專利名稱：氮化物半導(dǎo)體晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明內(nèi)容涉及氮化物半導(dǎo)體晶體管。
背景技術(shù)：
以氮化鎵(GaN)為代表的III族氮化物半導(dǎo)體(以下簡稱為氮化物半導(dǎo)體)具有寬帶隙以及高絕緣破壞電場之類的超越硅(Si)、神化鎵(GaAs)的優(yōu)良物性值，因而有希望被作為在高輸出晶體管中使用的新材料。氮化物半導(dǎo)體通過改變其混晶比率，由此能夠自由地改變帶隙。例如，在使AlGaN、GaN之類的帶隙互不相同的氮化物半導(dǎo)體層接合的AlGaN/GaN異質(zhì)構(gòu)造(heterostrcture)中，在結(jié)晶取向的(0001)面上由于自發(fā)極化以及壓電極化而使得在異質(zhì)界面產(chǎn)生電荷，因而即便在未摻雜時也能夠獲得IXlO13cnT2以上的片載流子濃度(sheet carrier concentration)。為此,將在該異質(zhì)界面產(chǎn)生的電荷用 作溝道的異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管(Hetero-junction Field Effect Transistor :HFET),由于能夠?qū)崿F(xiàn)高的電流密度，因而可進(jìn)行高輸出化，尤其在研究開發(fā)方面較為盛行。本申請發(fā)明者們迄今為止提出了從柵電極向溝道注入空穴，進(jìn)而能驅(qū)動漏極電流的這種柵極注入型晶體管(GIT)，并進(jìn)行了開發(fā)(例如，參照專利文獻(xiàn)I。)。GIT采用在通常的HFET構(gòu)造的柵極部中設(shè)置了用于注入空穴的p型層的構(gòu)造。下面，說明GIT的工作，首先作為第I階段，通過不伴有柵極電流的前提下施加?xùn)艠O電壓使得漏極電流開始流動。若進(jìn)ー步提高柵極電壓，則空穴從柵電極正下方的P型層流入溝道。由此，產(chǎn)生溝道的電子和被注入的空穴的再次結(jié)合，因而作為第2階段，還流動漏極電流。經(jīng)由這兩個階段，GIT能夠?qū)崿F(xiàn)高的漏極電流的驅(qū)動特性。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開2006-339561號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的技術(shù)問題然而，GIT根據(jù)其工作原理由于流入柵極電流，因而存在著必然包含因其電流成分所帯來的損耗這一問題。在經(jīng)由柵電極的電流成分中包含空穴電流和電子電流。GIT通過從柵電極流過空穴電流來控制流向漏電極的電子電流。但是，由于電子的高遷移率，電子電流的一部分會流入柵電極，即產(chǎn)生所謂的溢出。溢出直接關(guān)系到電カ損耗。為此，需要在極力抑制電子電流的同時使空穴電流容易流過。為了抑制電子電流，只要盡量提高p型層的傳導(dǎo)帶不連續(xù)量即可。通常使用GaN作為P型層，但是通過將P型層設(shè)為AlGaN或AlN等由此能夠大幅度地降低電子電流。但是，AlGaN以及AlN的空穴的活性化率非常低。為此，若提高p型層的Al成分，則活性化率會急劇下降，柵極驅(qū)動電壓大幅度地増加。因此，不容易將P型層置換成AlGaN等。本發(fā)明正是為了解決上述問題而提出的，其目的在于能實現(xiàn)降低了電カ損耗的氮化物半導(dǎo)體晶體管。用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明將氮化物半導(dǎo)體晶體管設(shè)為具備由多重量子勢壘構(gòu)造構(gòu)成的電子電流抑制層的構(gòu)成。具體而言，本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體晶體管，具備異質(zhì)結(jié)層，其層疊了極化互不相同的多個氮化物半導(dǎo)體層；柵電極，其形成在異質(zhì)結(jié)層之上；和電子電流抑制層，其形成在異質(zhì)結(jié)層與柵電極之間，并具有P型的導(dǎo)電性，使空穴電流流過且抑制電子電流。本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體晶體管能夠向形成于異質(zhì)結(jié)層的溝道注入空穴，并且能夠抑制因溢出所引起的電子電流。因而，能夠抑制柵極電流，可以大幅度降低氮化物半導(dǎo)體晶體管的電カ損耗。在本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體晶體管中，電子電流抑制層也可設(shè)為包括極化互不相同 的多個層在內(nèi)的層疊體。在該情況下，多個層的每ー層也可分別設(shè)為包括硼、鋁、鎵以及銦中的至少ー個在內(nèi)的氮化物半導(dǎo)體。另外，優(yōu)選多個層的每ー層的厚度不是周期性地發(fā)生變化。本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體晶體管也可還具備接觸層，該接觸層形成在電子電流抑制層與柵電極之間，且包括濃度比其他層高的P型雜質(zhì)。本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體晶體管也可還具備源電極以及漏電極，分別形成在柵電極的兩側(cè)。在本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體晶體管中，異質(zhì)結(jié)層也可形成在基板之上，基板設(shè)為硅基板、藍(lán)寶石基板或者碳化硅基板。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體晶體管，能夠?qū)崿F(xiàn)降低了電カ損耗的氮化物半導(dǎo)體晶體管。


圖I是表示通過仿真求出的柵極電壓與柵極電流之間的關(guān)系以及柵極電壓與漏極電流之間關(guān)系的結(jié)果的圖。圖2是表示用于說明柵極電流與漏極電流之間關(guān)系的晶體管的構(gòu)造的剖視圖。圖3是表示MQB構(gòu)造的電勢的圖。圖4是表示通過計算求出了基于MQB構(gòu)造的電子波的反射的結(jié)果的圖。圖5是表示使膜厚發(fā)生變化時的電子電流抑制層的電勢的圖。圖6是表示使組成發(fā)生變化時的電子電流抑制層的電勢的圖。圖7是通過計算求出了使膜厚發(fā)生變化時的電子電流抑制層所引起的電子波的反射的結(jié)果的圖。圖8是表示通過計算求出了使組成發(fā)生變化時的電子電流抑制層所引起的電子波的反射的結(jié)果的圖。圖9是使用了 P型GaN層時的柵極部的電勢圖。圖10是具備電流抑制層時的柵極部的電勢圖。圖11是按照エ序順序表示ー實施方式涉及的氮化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法的首1J視圖。圖12是表示現(xiàn)有的氮化物半導(dǎo)體晶體管的工作特性的圖。圖13是表示ー實施方式涉及的氮化物半導(dǎo)體晶體管的工作特性的圖。
具體實施例方式(原理)首先，針對用于降低作為氮化物半導(dǎo)體晶體管的GIT的電カ損耗的原理進(jìn)行說明。圖I示出使用器件仿真器計算出使柵極電壓Vgs向正方向發(fā)生變化時的柵極電流Igs以及漏極電流Ids的結(jié)果。計算中用到的器件采用下述構(gòu)造厚度為2 的GaN層、厚度為25nm的AlGaN層以及厚度為200nm的p_GaN層被依次形成,并在其上形成了源電極、柵電極以及漏電極。其中，假定AlGaN層的Al成分為25%，p-GaN層的空穴濃度為lX18cm_3。 源電極與柵電極之間的間隔設(shè)為4pm，漏電極與柵電極之間的間隔設(shè)為IOy m。源電極以及漏電極與在AlGaN層的正下方被感應(yīng)出的ニ維電子氣體(2DEG)層進(jìn)行歐姆接觸。在計算中，將漏極-源極間電壓Vds設(shè)為IV，將p-GaN層內(nèi)的電子遷移率以及空穴遷移率分別設(shè)為 1000cm2/Vs 以及 10cm2/Vs。如圖I所示，在柵極電壓Vgs為OV的情況下，柵極電流Igs以及漏極電流Ids都沒有流動。若柵極電壓Vgs超過IV，則漏極電流Ids開始流動。這是因為，由于柵極電壓Vgs的施加使得柵極正下方的能帶被降低，從而在AlGaN/GaN界面產(chǎn)生電子。此時，柵極電流Igs沒有流動。然后，伴隨著柵極電壓Vgs的増大，漏極電流Ids逐漸增加。若柵極電壓Vgs變得比3V左右還高，則漏極電流Ids大幅度上升，柵極電流Igs也開始流動。這是因為，從柵電極Vgs向2DEG層注入空穴，空穴和電子再次結(jié)合，其發(fā)揮了引子的作用，由此漏極電流Ids進(jìn)ー步増大。這樣，由于柵極電壓Vgs的注入效果使得漏極電流Ids大幅度增加是GIT構(gòu)造的特征。柵極電流由空穴電流和電子電流構(gòu)成。如圖I所示，電子電流與空穴電流相比壓倒性地多，占據(jù)柵極電流的大半。如圖2所示，電子電流由于所謂的溢出(overflow)而產(chǎn)生的，即，本來應(yīng)該從源電極S流向漏電極D的一部分電流流入了柵電極G。因此，流動電子電流意味著產(chǎn)生電力損耗。例如，柵極電壓Vgs為6V時的漏極電流Ids是柵極電流Igs的約7倍。這意味著，若置換成雙極性晶體管來進(jìn)行考慮，則電流放大率hFE為7，即是效率不太好的晶體管。另外，從其他觀點來看，意味著本來的漏極電流Ids之中的約13%成為柵極電流并產(chǎn)生了電カ損耗。這樣，在對柵極部使用P型GaN層的現(xiàn)有的GIT中，電子電流的抑制成為課題，尤其是在大電流驅(qū)動GIT時尤其成為較大問題。為了實現(xiàn)抑制電子電流的構(gòu)造，本申請發(fā)明者們關(guān)注于多重量子勢壘(MQB)構(gòu)造。MQB構(gòu)造是使具有能帶不連續(xù)的兩種以上的材料異質(zhì)結(jié)合的周期構(gòu)造。在電子通過具有能量不連續(xù)的部分時，其一部分必定被反射。該現(xiàn)象在電子具有比兩層的勢壘還高的動能的情況下也會產(chǎn)生。通過采用多層周期構(gòu)造，從而可以積極地有效利用電子波的反射，以使電子波不透過的這種構(gòu)造是MQB構(gòu)造。在MQB構(gòu)造中，為了有效地反射電子波，與電子能在彈道上運動的長度相比，需要使得MQB構(gòu)造小。S卩，與電子的相干長度(coherence length)相比，需要使MQB構(gòu)造更小。電子的相干長度能夠通過電子遷移率與電場以及電子 電子擴(kuò)散的壽命之積來簡單地進(jìn)行計算。若將電子遷移率設(shè)為1000cm2/Vs，對IOOnm 200nm的厚度施加IV的電場，電子 電子擴(kuò)散的壽命為O. IPsec,則電子的相干長度為50nm lOOnm。因此,假想通過在該厚度中制成多重量子勢壘，由此充分發(fā)揮電子波的反射裝置的功能。因此，期待著通過取代P型GaN層而將GIT的柵極部設(shè)為MQB構(gòu)造，能夠抑制溢出。為了將MQB構(gòu)造用于GIT的柵極部，需要對于空穴而言不是起到勢壘的作用，而是與P型GaN層同樣地產(chǎn)生導(dǎo)電。若與電子相干長度的估計同樣地估計空穴相干長度，則相對于作為標(biāo)準(zhǔn)的空穴遷移率的10cm2/Vs而言為lnm。因此,針對于厚度超過Inm的勢魚而言,空穴按經(jīng)典理論進(jìn)行動作，幾乎沒有產(chǎn)生多重干擾。因此，能夠忽視MQB構(gòu)造的干擾效果所引起的對空穴傳導(dǎo)的影響。與傳導(dǎo)帶相比，價電子帶的不連續(xù)量小。但是，卻擔(dān)憂空穴會受到ー些傳導(dǎo)阻礙。另ー方面，在有雙軸向應(yīng)變的情況下，價電子帶的不連續(xù)量與無應(yīng)變時相比被降低得相當(dāng)?shù)?。這是因為，價電子帶是由具有棍棒狀的空間性擴(kuò)展的P軌道構(gòu)成。若向氮化物半導(dǎo)體施加應(yīng)變，則3個價電子帶由于P軌道的朝向和應(yīng)變的方向的組合而其能量上下地波動。尤·其是，在將(0001)面設(shè)為主面，在GaN上存在晶格常數(shù)更小的AlGaN的情況下，在面內(nèi)方向上施加拉伸的雙軸向應(yīng)變。此時，在3條價電子帶之中，重的空穴以及輕的空穴向能量上升的方向移動，結(jié)晶場的空穴向能量下降的方向移動。因此，重的空穴以及輕的空穴與無應(yīng)變時相比，向消除價電子帶的不連續(xù)量的方向移動。另ー方面，由于傳導(dǎo)帶主要由點対稱的s軌道構(gòu)成，因而即便是雙軸向應(yīng)變，傳導(dǎo)帶下端也一祥發(fā)生變化。但是，不會產(chǎn)生將較大的傳導(dǎo)帶不連續(xù)量完全地消除的這種較大變化。另外，具有極化的MQB構(gòu)造相對于空穴而言還具有下述優(yōu)點。具有極化的MQB構(gòu)造中，由于內(nèi)部電場而使得能帶在各層發(fā)生傾斜。被受體束縛的空穴，只要不給予熱量等能量就局部存在于受體元素的周圍。在主材料存在內(nèi)部電場的情況下，還向受體和空穴施加電場。此時，受體被吸引到正側(cè)，空穴被吸引到負(fù)側(cè)，因而與通常相比能借助更低的熱能進(jìn)行分解。因而，通過極化能夠提高空穴的活性化率。因此，通過采用MQB構(gòu)造，可以進(jìn)一歩提聞空穴的導(dǎo)電。在將MQB構(gòu)造適用于使用了氮化物半導(dǎo)體的GIT的柵極部的情況下，優(yōu)選MQB構(gòu)造也由與晶體管的主體相同的氮化物半導(dǎo)體形成。在該情況下，優(yōu)選包含作為III族元素的硼⑶、招(Al)、鎵(Ga)以及銦(In)中的至少ー個在內(nèi)的氮化物半導(dǎo)體。在為氮化物半導(dǎo)體的情況下，與價電子帶相比，傳導(dǎo)帶的不連續(xù)量壓倒性地大，例如在為AlGaN和GaN的情況下，傳導(dǎo)帶不連續(xù)量與價電子帶相比達(dá)到3倍。這是因為，價電子帶主要由局部存在性強的氮的軌道形成。因而，即便相對于較少的成分調(diào)制，與價電子帶相比，也能夠使傳導(dǎo)帶不連續(xù)發(fā)生較大變化。如以上說明所示，基于氮化物半導(dǎo)體的MQB構(gòu)造具有如下的兩個特征。首先，由于波的干擾效果可以使電子波有效地反射，從而能夠防止電子電流的通過。尤其是，由于是傳導(dǎo)帶不連續(xù)量大的系，所以即便相對于小的成分變化，MQB構(gòu)造的效果也很大。其次，具有下述效果，即空穴在MQB構(gòu)造中不會被干擾·反射，在為雙軸向應(yīng)變的情況下使價電子帶不連續(xù)量減少。另外，通過極化可以提高空穴活性化率。為了確認(rèn)對基于MQB構(gòu)造的柵極部的電子電流進(jìn)行抑制的效果，對基于MQB構(gòu)造的電子波的反射進(jìn)行了計算。在計算中，作為例子而假定由Al成分為20%且厚度為2nm的AlGaN層、和厚度為8nm的GaN層而構(gòu)成的MQB構(gòu)造。在Al成分為20%的情況下,雖然相對于GaN的傳導(dǎo)帶的不連續(xù)量為O. 3eV，但是價電子帶的不連續(xù)量只不過為80meV。另外，AlGaN/GaN的對數(shù)設(shè)為8，AlGaN層以及GaN層的合計膜厚分別為16nm以及64nm。若假定是MQB構(gòu)造為ー樣成分的AlGaN層，則Al成分的平均值為4%。在Al成分為4%的AlGaN層的情況下，傳導(dǎo)帶的不連續(xù)量僅為60meV，預(yù)測完全不能起到電子電流的勢壘的作用。圖3示意性地示出在計算中用到的MQB構(gòu)造模型的電勢。在圖3中，AlGaN層以及GaN層的厚度分別設(shè)為2nm以及8nm。在向這種MQB構(gòu)造模型入射了具有各種各樣動能的電子波的情況下，利用傳遞矩陣法計算出被反射多少。具體而言，在各電勢邊界，以電子波的振幅以及振幅微分分別連續(xù)連接的條件來進(jìn)行計算。圖4示出計算結(jié)果。在圖4中，橫軸設(shè)為電子的動能。如果在沒有MQB構(gòu)造、且在大量的GaN中入射了電子波的情況下，在電子的動能為OeV以上時透過率始終為100%。如圖4所示，在采用了 MQB構(gòu)造的情況下，能夠相當(dāng)大地抑制電子波的透過。這是因為，電子波由于異質(zhì)界面的電勢變化而被反射。但是，在圖4中，在動能為O. 2eV以及O. 4eV O. 5eV的范圍內(nèi)，透過率變高。這是由于共振隧穿效應(yīng)引起的。在各GaN層中被量子化的級別與 相鄰的級別相結(jié)合，由此在某一能量值中透過率會變高。這樣，在MQB構(gòu)造中與平均成分中的勢壘相比，即便在非常高的能量范圍中，也可以產(chǎn)生較高的電子波的反射。但是，由于其周期性，使得相對于具有特定的動能的電子波而言透過率會變高。為了防止相對于具有特定的動能的電子波而言透過率變高，因而研究有意打破周期性的電子電流抑制構(gòu)造。在電子電流抑制構(gòu)造中，通過有意打破電勢的周期性，可期待在電勢能量低的各層中所形成的能級不與相鄰的層的能級相結(jié)合的情形。決定能級的參數(shù)是各層的層厚、電勢以及有效質(zhì)量。在為傳導(dǎo)帶中的電子的情況下，除了改變構(gòu)成元素的成分之外，很難大幅度調(diào)制有效質(zhì)量。這是因為，傳導(dǎo)帶下端的電子波導(dǎo)函數(shù)為球?qū)ΨQ，即便施加應(yīng)力，波動函數(shù)也不怎么變化。另外，電勢能量也很大程度上取決于構(gòu)成元素的成分。因此，在氮化物半導(dǎo)體中構(gòu)成對電子電流進(jìn)行抑制的構(gòu)造的情況下，成分以及層厚成為能夠主要控制的參數(shù)。下面，針對計算了有意打破MQB構(gòu)造的周期性、且被隨機化的電子電流抑制構(gòu)造的電子波透過率的結(jié)果進(jìn)行說明。圖5以及圖6分別示意性表示使膜厚以及Al成分發(fā)生變化時的電子電流抑制構(gòu)造的電勢。在使膜厚發(fā)生變化吋，AlGaN層的Al成分被固定在20%, AlGaN層以及GaN層的層厚隨機地變化。并且，増加了以下限制在± Inm的范圍內(nèi)調(diào)制各層的層厚，在總計厚度為80nm的范圍內(nèi)，Al的平均成分保持為4%不變。在使Al成分發(fā)生變化吋，將AlGaN層以及GaN層的厚度分別固定在2nm以及8nm，在±6%的范圍內(nèi)調(diào)制AlGaN層的Al成分。即便在該情況下，在總計厚度為80nm的范圍內(nèi)，Al的平均成分也設(shè)為4%。使Al的平均成分保持不變的理由在于，能夠進(jìn)ー步明確地理解電子波的反射效果。在圖7以及圖8中分別示出針對使膜厚以及Al成分發(fā)生變化的電子電流抑制構(gòu)造計算出電子波透過率的結(jié)果。如圖7以及圖8所示，在為隨機化的電子電流抑制構(gòu)造模型的情況下，與具有周期構(gòu)造的MQB構(gòu)造模型的情況相比，位于O. 2eV附近的透過率大幅度減少。這是因為，通過調(diào)制層厚或者Al成分，使得各GaN層的級別隨機地變化，相鄰的GaN層的級別無法相結(jié)合。其結(jié)果，能夠在比作為AlGaN的傳導(dǎo)帶不連續(xù)量的0. 3eV更高的0. 4eV附近實現(xiàn)高的反射率。這意味著，隨機化的電子電流抑制構(gòu)造與Al成分相同的AlGaN層相比在電子電流的抑制方面是有效的。尤其是，在是調(diào)制了 Al成分的電子電流抑制構(gòu)造模型的情況下，能夠有效地將電子波的透過抑制在0. 8eV左右。由此可知，不是改變GaN層而是改變成為勢壘的AlGaN層的成分對電子電流的抑制產(chǎn)生較大影響。如圖9所示，在對GIT的柵極部使用了 p型GaN層的情況下，不僅流動著空穴電流還流動著因電子的溢出而引起的電子電流。另ー方面，在P型GaN層與AlGaN層之間形成了 MQB構(gòu)造的情況下，如圖10所示那樣，能夠使空穴電 流流動且抑制因電子的溢出而引起的電子電流，能夠降低氮化物半導(dǎo)體晶體管的損耗。這是因為，MQB構(gòu)造起到使空穴電流流動且抑制電子電流的電子電流抑制層的作用。另外，作為電子電流抑制層通過采用打破了周期性的電子電流抑制構(gòu)造，能夠進(jìn)一歩提高電子波反射的效果，從而能夠提高電子電流的抑制效果。以下，針對使用了由MQB構(gòu)造以及電子電流抑制構(gòu)造構(gòu)成的電子電流抑制層的GIT、即氮化物半導(dǎo)體晶體管的具體構(gòu)成進(jìn)行說明。(ー實施方式)圖11按照エ序順序示出例示的氮化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法。首先，在基板101之上形成氮化物半導(dǎo)體層102。基板101例如采用主面為(111)面的硅(Si)基板即可。氮化物半導(dǎo)體層102利用有機金屬氣相生長(MOCVD)法進(jìn)行結(jié)晶生長即可。結(jié)晶生長中的Al原料使用三甲基鋁((CH3) 3A1)，Ga原料使用三甲基鎵((CH3) 3Ga)，N原料使用氨(NH3)即可。另外，P型的摻雜使用ニ茂鎂(Cp2Mg)即可。氮化物半導(dǎo)體層102的構(gòu)成例如采用從基板101側(cè)起被依次形成的緩沖層122、超晶格層123、異質(zhì)結(jié)層124、電子電流抑制層125、p型層126以及接觸層127即可。緩沖層122采用厚度為400nm的AlN層即可。超晶格層123在40個周期內(nèi)使厚度為20nm的GaN層和厚度為5nm的AlN層交替地形成即可。超晶格層的合計厚度設(shè)為I U m即可。異質(zhì)結(jié)層124采用厚度為I Pm的未摻雜的GaN層131和Al成分為25%的AlGaN層132的層疊體即可。電子電流抑制層125采用AlGaN層和GaN層的層疊體即可。另外，優(yōu)選各層的Al成分以及膜厚隨機地變化。例如，也可如表I所示。[表 I]
權(quán)利要求
1.ー種氮化物半導(dǎo)體晶體管，具備 異質(zhì)結(jié)層，其層疊了極化互不相同的2個以上的氮化物半導(dǎo)體層； 柵電極，其形成在所述異質(zhì)結(jié)層之上；和 電子電流抑制層，其形成在所述異質(zhì)結(jié)層與所述柵電極之間，并具有P型的導(dǎo)電性，使空穴電流流過且抑制電子電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氮化物半導(dǎo)體晶體管，其中， 所述電子電流抑制層是包含極化互不相同的多個層在內(nèi)的層疊體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮化物半導(dǎo)體晶體管，其中， 所述多個層的每一層分別由包括硼、鋁、鎵以及銦中的至少ー個在內(nèi)的氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮化物半導(dǎo)體晶體管，其中， 所述多個層的每一層的厚度不是周期性地發(fā)生變化。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氮化物半導(dǎo)體晶體管，其中， 所述氮化物半導(dǎo)體晶體管還具備接觸層，該接觸層形成在所述電子電流抑制層與柵電極之間，且包括濃度比其他層高的P型雜質(zhì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氮化物半導(dǎo)體晶體管，其中， 所述氮化物半導(dǎo)體晶體管還具備源電極以及漏電極，該源電極以及漏電極分別形成在所述柵電極的兩側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氮化物半導(dǎo)體晶體管，其中， 所述異質(zhì)結(jié)層形成在基板之上， 所述基板是硅基板、藍(lán)寶石基板或者碳化硅基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種氮化物半導(dǎo)體晶體管，該氮化物半導(dǎo)體晶體管具備異質(zhì)結(jié)層(124)，其層疊了極化互不相同的多個氮化物半導(dǎo)體層；和柵電極(113)，其形成在異質(zhì)結(jié)層(124)之上。在異質(zhì)結(jié)層與柵電極之間形成有具有p型的導(dǎo)電性、并使空穴電流流過且抑制電子電流的電子電流抑制層(125)。
文檔編號H01L29/812GK102859669SQ20108006644
公開日2013年1月2日 申請日期2010年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月28日
發(fā)明者瀧澤俊幸, 上田哲三 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社