇性蝕刻額外的涂覆層 所要求的蝕刻掩模。涂覆層可以是固化的光致抗蝕劑。額外的涂覆層的蝕刻可以是半導體 工藝中通常使用的干法蝕刻或者濕法蝕刻工藝?？梢允褂酶鞣N材料用于額外的涂覆層。例 如，額外的涂覆層可以是導電層。在另外的示例中，額外的涂覆層可以是絕緣層。在另外的實施方式中，可以在制備基板之后執(zhí)行涂覆目標對象的方法，并且涂覆 目標對象的方法可以進一步包括改變目標對象的排列結(jié)構(gòu)。在該情況下，可以使用柔性基 板作為基板?？梢允褂酶鞣N方法來使柔性基板發(fā)生形變。在一個實施方式中，可以通過在 從X方向、Y方向及其組合中選擇的至少一個方向上施加拉力來拉伸柔性基板。在另外的 實施方式中，可以通過在從X方向、Y方向及其組合中選擇的至少一個方向上施加壓縮力來 壓縮柔性基板。壓縮力可以不僅是外部施加的壓縮力，而且可以是柔性基板的恢復(fù)力?；?復(fù)力可以對應(yīng)于施加到柔性基板的拉伸強度。除了這些示例之外，可以使用各種其它方法 來使柔性基板發(fā)生形變。在下面，將參考圖9(a)至13詳細描述根據(jù)示例性實施方式的涂 覆目標對象的方法。圖9(a)至13是示出根據(jù)另一示例性實施方式的涂覆目標對象的方法的圖。參考圖9 (a)和9 (b),首先，制備基板910,在基板910的一個表面上布置有至少一 個目標對象920。圖9 (a)和9(b)分別是平面圖和截面圖。圖9 (b)的截面圖是沿著圖9(a) 的平面圖的線IX-IX’截取的。當使用柔性基板作為基板910時，柔性基板可以由于外部力 而發(fā)生形變。在該情況下，可以改變布置在基板910上的至少一個目標對象920的排列結(jié) 構(gòu)。由于基板910和目標對象920與以上參考圖1描述的基板110和目標對象120基本上 相同，因此為了簡要起見，將省略其詳細描述。參考圖10(a)和10(b)，在目標對象920和基板910的表面的至少一部分上形成 光致抗蝕劑930。圖10(a)和10(b)分別是平面圖和截面圖。圖10(b)的截面圖是沿著圖 10(a)的平面圖的線X-X’截取的。為了清楚起見，現(xiàn)在將使用至少形成在基板910的部分 區(qū)域以及一個目標對象920的表面上的光致抗蝕劑930來描述涂覆目標對象的方法。例如， 圖10(a)示出了目標對象920是半導體芯片，在該半導體芯片的表面上形成有與鍵合線接 觸所要求的接觸焊盤922A、922B、922C和922D。在另外的示例中，當使用不需要與鍵合線@BMM- 920922A.922B,
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J^ SM 940A íR g BMM- 920 fój^ffl;til] nj Uì^MMìtt±-$è7j 'ì￡^Ml&WJ\' WfèM層，并且額外的涂覆層可以具有各種形狀和布置。例如，額外的涂覆層和涂覆層940A中的 每一個可以包括磷層。當使用LED芯片作為目標對象920時，均包括磷層的涂覆層940A和 額外的涂覆層可以實施具有各種顏色的光或者具有各種色溫的白光。在另外的示例中，額 外的涂覆層可以用作保護層。保護層可以在目標對象920和涂覆層940A之間形成適當?shù)?空間。當使用LED芯片作為目標對象920并且使用磷層作為涂覆層940A時，該空間可以用 于針對由LED芯片產(chǎn)生的高熱的影響保護涂覆層940A。圖14是包括使用上面參考圖9(a)至13描述的涂覆目標對象的方法形成的涂覆 層940A的目標對象920的圖。使用上面參考圖9(a)至13描述的涂覆目標對象的方法在 目標對象920的表面上形成涂覆層940A。與鍵合線接觸所要求的目標對象920的頂表面的 接觸焊盤922A、922B、922C和922D可以不被涂覆層940A覆蓋。在另外的實施方式中，當目 標對象920的頂表面不需要接觸鍵合線時，可以在與鍵合線接觸所要求的接觸焊盤922A、 922B、922C和922D上形成涂覆層940A?？梢詫ν扛矊?40A進行熱固化。通過光(例如， UV光)固化的涂覆層可以在側(cè)壁上展示出非均勻的涂覆特性，這是因為由于磷導致發(fā)生光 的散射并且光強度減小。然而，當對涂覆層940A進行熱固化時，可以減小形成在側(cè)壁上的 涂覆層940A的非均勻涂覆特性。在下面，將公開根據(jù)本公開的上述示例性實施方式的使用柔性基板的涂覆芯片的 方法和系統(tǒng)。圖15是示出根據(jù)示例性實施方式的涂覆芯片的方法的流程圖。參考圖15，從塊 1510開始涂覆芯片的方法。在塊1510，制備布置在柔性基板上的多個芯片。芯片具有在基 板上的第一排列結(jié)構(gòu)。例如，可以通過對布置在柔性基板上的半導體晶圓進行切割來獲得 布置在柔性基板上的多個芯片。在該情況下，使用半導體工藝在半導體晶圓上形成多個芯 片。在另外的示例中，可以通過在柔性基板上布置使用諸如半導體工藝的各種方法制造的 芯片來獲得布置在柔性基板上的多個芯片?？梢允褂酶鞣N基板作為柔性基板。柔性基板可 以例如為塑料基板、塑料膜或者柔性PCB。在一個實施方式中，可以在柔性基板的一個表面 上形成粘附材料?？梢詫⒍鄠€芯片粘附到柔性基板的一個表面。在一個實施方式中，可以 在柔性基板的一個表面上形成粘附材料?？梢詫⒍鄠€芯片粘附到柔性基板的一個表面。在 一個實施方式中，可以通過將半導體晶圓粘附到柔性基板的一個表面并且對半導體晶圓進 行切割來獲得粘附到柔性基板的一個表面的多個芯片。在該情況下，可以使用半導體工藝 在半導體晶圓上制造多個芯片。具有其上形成有粘附材料的一個表面的柔性基板可以例如 為切割膜。可以使用各種芯片作為多個芯片。例如，多個芯片可以是微芯片。微芯片可以 是面積小于1mm2的芯片。微芯片可以具有例如10iimX10iimX20iim的尺寸。在另一示例 中，多個芯片中的每一個可以是從由LED芯片、RFID芯片、CMOS芯片及其組合組成的組中選 擇的芯片?？梢允褂冒雽w工藝在半導體晶圓上制造從微芯片、LED芯片、RFID芯片、CMOS 芯片及其組合中選擇的芯片。在塊1520，可以通過使柔性基板發(fā)生形變來改變多個芯片的排列結(jié)構(gòu)。由于柔性 基板的形變，使得多個芯片的排列結(jié)構(gòu)可以從第一排列結(jié)構(gòu)變?yōu)榈诙帕薪Y(jié)構(gòu)?？梢允褂?各種方法來使柔性基板發(fā)生形變。在一個實施方式中，可以通過在從X方向、Y方向及其組 合中選擇的至少一個方向上施加拉力來拉伸柔性基板。在另外的實施方式中，可以通過在 從X方向、Y方向及其組合中選擇的至少一個方向上施加壓縮力來壓縮柔性基板。壓縮力可以不僅是外部施加的力，而且可以是柔性基板的恢復(fù)力。恢復(fù)力可以對應(yīng)于施加到柔性 基板的拉伸強度。除了這些示例之外，可以使用各種其它方法來使柔性基板發(fā)生形變。在塊1530，在多個芯片以及基板的表面的至少一部分上形成光致抗蝕劑。可以使 用各種光致抗蝕劑作為光致抗蝕劑。光致抗蝕劑可以是正性抗蝕劑或者負性抗蝕劑。例 如，光致抗蝕劑可以不包括磷。在該情況下，固化的光致抗蝕劑可以例如為透明層或者成型 層。在另外的示例中，光致抗蝕劑可以包括磷。在該情況下，固化的光致抗蝕劑可以例如為 磷層?？梢允褂酶鞣N磷作為磷。例如，可以從紅磷、綠磷、藍磷、黃磷及其組合中選擇磷。當 使用LED芯片作為多個芯片時，可以通過控制LED芯片的光學波長和光強度以及磷的種類 和濃度來實施具有各種顏色的光或者具有各種色溫的白光。色溫表示基于白色以絕對溫度 Kelvin(K)為單位描述根據(jù)溫度示出的發(fā)射光的顏色改變。在塊1540，將光致抗蝕劑選擇性地暴露于光以在多個芯片的表面上形成第一涂覆 層。第一涂覆層是固化的光致抗蝕劑。在一個實施方式中，第一涂覆層的形成可以包括使 用光掩模將光致抗蝕劑選擇性地暴露于光以形成第一涂覆層。在另外的實施方式中，第一 涂覆層的形成可以包括使用能夠?qū)鈱W圖案進行編程的光刻系統(tǒng)而不使用光掩模來將光 致抗蝕劑選擇性地暴露于光以形成第一涂覆層?？梢允褂酶鞣N方法作為在不使用光掩模的 情況下形成第一涂覆層的方法。在一個實施方式中，在不使用光掩模的情況下形成第一涂 覆層的方法可以包括捕獲涂覆有光致抗蝕劑的多個芯片的圖像；基于捕獲的多個芯片的圖 像確定適合于第一涂覆層的光的形狀；以及將具有確定的形狀的光提供到光致抗蝕劑。在另外的實施方式中，重復(fù)地執(zhí)行塊1530和1540的處理。在該情況下，可以在第 一涂覆層或者多個芯片的表面的至少一部分上進一步形成額外的第一涂覆層。在另外的實 施方式中，可以在涂覆光致抗蝕劑的處理(塊1530)之前執(zhí)行涂覆芯片的方法并且涂覆芯 片的方法可以進一步包括在多個芯片的表面的至少一部分上形成第二涂覆層。在該情況 下，可以在形成第二涂覆層之后執(zhí)行涂覆芯片的方法，并且涂覆芯片的方法可以進一步包 括選擇性地蝕刻第二涂覆層以形成圖案。在該情況下，可以使用利用參考塊1530和1540 描述的處理形成的涂覆層作為選擇性地蝕刻第二涂覆層所要求的蝕刻掩模。第二涂覆層的 蝕刻可以是半導體處理中通常使用的干法蝕刻或濕法蝕刻?？梢允褂酶鞣N材料用于第二涂 覆層。例如，第二涂覆層可以是導電層。在另外的示例中，第二涂覆層可以是絕緣層。在下 面將參考圖16(a)至22( 描述根據(jù)示例性實施方式的涂覆芯片的方法。圖16(a)至22( 是示出根據(jù)示例性實施方式的涂覆芯片的方法中的各處理的 圖。參考圖16(￡0和16 03)，首先，制備布置在柔性基板1610上的多個芯片1620。圖 16(a)和16(b)分別是平面圖和截面圖。圖16(b)的截面圖是沿著圖16(a)的平面圖的線 11-11’截取的。由于柔性基板1610與上面參考圖15的塊1510描述的柔性基板基本上相同，因此 為了簡要起見，將省略其詳細描述。在柔性基板1610上布置多個芯片1620。多個芯片1620具有在柔性基板1610上 的第一排列結(jié)構(gòu)。圖16似示出了以水平間隔ル和豎直間隔氏布置在柔性基板化川上的 多個芯片1620。在另外的實施方式中，可以以不同的水平間隔或者不同的豎直間隔來布置 多個芯片1620中的至少兩個。由于多個芯片1620與參考圖15的塊1610描述的多個芯片基本上相同，因此為了簡要起見，將省略其詳細描述。參考圖17(a)和17(b)，使柔性基板1610發(fā)生形變以改變多個芯片1620的排列結(jié) 構(gòu)。圖17(a)示出了拉力被施加到柔性基板1610。圖17(b)示出了其排列結(jié)構(gòu)由于拉力而 改變的多個芯片1620。多個芯片1620的第一排列結(jié)構(gòu)由于柔性基板1610的形變而被轉(zhuǎn)換 為第二排列結(jié)構(gòu)?？梢允褂脜⒖紙D15的塊1520描述的各種方法來使柔性基板1610發(fā)生 形變。由于使柔性基板1610發(fā)生形變的方法與參考圖15的塊1520描述的方法基本上相 同，因此為了簡要起見，將省略其詳細描述。圖17(a)和17(b)示出了由于在X和Y方向上 施加到柔性基板1610的拉力而以水平間隔W2和豎直間隔H2布置的多個芯片1620。在另 外的實施方式中，可以在X和Y方向中的任一個方向上將拉力施加到柔性基板1610。在另 外的實施方式中，可以以不同的水平間隔或豎直間隔布置多個芯片1620中的至少兩個。參考圖18(a)和18(b)，在多個芯片1620和柔性基板1610的表面的至少一部分上 形成光致抗蝕劑1630。圖18(a)和18(b)分別是平面圖和截面圖。圖18(b)的截面圖是沿 著圖18(a)的平面圖的IV-IV’截取的。由于光致抗蝕劑1630與參考圖15的塊1530描述 的光致抗蝕劑基本上相同，因此為了簡要起見，將省略其詳細描述。圖18(a)和18(b)示出 了光致抗蝕劑1630圍繞柔性基板1610和多個芯片1620的所有表面，除了柔性基板1610 和多個芯片1620之間的界面之外。在另外的實施方式中，光致抗蝕劑1630可以形成在柔 性基板1610以及多個芯片1620的表面的部分區(qū)域上?？梢允褂酶鞣N方法在柔性基板1610 和多個芯片1620的表面的至少一部分上形成光致抗蝕劑1630。例如，可以使用旋轉(zhuǎn)涂覆工 藝或者噴射涂覆工藝在柔性基板1610和多個芯片1620的表面的至少一部分上形成光致抗 蝕劑1630。除了這些示例之外，可以使用各種其它方法形成光致抗蝕劑1630。參考圖19(a)和19(b)，選擇性地將光致抗蝕劑1630暴露于光以在多個芯片1620 的表面上形成第一涂覆層1632。圖19(a)和19(b)分別是平面圖和截面圖。圖19(b)的 截面圖是沿著圖19(a)的平面圖的線V-V’截取的。第一涂覆層1632是固化的光致抗蝕劑 1630。與鍵合線接觸所要求的多個芯片1620中的每一個的頂表面的部分區(qū)域1640可以沒 有被第一涂覆層1632覆蓋。例如，圖19 (a)示出了與鍵合線接觸所要求的部分區(qū)域1640 包括具有相同形狀的兩個區(qū)域。在另外的實施方式中，可以以各種其它數(shù)目或形狀提供與 鍵合線接觸所要求的部分區(qū)域1640。圖20 (a)至21 (b)是示出通過參考圖19 (a)和19 (b)描述的選擇性地將光致抗蝕 劑1630暴露于光而在多個芯片1620的表面上形成第一涂覆層1632的處理的圖。圖20 (a)和20 (b)是示出通過使用光掩模1650選擇性地將光致抗蝕劑1630暴露 于光而在多個芯片1620的表面上形成第一涂覆層1632的處理的圖。參考圖20(a)，制備其上形成有光致抗蝕劑1630的柔性基板1610和多個芯片 1620。如以上參考圖18(a)和18(b)所描述的，光致抗蝕劑1630可以形成在柔性基板1610 和多個芯片1620的表面的至少一部分上。可以使用光掩模1650將光致抗蝕劑1630選擇 性地暴露于光?？梢允褂酶鞣N光作為光。光可以例如為UV光。參考圖20 (b)，對通過光掩模1650選擇性地暴露于光的光致抗蝕劑1630進行顯影 以在多個芯片1620的表面上形成第一涂覆層1632。第一涂覆層1632可以經(jīng)受烘焙工藝 以實現(xiàn)穩(wěn)定。第一涂覆層1632可以對應(yīng)于固化的光致抗蝕劑1630。與鍵合線接觸所要求 的多個芯片1620中的每一個的頂表面的部分區(qū)域1640可以沒有被第一涂覆層1632覆蓋。在另外的實施方式中，當多個芯片1620中的每一個的頂表面不需要與鍵合線接觸時，與鍵 合線接觸所要求的部分區(qū)域1640可以替換為第一涂覆層1632。往回參考圖20(a)和20 (b)，例如，使用正性抗蝕劑作為光致抗蝕劑1630。在另外 的實施方式中，可以使用負性抗蝕劑作為光致抗蝕劑1630。在該情況下,光掩模1650的掩 模圖案可以與圖20(a)中所示的相反。圖21 (a)和21 (b)是示出通過使用能夠?qū)鈱W圖案編程的光刻系統(tǒng)而不使用光掩 模來將光致抗蝕劑1630選擇性地暴露于光，從而在多個芯片1620的表面上形成第一涂覆 層1632的處理的圖。參考圖21(a)，制備其上形成有光致抗蝕劑1630的多個芯片1620和柔性基板 1610。如以上參考圖18(a)和18(b)所描述的，可以在柔性基板1610和多個芯片1620的 表面的至少一部分上形成光致抗蝕劑1630。使用光刻系統(tǒng)將光致抗蝕劑1630選擇性地暴
露于光。光刻系統(tǒng)可以包括相機1660、處理器1670和光投射設(shè)備1680。在另外的實施方 式中，光刻系統(tǒng)可以可選地進一步包括分束器1690、縮小透鏡1692和照明器1694。相機1660捕獲布置在柔性基板1610上的多個芯片1620的圖像。相機1660將對 應(yīng)于捕獲的圖像的電信號提供到處理器1670。例如，相機1660可以包括成像透鏡1662和 圖像傳感器1664。成像透鏡1662接收來自分束器1690的光，將光發(fā)送到圖像傳感器1664， 并且用于使能圖像傳感器1664上的圖像的形成。圖像傳感器1664用于產(chǎn)生對應(yīng)于入射光 的電信號。處理器1670基于由相機1660捕獲的圖像確定適合于形成第一涂覆層1632的光 的形狀。處理器1670可以例如為個人計算機(PC)或筆記本。光投射設(shè)備1680可以將具有確定的形狀的光提供到柔性基板1610。光投射設(shè)備 1680例如可以包括光源1682和空間光調(diào)制器1684。光源1682可以例如為UV光源或者可 見光源。例如，光源1682可以包括UV光源準直器1686和UV濾波器1688。UV光源準直器 1686用于輸出準直的UV光。UV光源準直器1686可以例如包括200WUV燈(未示出)和基 于光纖的光導系統(tǒng)(未示出)。UV濾波器1688用于選擇性地使來自UV光源準直器1686 的UV光到達空間光調(diào)制器1684。空間光調(diào)制器1684用于響應(yīng)于由處理器1670提供的信 號調(diào)制由光源1682發(fā)射的光?？臻g光調(diào)制器1684可以例如為制造為二維陣列的數(shù)字微鏡 陣列，如圖21(a)中所示。或者，空間光調(diào)制器1684可以被制造為一維陣列或者使用除了 微鏡技術(shù)之外的技術(shù)(例如，IXD技術(shù))來制造?？梢詫臻g光調(diào)制器1684的光調(diào)制操作 進行編程。即，空間光調(diào)制器1684可以可選地在想要的時間將入射在空間光調(diào)制器1684 的想要的像素上的光發(fā)送到柔性基板1610?？s小透鏡1692用于縮小由曝光系統(tǒng)1680提供的光并且將縮小的光提供到柔性基 板1610?？梢允褂镁哂?X、4X、10X、20X、40X和60x的各種倍率的顯微物鏡作為縮小透鏡 1692。例如，可以使用10x的顯微物鏡作為縮小透鏡1692來將光投射設(shè)備1680的圖像以 大約5的縮小倍率投射在最終的物面上。分束器1690用于將由光投射設(shè)備1680提供的調(diào)制光通過縮小透鏡1692發(fā)送到 柔性基板1610。而且，分束器1690用于將從柔性基板1610通過縮小透鏡1692發(fā)送的圖像 發(fā)送到相機1660。例如，分束器1690可以是半反射鏡，如圖21(a)中所示。
照明器1694用于提供照明，從而相機1660能夠獲得柔性基板1610的圖像。由于 在固化的光致抗蝕劑(或者第一涂覆層1632)和未固化的光致抗蝕劑(或者光致抗蝕劑 1630)之間僅在折射率方面存在著小的差異，因此優(yōu)選地使用離軸照明來示出固化的光致 抗蝕劑1632。參考圖21 (b)，對通過光刻系統(tǒng)選擇性地暴露于光的光致抗蝕劑1630進行顯影以 在多個芯片1630的表面上形成第一涂覆層1632。第一涂覆層1632可以經(jīng)受烘焙工藝以實 現(xiàn)穩(wěn)定。第一涂覆層1632可以對應(yīng)于固化的光致抗蝕劑1630。與鍵合線接觸所要求的多 個芯片1620中的每一個的頂表面的部分區(qū)域1640可以沒有被第一涂覆層1632覆蓋。在 另外的實施方式中，當多個芯片1620中的每一個的頂表面不需要接觸鍵合線時，與鍵合線 接觸所要求的部分區(qū)域1640可以被替換為第一涂覆層1632。往回參考圖21 (a)和21 (b)，例如使用正性抗蝕劑作為光致抗蝕劑1630。在另外 的實施方式中，可以使用負性抗蝕劑作為光致抗蝕劑1630。在該情況下，由光刻系統(tǒng)提供的 光學掩模圖案可以與圖21 (a)中所示的圖案相反。圖22(a)和22(b)是示出參考圖21(a)和21(b)描述的處理器1670的操作的圖。 圖22(a)是被提供到處理器1670的捕獲的多個芯片1620的圖像，并且圖22(b)是由處理 器1670確定的適合于第一涂覆層1632的光的形狀的圖。參考圖22(a)和22(b),處理器 1670可以使用通過在預(yù)定范圍內(nèi)擴展對應(yīng)于多個芯片1620中的每一個的區(qū)域1620A獲得 的形狀1632A作為適合于第一涂覆層1632的光的形狀。圖23 (a)和23(b)是包括使用在上面參考圖15(a)至22(b)描述的涂覆芯片的方 法形成的涂覆層的多個芯片的截面圖。圖23(a)示出了具有其上使用上述方法形成第一涂覆層1632的表面的多個芯片 1620。與鍵合線接觸所要求的多個芯片1620中的每一個的頂表面的部分區(qū)域1640可以沒 有被第一涂覆層1632覆蓋。第一涂覆層1632對應(yīng)于固化的光致抗蝕劑。例如，第一涂覆 層1632可以不包括磷。在該情況下，第一涂覆層1632可以例如為磷層。當使用LED芯片 作為多個芯片時，可以通過控制LED芯片的光學波長和光強度和磷的種類和濃度來實施具 有各種顏色的光或者具有各種色溫的白光。圖23(b)示出了具有其上使用上述涂覆芯片的方法形成有第一涂覆層1632和第 二涂覆層1634的表面的多個芯片1620。與鍵合線接觸所要求的多個芯片1620中的每一個 的頂表面的部分區(qū)域1640可以沒有被第一和第二涂覆層1632和1634覆蓋。例如，第二涂 覆層1634可以是導電層。在另外的示例中，第二涂覆層1634可以是絕緣層。圖23(b)例如示出了第二涂覆層1634是使用上述涂覆芯片的方法形成的固化的 光致抗蝕劑。例如，第二涂覆層1634可以包括磷。在該情況下，第二涂覆層1634可以例如 為磷層。當使用LED芯片作為多個芯片1620時，包括磷的第二涂覆層1634可以與包括磷 的第一涂覆層1632 —起實施具有各種顏色的光或者具有各種色溫的白光。在另外的示例 中，第二涂覆層1634可以不包括磷。在該情況下，第二涂覆層1634可以例如用作保護層。 保護層可以在多個芯片1620和第二涂覆層1634之間形成適當?shù)目臻g。當使用LED芯片作 為多個芯片1620并且使用磷層作為第一涂覆層1632時，該空間可以用于針對由LED芯片 產(chǎn)生的高熱的影響保護第二涂覆層1634。在另外的實施方式中，第二涂覆層1634可以是使用上述涂覆芯片的方法圖案化的涂覆層。或者，第二涂覆層1634可以具有各種形狀或者功能。例如，第二涂覆層1634可 以是電連接所要求的互連線。在另外的示例中，第二涂覆層1634可以是與鍵合線接觸所要 求的接觸焊盤。除了這些示例之外，第二涂覆層1634可以具有各種其它形狀或者功能?？?以在形成涂覆層之后執(zhí)行涂覆芯片的方法，并且可以通過使用利用涂覆芯片的方法形成的 圖案選擇性地蝕刻涂覆層來形成第二涂覆層1634?？梢允褂酶鞣N方法來執(zhí)行通過選擇性 地蝕刻涂覆層形成第二涂覆層1634的步驟。由于對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，形成第二涂覆 層1634的方法是顯而易見的，因此為了簡要起見，將省略其詳細描述。圖案對應(yīng)于使用涂 覆芯片的方法獲得的固化的光致抗蝕劑。例如，涂覆層可以是導電層。在另外的實施方式 中，涂覆層可以是絕緣層?？梢允褂酶鞣N方法在多個芯片1620中的每一個的表面的至少一 部分上形成涂覆層。例如，可以使用旋轉(zhuǎn)涂覆工藝、噴射涂覆工藝或者印刷工藝在多個芯片 1620中的每一個的表面的至少部分區(qū)域上形成涂覆層。在另外的情況下，可以使用PVDI 藝、00)工藝或者電鍍工藝在多個芯片1620中的每一個的表面的至少部分區(qū)域上形成涂覆 層。除了這些示例之外，可以使用各種其它方法形成涂覆層。往回參考圖16(a)至23化)，可以使柔性基板1610發(fā)生形變來改變布置在柔性基 板1610上的多個芯片1620的排列結(jié)構(gòu)?？梢杂捎谑┘拥饺嵝曰?610的拉力而發(fā)生該 形變。由于拉力，可以增加布置在柔性基板1610上的多個芯片1620之間的間隔。結(jié)果，可 以確保用于涂覆布置在柔性基板1610上的多個芯片1620的充分的空間。在一個實施方 式中，可以通過對布置在柔性基板1610上的半導體晶圓進行切割來獲得布置在柔性基板 1610上的多個芯片1620。在該情況下，多個芯片1620之間的間隔可能太小而不能在多個 芯片1620的表面上形成涂覆層。根據(jù)本公開的方法，當多個芯片1620之間的間隔太小而 不能形成涂覆層時，不需要以充分的間隔來重新分布多個芯片1620。通過將拉力施加到柔 性基板1610，可以將多個芯片1620之間的間隔控制到足以形成涂覆層的值。因此，可以省 略使用拾放技術(shù)重新分布多個芯片1620以確保用于涂覆層的空間的處理。結(jié)果，可以實現(xiàn) 高性價比的封裝工藝。此外，由于柔性基板1610可以很容易彎曲，因此可以容易地在具有 各種表面起伏圖案或者臺階差的扣封裝或者電路基板中組裝多個芯片1620。圖對是根據(jù)示例性實施方式的芯片涂覆系統(tǒng)的圖。參考圖對，芯片涂覆系統(tǒng)包括 柔性基板2010、多個芯片2020、固定件2030、第一涂覆器2040和光刻系統(tǒng)2050。在另外的 實施方式中，芯片涂覆系統(tǒng)可以可選地進一步包括第二涂覆器2060。具有第一排列結(jié)構(gòu)的多個芯片2020可以被布置在柔性基板2010的一個表面上。 由于柔性基板2010和多個芯片2020與上面參考圖15至23 (b)描述的柔性基板1610和多 個芯片1620基本上相同，因此為了簡要起見，將省略其詳細描述。固定件2030可以連接到柔性基板2010并且使柔性基板2010發(fā)生形變以將多個 芯片2020的第一排列結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換為第二排列結(jié)構(gòu)。在一個實施方式中，固定件2030可以在 從父方向、￥方向及其組合中的選擇的至少一個方向上拉伸或者壓縮柔性基板2010以將第 一排列結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換為第二排列結(jié)構(gòu)。圖M示出了拉力F1和F2分別在X和￥方向上施加到柔 性基板2010以將第一排列結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換為第二排列結(jié)構(gòu)。在其它實施方式中，可以在乂和￥方 向中的任一方向上將拉力施加到柔性基板2010。除了這些示例之外，可以使用各種其它方 法使柔性基板2010發(fā)生形變?？梢允褂酶鞣N設(shè)備作為固定件2030。固定件2030可以例如 為拉伸設(shè)備或者壓縮設(shè)備。固定件2030可以進一步包括控制器(未示出)，該控制器被構(gòu)造為檢測多個芯片2020的排列結(jié)構(gòu)并且控制柔性基板2010的形變的程度。例如，控制器 可以進一步包括被構(gòu)造為檢測多個芯片2020的排列結(jié)構(gòu)的傳感器以及被構(gòu)造為將傳感器 的信號反饋回去并且確定柔性基板2010的形變的程度的處理器。第一涂覆器2040可以在柔性基板2010和多個芯片2020的表面的至少一部分上 形成光致抗蝕劑(未示出)?？梢允褂酶鞣N設(shè)備作為第一涂覆器2040。第一涂覆器2040 可以例如為旋轉(zhuǎn)涂覆器或者噴射涂覆器。除了這些示例之外，可以使用各種其它設(shè)備作為 第一涂覆器2040。由于光致抗蝕劑與參考圖15至23(b)描述的光致抗蝕劑1630基本上相 同，因此為了簡要起見，將省略其詳細描述。光刻系統(tǒng)2050可以地將光致抗蝕劑選擇性暴露于光以在多個芯片2020的表面上 形成涂覆層(未示出)。涂覆層是固化的光致抗蝕劑。例如，光刻系統(tǒng)2050可以是使用光 掩模的光刻系統(tǒng)或者無掩模的光刻系統(tǒng)。由于使用光掩模的光刻系統(tǒng)2050是半導體工藝 中通常使用的設(shè)備并且對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的，因此為了簡要起見，將省 略其詳細描述。由于無掩模的光刻系統(tǒng)1050與參考圖7 (a)和7 (b)描述的光刻系統(tǒng)基本 上相同，因此為了簡要起見，將省略其詳細描述。第二涂覆器2060可以在柔性基板2010和多個芯片2020的表面的至少一部分上 形成導電層或者絕緣層?？梢允褂酶鞣N設(shè)備作為第二涂覆器2060。第二涂覆器2060可以 例如為旋轉(zhuǎn)涂覆器、噴射涂覆器、PVD設(shè)備、CVD設(shè)備或者電鍍設(shè)備。除了這些示例之外，可 以使用各種其它設(shè)備作為第二涂覆器2060。在另外的實施方式中，當僅使用光致抗蝕劑時， 可以省略第二涂覆器2060。雖然已經(jīng)參考本發(fā)明的特定示例性實施方式示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技 術(shù)人員將理解的是，在不偏離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下能夠?qū)Ψ?面進行形式和細節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種光刻系統(tǒng)，所述光刻系統(tǒng)包括 至少一個目標對象，所述至少一個目標對象布置在基板上； 處理器，所述處理器被構(gòu)造為對所述目標對象的圖像進行處理并且確定用于所述目標對象的涂覆層的光學圖案；以及 曝光設(shè)備，所述曝光設(shè)備被構(gòu)造為將由所述處理器確定的所述光學圖案提供到所述基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)進一步包括第一涂覆設(shè)備，所述第一涂覆設(shè)備被構(gòu)造為將光致抗蝕劑提供到所述基板和所述目標對象的表面的至少一部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中，所述光致抗蝕劑包含磷。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)進一步包括第二涂覆設(shè)備，所述第二涂覆設(shè)備被構(gòu)造為能夠在所述基板和所述目標對象的所述表面的所述至少一部分上形成導電層或絕緣層。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的系統(tǒng)，其中，所述目標對象包括單胞、半導體芯片、發(fā)光二極管(LED)芯片、射頻識別(RFID)芯片或者互補金屬氧化物半導體(CMOS)芯片。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的系統(tǒng)，其中，所述涂覆層包括三維結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的系統(tǒng)，其中，所述曝光設(shè)備包括 光源；以及 空間光調(diào)制器，所述空間光調(diào)制器被構(gòu)造為響應(yīng)于由所述處理器提供的信號調(diào)制由所述光源提供的光。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中，所述空間光調(diào)制器包括數(shù)字微鏡陣列。
9.一種涂覆目標對象的方法，所述方法包括 制備基板，所述基板的一個表面上布置有至少一個目標對象； 通過處理所述目標對象的圖像確定用于所述目標對象的涂覆層的光學圖案；以及 將具有確定的光學圖案的光提供到所述基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，所述方法進一步包括在所述基板和所述目標對象的表面的至少一部分上形成光致抗蝕劑， 其中，通過具有所述確定的光學圖案的光選擇性地固化所述光致抗蝕劑。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述光致抗蝕劑包含磷。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，所述方法進一步包括在形成所述光致抗蝕劑之前在所述目標對象的表面的至少一部分上形成額外的涂覆層。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成所述光致抗蝕劑的步驟包括使用其中包含所述光致抗蝕劑的微流通道在所述基板和所述目標對象的所述表面的所述至少一部分上形成光致抗蝕劑。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，在形成所述光致抗蝕劑期間，根據(jù)所述微流通道的內(nèi)橫向表面與所述目標對象的所述頂表面之間的距離來控制布置在所述目標對象的頂表面上的固化的光致抗蝕劑的厚度。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，確定所述光學圖案的步驟包括 獲得所述目標對象的圖像；以及 將獲得的所述目標對象的圖像轉(zhuǎn)換為黑白圖像。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，將具有確定的光學圖案的光提供到所述基板的步驟包括 提供光源；以及 根據(jù)所述確定的光學圖案調(diào)制由所述光源提供的光。
17.一種涂覆目標對象的方法，所述方法包括 制備基板，所述基板的一個表面上布置有至少一個目標對象； 在所述基板和所述目標對象的表面的至少一部分上形成光致抗蝕劑； 通過處理所述目標對象的圖像形成用于所述目標對象的涂覆層的周壁；以及 將樹脂提供到由所述周壁圍繞的所述基板和所述目標對象的表面的至少部分區(qū)域。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述樹脂包含磷。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，形成所述周壁的步驟包括 獲得所述目標對象的圖像；以及 使用獲得的所述目標對象的圖像將具有對應(yīng)于所述周壁的光學圖案的光提供到所述基板。
20.根據(jù)權(quán)利要求9至19中的任一項所述的方法，所述方法進一步包括在制備所述基板之后改變所述目標對象的排列結(jié)構(gòu)。
21.一種涂覆芯片的方法，所述方法包括 制備布置在柔性基板上的多個芯片，所述多個芯片具有在所述基板上的第一排列結(jié)構(gòu)； 通過使所述柔性基板發(fā)生形變來將所述第一排列結(jié)構(gòu)變?yōu)榈诙帕薪Y(jié)構(gòu)； 在所述基板和所述多個芯片的表面的至少一部分上形成光致抗蝕劑；以及 通過將所述光致抗蝕劑選擇性地暴露于光在所述多個芯片的所述表面上形成第一涂覆層， 其中，所述第一涂覆層是固化的光致抗蝕劑。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，在所述柔性基板的一個表面上形成粘附材料。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，制備多個芯片的步驟包括通過對布置在所述柔性基板上的半導體晶圓進行切割來制備所述多個芯片， 其中，使用半導體工藝制造所述多個芯片并且所述多個芯片形成在所述半導體晶圓上。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，將所述第一排列結(jié)構(gòu)變?yōu)樗龅诙帕薪Y(jié)構(gòu)的步驟包括通過在從X方向、Y方向及它們的組合中選擇的至少一個方向上拉伸或者壓縮所述柔性基板來將所述第一排列結(jié)構(gòu)變?yōu)樗龅诙帕薪Y(jié)構(gòu)。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，所述方法進一步包括在形成所述光致抗蝕劑之前在所述多個芯片的表面的至少一部分上形成第二涂覆層。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，所述方法進一步包括在形成所述第二涂覆層之后，通過選擇性地蝕刻所述第二涂覆層來形成圖案。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中，所述第二涂覆層包括導電層。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中，所述第二涂覆層包括絕緣層。
29.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，形成所述第一涂覆層的步驟包括使用光掩模將所述光致抗蝕劑選擇性地暴露于光。
30.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，形成所述第一涂覆層的步驟包括使用能夠?qū)鈱W圖案進行編程的光刻系統(tǒng)而不使用光掩模來將所述光致抗蝕劑選擇性地暴露于光。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中，形成所述第一涂覆層的步驟包括 捕獲涂覆有所述光致抗蝕劑的所述多個芯片的圖像； 基于捕獲的所述多個芯片的圖像確定適合于所述第一涂覆層的光的形狀；以及 將具有確定的形狀的光提供到所述光致抗蝕劑。
32.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述多個芯片中的每一個是微芯片。
33.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述多個芯片中的每一個是從LED芯片、RFID芯片、CMOS芯片及它們的組合中選擇的。
34.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述光致抗蝕劑包括磷。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中，所述磷是從由紅磷、綠磷、藍磷、黃磷及它們的組合組成的組中選擇的。
36.一種芯片涂覆系統(tǒng)，所述芯片涂覆系統(tǒng)包括 柔性基板，所述柔性基板的一個表面上布置有具有第一排列結(jié)構(gòu)的多個芯片； 固定件，所述固定件連接到所述柔性基板并且被構(gòu)造為使所述柔性基板發(fā)生形變以將所述第一排列結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換為第二排列結(jié)構(gòu)； 第一涂覆器，所述第一涂覆器被構(gòu)造為能夠在所述基板和所述多個芯片的表面的至少一部分上形成光致抗蝕劑；以及 光刻系統(tǒng)，所述光刻系統(tǒng)被構(gòu)造為能夠通過將所述光致抗蝕劑選擇性地暴露于光來在所述多個芯片的所述表面上形成涂覆層， 其中，所述涂覆層是固化的光致抗蝕劑。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的系統(tǒng)，其中，所述多個芯片中的每一個包括LED。
38.根據(jù)權(quán)利要求36所述的系統(tǒng)，其中，所述光致抗蝕劑包括磷。
39.根據(jù)權(quán)利要求36所述的系統(tǒng)，其中，所述柔性基板的所述一個表面具有粘附性質(zhì)，通過對粘附到所述柔性基板的所述一個表面的半導體晶圓進行切割來獲得所述多個芯片，并且使用半導體工藝制造的所述多個芯片被布置在所述半導體晶圓上。
40.根據(jù)權(quán)利要求36所述的系統(tǒng)，其中，所述固定件在從X方向、Y方向及它們的組合中選擇的至少一個方向上擴展或壓縮所述柔性基板以將所述第一排列結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換為所述第二排列結(jié)構(gòu)。
41.根據(jù)權(quán)利要求36所述的系統(tǒng)，其中，所述光刻系統(tǒng)包括 相機，所述相機被構(gòu)造為捕獲所述多個芯片的圖像； 處理器，所述處理器被構(gòu)造為基于由所述相機捕獲的所述圖像確定適合于在所述多個芯片的所述表面上形成所述涂覆層的光的形狀，其中所述涂覆層是固化的光致抗蝕劑；以及 光投射設(shè)備，所述光投射設(shè)備被構(gòu)造為將具有確定的形狀的光提供到所述光致抗蝕劑。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的系統(tǒng)，其中，所述光投射設(shè)備包括 光源；以及空間光調(diào)制器，所述空間光調(diào)制器被構(gòu)造為響應(yīng)于由所述處理器提供的信號調(diào)制由所述光源提供的光。
43.根據(jù)權(quán)利要求36所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)進一步包括第二涂覆器，所述第二涂覆器被構(gòu)造為能夠在所述基板和所述多個芯片的所述表面的所述至少一部分上形成導電層或者絕緣層。
全文摘要
公開了一種用于光刻系統(tǒng)的技術(shù)。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，光刻系統(tǒng)包括布置在基板上的至少一個目標對象；通過對至少一個目標對象執(zhí)行圖像處理來確定用于至少一個目標對象的涂覆層的光學圖案的處理器；以及將具有由處理器確定的光學圖案的光提供到基板的曝光裝置。
文檔編號H01L21/027GK102668024SQ201080043931
公開日2012年9月12日 申請日期2010年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月30日
發(fā)明者勸圣勛, 張志誠, 李昇娥, 鄭收恩, 韓相權(quán) 申請人:首爾大學校 產(chǎn)學協(xié)力團