專利名稱：多環(huán)稠環(huán)化合物以及使用該多環(huán)稠環(huán)化合物的有機薄膜晶體管的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及多環(huán)稠環(huán)化合物以及使用該多環(huán)稠環(huán)化合物的有機薄膜晶體管。
背景技術：
薄膜晶體管(TFT Thin Film Transistor)作為液晶顯示裝置等的顯示用的開關而被廣泛使用。代表性的TFT在基板上依次具有柵電極、絕緣體層、半導體層，且在半導體層上具有隔著規(guī)定的間隔而形成的源電極和漏電極。通過使有機半導體層形成溝道區(qū)域且利用對柵電極施加的電壓控制流過源電極與漏電極之間的電流，從而進行開/關工作。以往，上述TFT是使用無定形硅或多結(jié)晶硅而制作的，但是存在用于制作使用這類硅的TFT的CVD裝置非常昂貴，且使用TFT的顯示裝置等的大型化伴隨著制造成本的大 幅増加這樣的問題。另外，使無定形硅或多結(jié)晶硅成膜的エ藝需要在非常高的溫度下進行，因此，可作為基板使用的材料的種類受到限制，因此存在無法使用輕質(zhì)的樹脂基板等這樣的問題。為了解決這樣的問題，提出了使用有機物代替無定形硅或多結(jié)晶硅而制得的TFT (以下有時簡稱為有機TFT。)。作為利用有機物形成TFT時所使用的成膜方法，已知真空蒸鍍法、涂布法等，利用這些成膜方法，能夠在抑制制造成本的上升的同時實現(xiàn)元件的大型化，能夠使成膜時所需的エ藝溫度達到比較低的溫度。因此，就有機TFT而言，具有選擇用于基板的材料時的限制少這樣的優(yōu)點，因而它的實用化受到期待，且進行了大量地研究報道。實用的有機TFT需要高的載流子移動度(以下有時簡稱為移動度)、大的電流的開/關比、優(yōu)異的保存穩(wěn)定性。應予說明，這里所說的開/關比是施加柵極電壓時(開)流過源極與漏極之間的電流除以未施加柵極電壓時(關)流過源極與漏極之間的電流而得的值，開電流通常是指使柵極電壓增加且流過源極與漏極之間的電流達到飽和時的電流值(飽和電流)。作為用于有機TFT的P型有機物半導體材料，已知共軛系聚合物和噻吩等的多聚體、金屬酞菁化合物、并五苯等多環(huán)稠環(huán)化合物等，但是截止目前為止，尚未開發(fā)出可全部滿足所需性能的有機半導體材料。在上述示出的有機物半導體中，作為多環(huán)稠環(huán)化合物的并五苯作為通過其自身的η共軛系而顯示出在無定形硅之間的高載流子移動度的材料而受到關注并進行了廣泛的研究，但是已知在大氣中的保存穩(wěn)定性低這樣的缺點。基于這樣的背景，作為具有保存穩(wěn)定性且顯示出高載流子移動度的材料，已經(jīng)研究了各種多環(huán)稠環(huán)化合物。例如，在學會上已經(jīng)報告了 在苯環(huán)上稠合2個苯并呋喃骨架而得的5環(huán)的多環(huán)稠環(huán)化合物作為有機TFT的有機半導體層的材料可按照載流子移動度2 X Kr1CmVVs臺的方式加以使用(非專利文獻I)。另外，作為有機TFT的有機半導體層的材料，還提出了在萘環(huán)上稠合2個呋喃環(huán)而得的4環(huán)的多環(huán)稠環(huán)化合物、在蒽環(huán)上稠合2個呋喃環(huán)而得的5環(huán)的多環(huán)稠環(huán)化合物，但是對于6個環(huán)的多環(huán)稠環(huán)化合物，沒有具體的例示等記載(專利文獻I)。另外，已合成了下述示出的化合物(非專利文獻2 4)。但是，并未顯示出作為有
機半導體材料的性能。
權利要求
1.一種下式(I)表示的有機薄膜晶體管用化合物，
2.一種下式(2)表示的多環(huán)稠環(huán)化合物；
3.一種有機薄膜晶體管用材料，其特征在于，含有權利要求I或2所述的式(I)或式(2)表不的化合物。
4.一種有機薄膜晶體管，其是在基板上至少設置有柵電極、源電極和漏電極這三個端子、絕緣體層以及有機半導體層，且通過對柵電極施加電壓來控制源極與漏極之間的電流的有機薄膜晶體管； 其中，所述有機半導體層含有權利要求I或2所述的式(I)或式(2)表示的化合物。
5.根據(jù)權利要求4所述的有機薄膜晶體管，其利用流過源極與漏極之間的電流而進行發(fā)光，且通過對柵電極施加電壓來控制發(fā)光。
6.根據(jù)權利要求5所述的有機薄膜晶體管，其中， 源電極和漏電極中的一個電極包含功函數(shù)4. 2eV以上的物質(zhì)，另ー個電極包含功函數(shù)4.3eV以下的物質(zhì)。
7.根據(jù)權利要求4 6中任一項所述的有機薄膜晶 體管，其在源電極與有機半導體層之間以及在漏電極與有機半導體層之間具有緩沖層。
8.ー種裝置，其具有權利要求4 7中任一項所述的有機薄膜晶體管。
全文摘要
一種下式(1)表示的有機薄膜晶體管用化合物。
文檔編號H01L51/30GK102666549SQ20108005632
公開日2012年9月12日 申請日期2010年12月13日 優(yōu)先權日2009年12月14日
發(fā)明者中村浩昭, 栗原直樹, 河村昌宏, 砂川美佐, 近藤浩史, 齊藤雅俊 申請人:出光興產(chǎn)株式會社