專利名稱：用于光伏電池的無柵線接觸的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及只從多結(jié)光伏電池的背側(cè)提供電接觸以便增大光伏電池的有效面積的結(jié)構(gòu)和制造所述結(jié)構(gòu)的方法。
背景技術(shù)：
光伏電池是利用光伏效應(yīng)(photovoltaic effect)把光直接轉(zhuǎn)換成電的裝置。光伏電池組件用于制造太陽能板、太陽能模組或光伏陣列。通過在半導(dǎo)體材料中形成大面積的p-n結(jié),可形成光伏電池。在光伏電池中的p-n結(jié)周圍，形成空間電荷區(qū)。如果被空間電荷區(qū)中的半導(dǎo)體材料吸收的話，那么撞擊空間電荷區(qū)的光子產(chǎn)生至少一個(gè)電子-空穴對(duì)。電子和空穴沿相反方向擴(kuò)散，從而在P摻雜材料的本體部分中累積正電荷，而在η摻雜材料的本體部分中累積 負(fù)電荷。常規(guī)光伏電池被配置成在電池的一側(cè)形成P摻雜區(qū)，而在電池的另一側(cè)形成η摻雜區(qū)。例如，電池的前側(cè)可以是P摻雜區(qū)，而電池的背面可以是η摻雜區(qū)，或者反過來。從所述前側(cè)進(jìn)行與光伏電池的一個(gè)節(jié)點(diǎn)的第一電接觸，而從所述背面進(jìn)行與光伏電池的另一個(gè)節(jié)點(diǎn)的第二電接觸。由于在前側(cè)的電接觸需要用導(dǎo)線連接在一起，因此在常規(guī)光伏電池的前側(cè)設(shè)置金屬線的一維陣列。這樣的金屬線被稱為光伏電池上的“柵線”。不過，這種柵線會(huì)遮住光伏電池的前側(cè)的相當(dāng)大部分，從而降低光伏電池的有效面積。此外，在前側(cè)上的柵線的寬度不能超過閾值寬度，以限制光伏電池的有效面積的減小。從而，在光伏電池的前側(cè)上的柵線的電阻相當(dāng)大，并且由于工作期間柵線的電阻加熱，光伏電池的效率被降低。于是，現(xiàn)有技術(shù)中存在解決上述問題的需要。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，提供不采用前側(cè)上的配線結(jié)構(gòu)的光伏電池。前側(cè)上不存在配線結(jié)構(gòu)可增大光伏電池的有效面積。與光伏電池的前側(cè)的電接觸由導(dǎo)電貫穿襯底通孔的陣列和位于光伏電池的前側(cè)的導(dǎo)電塊的陣列(該導(dǎo)電塊的陣列是可選的)形成。介電內(nèi)襯提供每個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔和光伏電池的半導(dǎo)體材料的電絕緣。在光伏電池的背側(cè)上的介電層被圖案化，以覆蓋包括所有導(dǎo)電貫穿襯底通孔的連續(xù)區(qū)域，同時(shí)露出光伏電池背側(cè)的一部分。在光伏電池的背面上沉積導(dǎo)電材料層，然后使之圖案化，從而形成電連接導(dǎo)電貫穿襯底通孔的第一導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)和提供到光伏電池的背側(cè)的電連接的第二導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)。按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種光伏電池結(jié)構(gòu)。所述光伏電池結(jié)構(gòu)包含襯底、至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)、第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)和第二連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)。所述襯底包含在用電磁輻射照射時(shí)在所述襯底的正面和背面之間產(chǎn)生非零電位的光伏材料。所述至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)被嵌入襯底中。所述至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)都包含介電內(nèi)襯和導(dǎo)電貫穿襯底通孔，所述導(dǎo)電貫穿襯底通孔導(dǎo)電連接到位于正面的襯底的表面部分，并與背面電絕緣。第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)和背面間隔開，并與所述至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔接觸。第二連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)與襯底的背面接觸。在第一和第二連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)之間提供非零電位。
按照本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種形成光伏電池結(jié)構(gòu)的方法。在襯底的背面上形成介電層，所述襯底包含在用電磁輻射照射時(shí)在所述襯底的正面和背面之間產(chǎn)生非零電位的光伏材料。在所述襯底中形成至少一個(gè)貫穿襯底溝道。通過填充所述至少一個(gè)貫穿襯底溝道，在所述襯底中形成至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)。在所述至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔上形成第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)。利用所述介電層把所述第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)和所述背面間隔開。在所述襯底的所述背面上直接形成第二連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)。


帶后綴“A”的附圖是頂視圖。圖1-3和帶后綴“B”的附圖是垂直剖視圖。帶有數(shù)字標(biāo)號(hào)和后綴“A”的附圖中的B-B'平面是帶有相同數(shù)字標(biāo)號(hào)和后綴“B”的附圖的垂直剖視圖的平面。現(xiàn)在參考如在以下附圖中圖解說明的優(yōu)選實(shí)施例，僅僅作為例子來說明本發(fā)明圖1-3和4A-9B是在按照本發(fā)明的第一實(shí)施例的制造過程的各個(gè)階段的第一示例性光伏電池結(jié)構(gòu)的視圖；圖10A-12B是在按照本發(fā)明的第二實(shí)施例的制造過程的各個(gè)階段的第二示例性光伏電池結(jié)構(gòu)的視圖；圖13A-14B是在按照本發(fā)明的第三實(shí)施例的制造過程的各個(gè)階段的第二示例性光伏電池結(jié)構(gòu)的視圖；和圖15A和15B是按照本發(fā)明的第四實(shí)施例的第四示例性光伏電池結(jié)構(gòu)的視圖。
具體實(shí)施例方式如上所述，本發(fā)明涉及只從多結(jié)光伏電池的背側(cè)提供電接觸以便增大光伏電池的有效面積的結(jié)構(gòu)和制造所述結(jié)構(gòu)的方法，下面利用附圖，詳細(xì)說明所述結(jié)構(gòu)和方法。在各個(gè)附圖中，相同的數(shù)字或字母用于指示相似或等同的元件。附圖不一定按比例繪制。如這里使用的，“光伏材料”指的是當(dāng)被電磁輻射照射時(shí)，在兩個(gè)端子之間生成壓差的任意材料。電磁輻射可以包含可見光譜、紫外線區(qū)和紅外線區(qū)。如這里使用的，如果在第一元件和第二元件之間存在允許電流通過的導(dǎo)電路徑，那么第一元件“被導(dǎo)電連接到”第二元件。如這里使用的，位于襯底上的元件的“近端表面”指的是所述元件的最接近所述襯底的表面。如這里使用的，位于襯底上的元件的“遠(yuǎn)端表面”指的是所述元件的離所述襯底最遠(yuǎn)的表面。如這里使用的，如果第一和第二元件在某點(diǎn)、在某條一維曲線上、或者在某個(gè)二維表面上進(jìn)行了物理接觸，那么第一元件“直接鄰接”第二元件。如這里使用的，“橫向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)”是包括導(dǎo)電元件和絕緣元件的結(jié)構(gòu)，其中導(dǎo)電元件導(dǎo)電連接位于襯底一側(cè)的第一元件和位于襯底的另一側(cè)的第二元件，并且絕緣元件使導(dǎo)電元件與襯底電絕緣。參見圖1，按照本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例的第一示例性光伏電池結(jié)構(gòu)包括襯底10和位于襯底10的正面17上的抗反射層20。襯底10包含當(dāng)被電磁輻射照射時(shí)，在襯底10的正面17和背面19之間生成非零電位的光伏材料。電磁輻射可以在可見光譜、紫外線區(qū)和/或紅外線區(qū)中。光伏材料可以是晶體材料或非晶材料。晶體材料可以是單晶硅、多晶硅、鍺、鎵銦、和/或砷化鎵(GaAs)。非晶和多晶材料可以是非晶硅、碲化鎘(CdTe)和/或二硒化銅銦(CuInSe2，或者CIS)。光伏材料可以呈塊狀，或者可以呈薄膜狀。在光伏材料是半導(dǎo)體材料的情況下，光伏材料可以具有在襯底10中的內(nèi)置p-n結(jié)
15。這種情況下，襯底包含在位于襯底10的正面17和背面19之間的表面上共同形成p-n結(jié)15的P摻雜半導(dǎo)體材料和η摻雜半導(dǎo)體材料。通常，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例來說，在襯底10中可以采用任意種類的光伏材料。襯底10包含“表面部分” 39，表面部分39是直接在襯底10的正面17之下的一部分襯底10。當(dāng)襯底10中的光伏材料被暴露在電磁輻射之下時(shí)，一種類型的電荷累積在襯底10的表面區(qū)域39中。表面區(qū)域39是位于在襯底10的前側(cè)上并且與P-n結(jié)15間隔開的光伏材料的正面部分。相反類型的電荷累積在襯底10的背面區(qū)域38上，背面區(qū)域38直接位于襯底10的背面19上。如果襯底10被上下翻轉(zhuǎn)，那么襯底10的背面區(qū)域38直接位于襯底10的背面19之下。抗反射層20直接位于襯底10的正面17上。在第一示例性光伏電池結(jié)構(gòu)中，抗反射層20可以是介電材料、半導(dǎo)體材料或?qū)щ姴牧??？狗瓷鋵?0使在襯底10中的光敏材料吸收的波長(zhǎng)范圍中的電磁輻射的反射降至最小?？梢詢?yōu)化抗反射層20的厚度，以使電磁輻射的反射降至最小。例如，抗反射層20的厚度可以為5nm-100nm，不過可以采用更小和更大的厚度。優(yōu)選地，對(duì)于在襯底10中的光敏材料吸收的波長(zhǎng)范圍中的電磁輻射來說，抗反射層20的導(dǎo)電材料具有較低的吸收系數(shù)?？狗瓷鋵?0可以具有均勻的成分，或者可包含具有不同成分的多層。對(duì)于本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例的抗反射層20來說，可以采用任何其它抗反射材料。參見圖2，襯底10可以被上下翻轉(zhuǎn)，以致襯底10的背面19面朝上，而抗反射層20面朝下。在襯底10的背面19上形成介電層30?？梢岳缋媒殡姴牧系幕瘜W(xué)氣相沉積(CVD),形成介電層30。用于介電層30的介電材料可以是氧化娃、氮化娃、介電金屬氧化物、介電金屬氮化物、或者它們的組合。在接觸襯底10的背面的介電層30的近端表面31和暴露的介電層30的遠(yuǎn)端表面33之間測(cè)量的介電層30的厚度可以為IOnm-IO, OOOnm，優(yōu)選地為lOOnm-1，OOOnm，不過可以采用更小和更大的厚度。參見圖3，在介電層30和襯底10中形成至少一個(gè)貫穿襯底溝道11。例如，可在介電層30的暴露上表面上涂覆第一光阻材料37，并通過光刻使第一光阻材料37圖案化以形成至少一個(gè)開口。光阻材料37中的至少一個(gè)開口可以是多個(gè)開口。光阻材料37中的多個(gè)開口可以是例如開口的一維陣列，或者開口的二維陣列。
光阻材料37中的至少一個(gè)開口中的圖案被轉(zhuǎn)印到介電層30和襯底10，從而形成至少一個(gè)貫穿襯底溝道11，所述至少一個(gè)貫穿襯底溝道11從介電層30的遠(yuǎn)端表面33延伸到襯底10的表面區(qū)域39內(nèi)的深度?？梢圆捎酶飨虍愋晕g刻，諸如反應(yīng)離子蝕刻(RIE)，相對(duì)于光阻材料37有選擇地蝕刻介電層30和襯底10的材料。至少一個(gè)貫穿襯底溝道11的水平截面積可以根據(jù)至少一個(gè)貫穿襯底溝道11內(nèi)的深度而保持大體恒定，或者可替換地，由于至少一個(gè)貫穿襯底溝道11的側(cè)壁中的錐度(taper)，所述至少一個(gè)貫穿襯底溝道11的水平截面積可以根據(jù)深度而減小。用于形成至少一個(gè)貫穿襯底溝道11的各向異性蝕刻可被定時(shí)，以便在至少一個(gè)貫穿襯底溝道11的至少一個(gè)底面在襯底10的表面區(qū)域39內(nèi)時(shí)停止。各向異性蝕刻在所述至少一個(gè)貫穿襯底溝道11的至少一個(gè)底面達(dá)到抗反射層20之前停止。從而，至少一個(gè)貫穿襯底溝道11的至少一個(gè)底面露出在用電磁輻射照射襯底10的光伏材料時(shí)累積電荷的表面。隨后利用灰化除去第一光阻材料37。參見圖4A和4B，在至少一個(gè)貫穿襯底溝道11的側(cè)壁上形成至少一個(gè)電介質(zhì)內(nèi)襯 12。例如，通過沉積介電材料層和各向異性地蝕刻介電材料層的各個(gè)水平部分，可以形成至少一個(gè)介電內(nèi)襯12。在至少一個(gè)貫穿襯底溝道11的側(cè)壁上的介電材料層的剩余各個(gè)垂直部分構(gòu)成至少一個(gè)介電內(nèi)襯12。至少一個(gè)介電內(nèi)襯12的頂部可以與介電層30的遠(yuǎn)端表面33大體共面。從而，至少一個(gè)介電內(nèi)襯12突出到襯底的背面之外，并且接觸介電層30的側(cè)壁。參見圖5A和5B，至少一個(gè)貫穿襯底溝道11被填充以導(dǎo)電材料，以形成至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40。導(dǎo)電材料可以是例如W、Al、Cu、Ag、Au、WN、TaN, TiN,導(dǎo)電摻雜半導(dǎo)體材料、導(dǎo)電金屬半導(dǎo)體合金、或者它們的組合。導(dǎo)電材料可以用電鍍、化學(xué)鍍、化學(xué)氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、物理氣相沉積(PVD)、或者它們的組合來沉積。例如，利用化學(xué)機(jī)械平坦化，凹進(jìn)蝕刻或者它們的組合，能夠除去在介電層30的遠(yuǎn)端表面33上的多余材料。至少一個(gè)介電內(nèi)襯12和至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40共同構(gòu)成至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)(12，40)，所述至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)(12，40)被嵌入襯底10中，并且提供在橫向上電絕緣的垂直導(dǎo)電路徑。從而，至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40僅僅與襯底10的表面區(qū)域39導(dǎo)電連接，而不與襯底10的任何其它部分導(dǎo)電連接。尤其是，導(dǎo)電貫穿襯底通孔40與襯底10的背面19電絕緣。至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40的背側(cè)端面可以與介電層30的遠(yuǎn)端表面33大體共面。至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)(12，40)中的每一個(gè)均包括介電內(nèi)襯12和導(dǎo)電貫穿襯底通孔40，所述導(dǎo)電貫穿襯底通孔40導(dǎo)電連接到襯底10的表面區(qū)域39并與襯底10的背面19電絕緣。所述至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40的一部分突出到襯底10的背面19之外。至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)(12，40)可以是多個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)(12，40)，并且可以是側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)(12，40)的一維陣列或二維陣列。參見圖6A和6B，在介電層30的遠(yuǎn)端表面33上涂覆第二光阻材料47。用光刻法使第二光阻材料47圖案化，以致所有的至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40都被第二光阻材料47覆蓋，而在至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40之間的區(qū)域中介電層30的遠(yuǎn)端表面33露出。圖6A中用虛線表示了至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40的位置。在光刻圖案化之后的第二光阻材料47的側(cè)壁可以是重疊在介電層30的遠(yuǎn)端表面33上的連續(xù)線路上的連續(xù)表面，其中所述連續(xù)線路把包括所有的至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40的區(qū)域的連續(xù)區(qū)域和互補(bǔ)區(qū)域分開。第二光阻材料47中的圖案被轉(zhuǎn)印到介電層30，以形成圖案化的介電層3(V，介電層30'是在轉(zhuǎn)印第二光阻材料47中的圖案之后介電層30中的剩余部分。在形成圖案化介電層30'之后，露出襯底10的背面19的連續(xù)部分。隨后去除第二光阻材料47。優(yōu)選地，第二光阻材料47的去除相對(duì)于襯底10和圖案化的介電層30'是選擇性的。參見圖7A和7B，在襯底10的背面19和至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40的露出表面(一個(gè)或多個(gè))(即，背側(cè)端面(一個(gè)或多個(gè)))上沉積導(dǎo)電材料層50L。導(dǎo)電材料層50L具有諸如W、Al、Cu、Ag、Au、WN、TaN, TiN,導(dǎo)電摻雜半導(dǎo)體材料、導(dǎo)電金屬半導(dǎo)體合金或者它們的組合之類的導(dǎo)電材料。優(yōu)選地，導(dǎo)電材料層50L的導(dǎo)電材料是金屬材料。導(dǎo)電材料層50L可以用例如電鍍、化學(xué)鍍、化學(xué)氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、物理氣相沉積(PVD)或它 們的組合來形成。導(dǎo)電材料層50L的厚度可以是lOOnm-lO，OOOnm, 一般為300nm_3，OOOnm,不過也可采用更小和更大的厚度。導(dǎo)電材料層50L可包含非凹進(jìn)區(qū)域3和凹進(jìn)區(qū)域5。非凹進(jìn)區(qū)域3位于圖案化的介電層30'和至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40上方。凹進(jìn)區(qū)域5位于襯底10的不接觸圖案化介電層30'的一部分背面19的上方。導(dǎo)電材料層50L具有在非凹進(jìn)區(qū)域3的暴露表面和凹進(jìn)區(qū)域5的暴露表面之間的大體垂直的側(cè)壁。參見圖8A和8B，在導(dǎo)電材料層50L上涂覆第三光阻材料57，并用光刻法圖案化成彼此分離的兩個(gè)連續(xù)光阻材料部分。第三光阻材料57的第一連續(xù)區(qū)域57A覆蓋在所有的至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40上面。優(yōu)選地，在光刻圖案化之后，被第三光阻材料57的第一連續(xù)區(qū)域57A覆蓋的面積小于被第二光阻材料47覆蓋的面積(參見圖6A)。第三光阻材料57的第二連續(xù)區(qū)域57B覆蓋在導(dǎo)電材料層50L的所有凹進(jìn)區(qū)域5上面(參見圖7A和7B)。在一個(gè)實(shí)施例中，第三光阻材料57的第二連續(xù)區(qū)域57B的側(cè)壁覆蓋在圖案化的介電層3(V上面。參見圖9A和9B，例如，利用各向異性蝕刻，第三光阻材料57中的圖案被轉(zhuǎn)印到導(dǎo)電材料層50L。在第三光阻材料57的第一連續(xù)部分57A之下形成導(dǎo)電材料層50L的第一剩余部分，而在第三光阻材料57的第二連續(xù)部分57B之下形成導(dǎo)電材料層50L的第二剩余部分。導(dǎo)電材料層50L的第一剩余部分來源于非凹進(jìn)區(qū)域3中的那部分導(dǎo)電材料層50L(參見圖7A和7B)。導(dǎo)電材料層50L的第二剩余部分包含凹進(jìn)區(qū)域5中的那部分導(dǎo)電材料層50L(參見圖7A和7B) ο導(dǎo)電材料層50L的第一剩余部分構(gòu)成第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50A，而導(dǎo)電材料層50L的第二剩余部分構(gòu)成第二連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50B。第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50A和第二連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50B在橫向上被連續(xù)空間相互間隔開。第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50A形成于至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)(12，40)中的至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40上。第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50A在垂直方向上被圖案化介電層30'和襯底10的背面19間隔開。第二連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50B直接形成于襯底10的背面19上。隨后例如利用灰化除去第三光阻材料57。
圖案化介電層30'可以具有與至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40的端面大體共面的遠(yuǎn)端表面33。圖案化介電層30'可以具有接觸襯底10的一部分背面19的近端表面31。此外，圖案化介電層3(V可具有接觸至少一個(gè)介電內(nèi)襯12的外側(cè)壁的垂直表面35。第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50A的近端表面51接觸圖案化介電層30'的遠(yuǎn)端表面
33。第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50A的整個(gè)近端表面51可以與圖案化介電層30'的遠(yuǎn)端表面33共面。第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50A的所有垂直側(cè)壁56可以直接鄰接圖案化介電層30'的遠(yuǎn)端表面33。第二連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50B的一些垂直側(cè)壁58可以直接鄰接圖案化介電層30'的遠(yuǎn)端表面33。第二連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50B的遠(yuǎn)端表面59可以與第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50A的遠(yuǎn)端表面53共面。第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50A起第一示例性光伏電池的一個(gè)節(jié)點(diǎn)的作用，而第二連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50B起第一示例性光伏電池的另一個(gè)節(jié)點(diǎn)的作用。第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50A通過至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40，進(jìn)行與表面區(qū)域39的電接觸。第二連續(xù)金屬配線 結(jié)構(gòu)50B與襯底10的背面19進(jìn)行物理接觸和電接觸，從而與襯底10的背面表面區(qū)域38電接觸。當(dāng)電磁輻射照射到襯底10時(shí)，一種類型的電荷累積在襯底的表面區(qū)域39中。同時(shí)，相反類型的電荷累積在襯底10的背面表面區(qū)域38中。從而，當(dāng)用電磁輻射照射襯底10時(shí)，在第一和第二連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)(50A，50B)之間提供非零電位。由于所有的導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)(50A，50B)都設(shè)置在襯底10的背側(cè)，因此在第一示例性光伏電池結(jié)構(gòu)的正面，可以沒有導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)。第一示例性光伏電池結(jié)構(gòu)的整個(gè)正面可被連續(xù)的不包含任何孔洞的抗反射層20覆蓋。從而，與在前側(cè)需要一組導(dǎo)線配線結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有光伏電池結(jié)構(gòu)相比，第一示例性光伏電池結(jié)構(gòu)提高了面積利用率。與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相比，第一示例性光伏電池結(jié)構(gòu)中的面積利用率的提高可增大效率和/或緊湊性。第一示例性光伏電池結(jié)構(gòu)中的用于電荷的光生(photogeneration)的有效面積的減小是由于被至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)(12，40)占據(jù)的面積，它可小于襯底10的面積的2%。這和因在現(xiàn)有光伏電池結(jié)構(gòu)的前側(cè)存在金屬線而導(dǎo)致的超過10%的面積損失形成對(duì)照。從而，通過把襯底10提供的面積的更多部分用于電力的光生，第一示例性光伏電池結(jié)構(gòu)效率更高。此外，至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40形成到襯底10的背側(cè)的有效且較短的導(dǎo)電路徑，并且第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50A能夠利用襯底10的相當(dāng)大部分，例如40%或以上，的面積來形成導(dǎo)電路徑，從而降低了第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50A的電阻率。參見圖IOA和10B，通過對(duì)抗反射層20采用導(dǎo)電材料，并在形成至少一個(gè)貫穿襯底溝道11期間，擴(kuò)展各向異性蝕刻，可從圖3的第一示例性光伏電池結(jié)構(gòu)得到按照本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例的第二示例性光伏電池結(jié)構(gòu)。用于形成至少一個(gè)貫穿襯底溝道11的各向異性蝕刻被擴(kuò)展以蝕通襯底10中的所有表面區(qū)域39。各向異性蝕刻可以采用止于抗反射層20的近端表面21的終點(diǎn)方案?？商鎿Q地或者另外地，可以選擇用于各向異性蝕刻的蝕刻化學(xué)物質(zhì)，以便對(duì)抗反射層20的材料是選擇性的，即，只蝕刻襯底10的光敏材料，而不蝕刻抗反射層20的材料。在第二實(shí)施例的一種變體中，抗反射層20可被部分蝕刻，以致至少一個(gè)貫穿襯底溝道11的底面位于抗反射層20的一部分之內(nèi)。和第一實(shí)施例中一樣，在至少一個(gè)貫穿襯底溝道11的側(cè)壁上，形成至少一個(gè)介電內(nèi)襯12。至少一個(gè)介電內(nèi)襯12可具有和第一實(shí)施例相同的成分,并且可以用和第一實(shí)施例相同的方法形成。第二實(shí)施例的至少一個(gè)介電內(nèi)襯12接觸抗反射層20。從而，第二實(shí)施例的至少一個(gè)介電內(nèi)襯12從介電層30的遠(yuǎn)端表面33伸出，穿過介電層30和襯底10，到達(dá)抗反射層20。參見圖IlA和11B，用導(dǎo)電材料填充至少一個(gè)貫穿襯底溝道11，從而形成至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40,和第一實(shí)施例中一樣。導(dǎo)電材料可以具有和第一實(shí)施例相同的成分，并且可用和第一實(shí)施例相同的方法形成。至少一個(gè)介電內(nèi)襯12和至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40共同構(gòu)成至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)(12，40)，所 述至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)(12，40)被嵌入在襯底10中，并且形成在橫向上電絕緣的垂直導(dǎo)電路徑。至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40穿過抗反射層20，導(dǎo)電連接到襯底10的表面區(qū)域39，但不導(dǎo)電連接到襯底10的任何其它部分。特別地，導(dǎo)電貫穿襯底通孔40與襯底10的背面19電絕緣。按照和第一實(shí)施例中相同的方式進(jìn)行圖6A-9B的處理步驟，以提供圖12A和12B中所示的第二示例性光伏電池結(jié)構(gòu)。和第一實(shí)施例中一樣，第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50A起第一示例性光伏電池的一個(gè)節(jié)點(diǎn)的作用，而第二連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50B起第一示例性光伏電池的另一個(gè)節(jié)點(diǎn)的作用。第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50A通過包含導(dǎo)電材料的至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40和抗反射層20，與表面區(qū)域39進(jìn)行電接觸。參見圖13A和13B，通過使襯底10的至少一個(gè)部分從前側(cè)凹進(jìn)，可從圖9A和9B的第一示例性光伏電池結(jié)構(gòu)，或者從圖12A和12B的第二示例性光伏電池結(jié)構(gòu)，獲得按照本發(fā)明的第三優(yōu)選實(shí)施例的第三示例性光伏電池結(jié)構(gòu)。具體地，在抗反射層20的遠(yuǎn)端表面23上涂覆第四光阻材料67，并用光刻法圖案化以在其中形成至少一個(gè)開口。優(yōu)選地，使第四光阻材料67中的至少一個(gè)開口對(duì)準(zhǔn)位于襯底10內(nèi)的至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40。利用蝕刻，使第四光阻材料67中的至少一個(gè)開口中的圖案穿過抗反射層20，被轉(zhuǎn)印到襯底10的表面區(qū)域39。所述蝕刻可以是采用第四光阻材料67作為蝕刻掩模的各向異性蝕刻。所述蝕刻在襯底10的前側(cè)，即，在襯底10的包含表面區(qū)域39的一側(cè)上形成至少一個(gè)凹進(jìn)區(qū)域61。所述前側(cè)位于第一和第二連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)(50A，50B)的相對(duì)一側(cè)。在至少一個(gè)凹進(jìn)區(qū)域61中的每一個(gè)中，露出至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40的端面。優(yōu)選地，控制至少一個(gè)凹進(jìn)區(qū)域61的深度，以致每個(gè)凹進(jìn)區(qū)域61的底面位于襯底10的表面區(qū)域39內(nèi)。隨后相對(duì)于至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40，有選擇地除去第四光阻材料67。在第三實(shí)施例中，抗反射層20可以是介電材料、半導(dǎo)體材料或?qū)щ姴牧?。如果至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40是多個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40的一維陣列或二維陣列，那么至少一個(gè)凹進(jìn)區(qū)域61可以是多個(gè)凹進(jìn)區(qū)域61的一維陣列或二維陣列。和第一實(shí)施例中一樣，由于所有的導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)(50A，50B)設(shè)置在襯底10的背側(cè)上，因此第一示例性光伏電池結(jié)構(gòu)的前側(cè)可沒有任何導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)。從而，和現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相t匕，第二示例性光伏電池結(jié)構(gòu)提高了效率和/或緊湊性。參見圖14A和14B，通過在至少一個(gè)凹進(jìn)區(qū)域61中沉積導(dǎo)電材料，然后使導(dǎo)電材料平面化，可以形成至少一個(gè)導(dǎo)電插頭60。利用例如化學(xué)機(jī)械拋光、凹進(jìn)蝕刻或者它們的組合，可以實(shí)現(xiàn)平面化。至少一個(gè)導(dǎo)電插頭60的頂面可以與抗反射層20的遠(yuǎn)端表面23共面。至少一個(gè)導(dǎo)電插頭60接觸至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40，和襯底10的包含光伏材料的表面部分10。至少一個(gè)導(dǎo)電插頭60側(cè)向接觸抗反射層20的側(cè)壁。
如果至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40是多個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40的一維陣列或二維陣列，那么至少一個(gè)導(dǎo)電插頭60可以是多個(gè)導(dǎo)電插頭60的一維陣列或二維陣列。多個(gè)導(dǎo)電插頭60中的每一個(gè)都不接觸多個(gè)導(dǎo)電插頭60中的任何其它導(dǎo)電插頭60。至少一個(gè)導(dǎo)電插頭60的橫向尺寸可以大于、等于或小于至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40的橫向尺寸。從而，至少一個(gè)導(dǎo)電插頭覆蓋的面積可以大于、等于或小于至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40的水平截面積。至少一個(gè)導(dǎo)電插頭60的側(cè)壁接觸襯底10的表面區(qū)域39的側(cè)壁。至少一個(gè)導(dǎo)電插頭60的底面接觸在下面的導(dǎo)電貫穿襯底通孔40的端面，并且能夠接觸表面區(qū)域39的水平表面，這取決于至少一個(gè)導(dǎo)電插頭60的橫向長(zhǎng)度。第三示例性光伏電池結(jié)構(gòu)的前側(cè)散布有至少一個(gè)導(dǎo)電插頭60。至少一個(gè)導(dǎo)電插頭60中的每一個(gè)都不與在前側(cè)的至少一個(gè)導(dǎo)電插頭60中的另一個(gè)導(dǎo)電插頭60連接。從而，在第三示例性光伏電池結(jié)構(gòu)的前側(cè)上，不存在導(dǎo)線。至少一個(gè)導(dǎo)電插頭60覆蓋的面積可被最小化到比現(xiàn)有結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)的水平更小的水平。例如，現(xiàn)有光伏電池的正面上的金屬線覆蓋襯底面積的10%以上。相反，可以使用本發(fā)明的第三優(yōu)選實(shí)施例中的至少一個(gè)導(dǎo)電插 頭60覆蓋不到2%的襯底10的面積，而不存在性能的惡化，這是因?yàn)橹辽僖粋€(gè)導(dǎo)電插頭60 和至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40形成到襯底10的背側(cè)的有效并且較短的導(dǎo)電路徑，并且第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)50A能夠利用相當(dāng)大部分，例如40%以上的襯底面積來形成導(dǎo)電路徑。參見圖15A和15B，通過凹進(jìn)抗反射層20的至少一部分，可從圖12A和12B的第二示例性光伏電池結(jié)構(gòu)得到按照本發(fā)明的第四優(yōu)選實(shí)施例的第四示例性光伏電池結(jié)構(gòu)。在第四實(shí)施例中，抗反射層20可以是介電材料、半導(dǎo)體材料或者導(dǎo)電材料。例如，可在抗反射層20的遠(yuǎn)端表面23上涂覆第四光阻材料(未示出)，并用光刻法圖案化，從而在其中形成至少一個(gè)開口。優(yōu)選地，使第四光阻材料中的至少一個(gè)開口對(duì)準(zhǔn)位于襯底10內(nèi)的至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40。使第四光阻材料中的至少一個(gè)開口中的圖案穿過抗反射層20被轉(zhuǎn)印。第四光阻材料中的圖案被轉(zhuǎn)印或不被轉(zhuǎn)印到襯底10中。沉積導(dǎo)電材料層，并用光刻法圖案化，從而形成至少一個(gè)導(dǎo)電插頭60。至少一個(gè)導(dǎo)電插頭60接觸至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40的端面(一個(gè)或多個(gè))和襯底10的包含光伏材料的正面17。至少一個(gè)導(dǎo)電插頭60側(cè)向接觸抗反射層20的側(cè)壁。如果至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40是多個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔40的一維陣列或二維陣列，那么至少一個(gè)導(dǎo)電插頭60可以是多個(gè)導(dǎo)電插頭60的一維陣列或二維陣列。多個(gè)導(dǎo)電插頭60中的每一個(gè)都不接觸多個(gè)導(dǎo)電插頭60中的任何其它導(dǎo)電插頭60。盡管參考本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，具體示出和說明了本發(fā)明，不過本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)明白可以做出形式和細(xì)節(jié)方面的以上和其它變化，而不脫離本發(fā)明的范圍。于是，并非意欲將本發(fā)明局限于說明和例示的確切形式和細(xì)節(jié)，而是本發(fā)明落入附加權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。為了避免歧義，說明書和權(quán)利要求中使用的術(shù)語“包括”不應(yīng)被理解成意味著“僅僅由......組成”。
權(quán)利要求
1.一種光伏電池結(jié)構(gòu)，包括 襯底，所述襯底包含在用電磁輻射照射時(shí)在所述襯底的正面和背面之間產(chǎn)生非零電位的光伏材料； 嵌入所述襯底中的至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)； 第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)，所述第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)和所述背面間隔開，并且與所述至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔接觸；和 第二連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)，所述第二連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)與所述襯底的所述背面接觸，其中在所述第一和第二連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)之間提供所述非零電位。
2.按照權(quán)利要求I所述的光伏電池結(jié)構(gòu)，其中所述至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)都包含介電內(nèi)襯和導(dǎo)電貫穿襯底通孔，所述導(dǎo)電貫穿襯底通孔導(dǎo)電連接到所述襯底的表面部分，并且與所述背面電絕緣，所述表面部分位于所述正面上。
3.按照權(quán)利要求2所述的光伏電池結(jié)構(gòu)，其中在所述至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)內(nèi)的至少一個(gè)介電內(nèi)襯和至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔突出到所述襯底的所述背面之外。
4.按照權(quán)利要求3所述的光伏電池結(jié)構(gòu)，還包括圖案化介電層，所述圖案化介電層具有接觸所述背面的一部分的近端表面，和接觸所述至少一個(gè)介電內(nèi)襯的外側(cè)壁的垂直表面。
5.按照權(quán)利要求4所述的光伏電池結(jié)構(gòu)，其中所述圖案化介電層具有與所述至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔的表面大體共面的遠(yuǎn)端表面。
6.按照權(quán)利要求5所述的光伏電池結(jié)構(gòu)，其中所述第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)的近端表面與所述圖案化介電層的所述遠(yuǎn)端表面接觸，并且所述第一和第二連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)的垂直側(cè)壁直接鄰接所述圖案化介電層的所述遠(yuǎn)端表面。
7.按照權(quán)利要求4或5所述的光伏電池結(jié)構(gòu)，其中所述第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)的整個(gè)近端表面與所述圖案化介電層的遠(yuǎn)端表面共面，并且所述第二連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)端表面與所述第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)端表面共面。
8.按照權(quán)利要求2-7任意之一所述的光伏電池結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)電貫穿襯底通孔的端面位于所述襯底內(nèi)，并且與所述正面間隔開。
9.按照前述權(quán)利要求任意之一所述的光伏電池結(jié)構(gòu)，其中所述至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)是多個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)。
10.按照權(quán)利要求9所述的光伏電池結(jié)構(gòu)，其中所述多個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)是側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)的一維陣列，或者側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)的二維陣列。
11.按照前述權(quán)利要求任意之一所述的光伏電池結(jié)構(gòu)，還包括直接位于所述正面之上的抗反射層。
12.按照權(quán)利要求11所述的光伏電池結(jié)構(gòu)，其中所述抗反射層是導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電貫穿襯底通孔與所述抗反射層接觸。
13.按照權(quán)利要求11或12所述的光伏電池結(jié)構(gòu)，其中所述光伏電池結(jié)構(gòu)還包括至少一個(gè)導(dǎo)電插頭，所述至少一個(gè)導(dǎo)電插頭接觸所述至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔的表面，并且接觸所述襯底的所述表面部分。
14.按照權(quán)利要求13所述的光伏電池結(jié)構(gòu)，其中所述至少一個(gè)導(dǎo)電插頭是多個(gè)導(dǎo)電插頭的一維陣列，或者多個(gè)導(dǎo)電插頭的二維陣列。
15.按照權(quán)利要求13或14所述的光伏電池結(jié)構(gòu)，其中所述至少一個(gè)導(dǎo)電插頭側(cè)向接觸所述抗反射層的側(cè)壁。
16.按照前述權(quán)利要求任意之一所述的光伏電池結(jié)構(gòu)，其中所述襯底包含在位于所述正面和所述背面之間的表面上形成p-n結(jié)的P摻雜半導(dǎo)體材料和η-摻雜半導(dǎo)體材料。
17.一種形成光伏電池結(jié)構(gòu)的方法，包括 在襯底的背面上形成介電層，所述襯底包含在用電磁輻射照射時(shí)在所述襯底的正面和背面之間產(chǎn)生非零電位的光伏材料； 在所述襯底中形成至少一個(gè)貫穿襯底溝道； 通過填充所述至少一個(gè)貫穿襯底溝道，在所述襯底中形成至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)； 在所述至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔上形成第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)，其中利用所述介電層把所述第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)和所述背面間隔開；和 在所述襯底的所述背面上直接形成第二連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)，其中在所述第一和第二連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)之間提供所述非零電位。
18.按照權(quán)利要求17所述的方法，其中所述至少一個(gè)貫穿襯底溝道從所述介電層的遠(yuǎn)端表面延伸到所述襯底的表面部分，并且所述至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)都包含介電內(nèi)襯和導(dǎo)電貫穿襯底通孔，所述導(dǎo)電貫穿襯底通孔導(dǎo)電連接到所述表面部分，并且與所述背面電絕緣，所述表面部分位于所述正面上。
19.按照權(quán)利要求18所述的方法，其中通過沉積和各向異性地蝕刻介電材料層，在所述至少一個(gè)貫穿襯底溝道中形成所述至少一個(gè)介電內(nèi)襯，其中所述至少一個(gè)介電內(nèi)襯突出到所述襯底的所述背面之外，并接觸所述介電層的側(cè)壁。
20.按照權(quán)利要求18所述的方法，其中所述至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔的一部分被所述介電層側(cè)向圍繞，并突出到所述襯底的所述背面之外。
21.按照權(quán)利要求17-20任意之一所述的方法，還包括使所述介電層圖案化，以露出所述襯底的所述背面的一部分。
22.按照權(quán)利要求17-21任意之一所述的方法，還包括在所述襯底的所述背面和所述至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔上沉積導(dǎo)電材料層。
23.按照權(quán)利要求17-22任意之一所述的方法，還包括使所述導(dǎo)電材料層圖案化，其中所述導(dǎo)電材料層的第一剩余部分是所述第一連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)，而所述導(dǎo)電材料層的第二剩余部分是所述第二連續(xù)金屬配線結(jié)構(gòu)。
24.按照權(quán)利要求17-23任意之一所述的方法，還包括 在所述正面上形成至少一個(gè)凹進(jìn)區(qū)域，以露出所述至少一個(gè)側(cè)向絕緣的貫穿襯底接觸結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔的至少一個(gè)端面；和 形成接觸所述至少一個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔和所述襯底的表面部分的至少一個(gè)導(dǎo)電插頭，其中所述表面部分位于所述正面上。
25.按照權(quán)利要求24所述的方法，其中所述至少一個(gè)導(dǎo)電插頭是多個(gè)導(dǎo)電插頭，并且所述多個(gè)導(dǎo)電插頭中的每一個(gè)都不接觸所述多個(gè)導(dǎo)電插頭中的任何其它導(dǎo)電插頭。
全文摘要
本公開涉及用于光伏電池的無柵線接觸。與光伏電池的前側(cè)的電接觸由導(dǎo)電貫穿襯底通孔的陣列和可選地，位于光伏電池的前側(cè)的導(dǎo)電塊的陣列形成。介電內(nèi)襯提供每個(gè)導(dǎo)電貫穿襯底通孔和光伏電池的半導(dǎo)體材料的電絕緣。在光伏電池的背側(cè)的介電層被圖案化，以覆蓋包括所有導(dǎo)電貫穿襯底通孔的連續(xù)區(qū)域，同時(shí)露出光伏電池的背側(cè)的一部分。在光伏電池的背面沉積導(dǎo)電材料層，然后使之圖案化，從而形成電連接導(dǎo)電貫穿襯底通孔的第一導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)，和提供到光伏電池的背側(cè)的電連接的第二導(dǎo)電配線結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01L31/068GK102906883SQ201080052233
公開日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2010年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月19日
發(fā)明者N·穆門, Y·馬丁, T·G·范·科塞爾, R·桑德斯特羅姆, S·古哈 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司