專利名稱：光電子半導(dǎo)體芯片和用于匹配用于電接觸光電子半導(dǎo)體芯片的接觸結(jié)構(gòu)的方法
光電子半導(dǎo)體芯片和用于匹配用于電接觸光電子半導(dǎo)體芯
片的接觸結(jié)構(gòu)的方法本申請要求德國專利申請10 2009 047 889. 2的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過引用結(jié)
合于此。本發(fā)明涉及一種具有半導(dǎo)體功能區(qū)域和用于電接觸光電子半導(dǎo)體芯片的接觸結(jié)構(gòu)以及匹配用于電接觸光電子半導(dǎo)體芯片的接觸結(jié)構(gòu)的方法。從Si技術(shù)中已知所謂的“熔絲”。熔絲是印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，其如保險絲一樣通過有針對性地提高電流通量來燒斷，也就是說，轉(zhuǎn)換為絕緣狀態(tài)。該有針對性的燒斷還稱作“編程”。由此可以事后單獨地改變接線。這種熔絲例如用于，當例如出現(xiàn)的電流通量超過預(yù)設(shè)值時，使得電路布置或其區(qū)域失效。熔絲通常是到晶體管的印制導(dǎo)線，所述晶體管能夠在其功能方面借助于可編程的熔絲來匹配。從GB 2381381和DE 10 2004 025 684中已知改變具有多個半導(dǎo)體功能區(qū)域的光電子半導(dǎo)體芯片的接觸結(jié)構(gòu)的方案。該接觸結(jié)構(gòu)能夠與有缺陷的半導(dǎo)體功能區(qū)域中離，使得該半導(dǎo)體功能區(qū)域永久失效。由此，在單個半導(dǎo)體功能區(qū)域有缺陷時仍實現(xiàn)光電子芯片的功能性。希望的是，實現(xiàn)將用于光電子半導(dǎo)體芯片的接觸結(jié)構(gòu)匹配于預(yù)設(shè)的工作參數(shù)，如例如預(yù)設(shè)的供給電壓。該目的通過具有權(quán)利要求1的特征的光電子半導(dǎo)體芯片以及具有并列的方法權(quán)利要求的特征的方法來實現(xiàn)。光電子半導(dǎo)體芯片包括具有第一端子和第二端子的第一半導(dǎo)體功能區(qū)域以及導(dǎo)電地與第一半導(dǎo)體功能區(qū)域連接的、用于電接觸光電子半導(dǎo)體芯片的接觸結(jié)構(gòu)。接觸結(jié)構(gòu)具有可分開的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中在沒有分開的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中通過第一半導(dǎo)體功能區(qū)域的第一端子和第二端子確定工作電流路徑，所述工作電流路徑在分開的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中中斷。替選地，在分開的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中通過第一半導(dǎo)體功能區(qū)域的第一端子和第二端子確定工作電流路徑，其中在沒有分開的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中導(dǎo)體結(jié)構(gòu)將第一端子與第二端子連接并且將第一半導(dǎo)體功能區(qū)域短路。當導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在沒分開的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中將第一端子與第二端子連接時，第一半導(dǎo)體功能區(qū)域短路，或者失效。“短路”理解為，在將供給電壓施加到半導(dǎo)體芯片上時，在半導(dǎo)體功能區(qū)域上也沒有施電勢差，或者僅有近乎消失的電勢差。半導(dǎo)體功能區(qū)域不能工作。通過導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的分開，將短路的第一半導(dǎo)體功能區(qū)域轉(zhuǎn)移到其能工作的狀態(tài)中。 短路被解除。有利的是，在將供給電壓施加到半導(dǎo)體芯片上時，在半導(dǎo)體功能區(qū)域上降落足夠的電壓，以便驅(qū)動半導(dǎo)體芯片，使得例如發(fā)射電磁輻射。半導(dǎo)體功能區(qū)域能夠是在器件之內(nèi)的模塊化部件。然而有利的是，半導(dǎo)體芯片包括作為集成電路的一部分的半導(dǎo)體功能區(qū)域，如其能夠在晶圓復(fù)合物中來制造。晶圓復(fù)合物包括設(shè)置用于構(gòu)成半導(dǎo)體功能區(qū)域的至少一部分的、設(shè)置在支承體層上的半導(dǎo)體層序列，此后，結(jié)構(gòu)化半導(dǎo)體層序列，使得形成多個半導(dǎo)體功能區(qū)域。半導(dǎo)體功能區(qū)域能夠具有一個或多個產(chǎn)生輻射的部分區(qū)或者單元。這些部分區(qū)或者單元能夠例如串聯(lián)連接。還能夠考慮并聯(lián)電路或者串聯(lián)電路和并聯(lián)電路的組合。接觸結(jié)構(gòu)提供到半導(dǎo)體功能區(qū)域的導(dǎo)電連接，并且，如果該半導(dǎo)體功能區(qū)域能工作，則該接觸結(jié)構(gòu)將對于驅(qū)動半導(dǎo)體功能區(qū)域所需的電壓施加到該半導(dǎo)體功能區(qū)域上。在半導(dǎo)體功能區(qū)域的端子上可以施加電勢。通過經(jīng)過半導(dǎo)體功能區(qū)域的端子施加工作電壓， 該半導(dǎo)體功能區(qū)域能夠工作。端子能夠是半導(dǎo)體功能區(qū)域的如下區(qū)域，接觸結(jié)構(gòu)以到所述區(qū)域上的方式引向半導(dǎo)體功能區(qū)域上。第一半導(dǎo)體功能區(qū)域能夠通過并連接通的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)短路、即跨接。短路能夠通過分開導(dǎo)體結(jié)構(gòu)來解除?！胺珠_”包括在導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之內(nèi)構(gòu)成絕緣間隙，使得將導(dǎo)電連接轉(zhuǎn)入絕緣狀態(tài)中。導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括可分開的區(qū)域，所述可分開的區(qū)域例如在其造型方面與剩余的接觸結(jié)構(gòu)不同，以便簡化這些區(qū)域的識別并且避免不希望的分開，以使所需要的接觸結(jié)構(gòu)工作。 導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的可分開的區(qū)域的設(shè)置還能夠示為熔絲技術(shù)類型，其匹配并且應(yīng)用于分段的多像素LED。可分開的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能夠處在分開的狀態(tài)中或者處在沒有分開的狀態(tài)中。有利的是， 所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)僅能一次性地從沒有分開的狀態(tài)轉(zhuǎn)入分開的狀態(tài)，這是不可逆的。通過由于將導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分開而改變接觸結(jié)構(gòu)的方式，這種光電子半導(dǎo)體芯片例如匹配于預(yù)設(shè)的供給電壓。有利的是，半導(dǎo)體功能區(qū)域包括設(shè)置用于輻射產(chǎn)生或者用于輻射接收的有源區(qū)。 發(fā)射尤其是可見的、紫外的和/或紅外的光的電磁輻射的這種半導(dǎo)體功能區(qū)域設(shè)置在LED 芯片中。在LED芯片中，發(fā)射的半導(dǎo)體功能區(qū)域還表示為像素。LED芯片能夠包括多個像
ο可接通的像素能夠連接在具有多個像素的布置的下游。這種布置例如能夠在芯片層面上通過多個LED半導(dǎo)體功能區(qū)域的像素化產(chǎn)生。所述多個半導(dǎo)體功能區(qū)域的像素能夠串聯(lián)連接。這種布置還表示為高壓LED。在實施例中，導(dǎo)體結(jié)構(gòu)并聯(lián)于第一半導(dǎo)體功能區(qū)域。當沒有分開導(dǎo)體結(jié)構(gòu)時，該半導(dǎo)體功能區(qū)域短路。當分開導(dǎo)體結(jié)構(gòu)時，解除短路并且第一半導(dǎo)體功能區(qū)域能工作。在擴展方案中，設(shè)置具有第三和第四端子的第二半導(dǎo)體功能區(qū)域。接觸結(jié)構(gòu)的連接區(qū)域?qū)⒌诙偷谌俗舆B接。導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括能夠分開或者分開地構(gòu)成的、在第一端子和連接區(qū)域之間走向的第一支路，和包括能夠分開或者分開地構(gòu)成的、在連接區(qū)域和第四端子之間走向的第二支路。走向到第二或者第三端子的支路還包括通向連接區(qū)域的支路，于是該連接區(qū)域與該端子連接。未分開的支路是導(dǎo)電的連接，例如在端子和/或接觸結(jié)構(gòu)的區(qū)域之間。支路能夠包括接觸結(jié)構(gòu)或者導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的多個導(dǎo)電的、彼此連接的區(qū)域。分開的支路具有其中絕緣結(jié)構(gòu)阻止在端子和/或接觸結(jié)構(gòu)的區(qū)域之間的導(dǎo)電性的區(qū)域。在上面描述的擴展方案中，不只一個半導(dǎo)體功能區(qū)域能夠通過支路的分開來接通，即置入到能工作的狀態(tài)中，而是接通兩個半導(dǎo)體功能區(qū)域，這提高了芯片的匹配能力。 上面描述的布置能夠級聯(lián)，使得能夠接通多于兩個半導(dǎo)體功能區(qū)域。在擴展方案中，第一和第二支路具有可分離地或者分離地構(gòu)成的共同的區(qū)域。該冠形的結(jié)構(gòu)簡化了設(shè)計。在擴展方案中，設(shè)置具有第三和第四端子的第二半導(dǎo)體功能區(qū)域。導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括可分開或者分開地構(gòu)成的、在第一和第三端子之間走向的第一支路，可分開或者分開地構(gòu)成的、在第二和第四端子之間走向的第二支路以及可分開或者分開地構(gòu)成的、在第二和第三端子之間走向的第三支路。在該布置中，能夠接通單個或者兩個半導(dǎo)體功能區(qū)域。在接通兩個半導(dǎo)體功能區(qū)域時，這兩個半導(dǎo)體功能區(qū)域能夠串聯(lián)或者并聯(lián)接通。當支路沒有分開時，使得兩個半導(dǎo)體功能區(qū)域失效。當僅分開第三支路時，半導(dǎo)體功能區(qū)域并聯(lián)。當僅分開第一和第二支路時，半導(dǎo)體功能區(qū)域串聯(lián)。當僅分開第一或者第二支路時，僅接通半導(dǎo)體功能區(qū)域中的一個。在擴展方案中，除了可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域還設(shè)置串聯(lián)的多個半導(dǎo)體功能區(qū)域，所述半導(dǎo)體功能區(qū)域在導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分開之前能工作?！澳芄ぷ鳌北硎荆趯⒐┙o電壓施加到半導(dǎo)體芯片上時，工作電壓下降，所述工作電壓有利地足夠用于驅(qū)動半導(dǎo)體功能區(qū)域。設(shè)置用于匹配用于電接觸光電子半導(dǎo)體芯片的接觸結(jié)構(gòu)的方法。光電子半導(dǎo)體芯片包具有第一端子和第二端子的第一半導(dǎo)體功能區(qū)域，和導(dǎo)電地與第一半導(dǎo)體功能區(qū)域連接的、用于電接觸光電子半導(dǎo)體芯片的接觸結(jié)構(gòu)，其中接觸結(jié)構(gòu)具有可分開的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。方法包括通過半導(dǎo)體功能區(qū)域的第一端子和第二端子來確定的、待分開的工作電流路徑，使得中斷工作電流路徑。替選地，方法包括分開將第一端子和第二端子連接并且將半導(dǎo)體功能區(qū)域短路的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，使得在分開的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中通過半導(dǎo)體功能區(qū)域的第一端子和第二端子確定工作電流路徑。方法能夠用于半導(dǎo)體芯片，其中還設(shè)置具有第三和第四端子的第二半導(dǎo)體功能區(qū)域。接觸結(jié)構(gòu)的連接區(qū)域?qū)⒌诙偷谌俗舆B接。導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括電連接第一端子和連接區(qū)域的第一支路和電連接連接區(qū)域和第四端子的第二支路。能夠分開第一支路，使得接通第一半導(dǎo)體功能區(qū)域。替選地，能夠分開第二支路，使得接通第二半導(dǎo)體功能區(qū)域，或者能夠分開第一和第二支路，使得串聯(lián)接通兩個半導(dǎo)體功能區(qū)域。用于匹配的方法能夠使用于半導(dǎo)體芯片的接觸結(jié)構(gòu)，其中還設(shè)置具有第三和第四端子的第二半導(dǎo)體功能區(qū)域，其中導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括電連接第一和第三端子的第一支路和連接第二和第四端子的第二支路和連接第二和第三端子的第三支路。當僅分開第三支路時，半導(dǎo)體功能區(qū)域并聯(lián)。當僅分開第一支路時，將第一半導(dǎo)體功能區(qū)域置入能工作的狀態(tài)中。當僅分開第二支路時，將第二半導(dǎo)體功能區(qū)域置于能工作的狀態(tài)中。當僅分開第一和第二支路時，兩個半導(dǎo)體功能區(qū)域串聯(lián)。在方法中，能夠檢測半導(dǎo)體功能區(qū)域的總正向電壓并且分開導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，使得降低總正向電壓和預(yù)設(shè)的供給電壓之間的差。通過有針對性地接通半導(dǎo)體功能區(qū)域，可能的是， 調(diào)整半導(dǎo)體芯片的正向電壓并且將其匹配于預(yù)設(shè)的供給電壓。半導(dǎo)體功能區(qū)域的正向電壓會經(jīng)受制造時出現(xiàn)的工藝波動，使得設(shè)置預(yù)設(shè)的總正向電壓能夠是困難的。半導(dǎo)體功能區(qū)域的有針對性的接通允許直接地設(shè)置目標電壓。不需要從常規(guī)電路裝置中已知的電阻器鎮(zhèn)流來調(diào)節(jié)目標電壓，這伴隨有將電功率轉(zhuǎn)換為熱量并且降低器件效率。這允許更緊湊的結(jié)構(gòu)方式。通過能夠接通或者切斷的可接通的像素的設(shè)置，直接設(shè)置高壓LED的正向電壓是可能的。分開能夠通過借助于激光來燒蝕導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一部分來進行。分開能夠通過光刻方法來進行，例如借助于直寫光刻，其中局部地刻蝕掉導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。通過具有預(yù)設(shè)的最小電流強度的電流進行分開會在過大提高的電流通量時伴隨有像素的損害。在此，相比較于正常工作，應(yīng)該通過提高的電流通量有針對性地燒穿可分開的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)區(qū)。分開能夠直接地在晶圓復(fù)合物中來在芯片上進行，還能夠考慮其他的結(jié)構(gòu)化方法。從下面的實施例的下面的描述中結(jié)合附圖得出其他的特征、擴展方案、優(yōu)點和可取性。

圖1示出用于具有多個半導(dǎo)體功能區(qū)域的光電子半導(dǎo)體芯片的接觸結(jié)構(gòu)布置的實施例的示意圖。圖2示出用于具有多個半導(dǎo)體功能區(qū)域的光電子半導(dǎo)體芯片的接觸結(jié)構(gòu)布置的另一實施例的示意圖。圖3示出用于具有多個半導(dǎo)體功能區(qū)域的光電子半導(dǎo)體芯片的接觸結(jié)構(gòu)布置的另一實施例的示意圖。圖4示出用于具有多個半導(dǎo)體功能區(qū)域的光電子半導(dǎo)體芯片的接觸結(jié)構(gòu)布置的另一實施例的示意圖。圖5A至5C示出圖4中的接觸結(jié)構(gòu)的制造的示意圖。圖1示出用于具有多個半導(dǎo)體功能區(qū)域的光電子半導(dǎo)體芯片的接觸結(jié)構(gòu)布置的實施例的示意圖。在實施例中，半導(dǎo)體芯片是具有設(shè)置在共同的支承體3上的多個半導(dǎo)體功能區(qū)域 2的集成電路。半導(dǎo)體功能區(qū)域2在支承體3上設(shè)置為使這些半導(dǎo)體功能區(qū)域2在晶格形的格柵上定向。在這種半導(dǎo)體芯片的制造中，半導(dǎo)體功能區(qū)域提供在晶圓復(fù)合物中的共同的支承體上。半導(dǎo)體層序列、尤其有源區(qū)優(yōu)選基于III-V族半導(dǎo)體材料，例如LxGayAl1TyP,并且構(gòu)成用于LED芯片。替選的是，半導(dǎo)體芯片包括具有設(shè)置在支承體上的半導(dǎo)體功能區(qū)域的模塊部件， 并且可選地由殼體至少部分地包圍。半導(dǎo)體功能區(qū)域2具有發(fā)射優(yōu)選為在紫外、可見和/或紅外區(qū)域中的光的電磁輻射的有源層。這些半導(dǎo)體功能區(qū)域2用作LED或者像素。接觸結(jié)構(gòu)4設(shè)置用于光電子半導(dǎo)體芯片1的電接觸。接觸結(jié)構(gòu)包括第一接觸部 51和第二接觸部52，用于半導(dǎo)體芯片的供給電壓能夠施加到所述第一接觸部和第二接觸部上，借助所述供給電壓在半導(dǎo)體芯片工作時供應(yīng)給半導(dǎo)體功能區(qū)域2。半導(dǎo)體功能區(qū)域2包括一種能工作的半導(dǎo)體功能區(qū)域20以及第一和第二可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22。在將供給電壓施加到接觸部51、52上時，在能工作的半導(dǎo)體功能區(qū)域20降落電壓、優(yōu)選為足夠用于驅(qū)動半導(dǎo)體功能區(qū)域的電壓，使得光從這些半導(dǎo)體功能區(qū)域20中發(fā)射。在初始狀態(tài)中，在接觸結(jié)構(gòu)4上進行任何修改之前，在將供給電壓施加到接觸部51、52上時，未在可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22上降落電壓。半導(dǎo)體功能區(qū)域 21,22在初始狀態(tài)中短路，使得沒有發(fā)射輻射。接觸結(jié)構(gòu)4導(dǎo)電地與能工作的并且可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域20、21、22、23以及第一和第二接觸部51、52連接。該接觸結(jié)構(gòu)用作電接觸半導(dǎo)體芯片，使得為半導(dǎo)體功能區(qū)域供給電壓。在實施例中，接觸結(jié)構(gòu)4包括金屬的印制導(dǎo)線。在實施例中，接觸結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電
7層，所述導(dǎo)電層能夠在集成電路布置的不同層面中走向。能工作的半導(dǎo)體功能區(qū)域20通過接觸結(jié)構(gòu)的連接區(qū)域40串聯(lián)連接。連接區(qū)域40 在該實施例中蜿蜒形地在能工作的半導(dǎo)體功能區(qū)域20的間隙之間走向。第一和第二可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22串聯(lián)于能工作的半導(dǎo)體功能區(qū)域20。第一可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21具有第一和第二端子211、212。第三和第四端子223、2M設(shè)置在第二可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域22上。在該實施例中，接觸結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域41將串聯(lián)連接的、能工作的半導(dǎo)體功能區(qū)域20與第一可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21的第一端子211連接。接觸結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域42將第一可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21的第二端子212與第二可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域22上的第三端子223連接。接觸結(jié)構(gòu)的第三區(qū)域43將第二可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域 22上的第四端子2M與第二接觸部52連接。接觸結(jié)構(gòu)4此外包括導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在初始狀態(tài)中將第一和第二可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22短路。第一臂71將接觸結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域41和第二區(qū)域42連接， 使得在第一可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域的第一和第二端子221、212之間形成經(jīng)過第一支路、 這就是說第一區(qū)域41、第一臂71和第二區(qū)域41的導(dǎo)電連接。第二臂72將接觸結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域42和第三區(qū)域43連接，使得在第二可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域22的第三和第四端子 223,224之間構(gòu)成經(jīng)過第二支路的、這就是說第二區(qū)域42、第二臂71和第三區(qū)域43的導(dǎo)電連接。通過第一和第二支路將第一和第二可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22短路，即所述第一和第二可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域置于相同的、或者基本相同的電勢上。在將供給電壓施加到接觸部51、52上時，在可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22上無電壓降或者僅有近乎消失的電壓降。所述半導(dǎo)體功能區(qū)域未發(fā)射輻射。臂71、72能夠分開并且為了該目的通常是可輕易接近的，例如可在上方的層中輕易接近所述臂。在實施例中，臂71、72是印制導(dǎo)線。在實施例中，所述臂是結(jié)構(gòu)化的半導(dǎo)體功能區(qū)域。“可分開”表示，例如移除導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一部分，使得構(gòu)成絕緣結(jié)構(gòu)。在此，其為在導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的絕緣縫隙。通過中斷第一臂71，撤除第一可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21的短路。通過中斷第二臂71撤除第二可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21的短路。因此，將相應(yīng)的半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22置入能工作的狀態(tài)中，使得所述半導(dǎo)體功能區(qū)域在施加供給電壓時發(fā)射光。附圖標記61、62表示能夠分開的支路的可能的位置。為了驅(qū)動半導(dǎo)體功能區(qū)域20、21、22需要正向電壓。用于驅(qū)動半導(dǎo)體功能區(qū)域20 的串聯(lián)電路的總正向電壓表明為各個正向電壓的總和或者在全部半導(dǎo)體功能區(qū)域具有相同的正向電壓的假設(shè)下表明為半導(dǎo)體工作區(qū)20的數(shù)量和正向電壓的乘積。總正向電壓能夠根據(jù)半導(dǎo)體功能區(qū)域的數(shù)量例如為12V、24V或者230V，其中半導(dǎo)體功能區(qū)域中的每個作用為LED或者像素。因此，所述半導(dǎo)體功能區(qū)域還稱作高壓LED。施加到半導(dǎo)體芯片上的供給電壓有利地與總正向電壓一致或者匹配于所述總正向電壓。由于在制造中的工藝波動，半導(dǎo)體功能區(qū)域的正向電壓能夠波動。這導(dǎo)致總正向電壓與預(yù)設(shè)電壓的偏差，其中應(yīng)該借助所述預(yù)設(shè)電壓來驅(qū)動半導(dǎo)體芯片。用于工藝波動，很難精確地設(shè)置半導(dǎo)體功能區(qū)域的正向電壓。事后在接下來的制造步驟中進行匹配實現(xiàn)總正向電壓改變。因此能夠接通或者斷開的像素的提供允許直接的和準確地調(diào)整高壓LED中的正向電壓。
通過分開第一和/或第二臂71、72，例如在接下來的步驟中將總正向電壓匹配于預(yù)設(shè)的供給電壓是可能的。通過第一或第二臂71、72的分開，總正向電壓的能夠提高，提高部分為第一或者第二半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22的正向電壓。在一個實施例中，第一和第二半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22的正向電壓不同。在一個實施例中，第一和第二半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22 的正向電壓相同或并不顯著不同。在分開第一支路時，在初始狀態(tài)中僅取決于能工作的半導(dǎo)體功能區(qū)域20的總正向電壓提高，提高部分為第一可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21的正向電壓。在分開第二支路時，總正向電壓以第二可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域22的正向電壓來提高。在分開第一和第二支路時，總正向電壓以第一和第二可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22的正向電壓來提高。為了匹配半導(dǎo)體芯片的總正向電壓，在上面的實施例中，兩個可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22可用。如果沒有激活所述半導(dǎo)體功能區(qū)域，以未利用的方式損失這些不活動的半導(dǎo)體功能區(qū)域。替選的是，能夠使用可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域，以便匹配半導(dǎo)體芯片的亮度。通過激活可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域提高發(fā)射輻射的半導(dǎo)體功能區(qū)域的數(shù)量，使得該方法實現(xiàn)亮度控制。接觸結(jié)構(gòu)的匹配能夠作為在制造半導(dǎo)體芯片時最后的制造步驟來進行。還能夠考慮，匹配在分割晶圓復(fù)合物中的芯片之前作為晶圓上的解決方案來進行。圖2示出用于具有多個半導(dǎo)體功能區(qū)域的光電子半導(dǎo)體芯片的接觸結(jié)構(gòu)的布置的另一實施例的示意圖。相同的附圖標記表示相同的特征或者具有相同或者相似的功能的特征。半導(dǎo)體芯片包括具有設(shè)置在共同的支承體3上的多個半導(dǎo)體功能區(qū)域2的集成電路。半導(dǎo)體功能區(qū)域2以在晶格形格柵上定向的方式設(shè)置在支承體3上。半導(dǎo)體功能區(qū)域 2包括串聯(lián)連接的能工作的半導(dǎo)體功能區(qū)域20。此外，設(shè)置可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22、23。第一可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21 具有第一和第二端子211、212。第二可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域22具有第三和第四端子223、 224。第三可接通半導(dǎo)體功能區(qū)域23具有第五和第六端子235、236。接觸結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域41將串聯(lián)連接的能工作的半導(dǎo)體功能區(qū)域20與第一半導(dǎo)體功能區(qū)域21的第一端部211連接。接觸結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域42導(dǎo)電地與第一半導(dǎo)體功能區(qū)域 21的第二端子212和在第二半導(dǎo)體功能區(qū)域22上的第三端子223連接。接觸結(jié)構(gòu)的第三區(qū)域43導(dǎo)電地與在第二半導(dǎo)體功能區(qū)域22上的第四端子2M和在第三半導(dǎo)體功能區(qū)域23 上的第五端子235連接。接觸結(jié)構(gòu)的第四區(qū)域44導(dǎo)電地與在第三半導(dǎo)體功能區(qū)域23上的第六端子236連接。接觸結(jié)構(gòu)的第四區(qū)域44與可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22、23并排走向并且導(dǎo)電地與第二接觸部52連接。導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括將接觸結(jié)構(gòu)的第四區(qū)域44與接觸結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域41連接的第一臂 81。第二臂82將第四區(qū)域44與接觸結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域42連接。第三臂83將接觸結(jié)構(gòu)的第四區(qū)域44與接觸結(jié)構(gòu)的第三區(qū)域43連接。接觸結(jié)構(gòu)的與可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22、 23并排走向的第四區(qū)域和臂81、82、83具有冠形的結(jié)構(gòu)。第一可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21通過下述支路來短路，所述支路從第一端子211 經(jīng)過第一區(qū)域41、第一臂81、第四區(qū)域44、第二臂82和第二區(qū)域42延伸至第二端子212。第二可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域22通過下述支路來短路，所述支路從第三端子223經(jīng)過第二區(qū)域42、第二臂82、第四區(qū)域44、第三臂和第三區(qū)域43延伸至第四端子224。第三可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域23通過下述支路來短路，所述支路從第五端子235經(jīng)過第三區(qū)域43、第三臂83和第四區(qū)域44延伸至第六端子236。在將供給電壓施加到接觸部51、52上時，在能工作的半導(dǎo)體功能區(qū)域20上有電壓降?？山油ǖ陌雽?dǎo)體功能區(qū)域21、22、23短路，使得在這些半導(dǎo)體功能區(qū)域上無電壓降或僅有幾乎消失的電壓降?？傉螂妷涸诜珠_導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之前僅僅取決于能工作的、串聯(lián)連接的半導(dǎo)體功能區(qū)域20。通過臂81、82、83的分開，在例如最后的制造步驟中，將總正向電壓匹配于預(yù)設(shè)的供給電壓是可能的。當分開第一臂81時，激活第一可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21，使得撤銷短路。由此將接觸結(jié)構(gòu)的第四區(qū)域44與第一區(qū)域41電隔離。在圖1中，表示出在其上能夠分開第一臂 81的可能的分開位置61。適當?shù)姆珠_位置將第一端子211與第二端子212并且與接觸結(jié)構(gòu)的第四區(qū)域44電隔離，使得在施加供給電壓時，在第一半導(dǎo)體功能區(qū)域21上有電壓降。分開能夠通過借助于激光來燒蝕接觸結(jié)構(gòu)的一部分來進行。替選地，分開能夠通過光刻方法來進行。能夠考慮的是，在施加空出待中斷的區(qū)域的掩模之后，燒蝕導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的空出區(qū)，使得分開臂81。當?shù)诙?2也分開為使得撤銷第二半導(dǎo)體功能區(qū)域22的短路時，能夠除了第一半導(dǎo)體功能區(qū)域21之外激活第二半導(dǎo)體功能區(qū)域22。為了該目的，將接觸結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域 42與第四區(qū)域44電隔離。在圖2中示例地標識出分開位置62。適當?shù)姆珠_位置將第三端子223與第四端子2M并且與接觸結(jié)構(gòu)的第四區(qū)域44電隔離，使得在施加供給電壓時，在第二半導(dǎo)體功能區(qū)域22上有電壓降。當?shù)谌?3也分開為使得撤銷第三半導(dǎo)體功能區(qū)域23的短路時，能夠除了第一和第二半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22之外激活第三半導(dǎo)體功能區(qū)域23。為了該目的，將接觸結(jié)構(gòu)的第四區(qū)域44與第三區(qū)域43電隔離。在圖1中示意地表示出分開位置63。圖2實例地示出布置，其中直至三個半導(dǎo)體功能區(qū)域接通到已經(jīng)能工作的半導(dǎo)體功能區(qū)域20中。電路布置能夠級聯(lián)有其他可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域。臂81、82、83的分開允許半導(dǎo)體芯片匹配于預(yù)設(shè)的供給電壓。檢測半導(dǎo)體功能區(qū)域的總正向電壓并且分開接觸結(jié)構(gòu)，使得降低在總正向電壓和預(yù)設(shè)的供給電壓之間的差。 如果總正向電壓大約以半導(dǎo)體功能區(qū)域的正向電壓小于供給電壓，則接觸結(jié)構(gòu)分開，使得激活可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域。如果總正向電壓大約以半導(dǎo)體功能區(qū)域的正向電壓的多倍小于供給電壓，則接觸結(jié)構(gòu)分開，使得激活與所述多倍對應(yīng)的數(shù)量的可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域。圖3示出用于具有多個半導(dǎo)體功能區(qū)域的光電子半導(dǎo)體芯片的接觸結(jié)構(gòu)的布置的另一實施例的示意圖。半導(dǎo)體功能區(qū)域2以在晶格形格柵上定向的方式設(shè)置在支承體3上。半導(dǎo)體功能區(qū)域包括串接的、能工作的半導(dǎo)體功能區(qū)域20。其下游連接具有第一和第二可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22的布置。第一可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21具有第一和第二端子211、 212。第二可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域22具有第三和第四端子223、224。
接觸結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域41將能工作的半導(dǎo)體功能區(qū)域20和第一可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21的第一端子211連接。接觸結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域42將第二接觸部52和在第二可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域22上的第四端子2M連接?？煞珠_的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一、第二和第三臂91、92、93。在第一半導(dǎo)體功能區(qū)域21上的第二端子212通過第三臂93與在第二半導(dǎo)體功能區(qū)域22上的第三端子223連接。第一臂91將接觸結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域41與第三臂93連接。因此，第一短路支路從第一端子211經(jīng)過第一區(qū)域41、第一臂91和第三臂93延伸至第二端子212。第二臂92將第三臂93與第二區(qū)域42連接。因此，第二支路從第三端子223 經(jīng)過第三和第四臂93、92、第二區(qū)域42延伸至第四端子224。第一支路將第一半導(dǎo)體功能區(qū)域21短路。第二支路將第二半導(dǎo)體功能區(qū)域22短路。在上面描述的布置中，通過支路的分開能夠激活第一可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21 或者第二可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域22。替選地，能夠激活兩個可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域 21、22，使得將半導(dǎo)體功能區(qū)域串聯(lián)或者并聯(lián)。當僅分開第一臂91時，第一可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21不再短路。然而，第二半導(dǎo)體功能區(qū)域22保持短路。當僅分開第二臂92時，第二可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域22不再短路。然而，第一半導(dǎo)體功能區(qū)域21保持短路。通過分開第二和第三臂92、93激活兩個可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22，使得所述兩個可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域串聯(lián)連接，因為電流能夠經(jīng)過第三臂93從第一半導(dǎo)體功能區(qū)域21流向第二半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22。通過分開在第二和第三端子92、93之間的第三臂93將第一和第二半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22并聯(lián)。由于第一支路，在第一半導(dǎo)體功能區(qū)域上的第一端子211和在第二半導(dǎo)體功能區(qū)域22上的第三端子223置于相同的電勢上。由于第二支路，在第一半導(dǎo)體功能區(qū)域上的第二端子212和在第二半導(dǎo)體功能區(qū)域22上的第四端子2M置于相同的電勢上。在施加供給電壓時，在兩個半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22上有電壓，使得發(fā)射電磁輻射。示例性分開位置通過附圖標記61、62、63來標識。在初始狀態(tài)中，在芯片1中不分開臂91、92、93?？傉螂妷簝H取決于能工作的半導(dǎo)體功能區(qū)域20的正向電壓，因為可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22短路。為了激活第一可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21，例如在位置61上分開第一臂91。由此，第一可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域22不再短路并且從現(xiàn)在開始能工作?？傉螂妷阂缘谝豢山油ǖ陌雽?dǎo)體功能區(qū)域21的正向電壓來提高。替選的是，通過例如在位置62上分開第二臂92，能夠僅將第二可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域22置于能工作的狀態(tài)中?？傉螂妷阂缘诙山油ǖ陌雽?dǎo)體功能區(qū)域22的正向電壓來提高。為了將兩個可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22置于能工作的狀態(tài)中，分開第一和第二臂91、92。總正向電壓以接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域的正向電壓來提高。替選的是，僅分開第三臂93，使得激活兩個半導(dǎo)體功能區(qū)域，然而其并聯(lián)連接?？傉螂妷簝H僅以在第一和第二半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22的并聯(lián)電路上降落的正向電壓來提高，所述總正向電壓比在兩個半導(dǎo)體功能區(qū)域的串聯(lián)電路中小。通過在可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22的串聯(lián)電路和并聯(lián)電路之間進行選擇，正向電壓是可變的，然而沒有棄用半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22的輻射發(fā)射。因此，能夠設(shè)置總構(gòu)件的正向電壓，而沒有損失有源面。在此，來自兩個并聯(lián)的半導(dǎo)體功能區(qū)域21、22中的光由于更好的像素效率在較小的電流密度下甚至比在前述實施例中的保留的像素的光更亮。此外，在串聯(lián)連接的多像素LED中，所描述的匹配還使用于改進大面積的并且因此強功率LED的成品率如果將多個像素設(shè)置在LED芯片上并且在像素中的一個上存在例如短路的缺陷，則該像素不發(fā)光并且也不貢獻于總正向電壓。通過匹配，現(xiàn)在能夠接通負責失靈的像素的電壓部分和光通量的替代像素。因此，首次使得具有最大制造成品率和嚴格規(guī)格的大于2平方毫米的大面積的LED芯片是可能的。要注意的是，上面描繪的布置能夠與如下面描述的并聯(lián)的半導(dǎo)體功能區(qū)域組合。圖4示出這種具有在格柵上定向的多個半導(dǎo)體功能區(qū)域20的布置。半導(dǎo)體功能區(qū)域20分別具有第一和第二端子201、202。在該實施例中，半導(dǎo)體功能區(qū)域M中的一個定性為有缺陷的，例如因為該半導(dǎo)體功能區(qū)域沒有包括預(yù)設(shè)的特征量或者是功能失效的。接觸結(jié)構(gòu)4包括接觸部51、52和在半導(dǎo)體功能區(qū)域20之間延伸的行狀、長形伸展的區(qū)域40。在半導(dǎo)體功能區(qū)域20的行之上，例如與接觸部51、52之一連接的印制導(dǎo)線的長形伸展的區(qū)域40相應(yīng)地走向。在行之下，與接觸部51、52中的另一個連接的長形伸展的區(qū)域40相應(yīng)地走向。半導(dǎo)體功能區(qū)域20的第一端子201通過第一臂401與行形區(qū)域40連接，所述行形區(qū)域40與第二接觸部52連接。第二端子202通過第二臂402與行形區(qū)域40 連接，所述行形區(qū)與第一接觸部51連接，使得半導(dǎo)體功能區(qū)域20并聯(lián)。然而設(shè)置有在一些端子和相鄰的行形區(qū)域40之間不存在導(dǎo)電連接，使得例如定性為有缺陷的半導(dǎo)體功能區(qū)域M有針對性地與印制導(dǎo)線分離并且因此持久地失效。在缺陷的半導(dǎo)體功能區(qū)域M中，不設(shè)置在所述半導(dǎo)體功能區(qū)域的第一和第二端子Ml、242與接觸結(jié)構(gòu)的相應(yīng)相鄰的行形區(qū)域40之間的導(dǎo)電連接。由此，雖然通過其端子Ml、242與接觸結(jié)構(gòu)4的剩余區(qū)之間的絕緣結(jié)構(gòu)有針對性地使單個像素M失效，芯片仍能工作。有針對性地切斷定向為有缺陷的像素M實現(xiàn)具有多個半導(dǎo)體功能區(qū)域的大面積的芯片的制造。定性為有缺陷的半導(dǎo)體功能區(qū)域M能夠在最后的生產(chǎn)步驟的一個中失效。 在此，切斷能夠在制造之后進行，或者在制造過程期間發(fā)生，例如通過有針對性地絕緣觸點ο例如，芯片能夠自校正地構(gòu)成在一個像素中短路的情況中，通過由此出現(xiàn)的高電流斷開到該像素的電連接。該效果類似于熔斷保險。圖5A至5C示出在制造期間的半導(dǎo)體功能區(qū)域的有針對性的切斷。首先，在構(gòu)成半導(dǎo)體功能區(qū)域之后，在可能的缺陷方面檢測這些半導(dǎo)體功能區(qū)域。缺陷例如借助于光學(xué)檢查或者通過施加電壓由探針來進行。當還沒有施加接觸結(jié)構(gòu)時，該步驟能夠在晶圓復(fù)合物中進行。替選地，當僅僅施加接觸結(jié)構(gòu)的一部分時，能夠進行該步驟。圖5A示出半成品，其中能夠進行檢測步驟。半成品包括半導(dǎo)體區(qū)域20J4和接觸結(jié)構(gòu)的一部分。已經(jīng)設(shè)置了接觸半導(dǎo)體功能區(qū)域20的端子201、202的臂401、402以及與第一接觸部51連接并且與第二端子202上的連接臂402連接的行形區(qū)域40。接下來，將絕緣材料65涂覆到分級為有缺陷的半導(dǎo)體功能區(qū)域M的第一臂401 上。該步驟在圖5B中示出。還能夠考慮，將多個半導(dǎo)體功能區(qū)域分級為有缺陷。然后，施加行形區(qū)域40，所述行形區(qū)域40連接第一臂401并且就其自身而言與第二接觸部52連接。在其上施加有絕緣材料65的臂的情況下，沒有形成在半導(dǎo)體功能區(qū)域 24的第一端子241和接觸結(jié)構(gòu)的行形區(qū)域40之間的導(dǎo)電連接，使得該半導(dǎo)體區(qū)M不能工作。由于有針對性地斷開該像素M，沒有在很大程度上影響其他的像素的功能，這實現(xiàn)高的制造成品率。還能夠考慮，在有缺陷的半導(dǎo)體功能區(qū)域M上的第二臂和行形區(qū)域40之間設(shè)置絕緣材料65。分級為有缺陷的半導(dǎo)體功能區(qū)域的所描述的、有針對性的斷開能夠與在電路布置中的可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域組合。能夠考慮的是，在電路布置中，不僅設(shè)置有接通的或者可接通的半導(dǎo)體功能區(qū)域， 還設(shè)置有可斷開或者斷開的半導(dǎo)體功能區(qū)域。要注意的是，實施例的特征能夠組合。不通過根據(jù)實施例的說明來限制本發(fā)明。相反地，本發(fā)明包括任何新的特征以及特征的任意的組合，這尤其是包含在權(quán)利要求中的特征的任意的組合，即使這些特征或者這些組合自身沒有明確地在權(quán)利要求或者實施例中說明。
權(quán)利要求
1.光電子半導(dǎo)體芯片，具有第一半導(dǎo)體功能區(qū)域01、對)，其帶有第一端子(211、 401)和第二端子Ο12、402)；和接觸結(jié)構(gòu)0)，用于電接觸所述光電子半導(dǎo)體芯片，所述接觸結(jié)構(gòu)與所述第一半導(dǎo)體功能區(qū)域(21、24)導(dǎo)電連接，其中所述接觸結(jié)構(gòu)(4)具有能夠分開的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(41、71、42 ；41、81、44、82、42 ；41,91,93 ；40)，其中-在導(dǎo)體結(jié)構(gòu)GO)未分開的情況下，通過所述第一半導(dǎo)體功能區(qū)域04)的所述第一端子(401)和所述第二端子(402)確定工作電流路徑，所述工作電流路徑在導(dǎo)體結(jié)構(gòu)GO) 分開的情況下中斷，或者-在導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(41、71、42 ；41、81、44、82、42 ；41,91,93)分開的情況下，通過所述第一半導(dǎo)體功能區(qū)域的所述第一端子011)和所述第二端子(21 確定工作電流路徑，其中在導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(41、71、42 ;41、81、44、82、42 ;41、91、93)未分開的情況下，所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(41、 71,42 ；41、81、44、82、42 ；41,91,93)將所述第一端子(211)與所述第二端子(212)連接并且將所述第一半導(dǎo)體功能區(qū)域短路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子半導(dǎo)體芯片，其特征在于，所述半導(dǎo)體功能區(qū)域01、 24)包括設(shè)置用于輻射產(chǎn)生或輻射接收的有源區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子半導(dǎo)體芯片，其特征在于，所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(41、71、 42 ；41、81、44、82、42 ；41,91,93)并聯(lián)于所述第一半導(dǎo)體功能區(qū)域(21)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的光電子半導(dǎo)體芯片，其特征在于，設(shè)置具有第三端子和第四端子(223、224)的第二半導(dǎo)體功能區(qū)域(22)，其中所述接觸結(jié)構(gòu)的連接區(qū)域02 ； 93)將所述第二端子和所述第三端子(212、22；3)連接，并且其中所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括能夠分開或者分開地構(gòu)成的、在所述第一端子011)和所述連接區(qū)域G2 ；93)之間延伸的第一支路Gl，71 ;41、81、44、82;41、91)，和包括能夠分開或者分開地構(gòu)成的、在所述連接區(qū)域 (42)和所述第四端子(224)之間延伸的第二支路(72,43 ；82、44、83、43 ；92、42)。
5 根據(jù)權(quán)利要求4所述的光電子半導(dǎo)體芯片，其特征在于，所述第一支路01、81、44、 82)和所述第二支路(82、44、83、43)具有能夠分離或者分離地構(gòu)成的共同的區(qū)域(82)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的光電子半導(dǎo)體芯片，其特征在于，設(shè)置具有第三端子和第四端子023、2M)的第二半導(dǎo)體功能區(qū)域(22)，其中所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括能夠分開或者分開地構(gòu)成的、在所述第一端子和所述第三端子(211、223)之間延伸的第一支路(41、91、 93)，并且包括能夠分開或者分開地構(gòu)成的、在所述第二端子和所述第四端子(212、224)之間延伸的第二支路(93、92、42)和包括能夠分開或者分開地構(gòu)成的、在所述第二端子和所述第三端子(212、22；3)之間延伸的第三支路(93)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光電子半導(dǎo)體芯片，其特征在于，所述支路01、91、93;91、 93,42 ；93)均不分開，或者僅所述第三支路(9 分開，或者僅所述第一支路和/或所述第二支路(41、91、93 ；91,93,42)分開。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7之一所述的光電子半導(dǎo)體芯片，其特征在于，設(shè)置串聯(lián)連接的多個能工作的半導(dǎo)體功能區(qū)域00)。
9.匹配用于電接觸光電子半導(dǎo)體芯片的接觸結(jié)構(gòu)的方法，所述光電子半導(dǎo)體芯片具有第一半導(dǎo)體功能區(qū)域01、對)，其帶有第一端子011)和第二端子012)；和接觸結(jié)構(gòu) G)，用于電接觸所述光電子半導(dǎo)體芯片，所述接觸結(jié)構(gòu)與所述第一半導(dǎo)體功能區(qū)域01、 24)導(dǎo)電連接，其中所述接觸結(jié)構(gòu)(4)具有能夠分開的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(41、71、42;41、81、44、82、42；41,91,93 ；40)，其中所述方法包括-分開通過所述第一半導(dǎo)體功能區(qū)域04)的所述第一端子G01)和所述第二端子 (402)確定的工作電流路徑，使得中斷所述工作電流路徑，或-分開將所述第一端子(211)與所述第二端子(21 連接并且將所述半導(dǎo)體功能區(qū)域 (21)短路的所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(41、71、42 ;41、81、44、82、42 ；41、91、93)，使得在導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(41、 71,42 ；41、81、44、82、42 ；41,91,93)分開的情況下，通過所述第一半導(dǎo)體功能區(qū)域(21)的所述第一端子(211)和所述第二端子(21 確定工作電流路徑。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，設(shè)置具有第三端子和第四端子(223、 224)的第二半導(dǎo)體功能區(qū)域(22)，其中所述接觸結(jié)構(gòu)(4)的連接區(qū)域02 ；93)將所述第二端子和所述第三端子(212、223)連接，并且其中所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括將所述第一端子(211) 和所述連接區(qū)域(42 ；93)電連接的第一支路(41，71 ；41、81、44、82 ；41,91)和將所述連接區(qū)域(42)和所述第四端子(224)電連接的第二支路(72,43 ；82、44、83、43 ；92、42)，其中-分開所述第一支路(41，71 ；41、81、44、82 ；41、91)，或者 -分開所述第二支路(72,43 ；82、44、83、43 ；92、42)，或者-分開所述第一支路和所述第二支路(41，71 ；41、81、44、82 ；41,91 ；72,43 ；82、44、83、43；92,42)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，設(shè)置具有第三端子和第四端子(223、 224)的第二半導(dǎo)體功能區(qū)域，其中所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括將所述第一端子和所述第三端子(211.223)電連接的第一支路(41、91、93)，并且包括將所述第二端子和所述第四端子(212.224)電連接的第二支路(91、93、4幻以及包括將所述第二端子和所述第三端子(212、 223)電連接的第三支路(93)，其中-分開所述第三支路(9 ，或者-分開所述第一支路(41、91、93)，或者-分開所述第二支路(91、93、42)，或者-分開所述第一支路和所述第二支路Gl、91、93 ;91、93、42)。
12.根據(jù)權(quán)利要求9至11之一所述的方法，其特征在于，檢測所述半導(dǎo)體功能區(qū)域(2) 的總正向電壓并且分開所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(41、42、43、71、72、81、82、91、92、93)，使得降低所述總正向電壓和預(yù)設(shè)的供給電壓之間的差。
13.根據(jù)權(quán)利要求9至12之一所述的方法，其特征在于，通過借助激光燒蝕所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(41、42、43、71、72、81、82、91、92、93)的一部分(61、62、63)來進行分開。
14.根據(jù)權(quán)利要求9至13之一所述的方法，其特征在于，通過光刻方法進行分開。
全文摘要
一種光電子半導(dǎo)體芯片，包括具有第一端子(211)和第二端子(212)的第一半導(dǎo)體功能區(qū)域(21)，以及導(dǎo)電地與第一半導(dǎo)體功能區(qū)域(21)連接的、用于電接觸光電子半導(dǎo)體芯片的接觸結(jié)構(gòu)(4)。接觸結(jié)構(gòu)(4)具有可分開的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(41、71、42)，其中-在導(dǎo)體結(jié)構(gòu)未分開的情況下通過第一半導(dǎo)體功能區(qū)域的第一端子和第二端子確定工作電流路徑，所述工作電流路徑在導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分開的情況下中斷，或者-在導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(41、71、42)分開的情況下通過第一半導(dǎo)體功能區(qū)域(21)的第一端子(211)和第二端子(212)確定工作電流路徑，其中在導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(41、71、42)未分開的情況下導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(41、71、42)將第一端子(211)與第二端子(212)連接并且將第一半導(dǎo)體功能區(qū)域(21)短路。
文檔編號H01L25/075GK102549746SQ201080044052
公開日2012年7月4日 申請日期2010年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月30日
發(fā)明者于爾根·莫斯布格爾, 盧茨·赫佩爾, 帕特里克·羅德, 諾溫·文馬爾姆, 馬蒂亞斯·扎巴蒂爾 申請人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司