專(zhuān)利名稱(chēng)：高密度屏蔽電纜和其他屏蔽電纜、系統(tǒng)以及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明整體涉及適用于數(shù)據(jù)傳輸?shù)钠帘螏铍娎|以及相關(guān)的制品、系統(tǒng)和方法，尤其應(yīng)用于可以多端子封端并提供高速電性能的帶狀電纜。
背景技術(shù)：
用于傳輸電信號(hào)的電纜是已知的。一種通用型的電纜是同軸電纜。同軸電纜通常包括由絕緣體圍繞的電導(dǎo)線。線和絕緣體被屏蔽件圍繞，并且線、絕緣體和屏蔽件被外皮圍繞。另一種通用型的電纜是包括一個(gè)或多個(gè)例如由金屬箔形成的屏蔽層圍繞的絕緣信號(hào)導(dǎo)體的屏蔽電纜。為了便于電連接屏蔽層，有時(shí)在屏蔽層和一個(gè)或多個(gè)信號(hào)導(dǎo)體的絕緣體之間設(shè)置另外的非絕緣導(dǎo)體。這兩種通用類(lèi)型的電纜通常均要求使用針對(duì)端接特別設(shè)計(jì)的連接器，并且通常不適于使用多端子封端技術(shù)，即，同時(shí)將多個(gè)導(dǎo)體連接至各個(gè)接觸元件，例如電連接器的電觸點(diǎn)或印刷電路板上的接觸元件。盡管已經(jīng)開(kāi)發(fā)出有助于這些多端子封端技術(shù)的電纜，但是這些電纜通常在其大規(guī)模生產(chǎn)能力、其端接端部制備能力、其柔性及其電 性能方面受到限制。根據(jù)高速電氣元件和電子元件的發(fā)展，對(duì)能夠傳輸高速信號(hào)、有助于多端子封端技術(shù)、高性?xún)r(jià)比并且可以在大量的應(yīng)用中使用的電纜存在持續(xù)的需求。

發(fā)明內(nèi)容
已開(kāi)發(fā)出具有獨(dú)特和有益特性及特征的、適用于高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)钠帘坞娎|，和利用此類(lèi)電纜的系統(tǒng)，以及與此類(lèi)電纜和系統(tǒng)相關(guān)的方法。電纜通常為大致平坦或帶狀的形式、具有沿電纜的長(zhǎng)度維度延伸并且沿電纜的寬度維度彼此間隔開(kāi)的多個(gè)通道或?qū)w組。一些電纜在有限的電纜寬度內(nèi)提供高裝填密度，優(yōu)選地與此同時(shí)在電纜的不同通道或?qū)w組之間保持充分的高頻電絕緣和/或低串?dāng)_。一些電纜提供按需或局部的排擾線結(jié)構(gòu)。一些電纜提供多根排擾線，并且將排擾線有區(qū)別地連接到電纜相對(duì)兩端上的不同端接元件。一些電纜提供混合導(dǎo)體組，如，適合于高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊粋€(gè)或多個(gè)導(dǎo)體組和適合于較低速度數(shù)據(jù)傳輸或電力傳輸?shù)囊粋€(gè)或多個(gè)導(dǎo)體組。一些電纜僅可以提供這些有益設(shè)計(jì)特征中的一者，而其他電纜則可以提供這些特征中的一些的組合或全部。本專(zhuān)利申請(qǐng)因此公開(kāi)了尤其是可包括導(dǎo)體組(每一個(gè)導(dǎo)體組包括一個(gè)或多個(gè)絕緣導(dǎo)體)以及位于電纜相對(duì)側(cè)上的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的屏蔽帶狀電纜。在橫截面中，屏蔽膜的覆蓋部分可基本上圍繞每一個(gè)導(dǎo)體組，并且膜的壓緊部分可在每一個(gè)導(dǎo)體組的每一側(cè)上形成電纜的壓緊部分?？蓪?shí)現(xiàn)致密裝填，同時(shí)保持導(dǎo)體組之間的高頻電絕緣。當(dāng)電纜平放時(shí)，S/Dmin值可在I. 7至2的范圍內(nèi)，其中S是兩個(gè)相鄰導(dǎo)體組的最靠近絕緣導(dǎo)體之間的中心到中心間距，而Dmin是此類(lèi)最靠近絕緣導(dǎo)體的外部尺寸中的較小者。或者，各自?xún)H具有一對(duì)絕緣導(dǎo)體的第一導(dǎo)體組和第二導(dǎo)體組可滿(mǎn)足Σ/σ在2. 5至3的范圍內(nèi)的條件，其中Σ是導(dǎo)體組的中心到中心間距，而σ是導(dǎo)體組之一的該對(duì)絕緣導(dǎo)體的中心到中心間距。在一些情況下，多個(gè)導(dǎo)體組中的每一對(duì)相鄰導(dǎo)體組具有的對(duì)應(yīng)于S/Dmin的值可在I. 7至2的范圍內(nèi)。在一些情況下，導(dǎo)體組中的每一個(gè)僅可具有一對(duì)絕緣導(dǎo)體，并且Savg/ σ avg值可在2. 5至3的范圍內(nèi)，其中σ avg是各種導(dǎo)體組的該絕緣導(dǎo)體的平均中心到中心間距，而Σ avg是相鄰導(dǎo)體組之間的平均中心到中心間距。在一些情況下，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的覆蓋部分組合起來(lái)通過(guò)包圍每一個(gè)導(dǎo)體組的周邊的至少75%而基本上圍繞每一個(gè)導(dǎo)體組。在一些情況下，第一導(dǎo)體組可在相鄰絕緣導(dǎo)體之間具有高頻隔離，所述高頻隔離可通過(guò)在3-15GHZ范圍內(nèi)的指定頻率下對(duì)于I米電纜長(zhǎng)度的串?dāng)_Cl來(lái)表征，并且第一導(dǎo)體組和第二導(dǎo)體組之間的高頻隔離可通過(guò)指定頻率下的串?dāng)_C2來(lái)表征，并且C2可比Cl低至少10dB。在一些情況下，一個(gè)或全部?jī)蓚€(gè)屏蔽膜可包括設(shè)置在電介質(zhì)基板上的導(dǎo)電層。在一些情況下，電纜可包括與第一屏蔽膜和第二屏蔽膜中的至少一個(gè)電接觸的第一排擾線。在橫截面中，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第二覆蓋部分可基本上圍繞第一排擾線。第一排擾線可通過(guò)與最靠近導(dǎo)體組的最靠近絕緣線的排擾線距離σ I來(lái)表征，并且最靠近導(dǎo)體組可通過(guò)絕緣導(dǎo)體的中心到中心間距σ2來(lái)表征，并且σ 1/σ2可為大于0.7。

電纜也可包括至少八個(gè)導(dǎo)體組，每一個(gè)導(dǎo)體組僅具有一對(duì)絕緣導(dǎo)體，并且當(dāng)電纜平放時(shí)其寬度可為不大于16mm，即便在電纜包括至少一根或兩根排擾線的情況下亦是如此。該緊湊的寬度尺寸可使得扁平電纜能夠連接至寬度大致為15. 6mm的標(biāo)準(zhǔn)4通道或4信道微型SAS插卡的一端。利用這樣的構(gòu)型，4個(gè)高速屏蔽傳輸對(duì)和4個(gè)高速屏蔽接收對(duì)僅使用一條帶狀電纜即可適應(yīng)微型SAS插卡，而無(wú)需將多條帶狀電纜連接至此類(lèi)插卡。僅將一條帶狀電纜連接至插卡提高了制造速度并降低了復(fù)雜度，并容許增大柔韌性并降低彎曲半徑，因?yàn)橐粭l帶狀電纜比兩條堆疊在彼此頂上的帶狀電纜更容易彎曲。電纜可以與插卡或其上具有多條導(dǎo)電通路的其他基板結(jié)合，其中每一條導(dǎo)電通路從基板的第一末端延伸至第二末端。電纜的絕緣導(dǎo)體的各個(gè)導(dǎo)體可在基板的第一末端處連接至對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電通路。在一些情況下，所有對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電通路都可以設(shè)置在基板的一個(gè)主表面上。在一些情況下，對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電通路中的至少一條可以設(shè)置在基板的一個(gè)主表面上，并且對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電通路中的至少另一條可以設(shè)置在基板的相對(duì)主表面上。在一些情況下，導(dǎo)電通路中的至少一條可以在基板的第一末端處具有在基板的第一主表面上的第一部分，并且在基板的第二末端處具有在基板的相對(duì)第二主表面上的第二部分。在一些情況下，導(dǎo)體組中的交替者可以連接至基板的相對(duì)主表面上的導(dǎo)電通路。本專(zhuān)利申請(qǐng)還公開(kāi)了包括多個(gè)導(dǎo)體組、第一屏蔽膜和第一排擾線的屏蔽電纜。所述多個(gè)導(dǎo)體組沿著電纜的長(zhǎng)度延伸，并且沿著電纜的寬度彼此間隔開(kāi)，每一個(gè)導(dǎo)體組包括一個(gè)或多個(gè)絕緣導(dǎo)體。第一屏蔽膜可包括覆蓋部分和壓緊部分，所述壓緊部分被布置為使得覆蓋部分覆蓋導(dǎo)體組，并且壓緊部分設(shè)置在每一個(gè)導(dǎo)體組的每一側(cè)上的電纜的壓緊部分處。第一排擾線可以與第一屏蔽膜電接觸，并且還可以沿著電纜的長(zhǎng)度延伸。第一排擾線與第一屏蔽膜的電接觸可以局限在至少第一處理過(guò)的區(qū)域處。第一排擾線與第一屏蔽膜在第一處理過(guò)的區(qū)域處的電接觸可以通過(guò)小于2Ω的直流電阻來(lái)表征。第一屏蔽膜可以在第一處理過(guò)的區(qū)域處和第二區(qū)域處覆蓋第一排擾線，所述第二區(qū)域至少與第一處理過(guò)的區(qū)域一樣長(zhǎng)，并且第一排擾線和第一屏蔽膜之間的直流電阻在第二區(qū)域處可為大于100 Ω。在一些情況下，電介質(zhì)材料可以在第二區(qū)域處將第一排擾線與第一屏蔽膜分隔開(kāi)，并且在第一處理過(guò)的區(qū)域處可幾乎不存在或不存在第一排擾線通過(guò)電介質(zhì)材料與第一屏蔽膜分隔開(kāi)的情況。
在相關(guān)方法中，所提供的電纜可以包括多個(gè)導(dǎo)體組、第一屏蔽膜和排擾線。第一屏蔽膜可包括覆蓋部分和壓緊部分，所述壓緊部分被布置為使得覆蓋部分覆蓋導(dǎo)體組，并且壓緊部分設(shè)置在每一個(gè)導(dǎo)體組的每一側(cè)上的電纜的壓緊部分處。第一排擾線可以沿著電纜的長(zhǎng)度延伸。該方法還可包括在第一處理過(guò)的區(qū)域處有選擇地處理電纜，以便在第一處理過(guò)的區(qū)域中局部增大或建立第一排擾線與第一屏蔽膜的電接觸。在第一處理過(guò)的區(qū)域處第一排擾線和第一屏蔽膜之間的直流電阻在有選擇的處理步驟之前可以為大于100 Ω，并且在有選擇的處理步驟之后可以為小于2 Ω。有選擇的處理可以包括在第一處理過(guò)的區(qū)域處有選擇地向電纜施加力。有選擇的處理還可以包括在第一處理過(guò)的區(qū)域處有選擇地加熱電纜。電纜還可以包括沿著電纜長(zhǎng)度延伸、但與第一排擾線間隔開(kāi)的第二排擾線，并且有選擇的處理可基本上不增大或不建立第二排擾線與第一屏蔽膜的電接觸。在一些情況下，電纜還可以包括第二屏蔽膜，并且有選擇的處理還可以在第一處理過(guò)的區(qū)域中局部增大或建立第一排擾線與第二屏蔽膜的電接觸。 本專(zhuān)利申請(qǐng)還公開(kāi)了包括多個(gè)導(dǎo)體組、第一屏蔽膜以及第一排擾線和第二排擾線的屏蔽電纜。所述多個(gè)導(dǎo)體組可以沿著電纜的長(zhǎng)度延伸，并且沿著電纜的寬度彼此間隔開(kāi)，每一個(gè)導(dǎo)體組包括一個(gè)或多個(gè)絕緣導(dǎo)體。第一屏蔽膜可包括覆蓋部分和壓緊部分，所述壓緊部分被布置為使得覆蓋部分覆蓋導(dǎo)體組，并且壓緊部分設(shè)置在每一個(gè)導(dǎo)體組的每一側(cè)上的電纜的壓緊部分處。第一排擾線和第二排擾線可以沿著電纜的長(zhǎng)度延伸，并且可至少由于它們二者均與第一屏蔽膜電接觸而彼此電連接。例如，第一屏蔽膜和第一排擾線之間的直流電阻可以為小于10Ω、或小于2Ω。該電纜可以在電纜的第一末端處與一個(gè)或多個(gè)第一端接元件組合、并且在電纜的第二末端處與一個(gè)或多個(gè)第二端接元件組合。在這種組合中，第一排擾線和第二排擾線可以是沿著電纜的長(zhǎng)度延伸的多根排擾線的成員，nl根排擾線可以連接至一個(gè)或多個(gè)第一端接元件，并且π2根排擾線可以連接至一個(gè)或多個(gè)第二端接元件。數(shù)字nl可以為不等于η2。此外，所述一個(gè)或多個(gè)第一端接元件可總共具有ml個(gè)第一端接元件，并且所述一個(gè)或多個(gè)第二端接元件可總共具有m2個(gè)第二端接元件。在一些情況下，n2>nl,并且m2>ml。在一些情況下，ml=l。在一些情況下，ml=m2。在一些情況下，ml<m2o在一些情況下，ml>l,并且m2>l。在一些情況下，第一排擾線可電連接至一個(gè)或多個(gè)第一端接元件，但可能未電連接至一個(gè)或多個(gè)第二端接元件。在一些情況下，第二排擾線可電連接至一個(gè)或多個(gè)第二端接元件，但可能未電連接至一個(gè)或多個(gè)第一端接元件。本發(fā)明還公開(kāi)了包括多個(gè)導(dǎo)體組和第一屏蔽膜的屏蔽電纜。所述多個(gè)導(dǎo)體組可以沿著電纜的長(zhǎng)度延伸，并且沿著電纜的寬度彼此間隔開(kāi)，每一個(gè)導(dǎo)體組包括一個(gè)或多個(gè)絕緣導(dǎo)體。第一屏蔽膜可包括覆蓋部分和壓緊部分，所述壓緊部分被布置為使得覆蓋部分覆蓋導(dǎo)體組，并且壓緊部分設(shè)置在每一個(gè)導(dǎo)體組的每一側(cè)上的電纜的壓緊部分處。有利的是，所述多個(gè)導(dǎo)體組可包括適合于高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊粋€(gè)或多個(gè)第一導(dǎo)體組以及適合于電力傳輸或低速數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊粋€(gè)或多個(gè)第二導(dǎo)體組。電纜還可以包括設(shè)置在電纜的相對(duì)于第一屏蔽膜的相對(duì)側(cè)上的第二屏蔽膜。在一些情況下，電纜可以包括與第一屏蔽膜電接觸、并還沿著電纜的長(zhǎng)度延伸的第一排擾線。例如，第一屏蔽膜和第一排擾線之間的直流電阻可以為小于10Ω、或小于2Ω。一個(gè)或多個(gè)第一導(dǎo)體組可包括具有多個(gè)中心到中心間距為σ I的第一絕緣導(dǎo)體的第一導(dǎo)體組，并且一個(gè)或多個(gè)第二導(dǎo)體組可包括具有多個(gè)中心到中心間距為σ 2的第二絕緣導(dǎo)體的第二導(dǎo)體組，并且σ 可以為大于σ2。當(dāng)電纜平放時(shí)，一個(gè)或多個(gè)第一導(dǎo)體組的絕緣導(dǎo)體可全部布置在單個(gè)平面內(nèi)。此外，當(dāng)電纜平放時(shí)，一個(gè)或多個(gè)第二導(dǎo)體組可包括具有多個(gè)堆疊排列的絕緣導(dǎo)體的第二導(dǎo)體組。一個(gè)或多個(gè)第一導(dǎo)體組可適合于至少I(mǎi)Gbps (B卩，I千兆比特/秒或約O. 5GHz)、最多至如25Gbps (約12. 5GHz)或更高的最大數(shù)據(jù)傳輸速率，或例如至少I(mǎi)GHz的最大信號(hào)頻率，并且一個(gè)或多個(gè)第二導(dǎo)體組可適合于例如小于IGbps (約O. 5GHz)或小于O. 5Gbps (約250MHz)的最大數(shù)據(jù)傳輸速率，或例如小于IGHz或O. 5GHz的最大信號(hào)頻率。一個(gè)或多個(gè)第一導(dǎo)體組可適合于至少3Gbps (約I. 5GHz)的最大數(shù)據(jù)傳輸速率。此類(lèi)電纜可以與設(shè)置在電纜的第一末端處的第一端接元件結(jié)合。第一端接元件可包括基板和其上的多條導(dǎo)電通路，所述多條導(dǎo)電通路具有布置在第一端接元件的第一末端上的各自的第一端接片。第一導(dǎo)體組和第二導(dǎo)體組的屏蔽導(dǎo)體可以在第一端接元件的第一末端處連接至各自的第一端接片，所述第一端接片采用的有序布置方式與電纜中屏蔽導(dǎo)體的布置方式匹配。多條導(dǎo)電通路可具有布置在第一端接元件的第二末端上的各自的第二端接片，所述第二端接片的布置方式不同于第一末端上的第一端接片的布置方式。
本文還論述了相關(guān)方法、系統(tǒng)和制品。本專(zhuān)利申請(qǐng)的這些方面和其他方面通過(guò)下文的具體描述將顯而易見(jiàn)。然而，在任何情況下都不應(yīng)將上述發(fā)明內(nèi)容理解為是對(duì)受權(quán)利要求書(shū)保護(hù)的主題的限制，該主題僅受所附權(quán)利要求書(shū)的限定，并且在審查期間可以進(jìn)行修改。


圖I為示例性屏蔽電纜的透視圖；圖2a_2g為另外的示例性屏蔽電纜的正面剖視圖；圖3a_3d為俯視圖，示出了將屏蔽電纜連接到端接元件的示例性端接過(guò)程的不同
工序；圖4a_4c為其他示例性屏蔽電纜的正面剖視圖；圖5a_5c為示出制備屏蔽電纜的示例性方法的透視圖；圖6a_6c為示出制備屏蔽電纜的示例性方法的細(xì)節(jié)的正面剖視圖；圖7a和7b為示出制備示例性屏蔽電纜的另一個(gè)方面的正面剖視細(xì)部圖；圖8a為屏蔽電纜的另一個(gè)示例性實(shí)施例的正面剖視圖，圖8b為其對(duì)應(yīng)的細(xì)部圖；圖9為另一條示例性屏蔽電纜的一部分的正面剖視圖；圖10為另一條示例性屏蔽電纜的一部分的正面剖視圖；圖Ila和圖Ilb為示例性屏蔽電纜的兩個(gè)其他部分的正面剖視圖；圖12為比較示例性屏蔽電纜與常規(guī)電纜的電絕緣性能的坐標(biāo)圖；圖13為另一條示例性屏蔽電纜的正面剖視圖；圖14為可利用高裝填密度的導(dǎo)體組的屏蔽電纜組件的透視圖；圖15和圖16為示例性屏蔽電纜的正面剖視圖，這些圖還示出了用于表征導(dǎo)體組密度的參數(shù)；圖17a為示例性屏蔽電纜組件的俯視圖，其中屏蔽電纜連接至端接元件，圖17b是其側(cè)視圖；圖18a中示出對(duì)由該方法制得的電纜拍照的俯視圖，并且圖18b中示出電纜末端的斜視圖。圖18a和圖18b為所制造的屏蔽電纜的照片，其中圖18a是其俯視圖，圖18b示出電纜末端的斜視圖；圖19為示例性屏蔽電纜的正面剖視圖，其示出了一些可能的排擾線位置；圖20a和圖20b為屏蔽電纜的一部分的細(xì)部正面剖視圖，其不出了一種用于在局部區(qū)域處的排擾線和屏蔽膜之間提供按需電接觸的技術(shù)； 圖21為電纜的示意性正面剖視圖，其示出了一種用于在所選區(qū)域處理電纜，從而得到按需接觸的工序；圖22a和圖22b為屏蔽電纜組件的俯視圖，其示出了可供人選擇來(lái)提供排擾線和屏蔽膜之間的按需接觸的可供選擇的構(gòu)型；圖23為另一種屏蔽電纜組件的俯視圖，其示出了可供人選擇來(lái)提供排擾線和屏蔽膜之間的按需接觸的另一種構(gòu)型；圖24a為經(jīng)制造和處理以具有按需排擾線接觸的屏蔽電纜的照片，圖24b是圖24a的一部分的放大細(xì)部圖，圖24c是圖24a的電纜的一端的示意性前正視圖；圖25為采用通過(guò)屏蔽膜連接到彼此的多根排擾線的屏蔽電纜組件的俯視圖；圖26a為采用通過(guò)屏蔽膜連接到彼此的多根排擾線的另一種屏蔽電纜組件的俯視圖，該組件被布置為扇出構(gòu)型，圖26b為在圖26a的線26b-26b處的電纜的剖視圖；圖27a為采用通過(guò)屏蔽膜連接到彼此的多根排擾線的另一種屏蔽電纜組件的俯視圖，該組件也被布置為扇出構(gòu)型，圖27b是在圖27a的線27b-27b處的電纜的剖視圖；圖28a_d為具有混合導(dǎo)體組的屏蔽電纜的示意性正面剖視圖；圖29為具有混合導(dǎo)體組的另一條屏蔽電纜的示意性正面剖視圖，圖29a示意性地示出了可用于混合導(dǎo)體組屏蔽電纜中的多組低速絕緣導(dǎo)體組；圖30a、圖30b和圖31為屏蔽電纜組件的示意性俯視圖，其中組件的端接元件包括一條或多條導(dǎo)電通路，所述一條或多條導(dǎo)電通路將一根或多根低速信號(hào)線從端接元件的一端以另外的路線改道運(yùn)送至另一端；并且圖32為所制造的混合導(dǎo)體組屏蔽電纜組件的照片。在這些附圖中，相同參考標(biāo)號(hào)指代類(lèi)似元件。
具體實(shí)施例方式如上所概述，本文描述了(除了別的以外)屏蔽帶狀電纜、涉及屏蔽帶狀電纜的方法以及使用屏蔽帶狀電纜的組合和系統(tǒng)。在論述高密度屏蔽電纜的一些方面之前，我們?cè)陬}為“屏蔽電纜論述”的小節(jié)中提供了示例性屏蔽電纜的一般說(shuō)明。此后，我們?cè)陬}為“高密度屏蔽電纜”的小節(jié)中描述了高密度屏蔽電纜的各方面。我們還描述了其他獨(dú)特的屏蔽電纜、系統(tǒng)和方法的各方面，如果需要可將這些方面結(jié)合高密度結(jié)構(gòu)。因此，我們?cè)陬}為“具有按需排擾線結(jié)構(gòu)的屏蔽電纜”的小節(jié)中描述了具有按需排擾線的屏蔽電纜的各方面。我們?cè)陬}為“具有多根排擾線的屏蔽電纜”的小節(jié)中描述了具有多根排擾線的屏蔽電纜和電纜組件的各方面。我們還在題為“具有混合導(dǎo)體組的屏蔽電纜”的小節(jié)中描述了包括混合導(dǎo)體組的屏蔽電纜的各方面。需要提醒讀者的是，提供各小節(jié)和小節(jié)標(biāo)題是出于改善組織結(jié)構(gòu)和方便的需要，且將不以受限的方式對(duì)其進(jìn)行解釋。例如，小節(jié)和小節(jié)標(biāo)題不應(yīng)當(dāng)被解釋為意味著一個(gè)小節(jié)的技術(shù)、方法、特征或元件不能與另一個(gè)小節(jié)的技術(shù)、方法、特征或元件結(jié)合使用。相反，除非清晰地另外指明有相反的意思，否則我們期望來(lái)自指定的任何一個(gè)或多個(gè)小節(jié)的任何信息同樣適用于其他任何一個(gè)或多個(gè)小節(jié)的信息。因此，例如，高密度屏蔽電纜的各方面不僅可見(jiàn)于題為“高密度屏蔽電纜”的小節(jié)、還可見(jiàn)于其他小節(jié)。相似地，具有按需排擾線的屏蔽電纜的各方面不僅可見(jiàn)于題為“具有按需排擾線結(jié)構(gòu)的屏蔽電纜”的小節(jié)、還可見(jiàn)于其他小節(jié)，等等。第I節(jié)屏蔽電纜論述隨著互連設(shè)備的數(shù)量增大、速度提高，在此類(lèi)設(shè)備之間傳送信號(hào)的電纜需要更小并且能夠傳送較高速度的信號(hào)而不具有無(wú)法接受的干擾或串?dāng)_。在一些電纜中使用屏蔽以減輕由相鄰導(dǎo)體傳送的信號(hào)之間的相互作用。本文所述的電纜中的多種具有基本平坦的構(gòu) 型，并且包括沿著電纜的長(zhǎng)度延伸的導(dǎo)體組、以及設(shè)置在電纜相對(duì)側(cè)上的電屏蔽膜。相鄰導(dǎo)體組之間的屏蔽膜的壓緊部分有助于導(dǎo)體組彼此電絕緣。電纜中的多種還包括電連接至屏蔽件、并沿著電纜的長(zhǎng)度延伸的排擾線。本文所述的電纜構(gòu)型可幫助簡(jiǎn)化至導(dǎo)體組和排擾線的連接、減小電纜連接位點(diǎn)的大小和/或?yàn)殡娎|的多端子封端提供機(jī)會(huì)。圖I示出了包括多個(gè)導(dǎo)體組4的示例性屏蔽電纜2，所述多個(gè)導(dǎo)體組沿著電纜2寬度w的全部或一部分彼此間隔開(kāi)，并且沿著電纜2的長(zhǎng)度L延伸。電纜2可大體布置為如圖I中示出的平面構(gòu)型，或可以沿著其長(zhǎng)度的一處或多處折疊而形成折疊構(gòu)型。在一些具體實(shí)施中，電纜2的某些部分可以布置為平面構(gòu)型，而電纜的其他部分可折疊。在一些構(gòu)型中，電纜2的導(dǎo)體組4中的至少一個(gè)包括兩個(gè)沿著電纜2的長(zhǎng)度L延伸的絕緣導(dǎo)體6。導(dǎo)體組4的兩個(gè)絕緣導(dǎo)體6可沿著電纜2長(zhǎng)度L的全部或一部分基本上平行地布置。絕緣導(dǎo)體6可以包括絕緣的信號(hào)線、絕緣的電源線或絕緣的地線。兩個(gè)屏蔽膜8設(shè)置在電纜2的相對(duì)側(cè)上。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜8被布置為使得在橫截面中，電纜2包括覆蓋區(qū)域14和壓緊區(qū)域18。在電纜2的覆蓋區(qū)域14中，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜8的覆蓋部分7在橫截面中基本上圍繞每一個(gè)導(dǎo)體組4。例如，屏蔽膜的覆蓋部分可以總共包圍任何指定的導(dǎo)體組的周邊的至少75%、或至少80%、85%或90%。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的壓緊部分9在每一個(gè)導(dǎo)體組4的每一側(cè)上形成電纜2的壓緊區(qū)域18。在電纜2的壓緊區(qū)域18中，屏蔽膜8中的一者或兩者偏轉(zhuǎn)，使得屏蔽膜8的壓緊部分9更緊密接近。在一些構(gòu)型中，如圖I中所示出，屏蔽膜8兩者均在壓緊區(qū)域18中偏轉(zhuǎn)，以使壓緊部分9更緊密接近。在一些構(gòu)型中，屏蔽膜中的一者在電纜為平面或未折疊構(gòu)型時(shí)可在壓緊區(qū)域18中保持相對(duì)扁平，且電纜相對(duì)側(cè)上的其他屏蔽膜可偏轉(zhuǎn)以使屏蔽膜的壓緊部分更緊密接近。電纜2還可包括設(shè)置在屏蔽膜8之間、至少設(shè)置在壓緊部分9之間的粘合劑層10。粘合劑層10使屏蔽膜8的壓緊部分9在電纜2的壓緊區(qū)域18中彼此粘合。粘合劑層10可存在或可不存在于電纜2的覆蓋區(qū)域14中。在一些情況下，導(dǎo)體組4在橫截面中具有基本上為曲線形的包絡(luò)區(qū)或周邊，并且屏蔽膜8設(shè)置在導(dǎo)體組4周?chē)?，例如以便沿著電纜6長(zhǎng)度L的至少一部分且優(yōu)選地沿著長(zhǎng)度L的基本上全部而基本上適形于橫截面形狀且保持該橫截面形狀。通過(guò)保持該橫截面形狀，可以保持導(dǎo)體組4的設(shè)計(jì)中所預(yù)期的導(dǎo)體組4的電特性。其優(yōu)于一些常規(guī)屏蔽電纜，在一些常規(guī)屏蔽電纜中，圍繞導(dǎo)體組設(shè)置導(dǎo)電屏蔽件改變了導(dǎo)體組的橫截面形狀。雖然在圖I中示出的實(shí)施例中，每一個(gè)導(dǎo)體組4恰好具有兩個(gè)絕緣導(dǎo)體6，但在其他實(shí)施例中，所述導(dǎo)體組中的一些或全部可以?xún)H包括一個(gè)絕緣導(dǎo)體、或可以包括兩個(gè)以上的絕緣導(dǎo)體6。例如，在設(shè)計(jì)上類(lèi)似于圖I的可供選擇的屏蔽電纜可包括具有八個(gè)絕緣導(dǎo)體6的一個(gè)導(dǎo)體組，或各自?xún)H具有一個(gè)絕緣導(dǎo)體6的八個(gè)導(dǎo)體組。導(dǎo)體組和絕緣導(dǎo)體的布置上的該靈活性允許以適合于各種各樣的預(yù)期應(yīng)用的方式來(lái)構(gòu)造本發(fā)明所公開(kāi)的屏蔽電纜。例如，導(dǎo)體組和絕緣導(dǎo)體可以被構(gòu)造用于形成多個(gè)雙軸電纜(即，多個(gè)導(dǎo)體組各自具有兩個(gè)絕緣導(dǎo)體)、多個(gè)同軸電纜(即，多個(gè)導(dǎo)體組各自?xún)H具有一個(gè)絕緣導(dǎo)體)或它們的組合。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)體組還可以包括圍繞一個(gè)或多個(gè)絕緣導(dǎo)體設(shè)置的導(dǎo)電屏蔽件(未示出)和圍繞導(dǎo)電屏蔽件設(shè)置的絕緣外皮(未示出)。在圖I示出的實(shí)施例中，屏蔽電纜2還包括可選的接地導(dǎo)體12。接地導(dǎo)體12可以包括地線或排擾線。接地導(dǎo)體12可與絕緣導(dǎo)體6間隔開(kāi)，并且以與絕緣導(dǎo)體6基本上相同·的方向延伸。屏蔽膜8可設(shè)置在接地導(dǎo)體12周?chē)Ｕ澈蟿?0可在接地導(dǎo)體12兩側(cè)上的壓緊部分9中將屏蔽膜8彼此粘合。接地導(dǎo)體12可以電接觸屏蔽膜8中的至少一個(gè)。圖2a_2g的剖視圖可以表示各種屏蔽電纜或電纜的部分。在圖2a中，屏蔽電纜102a包括單個(gè)導(dǎo)體組104。導(dǎo)體組104沿著電纜的長(zhǎng)度延伸，并且僅具有單個(gè)絕緣導(dǎo)體106。如果需要，可以將電纜102a制備為包括在電纜102a的整個(gè)寬度上彼此間隔開(kāi)、且沿著電纜的長(zhǎng)度延伸的多個(gè)導(dǎo)體組104。兩個(gè)屏蔽膜108設(shè)置在電纜的相對(duì)側(cè)上。電纜102a包括覆蓋區(qū)域114和壓緊區(qū)域118。在電纜102a的覆蓋區(qū)域114中，屏蔽膜108包括覆蓋導(dǎo)體組104的覆蓋部分107。在橫截面中，覆蓋部分107組合起來(lái)基本上圍繞導(dǎo)體組104。在電纜102a的壓緊區(qū)域118中，屏蔽膜108包括在導(dǎo)體組104每一側(cè)上的壓緊部分109?？蛇x的粘合劑層110可以設(shè)置在屏蔽膜108之間。屏蔽電纜102a還包括可選的接地導(dǎo)體112。接地導(dǎo)體112與絕緣導(dǎo)體106間隔開(kāi)，并且在與絕緣導(dǎo)體106基本上相同的方向上延伸。導(dǎo)體組104和接地導(dǎo)體112可被布置為使得它們大體處于平面內(nèi)，如圖2a中所示。屏蔽膜108的第二覆蓋部分113設(shè)置在接地導(dǎo)體112周?chē)⑶腋采w接地導(dǎo)體112。粘合劑層110可在接地導(dǎo)體112的兩側(cè)上將屏蔽膜108彼此粘合。接地導(dǎo)體112可以電接觸屏蔽膜108中的至少一個(gè)。在圖2a中，絕緣導(dǎo)體106和屏蔽膜108實(shí)際上布置為同軸電纜構(gòu)型。圖2a的同軸電纜構(gòu)型可用于單端電路布置方式中。如圖2a的橫向剖視圖中所示出，屏蔽膜108的覆蓋部分107之間存在最大間距D，并且屏蔽膜108的壓緊部分109之間存在最小間距dl。圖2a示出粘合劑層110，其設(shè)置在電纜102的壓緊區(qū)域118中的屏蔽膜108的壓緊部分109之間，且設(shè)置在電纜102a的覆蓋區(qū)域114中的屏蔽膜108的覆蓋部分107和絕緣導(dǎo)體106之間。在該布置方式中，粘合劑層110在電纜的壓緊區(qū)域118中將屏蔽膜108的壓緊部分109粘合在一起，并且在電纜102a的覆蓋區(qū)域114中將屏蔽膜108的覆蓋部分107粘合至絕緣導(dǎo)體106。圖2b的屏蔽電纜102b與圖2a的電纜102a類(lèi)似，其中類(lèi)似的元件用類(lèi)似的附圖標(biāo)號(hào)標(biāo)識(shí)，不同的是在圖2b中，可選的粘合劑層IlOb不存在于電纜102的覆蓋區(qū)域114中的屏蔽膜108的覆蓋部分107和絕緣導(dǎo)體106之間。在該布置方式中，粘合劑層IlOb在電纜的壓緊區(qū)域118中將屏蔽膜108的壓緊部分109粘合在一起，但粘合劑層110不在電纜102的覆蓋區(qū)域114中將屏蔽膜108的覆蓋部分107粘合至絕緣導(dǎo)體106。參見(jiàn)圖2c，屏蔽電纜102c類(lèi)似于圖2a的屏蔽電纜102a，不同的是電纜102c具有包括兩個(gè)絕緣導(dǎo)體106c的單個(gè)導(dǎo)體組104c。如果需要，可以將電纜102c制備為包括多個(gè)在電纜102c的整個(gè)寬度上間隔開(kāi)并沿著電纜的長(zhǎng)度延伸的導(dǎo)體組104c。絕緣導(dǎo)體106c大致布置在單個(gè)平面內(nèi)并且有效地布置成雙軸構(gòu)型。圖2c的雙軸電纜構(gòu)型可用于差分對(duì)電路布置方式或單端電路布置方式中。兩個(gè)屏蔽膜108c設(shè)置在導(dǎo)體組104c的相對(duì)側(cè)上。電纜102c包括覆蓋區(qū)域114c和壓緊區(qū)域118c。在電纜102c的覆蓋區(qū)域114c中，屏蔽膜108c包括覆蓋導(dǎo)體組104c的覆蓋部分107c。在橫截面中，覆蓋部分107c組合起來(lái)基本上圍繞導(dǎo)體組104c。在電纜102c的壓緊區(qū)域118c中，屏蔽膜108c包括在導(dǎo)體組104c每一側(cè)上的壓緊部分109c?？蛇x的粘合劑層IlOc可以設(shè)置在屏蔽膜108c之間。屏蔽電纜102c還包括類(lèi)似于如上論述的接地導(dǎo)體112的可選的接地導(dǎo)體112c。接地導(dǎo)體112c與絕緣導(dǎo)體106c間隔·開(kāi),并且在與絕緣導(dǎo)體106c基本上相同的方向上延伸。導(dǎo)體組104c和接地導(dǎo)體112c可被布置為使得它們大體處于平面內(nèi)，如圖2c中所示。如圖2c的橫截面中所示,屏蔽膜108c的覆蓋部分107c之間存在最大間距D ;屏蔽膜108c的壓緊部分109c之間存在最小間距Cl1 ;絕緣導(dǎo)體106c之間的屏蔽膜108c之間
存在最小間距d2。圖2c示出粘合劑層110c，其設(shè)置在電纜102c的壓緊區(qū)域118c中的屏蔽膜108c的壓緊部分109c之間，且設(shè)置在電纜102c的覆蓋區(qū)域114c中的屏蔽膜108c的覆蓋部分107c和絕緣導(dǎo)體106c之間。在該布置方式中，粘合劑層IIOc在電纜102c的壓緊區(qū)域118c中將屏蔽膜108c的壓緊部分109c粘合在一起，并且還在電纜102c的覆蓋區(qū)域114c中將屏蔽膜108c的覆蓋部分107c粘合至絕緣導(dǎo)體106c。圖2d的屏蔽電纜102d與圖2c的電纜102c類(lèi)似，其中類(lèi)似的元件用類(lèi)似的附圖標(biāo)號(hào)標(biāo)識(shí)，不同的是在電纜102d中，可選的粘合劑層IlOd不存在于電纜的覆蓋區(qū)域114c中的屏蔽膜108c的覆蓋部分107c與絕緣導(dǎo)體106c之間。在該布置方式中，粘合劑層IlOd在電纜的壓緊區(qū)域118c中將屏蔽膜108c的壓緊部分109c粘合在一起，但不在電纜102d的覆蓋區(qū)域114c中將屏蔽膜108c的覆蓋部分107c粘合至絕緣導(dǎo)體106c。現(xiàn)在參見(jiàn)圖2e，我們看到屏蔽電纜102e的橫截面圖在多個(gè)方面與圖2a的屏蔽電纜102a類(lèi)似。然而，其中電纜102a包括僅具有單個(gè)絕緣導(dǎo)體106的單個(gè)導(dǎo)體組104，而電纜102e包括具有兩個(gè)沿著電纜102e的長(zhǎng)度延伸的絕緣導(dǎo)體106e的單個(gè)導(dǎo)體組104e。可以將電纜102e制備為具有多個(gè)在電纜102e的整個(gè)寬度上彼此間隔開(kāi)并沿著電纜102e的長(zhǎng)度延伸的導(dǎo)體組104e。絕緣導(dǎo)體106e被有效地布置成雙絞式電纜構(gòu)造，從而使絕緣導(dǎo)體106e互相扭絞并沿著電纜102e的長(zhǎng)度延伸。圖2f示出的另一條屏蔽電纜102f也在多個(gè)方面類(lèi)似于圖2a的屏蔽電纜102a。然而，其中電纜102a包括僅具有單個(gè)絕緣導(dǎo)體106的單個(gè)導(dǎo)體組104，而電纜102f包括具有四個(gè)沿著電纜102f的長(zhǎng)度延伸的絕緣導(dǎo)體106f的單個(gè)導(dǎo)體組104f?？梢詫㈦娎|102f制備為具有多個(gè)在電纜102f的整個(gè)寬度上彼此間隔開(kāi)并沿著電纜102f的長(zhǎng)度延伸的導(dǎo)體組 104f。絕緣導(dǎo)體106f被有效地布置成四芯電纜構(gòu)造，這樣當(dāng)絕緣導(dǎo)體106f沿著電纜102f的長(zhǎng)度延伸時(shí)，絕緣導(dǎo)體106f可以互相扭絞，也可以不互相扭絞。重新參照?qǐng)D2a_2f，屏蔽電纜的其他實(shí)施例可以包括大致布置在單個(gè)平面內(nèi)的多個(gè)間隔開(kāi)的導(dǎo)體組104、104(、1046或104€或它們的組合。任選地，屏蔽電纜可以包括多個(gè)接地導(dǎo)體112，所述多個(gè)接地導(dǎo)體與導(dǎo)體組的絕緣導(dǎo)體間隔開(kāi)并大致以與導(dǎo)體組的絕緣導(dǎo)體相同的方向延伸。在某些構(gòu)型中，導(dǎo)體組和接地導(dǎo)體可以大致布置在單個(gè)平面內(nèi)。圖2g示出此類(lèi)屏蔽電纜的示例性實(shí)施例。參見(jiàn)圖2g，屏蔽電纜102g包括大致布置在平面內(nèi)的多個(gè)間隔開(kāi)的導(dǎo)體組104、104c。屏蔽電纜102g還包括設(shè)置在導(dǎo)體組104、104c之間并且位于屏蔽電纜102g兩側(cè)或邊緣處的可選的接地導(dǎo)體112。
第一屏蔽膜和第二屏蔽膜208設(shè)置在電纜102g的相對(duì)側(cè)上，并且被布置為使得在橫截面中，電纜102g包括覆蓋區(qū)域224和壓緊區(qū)域228。在電纜的覆蓋區(qū)域224中，在橫截面中，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜208的覆蓋部分217基本上圍繞每一個(gè)導(dǎo)體組104、104c。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜208的壓緊部分219在每一個(gè)導(dǎo)體組104、104c的兩側(cè)上形成壓緊區(qū)域218。屏蔽膜208設(shè)置在接地導(dǎo)體112周?chē)?。可選的粘合劑層210設(shè)置在屏蔽膜208之間并使屏蔽膜208的壓緊部分219在每一個(gè)導(dǎo)體組104、104c兩側(cè)上的壓緊區(qū)域228中彼此粘合。屏蔽電纜102g包括同軸電纜布置(導(dǎo)體組104)和雙軸電纜布置(導(dǎo)體組104c)的組合，并且因此可以被稱(chēng)為混合電纜布置?？梢詫⒁粭l、兩條或更多條屏蔽電纜端接到端接元件，如印刷電路板、插卡等。因?yàn)榻^緣導(dǎo)體和接地導(dǎo)體可以大致布置在單個(gè)平面內(nèi)，所以本發(fā)明所公開(kāi)的屏蔽電纜能很好地適于整體剝離(即，從絕緣導(dǎo)體上同時(shí)剝離屏蔽膜和絕緣體)和多端子封端(即，同時(shí)端接絕緣導(dǎo)體和接地導(dǎo)體的已剝離端)，這使得能夠進(jìn)行更加自動(dòng)化的電纜組裝過(guò)程。這是本發(fā)明所公開(kāi)的屏蔽電纜中的至少一些屏蔽電纜的優(yōu)點(diǎn)。例如，絕緣導(dǎo)體和接地導(dǎo)體的已剝離端可以(例如)被端接到接觸導(dǎo)電路徑或印刷電路板上的其他元件。在其他情況下，絕緣導(dǎo)體和接地導(dǎo)體的已剝離端可以被端接到任何合適的端接裝置的任何合適的單個(gè)接觸元件，例如，電連接器的電觸點(diǎn)。圖3a_3d示出了將屏蔽電纜302端接到印刷電路板或其他端接元件314的示例性端接過(guò)程。這種端接過(guò)程可以是多端子封端過(guò)程，并且包括剝離(在圖3a_3b中示出)、對(duì)齊(在圖3c中示出)和端接(在圖3d中示出)這些步驟。當(dāng)形成可以通常采用本文所示和/或所述的任何電纜形式的屏蔽電纜302時(shí)，屏蔽電纜302的導(dǎo)體組304、絕緣導(dǎo)體306和接地導(dǎo)體312的布置方式可以與印刷電路板314上的接觸元件316的布置方式匹配，這可以消除對(duì)齊或端接過(guò)程中屏蔽電纜302的端部的任何顯著操作。在圖3a示出的步驟中，移除屏蔽膜308的端部308a。可以使用任何合適的方法，例如機(jī)械剝離或激光剝離。該步驟使絕緣導(dǎo)體306和接地導(dǎo)體312的端部暴露。在一個(gè)方面，整體剝離屏蔽膜308的端部308a是可能的，因?yàn)樗鼈冃纬膳c絕緣導(dǎo)體306的絕緣體分離的整體連接層。從絕緣導(dǎo)體306上移除屏蔽膜308可以防止在這些位置處出現(xiàn)電短路，并且還可以獨(dú)立地移動(dòng)絕緣導(dǎo)體306和接地導(dǎo)體312的暴露端部。在圖3b所示的步驟中，移除絕緣導(dǎo)體306的絕緣體的端部306a?？梢允褂萌魏魏线m的方法，例如機(jī)械剝離或激光剝離。該步驟使絕緣導(dǎo)體306的導(dǎo)體的端部暴露。在圖3c所示的步驟中，將屏蔽電纜302與印刷電路板314對(duì)齊，使得屏蔽電纜302的絕緣導(dǎo)體306的導(dǎo)體的端部和接地導(dǎo)體312的端部與印刷電路板314上的接觸元件316對(duì)齊。在圖3d所示的步驟中，屏蔽電纜302的絕緣導(dǎo)體306的導(dǎo)體的端部和接地導(dǎo)體312的端部被端接到印刷電路板314上的接觸元件316。舉例來(lái)說(shuō)，可使用的合適的端接方法的實(shí)例包括軟焊、焊接、卷曲、機(jī)械夾持和粘合性粘合。在一些情況下，本發(fā)明所公開(kāi)的屏蔽電纜可以被制成包括設(shè)置在導(dǎo)體組之間的一個(gè)或多個(gè)縱向狹縫或其他裂縫?？梢杂昧芽p至少沿著屏蔽電纜的長(zhǎng)度的一部分分開(kāi)各個(gè)導(dǎo)體組，從而至少增加電纜的側(cè)向柔韌性。這可以(例如)更易于將屏蔽電纜設(shè)置到曲線型外側(cè)護(hù)套內(nèi)。在其他實(shí)施例中，可以設(shè)置裂縫，以便分開(kāi)單個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體組和接地導(dǎo)體。為了保持導(dǎo)體組和接地導(dǎo)體的間距，裂縫沿著屏蔽電纜的長(zhǎng)度可以是不連續(xù)的。為了保持屏蔽電纜的至少一個(gè)端部中的導(dǎo)體組和接地導(dǎo)體的間距以便保持多端子封端能力，裂縫可以不延伸到電纜的一個(gè)或兩個(gè)端部中?？梢杂萌魏魏线m的方法在屏蔽電纜中形成裂縫，例如使 用激光切割或沖壓。作為縱向裂縫的替代或者結(jié)合縱向裂縫，可以在本發(fā)明所公開(kāi)的屏蔽電纜中形成其他合適形狀的開(kāi)口，如孔，以便例如至少增加電纜的側(cè)向柔韌性。本發(fā)明所公開(kāi)的屏蔽電纜中所用的屏蔽膜可以具有多種構(gòu)型并可以用多種方法制備。在一些情況下，一個(gè)或多個(gè)屏蔽膜可以包括導(dǎo)電層和非導(dǎo)電聚合物層。導(dǎo)電層可以含有任何合適的導(dǎo)電材料，包括(但不限于)銅、銀、鋁、金及其合金。非導(dǎo)電聚合物層可以包括任何合適的聚合物材料，包括(但不限于)聚酯、聚酰亞胺、聚酰胺-酰亞胺、聚四氟乙烯、聚丙烯、聚乙烯、聚亞苯基硫化物、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、硅橡膠、乙烯丙烯二烯橡膠、聚氨酯、丙烯酸酯、有機(jī)硅、天然橡膠、環(huán)氧樹(shù)脂和合成橡膠粘合劑。非導(dǎo)電聚合物層可以含有一種或多種添加劑和/或填料，從而得到適于預(yù)期應(yīng)用的屬性。在一些情況下，屏蔽膜中的至少一個(gè)可以包括設(shè)置在導(dǎo)電層和非導(dǎo)電聚合物層之間的層合粘合劑層。對(duì)于具有設(shè)置在非導(dǎo)電層上的導(dǎo)電層的屏蔽膜，或具有一個(gè)導(dǎo)電的主外表面和基本上不導(dǎo)電的相對(duì)的主外表面的屏蔽膜而言，可以根據(jù)需要以若干不同的取向?qū)⑵帘文そY(jié)合到屏蔽電纜中。在一些情況下，例如，導(dǎo)電表面可以面對(duì)絕緣線和地線的導(dǎo)體組，并且在一些情況下，非導(dǎo)電表面可以面對(duì)那些元件。如果電纜的相對(duì)側(cè)上使用兩個(gè)屏蔽膜，膜可以被取向?yàn)槭沟盟鼈兊膶?dǎo)電表面彼此面對(duì)，并且各自面對(duì)導(dǎo)體組和地線，或者它們可以被取向?yàn)槭沟盟鼈兊姆菍?dǎo)電表面彼此面對(duì)并各自面對(duì)導(dǎo)體組和地線，或者它們可以被取向?yàn)槭沟靡粋€(gè)屏蔽膜的導(dǎo)電表面面對(duì)導(dǎo)體組和地線，而另一個(gè)屏蔽膜的非導(dǎo)電表面面對(duì)電纜另一側(cè)的導(dǎo)體組和地線。在一些情況下，屏蔽膜中的至少一個(gè)可以是或包括獨(dú)立導(dǎo)電膜，如適形的或柔性的金屬箔?？梢曰谶m于預(yù)期應(yīng)用的多個(gè)設(shè)計(jì)參數(shù)(例如柔性、電性能)和屏蔽電纜的構(gòu)型(例如，是否存在接地導(dǎo)體和接地導(dǎo)體的位置)來(lái)選擇屏蔽膜的構(gòu)造。在一些情況下，屏蔽膜可以具有一體地形成的構(gòu)造。在一些情況下，屏蔽膜可以具有O. Olmm至O. 05_范圍內(nèi)的厚度。屏蔽膜有利地在導(dǎo)體組之間提供絕緣、屏蔽和精確間距，并允許進(jìn)行自動(dòng)化更高和成本更低的電纜制備過(guò)程。另外，屏蔽膜防止被稱(chēng)為“信號(hào)吸出”的現(xiàn)象或共振，由此在特定頻度范圍內(nèi)出現(xiàn)高信號(hào)衰減。這種現(xiàn)象通常出現(xiàn)在導(dǎo)電屏蔽件卷繞在導(dǎo)體組周?chē)某Ｒ?guī)屏蔽電纜中。如本文其他地方所述，電纜構(gòu)造中可以使用粘合劑材料在電纜的覆蓋區(qū)域處將一個(gè)或兩個(gè)屏蔽膜粘合到導(dǎo)體組中的一個(gè)、一些或所有，和/或可以用粘合劑材料在電纜的壓緊區(qū)域處將兩個(gè)屏蔽膜粘合在一起。粘合劑材料層可以設(shè)置在至少一個(gè)屏蔽膜上，在電纜的相對(duì)側(cè)上使用兩個(gè)屏蔽膜的情況中，粘合劑材料層可以設(shè)置在兩個(gè)屏蔽膜上。在后一種情況下，一個(gè)屏蔽膜上使用的粘合劑優(yōu)選地與另一個(gè)屏蔽膜上使用的粘合劑相同，但如果需要也可以不同。給定的粘合劑層可以包含電絕緣粘合劑，并可以提供兩個(gè)屏蔽膜之間的絕緣粘合。此外，給定的粘合劑層可以提供屏蔽膜中的至少一個(gè)與導(dǎo)體組中的一個(gè)、一些或所有的絕緣導(dǎo)體之間，以及屏蔽膜中的至少一個(gè)與接地導(dǎo)體中的一個(gè)、一些或所有(如果有的話)之間的絕緣粘合?；蛘撸o定的粘合劑層可以包含導(dǎo)電粘合劑，并可以提供兩個(gè)屏蔽膜之間的導(dǎo)電粘合。此外，給定的粘合劑層可以提供屏蔽膜中的至少一個(gè)與接地導(dǎo)體中 的一個(gè)、一些或所有(如果有的話)之間的導(dǎo)電粘合。合適的導(dǎo)電粘合劑包括導(dǎo)電顆粒，從而提供電流的流動(dòng)。導(dǎo)電顆?？梢允钱?dāng)前所使用的任何類(lèi)型的顆粒，如球體、薄片、棒、立方體、無(wú)定形或其他顆粒形狀。它們可以是固體或基本為固體的顆粒，如炭黑、碳纖維、鎳球體、帶鎳涂層的銅球體、帶金屬涂層的氧化物、帶金屬涂層的聚合物纖維或其他類(lèi)似的導(dǎo)電顆粒。這些導(dǎo)電顆?？梢杂杀诲兏不蛲扛灿兄T如銀、鋁、鎳或銦錫氧化物之類(lèi)的導(dǎo)電材料的電絕緣材料制成。這些帶金屬涂層的絕緣材料可以是基本中空的顆粒，如中空玻璃球體，或者可以包括固體材料，如玻璃微珠或金屬氧化物。導(dǎo)電顆?？梢允羌s數(shù)十微米至納米級(jí)的材料，如碳納米管。合適的導(dǎo)電粘合劑還可以包括導(dǎo)電性聚合物基質(zhì)。當(dāng)用于給定電纜構(gòu)造時(shí)，粘合劑層優(yōu)選地相對(duì)于電纜的其他元件在形狀上基本上適形，并適形于電纜的彎曲運(yùn)動(dòng)。在一些情況下，給定的粘合劑層可以是基本上連續(xù)的，如沿著給定屏蔽膜的給定主表面的基本上整個(gè)長(zhǎng)度和寬度延伸。在一些情況下，粘合劑層可以為基本上不連續(xù)的。例如，粘合劑層可以只存在于沿著給定屏蔽膜的長(zhǎng)度或?qū)挾鹊哪承┎糠种?。不連續(xù)的粘合劑層可以例如包括多個(gè)縱向粘合劑條，它們?cè)O(shè)置在如每一個(gè)導(dǎo)體組兩側(cè)上的屏蔽膜的壓緊部分之間和接地導(dǎo)體(如果有的話)旁邊的屏蔽膜之間。給定粘合劑材料可以是或包括壓敏粘合劑、熱熔性粘合劑、熱固性粘合劑和固化性粘合劑中的至少一種。粘合劑層可以被構(gòu)造用于提供比一個(gè)或多個(gè)絕緣導(dǎo)體與屏蔽膜之間的粘合顯著更強(qiáng)的屏蔽膜之間的粘合。這可以例如通過(guò)適當(dāng)?shù)剡x擇粘合劑制劑來(lái)實(shí)現(xiàn)。這種粘合劑構(gòu)型的優(yōu)點(diǎn)是易于將屏蔽膜從絕緣導(dǎo)體的絕緣部分剝離。在其他情況下，粘合劑層可以被構(gòu)造用于提供強(qiáng)度基本上相等的屏蔽膜之間的粘合和一個(gè)或多個(gè)絕緣導(dǎo)體與屏蔽膜之間的粘合。這種粘合劑構(gòu)型的優(yōu)點(diǎn)是在屏蔽膜之間錨接絕緣導(dǎo)體。當(dāng)具有該構(gòu)造的屏蔽電纜彎曲時(shí)，允許進(jìn)行極小的相對(duì)運(yùn)動(dòng)，從而減小了屏蔽膜翹曲的可能性。可以基于預(yù)期應(yīng)用來(lái)選擇合適的粘合強(qiáng)度。在一些情況下，可以使用厚度小于約O. 13mm的適形的粘合劑層。在示例性的實(shí)施例中，粘合劑層具有小于約O. 05mm的厚度。給定的粘合劑層可以適形，以實(shí)現(xiàn)所需的屏蔽電纜的機(jī)械和電性能特性。例如，粘合劑層可以適形，以便使導(dǎo)體組之間的區(qū)域中的屏蔽膜之間更薄，這可以至少增加屏蔽電纜的側(cè)向柔韌性。這樣可以更易于將屏蔽電纜設(shè)置到曲線型外側(cè)護(hù)套中。在一些情況下，粘合劑層可以適形，以便使緊鄰導(dǎo)體組的區(qū)域中更厚并基本上適形于導(dǎo)體組。這可以提高機(jī)械強(qiáng)度并能夠在這些區(qū)域中形成大致曲線形狀的屏蔽膜，從而可以例如在折曲電纜時(shí)提高屏蔽電纜的耐久性。另外，這有助于沿著屏蔽電纜的長(zhǎng)度保持絕緣導(dǎo)體相對(duì)于屏蔽膜的位置和間距，從而可以使屏蔽電纜獲得更均勻的阻抗和更佳的信號(hào)完整性。給定的粘合劑層可以適形，以便有效地將其從導(dǎo)體組之間的區(qū)域中(如電纜壓緊區(qū)域中)的屏蔽膜之間部分地或完全移除。因此，在這些區(qū)域中屏蔽膜可以彼此電接觸，這可以提高電纜的電性能。在一些情況下，粘合劑層可以適形，以便有效地將其從屏蔽膜中的至少一個(gè)與接地導(dǎo)體之間部分地或完全移除。因此，在這些區(qū)域中，接地導(dǎo)體可以電接觸屏蔽膜中的至少一個(gè)，這可以提高電纜的電性能。即使在薄粘合劑層保留在屏蔽膜中的至少一個(gè)與給定接地導(dǎo)體之間的情況下，接地導(dǎo)體上的突起物可以穿透薄粘合劑層，從而按照預(yù)期建立電接觸。圖4a_4c為三個(gè)示例性屏蔽電纜的剖視圖，示出了屏蔽電纜中的接地導(dǎo)體的布置方式的實(shí)例。屏蔽電纜的一個(gè)方面是屏蔽件的正確接地，此類(lèi)接地可以用多種方法實(shí)現(xiàn)。在一些情況下，給定接地導(dǎo)體可以與屏蔽膜中的至少一個(gè)電接觸，使得將給定接地導(dǎo)體接地也可以使屏蔽膜或膜接地。此類(lèi)接地導(dǎo)體也可以被稱(chēng)為“排擾線”。屏蔽膜與接地導(dǎo)體之 間的電接觸的特征可在于相對(duì)較低的直流電阻，如，小于10Ω、或小于2Ω或基本上為O Ω的直流電阻。在一些情況下，給定接地導(dǎo)體可以不與屏蔽膜電接觸，但可以是電纜構(gòu)造中的單獨(dú)元件，它獨(dú)立地端接到任何合適的端接元件的任何合適的單獨(dú)的接觸元件，例如印刷電路板、背板或其他裝置的導(dǎo)電路徑或其他接觸元件。此類(lèi)接地導(dǎo)體也可以被稱(chēng)為“地線”。圖4a示出了示例性的屏蔽電纜，其中接地導(dǎo)體設(shè)置在屏蔽膜的外部。在圖4b和圖4c示出的實(shí)施例中，接地導(dǎo)體設(shè)置在屏蔽膜之間，并可以包含在導(dǎo)體組中?？梢詫⒁粋€(gè)或多個(gè)接地導(dǎo)體設(shè)置在屏蔽膜的外部、屏蔽膜之間或這二者的組合的任何合適的位置中。參見(jiàn)圖4a，屏蔽電纜402a包括沿著電纜402a的長(zhǎng)度延伸的單個(gè)導(dǎo)體組404a。導(dǎo)體組404a具有兩個(gè)絕緣導(dǎo)體406，即一對(duì)絕緣導(dǎo)體?？梢詫㈦娎|402a制成具有多個(gè)在電纜的整個(gè)寬度上彼此間隔開(kāi)并沿著電纜的長(zhǎng)度延伸的導(dǎo)體組404a。設(shè)置在電纜相對(duì)側(cè)上的兩個(gè)屏蔽膜408a包括覆蓋部分407a。在橫截面中，覆蓋部分407a組合起來(lái)基本上圍繞導(dǎo)體組404a?？蛇x的粘合劑層410a設(shè)置在屏蔽膜408a的壓緊部分409a之間，并使屏蔽膜408a在導(dǎo)體組404a的兩側(cè)上彼此粘合。絕緣導(dǎo)體406大致布置在單個(gè)平面內(nèi)并有效地布置成雙軸電纜構(gòu)型，其可用于單端電路布置方式或差分對(duì)電路布置方式。屏蔽電纜402a還包括多個(gè)設(shè)置在屏蔽膜408a外部的接地導(dǎo)體412。接地導(dǎo)體412被設(shè)置在導(dǎo)體組404a之上、之下或兩側(cè)上。任選地，電纜402a包括圍繞屏蔽膜408a和接地導(dǎo)體412的保護(hù)膜420。保護(hù)膜420包括保護(hù)層421和將保護(hù)層421粘合到屏蔽膜408a和接地導(dǎo)體412的粘合劑層422?；蛘撸梢杂猛獠繉?dǎo)電屏蔽件(例如，導(dǎo)電編織物)和外部絕緣外皮(未示出)圍繞屏蔽膜408a和接地導(dǎo)體412。參見(jiàn)圖4b，屏蔽電纜402b包括沿著電纜402b的長(zhǎng)度延伸的單個(gè)導(dǎo)體組404b。導(dǎo)體組404b具有兩個(gè)絕緣導(dǎo)體406，即一對(duì)絕緣導(dǎo)體。可以將電纜402b制成具有多個(gè)在電纜的整個(gè)寬度上彼此間隔開(kāi)并沿著電纜的長(zhǎng)度延伸的導(dǎo)體組404b。兩個(gè)屏蔽膜408b設(shè)置在電纜402b的相對(duì)側(cè)上并包括覆蓋部分407b。在橫截面中，覆蓋部分407b組合起來(lái)基本上圍繞導(dǎo)體組404b?？蛇x的粘合劑層410b設(shè)置在屏蔽膜408b的壓緊部分409b之間，并使屏蔽膜在導(dǎo)體組的兩側(cè)上彼此粘合。絕緣導(dǎo)體406大致布置在單個(gè)平面內(nèi)并有效地布置成雙軸或差分對(duì)電纜構(gòu)造。屏蔽電纜402b還包括設(shè)置在屏蔽膜408b之間的多個(gè)接地導(dǎo)體412。接體導(dǎo)體412中的兩個(gè)被包括在導(dǎo)體組404b中，并且接地導(dǎo)體412中的兩個(gè)與導(dǎo)體組404b間隔開(kāi)。參見(jiàn)圖4c，屏蔽電纜402c包括沿著電纜402c的長(zhǎng)度延伸的單個(gè)導(dǎo)體組404c。導(dǎo)體組404c具有兩個(gè)絕緣導(dǎo)體406，即一對(duì)絕緣導(dǎo)體。可以將電纜402c制成具有多個(gè)在電纜的整個(gè)寬度上彼此間隔開(kāi)并沿著電纜的長(zhǎng)度延伸的導(dǎo)體組404c。兩個(gè)屏蔽膜408c設(shè)置在電纜402c的相對(duì)側(cè)上并包括覆蓋部分407c。在橫截面中，覆蓋部分407c組合起來(lái)基本上圍繞導(dǎo)體組404c?？蛇x的粘合劑層410c設(shè)置在屏蔽膜408c的壓緊部分409c之間，并使屏蔽膜408c在導(dǎo)體組404c的兩側(cè)上彼此粘合。絕緣導(dǎo)體406大致布置在單個(gè)平面內(nèi)并有效地布置成雙軸或差分對(duì)電纜構(gòu)造。屏蔽電纜402c還包括設(shè)置在屏蔽膜408c之間的多個(gè)接地導(dǎo)體412。所有接地導(dǎo)體412都被包括在導(dǎo)體組404c中。接地導(dǎo)體412中的兩個(gè)和絕緣導(dǎo)體406大致布置在單個(gè)平面內(nèi)。如果需要，可以用一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電的電纜夾將本發(fā)明所公開(kāi)的屏蔽電纜連接到電路板或其他端接元件。例如，屏蔽電纜可以包括大致布置在單個(gè)平面內(nèi)的多個(gè)間隔開(kāi)的導(dǎo) 體組，并且每一個(gè)導(dǎo)體組可以包括兩個(gè)沿著電纜長(zhǎng)度延伸的絕緣導(dǎo)體?？梢詫蓚€(gè)屏蔽膜設(shè)置在電纜的相對(duì)側(cè)上，并且在橫截面中，它們基本上圍繞導(dǎo)體組中的每一個(gè)。可以將電纜夾夾到或者說(shuō)是附接到屏蔽電纜的端部，使得屏蔽膜中的至少一個(gè)電接觸電纜夾。電纜夾可以被構(gòu)造用于端接到接接地參考，如印刷電路板上的導(dǎo)電線路或其他接觸元件，以建立屏蔽電纜與接接地參考之間的接地連接。舉例來(lái)說(shuō)，可以使用任何合適的方法，包括軟焊、焊接、卷曲、機(jī)械夾持和粘附性粘合，將電纜夾端接至接接地參考。當(dāng)被端接時(shí)，電纜夾可以有利于將屏蔽電纜的絕緣導(dǎo)體的導(dǎo)體的端部端接至端接點(diǎn)的接觸元件，例如印刷電路板上的接觸元件。屏蔽電纜可以包括如本文所述的一個(gè)或多個(gè)接地導(dǎo)體，所述接地導(dǎo)體可以除了屏蔽膜中的至少一個(gè)之外還電接觸電纜夾或者可以接觸電纜夾而非接觸屏蔽膜中的至少一個(gè)。圖5a_5c示出了示例性的屏蔽電纜制備方法。具體地講，這些圖示出了制備可基本上與圖I中所示出的屏蔽電纜相同的屏蔽電纜的示例性方法。在圖5a所示的步驟中，使用任何合適的方法(例如擠出)形成，或者說(shuō)是提供絕緣導(dǎo)體506。可以形成具有任何合適長(zhǎng)度的絕緣導(dǎo)體506。然后，可以提供這樣的絕緣導(dǎo)體506或者將其切割成期望的長(zhǎng)度?？梢杂妙?lèi)似的方式形成和提供接地導(dǎo)體512 (參見(jiàn)圖5c)。在圖5b所示的步驟中，形成屏蔽膜508?？梢允褂萌魏魏线m的方法例如連續(xù)寬幅材處理法來(lái)形成單層或多層幅材?？梢孕纬删哂腥魏魏线m長(zhǎng)度的屏蔽膜508。然后，可以提供這樣的屏蔽膜508或者將其切割成期望的長(zhǎng)度和/或?qū)挾??？梢詫⑵帘文?08預(yù)形成為具有橫向部分折疊，以增加縱向上的柔韌性。屏蔽膜中的一個(gè)或兩個(gè)可以包括適形的粘合劑層510，可以使用任何合適的方法，例如層合或?yàn)R射法在屏蔽膜508上形成適形的粘合劑層。在圖5c所示的步驟中，提供了多個(gè)絕緣導(dǎo)體506、接地導(dǎo)體512和屏蔽膜508。提供了成形工具524。成形工具524包括一對(duì)成形輥526a、526b，成形輥的形狀與成品屏蔽電纜的所需橫截面形狀相對(duì)應(yīng)，成形工具還包括輥縫528。根據(jù)所需屏蔽電纜(例如本文所示和/或所述的任何電纜)的構(gòu)型布置絕緣導(dǎo)體506、接地導(dǎo)體512和屏蔽膜508，并且將它們?cè)O(shè)置在成形輥526a、526b附近，然后將它們同時(shí)送入成形輥526a、526b的輥縫528中，并設(shè)置在成形輥526a、526b之間。成形工具524圍繞導(dǎo)體組504和接地導(dǎo)體512形成屏蔽膜508，并使屏蔽膜508在每一個(gè)導(dǎo)體組504和接地導(dǎo)體512的兩側(cè)上彼此粘合。可以施加熱以便于進(jìn)行粘合。盡管在該實(shí)施例中，在單次操作中形成圍繞導(dǎo)體組504和接地導(dǎo)體512的屏蔽膜508并使屏蔽膜508在每一個(gè)導(dǎo)體組504和接地導(dǎo)體512的兩側(cè)上彼此粘合，但是在其他實(shí)施例中，可以以單獨(dú)的一些操作來(lái)進(jìn)行這些步驟。在后續(xù)的制造操作中，如果需要，可以在導(dǎo)體組之間形成縱向裂縫?？梢杂萌魏魏线m的方法在屏蔽電纜中形成此類(lèi)裂縫，例如使用激光切割或沖壓。在另一個(gè)任選的制造操作中，可以沿著壓緊區(qū)域?qū)⑵帘坞娎|多次縱向折疊成束，并且可以用任何合適的方法在折疊的束周?chē)峁┩獠繉?dǎo)電性屏蔽件。也可以用任何合適的方法在外部導(dǎo)電性屏蔽件周?chē)峁┩鈧?cè)護(hù)套，例如使用擠出。在其他實(shí)施例中，可以省略外部導(dǎo)電性屏蔽件，并且可以由自身在折疊的屏蔽電纜周?chē)峁┩鈧?cè)護(hù)套。圖6a_6c詳細(xì)示出了制備屏蔽電纜的示例性方法。具體地講，這些圖示出了在形 成和粘合屏蔽膜的過(guò)程中如何將一個(gè)或多個(gè)粘合劑層適形地成形。在圖6a所示的步驟中，提供了絕緣導(dǎo)體606、與絕緣導(dǎo)體606間隔開(kāi)的接地導(dǎo)體612和兩個(gè)屏蔽膜608。屏蔽膜608各自包括適形的粘合劑層610。在圖6b_6c所示的步驟中，在絕緣導(dǎo)體606和接地導(dǎo)體612周?chē)纬善帘文?08，并且屏蔽膜彼此粘合。最初，如圖6b所示，粘合劑層610仍然具有其原始厚度。隨著屏蔽膜608形成和粘合的進(jìn)行，粘合劑層610適形，以獲得成品屏蔽電纜602 (圖6c)所需的機(jī)械和電性能特性。如圖Ilc所示，粘合劑層610適形，以便使絕緣導(dǎo)體606和接地導(dǎo)體612兩側(cè)上的屏蔽膜608之間較?。粡倪@些區(qū)域移走部分粘合劑層610。另外，粘合劑層610適形，以便使緊鄰絕緣導(dǎo)體606和接地導(dǎo)體612的區(qū)域較厚，并且基本適形于絕緣導(dǎo)體606和接地導(dǎo)體612 ;部分粘合劑層610被移入這些區(qū)域中。另外，粘合劑層610適形，以便有效地將其從屏蔽膜608和接地導(dǎo)體612之間移除；從這些區(qū)域移走粘合劑層610，使得接地導(dǎo)體612電接觸屏蔽膜608。圖7a和圖7b示出示例性屏蔽電纜的制備過(guò)程中與壓緊區(qū)域有關(guān)的詳情。屏蔽電纜702 (參見(jiàn)圖7b)使用兩個(gè)屏蔽膜708制成，并且包括壓緊區(qū)域718 (參見(jiàn)圖7b)，其中屏蔽膜708可以是大致平行的。屏蔽膜708包括非導(dǎo)電聚合物層708b、設(shè)置在非導(dǎo)電聚合物層708b上的導(dǎo)電層708a和設(shè)置在導(dǎo)電層708a上的阻擋層708d。適形的粘合劑層710設(shè)置于阻擋層708d上。壓緊區(qū)域718包括設(shè)置在屏蔽膜708之間的縱向接地導(dǎo)體712。迫使屏蔽膜一起圍繞接地導(dǎo)體之后，接地導(dǎo)體712與屏蔽膜708的導(dǎo)電層708a形成間接電接觸。通過(guò)由阻擋層708d提供受控的導(dǎo)電層708a和接地導(dǎo)體712的分離，使得能夠進(jìn)行這種間接電接觸。在一些情況下，阻擋層708d可以是或包括非導(dǎo)電聚合物層。如圖所示，用外部壓力(參見(jiàn)圖17a)將導(dǎo)電層708a壓在一起，并迫使粘合劑層710適形地圍繞接地導(dǎo)體712 (圖17b)。因?yàn)樽钃鯇?08d至少在相同的加工條件下不會(huì)適形，所以它防止接地導(dǎo)體712與屏蔽膜708的導(dǎo)電層708a之間發(fā)生直接電接觸，而是實(shí)現(xiàn)間接電接觸?？梢酝ㄟ^(guò)選擇阻擋層708d的厚度和介電性能獲得較低的目標(biāo)直流電阻，即間接型電接觸。在一些實(shí)施例中，接地導(dǎo)體與屏蔽膜之間的特性直流電阻可以為例如小于10Ω，或小于5Ω，但大于0Ω，以實(shí)現(xiàn)所需的間接電接觸。在一些情況下，希望給定接地導(dǎo)體與一個(gè)或兩個(gè)屏蔽膜之間形成直接電接觸，因此此類(lèi)接地導(dǎo)體與此類(lèi)屏蔽膜之間的直流電阻可以基本上為O Ω。在示例性的實(shí)施例中，屏蔽電纜的覆蓋區(qū)域包括同心區(qū)域和設(shè)置在給定導(dǎo)體組一側(cè)或兩側(cè)上的過(guò)渡區(qū)域。同心區(qū)域中的給定屏蔽膜的部分被稱(chēng)為屏蔽膜的同心部分，過(guò)渡區(qū)域中的屏蔽膜的部分被稱(chēng)為屏蔽膜的過(guò)渡部分。過(guò)渡區(qū)域可以被構(gòu)造用于提供屏蔽電纜的高可制造性并消除張力和應(yīng)力。使過(guò)渡區(qū)域沿著屏蔽電纜的長(zhǎng)度保持基本上一致的構(gòu)型(包括，如，尺寸、形狀、容量和曲率半徑等方面)有助于使屏蔽電纜具有基本上一致的電性能，例如，高頻隔離、阻抗、偏差、插入損耗、反射、模式變換、眼圖開(kāi)張度和抖動(dòng)。另外，在某些實(shí)施例中，例如在其中導(dǎo)體組包括兩個(gè)沿著電纜長(zhǎng)度延伸、大致布置在單個(gè)平面內(nèi)并且有效地布置成可以差分對(duì)電路布置方式連接的雙軸電纜的絕緣導(dǎo)體的實(shí)施例中，通過(guò)使過(guò)渡部分沿著屏蔽電纜的長(zhǎng)度保持基本一致的構(gòu)型，可以有利地為導(dǎo)體 組中的兩個(gè)導(dǎo)體提供偏離理想同心情況的基本上相同的電磁場(chǎng)偏差。因此，小心控制該過(guò)渡部分沿著屏蔽電纜長(zhǎng)度的構(gòu)型有助于使電纜獲得有利的電性能和特性。圖8a至圖10示出了屏蔽電纜的多個(gè)示例性實(shí)施例，其包括設(shè)置在導(dǎo)體組一側(cè)或兩側(cè)上的屏蔽膜過(guò)渡區(qū)域。圖8a和圖Sb的剖視圖中所示的屏蔽電纜802包括沿著電纜長(zhǎng)度延伸的單個(gè)導(dǎo)體組804?？梢詫㈦娎|802制成具有多個(gè)沿著電纜的寬度彼此間隔開(kāi)并沿著電纜的長(zhǎng)度延伸的導(dǎo)體組804。雖然圖8a中僅示出了一個(gè)絕緣導(dǎo)體806,但如果需要，多個(gè)絕緣導(dǎo)體可包括在導(dǎo)體組804中。最靠近電纜壓緊區(qū)域的導(dǎo)體組的絕緣導(dǎo)體被視為導(dǎo)體組的末端導(dǎo)體。如圖所示，導(dǎo)體組804具有單個(gè)絕緣導(dǎo)體806，它也是末端導(dǎo)體，因?yàn)樗奈恢米羁拷帘坞娎|802的壓緊區(qū)域818。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜808設(shè)置在電纜的相對(duì)側(cè)上并包括覆蓋部分807。在橫截面中，覆蓋部分807基本上圍繞導(dǎo)體組804。可選的粘合劑層810設(shè)置在屏蔽膜808的壓緊部分809之間，并使屏蔽膜808在導(dǎo)體組804兩側(cè)上的電纜802的壓緊區(qū)域818中彼此粘合?？蛇x的粘合劑層810可以部分地或完全延伸穿過(guò)屏蔽膜808的覆蓋部分807，如，從導(dǎo)體組804 —側(cè)上的屏蔽膜808的壓緊部分809延伸至導(dǎo)體組804另一側(cè)上的屏蔽膜808的壓緊部分809。絕緣導(dǎo)體806被有效地布置成可用于單端電路布置方式的同軸電纜。屏蔽膜808可以包括導(dǎo)電層808a和非導(dǎo)電聚合物層808b。在一些實(shí)施例中，如圖8a和圖8b所不,兩個(gè)屏蔽膜的導(dǎo)電層808a面向絕緣導(dǎo)體?；蛘?，屏蔽膜808中的一個(gè)或全部?jī)蓚€(gè)的導(dǎo)電層的取向可以反轉(zhuǎn)，如本文其他地方所述。屏蔽膜808包括與導(dǎo)體組804的末端導(dǎo)體806基本上同心的同心部分。屏蔽電纜802包括過(guò)渡區(qū)域836。電纜802的過(guò)渡區(qū)域836中的屏蔽膜808的部分為屏蔽膜808的過(guò)渡部分834。在一些實(shí)施例中，屏蔽電纜802包括設(shè)置在導(dǎo)體組804兩側(cè)上的過(guò)渡區(qū)域836，并且在一些實(shí)施例中，過(guò)渡區(qū)域836可以?xún)H設(shè)置在導(dǎo)體組804的一側(cè)上。過(guò)渡區(qū)域836由屏蔽膜808和導(dǎo)體組804限定。過(guò)渡區(qū)域836中的屏蔽膜808的過(guò)渡部分834提供屏蔽膜808的同心部分811與壓緊部分809之間的逐漸過(guò)渡。與例如直角過(guò)渡或過(guò)渡點(diǎn)(與過(guò)渡部分相對(duì))的急劇過(guò)渡形成對(duì)照，逐漸或平滑的過(guò)渡(例如大致S形過(guò)渡)消除了過(guò)渡區(qū)域836中的屏蔽膜808的張力和應(yīng)力，并防止了當(dāng)使用屏蔽電纜802時(shí)(例如當(dāng)橫向或軸向彎曲屏蔽電纜802時(shí))屏蔽膜808受損。這種受損可能包括例如導(dǎo)電層808a斷裂和/或?qū)щ妼?08a與非導(dǎo)電聚合物層808b之間失去粘合。另外，逐漸過(guò)渡防止了在制造屏蔽電纜802的過(guò)程中屏蔽膜808受損，這種受損可能包括例如導(dǎo)電層808a和/或非導(dǎo)電聚合物層808b的開(kāi)裂或斷開(kāi)。在屏蔽帶狀電纜中的導(dǎo)體組中的一個(gè)、一些或所有的一側(cè)或兩側(cè)上使用本發(fā)明所公開(kāi)的過(guò)渡區(qū)域代表著脫離了常規(guī)的電纜構(gòu)型，例如，屏蔽件通常連續(xù)地設(shè)置在單個(gè)絕緣導(dǎo)體周?chē)牡湫屯S電纜，或者屏蔽件連續(xù)設(shè)置在一對(duì)絕緣導(dǎo)體周?chē)牡湫偷某Ｒ?guī)雙軸電纜。盡管這些常規(guī)的屏蔽構(gòu)型可以提供模型電磁概況，但此類(lèi)概況可能并非獲得給定應(yīng)用的合格電性能所必需的。根據(jù)本發(fā)明所公開(kāi)的屏蔽電纜中的至少一些的一個(gè)方面，通過(guò)減小過(guò)渡區(qū)域的電沖擊，如，通過(guò)減小過(guò)渡區(qū)域的尺寸和/或仔細(xì)控制過(guò)渡區(qū)域沿著屏蔽電纜長(zhǎng)度的構(gòu)型，可以獲得合格的電性能。通過(guò)減小過(guò)渡區(qū)域的尺寸可以減小電容偏差并且可以減小多個(gè)導(dǎo)體組之間所需的間距，從而減小導(dǎo)體組間距和/或增大導(dǎo)體組之間的電隔離。仔細(xì)控制過(guò)渡區(qū)域沿著屏蔽電纜長(zhǎng)度的構(gòu)型有助于獲得可預(yù)期的電性能和一致性，這可供高速傳輸線路使用，從而可以更可靠地傳輸電數(shù)據(jù)。當(dāng)過(guò)渡部分的尺寸接近尺寸下限時(shí)，仔細(xì)控制過(guò)渡區(qū) 域沿著屏蔽電纜長(zhǎng)度的構(gòu)型是一個(gè)因素。通?？紤]到的電特性是傳輸線路的特性阻抗。沿著傳輸線路長(zhǎng)度的任何阻抗變化可能造成功率反射回到源，而不是被發(fā)送到目標(biāo)。理想的是，沿著傳輸線路的長(zhǎng)度，傳輸線路將沒(méi)有阻抗變化，但是，根據(jù)預(yù)期應(yīng)用，高達(dá)5%-10%的變化可能是合格的。在雙軸電纜(采用不同方式驅(qū)動(dòng))中通常考慮的另外的電特性是成對(duì)的兩個(gè)傳輸線路沿著其長(zhǎng)度的至少一部分的有偏差或不相等的傳輸速度。所述偏差使差分信號(hào)轉(zhuǎn)化為可以被反射回到源的共模信號(hào)，降低已發(fā)送信號(hào)的強(qiáng)度，產(chǎn)生電磁輻射并且可以急劇增加比特誤差率，特別是抖動(dòng)。理想的是，一對(duì)傳輸線路將沒(méi)有偏差，但是根據(jù)預(yù)期應(yīng)用，高達(dá)所關(guān)注頻率(例如，6GHz)的小于-25至-30dB的差分S-參數(shù)S⑶21或S⑶12的值(代表傳輸線路的一端與另一端的差分-共模轉(zhuǎn)換)可能是合格的。或者，可以在時(shí)域中測(cè)量偏差并且將其與所需規(guī)格進(jìn)行比較。根據(jù)預(yù)期應(yīng)用，小于約20皮秒/米(ps/m)的值和優(yōu)選地小于約lOps/m的值可能是合格的。再次參見(jiàn)圖8a和圖Sb，為了在一定程度上幫助獲得合格的電性能，屏蔽電纜802的過(guò)渡區(qū)域836可以各自包括橫截面過(guò)渡區(qū)域836a。過(guò)渡區(qū)域836a優(yōu)選地小于導(dǎo)體806的橫截面區(qū)域806a。如圖Sb最佳示出的，過(guò)渡區(qū)域836的橫截面過(guò)渡區(qū)域836a由過(guò)渡點(diǎn)834，和834”限定。在屏蔽膜偏離與導(dǎo)體組804的末端絕緣導(dǎo)體806基本上同心的位置的地方出現(xiàn)過(guò)渡點(diǎn)834’。過(guò)渡點(diǎn)834’為屏蔽膜808的拐點(diǎn)，屏蔽膜808的曲率在該點(diǎn)處改變正負(fù)號(hào)。例如，參照?qǐng)D8b，在圖中為上部過(guò)渡點(diǎn)834’的拐點(diǎn)處，上部屏蔽膜808的彎曲從向下凹過(guò)渡為向上凹。在圖中為下部過(guò)渡點(diǎn)834’的拐點(diǎn)處，下部屏蔽膜808的彎曲從向上凹過(guò)渡為向下凹。在屏蔽膜808的壓緊部分809之間的間距超過(guò)壓緊部分809的最小間距(I1預(yù)定的系數(shù)，如I. 2或I. 5的地方出現(xiàn)另一個(gè)過(guò)渡點(diǎn)834”。另外，每一個(gè)過(guò)渡區(qū)域836a可以包括空隙區(qū)域836b。導(dǎo)體組804任一側(cè)上的空隙區(qū)域836b可以基本上相同。另外，粘合劑層810可以在屏蔽膜808的同心部分811處具有厚度Ta。，并在屏蔽膜808的過(guò)渡部分834處具有大于厚度Tae的厚度。相似地，粘合劑層810可以在屏蔽膜808的壓緊部分809之間具有厚度Tap，并在屏蔽膜808的過(guò)渡部分834處具有大于厚度Tap的厚度。粘合劑層810可以占橫截面過(guò)渡區(qū)域836a的至少25%。在過(guò)渡區(qū)域836a中存在粘合劑層810，特別是在厚度大于厚度Tae或厚度Tap處，有助于提高過(guò)渡區(qū)域836中的電纜802的強(qiáng)度。通過(guò)仔細(xì)控制屏蔽電纜802的多個(gè)元件的制造工藝和材料特性，可以減少過(guò)渡區(qū)域836中的空隙區(qū)域836b和適形的粘合劑層810的厚度的變化，這繼而可以減小橫截面過(guò)渡區(qū)域836a的電容的變化。屏蔽電纜802可以包括位于導(dǎo)體組804 —側(cè)或兩側(cè)上的過(guò)渡區(qū)域836，其包括基本上等于或小于導(dǎo)體806的橫截面區(qū)域806a的橫截面過(guò)渡區(qū)域836a。屏蔽電纜802可以包括位于導(dǎo)體組804 —側(cè)或兩側(cè)上的過(guò)渡區(qū)域836，其包括沿著導(dǎo)體806的長(zhǎng)度基本上相同的橫截面過(guò)渡區(qū)域836a。例如，橫截面過(guò)渡區(qū)域836a在I米長(zhǎng)度內(nèi)的變化可以為小于50%。屏蔽電纜802可以包括位于導(dǎo)體組804兩側(cè)上的過(guò)渡區(qū)域836，其各自包括橫截面過(guò)渡區(qū)域，其中橫截面區(qū)域834a的總和沿著導(dǎo)體806的長(zhǎng)度基本上相同。例如，橫截面區(qū)域834a的總和在Im長(zhǎng)度內(nèi)的變化可以為小于50%。屏蔽電纜802可以包括位于導(dǎo)體組804兩側(cè)上的過(guò)渡區(qū)域836，其各自包括橫截面過(guò)渡區(qū)域836a，其中橫截面過(guò)渡 區(qū)域836a基本上相同。屏蔽電纜802可以包括位于導(dǎo)體組804兩側(cè)上的過(guò)渡區(qū)域836，其中過(guò)渡區(qū)域836基本上一致。絕緣導(dǎo)體806具有絕緣體厚度Ti,并且過(guò)渡區(qū)域836可以具有比絕緣體厚度Ti小的橫向長(zhǎng)度Lf。絕緣導(dǎo)體806的中央導(dǎo)體具有直徑D。，并且過(guò)渡區(qū)域836可以具有比直徑D。小的橫向長(zhǎng)度Lf。上述各種構(gòu)型可以提供保持在所需范圍內(nèi)的特性阻抗，例如在給定長(zhǎng)度例如I米內(nèi)的目標(biāo)阻抗值(例如50 Ω )的5%-10%內(nèi)。舉例來(lái)說(shuō)，可以影響過(guò)渡區(qū)域836沿著屏蔽電纜802長(zhǎng)度的構(gòu)型的因素包括制造工藝、導(dǎo)電層808a和非導(dǎo)電聚合物層808b的厚度、粘合劑層810、以及絕緣導(dǎo)體806與屏蔽膜808之間的粘合強(qiáng)度。在一個(gè)方面，導(dǎo)體組804、屏蔽膜808和過(guò)渡區(qū)域836可按阻抗控制關(guān)系協(xié)同構(gòu)造。阻抗控制關(guān)系是指，導(dǎo)體組804、屏蔽膜808和過(guò)渡區(qū)域836被協(xié)同構(gòu)造用于控制屏蔽電纜的特性阻抗。圖9示出了示例性屏蔽電纜902的橫截面，其包括導(dǎo)體組904中的兩個(gè)絕緣導(dǎo)體，各個(gè)絕緣導(dǎo)體906各自沿著電纜902的長(zhǎng)度延伸。兩個(gè)屏蔽膜908設(shè)置在電纜902的相對(duì)側(cè)上并組合起來(lái)基本上圍繞導(dǎo)體組904?？蛇x的粘合劑層910設(shè)置在屏蔽膜908的壓緊部分909之間并使屏蔽膜908在電纜的壓緊區(qū)域918中的導(dǎo)體組904兩側(cè)上彼此粘合。絕緣導(dǎo)體906可以被大致布置在單個(gè)平面內(nèi)并有效地布置成雙軸電纜構(gòu)型。雙軸電纜構(gòu)型可用于差分對(duì)電路布置方式或單端電路布置方式。屏蔽膜908可以包括導(dǎo)電層908a和非導(dǎo)電聚合物層908b，或者可以包括導(dǎo)電層908a但沒(méi)有非導(dǎo)電聚合物層908b。在圖中，示出的每一個(gè)屏蔽膜的導(dǎo)電層908a面向絕緣導(dǎo)體906，但在可供選擇的實(shí)施例中，屏蔽膜中的一個(gè)或兩個(gè)可以具有顛倒的取向。屏蔽膜908中的至少一個(gè)的覆蓋部分907包括與導(dǎo)體組904的相應(yīng)的末端導(dǎo)體906基本上同心的同心部分911。在電纜902的過(guò)渡區(qū)域中，屏蔽膜908的過(guò)渡部分934在屏蔽膜908的同心部分911和壓緊部分909之間。過(guò)渡部分934位于導(dǎo)體組904的兩側(cè)上，并且每一個(gè)此類(lèi)部分包括橫截面過(guò)渡區(qū)域934a。橫截面過(guò)渡區(qū)域934a的總和優(yōu)選地沿著導(dǎo)體906的長(zhǎng)度基本上相同。例如，橫截面區(qū)域934a的總和在Im長(zhǎng)度內(nèi)的變化可以為小于 50%ο另外，兩個(gè)橫截面過(guò)渡區(qū)域934a可以基本上相同和/或基本上一致。過(guò)渡區(qū)域的這種構(gòu)型有助于將每一個(gè)導(dǎo)體906 (單端端接)的特性阻抗以及差分阻抗均保持在所需范圍內(nèi)，例如在給定長(zhǎng)度(例如，Im)內(nèi)的目標(biāo)阻抗的5%-10%內(nèi)。另外，過(guò)渡區(qū)域的這種構(gòu)型可以將兩個(gè)導(dǎo)體906沿著其長(zhǎng)度的至少一部分的偏差降至最低。當(dāng)電纜為未折疊的平面構(gòu)型時(shí)，屏蔽膜中的每一個(gè)的橫截面可以用在電纜902的整個(gè)寬度上變化的曲率半徑來(lái)表征。屏蔽膜908的最大曲率半徑可以出現(xiàn)在(例如)圖9中所示出的電纜902的壓緊部分909處，或多導(dǎo)體電纜組904的覆蓋部分907的中心點(diǎn)附近。在這些部分中，膜可以是大致平的，并且曲率半徑可以是基本上無(wú)窮大。屏蔽膜908的最小曲率半徑可以出現(xiàn)在(例如)屏蔽膜908的過(guò)渡部分934處。在一些實(shí)施例中，屏蔽膜在電纜的整個(gè)寬度上的曲率半徑為至少約50微米，S卩，曲率半徑的大小在電纜的邊緣之間沿著電纜寬度的任何點(diǎn)處都為不小于50微米。在一些實(shí)施例中，對(duì)于包括過(guò)渡部分的屏蔽膜而言，屏蔽膜的過(guò)渡部分的曲率半徑相似地為至少約50微米。 在未折疊的平面構(gòu)型中，包括同心部分和過(guò)渡部分的屏蔽膜用同心部分的曲率半徑R1和/或過(guò)渡部分的曲率半徑!^來(lái)表征。圖9中示出了電纜902的這些參數(shù)。在示例性的實(shí)施例中，R1A1在2至15范圍內(nèi)。圖10示出了另一條示例性屏蔽電纜1002，其包括具有兩個(gè)絕緣導(dǎo)體1006的導(dǎo)體組。在該實(shí)施例中，屏蔽膜1008具有不對(duì)稱(chēng)構(gòu)型,相對(duì)于如圖9所示的更對(duì)稱(chēng)的實(shí)施例,該圖中的過(guò)渡部分的位置有所改變。在圖10中，屏蔽電纜1002具有屏蔽膜1008的壓緊部分1009，其位于稍微偏離絕緣導(dǎo)體1006的對(duì)稱(chēng)平面的平面內(nèi)。盡管稍微偏離，但圖10的電纜及其各種元件仍可被視為大致沿著給定平面延伸，并且是基本上平坦的。過(guò)渡區(qū)域1036具有相對(duì)于其他示出的實(shí)施例稍微偏移的位置和構(gòu)型。然而，通過(guò)確保兩個(gè)過(guò)渡區(qū)域1036的位置相對(duì)于對(duì)應(yīng)的絕緣導(dǎo)體1006 (如,相對(duì)于導(dǎo)體1006之間的垂直平面)基本上對(duì)稱(chēng)，并確保仔細(xì)控制過(guò)渡區(qū)域1036沿著屏蔽電纜1002的長(zhǎng)度的構(gòu)型，屏蔽電纜1002可以被構(gòu)造為仍然能提供合格的電性能。圖Ila和圖Ilb示出了另外的示例性屏蔽電纜。這些圖用于進(jìn)一步說(shuō)明電纜的壓緊部分如何被構(gòu)造用于電隔離屏蔽電纜的導(dǎo)體組。導(dǎo)體組可以與相鄰的導(dǎo)體組電隔離(例如，用于使相鄰的導(dǎo)體組之間的串?dāng)_最小)或者與屏蔽電纜的外部環(huán)境電隔離(例如，用于使從屏蔽電纜逸出的電磁輻射最小并且使外部源帶來(lái)的電磁干擾最小)。在這兩種情況下，壓緊部分可以包括用于實(shí)現(xiàn)電隔離的各種機(jī)械結(jié)構(gòu)。舉例來(lái)說(shuō)，這些實(shí)例包括屏蔽膜非常靠近、屏蔽膜之間的高介電常數(shù)材料、直接或間接電接觸屏蔽膜中的至少一個(gè)的接地導(dǎo)體、相鄰的導(dǎo)體組之間的延伸距離、相鄰的導(dǎo)體組之間的物理斷裂、屏蔽膜彼此直接縱向、橫向或既縱向又橫向地間歇接觸、以及導(dǎo)電粘合劑。圖Ila示出了屏蔽電纜1102的剖視圖，其包括兩個(gè)在電纜102的整個(gè)寬度上間隔開(kāi)并沿著電纜的長(zhǎng)度縱向延伸的導(dǎo)體組1104a、104b。每一個(gè)導(dǎo)體組1104a、1104b具有兩個(gè)絕緣導(dǎo)體1106a、1106b。兩個(gè)屏蔽膜1108設(shè)置在電纜1102的相對(duì)側(cè)上。在橫截面中，在電纜1102的覆蓋區(qū)域1114中，屏蔽膜1108的覆蓋部分1107基本上圍繞導(dǎo)體組1104a、1104b。在電纜的壓緊區(qū)域1118中，在導(dǎo)體組1104a、1104b的兩側(cè)上，屏蔽膜1108包括壓緊部分1109。當(dāng)屏蔽電纜1102為平面和/或未折疊布置方式時(shí)，在電纜1102中，屏蔽膜1108的壓緊部分1109和絕緣導(dǎo)體1106大致布置在單個(gè)平面內(nèi)。位于導(dǎo)體組1104a、1104b之間的壓緊部分1109被構(gòu)造用于將導(dǎo)體組1104a、1104b彼此電隔離。當(dāng)布置成大致平面的未折疊布置方式時(shí)，如圖Ila所不，導(dǎo)體組1104a中第一絕緣導(dǎo)體1106a相對(duì)于導(dǎo)體組1104a中的第二絕緣導(dǎo)體1106b的高頻電隔離基本上小于第一導(dǎo)體組1104a相對(duì)于第二導(dǎo)體組1104b的高頻電隔離。如圖Ila的剖視圖所示，電纜1102可以通過(guò)屏蔽膜1108的覆蓋部分1107之間的最大間距D、屏蔽膜1108的覆蓋部分1107之間的最小間距(12和屏蔽膜1108的壓緊部分1109之間的最小間距Cl1來(lái)表征。在一些實(shí)施例中，d/D為小于O. 25或小于O. I。在一些實(shí)施例中，d2/D為大于O. 33。如圖所示，屏蔽膜1108的壓緊部分1109之間可以包括可選的粘合劑層。該粘合劑層可以是連續(xù)或不連續(xù)的。在一些實(shí)施例中，粘合劑層可以完全或部分地在電纜1102的覆蓋區(qū)域1114中延伸，如，在屏蔽膜1108的覆蓋部分1107與絕緣導(dǎo)體1106a、1106b之間延伸。粘合劑層可以設(shè)置在屏蔽膜1108的覆蓋部分1107上，并且可以完全或部分地從導(dǎo) 體組1104a、1104b —側(cè)上的屏蔽膜1108的壓緊部分1109延伸至導(dǎo)體組1104a、1104b另一側(cè)上的屏蔽膜1108的壓緊部分1109。屏蔽膜1108可以通過(guò)電纜1102的整個(gè)寬度上的曲率半徑R和/或屏蔽膜的過(guò)渡部分1112的曲率半徑和/或屏蔽膜的同心部分1111的曲率半徑r2來(lái)表征。在過(guò)渡區(qū)域1136中，屏蔽膜1108的過(guò)渡部分1112可以被布置用于提供屏蔽膜1108的同心部分1111與屏蔽膜1108的壓緊部分1109之間的逐漸過(guò)渡。屏蔽膜1108的過(guò)渡部分1112從第一過(guò)渡點(diǎn)1121 (其為屏蔽膜1108的拐點(diǎn)并標(biāo)志著同心部分1111的結(jié)束)延伸至第二過(guò)渡點(diǎn)1122，在此處，屏蔽膜之間的間距超出壓緊部分1109的最小間距Cl1預(yù)定的系數(shù)。在一些實(shí)施例中，電纜1102包括至少一個(gè)屏蔽膜，其在整個(gè)電纜的寬度上具有至少約50微米的曲率半徑R，和/或屏蔽膜1102的過(guò)渡部分1112的最小曲率半徑F1為至少約50微米。在一些實(shí)施例中，同心部分的最小曲率半徑與過(guò)渡部分的最小曲率半徑的比率^Vr1在2至15的范圍內(nèi)。圖Ilb是屏蔽電纜1202的剖視圖，其包括在電纜的整個(gè)寬度上彼此間隔開(kāi)并沿著電纜的長(zhǎng)度縱向延伸的兩個(gè)導(dǎo)體組1204。每一個(gè)導(dǎo)體組1204僅具有一個(gè)絕緣導(dǎo)體1206，并且兩個(gè)屏蔽膜1208設(shè)置在電纜1202的相對(duì)側(cè)上。在橫截面中，在電纜的覆蓋區(qū)域1214中，屏蔽膜1208的覆蓋部分1207組合起來(lái)基本上圍繞導(dǎo)體組1204的絕緣導(dǎo)體1206。在電纜的壓緊區(qū)域1218中，在導(dǎo)體組1204的兩側(cè)上，屏蔽膜1208包括壓緊部分1209。當(dāng)屏蔽電纜1202為平面和/或未折疊布置方式時(shí)，在電纜1202中，屏蔽膜1208的壓緊部分1209和絕緣導(dǎo)體1206可大致布置在單個(gè)平面內(nèi)。屏蔽膜1208的覆蓋部分1207和/或電纜1202的壓緊區(qū)域1218被構(gòu)造用于將導(dǎo)體組1204彼此電隔離。如圖中所示出，電纜1202可以通過(guò)屏蔽膜1208的覆蓋部分1207之間的最大間距D和屏蔽膜1208的壓緊部分1209之間的最小間距(I1來(lái)表征。在示例性實(shí)施例中，屯/D為小于O. 25或小于O. I。如圖所示，屏蔽膜1208的壓緊部分1209之間可以設(shè)置可選的粘合劑層。該粘合劑層可以是連續(xù)或不連續(xù)的。在一些實(shí)施例中，粘合劑層可以完全或部分地在電纜的覆蓋區(qū)域1214中延伸，如，在屏蔽膜1208的覆蓋部分1207與絕緣導(dǎo)體1206之間延伸。粘合劑層可以設(shè)置在屏蔽膜1208的覆蓋部分1207上，并且可以完全或部分地從導(dǎo)體組1204 —側(cè)上的屏蔽膜1208的壓緊部分1209延伸至導(dǎo)體組1204另一側(cè)上的屏蔽膜1208的壓緊部分1209。屏蔽膜1208可以通過(guò)電纜1202的整個(gè)寬度上的曲率半徑R和/或屏蔽膜1208的過(guò)渡部分1212的最小曲率半徑1^和/或屏蔽膜1208的同心部分1211的最小曲率半徑!■2來(lái)表征。在電纜1202的過(guò)渡區(qū)域1236中，屏蔽膜1202的過(guò)渡部分1212可以被構(gòu)造用于提供屏蔽膜1208的同心部分1211和屏蔽膜1208的壓緊部分1209之間的逐漸過(guò)渡。屏蔽膜1208的過(guò)渡部分1212從第一過(guò)渡點(diǎn)1221 (其為屏蔽膜1208的拐點(diǎn)并標(biāo)志著同心部分1211的結(jié)束)延伸至第二過(guò)渡點(diǎn)1222，在此處，屏蔽膜之間的間距超出壓緊部分1209的最小間距(I1預(yù)定的系數(shù)。在一些實(shí)施例中，屏蔽膜在整個(gè)電纜的寬度上的曲率半徑R為至少約50微米，和/或屏蔽膜的過(guò)渡部分中的最小曲率半徑為至少50微米。
在一些情況下，所述屏蔽電纜中的任何者的壓緊區(qū)域都可以被構(gòu)造為可以例如至少30°的角度α橫向彎曲。壓緊區(qū)域的這種橫向柔韌性能夠使屏蔽電纜折疊成任何合適的構(gòu)型，例如，可用于圓形電纜的構(gòu)型。在一些情況下，通過(guò)使用包括兩個(gè)或更多個(gè)相對(duì)較薄的單獨(dú)層的屏蔽膜來(lái)實(shí)現(xiàn)壓緊區(qū)域的橫向柔韌性。為了保證這些單獨(dú)層尤其在彎曲條件下的完整性，優(yōu)選地它們間的粘合保持不受損。壓緊區(qū)域可以例如具有小于約O. 13_的最小厚度，加工或使用過(guò)程中熱暴露之后單獨(dú)層之間的粘合強(qiáng)度可以為至少17. 86g/mm (I磅/英寸)。對(duì)于本發(fā)明所公開(kāi)的屏蔽電纜中的任何者的電性能都可能有利的是，電纜壓緊區(qū)域在給定導(dǎo)體組的兩側(cè)具有大約相同的尺寸和形狀。任何尺寸上的改變或不平衡都會(huì)導(dǎo)致沿著壓緊區(qū)域長(zhǎng)度的電容和電感不平衡。這繼而會(huì)造成沿著壓緊區(qū)域長(zhǎng)度的阻抗差和相鄰導(dǎo)體組之間的阻抗不平衡。至少出于這些原因，可能需要控制屏蔽膜之間的間距。在一些情況下，在導(dǎo)體組每一側(cè)上的電纜壓緊區(qū)域中的屏蔽膜的壓緊部分可以彼此間隔不超過(guò)約O. 05mm的距離。圖12示出了常規(guī)電纜的兩個(gè)相鄰導(dǎo)體組之間的遠(yuǎn)端串?dāng)_(FEXT)隔離，其中導(dǎo)體組被完全隔離，即，沒(méi)有公共接地(樣本1)，并示出圖Ila所示的屏蔽電纜1102的兩個(gè)相鄰導(dǎo)體組之間的遠(yuǎn)端串?dāng)_隔離，其中屏蔽膜1108間隔約O. 025mm(樣本2)，兩者的電纜長(zhǎng)度均為約3米。生成這個(gè)數(shù)據(jù)的測(cè)試方法是本領(lǐng)域中熟知的。使用Agilent 8720ES50MHz-20GHzS-Parameter Network Analyzer來(lái)產(chǎn)生所述數(shù)據(jù)。通過(guò)比較遠(yuǎn)端串?dāng)_圖線,可以看到，常規(guī)電纜和屏蔽電纜1102提供了近似的遠(yuǎn)端串?dāng)_性能。具體來(lái)講，通常認(rèn)可的是，對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用而言，小于約_35dB的遠(yuǎn)端串?dāng)_是適用的。從圖12中，可以容易看到，對(duì)于所測(cè)試的構(gòu)型，常規(guī)電纜和屏蔽電纜1102均提供了令人滿(mǎn)意的電隔離性能。由于將屏蔽膜間隔開(kāi)的能力導(dǎo)致的令人滿(mǎn)意的電隔離性能結(jié)合增大的壓緊部分的強(qiáng)度是本發(fā)明所公開(kāi)的屏蔽電纜中的至少一些屏蔽電纜優(yōu)于常規(guī)電纜的優(yōu)點(diǎn)。在上文所述的示例性實(shí)施例中，屏蔽電纜包括兩個(gè)設(shè)置在電纜相對(duì)側(cè)上的屏蔽膜，使得在橫截面中，屏蔽膜的覆蓋部分組合起來(lái)基本上圍繞給定的導(dǎo)體組，并單獨(dú)圍繞間隔開(kāi)的導(dǎo)體組中的每一個(gè)。然而，在一些實(shí)施例中，屏蔽電纜可以只包含一個(gè)屏蔽膜，該屏蔽膜只設(shè)置在電纜的一側(cè)上。與具有兩個(gè)屏蔽膜的屏蔽電纜相比，屏蔽電纜中只包括單個(gè)屏蔽膜的優(yōu)點(diǎn)包括材料成本降低，機(jī)械柔韌性增大，具有可制造性，以及易于剝離和端接。單個(gè)屏蔽膜可以為給定應(yīng)用提供合格的電磁干擾(EMI)隔離水平，并可以減小鄰近效應(yīng)，從而降低信號(hào)衰減。圖13示出了只包括一個(gè)屏蔽膜的此類(lèi)屏蔽電纜的一個(gè)實(shí)例。圖13示出了只具有一個(gè)屏蔽膜1308的屏蔽電纜1302。將絕緣導(dǎo)體1306布置成兩個(gè)導(dǎo)體組1304，每一個(gè)導(dǎo)體組只有一對(duì)絕緣導(dǎo)體，但還可以想到本文所論述的具有其他數(shù)量的絕緣導(dǎo)體的導(dǎo)體組。示出的屏蔽電纜1302包括在多個(gè)示例性位置處的接地導(dǎo)體1312，但如果需要，可以省略它們中的任何者或全部，或者可以包括另外的接地導(dǎo)體。接地導(dǎo)體1312在與導(dǎo)體組1304的絕緣導(dǎo)體1306基本上相同的方向上延伸，并設(shè)置在屏蔽膜1308與不用作屏蔽膜的載體膜1346之間。屏蔽膜1308的壓緊部分1309中包括一個(gè)接地導(dǎo)體1312，導(dǎo)體組1304之一中包括三個(gè)接地導(dǎo)體1312。這三個(gè)接地導(dǎo)體1312中的一個(gè)位于絕緣導(dǎo)體1306與屏蔽膜1308之間，三個(gè)接地導(dǎo)體1312中的兩個(gè)被布置成與導(dǎo)體組的絕緣導(dǎo)體1306大致共平面。 除了信號(hào)線、排擾線和地線，為了使用者所限定的任何目的，本發(fā)明所公開(kāi)的電纜中的任何者還可以包括一條或多條通常為絕緣的單獨(dú)的線。這些另外的線(例如)可以適用于電力傳輸或低速通信(如小于I或O. 5Gbps,或小于I或O. 5GHz,或在一些情況下小于1MHz)，但不適用于高速通信(如大于IGpbs或1GHz)，可以將它們統(tǒng)稱(chēng)為邊帶。邊帶線可用于傳輸電力信號(hào)、參考信號(hào)或任何其他所關(guān)注的信號(hào)。邊帶中的線通常彼此不直接或間接電接觸，但在至少某些情況下，它們可能不彼此屏蔽。邊帶可以包括任何數(shù)量的線，例如2條或更多，或3條或更多，或5條或更多。與示例性屏蔽電纜相關(guān)的另外的信息和其他信息可見(jiàn)于與本文同一天提交的序列號(hào)為 61/378，877 的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)“ConnectorArrangements for Shielded ElectricalCable”(屏蔽電纜的連接器布置方式)(代理人案卷號(hào)66887US002)，該專(zhuān)利以引用方式并入本文中。第2節(jié)高密度屏蔽電纜我們現(xiàn)在提供有關(guān)可采用高裝填密度的互屏蔽導(dǎo)體組的屏蔽帶狀電纜的另外細(xì)節(jié)。本發(fā)明所公開(kāi)的電纜的設(shè)計(jì)特征使得它們能夠被制造為允許單條帶狀電纜中存在密度非常高的信號(hào)線的格式。這可允許實(shí)現(xiàn)高密度配對(duì)接口和超薄連接器，和/或可允許實(shí)現(xiàn)與標(biāo)準(zhǔn)連接器接口的串?dāng)_隔離。另外，高密度電纜可降低每個(gè)信號(hào)對(duì)的制造成本、減小成對(duì)組件的挺度(例如，一般來(lái)講，一條高密度帶狀電纜比兩條堆疊的較低密度帶狀電纜更容易彎曲)，并且由于一條帶狀電纜通常比兩條堆疊的帶狀電纜更薄，故總厚度得以減小。本發(fā)明所公開(kāi)的屏蔽電纜中的至少一些的一種潛在應(yīng)用是在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)或其他電子系統(tǒng)的組件或設(shè)備之間的高速(I/o)數(shù)據(jù)傳送中。被稱(chēng)為SAS (串行連接SCSI)的協(xié)議為涉及數(shù)據(jù)至諸如硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和磁帶驅(qū)動(dòng)器的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備及由此而來(lái)的移動(dòng)的計(jì)算機(jī)總線協(xié)議，其由國(guó)際信息技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)(INCITS)維護(hù)。SAS使用標(biāo)準(zhǔn)SCSI命令集，且涉及點(diǎn)對(duì)點(diǎn)串行協(xié)議。已在SAS規(guī)范內(nèi)針對(duì)特定類(lèi)型的連接器開(kāi)發(fā)出被稱(chēng)為微型SAS的慣例。用于內(nèi)部應(yīng)用的常規(guī)雙軸(twinax)電纜組件(例如微型SAS電纜組件)利用單個(gè)雙軸對(duì)，每一對(duì)具有其自身的附隨排擾線，且在一些情況下具有兩根排擾線。當(dāng)端接此電纜時(shí)，不但必須管理每一個(gè)雙軸對(duì)的每一個(gè)絕緣導(dǎo)體，而且必須管理用于每一個(gè)雙軸對(duì)的每一根排擾線(或兩根排擾線)。這些常規(guī)雙軸對(duì)通常布置為設(shè)置在松散的外部編織物內(nèi)的松散束，該松散束包含所述雙軸對(duì)，以使得它們能夠被一起路由。相比之下，如果需要，本文所述的屏蔽帶狀電纜可用于以下構(gòu)型中，即例如，第一條四對(duì)帶狀電纜配對(duì)至插卡(參見(jiàn)如上述圖3d)的一個(gè)主表面，且第二條四對(duì)帶狀電纜(其可在構(gòu)型或布局上類(lèi)似于第一條四對(duì)帶狀電纜或與第一條四對(duì)帶狀電纜實(shí)質(zhì)上相同)配對(duì)至插卡的同一末端處的另一主表面，以制備4x或4i微型SAS組件，從而具有4個(gè)傳輸屏蔽對(duì)和4個(gè)接收屏蔽對(duì)。部分地因?yàn)榭墒褂蒙儆诿總€(gè)雙軸對(duì)一根排擾線的排擾線且因此需要管理較少排擾線以用于端接，所以該構(gòu)型相對(duì)于利用常規(guī)電纜的雙軸對(duì)的構(gòu)造是有利的。然而，使用兩條四對(duì)帶狀電纜的堆疊的構(gòu)型保留了需要兩條單獨(dú)的帶狀電纜來(lái)提供4x/4i組件的限制，同時(shí)需要管理兩條帶狀電纜，以及相對(duì)于僅一條帶狀電纜的不利的兩條帶狀電纜之增加的剛度和厚度。我們發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明所公開(kāi)的屏蔽帶狀電纜可被制成足夠致密，即，具有足夠小的線至線間距、足夠小的導(dǎo)體組至導(dǎo)體組間距，且具有足夠小數(shù)目的排擾線和排擾線間距，且具有適當(dāng)損耗特性和串?dāng)_或屏蔽特性，以允許單條帶狀電纜或并排地而非以堆疊構(gòu)型布置的 多條帶狀電纜沿著單個(gè)平面延伸，以與連接器配對(duì)。該帶狀電纜可總共包含至少三個(gè)雙軸對(duì)，并且如果使用多條電纜，則至少一條帶狀電纜可包含至少兩個(gè)雙軸對(duì)。在示例性實(shí)施例中，可使用單條帶狀電纜，并且如果需要，可將信號(hào)對(duì)路由至連接器或其他端接元件的兩個(gè)平面或主表面(即使該帶狀電纜僅沿著一個(gè)平面延伸)。舉例而言，該路由可以多種方式實(shí)現(xiàn)，例如，可將單個(gè)導(dǎo)體的頂端或末端彎曲到帶狀電纜的平面外以接觸端接元件的一個(gè)主表面或另一主表面，或端接元件可利用將一個(gè)主表面上的一條導(dǎo)電通路部分連接至另一主表面上的另一條導(dǎo)電通路部分的導(dǎo)電通孔或介層窗。對(duì)于高密度電纜來(lái)說(shuō)特別重要的是，帶狀電纜還優(yōu)選地包含比導(dǎo)體組更少的排擾線；在導(dǎo)體組中的一些或全部為雙軸對(duì)(即，導(dǎo)體組中的一些或全部各自?xún)H包含一對(duì)絕緣導(dǎo)體)的情況下，排擾線的數(shù)量?jī)?yōu)選地小于雙軸對(duì)的數(shù)量。由于在給定的電纜中排擾線通常沿著電纜的寬度尺寸彼此間隔開(kāi)，故減少排擾線的數(shù)量允許電纜寬度減小。減少排擾線的數(shù)量亦通過(guò)減少電纜和端接元件之間所需的連接的數(shù)量，因此亦減少了制造步驟的數(shù)目且減少了制造所需的時(shí)間而使制造得以簡(jiǎn)化。此外，通過(guò)使用更少的排擾線，剩余的排擾線可設(shè)置成與正常相比更遠(yuǎn)離最靠近的信號(hào)線以便使端接過(guò)程顯著更容易，而電纜的寬度僅稍微增加。例如，給定的排擾線可通過(guò)自排擾線的中心至最靠近導(dǎo)體組的最靠近絕緣線的中心的間距σ I來(lái)表征，并且最靠近的導(dǎo)體組可通過(guò)絕緣導(dǎo)體的中心到中心間距σ 2來(lái)表征，且σ 1/σ 2可為大于O. 7。相比之下，常規(guī)的雙軸電纜具有的排擾線間距是絕緣導(dǎo)體間隔的O. 5倍加上排擾線直徑。在本發(fā)明所公開(kāi)的屏蔽帶狀電纜的示例性高密度實(shí)施例中，兩個(gè)相鄰的雙軸對(duì)之間的中心到中心間距或節(jié)距(該距離在下文結(jié)合圖16被稱(chēng)作Σ)至少小于一對(duì)內(nèi)的信號(hào)線之間的中心到中心間距(該距離在下文結(jié)合圖16被稱(chēng)作σ )的四倍，并且優(yōu)選地小于其3倍。對(duì)于針對(duì)內(nèi)部應(yīng)用而設(shè)計(jì)的未裝護(hù)套的電纜及針對(duì)外部應(yīng)用而設(shè)計(jì)的裝護(hù)套的電纜，均可滿(mǎn)足此可表示為Σ/σ〈4或Σ/σ〈3的關(guān)系。如本文別處所解釋?zhuān)覀円咽痉毒哂卸鄠€(gè)雙軸對(duì)，且具有可接受損耗和屏蔽(串?dāng)_)特性的屏蔽帶狀電纜，其中Σ/σ在2. 5至3的范圍內(nèi)。表征給定屏蔽帶狀電纜的密度的替代方式(不管電纜的導(dǎo)體組中的任何者是否具有呈雙軸構(gòu)型的一對(duì)導(dǎo)體)為參考兩個(gè)臨近導(dǎo)體組的最靠近的絕緣導(dǎo)體。因此，當(dāng)屏蔽電纜平放時(shí)，第一導(dǎo)體組的第一絕緣導(dǎo)體最靠近第二 (鄰近)導(dǎo)體組，且第二導(dǎo)體組的第二絕緣導(dǎo)體最靠近第一導(dǎo)體組。第一和第二絕緣導(dǎo)體的中心間距為S。第一絕緣導(dǎo)體具有外部尺寸Dl (如，其絕緣材料的直徑)，且第二絕緣導(dǎo)體具有外部尺寸D2 (如，其絕緣材料的直徑)。在很多情況下，導(dǎo)體組使用相同尺寸的絕緣導(dǎo)體，在這種情況下D1=D2。然而，在一些情況下，Dl和D2可以是不同的。參數(shù)Dmin可被定義為Dl和D2中的較小者。當(dāng)然，如果D 1=D2，則Dmin=Dl=D2。使用本文論述的屏蔽帶狀電纜的設(shè)計(jì)特性，我們能夠制造其中S/Dmin在I. 7至2范圍內(nèi)的此類(lèi)電纜。可部分地依靠本發(fā)明所公開(kāi)的電纜的下列特征中的一個(gè)或多個(gè)來(lái)實(shí)現(xiàn)致密裝填或高密度對(duì)最小數(shù)量的排擾線的需要，或換言之，使用少于每個(gè)連接器組一根排擾線的排擾線(及在一些情況下使用(例如)少于每?jī)蓚€(gè)、三個(gè)或四個(gè)或四個(gè)以上連接器組一根排擾線的排擾線，或針對(duì)整條電纜僅使用一根或兩根排擾線)來(lái)為電纜中的連接器組中的一些或全部提供充分屏蔽的能力；相鄰導(dǎo)體組之間的高頻信號(hào)隔離結(jié)構(gòu)(如，具有合適幾何形狀的屏蔽膜)；在電纜構(gòu)造中使用較小數(shù)目和厚度的層；以及確保絕緣導(dǎo)體、排擾線和屏蔽膜的恰當(dāng)設(shè)置和構(gòu)型，且以提供沿著電纜的長(zhǎng)度的均勻性的方式確保此恰當(dāng)設(shè)置和構(gòu)型的形·成過(guò)程。可在能夠批量剝除并多端子封端至插卡或其他線性陣列的電纜中有利地提供高密度特性。借由使電纜中的一根、一些或所有排擾線與其各自的最靠近信號(hào)線(即，最靠近的導(dǎo)體組的最靠近的絕緣導(dǎo)體)的間隔大于導(dǎo)體組中的相鄰絕緣導(dǎo)體之間的間距的一半、優(yōu)選地大于該間距O. 7倍的距離來(lái)促進(jìn)批量剝除和端接。通過(guò)將排擾線電連接至屏蔽膜、且適當(dāng)?shù)匦纬善帘文ひ曰旧蠂@每一個(gè)導(dǎo)體組，僅屏蔽結(jié)構(gòu)就可提供相鄰導(dǎo)體組之間的充分高頻串?dāng)_隔離，并且我們可使用僅最小數(shù)目的排擾線來(lái)構(gòu)造屏蔽帶狀電纜。在示例性實(shí)施例中，給定的電纜可僅具有兩根排擾線(其中之一可位于電纜的每一個(gè)邊緣處或附近)，但只有一根排擾線也是可能的，且兩根以上排擾線當(dāng)然也是可能的。通過(guò)在電纜構(gòu)造中使用較少排擾線，在插卡或其他端接元件上需要較少端接片，且因此可使該元件較小的和/或可支持較高信號(hào)密度。同樣，可使電纜較小(較窄)且電纜可具有較高信號(hào)密度，這是因?yàn)榇嬖谳^少排擾線而消耗較少帶狀電纜寬度。排擾線數(shù)量的減少是允許本發(fā)明所公開(kāi)的屏蔽電纜支持比常規(guī)離散雙軸電纜、由離散雙軸對(duì)構(gòu)成的帶狀電纜和普通帶狀電纜高的密度的重要因素。近端串?dāng)_和/或遠(yuǎn)端串?dāng)_可為包括本發(fā)明所公開(kāi)的電纜和電纜組件的任何電纜中的信號(hào)完整性或屏蔽的重要量度。在電纜中及在端接區(qū)域中使信號(hào)線(如，雙軸對(duì)或其他導(dǎo)體組)更靠近地分組在一起趨向于增加不良串?dāng)_，但可使用本文所公開(kāi)的電纜設(shè)計(jì)和端接設(shè)計(jì)來(lái)抵消這種趨勢(shì)。電纜中的串?dāng)_和連接器內(nèi)的串?dāng)_的問(wèn)題可分開(kāi)解決，但是這些用于串?dāng)_減少的方法中的若干者可一起用于增加串?dāng)_的減少。為了增加高頻屏蔽且減少本發(fā)明所公開(kāi)的電纜中的串?dāng)_，需要使用在電纜的相對(duì)側(cè)上的兩個(gè)屏蔽膜形成盡可能完整的圍繞導(dǎo)體組(如，雙軸對(duì))的屏蔽件。因此，需要形成屏蔽膜以使得其覆蓋部分組合起來(lái)基本上圍繞任何給定的導(dǎo)體組，如導(dǎo)體組周邊的至少75%、或至少80%、85%或90%。也通常需要最小化(包括消除)電纜壓緊區(qū)段中的屏蔽膜之間的任何間隙，和/或使用兩個(gè)屏蔽膜之間的低阻抗或直接電接觸(諸如借由直接接觸或碰觸，或經(jīng)由一根或多根排擾線的電接觸，或使用屏蔽膜之間的導(dǎo)電粘合劑)。如果針對(duì)給定的電纜或系統(tǒng)限定或規(guī)定了分離的“傳輸”和“接收”雙軸對(duì)或?qū)w，則亦可借由在相同的帶狀電纜中在可能的程度上，使所有此類(lèi)“傳輸”導(dǎo)體物理地彼此緊鄰地分組，且使所有此類(lèi)“接收”導(dǎo)體彼此緊鄰地分組但與傳輸對(duì)分開(kāi)，來(lái)增強(qiáng)電纜中和/或端接元件處的高頻屏蔽。也可借由本文中別處所描述的一根或多根排擾線或其他隔離結(jié)構(gòu)使導(dǎo)體的傳輸組與導(dǎo)體的接收組分離。在一些情況下，可使用兩條分離的帶狀電纜(一條用于傳輸導(dǎo)體，一條用于接收導(dǎo)體)，但這兩條(或更多條)電纜優(yōu)選地以并列構(gòu)型布置而非堆疊地布置，使得可維持帶狀電纜的單個(gè)可撓性平面的優(yōu)勢(shì)。所描述的屏蔽電纜可展現(xiàn)給定導(dǎo)體組中相鄰絕緣導(dǎo)體之間的高頻隔離，該隔離通過(guò)在自3-15GHZ范圍內(nèi)的指定頻率下對(duì)于I米電纜長(zhǎng)度的串?dāng)_C I來(lái)表征，并且可展現(xiàn)該給定導(dǎo)體組與相鄰導(dǎo)體組(通過(guò)電纜的壓緊部分而與第一導(dǎo)體組分離)之間的高頻隔離，該高頻隔離通過(guò)在該指定頻率下的串?dāng)_C2來(lái)表征，且C2比Cl低至少10dB。作為另外一 種選擇或除此之外，所描述的屏蔽電纜可滿(mǎn)足與在微型SAS應(yīng)用中使用的規(guī)范類(lèi)似或相同的屏蔽規(guī)范具有給定信號(hào)強(qiáng)度的信號(hào)在電纜的一端處耦合至傳輸導(dǎo)體組中的一個(gè)(或接收導(dǎo)體組中的一個(gè))，且計(jì)算所有接收導(dǎo)體組中(或所有傳輸導(dǎo)體組中)的累積信號(hào)強(qiáng)度(如在電纜的同一末端處所測(cè)量)。計(jì)算為累積信號(hào)強(qiáng)度與初始信號(hào)強(qiáng)度的比率且以分貝表示的近端串?dāng)_優(yōu)選地為小于_26dB。如果未適當(dāng)?shù)仄帘坞娎|末端，則對(duì)于給定應(yīng)用，電纜末端處的串?dāng)_可變得顯著。本發(fā)明所公開(kāi)的電纜的潛在解決方案是維持屏蔽膜的結(jié)構(gòu)盡可能接近于絕緣導(dǎo)體的端接點(diǎn)，以便將任何雜散電磁場(chǎng)抑制在導(dǎo)體組內(nèi)。除電纜之外，插卡或其他端接元件的設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)也可經(jīng)特制以維持系統(tǒng)的充分串?dāng)_隔離。策略包括在盡可能的程度上使傳輸信號(hào)和接收信號(hào)彼此電隔離，例如，以使與這兩種信號(hào)類(lèi)型相關(guān)的線和導(dǎo)體彼此盡可能物理地遠(yuǎn)離的方式端接及路由與這兩種信號(hào)類(lèi)型相關(guān)聯(lián)的線和導(dǎo)體。一種選擇是將此類(lèi)線和導(dǎo)體端接至插卡的分離側(cè)(對(duì)置的主表面)上，其可用于在插卡的不同平面或相對(duì)側(cè)上自動(dòng)地路由信號(hào)。另一種選擇是側(cè)向上盡可能遠(yuǎn)離地端接此類(lèi)線和導(dǎo)體以側(cè)向地分離傳輸線與接收線。也可使用這些策略的組合來(lái)進(jìn)行進(jìn)一步隔離。(就此而論，參考先前引用的與本專(zhuān)利申請(qǐng)同一天提交且以引用方式并入本文中的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)序列號(hào)61/378，877 "ConnectorArrangements forShielded Electrical Cable”(屏蔽電纜的連接器布置方式)(代理人案卷號(hào)66887US002)。)這些策略可用于與常規(guī)尺寸或減小尺寸的插卡結(jié)合的本發(fā)明所公開(kāi)的高密度帶狀電纜，以及用于帶狀電纜的單個(gè)平面，這兩者均可提供顯著的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)。提醒讀者，關(guān)于插卡端接的以上論述以及本文中別處涉及插卡的論述亦應(yīng)理解為涵蓋任何其他類(lèi)型的端接。例如，壓印金屬連接器可包括用以連接至帶狀電纜的接觸點(diǎn)的一個(gè)或兩個(gè)列的線性陣列。此類(lèi)列可類(lèi)似于插卡的那些列，該插卡也可包括接觸點(diǎn)的兩個(gè)線性陣列?？刹捎糜糜诒景l(fā)明所公開(kāi)的電纜和端接元件的相同的交錯(cuò)、交替和分開(kāi)的端接策略。對(duì)于多種電纜應(yīng)用，損耗或衰減是另一個(gè)重要的考慮。高速I(mǎi)/O應(yīng)用的一個(gè)典型損耗規(guī)范為電纜在(例如)5GHz的頻率下具有小于_6dB的損耗。(就這一點(diǎn)而言，讀者將理解(例如)-5dB的損耗小于_6dB的損耗。)此規(guī)范對(duì)嘗試簡(jiǎn)單地通過(guò)將較細(xì)的線用于導(dǎo)體組的絕緣導(dǎo)體和/或排擾線而使電纜微型化施加了限制。通常，在其他因素相等的情況下，隨著使電纜中使用的線較細(xì)，電纜損耗增加。雖然對(duì)線進(jìn)行電鍍(如，鍍銀、鍍錫或鍍金)可對(duì)電纜損耗具有影響，但在很多情況下，小于約32線規(guī)(32AWG)或稍微更小的線尺寸(無(wú)論是實(shí)心芯還是成股線設(shè)計(jì))可代表一些高速I(mǎi)/o應(yīng)用中的信號(hào)線的實(shí)用尺寸下限。然而，在其他高速應(yīng)用中較小的線尺寸可為可行的，且也可預(yù)期技術(shù)的進(jìn)展將使得較小的線尺寸為合格的?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖14，我們看到電纜系統(tǒng)1401，其包括與諸如插卡等端接元件1420結(jié)合的屏蔽帶狀電纜1402。電纜1402可具有本文中別處示出和描述的設(shè)計(jì)特征和特性中的任何者，該電纜示出具有八個(gè)導(dǎo)體組1404和兩根排擾線1412，其中每一根排擾線設(shè)置在電纜各自的邊緣處或附近。每一個(gè)導(dǎo)體組基本上為雙軸對(duì)，即，每一個(gè)導(dǎo)體組僅包括兩個(gè)絕緣導(dǎo)體1406，每一個(gè)導(dǎo)體組優(yōu)選地經(jīng)特制為傳輸和/或接收高速數(shù)據(jù)信號(hào)。當(dāng)然，其他數(shù)量的導(dǎo)體組、給定導(dǎo)體組內(nèi)其他數(shù)量的絕緣導(dǎo)體以及其他數(shù)量的排擾線(如果有的話)可通常用于電纜1402。然而，八個(gè)雙軸對(duì)有一定重要性，這是因?yàn)楫?dāng)前正流行經(jīng)設(shè)計(jì)與四條“通路”或“通道”結(jié)合使用的插卡，每一通路或通道具有恰好一個(gè)傳輸對(duì)和恰好一個(gè)接收對(duì)。電纜的基本平坦或平面的設(shè)計(jì)及其設(shè)計(jì)特性允許其如所示地容易地彎曲或以其他方式操作，同時(shí)維持導(dǎo)體組的良好高頻屏蔽和合格的損耗。排擾線的數(shù)量(2)顯著小于導(dǎo)體組的數(shù)量(8)，使得電纜1402具有顯著減小的寬度《I。甚至在排擾線1412相對(duì)于最靠近的信號(hào)線(最靠近的絕緣導(dǎo)體1406)的間距為最靠近的導(dǎo)體組中的信號(hào)線的間距的至少O. 7倍的情況下， 仍可實(shí)現(xiàn)該減小的寬度，這是因?yàn)橹簧婕皟筛艛_線(在該實(shí)施例中)。端接兀件1420具有第一末端1420a和相對(duì)的第二末端1420b,以及第一主表面1420c和相對(duì)的第二主表面1420d。例如，通過(guò)印刷或其他常規(guī)沉積工藝和/或蝕刻工藝在元件1420的至少第一主表面1420c上提供導(dǎo)電通路1421。就這一點(diǎn)而言，導(dǎo)電通路設(shè)置在合適的電絕緣基板上，該基板通常為剛性的或硬質(zhì)的，但在一些情況下可為柔性的。每一條導(dǎo)電通路通常從元件的第一末端1420a延伸至第二末端1420b。在所示出的實(shí)施例中，電纜1402的各條線和導(dǎo)體電連接至導(dǎo)電通路1421的各自的部件。出于簡(jiǎn)化目的，將每一條通路展示為直的，自元件1420或基板的一個(gè)末端延伸至兀件同一主表面上的另一末端。在一些情況下，導(dǎo)電通路中的一者或多者可延伸穿過(guò)基板中的孔或“介層窗”，以使得(例如)通路的一個(gè)部分和一個(gè)末端駐留在一個(gè)主表面上，并且通路的另一個(gè)部分和另一末端駐留在基板的相對(duì)主表面上。另外，在一些情況下，電纜的線和導(dǎo)體中的一些可附接至基板的一個(gè)主表面上的導(dǎo)電通路(如接觸片)，而線和導(dǎo)體中的其他者可附接至在基板的相對(duì)主表面上但在元件的相同末端處的導(dǎo)電通路(如接觸片)?？赏ㄟ^(guò)(例如)朝向一個(gè)主表面向上、或朝向另一個(gè)主表面向下稍微彎曲線和導(dǎo)體的末端來(lái)實(shí)現(xiàn)此情形。在一些情況下，與屏蔽電纜的信號(hào)線和/或排擾線相對(duì)應(yīng)的所有導(dǎo)電通路可以設(shè)置在基板的一個(gè)主表面上。在一些情況下，導(dǎo)電通路中的至少一條可以設(shè)置在基板的一個(gè)主表面上，并且導(dǎo)電通路中的至少另一條可以設(shè)置在基板的相對(duì)主表面上。在一些情況下，導(dǎo)電通路中的至少一條可以在基板的第一末端處具有在基板的第一主表面上的第一部分，并且在基板的第二末端處具有在基板的相對(duì)的第二主表面上的第二部分。在一些情況下，屏蔽電纜的交替導(dǎo)體組可以連接至基板的相對(duì)主表面上的導(dǎo)電通路。端接元件1420或其基板具有寬度w2。在示例性實(shí)施例中，電纜的寬度wl不顯著大于元件的寬度《2，以使得(例如)電纜無(wú)需為了進(jìn)行電纜的線和元件的導(dǎo)電通路之間的必要連接而在其末端處折疊或捆束在一起。在一些情況下，《I可稍大于《2，但仍足夠小，使得導(dǎo)體組的末端可以漏斗型方式在電纜的平面內(nèi)彎曲以便連接至相關(guān)的導(dǎo)體通路，同時(shí)在連接點(diǎn)處和附近仍保持電纜的大體平面的構(gòu)型。在一些情況下，《I可以等于或小于《2。常規(guī)的四通道插卡目前具有15. 6毫米的寬度，因此，在至少一些應(yīng)用中，需要屏蔽電纜具有約16mm或更小、或約15mm或更小的寬度。圖15和圖16是不例性屏蔽電纜的正面剖視圖,這些圖還不出了用于表征導(dǎo)體組密度的參數(shù)。屏蔽電纜1502包括至少三個(gè)導(dǎo)體組1504a、1504b和1504c，它們借助電纜相對(duì)側(cè)上的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜1508而彼此屏蔽，所述屏蔽膜各自的覆蓋部分、壓緊部分和過(guò)渡部分被合適地形成。同樣地，屏蔽電纜1602包括至少三個(gè)導(dǎo)體組1604a、1604b和1604c，它們借助第一屏蔽膜和第二屏蔽膜1608而彼此屏蔽。電纜1502的導(dǎo)體組包含不同數(shù)量的絕緣導(dǎo)體1506，其中導(dǎo)體組1504a具有一個(gè)絕緣導(dǎo)體、導(dǎo)體組1504b具有三個(gè)絕緣導(dǎo)體，并且導(dǎo)體組1504c具有兩個(gè)絕緣導(dǎo)體(針對(duì)雙軸設(shè)計(jì))。導(dǎo)體組1604a、1604b、1604c均為雙軸設(shè)計(jì)，其具有恰好兩個(gè)絕緣導(dǎo)體1606。雖然未在圖15和圖16中不出，但每一條電纜1502、1602優(yōu)選地還包括至少一根并且任選地兩根(或更多根)排擾線，所述排擾線優(yōu)選地夾在諸如圖I或圖14中所示的電纜的邊緣處或附近的屏蔽膜之間。 在圖15中，我們看到與兩個(gè)相鄰導(dǎo)體組的最靠近絕緣導(dǎo)體有關(guān)的經(jīng)識(shí)別的一些尺寸。導(dǎo)體組1504a與導(dǎo)體組1504b相鄰。導(dǎo)體組1504a的絕緣導(dǎo)體1506最靠近導(dǎo)體組1504b，并且導(dǎo)體組1504b最左邊(從繪圖的角度)的絕緣導(dǎo)體1506最靠近導(dǎo)體組1504a。導(dǎo)體組1504a的絕緣導(dǎo)體具有外部尺寸Dl，并且導(dǎo)體組1504b最左邊的絕緣導(dǎo)體具有外部尺寸D2。這些絕緣導(dǎo)體的中心間距為SI。如果我們將參數(shù)Dmin定義為Dl和D2中的較小者，則我們可針對(duì)致密裝填的屏蔽電纜規(guī)定Sl/Dmin在I. 7至2的范圍內(nèi)。我們?cè)趫D15中還看到，導(dǎo)體組1504b與導(dǎo)體組1504c相鄰。導(dǎo)體組1504b最右邊的絕緣導(dǎo)體1506最靠近導(dǎo)體組1504c，并且導(dǎo)體組1504c最左邊的絕緣導(dǎo)體1506最靠近導(dǎo)體組1504b。導(dǎo)體組1504b最右邊的絕緣導(dǎo)體1506具有外部尺寸D3，并且導(dǎo)體組1504c最左邊的絕緣導(dǎo)體1506具有外部尺寸D4。這些絕緣導(dǎo)體的中心間距為S3。如果我們將參數(shù)Dmin定義為D3和D4中的較小者，則我們可針對(duì)致密裝填的屏蔽電纜規(guī)定S3/Dmin在I. 7至2的范圍內(nèi)。在圖16中，我們看到與具有相鄰雙軸對(duì)的至少一組的電纜有關(guān)的經(jīng)識(shí)別的一些尺寸。導(dǎo)體組1604a、1604b表示相鄰雙軸對(duì)的一個(gè)此種組。將這兩個(gè)導(dǎo)體組之間的中心到中心間距或節(jié)距表示為Σ。將雙軸導(dǎo)體組1604a內(nèi)的信號(hào)線之間的中心到中心間間距表示為σ 。將雙軸導(dǎo)體組1604b內(nèi)的信號(hào)線之間的中心到中心間間距表示為0 2。針對(duì)致密裝填的屏蔽電纜，我們可以規(guī)定Σ/σ I和Σ/σ 2中的一者或兩者為小于4、或小于3，或在2. 5至3的范圍內(nèi)。在圖17a和圖17b中，我們分別看到電纜系統(tǒng)1701的俯視圖和側(cè)視圖，該電纜系統(tǒng)包括與諸如插卡等的端接元件1720結(jié)合的屏蔽帶狀電纜1702。電纜1702可具有本文中別處示出和描述的設(shè)計(jì)特征和特性中的任何者，該電纜示出具有八個(gè)導(dǎo)體組1704和兩根排擾線1712，其中每一根排擾線設(shè)置在電纜各自的邊緣處或附近。每一個(gè)導(dǎo)體組基本上為雙軸對(duì)，即，每一個(gè)導(dǎo)體組僅包括兩個(gè)絕緣導(dǎo)體1706，每一個(gè)導(dǎo)體組優(yōu)選地經(jīng)特制為傳輸和/或接收高速數(shù)據(jù)信號(hào)。正如圖14中，排擾線的數(shù)量(2)顯著小于導(dǎo)體組的數(shù)量(8)，從而允許例如電纜1702相對(duì)于每個(gè)導(dǎo)體組具有一根或兩根排擾線的電纜具有顯著減小的寬度。甚至在排擾線1712相對(duì)于最靠近的信號(hào)線(最靠近的絕緣導(dǎo)體1706)的間距為最靠近的導(dǎo)體組中的信號(hào)線的間距的至少O. 7倍的情況下，仍可實(shí)現(xiàn)該減小的寬度，這是因?yàn)橹簧婕皟筛艛_線(在該實(shí)施例中)。端接元件1720具有第一末端1720a和相對(duì)的第二末端1720b，并且包括具有第一主表面1720c和相對(duì)的第二主表面1720d的合適的基板。導(dǎo)電通路1721設(shè)置在基板的至少第一主表面1720c上。每一條導(dǎo)電通路通常從兀件的第一末端1720a延伸至第二末端1720b。將導(dǎo)電通路示出為包括在元件的兩個(gè)末端處的接觸片，在該圖中，將電纜1702的各條線和導(dǎo)體示出為在對(duì)應(yīng)的接觸片處電連接至導(dǎo)電通路1721中的各自的部件。應(yīng)當(dāng)注意，本文中別處論述的有關(guān)基板上的導(dǎo)電通路的設(shè)置、構(gòu)造和布置方式，以及電纜的各種線和導(dǎo)體的設(shè)置、構(gòu)造和布置方式，及其與端接元件的主表面中的一者或兩者的附接的變化也旨在應(yīng)用于系統(tǒng)1701。SM制造了具有電纜1402 (參見(jiàn)圖14)的總體布局的屏蔽帶狀電纜。該電纜利用布 置為八個(gè)雙軸對(duì)的十六根絕緣32線規(guī)(AWG)線(用于信號(hào)線)，以及沿著電纜的邊緣布置的兩根非絕緣32(AWG)線(用于排擾線)。所用的十六根信號(hào)線中的每一者具有鍍銀的實(shí)心銅芯。所述兩根排擾線各自具有成股的構(gòu)造(每一者具有7股)并且為鍍錫的。絕緣線的絕緣材料具有O. 025英寸的標(biāo)稱(chēng)外徑。將十六根絕緣線和兩根非絕緣線裝入類(lèi)似于圖5c中示出的設(shè)備的設(shè)置中，且使其夾在兩個(gè)屏蔽膜之間。所述屏蔽膜是基本上相同的，且具有以下構(gòu)造聚酯基底層(O. 00048英寸厚)，在該聚酯基底層上設(shè)置連續(xù)鋁層(O. 00028英寸厚)，在該連續(xù)鋁層上設(shè)置連續(xù)非導(dǎo)電粘合劑層(O. 001英寸厚)。所述屏蔽膜被取向，使得該膜的金屬涂層彼此面向且面向?qū)w組。處理溫度為約270 °F。圖18a中示出對(duì)由該方法制得的電纜拍照的俯視圖，并且圖18b中示出電纜末端的斜視圖。在圖中，1804是指雙軸導(dǎo)體組，且1812是指排擾線。由于在用于信號(hào)線的絕緣導(dǎo)體中的實(shí)心芯缺乏同心度，故所得的電纜是不理想的。然而，考慮到(校正)不同心度問(wèn)題，可測(cè)量電纜的特定參數(shù)和特性。例如，尺寸D、dl、d2 (參見(jiàn)圖2c)分別為約O. 028英寸、O. 0015英寸和O. 028英寸。在橫截面中，屏蔽膜中的任一者的任何部分在沿著電纜寬度的任何點(diǎn)處的曲率半徑均不小于50微米。從給定的排擾線至最靠近的雙軸導(dǎo)體組的最靠近的絕緣線的中心到中心間距為約O. 83mm，并且在每一個(gè)導(dǎo)體組內(nèi)的絕緣線的中心到中心間距(參見(jiàn)例如圖16中的參數(shù)σ I和σ 2)為約O. 025英寸(O. 64mm)。相鄰雙軸導(dǎo)體組的中心到中心間距(參見(jiàn)例如圖16中的參數(shù)Σ )為約O. 0715英寸(I. 8mm)。間距參數(shù)S (參見(jiàn)圖15中的SI和S3)為約O. 0465英寸。從邊緣至邊緣測(cè)量的電纜的寬度為約16至17毫米，并且排擾線之間的間距為15毫米。所述電纜能夠容易地多端子封端(包括排擾線)。從這些值我們看到自排擾線至最靠近的信號(hào)線的間距為每一雙軸對(duì)內(nèi)的線至線間距的約1.3倍，因此，大于線至線間距的0.7倍；電纜密度參數(shù)Σ/σ為約2.86，S卩，在2. 5至3的范圍內(nèi)；另一電纜密度參數(shù)S/Dmin為約I. 7，S卩，在I. 7至2的范圍內(nèi)；比率d/D (屏蔽膜壓緊部分的最小間距除以屏蔽膜覆蓋部分之間的最大間距)為約O. 05，S卩，小于O. 25且也小于O. I ;比率d2/D (在絕緣導(dǎo)體之間的區(qū)域中的屏蔽膜覆蓋部分之間的最小間距除以屏蔽膜覆蓋部分之間的最大間距)為約1，即，大于O. 33。還注意到電纜的寬度(B卩，自邊緣至邊緣為約16mm，且自排擾線至排擾線為15. Omm)小于常規(guī)微型SAS內(nèi)部電纜外部模制端接的寬度(通常為17. 1_)，并且與微型SAS插卡的典型寬度(15.6mm)大約相同。比插卡小的寬度允許從電纜至插卡的簡(jiǎn)單的一對(duì)一路由，而無(wú)需側(cè)向調(diào)整線末端。即使電纜比端接板或外殼略寬，外部線仍可被側(cè)向地路由或彎曲以與該板的外部邊緣上的片相遇。物理上，該電纜可提供相對(duì)于其他帶狀電纜的雙倍密度，在組件中可為一半厚(由于需要的帶狀電纜少一條)，并且可允許比其他一般電纜薄的連接器。如本文別處所論述，可以任何合適的方式端接和操作電纜末端以與端接元件相連接。第3節(jié)具有按需排擾線結(jié)構(gòu)的屏蔽電纜我們現(xiàn)在提供有關(guān)可采用按需排擾線結(jié)構(gòu)的屏蔽帶狀電纜的另外的細(xì)節(jié)。在多條本發(fā)明所公開(kāi)的屏蔽電纜中，與屏蔽膜中的一者或兩者進(jìn)行直接或間接電接觸的排擾線在電纜的基本上整個(gè)長(zhǎng)度上進(jìn)行此類(lèi)電接觸。該排擾線可接著在端接位置處連接至外部接地連接，從而得到至屏蔽件的接地參考，以便減小(或“排出”)可產(chǎn)生串?dāng)_的 任何雜散信號(hào)且減小電磁干擾(EMI)。在具體實(shí)施方式
的此小節(jié)中，我們更全面地描述在電纜的一個(gè)或多個(gè)隔離區(qū)域處而非沿著整個(gè)電纜長(zhǎng)度提供給定排擾線和給定屏蔽膜之間的電接觸的構(gòu)造和方法。我們有時(shí)將以隔離區(qū)域處的電接觸來(lái)表征的構(gòu)造和方法稱(chēng)為按需技術(shù)。此按需技術(shù)可利用本文中別處所描述的屏蔽電纜，其中使該電纜包括至少一根排擾線，所述至少一根排擾線具有在排擾線的全部長(zhǎng)度或至少在排擾線的長(zhǎng)度的相當(dāng)大一部分上的該排擾線與至少一個(gè)屏蔽膜之間的高直流電阻。出于描述按需技術(shù)的目的，可將此電纜稱(chēng)為未處理過(guò)的電纜。該未處理過(guò)的電纜可接著在至少一個(gè)特定的局部區(qū)域中加以處理以便顯著減小直流電阻，且在局部區(qū)域中提供排擾線和屏蔽膜之間的電接觸(無(wú)論是直接的還是間接的)。在局部區(qū)域中的直流電阻可(例如)為小于10 Ω，或小于2 Ω，或基本上為O Ω。所述未處理過(guò)的電纜可包括至少一根排擾線、至少一個(gè)屏蔽膜以及包括適用于傳輸高速信號(hào)的至少一個(gè)絕緣導(dǎo)體的至少一個(gè)導(dǎo)體組。圖19是示例性屏蔽電纜1902的正面剖視圖，該電纜可充當(dāng)未處理過(guò)的電纜，雖然亦可使用本文中所示出或描述的實(shí)際上任何其他屏蔽電纜。電纜1902包括三個(gè)導(dǎo)體組1904a、1904b、1904c，所述導(dǎo)體組各自包括一個(gè)或多個(gè)絕緣導(dǎo)體，該電纜還具有出于示范目的而展示于多個(gè)位置中的六根排擾線1912a-f。電纜1902還包括設(shè)置在電纜的相對(duì)側(cè)上且優(yōu)選地具有各自的覆蓋部分、壓緊部分和過(guò)渡部分的兩個(gè)屏蔽膜1908。最初，非導(dǎo)電粘合劑材料或其他適形的非導(dǎo)電材料使每一根排擾線與一個(gè)或全部?jī)蓚€(gè)屏蔽膜分離。所述排擾線、屏蔽膜以及其間的非導(dǎo)電材料被構(gòu)造為使得屏蔽膜能夠在局部區(qū)域或處理過(guò)的區(qū)域中按需地與排擾線進(jìn)行直接或間接電接觸。其后，使用合適的處理過(guò)程實(shí)現(xiàn)所描述的排擾線1912a至f中的任何者與屏蔽膜1908之間的這種選擇性電接觸。圖20a、圖20b和圖21是示范至少一些此類(lèi)處理過(guò)程的屏蔽電纜或其部分的正面剖視圖。在圖20a中，屏蔽電纜2002的一部分包括相對(duì)的屏蔽膜2008，相對(duì)的屏蔽膜中的每一者可包括導(dǎo)電層2008a和非導(dǎo)電層2008b。屏蔽膜被取向，以使得每一個(gè)屏蔽膜的導(dǎo)電層面向排擾線2012和另一屏蔽膜。在可供選擇的實(shí)施例中，可以省略一個(gè)或全部?jī)蓚€(gè)屏蔽膜的非導(dǎo)電層。值得注意的是，電纜2002包括處于屏蔽膜2008之間且使排擾線2012與屏蔽膜2008中的每一者分離的非導(dǎo)電材料(如，電介質(zhì)材料)2010。在一些情況下，材料2010可以是或可包含非導(dǎo)電的適形粘合劑材料。在一些情況下，材料2010可以是或可包含熱塑性電介質(zhì)材料，例如具有小于O. 02mm的厚度或某一其他合適厚度的聚烯烴。在一些情況下，材料2010可在電纜制造之前呈覆蓋一個(gè)或全部?jī)蓚€(gè)屏蔽膜的薄層的形式。在一些情況下，材料2010可在電纜制造之前(及在未處理過(guò)的電纜中)呈覆蓋排擾線的薄絕緣層的形式，在該情況下與圖20a和圖20b中所示出的實(shí)施例不同，此類(lèi)材料可不延伸至電纜的壓緊區(qū)域中。為了進(jìn)行局部連接，可在有限的區(qū)域或區(qū)段內(nèi)施加壓縮力和/或熱以借由有效地?cái)D開(kāi)材料2010而迫使屏蔽膜2008與排擾線2012進(jìn)行永久電接觸。該電接觸可以是直接的或間接的，并且可以通過(guò)局部處理過(guò)的區(qū)域中的小于10 Ω、或小于2 Ω、或基本上為O Ω的直流電阻來(lái)表征。(排擾線2012的未處理過(guò)的部分繼續(xù)與屏蔽膜物理地分離，且將以高直流電阻(如，>100 Ω)來(lái)表征，當(dāng)然除了排擾線的未處理過(guò)的部分經(jīng)由排擾線的處理過(guò)的部分電連接至屏蔽膜的事實(shí)之外。)可在隨后步驟中在電纜的不同隔離區(qū)域處重復(fù)該處理程序，和/或可在任何給定的單個(gè)步驟中在電纜的多個(gè)隔離區(qū)域處執(zhí)行該處理程序。屏蔽電纜還優(yōu)選地包含用于高速數(shù)據(jù)通信的一條或多條絕緣信號(hào)線的至少一個(gè)群組。在圖21中， 例如，屏蔽電纜2102具有多個(gè)雙軸導(dǎo)體組2104，所述多個(gè)雙軸導(dǎo)體組具有由屏蔽膜2108提供的屏蔽。電纜2102包括排擾線2112，將排擾線中的兩根(2112a、2112b)展示為使用處理元件2130 (例如)借由壓力、熱、輻射和/或任何其他合適的試劑在單個(gè)步驟中予以處理。所述處理元件優(yōu)選地具有與電纜2102的長(zhǎng)度相比較小的長(zhǎng)度(沿著垂直于繪圖的平面的軸線的尺寸)，使得處理過(guò)的區(qū)域類(lèi)似地與電纜的長(zhǎng)度相比較小。用于按需排擾線接觸的處理過(guò)程可以在以下時(shí)間內(nèi)執(zhí)行(a)電纜制造期間，(b)將電纜切成用于端接過(guò)程的長(zhǎng)度之后，(c)在端接過(guò)程期間(甚至在端接電纜的同時(shí))，(d)已將電纜制成電纜組件(如，借由將端接元件附接至電纜的兩個(gè)末端)之后，或(e) (a)至(d)的任何組合。在一些情況下，用以提供排擾線和一個(gè)或全部?jī)蓚€(gè)屏蔽膜之間的局部電接觸的處理可利用壓縮。該處理可在室溫下以使材料嚴(yán)重地變形且引起接觸的高局部力執(zhí)行，或在(例如)使如上文論述的熱塑性材料可更容易地流動(dòng)的高溫下執(zhí)行。處理也可包括將超聲能量傳遞至該區(qū)域以便進(jìn)行接觸。另外，可借由使用分離屏蔽膜與排擾線的電介質(zhì)材料中的導(dǎo)電粒子，和/或使用設(shè)置在排擾線和/或屏蔽膜上的粗糙突起來(lái)輔助該處理過(guò)程。圖22a和圖22b是屏蔽電纜組件2201的俯視圖，其示出了可供人選擇來(lái)提供排擾線和屏蔽膜之間的按需接觸的可供選擇的構(gòu)型。在兩個(gè)圖中，屏蔽帶狀電纜2202在其兩個(gè)末端處連接至端接元件2220、2222。所述端接元件各自包括其上提供有各條導(dǎo)電通路的基板，所述各條導(dǎo)電通路用于電連接至電纜2202的各自的線和導(dǎo)體。電纜2202包括絕緣導(dǎo)體的若干導(dǎo)體組，例如適合于高速數(shù)據(jù)通信的雙軸導(dǎo)體組。電纜2202還包括兩根排擾線2212a、2212b。所述排擾線具有連接至每一個(gè)端接元件的各自導(dǎo)電通路的末端。所述排擾線還設(shè)置在電纜的至少一個(gè)屏蔽膜附近(例如，被電纜的至少一個(gè)屏蔽膜覆蓋)，并且優(yōu)選地設(shè)置在兩個(gè)這種膜之間，如(例如)圖19和圖20a的橫截面圖中所示出。除了將在下文描述的局部處理過(guò)的區(qū)域或區(qū)段之外，排擾線2212a、2212b不在沿著電纜長(zhǎng)度的任何點(diǎn)處與屏蔽膜進(jìn)行電接觸，且這可借由任何合適的方式(如，借由使用在本文中別處所描述的電隔離技術(shù)中的任何者)來(lái)實(shí)現(xiàn)。在未處理過(guò)的區(qū)域中的排擾線和屏蔽膜之間的直流電阻可以(例如)為大于100Ω。然而，優(yōu)選地如上文描述在選定區(qū)段或區(qū)域處處理電纜，從而得到給定排擾線和給定屏蔽膜之間的電接觸。在圖22a中，電纜2202已在局部區(qū)域2213a中受到處理，從而得到排擾線2212a和屏蔽膜之間的電接觸，且其亦已在局部區(qū)域2213b、2213c中受到處理，從而得到排擾線2212b和屏蔽膜之間的電接觸。在圖22b中，將電纜2202展示為在相同的局部區(qū)域2213a和2213b中受到處理，但亦在不同的局部區(qū)域2213d、2213e中受到處理。應(yīng)當(dāng)注意，在一些情況下，出于冗余或出于其他目的，多個(gè)處理過(guò)的區(qū)域可用于單根排擾線。在其他情況下，只有單個(gè)處理過(guò)的區(qū)域可用于給定的排擾線。在一些情況下，用于第一排擾線的第一處理過(guò)的區(qū)域可以設(shè)置在與用于第二排擾線的第二處理過(guò)的區(qū)域相同的長(zhǎng)度方向位置處，參見(jiàn)(例如)圖22a、圖22b的區(qū)域2213a、2213b，且還參見(jiàn)圖21中示出的程序。在一些情況下，用于一根排擾線的處理過(guò)的區(qū)域可以設(shè)置在與用于另一根排擾線的處理過(guò)的區(qū)域不同的長(zhǎng)度方向位置處，參見(jiàn)(例如)圖22a的區(qū)域2231a和2213c，或圖22b的區(qū)域2213d和2213e。在一些情況下，用于一根排擾線的處理過(guò)的區(qū)域可以設(shè)置在另一根排擾線缺乏與屏蔽膜的任何局部電接觸的電纜的長(zhǎng)度方向位置處，參見(jiàn)(例如)圖22a的區(qū)域2213c，或圖22b的區(qū)域2213d或區(qū)域2213e。圖23為另一種屏蔽電纜組件2301的俯視圖，其示出了可供人選擇來(lái)提供排擾線和屏蔽膜之間的按需接觸的另一種構(gòu)型。在組件2301中，屏蔽帶狀電纜2302在其兩個(gè)末端處連接至端接元件2320、2322。所述端接元件各自包括其上提供有各條導(dǎo)電通路的基板，所述各條導(dǎo)電通路用于電連接至電纜2302的各自的線和導(dǎo)體。電纜2302包括絕緣導(dǎo)體的若干導(dǎo)體組，例如適合于高速數(shù)據(jù)通信的雙軸導(dǎo)體組。電纜2302亦包括若干排擾線2312a-d。所述排擾線具有連接至每一個(gè)端接元件的各自導(dǎo)電通路的末端。所述排擾線還設(shè)置在電纜的至少一個(gè)屏蔽膜附近(例如，被電纜的至少一個(gè)屏蔽膜覆蓋)，并且優(yōu)選地設(shè)置在兩個(gè)這種膜之間，如(例如)圖19和圖20a的橫截面圖中所示出。除了將在下文描述的局部處理過(guò)的區(qū)域或區(qū)段之外，至少排擾線2312a、2312d不在沿著電纜長(zhǎng)度的任何點(diǎn)處與屏蔽膜進(jìn)行電接觸，且這可借由任何合適的方式(如，借由使用在本文中別處所描述的電隔離技術(shù)中的任何者)來(lái)實(shí)現(xiàn)。在未處理過(guò)的區(qū)域中的這些排擾線和屏蔽膜之間的直流電阻可以(例如)為大于100Ω。然而，優(yōu)選地如上文描述在選定區(qū)段或區(qū)域處處理電纜，從而得到這些排擾線和給定屏蔽膜之間的電接觸。在該圖中，將電纜2302展示為在局部區(qū)域2313a中受到處理，從而得到排擾線2312a和屏蔽膜之間的電接觸，且其亦展示為在局部區(qū)域2313b、2313c中受到處理,從而得到排擾線2312d和屏蔽膜之間的電接觸。排擾線2313b、2312c中的一者或兩者可具有適用于局部處理的類(lèi)型，或所述一者或兩者可以更標(biāo)準(zhǔn)的方式制備，在該更標(biāo)準(zhǔn)的方式中它們?cè)陔娎|制造期間沿著基本上其整個(gè)長(zhǎng)度與屏蔽膜進(jìn)行電接觸。實(shí)M 在該小節(jié)中呈現(xiàn)兩個(gè)實(shí)例。首先，使用與圖21中所示出的屏蔽電纜相同的導(dǎo)體組和排擾線的數(shù)量和構(gòu)型來(lái)制造兩個(gè)基本上相同的未處理過(guò)的屏蔽帶狀電纜。使用具有以下相同構(gòu)造的兩個(gè)相對(duì)的屏蔽膜制造每一根電纜聚酯基底層(O. 00048英寸厚)，在聚酯基底層上設(shè)置連續(xù)鋁層(O. 00028英寸厚)，在該連續(xù)鋁層上設(shè)置連續(xù)非導(dǎo)電粘合劑層(O. 001英寸厚)。在每一根電纜中用于制造四個(gè)雙軸導(dǎo)體組的八個(gè)絕緣導(dǎo)體為30線規(guī)(AWG)、實(shí)心芯的鍍銀銅線。用于每一根電纜的八根排擾線為32線規(guī)(AWG)、鍍錫的7股線。用于制備過(guò)程的設(shè)定經(jīng)調(diào)整以使得在每一根排擾線和每一個(gè)屏蔽膜之間保留粘合劑材料(聚烯烴)的薄層(小于10微米)以防止在未處理過(guò)的電纜中排擾線和屏蔽膜之間的電接觸。將兩條未處理過(guò)的電纜各自切成約I米的長(zhǎng)度，并且在一端處加以批量剝離。最初，測(cè)試這些未處理過(guò)的電纜中的第一條以判定排擾線中的任何者是否與屏蔽膜中的任一者電接觸。通過(guò)在電纜的已剝離末端處將微歐姆計(jì)連接至兩根排擾線的所有28種可能的組合來(lái)進(jìn)行此測(cè)試。這些測(cè)量針對(duì)所述組合中的任何者皆不產(chǎn)生可測(cè)量的直流電阻，即，所有組合皆產(chǎn)生大大超過(guò)100Ω的直流電阻。接著，如圖21中所描繪，在一個(gè)步驟中處理兩根相鄰的排擾線以在那些排擾線和兩個(gè)屏蔽膜之間提供局部接觸區(qū)域。在第二步驟中亦以相同方式處理另外兩根相鄰的排擾線，例如，在圖21的左側(cè)處標(biāo)記為2112的兩根相鄰的線。通過(guò)使用約O. 25英寸長(zhǎng)和O. 05英寸寬的工具來(lái)壓縮電纜的一部分而實(shí)現(xiàn)每一處理，該工具寬度在電纜的一個(gè)長(zhǎng)度方向位置處覆蓋兩根相鄰的排擾線。每一個(gè)處理過(guò)的部分距電纜的一端約3cm。在此第一實(shí)例中，工具溫度為220°C，且對(duì)于每一處理施加約75至150磅的力維持10秒。然后移除該工具，并使電纜冷卻。然后在與處理過(guò)的末端相對(duì)的電纜的末端處連接微歐姆計(jì)，并再次測(cè)試兩根排擾線的所有28種可能的組合。測(cè)量出一對(duì) (處理過(guò)的排擾線中的兩根)的直流電阻為I. I Ω，且兩根排擾線的所有其他組合的直流電阻(在與處理過(guò)的末端相對(duì)的電纜的末端處測(cè)量)是不可測(cè)量的，即，大大超過(guò)100 Ω。最初還測(cè)試所述未處理過(guò)的電纜中的第二根以判定排擾線中的任何者是否與屏蔽膜中的任一者電接觸。再次通過(guò)在電纜的已剝離末端處將微歐姆計(jì)連接至兩根排擾線的所有28種可能的組合來(lái)進(jìn)行此測(cè)試，且測(cè)量針對(duì)所述組合中的任何者再次不產(chǎn)生可測(cè)量的直流電阻，即，所有組合皆產(chǎn)生大大超過(guò)100Ω的直流電阻。接著，如圖21中所描繪，在第一步驟中處理兩根相鄰的排擾線以在那些排擾線和兩個(gè)屏蔽膜之間提供局部接觸區(qū)域。使用與實(shí)例I中的工具相同的工具進(jìn)行此處理，且處理過(guò)的部分距電纜的第一末端約3cm。在第二處理步驟中，在與第一步驟相同的條件下，但在距與第一末端相對(duì)的電纜的第二末段3cm的位置處處理相同的兩根排擾線。在第三步驟中，以與第一步驟相同的方式，再次在距電纜的第一末端3cm處處理另外兩根相鄰的排擾線，例如，在圖21的左側(cè)處標(biāo)記為2112的兩根相鄰的線。在第四處理步驟中，在相同的條件下，但在距電纜的第二末端3cm的處理位置處處理在第3步驟中受到處理的相同的兩根排擾線。在此第二實(shí)例中，工具溫度為210°C，且對(duì)于每一處理步驟施加約75至150磅的力維持10秒。然后移除該工具，并使電纜冷卻。接著在電纜的一端處連接微歐姆計(jì)，且再次測(cè)試兩根排擾線的所有28種可能的組合。針對(duì)所述組合中的五種(所有五種這些組合涉及具有處理過(guò)的區(qū)域的四根排擾線)測(cè)量到0.6Ω的平均直流電阻，且對(duì)于涉及具有處理過(guò)的區(qū)域的四根排擾線的剩余組合，測(cè)量到21.5Ω的直流電阻。兩根排擾線的所有其他組合的直流電阻皆不可測(cè)量，即，大大超過(guò)100 Ω。圖24a為針對(duì)這些實(shí)例制造并處理的屏蔽電纜中的一條的照片。可看到四個(gè)處理過(guò)的局部區(qū)域。圖24b是圖24a的一部分的放大細(xì)部圖，其顯示了所述處理過(guò)的局部區(qū)域中的兩者。圖24c是圖24a的電纜的前橫截面布局的示意性前正視圖。第4節(jié)具有多根排擾線的屏蔽電纜我們現(xiàn)在提供有關(guān)可采用多根排擾線的屏蔽帶狀電纜，以及此類(lèi)電纜與在電纜的一個(gè)或兩個(gè)末端處的一個(gè)或多個(gè)端接元件的獨(dú)特組合的另外細(xì)節(jié)。
常規(guī)的同軸或雙軸電纜使用多個(gè)獨(dú)立的線組，每一者具有其自身的排擾線以進(jìn)行電纜和端接點(diǎn)之間的接地連接。本文所描述的屏蔽電纜的有利方面是它們可在整個(gè)結(jié)構(gòu)中的多個(gè)位置中包括排擾線，如(例如)圖19中所示出。任何給定的排擾線都可直接(DC)連接至屏蔽件結(jié)構(gòu)，AC連接至屏蔽件(低阻抗AC連接)，或可不良地或完全不連接至屏蔽件(高AC阻抗)。因?yàn)榕艛_線為細(xì)長(zhǎng)導(dǎo)體，所以它們可延伸超出屏蔽電纜且與配對(duì)連接器的接地端進(jìn)行連接。本發(fā)明所公開(kāi)的電纜的優(yōu)勢(shì)是一般來(lái)講，在一些應(yīng)用中可使用較少的排擾線，這是因?yàn)槠帘文ぬ峁┑碾娖帘问钦麄€(gè)電纜結(jié)構(gòu)共有的。我們已發(fā)現(xiàn)，可使用本發(fā)明所公開(kāi)的屏蔽電纜來(lái)有利地提供可通過(guò)屏蔽帶狀電纜的導(dǎo)電屏蔽件電互連的多種不同的排擾線構(gòu)型。簡(jiǎn)而言之，本發(fā)明所公開(kāi)的屏蔽電纜中的任何者都可包括至少第一排擾線和第二排擾線。所述第一排擾線和第二排擾線可以沿著電纜的長(zhǎng)度延伸，并且可至少由于它們二者均與第一屏蔽膜電接觸而彼此電連接。該電纜可以在電纜的第一末端處與一個(gè)或多個(gè)第一端接元件組合、并且在電纜的第二末端處與一個(gè)或多個(gè)第二端接元件組合。在一些情況下，第一排擾線可電連接至一個(gè)或多個(gè)第一端接元件，但可能未電連接至一個(gè)或多個(gè)第二端接元件。在一些情況下，第二排擾線可電連接至一 個(gè)或多個(gè)第二端接元件，但可能未電連接至一個(gè)或多個(gè)第一端接元件。 第一排擾線和第二排擾線可以是沿著電纜的長(zhǎng)度延伸的多根排擾線的成員，nl根排擾線可以連接至一個(gè)或多個(gè)第一端接元件，并且n2根排擾線可以連接至一個(gè)或多個(gè)第二端接元件。數(shù)字nl可以為不等于η2。此外，所述一個(gè)或多個(gè)第一端接元件可總共具有ml個(gè)第一端接元件，并且所述一個(gè)或多個(gè)第二端接元件可總共具有m2個(gè)第二端接元件。在一些情況下，n2>nl,并且m2>ml。在一些情況下，ml=l。在一些情況下，ml=m2。在一些情況下，ml〈m2。在一些情況下，ml>l,并且m2>l。例如這些的布置方式提供以下能力將一根排擾線連接至外部連接且使一根或多根其他排擾線僅連接至共同屏蔽件，從而將所有排擾線有效地連接至外部接地。因此，有利的是，并非電纜中的所有排擾線均需要連接至外部接地結(jié)構(gòu)，這可用于借由在連接器處需要較少的配對(duì)連接來(lái)簡(jiǎn)化連接。另一個(gè)潛在的優(yōu)勢(shì)是如果不止一根排擾線連接至外部接地及連接至屏蔽件，則可進(jìn)行冗余接觸。在這種情況下，人們可能無(wú)法使用一根排擾線進(jìn)行至屏蔽件或外部接地的接觸，但仍通過(guò)另一根排擾線成功地進(jìn)行外部接地和屏蔽件之間的電接觸。此外，如果電纜組件具有扇出構(gòu)型，其中電纜的一個(gè)末端連接至一個(gè)外部連接器(ml=l)和共同接地，并且另一個(gè)末端連接至多個(gè)連接器(m2>l)，則可在共同末端上進(jìn)行比用于多個(gè)連接器末端的連接(n2)少的連接(nl)。由此類(lèi)構(gòu)型提供的簡(jiǎn)化接地可提供在減少的復(fù)雜性及端接處所需的減小數(shù)量的接觸片方面的有益效果。在這些布置方式中的多者中，假定所討論的所有排擾線當(dāng)然是與屏蔽膜電接觸，將通過(guò)屏蔽膜的排擾線的獨(dú)特互連性質(zhì)用于簡(jiǎn)化端接結(jié)構(gòu)且可提供較緊密(較窄)的連接節(jié)距。一個(gè)直接了當(dāng)?shù)膶?shí)施例為包括高速導(dǎo)體組和多根排擾線的屏蔽電纜在兩個(gè)末端處端接至在每一個(gè)末端處的一個(gè)連接器，并且并非所有排擾線都在每一個(gè)末端處端接，但在一個(gè)末端處端接的每一根排擾線也在另一個(gè)末端處端接。由于未端接的排擾線也直接地或間接地連接至接地，因此這些排擾線仍維持在低電位。在相關(guān)的實(shí)施例中，所述排擾線中的一根可在一個(gè)末端處連接，但在另一個(gè)末端處未連接(故意地或錯(cuò)誤地)。仍然在此情形中，只要在每一個(gè)末端處連接了一根排擾線，接地結(jié)構(gòu)就得以維持。在另一個(gè)相關(guān)實(shí)施例中，在一個(gè)末端處附接的排擾線與在另一個(gè)末端處附接的排擾線不相同。在圖25中描繪了該實(shí)施例的簡(jiǎn)單版本。在該圖中，電纜組件2501包括在一個(gè)末端處連接至端接元件2520且在另一個(gè)末端處連接至端接元件2522的屏蔽電纜2502。電纜2502可實(shí)際上為本文中所示出或描述的任何屏蔽電纜，只要其包括均電連接至至少一個(gè)屏蔽膜的第一排擾線2512a和第二排擾線2512b即可。如圖所示，排擾線2512b連接至元件2520但不連接至元件2522，并且排擾線2512a連接至元件2522但不連接至元件2520。由于接地電位(或其他受控電位)在電纜2502的排擾線2512a、2512b與屏蔽膜之間依靠其互相電連接而共用，故歸因于共同接地而在該結(jié)構(gòu)中維持相同電位。應(yīng)當(dāng)注意，可借由消除不使用的導(dǎo)電通路而有利地使兩個(gè)端接元件2520、2522更小(更窄)。在圖26a_26b中示出了展示這些技術(shù)的更復(fù)雜的實(shí)施例。在這些圖中，屏蔽電纜組件2601具有扇出構(gòu)型。組件2601包括在第一末端處連接至端接元件2620、且在第二末端(其分裂成三個(gè)分離的扇出部分)處連接至端接元件2622、2624、2626的屏蔽帶狀電纜2602。如在沿著圖26a的線26b-26b截取的圖26b的橫截面圖中最佳示出，電纜2602包括具有絕緣導(dǎo)體的三個(gè)導(dǎo)體組(一個(gè)同軸類(lèi)型和兩個(gè)雙軸類(lèi)型)和八根排擾線2612a-h。所述八根排 擾線均電連接至電纜2602中的至少一個(gè)屏蔽膜，且優(yōu)選地兩個(gè)屏蔽膜。所述同軸導(dǎo)體組連接至端接元件2626，一個(gè)雙軸導(dǎo)體組連接至端接元件2624，并且另一個(gè)雙軸導(dǎo)體組連接至端接元件2622，并且所有三個(gè)導(dǎo)體組都連接至在電纜的第一末端處的端接元件2620。所有八根排擾線都可連接至在電纜的第二末端處的端接元件，即，排擾線2612a、2612b和2612c可連接至端接元件2626上的適當(dāng)導(dǎo)電通路，并且排擾線2612d和2612e可連接至端接元件2624上的適當(dāng)導(dǎo)電通路，并且排擾線2612f和2612g可連接至端接元件2622上的適當(dāng)導(dǎo)電通路。然而，有利的是，可使少于所有八根排擾線的排擾線連接至在電纜的第一末端處的端接元件2620。在該圖中，僅排擾線2612a和2612h被示出為連接至元件2620上的適當(dāng)導(dǎo)電通路。通過(guò)省略排擾線2612b-g與端接元件2620之間的端接連接，組件2601的制造得以簡(jiǎn)化且流線化。又如，舉例而言，排擾線2612d和2612e將導(dǎo)電通路充分地連接至接地電位(或另一所需電位)，即使該兩者均不物理地連接至端接元件2620也是這樣。關(guān)于上文論述的參數(shù)nl、n2、ml和m2,電纜組件2601滿(mǎn)足nl=2、n2=8、ml=l及m2=30在圖27a_b中示出另一個(gè)扇出屏蔽電纜組件2701。組件2701包括在第一末端處連接至端接元件2720、且在第二末端(其分裂成三個(gè)分離的扇出部分)處連接至端接元件2722、2724、2726的屏蔽帶狀電纜2702。如在沿著圖27a的線27b_27b截取的圖27b的橫截面圖中最佳示出，電纜2702包括具有絕緣導(dǎo)體的三個(gè)導(dǎo)體組(一個(gè)同軸類(lèi)型和兩個(gè)雙軸類(lèi)型)和八根排擾線2712a-h。所述八根排擾線均電連接至電纜2702中的至少一個(gè)屏蔽膜，且優(yōu)選地兩個(gè)屏蔽膜。所述同軸導(dǎo)體組連接至端接元件2726，一個(gè)雙軸導(dǎo)體組連接至端接元件2724，并且另一個(gè)雙軸導(dǎo)體組連接至端接元件2722，并且所有三個(gè)導(dǎo)體組都連接至在電纜的第一末端處的端接元件2720。所述排擾線中的六根可連接至在電纜的第二末端處的端接元件，即，排擾線2712b和2712c可連接至端接元件2726上的適當(dāng)導(dǎo)電通路，并且排擾線2712d和2712e可連接至端接元件2724上的適當(dāng)導(dǎo)電通路，并且排擾線2712f和2712g可連接至端接元件2722上的適當(dāng)導(dǎo)電通路。這六根排擾線均不連接至在電纜的第一末端上的端接元件2720。在電纜的第一末端處，其他兩根排擾線(即，排擾線2712a和2712h)連接至元件2720上的適當(dāng)導(dǎo)電通路。通過(guò)省略排擾線2712b-g與端接元件2720之間、及排擾線2712a與端接元件2726之間、以及排擾線2712h與端接元件2722之間的端接連接，組件2701的制造得以簡(jiǎn)化且流線化。關(guān)于上文論述的參數(shù)nl、n2、ml和m2,電纜組件2701滿(mǎn)足nl=2、n2=6、ml=l和m2=3。多個(gè)其他實(shí)施例是可能的，但一般而言，利用電纜的屏蔽件來(lái)將兩個(gè)分離的接地連接(導(dǎo)體)連接在一起以確保接地完成且至少一個(gè)接地連接至在電纜的每一個(gè)末端處的每一個(gè)端接位置(以及針對(duì)扇出電纜為兩個(gè)以上接地)可為有利的。這意味著無(wú)需使每一根排擾線連接至每一個(gè)端接點(diǎn)。如果在任何末端處連接不止一根排擾線，則該連接為冗余的且較不傾向于出現(xiàn)故障。第5節(jié)具有混合導(dǎo)體組的屏蔽電纜 我們現(xiàn)在提供有關(guān)可采用混合導(dǎo)體組(例如，適合于高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)膶?dǎo)體組和適合于電力傳輸或低速數(shù)據(jù)傳輸?shù)牧硪粋€(gè)導(dǎo)體組)的屏蔽帶狀電纜的另外細(xì)節(jié)。適合于電力傳輸或低速數(shù)據(jù)傳輸?shù)膶?dǎo)體組可被稱(chēng)作邊帶。用于高速信號(hào)傳輸?shù)囊恍┗ミB和已定義標(biāo)準(zhǔn)允許高速信號(hào)傳輸(如通過(guò)雙軸或同軸線布置提供)和低速或電力導(dǎo)體兩者，它們二者均需要導(dǎo)體上的絕緣材料。該標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)例為SAS標(biāo)準(zhǔn)，其定義了高速對(duì)和包括在其微型SAS 4i互連方案中的“邊帶”。雖然SAS標(biāo)準(zhǔn)指示邊帶使用在其范圍之外并且為制造商特定的，但常見(jiàn)邊帶使用為SGPI0(串行通用輸入輸出)總線，如行業(yè)規(guī)范SFF-8485中所描述。SGPIO具有的時(shí)鐘頻率僅為100kHz，并且不需要高性能的屏蔽線。因此，該小節(jié)集中于經(jīng)特制以傳輸高速信號(hào)和低速信號(hào)(或電力輸送)兩者的電纜的方面，包括電纜構(gòu)型、至線性接觸陣列的端接以及端接元件(如插卡)構(gòu)型。一般來(lái)講，本文中別處所論述的帶狀屏蔽電纜可經(jīng)稍微修改而使用。具體而言，除了適用于高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)膶?dǎo)體組以及也可包括的排擾線/接地線之外，本發(fā)明所公開(kāi)的屏蔽電纜還可經(jīng)修改以將適用于低速信號(hào)傳輸而非高速信號(hào)傳輸?shù)慕^緣線包括于構(gòu)造中。因此，屏蔽電纜可包括傳輸數(shù)據(jù)速率顯著不同的信號(hào)的至少兩組絕緣線。當(dāng)然，在電力導(dǎo)體的情況下，線不具有數(shù)據(jù)速率。我們還公開(kāi)了用于組合式高速/低速屏蔽電纜的端接元件，其中用于低速導(dǎo)體的導(dǎo)電通路被重新路由于端接元件的相對(duì)兩端之間，例如，端接末端和連接器配對(duì)末端之間。換句話說(shuō)，屏蔽電纜可包括多個(gè)導(dǎo)體組和第一屏蔽膜。所述多個(gè)導(dǎo)體組可以沿著電纜的長(zhǎng)度延伸，并且沿著電纜的寬度彼此間隔開(kāi)，每一個(gè)導(dǎo)體組包括一個(gè)或多個(gè)絕緣導(dǎo)體。第一屏蔽膜可包括覆蓋部分和壓緊部分，所述壓緊部分被布置為使得覆蓋部分覆蓋導(dǎo)體組，并且壓緊部分設(shè)置在每一個(gè)導(dǎo)體組的每一側(cè)上的電纜的壓緊部分處。所述多個(gè)導(dǎo)體組可包括適合于高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊粋€(gè)或多個(gè)第一導(dǎo)體組以及適合于電力傳輸或低速數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊粋€(gè)或多個(gè)第二導(dǎo)體組。電纜還可以包括設(shè)置在電纜的相對(duì)于第一屏蔽膜的相對(duì)側(cè)上的第二屏蔽膜。電纜可以包括與第一屏蔽膜電接觸、并還沿著電纜的長(zhǎng)度延伸的第一排擾線。一個(gè)或多個(gè)第一導(dǎo)體組可包括具有多個(gè)中心到中心間距為σ I的第一絕緣導(dǎo)體的第一導(dǎo)體組，并且一個(gè)或多個(gè)第二導(dǎo)體組可包括具有多個(gè)中心到中心間距為σ 2的第二絕緣導(dǎo)體的第二導(dǎo)體組，并且σ I可以為大于σ 2。當(dāng)電纜平放時(shí)，一個(gè)或多個(gè)第一導(dǎo)體組的絕緣導(dǎo)體可全部布置在單個(gè)平面內(nèi)。此外，當(dāng)電纜平放時(shí)，一個(gè)或多個(gè)第二導(dǎo)體組可包括具有多個(gè)堆疊排列的絕緣導(dǎo)體的第二導(dǎo)體組。一個(gè)或多個(gè)第一導(dǎo)體組可適合于至少I(mǎi)Gbps (S卩，約O. 5GHz)、最多至如25Gbps (約12. 5GHz)或更高的最大數(shù)據(jù)傳輸速率，或例如至少I(mǎi)GHz的最大信號(hào)頻率，并且一個(gè)或多個(gè)第二導(dǎo)體組可適合于例如小于IGbps (約O. 5GHz)或小于O. 5Gbps (約250MHz)的最大數(shù)據(jù)傳輸速率，或例如小于IGHz或O. 5GHz的最大信號(hào)頻率。一個(gè)或多個(gè)第一導(dǎo)體組可適合于至少3Gbps (約I. 5GHz)的最大數(shù)據(jù)傳輸速率。
此類(lèi)電纜可以與設(shè)置在電纜的第一末端處的第一端接元件結(jié)合。第一端接元件可包括基板和其上的多條導(dǎo)電通路，所述多條導(dǎo)電通路具有布置在第一端接元件的第一末端上的各自的第一端接片。第一導(dǎo)體組和第二導(dǎo)體組的屏蔽導(dǎo)體可以在第一端接元件的第一末端處連接至各自的第一端接片，所述第一端接片采用的有序布置方式與電纜中屏蔽導(dǎo)體的布置方式匹配。多條導(dǎo)電通路可具有布置在第一端接元件的第二末端上的各自的第二端接片，所述第二端接片的布置方式不同于第一末端上的第一端接片的布置方式。適合于電力傳輸和/或低速數(shù)據(jù)傳輸?shù)膶?dǎo)體組可包括未必需要彼此屏蔽、未必需要相關(guān)聯(lián)的接地線或排擾線、并且可無(wú)需具有指定阻抗的絕緣導(dǎo)體組或單獨(dú)的絕緣導(dǎo)體。將所述導(dǎo)體組一起并入具有高速信號(hào)對(duì)的電纜中的有益效果是它們可在一個(gè)步驟中對(duì)準(zhǔn)和端接。這與常規(guī)電纜不同，常規(guī)電纜需要處置若干線組而不與(例如)插卡自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)。正如混合信號(hào)線電纜本身，用于低速信號(hào)和高速信號(hào)兩者的同時(shí)剝離和端接過(guò)程(至單個(gè)插卡上的線性陣列或線性接觸點(diǎn)陣列)是特別有利的。圖28a_d是可整合混合信號(hào)線特征的示例性屏蔽電纜2802a、2802b、2802c和2802d的正面剖視圖。所述實(shí)施例中的每一者優(yōu)選地包括如本文中別處所論述的具有合適覆蓋部分和壓緊部分的兩個(gè)相對(duì)的屏蔽膜，以及分組成適合于高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)膶?dǎo)體組(參見(jiàn)導(dǎo)體組2804a)的一些屏蔽導(dǎo)體，以及分組成適合于低速數(shù)據(jù)傳輸或電力傳輸?shù)膶?dǎo)體組(參見(jiàn)導(dǎo)體組2804b、2804c)的一些屏蔽導(dǎo)體。每一個(gè)實(shí)施例還優(yōu)選地包括一根或多根排擾線2812。將高速導(dǎo)體組2804a示出為雙軸對(duì)，但如本文中別處所論述，其他構(gòu)型也是可能的。將較低速絕緣導(dǎo)體示出為比高速絕緣導(dǎo)體小(具有較小的直徑或橫向尺寸)，這是因?yàn)檩^低速絕緣導(dǎo)體可無(wú)需具有受控的阻抗。在可供選擇的實(shí)施例中，與同一電纜中的高速導(dǎo)體相比，在低速導(dǎo)體周?chē)哂休^大的絕緣材料厚度可為必要的或有利的。然而，由于空間通常非常珍貴，故通常需要使絕緣材料厚度盡可能小。還注意到，與給定電纜中的高速線相t匕，低速線的線規(guī)和鍍層可以是不同的。在圖28a-d中，高速和低速絕緣導(dǎo)體均布置在單個(gè)平面內(nèi)。在此類(lèi)構(gòu)型中,將多個(gè)低速絕緣導(dǎo)體一起分組于單個(gè)組中(如導(dǎo)體組2804b中)以維持盡可能小的電纜寬度可為有利的。當(dāng)將低速絕緣導(dǎo)體分組時(shí)，無(wú)需為了使電纜保持基本上平坦的構(gòu)型而將導(dǎo)體設(shè)置在完全相同的幾何平面內(nèi)。舉例而言，圖29的屏蔽電纜2902利用一起堆疊在緊湊空間內(nèi)的低速絕緣導(dǎo)體以形成導(dǎo)體組2904b，電纜2902還包括高速導(dǎo)體組2904a和2904c。以此方式堆疊低速絕緣導(dǎo)體有助于提供緊湊和狹窄的電纜寬度，但可能不提供在多端子封端后使導(dǎo)體以有序線性方式排列(用于與接端接元件上的線性接觸點(diǎn)陣列配對(duì))的優(yōu)勢(shì)。如圖所示，電纜2902還包括相對(duì)的屏蔽膜2908和排擾線2912。在涉及不同數(shù)量的低速絕緣導(dǎo)體的可供選擇的實(shí)施例中，也可使用低速絕緣導(dǎo)體的堆疊布置，例如圖29a的導(dǎo)體組2904d-h所示出。
混合信號(hào)線屏蔽電纜的另一個(gè)方面涉及與電纜一起使用的端接元件。具體地講，端接元件的基板上的導(dǎo)體通路可被構(gòu)造為將低速信號(hào)從端接元件的一個(gè)末端(如，電纜的端接末端)上的一種布置重新路由至該元件的相對(duì)末端(如，用于連接器的配對(duì)末端)上的不同布置。例如，該不同布置可包括在一個(gè)末端上的相對(duì)于端接元件的另一個(gè)末端的接觸點(diǎn)或?qū)w通路的不同順序。該元件的端接末端上的布置可經(jīng)特制以匹配電纜中的導(dǎo)體的順序或布置，而該元件的相對(duì)末端上的布置可經(jīng)特制以匹配與電纜的布置不同的電路板或連接器布置。重新路由可通過(guò)利用任何合適的技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)，包括在示例性實(shí)施例中使用與多層電路板構(gòu)造結(jié)合的一個(gè)或多個(gè)介層窗以使給定的導(dǎo)電通路從印刷電路板中的第一層過(guò)渡至至少第二層，且接著任選地過(guò)渡回到第一層。一些實(shí)例在圖30a和圖30b的俯視圖中示出。在圖30a中，電纜組件3001a包括連接至例如插卡或電路板的端接元件3020的屏蔽電纜3002，端接元件3020具有基板和在其上形成的導(dǎo)電通路(包括如接觸片)。電纜3002包括適合于高速數(shù)據(jù)通信的導(dǎo)體組3004a (如，呈雙軸對(duì)的形式)。電纜3002還包括·邊帶，該邊帶包括適合于低速數(shù)據(jù)傳輸和/或電力傳輸?shù)膶?dǎo)體組3004b，在該實(shí)施例中導(dǎo)體組3004b具有四個(gè)絕緣導(dǎo)體。在電纜3002已被多端子封端之后，各種導(dǎo)體組的導(dǎo)體的導(dǎo)體末端在元件的第一末端3020a處連接(如，通過(guò)焊接)至端接元件3020上的導(dǎo)電通路的對(duì)應(yīng)末端(如，接觸片)。將對(duì)應(yīng)于電纜的邊帶的導(dǎo)電通路的接觸片或其他末端標(biāo)記為3019a、3019b、3019c、3019d，并且這些接觸片以從端接元件3020的頂部至底部的順序布置(雖然與高速導(dǎo)體相關(guān)聯(lián)的其他接觸片在第一末端3020a上存在于邊帶接觸片的上方和下方)。在圖中僅示意性地示出的用于邊帶接觸片3019a-d的導(dǎo)電通路按需要利用元件3020的介層窗和/或其他圖案化層來(lái)將接觸片3019a連接至元件的第二末端3020b上的接觸片3021a，并且將接觸片3019b連接至元件的第二末端3020b上的接觸片3021b，并且將接觸片3019c連接至元件的第二末端3020b上的接觸片3021c，并且將接觸片3019d連接至元件的第二末端3020b上的接觸片3021d。通過(guò)這種方式，端接元件上的導(dǎo)體通路被構(gòu)造為將來(lái)自導(dǎo)體組3004b的低速信號(hào)從端接元件的一個(gè)末端3020a上的一種布置(a_b-C-d)重新路由至該元件的相對(duì)末端3020b上的不同布置(d-a-c-b)。圖30b示出了可供選擇的電纜組件3001b的俯視圖，并且類(lèi)似的參考標(biāo)號(hào)用于識(shí)別相同或類(lèi)似的部分。在圖30b中，電纜3002被多端子封端且連接至在設(shè)計(jì)上類(lèi)似于圖30a的端接元件3020的端接元件3022。類(lèi)似于元件3020，元件3022包括對(duì)應(yīng)于電纜3002的邊帶的導(dǎo)電通路的接觸片或其他末端，將所述接觸片標(biāo)記為3023a、3023b、3023c、3023d，并且它們以從端接元件3022的頂部至底部的順序布置(雖然與電纜的高速導(dǎo)體相關(guān)聯(lián)的其他接觸片在元件3022的第一末端3022a上存在于邊帶接觸片的上方和下方)。再次在該圖中僅示意性地示出用于邊帶接觸片3023a-d的導(dǎo)電通路。所述導(dǎo)電通路按需要利用元件3022的介層窗和/或其他圖案化層來(lái)將接觸片3023a連接至元件的第二末端3022b上的接觸片3025a，并且將接觸片3023b連接至元件的第二末端3022b上的接觸片3025b，并且將接觸片3023c連接至元件的第二末端3022b上的接觸片3025c，并且將接觸片3023d連接至元件的第二末端3022b上的接觸片3025d。通過(guò)這種方式，端接元件上的導(dǎo)體通路被構(gòu)造為將來(lái)自導(dǎo)體組3004b的低速信號(hào)從端接元件的一個(gè)末端3022a上的一種布置(a-b-c_d)重新路由至該元件的相對(duì)末端3022b上的不同布置(a-c-b-d)。圖30a和圖30b的電纜組件彼此類(lèi)似，因?yàn)樵趦煞N情況下，端接元件跨越用于其他低速信號(hào)的其他導(dǎo)電通路而非跨越用于高速信號(hào)的任何導(dǎo)電通路來(lái)物理地重新路由用于低速信號(hào)的導(dǎo)電通路。就這一點(diǎn)而言，為了維持高品質(zhì)的高速信號(hào)，跨越高速信號(hào)通路路由低速信號(hào)通常不是所期望的。然而，在一些情形中，在具有適當(dāng)屏蔽(如，多層電路板和充分屏蔽層)的情況下，可以如圖31中示出的高速信號(hào)通路中的信號(hào)的有限衰減來(lái)實(shí)現(xiàn)此目的。在那里，已多端子封端的屏蔽電纜3102連接至端接元件3120。電纜3102包括適合于高速數(shù)據(jù)通信的導(dǎo)體組3104a (如，呈雙軸對(duì)的形式)。電纜3102還包括邊帶，該邊帶包括適合于低速數(shù)據(jù)傳輸和/或電力傳輸?shù)膶?dǎo)體組3104b，在該實(shí)施例中導(dǎo)體組3004b具有一個(gè)絕緣導(dǎo)體。在電纜3102已被多端子封端之后，各種導(dǎo)體組的導(dǎo)體的導(dǎo)體末端在元件的第一末端3120a處連接(如，通過(guò)焊接)至端接元件3120上的導(dǎo)電通路的對(duì)應(yīng)末端(如，接觸片)。將與對(duì)應(yīng)于電纜的邊帶的導(dǎo)電通路的接觸片或其他末端標(biāo)記為3119a，并且其經(jīng)布置為緊接在用于導(dǎo)體組3104a中的中間一個(gè)的接觸片上方(從圖31的角度)。在該圖中僅示意性地示出的用于邊帶接觸片3119a的導(dǎo)電通路按需要利用元件3120的介層窗和/或其 他圖案化層來(lái)將接觸片3119a連接至元件的第二末端3120b上的接觸片3121a。通過(guò)這種方式，端接元件上的導(dǎo)體通路被構(gòu)造為將來(lái)自導(dǎo)體組3104b的低速信號(hào)從端接元件的一個(gè)末端3120a上的一種布置(緊接在導(dǎo)體組3104a中的中間一個(gè)的上方)重新路由至該元件的相對(duì)末端3120b上的不同布置(緊接在用于導(dǎo)體組3104a中的中間一個(gè)的接觸片下方)。制造了具有圖28a中的電纜2802a的一般設(shè)計(jì)的混合信號(hào)線屏蔽電纜。如圖28a中所示，該電纜包括四個(gè)高速雙軸導(dǎo)體組和設(shè)置在該電纜中間的一個(gè)低速導(dǎo)體組。將30線規(guī)(AWG)的鍍銀線用于雙軸導(dǎo)體組中的高速信號(hào)線、且將30線規(guī)(AWG)的鍍錫線用于低速導(dǎo)體組中的低速信號(hào)線來(lái)制備該電纜。用于高速線的絕緣材料的外徑(OD)為約O. 028英寸，并且用于低速線的絕緣材料的OD為約O. 022英寸。如圖28a中所示出，沿著電纜的每一個(gè)邊緣還包括排擾線。批量剝離該電纜，并且將各個(gè)線末端焊接至微型SAS相容插卡上的對(duì)應(yīng)接觸點(diǎn)。在該實(shí)施例中，將插卡上的所有導(dǎo)電通路都從插卡的電纜末端路由至相對(duì)(連接器)末端而不彼此交叉，使得接觸片構(gòu)型在插卡的兩個(gè)末端上為相同的。在圖32中示出所得的端接電纜組件的照片。除非另外指明，否則本說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中用來(lái)表示數(shù)量、特性量度等的所有數(shù)值都應(yīng)當(dāng)理解為由術(shù)語(yǔ)“約”修飾。因此，除非有相反的指示，否則說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中列出的數(shù)值參數(shù)均為近似值，這些近似值可根據(jù)本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員利用本專(zhuān)利申請(qǐng)的教導(dǎo)內(nèi)容想要獲得的所需特性而改變。每一個(gè)數(shù)值參數(shù)并不旨在限制等同原則在權(quán)利要求書(shū)范圍內(nèi)的應(yīng)用，至少應(yīng)該按照記錄的有效位數(shù)和通過(guò)應(yīng)用慣常的四舍五入法來(lái)解釋每一個(gè)數(shù)值參數(shù)。雖然本發(fā)明中列出大致范圍的數(shù)值范圍和參數(shù)是近似值，但就任何數(shù)值都是在本文所述具體實(shí)例中列出來(lái)說(shuō)，它們都應(yīng)在合適的情況下盡可能地精確記錄。然而，任何數(shù)值都可以適當(dāng)?shù)匕c測(cè)試或測(cè)量限制相關(guān)的誤差。在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的前提下，對(duì)本發(fā)明的各種修改和更改對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)應(yīng)是顯而易見(jiàn)的，而且應(yīng)該理解本發(fā)明不限于本文所列出的示例性實(shí)施例。例如，除非另外指明，否則讀者應(yīng)當(dāng)假設(shè)，所公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施例的特征也可應(yīng)用于所公開(kāi)的所有其他實(shí)施例。還應(yīng)理解，本文引用的所有美國(guó)專(zhuān)利、專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)案和其他專(zhuān)利和非專(zhuān)利文檔通過(guò)引用的方式并入，而不與上述公開(kāi)內(nèi)容抵觸。下面各項(xiàng)是根據(jù)本發(fā)明的方面的電纜布置方式的示例性實(shí)施例。項(xiàng)I為屏蔽帶狀電纜，其包括多個(gè)導(dǎo)體組，其沿著該電纜在長(zhǎng)度方向上延伸并沿著該電纜的寬度彼此間隔開(kāi)，并且每一個(gè)導(dǎo)體組包括一個(gè)或多個(gè)絕緣導(dǎo)體，所述導(dǎo)體組包括與第二導(dǎo)體組相鄰的第一導(dǎo)體組；以及第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，其設(shè)置在該電纜的相對(duì)側(cè)上，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜包括覆蓋部分和壓緊部分，所述覆蓋部分和壓緊部分被布置使得在橫截面中，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述覆蓋部分組合起來(lái)基本上圍繞每一個(gè)導(dǎo)體組，并且所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述壓緊部分結(jié)合起來(lái)形成在每一個(gè)導(dǎo)體組的每一個(gè)側(cè)面上的該電纜的壓緊部分；其中，當(dāng)該電纜平放時(shí)，第一導(dǎo)體組的第一絕緣導(dǎo)體最靠近第二導(dǎo)體組，并且第二導(dǎo)體組的第二絕緣導(dǎo)體最靠近第一導(dǎo)體組，并且第一絕緣導(dǎo)體和第二絕緣導(dǎo)體具有中心到中心間距S ;并且其中第一絕緣導(dǎo)體具有外部尺寸Dl且第二絕緣導(dǎo)體具有外部尺寸D2 ;并且其中S/Dmin在I. 7至2的范圍 內(nèi)，其中Dmin為Dl和D2中的較小者。項(xiàng)2為項(xiàng)I的電纜，其中多個(gè)導(dǎo)體組中的每一對(duì)相鄰導(dǎo)體組具有對(duì)應(yīng)于在I. 7至2的范圍內(nèi)的S/Dmin的量。項(xiàng)3為項(xiàng)I的電纜，其中多個(gè)導(dǎo)體組中的每一組僅具有一對(duì)絕緣導(dǎo)體，并且其中第一導(dǎo)體組的該對(duì)絕緣導(dǎo)體的中心到中心間距為σ 1，且第一導(dǎo)體組和第二導(dǎo)體組的中心到中心間距為Σ，并且其中Σ/σ I在2. 5至3的范圍內(nèi)。項(xiàng)4為屏蔽帶狀電纜，其包括多個(gè)導(dǎo)體組，其沿著該電纜在長(zhǎng)度方向上延伸并沿著該電纜的寬度彼此間隔開(kāi)，每一個(gè)導(dǎo)體組包括一個(gè)或多個(gè)絕緣導(dǎo)體，所述導(dǎo)體組包括與第二導(dǎo)體組相鄰的第一導(dǎo)體組，第一導(dǎo)體組和第二導(dǎo)體組各自?xún)H具有一對(duì)絕緣導(dǎo)體；以及第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，其設(shè)置在電纜的相對(duì)側(cè)上，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜包括覆蓋部分和壓緊部分，所述覆蓋部分和壓緊部分被布置使得在橫截面中，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述覆蓋部分組合起來(lái)基本上圍繞每一個(gè)導(dǎo)體組，并且所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述壓緊部分結(jié)合起來(lái)形成在每一個(gè)導(dǎo)體組的每一個(gè)側(cè)面上的該電纜的壓緊部分；其中，當(dāng)該電纜平放時(shí)，第一導(dǎo)體組的該對(duì)絕緣導(dǎo)體的中心到中心間距為σ 1，且所述第一導(dǎo)體組和所述第二導(dǎo)體組的中心到中心間距為Σ，并且其中Σ/σΙ在2. 5至3的范圍內(nèi)。項(xiàng)5為項(xiàng)4的電纜，其中導(dǎo)體組中的每一個(gè)僅具有一對(duì)絕緣導(dǎo)體，其中導(dǎo)體組總體具有該對(duì)絕緣導(dǎo)體的平均中心到中心間距σ avg，且總體具有相鄰導(dǎo)體組的平均中心到中心間距Savg,并且其中Savg/ σ avg在2. 5至3的范圍內(nèi)。項(xiàng)6為項(xiàng)I或項(xiàng)4的電纜，其中第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的覆蓋部分結(jié)合起來(lái)通過(guò)包圍每一個(gè)導(dǎo)體組的周邊的至少75%而基本上圍繞每一個(gè)導(dǎo)體組。項(xiàng)7為項(xiàng)I或項(xiàng)4的電纜，其中第一導(dǎo)體組具有在相鄰絕緣導(dǎo)體之間的高頻隔離，該高頻隔離通過(guò)在3-15GHZ范圍內(nèi)的指定頻率下對(duì)于I米的電纜長(zhǎng)度的串?dāng)_Cl來(lái)表征，其中第一導(dǎo)體組和第二導(dǎo)體組之間的高頻隔離通過(guò)在指定頻率下的串?dāng)_C2來(lái)表征，并且其中C2比Cl低至少I(mǎi)OdB0項(xiàng)8為項(xiàng)I或項(xiàng)4的電纜，其中每一個(gè)屏蔽膜包括設(shè)置在電介質(zhì)基板上的導(dǎo)電層。項(xiàng)9為項(xiàng)I或項(xiàng)4的電纜，還包括第一排擾線，其與第一屏蔽膜和第二屏蔽膜中的至少一個(gè)電接觸。項(xiàng)10為項(xiàng)9的電纜，其中第一排擾線沿著電纜的寬度與多個(gè)導(dǎo)體組間隔開(kāi)。項(xiàng)11為項(xiàng)9的電纜，其中在橫截面中，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第二覆蓋部分組合起來(lái)基本上圍繞第一排擾線。項(xiàng)12為項(xiàng)9的電纜，其中第一排擾線以距最靠近的導(dǎo)體組的最靠近絕緣線的排擾線距離σ I來(lái)表征，并且其中該最靠近的導(dǎo)體組以絕緣導(dǎo)體的中心到中心間距σ2來(lái)表征，并且其中σ I/σ 2為大于O. 7。項(xiàng)13為項(xiàng)9的電纜，其中該電纜除了該第一排擾線之外不包括其他排擾線。 項(xiàng)14為項(xiàng)9的電纜，其中多個(gè)導(dǎo)體組包括至少八個(gè)導(dǎo)體組，并且每一個(gè)導(dǎo)體組僅具有一對(duì)絕緣導(dǎo)體，并且其中在該電纜平放時(shí)該電纜的寬度為不大于16_。項(xiàng)15為項(xiàng)9的電纜，還包括第二排擾線，其沿著該電纜的寬度與多個(gè)差分對(duì)間隔開(kāi)，使得所述多個(gè)差分對(duì)設(shè)置在第一排擾線和第二排擾線之間。項(xiàng)16為項(xiàng)15的電纜，其中該電纜除了所述第一排擾線和第二排擾線之外不包括其他排擾線。項(xiàng)17為項(xiàng)15的電纜，其中多個(gè)導(dǎo)體組包括至少八個(gè)導(dǎo)體組，并且每一個(gè)導(dǎo)體組僅具有一對(duì)絕緣導(dǎo)體，并且其中在該電纜平放時(shí)該電纜的寬度為不大于16_。項(xiàng)18為項(xiàng)I或項(xiàng)4的電纜，其中對(duì)于每一個(gè)導(dǎo)體組，第一膜和第二膜的覆蓋部分除了與該導(dǎo)體組的每一側(cè)上的所述壓緊電纜部分相關(guān)聯(lián)的間隙之外圍繞該導(dǎo)體組。項(xiàng)19為項(xiàng)18的電纜，其中所述間隙填充有將第一膜和第二膜在平整電纜部分處粘合在一起的材料。項(xiàng)20為項(xiàng)I或項(xiàng)4的電纜，其中每一個(gè)導(dǎo)體組包括被第一絕緣材料圍繞的第一導(dǎo)體和被第二絕緣材料圍繞的第二導(dǎo)體，并且其中對(duì)于每一個(gè)導(dǎo)體組，第一屏蔽膜的覆蓋部分包括與第一導(dǎo)體同心的第一部分和與第二導(dǎo)體同心的第二部分。項(xiàng)21為項(xiàng)I或項(xiàng)4的電纜，該電纜與在其上具有多條導(dǎo)電通路的基板結(jié)合，所述多條導(dǎo)電通路各自從基板的第一末端延伸至第二末端，其中該電纜的所述絕緣導(dǎo)體的各導(dǎo)體附接至該基板的第一末端處的所述導(dǎo)電通路中的對(duì)應(yīng)者。項(xiàng)22為項(xiàng)21的組合，其中所有對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電通路設(shè)置在基板的一個(gè)主表面上。項(xiàng)23為項(xiàng)21的組合，其中對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電通路中的至少一條設(shè)置在基板的一個(gè)主表面上，并且對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電通路中的至少另一條設(shè)置在基板的相對(duì)主表面上。項(xiàng)24為項(xiàng)21的組合，其中導(dǎo)電通路中的至少一條具有在所述第一末端處的該基板的第一主表面上的第一部分，以及在第二末端處的該基板的相對(duì)第二主表面上的第二部分。項(xiàng)25為項(xiàng)21的組合，其中導(dǎo)體組中的交替者附接至基板的相對(duì)主表面上的導(dǎo)電通路。項(xiàng)26為項(xiàng)21的組合，其中基板包括插卡。項(xiàng)27為屏蔽電纜，其包括多個(gè)導(dǎo)體組，其沿著電纜的長(zhǎng)度延伸并沿著電纜的寬度彼此間隔開(kāi)，每一個(gè)導(dǎo)體組包括一個(gè)或多個(gè)絕緣導(dǎo)體；第一屏蔽膜，其包括覆蓋部分和壓緊部分，該覆蓋部分和壓緊部分被布置使得覆蓋部分覆蓋導(dǎo)體組，并且壓緊部分設(shè)置在每一個(gè)導(dǎo)體組的每一個(gè)側(cè)面上的該電纜的壓緊部分處；以及第一排擾線，其與第一屏蔽膜電接觸，且還沿著該電纜的長(zhǎng)度延伸；其中第一排擾線至第一屏蔽膜的電接觸定位于至少第一處理過(guò)的區(qū)域處。項(xiàng)28為項(xiàng)27的電纜，其中在第一處理過(guò)的區(qū)域處第一排擾線至第一屏蔽膜的電接觸通過(guò)小于2Ω的直流電阻來(lái)表征。項(xiàng)29為項(xiàng)28的電纜，其中第一屏蔽膜在第一處理過(guò)的區(qū)域處和第二區(qū)域處覆蓋第一排擾線，第二區(qū)域與第一處理過(guò)的區(qū)域至少一樣長(zhǎng)，并且其中第一排擾線和第一屏蔽膜之間的直流電阻在第二區(qū)域處為大于100 Ω。項(xiàng)30為項(xiàng)29的電纜，其中電介質(zhì)材料在第二區(qū)域處將第一排擾線與第一屏蔽膜分隔開(kāi)，并且在第一處理過(guò)的區(qū)域處幾乎不存在或不存在第一排擾線通過(guò)電介質(zhì)材料與第一屏蔽膜分隔開(kāi)的情況。項(xiàng)31為項(xiàng)27的電纜，其中第一排擾線至第一屏蔽膜的電接觸也定位于沿著電纜的長(zhǎng)度與第一處理過(guò)的區(qū)域間隔開(kāi)的第二處理過(guò)的區(qū)域處。 項(xiàng)32為項(xiàng)27的電纜，還包括第二排擾線，其與第一屏蔽膜電接觸、沿著電纜的長(zhǎng)度延伸且與第一排擾線間隔開(kāi)；其中第二排擾線至第一屏蔽膜的電接觸定位于第二處理過(guò)的區(qū)域處。項(xiàng)33為項(xiàng)32的電纜，其中第二處理過(guò)的區(qū)域設(shè)置在與第一處理過(guò)的區(qū)域不同的該電纜的長(zhǎng)度方向位置處。項(xiàng)34為項(xiàng)32的電纜，其中第二處理過(guò)的區(qū)域設(shè)置在第一排擾線缺乏與第一屏蔽膜的任何局部電接觸的該電纜的長(zhǎng)度方向位置處。項(xiàng)35為項(xiàng)27的電纜，還包括第二屏蔽膜，其還包括覆蓋部分和壓緊部分；其中第一屏蔽膜和第二屏蔽膜設(shè)置在該電纜的相對(duì)側(cè)上并且被布置使得在橫截面中，第一膜和第二膜的覆蓋部分組合起來(lái)基本上圍繞每一個(gè)導(dǎo)體組，并且第一膜和第二膜的壓緊部分結(jié)合起來(lái)形成在每一個(gè)導(dǎo)體組的每一個(gè)側(cè)面上的該電纜的壓緊部分。項(xiàng)36為項(xiàng)35的電纜，其中第一排擾線也在第一處理過(guò)的區(qū)域處以局部的方式與第二屏蔽膜電接觸。項(xiàng)37為項(xiàng)35的電纜，其中第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的覆蓋部分結(jié)合起來(lái)通過(guò)包圍每一個(gè)導(dǎo)體組的周邊的至少75%而基本上圍繞每一個(gè)導(dǎo)體組。項(xiàng)38為項(xiàng)35的電纜，其中對(duì)于每一個(gè)導(dǎo)體組，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的覆蓋部分除了與該導(dǎo)體組的每一側(cè)上的所述壓緊電纜部分相關(guān)聯(lián)的間隙之外圍繞該導(dǎo)體組。項(xiàng)39為項(xiàng)38的電纜，其中所述間隙填充有將第一膜和第二膜在平整電纜部分處粘合在一起的材料。項(xiàng)40為制備屏蔽電纜的方法，其包括提供電纜，所述電纜包括多個(gè)導(dǎo)體組，其沿著電纜的長(zhǎng)度延伸并沿著電纜的寬度彼此間隔開(kāi)，每一個(gè)導(dǎo)體組包括一個(gè)或多個(gè)絕緣導(dǎo)體；以及第一屏蔽膜，其包括覆蓋部分和壓緊部分，該覆蓋部分和壓緊部分被布置使得覆蓋部分覆蓋導(dǎo)體組，并且壓緊部分設(shè)置在每一個(gè)導(dǎo)體組的每一個(gè)側(cè)面上的該電纜的壓緊部分處；以及第一排擾線，其沿著該電纜的長(zhǎng)度延伸；以及在第一處理過(guò)的區(qū)域處選擇性地處理電纜以在該第一處理過(guò)的區(qū)域中局部地增加或建立第一排擾線至第一屏蔽膜的電接觸。項(xiàng)41為項(xiàng)40的方法，其中在第一處理過(guò)的區(qū)域處的第一排擾線與第一屏蔽膜之間的直流電阻在有選擇的處理之前為大于100Ω，并且在有選擇的處理之后為小于2Ω。
項(xiàng)42為項(xiàng)40的方法，其中有選擇的處理包括在第一處理過(guò)的區(qū)域處有選擇地向電纜施加力。項(xiàng)43為項(xiàng)40的方法，其中有選擇的處理包括在第一處理過(guò)的區(qū)域處有選擇地加熱電纜。項(xiàng)44為項(xiàng)40的方法，其中電纜還包括第二排擾線，該第二排擾線沿著電纜的長(zhǎng)度延伸但與第一排擾線間隔開(kāi)，并且其中所述有選擇的處理不顯著增加或建立第二排擾線至第一屏蔽膜的電接觸。項(xiàng)45為項(xiàng)40的方法，其中電纜還包括第二屏蔽膜，該第二屏蔽膜還包括覆蓋部分和壓緊部分，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜設(shè)置在該電纜的相對(duì)側(cè)上并且被布置使得在橫截面中，第一膜和第二膜的覆蓋部分組合起來(lái)基本上圍繞每一個(gè)導(dǎo)體組，并且第一膜和第二膜的壓緊部分結(jié)合起來(lái)形成在每一個(gè)導(dǎo)體組的每一個(gè)側(cè)面上的該電纜的壓緊部分，并且其中第一排擾線設(shè)置在第一屏蔽膜和第二屏蔽膜之間。 項(xiàng)46為項(xiàng)45的方法，其中有選擇的處理還局部地增加或建立在第一處理過(guò)的區(qū)域中的第一排擾線至第二屏蔽膜的電接觸。項(xiàng)47為屏蔽電纜，其包括多個(gè)導(dǎo)體組，其沿著電纜的長(zhǎng)度延伸并沿著電纜的寬度彼此間隔開(kāi)，每一個(gè)導(dǎo)體組包括一個(gè)或多個(gè)絕緣導(dǎo)體；第一屏蔽膜，其包括覆蓋部分和壓緊部分，該覆蓋部分和壓緊部分被布置使得覆蓋部分覆蓋導(dǎo)體組，并且壓緊部分設(shè)置在每一個(gè)導(dǎo)體組的每一個(gè)側(cè)面上的該電纜的壓緊部分處；以及第一排擾線和第二排擾線，該第一排擾線和第二排擾線沿著電纜的長(zhǎng)度延伸，該第一排擾線和第二排擾線至少由于它們二者均與第一屏蔽膜電接觸而彼此電連接。項(xiàng)48為項(xiàng)47的電纜，其還包括第二屏蔽膜，該第二屏蔽膜還包括覆蓋部分和壓緊部分；其中第一屏蔽膜和第二屏蔽膜設(shè)置在電纜的相對(duì)側(cè)上且被布置使得在橫截面中，第一膜和第二膜的覆蓋部分組合起來(lái)基本上圍繞每一個(gè)導(dǎo)體組，并且第一膜和第二膜的壓緊部分結(jié)合起來(lái)形成在每一個(gè)導(dǎo)體組的每一個(gè)側(cè)面上的該電纜的壓緊部分，并且其中第一排擾線和第二排擾線還至少由于它們二者均與第二屏蔽膜電接觸而彼此電連接。項(xiàng)49為項(xiàng)48的電纜，其中在第一屏蔽膜與第一排擾線之間的直流電阻為小于10 Ω，并且在第二屏蔽膜和第一排擾線之間的直流電阻為小于10 Ω。項(xiàng)50為項(xiàng)49的電纜,其中在第一屏蔽膜和第一排擾線之間的直流電阻為小于
2Ω，并且在第二屏蔽膜和第一排擾線之間的直流電阻為小于2Ω。項(xiàng)51為項(xiàng)47的電纜，該電纜與在該電纜的第一末端處的一個(gè)或多個(gè)第一端接元件以及在該電纜的第二末端處的一個(gè)或多個(gè)第二端接元件組合。項(xiàng)52為項(xiàng)51的組合，其中第一排擾線和第二排擾線為沿著該電纜的長(zhǎng)度延伸的多根排擾線的成員，其中nl根排擾線連接至一個(gè)或多個(gè)第一端接元件，其中n2根排擾線連接至一個(gè)或多個(gè)第二端接元件，并且其中nl Φ n2。項(xiàng)53為項(xiàng)52的組合，其中一個(gè)或多個(gè)第一端接元件總共具有ml個(gè)第一端接元件，并且其中一個(gè)或多個(gè)第二端接元件總共具有m2個(gè)第二端接元件。項(xiàng)54為項(xiàng)53的組合，其中n2>nl，并且m2>ml。項(xiàng)55為項(xiàng)54的組合，其中ml=l。項(xiàng)56為項(xiàng)53的組合，其中ml=m2。
項(xiàng)57為項(xiàng)56的組合，其中ml=l。項(xiàng)58為項(xiàng)53的組合，其中ml〈m2。項(xiàng)59為項(xiàng)53的組合，其中ml>l，并且m2>l。項(xiàng)60為項(xiàng)51的組合，其中第一排擾線電連接至一個(gè)或多個(gè)第一端接元件，但不電連接至一個(gè)或多個(gè)第二端接元件。項(xiàng)61為項(xiàng)60的組合，其中第二排擾線電連接至一個(gè)或多個(gè)第二端接元件，但不電連接至一個(gè)或多個(gè)第一端接元件。項(xiàng)62為屏蔽電纜，其包括多個(gè)導(dǎo)體組，其沿著電纜的長(zhǎng)度延伸并沿著電纜的寬度彼此間隔開(kāi)，每一個(gè)導(dǎo)體組包括一個(gè)或多個(gè)絕緣導(dǎo)體；以及第一屏蔽膜，其包括覆蓋部分和壓緊部分，該覆蓋部分和壓緊部分被布置使得覆蓋部分覆蓋導(dǎo)體組，并且壓緊部分設(shè)置在每一個(gè)導(dǎo)體組的每一個(gè)側(cè)面上的該電纜的壓緊部分處；其中多個(gè)導(dǎo)體組包括適合于高速 數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊粋€(gè)或多個(gè)第一導(dǎo)體組和適合于電力傳輸或低速數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊粋€(gè)或多個(gè)第二導(dǎo)體組。項(xiàng)63為項(xiàng)62的電纜，其還包括第二屏蔽膜，其還包括覆蓋部分和壓緊部分；其中第一屏蔽膜和第二屏蔽膜設(shè)置在該電纜的相對(duì)側(cè)上并且被布置使得在橫截面中，第一膜和第二膜的覆蓋部分組合起來(lái)基本上圍繞每一個(gè)導(dǎo)體組，并且第一膜和第二膜的壓緊部分組合起來(lái)在每一個(gè)導(dǎo)體組的每一側(cè)上形成該電纜的壓緊部分。項(xiàng)64為項(xiàng)62的電纜，其還包括第一排擾線，其與第一屏蔽膜電接觸并亦沿著該電纜的長(zhǎng)度延伸。項(xiàng)65為項(xiàng)64的電纜,其中第一屏蔽膜和第一排擾線之間的直流電阻為小于10 Ω。項(xiàng)66為項(xiàng)65的電纜,其中第一屏蔽膜和第一排擾線之間的直流電阻為小于2Ω。項(xiàng)67為項(xiàng)62的電纜，其中一個(gè)或多個(gè)第一導(dǎo)體組包括具有多個(gè)中心到中心間距為σ I的第一絕緣導(dǎo)體的第一導(dǎo)體組，并且其中一個(gè)或多個(gè)第二導(dǎo)體組包括具有多個(gè)中心到中心間距為σ 2的第二絕緣導(dǎo)體的第二導(dǎo)體組，并且其中σ 1>σ 2。項(xiàng)68為項(xiàng)62的電纜，其中一個(gè)或多個(gè)第一導(dǎo)體組的絕緣導(dǎo)體在該電纜平放時(shí)均布置在單個(gè)平面內(nèi)。項(xiàng)69為項(xiàng)68的電纜，其中一個(gè)或多個(gè)第二導(dǎo)體組包括第二導(dǎo)體組，該第二導(dǎo)體組具有在該電纜平放時(shí)堆疊排列的多個(gè)絕緣導(dǎo)體。項(xiàng)70為項(xiàng)62的電纜，其中一個(gè)或多個(gè)第一導(dǎo)體組適合于至少I(mǎi)Gbps的最大數(shù)據(jù)傳輸速率，并且一個(gè)或多個(gè)第二導(dǎo)體組適合于小于IGbps的最大數(shù)據(jù)傳輸速率。項(xiàng)71為項(xiàng)70的電纜，其中一個(gè)或多個(gè)第一導(dǎo)體組適合于至少3Gbps的最大數(shù)據(jù)傳輸速率。項(xiàng)72為項(xiàng)62的電纜，該電纜與設(shè)置在電纜的第一末端處的第一端接元件組合。項(xiàng)73為項(xiàng)72的組合，其中第一端接元件包括基板和在該基板上的多條導(dǎo)電通路，所述多條導(dǎo)電通路具有布置在第一端接元件的第一末端上的各自的第一端接片，并且其中第一導(dǎo)體組和第二導(dǎo)體組的屏蔽導(dǎo)體以匹配該電纜中的屏蔽導(dǎo)體的布置方式的有序布置方式連接至在第一端接元件的第一末端處的第一端接片的各自的部件。項(xiàng)74為項(xiàng)73的組合，其中多條導(dǎo)電通路具有各自的第二端接片，該各自的第二端接片以不同于第一末端上的第一端接片的布置方式布置在第一端接元件的第二末端上。
項(xiàng)75為項(xiàng)72的組合，其中第一端接元件包括插卡。項(xiàng)76為端接屏蔽電纜的方法，包括提供項(xiàng)62的電纜；以及同時(shí)在電纜的第一末端上將絕緣材料剝離一個(gè)或多個(gè)第一導(dǎo)體組和第二導(dǎo)體組的絕緣導(dǎo)體。項(xiàng)77為項(xiàng)76的方法，還包括提供包括一個(gè)或多個(gè)第一基板的一個(gè)或多個(gè)第一端接元件，該一個(gè)或多個(gè)第一基板在其上具有多條第一導(dǎo)電通路；以及將電纜的第一末端處的已剝離的導(dǎo)體附接至多條第一導(dǎo)電通路。項(xiàng)78為項(xiàng)77的方法，其中該附接經(jīng)執(zhí)行使得已剝離的導(dǎo)體以匹配電纜中的屏蔽導(dǎo)體的布置方式的有序布置方式在該電纜的第一末端處附接至多條第一導(dǎo)電通路。項(xiàng)79為項(xiàng)77的方法，其中一個(gè)或多個(gè)第一端接元件包括第一插卡。項(xiàng)80為項(xiàng)77的方法，還包括同時(shí)在與電纜的第一末端相對(duì)的電纜的第二末端上將絕緣材料剝離一個(gè)或多個(gè)第一導(dǎo)體組和第二導(dǎo)體組的絕緣導(dǎo)體。 項(xiàng)81為項(xiàng)80的方法，還包括提供包括一個(gè)或多個(gè)第二基板的一個(gè)或多個(gè)第二端接元件，該一個(gè)或多個(gè)第二基板在其上具有多條第二導(dǎo)電通路；以及將電纜的第二末端處的已剝離的導(dǎo)體附接至多條第二導(dǎo)電通路。項(xiàng)82為項(xiàng)81的方法，其中將電纜的第二末端處的已剝離的導(dǎo)體附接至多條第二導(dǎo)電通路經(jīng)執(zhí)行使得已剝離的導(dǎo)體以匹配該電纜中的屏蔽導(dǎo)體的布置方式的有序布置方式在該電纜的第二末端處附接至多條第二導(dǎo)電通路。項(xiàng)83為項(xiàng)81的方法，其中一個(gè)或多個(gè)第二端接元件包括第二插卡。雖然本文出于說(shuō)明優(yōu)選實(shí)施例的目的對(duì)具體實(shí)施例進(jìn)行了圖示和描述，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離本發(fā)明的范圍的前提下，各種旨在達(dá)到相同目的的可選的和/或等同形式的具體實(shí)施可以取代圖示和描述的具體實(shí)施例。機(jī)械、機(jī)電以及電氣領(lǐng)域的技術(shù)人員將很容易理解到，本發(fā)明可以在眾多實(shí)施例中實(shí)施。本專(zhuān)利申請(qǐng)旨在涵蓋本文所討論的優(yōu)選實(shí)施例的任何修改形式或變型形式。因此，顯而易見(jiàn)，本發(fā)明旨在僅受本發(fā)明權(quán)利要求書(shū)及其等同物的限制。
權(quán)利要求
1.一種屏蔽帶狀電纜，包括 多個(gè)導(dǎo)體組，所述多個(gè)導(dǎo)體組沿著所述電纜的長(zhǎng)度方向延伸，并沿著所述電纜的寬度彼此間隔開(kāi)，并且每一個(gè)導(dǎo)體組包括一個(gè)或多個(gè)絕緣導(dǎo)體，所述導(dǎo)體組包括與第二導(dǎo)體組相鄰的第一導(dǎo)體組；和 第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜設(shè)置在所述電纜的相對(duì)側(cè)上，并且包括覆蓋部分和壓緊部分，所述覆蓋部分和所述壓緊部分被布置使得在橫截面中，所述第一膜和所述第二膜的所述覆蓋部分組合起來(lái)基本上圍繞每一個(gè)導(dǎo)體組，并且所述第一膜和所述第二膜的所述壓緊部分組合起來(lái)在每一個(gè)導(dǎo)體組的每一側(cè)上形成所述電纜的壓緊部分； 其中，當(dāng)所述電纜平放時(shí)，所述第一導(dǎo)體組的第一絕緣導(dǎo)體最靠近所述第二導(dǎo)體組，并且所述第二導(dǎo)體組的第二絕緣導(dǎo)體最靠近所述第一導(dǎo)體組，并且所述第一絕緣導(dǎo)體和所述第二絕緣導(dǎo)體具有中心到中心間距S ;并且 其中所述第一絕緣導(dǎo)體具有外徑D1，并且所述第二絕緣導(dǎo)體具有外徑D2 ;并且 其中S/Dmin在I. 7至2的范圍內(nèi)，其中Dmin為Dl和D2中的較小者。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電纜，其中所述多個(gè)導(dǎo)體組中的每一對(duì)相鄰導(dǎo)體組具有對(duì)應(yīng)于在1. 7至2的范圍內(nèi)的S/Dmin的量。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電纜，其中所述多個(gè)導(dǎo)體組中的每一組僅具有一對(duì)絕緣導(dǎo)體，并且其中所述第一導(dǎo)體組的絕緣導(dǎo)體對(duì)的中心到中心間距為σ 1，并且所述第一導(dǎo)體組和所述第二導(dǎo)體組的中心到中心間距為Σ，并且其中Σ/σ I在2. 5至3的范圍內(nèi)。
4.一種屏蔽帶狀電纜，包括 多個(gè)導(dǎo)體組，所述多個(gè)導(dǎo)體組沿著所述電纜的長(zhǎng)度方向延伸，并沿著所述電纜的寬度彼此間隔開(kāi)，每一個(gè)導(dǎo)體組包括一個(gè)或多個(gè)絕緣導(dǎo)體，所述導(dǎo)體組包括與第二導(dǎo)體組相鄰的第一導(dǎo)體組，所述第一導(dǎo)體組和所述第二導(dǎo)體組各自?xún)H具有一對(duì)絕緣導(dǎo)體；和 第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜設(shè)置在所述電纜的相對(duì)側(cè)上，并且包括覆蓋部分和壓緊部分，所述覆蓋部分和所述壓緊部分被布置使得在橫截面中，所述第一膜和所述第二膜的所述覆蓋部分組合起來(lái)基本上圍繞每一個(gè)導(dǎo)體組，并且所述第一膜和所述第二膜的所述壓緊部分組合起來(lái)在每一個(gè)導(dǎo)體組的每一側(cè)上形成所述電纜的壓緊部分； 其中，當(dāng)所述電纜平放時(shí)，所述第一導(dǎo)體組的絕緣導(dǎo)體對(duì)的中心到中心間距為σ 1，并且所述第一導(dǎo)體組和所述第二導(dǎo)體組的中心到中心間距為Σ，并且其中1/01在2.5至3的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電纜，其中所述導(dǎo)體組中的每一個(gè)僅具有一對(duì)絕緣導(dǎo)體，其中所述導(dǎo)體組總體具有絕緣導(dǎo)體對(duì)的平均中心到中心間距σ avg，并且總體具有相鄰導(dǎo)體組的平均中心到中心間距Savg,并且其中Savg/σ avg在2. 5至3的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I或權(quán)利要求4所述的電纜，其中所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述覆蓋部分組合起來(lái)通過(guò)包圍每一個(gè)導(dǎo)體組的周邊的至少75%而基本上圍繞每一個(gè)導(dǎo)體組。
7.根據(jù)權(quán)利要求I或權(quán)利要求4所述的電纜，其中所述第一導(dǎo)體組具有在相鄰絕緣導(dǎo)體之間的高頻隔離，所述高頻隔離通過(guò)在3-15GHZ范圍內(nèi)的指定頻率下對(duì)于I米的電纜長(zhǎng)度的串?dāng)_Cl來(lái)表征，其中所述第一導(dǎo)體組和所述第二導(dǎo)體組之間的高頻隔離通過(guò)在所述指定頻率下的串?dāng)_C2來(lái)表征，并且其中C2比C I低至少I(mǎi)OdB。
8.根據(jù)權(quán)利要求I或權(quán)利要求4所述的電纜，還包括 第一排擾線，所述第一排擾線與所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜中的至少一個(gè)電接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電纜，其中所述第一排擾線以距最靠近的導(dǎo)體組的最靠近絕緣線的排擾線距離σ I來(lái)表征，并且其中所述最靠近的導(dǎo)體組以絕緣導(dǎo)體的中心到中心間距σ 2來(lái)表征，并且其中σ I/ σ 2為大于O. 7。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電纜，其中所述多個(gè)導(dǎo)體組包括至少八個(gè)導(dǎo)體組，并且每一個(gè)導(dǎo)體組僅具有一對(duì)絕緣導(dǎo)體，并且其中在所述電纜平放時(shí)所述電纜的寬度為不大于16mm。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種屏蔽帶狀電纜(2)，所述屏蔽帶狀電纜包括導(dǎo)體組(4)，每一個(gè)導(dǎo)體組包括一個(gè)或多個(gè)絕緣導(dǎo)體(6)，以及在所述電纜的相對(duì)側(cè)上的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜(8)。在橫截面中，所述屏蔽膜(8)的覆蓋部分(7)基本上圍繞每一個(gè)導(dǎo)體組(4)，并且所述膜(8)的壓緊部分(9)在每一個(gè)導(dǎo)體組(4)的每一側(cè)上形成所述電纜的壓緊部分。實(shí)現(xiàn)致密裝填，同時(shí)保持導(dǎo)體組(4)之間的高頻電絕緣。當(dāng)所述電纜(2)平放時(shí)，S/Dmin值在1.7至2的范圍內(nèi)，其中S是兩個(gè)相鄰導(dǎo)體組(4)的最靠近絕緣導(dǎo)體(6)之間的中心到中心間距，并且Dmin是此類(lèi)最靠近絕緣導(dǎo)體(6)的外部尺寸中的較小者?；蛘?，各自?xún)H具有一對(duì)絕緣導(dǎo)體的第一導(dǎo)體組和第二導(dǎo)體組可滿(mǎn)足Σ/σ1在2.5至3的范圍內(nèi)的條件。還公開(kāi)了可以利用或可以不利用所述致密裝填的其他屏蔽電纜、系統(tǒng)以及方法。
文檔編號(hào)H01B11/00GK102884591SQ201080066550
公開(kāi)日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2010年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月31日
發(fā)明者道格拉斯·B·貢德?tīng)? 羅基·D·愛(ài)德華茲, 馬克·M·萊坦, 查爾斯·F·斯特利 申請(qǐng)人:3M創(chuàng)新有限公司