專利名稱：半導體晶片收納容器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體晶片收納容器。
背景技術：
半導體晶片收納容器大多都具有用于將多片半導體晶片以并列排列的狀態(tài)收納的容器主體。在容器主體上形成有用于取送半導體晶片的晶片取送開口，在晶片取送開口上以拆裝自如的方式從外側安裝有用于封堵該晶片取送開口的蓋體。另外，需要防止收納在容器主體內(nèi)的半導體晶片被灰塵或有害氣體等污染。因此，設置有將蓋體的緣部與晶片取送開口的緣部之間密封的墊圈，由此封閉了容器主體與蓋體之間的間隙。 這種墊圈作為整體形成為與晶片取送開口的緣部的形狀相匹配的環(huán)狀。而且，通過使墊圈夾在蓋體側與容器主體側之間并彈性變形，而使蓋體的緣部與晶片取送開口的緣部之間的間隙被密封(例如，專利文獻1、2)。現(xiàn)行技術文獻專利文獻I :日本特開2007-247870專利文獻2 :日本特開2007-308161在上述半導體晶片收納容器中，通過將蓋體的緣部與晶片取送開口的緣部之間用墊圈密封，而使半導體晶片與外部環(huán)境隔離，由此保持不被灰塵或有害氣體等污染的狀態(tài)。但是，在為了從半導體晶片收納容器內(nèi)取出半導體晶片而打開蓋體時，直到彈性變形的墊圈恢復到原來的形狀為止的期間內(nèi)，即，在墊圈保持有密封性的狀態(tài)下蓋體向打開方向移動的過程中，容器主體內(nèi)暫時形成負壓。而且，打開蓋體直到成為間隙未被墊圈密封的狀態(tài)為止，在蓋體的緣部與晶片取送開口的緣部之間出現(xiàn)間隙的瞬間，外部空氣從該間隙被吸入到容器主體內(nèi)。這樣，通過由此產(chǎn)生的快速空氣流，而導致附著在蓋體和墊圈的外表面等上的微小灰塵等有可能從間隙侵入到容器內(nèi)。而且，一旦這種灰塵附著到半導體晶片的表面上，就會產(chǎn)生由該半導體晶片制作的半導體產(chǎn)品成為不良的可能性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種半導體晶片收納容器，在將蓋體的緣部與晶片取送開口的緣部之間用具有彈性的墊圈密封的半導體晶片收納容器中，能夠防止在蓋體打開的瞬間從外部吸入的灰塵等對半導體晶片造成污染。為了達成上述目的，本發(fā)明的半導體晶片收納容器設置有用于將多片半導體晶片以并列排列的狀態(tài)收納的容器主體；在相對于收納在容器主體內(nèi)的狀態(tài)的半導體晶片的面垂直的方向上，形成在容器主體上的晶片取送開口 ；為了封堵晶片取送開口而以拆裝自如的方式從外側安裝在晶片取送開口上的蓋體；和在蓋體安裝在晶片取送開口上的狀態(tài)下，通過夾在蓋體側與容器主體側之間并彈性變形而將蓋體的緣部與晶片取送開口的緣部之間密封的墊圈，其中，在晶片取送開口由蓋體封閉且蓋體的緣部與晶片取送開口的緣部之間由墊圈密封的狀態(tài)下的墊圈的變形量的大小，與將晶片取送開口的緣部中的與半導體晶片的面平行的緣部密封的區(qū)域相比，在將與半導體晶片的面垂直的緣部密封的區(qū)域內(nèi)形成得較小，當使蓋體在晶片取送開口打開的方向上移動時，與晶片取送開口的緣部中的相對于半導體晶片的面為平行方向的緣部相比，從相對于半導體晶片的面為垂直方向的緣部開始，率先成為使容器主體的內(nèi)外連通的狀態(tài)。此外，也可以為，晶片取送開口形成為大致長方形狀。而且，也可以為，墊圈的變形量的大小僅在相對于半導體晶片的面為垂直方向的緣部的中間區(qū)域內(nèi)形成得較小，在晶片取送開口的緣部中的相對于半導體晶片的面為垂直方向的緣部的30 % 80 %的區(qū)域內(nèi)，與其他區(qū)域相比，墊圈的變形量的大小形成得較小。另外，也可以為，墊圈的變形量的大小在將晶片取送開口所具有的相對于半導體晶片的面為垂直方向的兩個緣部中的至少一方的緣部密封的部分上，與將與半導體晶片的面平行的區(qū)域密封的部分相比形成得較小。另外，也可以為，墊圈作為整體形成為環(huán)狀，其內(nèi)緣側的部分氣密地安裝在蓋體 偵牝外緣側的部分相對于容器主體側向蓋體的閉合方向被按壓而使墊圈彈性變形。而且，也可以為，墊圈的外緣側的部分形成為朝向容器主體側且傾斜突出的檐狀。這種情況下，也可以為，使墊圈的檐狀部分的突出長度在全周范圍內(nèi)恒定地形成，根據(jù)部位而改變檐狀部分的傾斜角度，由此形成變形量的大小。或者，也可以為，使墊圈的檐狀部分的傾斜角度在全周范圍內(nèi)恒定地形成，根據(jù)部位而改變檐狀部分的突出長度，由此形成變形量的大小。
發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，當打開蓋體時，在容器主體的晶片取送開口的緣部中，與相對于半導體晶片的面為平行方向的緣部相比，從相對于晶片的面為垂直方向的緣部開始，率先成為使容器主體的內(nèi)外連通的狀態(tài)，因此，屆時從外部吸入的灰塵等不會與半導體晶片的表面接觸而是落到容器主體的底部，由此半導體晶片不會被灰塵等污染。


圖I是表示本發(fā)明的第一實施例的半導體晶片收納容器的整體結構的立體圖。圖2是本發(fā)明的第一實施例的半導體晶片收納容器的俯視剖視圖。圖3是在本發(fā)明的第一實施例的半導體晶片收納容器中，蓋體封閉狀態(tài)的局部剖視圖。圖4是在本發(fā)明的第一實施例的半導體晶片收納容器中，蓋體打開狀態(tài)的局部剖視圖((A)為垂直方向的緣部，(B)為水平方向的緣部)。圖5是本發(fā)明的第一實施例的半導體晶片收納容器的墊圈的主視圖。圖6是在本發(fā)明的第二實施例的半導體晶片收納容器中，蓋體打開狀態(tài)的局部剖視圖((A)為垂直方向的緣部，(B)為水平方向的緣部)。
具體實施例方式以下，參照附圖對本發(fā)明的實施例進行說明。
圖I表示半導體晶片收納容器的整體結構。I是用于將多片半導體晶片W以并列排列的狀態(tài)收納的容器主體。圖中，僅圖示了一片半導體晶片W。在容器主體I的前側的側面(前表面)上，在相對于收納在容器主體I內(nèi)的狀態(tài)的半導體晶片W的面垂直的朝向上，形成有晶片取送開口 2。晶片取送開口 2形成為大致長方形狀。多片半導體晶片W以相互之間隔開恒定間隔地各自水平且使軸線一致的方式收納在容器主體I內(nèi)。3是為了以這種方式保持各半導體晶片W而設置在容器主體I的內(nèi)表面上的晶片保持槽。
5是為了封堵晶片取送開口 2而從外側拆裝自如地安裝在晶片取送開口 2上的蓋體。蓋體5與晶片取送開口 2的形狀相匹配而形成為大致長方形狀。在蓋體5的內(nèi)壁部上，設置有用于將多片半導體晶片W保持在彈性壓入到容器主體I內(nèi)側的狀態(tài)下的保持器，但未在圖中表示。在蓋體5上，設置有一對用于保持晶片取送開口 2的封堵狀態(tài)的手動的閂鎖機構
6。若使閂鎖機構6動作而解開與容器主體I側的卡合，則蓋體5成為相對于晶片取送開口2拆裝自如的狀態(tài)。8是在蓋體5安裝到晶片取送開口 2上的狀態(tài)下，將蓋體5的外緣部與晶片取送開口 2的內(nèi)緣部之間的間隙密封的墊圈。墊圈8與蓋體5的緣部和晶片取送開口 2的緣部的形狀相匹配，作為整體形成為大致長方形的環(huán)狀。由具有彈性的材料形成的墊圈8在蓋體5安裝到晶片取送開口 2上的狀態(tài)下，夾在蓋體5側與容器主體I側之間而彈性變形，由此，成為將蓋體5的緣部與晶片取送開口 2的緣部之間的間隙密封的狀態(tài)。圖2是簡略表示半導體晶片W收納在容器主體I內(nèi)的狀態(tài)下的半導體晶片收納容器的俯視剖視圖。但是，省略了晶片保持槽3等的圖示。形成為圓盤狀的半導體晶片W的外緣，在晶片取送開口 2的中央位置C附近位于非常接近蓋體5的位置上，而在晶片取送開口 2的左右兩端部S側則位于遠離蓋體5的位置上。因此，在晶片取送開口 2的中央位置C附近，若灰塵等從蓋體5的緣部與晶片取送開口 2的緣部之間的間隙中被吸入到容器主體I內(nèi)，則該灰塵掉落并附著到半導體晶片W的表面上的可能性較大。但是，在晶片取送開口 2的兩端部S側附近，若灰塵等從蓋體5的緣部與晶片取送開口 2的緣部之間的間隙中被吸入到容器主體I內(nèi)，則該灰塵不與半導體晶片W的表面接觸而落到容器主體I的底部的可能性較大。因此，在本發(fā)明的半導體晶片收納容器中，通過設計墊圈8的形狀，而在將封閉晶片取送開口 2的蓋體5打開時，首先率先從晶片取送開口 2的兩端部S側開始將容器主體I的內(nèi)外連通，以使在晶片取送開口 2的中央位置C附近不產(chǎn)生將灰塵吸入的空氣流動。以下，對該內(nèi)容進行說明。圖3是表示蓋體5安裝在容器主體I的晶片取送開口 2上，且蓋體5的緣部與晶片取送開口 2的緣部之間的間隙由墊圈8密封的狀態(tài)的局部剖視圖。在由蓋體5將晶片取送開口 2封閉的狀態(tài)下，墊圈8在全周范圍內(nèi)成為圖3所示的狀態(tài)。即，作為整體形成為環(huán)狀的墊圈8的內(nèi)緣側的部分，在全周范圍內(nèi)氣密地嵌入到形成于蓋體5側的嵌入槽9內(nèi)。8A是其內(nèi)緣側嵌入部。另一方面，墊圈8的外緣側的部分形成為從內(nèi)緣側嵌入部8A朝向著容器主體I側且向斜外側突出的檐狀。SB為該檐狀部(檐狀的部分)。檐狀部8B從蓋體5側向容器主體I側被向著蓋體5的閉合方向按壓并彈性變形，由此，在全周范圍內(nèi)使蓋體5的緣部與晶片取送開口 2的緣部之間的間隙密封。但是，該狀態(tài)下的墊圈8的變形量(即，蓋體5的開閉方向上的墊圈8的彈性變形量)的大小，與將晶片取送開口 2的緣部中的與半導體晶片W的面平行的緣部(圖I所示的2h)密封的水平部分(8h)相比，在將與半導體晶片W的面垂直的緣部(2p)密封的垂直部分(8p)上形成得較小。S卩，如圖4的(A)、⑶中表示的蓋體5從晶片取送開口 2離開且墊圈8恢復成自然形狀的狀態(tài)所示，墊圈8的檐狀部SB的突出長度(檐長度) 在全周范圍內(nèi)恒定地形成，根據(jù)部位而改變檐狀部8B的傾斜角度，由此，與墊圈8的水平部分8h上的檐狀部8B的變形量Xh相比，垂直部分8p上的檐狀部8B的變形量Xp形成得較小。即為Xp < Xh。但是，無需將檐狀部8B的垂直部分8p整體形成為小的變形量Xp，只要例如使垂直部分8p的至少30%左右以上的范圍形成為小的變形量Xp即可。另外，在作為整體形成為長方形的墊圈8的四角的附近部分上，從確保密封的可靠性等觀點出發(fā)，具有期望不縮小變形量的情況。其結果是，如圖5中表示的墊圈8的主視圖所示，墊圈8的垂直部分8p中的變形量較小的區(qū)域S只要能夠形成在靠近中央的約30% 80%的范圍內(nèi)即可。另外，只要在墊圈8的兩個垂直部分8p中的至少一方上形成變形量較小的區(qū)域即可。在由此構成的實施例的半導體晶片收納容器中，當從如圖3所示的蓋體5將容器主體I的晶片取送開口 2封堵的狀態(tài)，使蓋體5如圖4所示地向晶片取送開口 2打開的方向移動時，與晶片取送開口 2的水平的緣部2h相比在垂直的緣部2p上，率先失去墊圈8的密封性而成為容器主體I的內(nèi)外連通的狀態(tài)。由此，在晶片取送開口 2的水平的緣部2h上不會產(chǎn)生將附著在蓋體5或墊圈8的外表面等上的灰塵吸入的空氣流動，雖然存在從垂直的緣部2p側將灰塵等吸入到容器主體I內(nèi)的情況，但是這樣的灰塵不會與半導體晶片W的表面接觸而是落到容器主體I的底部。此外，本發(fā)明并不限定于上述實施例，例如，如圖6中表示的第二實施例所示，使墊圈8的檐狀部8B的傾斜角度在全周范圍內(nèi)恒定地形成，并根據(jù)部位而改變檐狀部8B的突出長度(檐長度)，由此也可以形成變形量Xh、Xp的大小。另外，通過使檐狀部SB的硬度或厚度發(fā)生變化，也可以形成變形量Xh、Xp的大小。另外，墊圈8的變形量的大小不需要一定在晶片取送開口 2的水平的緣部2h的整個區(qū)域內(nèi)相同。即，與水平的緣部2h的中央附近相比，在水平的緣部2h的其他區(qū)域內(nèi)也可以減少墊圈8的變形量。另外，水平的緣部2h在晶片取送開口 2的上側和下側形成有一對，但是，與其上側相比，也可以在下側減少墊圈8的變形量。這是因為，即使從位于下側的水平的緣部2h吸入灰塵，只要該灰塵保持狀態(tài)不變地落到容器主體I的底面上，就不會對半導體晶片W造成不良影響。
另外，本發(fā)明也可以適用于將多片半導體晶片W分別垂直地立在容器主體I內(nèi)并同軸排列地收納的半導體晶片收納容器，在該情況下，只要構成為從長方形的晶片取送開口 2的下端側的緣部開始率先使容器主體I的內(nèi)外連通即可。另外，在上述各實施例中，使墊圈8嵌入在蓋體5側并向容器主體I側按壓，但是，與此相反地，也可以是使墊圈8安裝在容器主體I側并向蓋體5側按壓的結構。進一步地，在上述各實施例中，通過改變墊圈8的剖面形狀而構成為使變形量根據(jù)部位而不同，但是，不改變墊圈8的剖面形狀，通過改變按壓墊圈8的容器主體I側或蓋體5側的面的位置(面的高度)，也可以構成為使墊圈8的變形量根據(jù)部位而不同。附圖標記說明
1容器主體
2晶片取送開口
2h 水平的緣部(與半導體晶片的面平行的緣部)
2p 垂直的緣部(與半導體晶片的面垂直的緣部)
5 蓋體 8 墊圈 8A 內(nèi)緣側嵌入部 8B 檐狀部 8h 水平部分 8p 垂直部分 W 半導體晶片 Xh、Xp 墊圈的變形量
權利要求
1.一種半導體晶片收納容器，其設置有用于將多片半導體晶片以并列排列的狀態(tài)收納的容器主體；在相對于收納在上述容器主體內(nèi)的狀態(tài)的半導體晶片的面垂直的方向上，形成在上述容器主體上的晶片取送開口 ；為了封堵上述晶片取送開口而以拆裝自如的方式從外側安裝在上述晶片取送開口上的蓋體；和在上述蓋體安裝在上述晶片取送開口上的狀態(tài)下，通過夾在上述蓋體側與上述容器主體側之間并彈性變形而將上述蓋體的緣部與上述晶片取送開口的緣部之間密封的墊圈，其特征在于， 在上述晶片取送開口由上述蓋體封閉且上述蓋體的緣部與上述晶片取送開口的緣部之間由上述墊圈密封的狀態(tài)下的上述墊圈的變形量的大小，與將上述晶片取送開口的緣部中的與上述半導體晶片的面平行的緣部密封的區(qū)域相比，在將與上述半導體晶片的面垂直的緣部密封的區(qū)域內(nèi)形成得較小， 當使上述蓋體在上述晶片取送開口打開的方向上移動時，與上述晶片取送開口的緣部中的相對于上述半導體晶片的面為平行方向的緣部相比，從相對于上述半導體晶片的面為垂直方向的緣部開始，率先成為使上述容器主體的內(nèi)外連通的狀態(tài)。
2.根據(jù)權利要求I所述的半導體晶片收納容器，其特征在于，上述晶片取送開口形成為大致長方形狀。
3.根據(jù)權利要求2所述的半導體晶片收納容器，其特征在于，上述墊圈的變形量的大小，僅在相對于上述半導體晶片的面為垂直方向的緣部的中間區(qū)域內(nèi)形成得較小。
4.根據(jù)權利要求3所述的半導體晶片收納容器，其特征在于，在上述晶片取送開口的緣部中的相對于上述半導體晶片的面為垂直方向的緣部的30 % 80 %的區(qū)域內(nèi)，與其他區(qū)域相比，上述墊圈的變形量的大小形成得較小。
5.根據(jù)權利要求2所述的半導體晶片收納容器，其特征在于，上述墊圈的變形量的大小，在將上述晶片取送開口所具有的相對于上述半導體晶片的面為垂直方向的兩個緣部中的至少一方的緣部密封的部分上，與將與上述半導體晶片的面平行的區(qū)域密封的部分相比形成得較小。
6.根據(jù)權利要求I所述的半導體晶片收納容器，其特征在于，上述墊圈作為整體形成為環(huán)狀，其內(nèi)緣側的部分氣密地安裝在上述蓋體側，外緣側的部分相對于上述容器主體側向上述蓋體的閉合方向被按壓而使上述墊圈彈性變形。
7.根據(jù)權利要求6所述的半導體晶片收納容器，其特征在于，上述墊圈的外緣側的部分形成為朝向上述容器主體側且傾斜突出的檐狀。
8.根據(jù)權利要求7所述的半導體晶片收納容器，其特征在于，使上述墊圈的上述檐狀的部分的突出長度在全周范圍內(nèi)恒定地形成，根據(jù)部位而改變上述檐狀部分的傾斜角度，由此形成上述變形量的大小。
9.根據(jù)權利要求7所述的半導體晶片收納容器，其特征在于，使上述墊圈的上述檐狀部分的傾斜角度在全周范圍內(nèi)恒定地形成，根據(jù)部位而改變上述檐狀部分的突出長度，由此形成上述變形量的大小。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導體晶片收納容器，在晶片取送開口(2)由蓋體(5)封閉且蓋體(5)的緣部與晶片取送開口(2)的緣部之間由墊圈(8)密封的狀態(tài)下，墊圈(8)的變形量(Xh、Xp)的大小與將與晶片取送開口(2)的緣部中的與半導體晶片(W)的面平行的緣部(2h)密封的區(qū)域相比，在將與半導體晶片(W)的面垂直的緣部(2p)密封的區(qū)域內(nèi)形成得較小，由此，在蓋體(5)打開的瞬間從外部吸入的灰塵等不會對半導體晶片(W)造成污染。
文檔編號H01L21/673GK102725837SQ201080062170
公開日2012年10月10日 申請日期2010年1月26日 優(yōu)先權日2010年1月26日
發(fā)明者永島剛 申請人:未來兒株式會社