專利名稱：半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
GaN, AIN, InN等氮化物半導(dǎo)體不僅帶隙寬，材料特性也優(yōu)秀，因而可以利用于高耐壓電子設(shè)備、短波長(zhǎng)發(fā)光設(shè)備等。特別是，有關(guān)作為高耐壓電子設(shè)備的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET,Field Effect Transistor),對(duì)高電子遷移率晶體管(HEMT,High Electron mobilityTransistor)進(jìn)行了研究，并且可以利用于高功率、高效率放大器或大功率開(kāi)關(guān)設(shè)備等。但是，在以往的橫向結(jié)構(gòu)(電流相對(duì)于襯底面大致平行地流動(dòng)的結(jié)構(gòu))的HEMT等中，若想確保充分的耐壓以利用于大功率、高耐壓開(kāi)關(guān)設(shè)備等，則需要加大電極之間的距離。在這種情況下，導(dǎo)致所形成的設(shè)備的芯片尺寸變大，能夠由一張晶片制造出的芯片數(shù)量變少，致使制造成本變高，成為高成本。因此，在大功率、高耐壓開(kāi)關(guān)設(shè)備中，可以使芯片尺寸變小的縱向結(jié)構(gòu)(電流相對(duì)于襯底面大致沿著垂直方向流動(dòng)的結(jié)構(gòu))的場(chǎng)效應(yīng)晶體管受人注目。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2002-359256號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2008-53448號(hào)公報(bào)非專利文獻(xiàn)非專利文獻(xiàn)1:Applied PhySics Express I (2008) 011105非專利文獻(xiàn)2:Applied PhySics Express I (2008) 02110
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問(wèn)題例如，縱向結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有在襯底的一側(cè)面形成源電極，而在襯底的另一側(cè)面形成漏電極的結(jié)構(gòu)。具體而言，將根據(jù)圖1對(duì)縱向結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行說(shuō)明。上述縱向結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，在由n+-SiC或n+-GaN等形成的襯底611上形成n-GaN層612、p-GaN層613、n-GaN層614,并在η-GaN層614的表面的一部分形成源電極621。并且，從 n-GaN 層 614 的表面起，刻蝕(etching)n-GaN 層 614、p_GaN 層 613、n_GaN 層612的一部分來(lái)形成開(kāi)口部，且形成有絕緣膜615，該絕緣膜615用于覆蓋n_GaN層614的表面及開(kāi)口部的內(nèi)部表面。并且，在開(kāi)口部，隔著絕緣膜615形成有柵電極622，在襯底611的背面，即與形成有半導(dǎo)體層的一面相反的一側(cè)的一面形成有漏電極623。在具有這種結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，若向源電極621與漏電極623之間施加電壓，則與柵電極622的電勢(shì)無(wú)關(guān)地產(chǎn)生通過(guò)P-GaN層613的漏電流。即，在除了成為利用虛線箭頭A來(lái)表示的電流路徑的區(qū)域之外的區(qū)域，產(chǎn)生在利用虛線箭頭B來(lái)表示的p-GaN層613流動(dòng)的漏電流。在產(chǎn)生這種漏電流的情況下，場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性將會(huì)下降。
為此，期望的是，在絕緣耐壓高、芯片尺寸小的半導(dǎo)體器件中，具有漏電流少的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制造方法。解決問(wèn)題的手段根據(jù)本實(shí)施方式的一個(gè)觀點(diǎn),其特征在于,具有:第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層，形成于具有導(dǎo)電性的半導(dǎo)體襯底的一側(cè)面上；第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層，形成于上述第一半導(dǎo)體層上；第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層，形成于上述第二半導(dǎo)體層上；開(kāi)口部，除去上述第三半導(dǎo)體層、上述第二半導(dǎo)體層及上述第一半導(dǎo)體層的一部分而形成；柵極絕緣膜，覆蓋上述開(kāi)口部的內(nèi)壁；柵電極，隔著上述柵極絕緣膜形成于上述開(kāi)口部?jī)?nèi)；源電極，形成于上述第三半導(dǎo)體層的表面；漏電極，與上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面對(duì)應(yīng)于上述柵電極的部分相連接；第四電極，形成于上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面上的與上述源電極相對(duì)應(yīng)的部分。并且,根據(jù)本實(shí)施方式的再一觀點(diǎn),其特征在于,具有:第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層，形成于具有導(dǎo)電性的半導(dǎo)體襯底的一側(cè)面上；第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層，形成于上述第一半導(dǎo)體層上；第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層，形成于上述第二半導(dǎo)體層上；開(kāi)口部，除去上述第三半導(dǎo)體層、上述第二半導(dǎo)體層及上述第一半導(dǎo)體層的一部分而形成；柵極絕緣膜，覆蓋上述開(kāi)口部的內(nèi)壁；柵電極，隔著上述柵極絕緣膜形成于上述開(kāi)口部?jī)?nèi)；源電極，形成于上述第三半導(dǎo)體層的表面；背面除去區(qū)域，從上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面起除去與上述源電極相對(duì)應(yīng)的部分的上述半導(dǎo)體襯底及上述第一半導(dǎo)體層的一部分來(lái)形成該背面除去區(qū)域；第四電極，形成于暴露有上述第一半導(dǎo)體層的上述背面除去區(qū)域；漏電極，與上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面的對(duì)應(yīng)于上述柵電極的部分相連接。并且,根據(jù)本實(shí)施方式的另一觀點(diǎn),其特征在于,具有:第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層，形成于具有導(dǎo)電性的半導(dǎo)體襯底的一側(cè)面上；第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層，形成于上述第一半導(dǎo)體層上；第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層，形成于上述第二半導(dǎo)體層上；開(kāi)口部，除去上述第三半導(dǎo)體層、上述第二半導(dǎo)體層及上述第一半導(dǎo)體層的一部分而形成；柵極絕緣膜，覆蓋上述開(kāi)口部的內(nèi)壁；柵電極，隔著上述柵極絕緣膜形成于上述開(kāi)口部?jī)?nèi)；源電極，形成于上述第三半導(dǎo)體層的表面；漏電極，與上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面的對(duì)應(yīng)于上述柵電極的部分相連接，而不與上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面的對(duì)應(yīng)于上述源電極的部分相連接。并且，根據(jù)本實(shí)施方式的又一觀點(diǎn)，其特征在于，具有:第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層，形成于具有導(dǎo)電性的半導(dǎo)體襯底的一側(cè)面上；第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層，形成于上述第一半導(dǎo)體層上；第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層，形成于上述第二半導(dǎo)體層上；開(kāi)口部，除去上述第三半導(dǎo)體層、上述第二半導(dǎo)體層及上述第一半導(dǎo)體層的一部分而形成；柵極絕緣膜，覆蓋上述開(kāi)口部的內(nèi)壁；柵電極，隔著上述柵極絕緣膜形成于上述開(kāi)口部?jī)?nèi)；源電極，形成于上述第三半導(dǎo)體層的表面；背面除去區(qū)域，從上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面起除去與上述源電極相對(duì)應(yīng)的部分的上述半導(dǎo)體襯底及上述第一半導(dǎo)體層的一部分來(lái)形成該背面除去區(qū)域；漏電極，與上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面的對(duì)應(yīng)于上述柵電極的部分相連接。并且，根據(jù)本實(shí)施方式的還一觀點(diǎn)，其特征在于，包括:在具有導(dǎo)電性的半導(dǎo)體襯底的一側(cè)面上層疊形成第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層、第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層的工序；除去上述第二半導(dǎo)體層、上述第三半導(dǎo)體層及上述第一半導(dǎo)體層的一部分來(lái)形成開(kāi)口部的工序；在上述開(kāi)口部?jī)?nèi)形成柵極絕緣膜的工序；隔著上述柵極絕緣膜在上述開(kāi)口部?jī)?nèi)形成柵電極的工序；在上述第三半導(dǎo)體層上形成源電極的工序；在上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面形成漏電極的工序，其中，所述漏電極與上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面的對(duì)應(yīng)于上述柵電極的部分相連接，而不與上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面的對(duì)應(yīng)于上述源電極的部分相連接。并且，根據(jù)本實(shí)施方式的其他一個(gè)觀點(diǎn)，其特征在于，包括:在具有導(dǎo)電性的半導(dǎo)體襯底的一側(cè)面上層疊形成第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層、第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層的工序；除去上述第二半導(dǎo)體層、上述第三半導(dǎo)體層及上述第一半導(dǎo)體層的一部分來(lái)形成開(kāi)口部的工序；在上述開(kāi)口部?jī)?nèi)形成柵極絕緣膜的工序；隔著上述柵極絕緣膜在上述開(kāi)口部?jī)?nèi)形成柵電極的工序；在上述第三半導(dǎo)體層上形成源電極的工序；從上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面起除去與上述源電極對(duì)應(yīng)的部分的上述半導(dǎo)體襯底及上述第一半導(dǎo)體層的一部分來(lái)形成背面除去區(qū)域的工序；在上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面形成漏電極的工序，其中，所述漏電極與上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面的對(duì)應(yīng)于上述柵電極的部分相連接。發(fā)明的效果根據(jù)公開(kāi)的半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制造方法，在絕緣耐壓高、芯片尺寸小的半導(dǎo)體器件中能夠減少漏電流。


圖1是縱向結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)圖。圖2是第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)圖。圖3是第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序圖(I)。圖4是第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序圖(2)。圖5是第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序圖(3)。圖6是第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序圖(I)。圖7是第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序圖(2)。圖8是第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序圖(3)。圖9是第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序圖(I)。圖10是第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序圖(2)。圖11是第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序圖(3)。圖12是第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序圖(I)。圖13是第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序圖(2)。圖14是第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序圖(3)。圖15是第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序圖(I)。圖16是第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序圖(2)。圖17是第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序圖(3)。
具體實(shí)施例方式下面，將對(duì)具體實(shí)施方式
進(jìn)行說(shuō)明。此外，對(duì)相同的部件標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記并省略說(shuō)明。第一實(shí)施方式
半導(dǎo)體器件接著，對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件進(jìn)行說(shuō)明。如圖2所示，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件為縱向結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。具體而言，在由n+-SiC或n+-GaN等形成的襯底11上形成有n-GaN層12、p-GaN層13、n_GaN層14，在η-GaN層14的表面的一部分形成有源電極21。并且，從n-GaN層14的表面起，刻蝕ρ-GaN層13及n_GaN層12的一部分，來(lái)形成開(kāi)口部，且形成有柵極絕緣膜15，該柵極絕緣膜15用覆蓋n-GaN層14的表面及開(kāi)口部的內(nèi)部表面。在開(kāi)口部隔著柵極絕緣膜15形成有柵電極22。并且，在襯底11的背面，即與形成有半導(dǎo)體層的一面相反的一側(cè)的一面，在與形成有柵電極22的區(qū)域及其周圍相對(duì)應(yīng)的部分形成有漏電極23。并且，在除了形成有漏電極23的區(qū)域之外的區(qū)域中，在與形成有源電極21的區(qū)域及其周圍相對(duì)應(yīng)的部分隔著成為背面絕緣膜的絕緣膜32形成有第四電極31。漏電極23與第四電極31之間通過(guò)絕緣膜32維持絕緣性。在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件中，在第四電極31施加有與向源電極21或柵電極22施加的電勢(shì)大致相同的電勢(shì)。由此，在向柵電極22施加處于接通(ON)狀態(tài)的電勢(shì)的情況下，如虛線箭頭C所示，電流在隔著柵極絕緣膜15的柵電極22附近的ρ-GaN層13流動(dòng)。但電流幾乎不會(huì)在更靠外側(cè)的區(qū)域的P-GaN層13流動(dòng)。在這里，向第四電極31施加與源電極21的電勢(shì)相同的電勢(shì)，并向柵電極22施加處于接通狀態(tài)的電勢(shì)的情況下，電流在隔著柵極絕緣膜15的柵電極22附近的p-GaN層13從源電極21向漏電極23流動(dòng)。但是，由于第四電極31與源電極21的電勢(shì)相同，且形成有絕緣膜32，因而電流不從源電極21向第四電極31流動(dòng)。因此，向柵電極22施加使得在源電極21與漏電極23之間流動(dòng)的電流斷開(kāi)(OFF)的電勢(shì)的情況下，在源電極21與漏電極23之間幾乎沒(méi)有電流的流動(dòng)。即，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件中，如處于接通狀態(tài)的虛線箭頭C所示，電流在柵電極22附近的隔著柵極絕緣膜15的ρ-GaN層13的區(qū)域流動(dòng)，但在除此之外的區(qū)域沒(méi)有電流流動(dòng)。因此，能夠大幅減少處于斷開(kāi)狀態(tài)的漏電流，并提高器件特性。 并且，在向第四電極31施加的電勢(shì)與向柵電極22施加的電勢(shì)大致相同的情況下，同樣，如虛線箭頭C所示，電流只能在柵電極22附近的p-GaN層13流動(dòng)。因此，能夠減少漏電流。此外，若使得向第四電極31施加的電勢(shì)小于向漏電極23施加的電勢(shì)且大于向源電極21或柵電極22施加的電勢(shì)，能夠得到相同的效果。半導(dǎo)體器件的制造方法接著，將根據(jù)圖3至圖5，對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，如圖3 的(a)部分所不，通過(guò)M0VPE(Metal_0rganic Vapor Phase Epitaxy,金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積)法在由n+-SiC形成的襯底11上形成未圖示的緩沖層，進(jìn)而在該緩沖層上層置形成n_GaN層12、P-GaN層13、n—GaN層14。n-GaN層12以Ιμπι 10 μπι的厚度形成，作為雜質(zhì)兀素?fù)诫s有IX IO17Cm-3 I X 102°cnT3的Si。p-GaN層13以IOnm Iym的厚度形成，作為雜質(zhì)元素?fù)诫s有大約I X IO19CnT3的mg。n-GaN層14以IOnm Iym的厚度形成，作為雜質(zhì)元素?fù)诫s有
IX IO17CnT3 I X IO20CnT3 的 Si。接著，如圖3的(b)部分所示，在要形成后面要說(shuō)明的柵電極22的區(qū)域形成開(kāi)口部41。具體而言,在n-GaN層14上涂敷光刻膠(photoresist),并借助曝光裝置進(jìn)行曝光和顯影，來(lái)在要形成開(kāi)口部41的區(qū)域形成具有開(kāi)口的抗蝕劑圖案(resist pattern)。然后,利用含氯氣體進(jìn)行RIE (Reactive 1n Etching,反應(yīng)離子刻蝕)等干法刻蝕,從而除去n_GaN層14、P-GaN層13、n—GaN層12的一部分，由此形成開(kāi)口部41。接著，如圖3的(C)部分所示，在開(kāi)口部41的內(nèi)部及n-GaN層14的表面形成柵極絕緣膜15，并且在隔著柵極絕緣膜15的開(kāi)口部41的內(nèi)部形成柵電極22。具體而言，通過(guò)等離子體CVD (Chemical Vapor Deposition,化學(xué)氣相沉積),在開(kāi)口部41的內(nèi)部及n_GaN層14的表面以Inm I μ m的厚度形成由SiN形成的柵極絕緣膜15。接著，在柵極絕緣膜15的表面涂敷光刻膠，并借助曝光裝置進(jìn)行曝光和顯影，來(lái)在要形成柵電極22的區(qū)域形成具有開(kāi)口的抗蝕劑圖案。然后，通過(guò)真空蒸鍍，來(lái)形成由Ni等形成的金屬膜，并使該金屬膜浸潰在有機(jī)溶劑等，通過(guò)剝離在抗蝕劑圖案上形成的金屬膜，來(lái)與抗蝕劑圖案一起除去。由此，可以在開(kāi)口部41隔著柵極絕緣膜15形成柵電極22。接著，如圖4的(a)部分所示，形成源電極21。具體而言，在柵極絕緣膜15的表面涂敷光刻膠，并借助曝光裝置進(jìn)行曝光和顯影，來(lái)在要形成源電極21的區(qū)域形成具有開(kāi)口的抗蝕劑圖案。然后，利用含氟氣體進(jìn)行RIE等干法刻蝕，從而除去柵極絕緣膜15，并使n-GaN層14的表面暴露。進(jìn)而，通過(guò)真空蒸鍍，來(lái)形成由Ti/Au等形成的金屬膜，并使該金屬膜浸潰在有機(jī)溶劑等，通過(guò)剝離在抗蝕劑圖案上形成的金屬膜，來(lái)與抗蝕劑圖案一起除去。由此，可以在n-GaN層14上形成源電極21，且在氮?dú)鈿夥障逻M(jìn)行熱處理，來(lái)進(jìn)行歐姆接角蟲(chóng)(ohmic contact)。接著，如圖4的(b)部分所示，在襯底11的背面的與形成有柵電極22的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分形成漏電極23。具體而言，在襯底11的背面涂敷光刻膠，并借助曝光裝置進(jìn)行曝光和顯影，來(lái)在要形成漏電極23的部分形成具有開(kāi)口的抗蝕劑圖案。然后，通過(guò)真空蒸鍍，來(lái)形成包含Au等的金屬層疊膜，使該金屬層疊膜浸潰在有機(jī)溶劑等，通過(guò)剝離在抗蝕劑圖案上形成的金屬層疊膜，來(lái)與抗蝕劑圖案一起除去。由此，在襯底11的背面的與形成有柵電極22的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分形成漏電極23。此時(shí)，襯底11的背面的與形成有源電極21的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分則不形成漏電極23。接著，如圖4的(C)部分所示，在襯底11的背面及漏電極23上形成絕緣膜32。具體而言，通過(guò)等離子體CVD，來(lái)在襯底11的背面及漏電極23上以IOnm 10 μ m的厚度形成由SiN形成的絕緣膜32。接著，如圖5的(a)部分所示，在絕緣膜32上未形成有漏電極23的區(qū)域形成第四電極31。具體而言，在絕緣膜32的表面涂敷光刻膠，并借助曝光裝置進(jìn)行曝光和顯影，來(lái)在要形成第四電極31的區(qū)域形成具有開(kāi)口的抗蝕劑圖案。然后，通過(guò)真空蒸鍍，來(lái)形成由Au等形成的金屬層疊膜，使該金屬層疊膜浸潰在有機(jī)溶劑等，通過(guò)剝離在抗蝕劑圖案上形成的金屬層疊膜，來(lái)與抗蝕劑圖案一起除去。由此，在絕緣膜32上未形成有漏電極23的區(qū)域，即與形成有源電極21的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分形成第四電極31。接著，如圖5的(b)部分所示，在包括第四電極31的區(qū)域上形成絕緣膜42，進(jìn)而，通過(guò)除去形成有漏電極23的區(qū)域的絕緣膜32及絕緣膜42的一部分，來(lái)形成開(kāi)口部43。具體而言，通過(guò)等離子體CVD，來(lái)在包括第四電極31的區(qū)域上形成由SiN形成的絕緣膜42。然后，在絕緣膜42上涂敷光刻膠，并借助曝光裝置進(jìn)行曝光和顯影，來(lái)在要形成開(kāi)口部43的區(qū)域形成具有開(kāi)口的抗蝕劑圖案。進(jìn)而，利用含氟氣體進(jìn)行RIE等干法刻蝕，來(lái)除去絕緣膜32及絕緣膜42的一部分，并使漏電極23的表面暴露。由此，可以制造本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件是通過(guò)設(shè)在襯底11的未圖示的通孔(via hole)來(lái)使源電極21與第四電極31電連接的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。但是，作為本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的另一結(jié)構(gòu)，也可以通過(guò)設(shè)在襯底11的未圖示的通孔來(lái)使柵電極22與第四電極31電連接。第二實(shí)施方式接著，將根據(jù)圖6至圖8，對(duì)第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，如圖6的(a)部分所示，通過(guò)MOVPE法在由n+_SiC形成的襯底11上形成未圖示的緩沖層，并在該緩沖層上層疊形成n-GaN層12、p_GaN層13、n_GaN層14。接著，如圖6的(b)部分所示，在要形成后面要說(shuō)明的柵電極22的區(qū)域形成開(kāi)口部41。接著，如圖6的(C)部分所示，在開(kāi)口部41的內(nèi)部及n-GaN層14的表面形成柵極絕緣膜15，并在隔著柵極絕緣膜15的開(kāi)口部41的內(nèi)部形成柵電極22。接著，如圖7的(a)部分所示，形成源電極21。接著，如圖7的(b)部分所示，在襯底11的背面形成成為背面絕緣膜的絕緣膜132。具體而言，通過(guò)等離子體CVD，來(lái)在襯底11的背面以IOnm IOym的厚度形成由SiN形成的絕緣膜132。接著，如圖7的(C)部分所示，在絕緣膜132上除了與形成有柵電極22的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分之外的區(qū)域形成第四電極133。具體而言，在絕緣膜132上涂敷光刻膠，并借助曝光裝置進(jìn)行曝光和顯影，來(lái)在要形成第四電極133的部分形成具有開(kāi)口的抗蝕劑圖案。然后，通過(guò)真空蒸鍍，來(lái)形成包含Au等的金屬層疊膜，并使該金屬層疊膜浸潰在有機(jī)溶劑等，通過(guò)剝離在抗蝕劑圖案上形成的金屬層疊膜，來(lái)與抗蝕劑圖案一起除去。由此，在絕緣膜132上除了與形成有柵電極22的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分之外的區(qū)域的與形成有源電極21的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分形成第四電極133。圖8的(a)部分所示，在第四電極133及絕緣膜132上形成絕緣膜142，進(jìn)而，除去與形成有柵電極22的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分的絕緣膜132及絕緣膜142來(lái)形成開(kāi)口部143。具體而言，通過(guò)等離子體CVD，來(lái)在第四電極133及絕緣膜132上形成由SiN形成的絕緣膜142。然后，在絕緣膜142上涂敷光刻膠，并借助曝光裝置進(jìn)行曝光和顯影，來(lái)在要形成開(kāi)口部143的區(qū)域形成具有開(kāi)口的抗蝕劑圖案。進(jìn)而，利用含氟氣體進(jìn)行RIE等干法刻蝕，來(lái)除去未形成有抗蝕劑圖案的區(qū)域的絕緣膜132、142，并使襯底11的背面的一部分暴露，由此形成開(kāi)口部143。接著，如圖8的(b)部分所示，在絕緣膜142上及暴露出的襯底11的背面形成包含Au等的金屬層疊膜，形成漏電極144。上述漏電極144在開(kāi)口部143與背面暴露的襯底11相連接。由此，可以制造本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件是通過(guò)設(shè)在襯底11的未圖示的通孔來(lái)使源電極21與第四電極133電連接的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。但是，作為本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件，也可以采用通過(guò)設(shè)在襯底11的未圖示的通孔來(lái)使柵電極22與第四電極133電連接的結(jié)構(gòu)。
此外，除了上述內(nèi)容之外的內(nèi)容，均與第一實(shí)施方式相同。第三實(shí)施方式接著，將根據(jù)圖9至圖11，對(duì)第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，如圖9的(a)部分所示，通過(guò)MOVPE法，來(lái)在由n—SiC形成的襯底11上形成未圖示的緩沖層，并在該緩沖層上層疊形成n-GaN層12、p_GaN層13、n_GaN層14。接著，如圖9的(b)部分所示，在要形成后面要說(shuō)明的柵電極22的區(qū)域形成開(kāi)口部41。接著，圖9的(C)部分所示，在開(kāi)口部41的內(nèi)部及n-GaN層14的表面形成柵極絕緣膜15，并在隔著柵極絕緣膜15的開(kāi)口部41的內(nèi)部形成柵電極22。接著，如圖10的(a)部分所示，形成源電極21。接著，如圖10的(b)部分所示，在襯底11的背面，通過(guò)干法刻蝕或離子銑削等，來(lái)除去除了與形成有柵電極22的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分之外的區(qū)域的一部分，并使n-GaN層12暴露，由此形成背面除去區(qū)域230。具體而言，在襯底11的背面涂敷光刻膠，并借助曝光裝置進(jìn)行曝光和顯影，來(lái)在要除去襯底11的背面的區(qū)域形成具有開(kāi)口的抗蝕劑圖案。然后，通過(guò)干法刻蝕等，來(lái)除去未形成有抗蝕劑圖案的區(qū)域的襯底11及n-GaN層12的一部分，使n-GaN層12暴露，由此形成背面除去區(qū)域230。所要形成的背面除去區(qū)域230形成在襯底11的背面一側(cè)的與形成有源電極21的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分。接著，如圖10的(C)部分所示，在襯底11的背面及暴露有n-GaN層12的背面除去區(qū)域230形成成為背面絕緣膜的絕緣膜232。具體而言，通過(guò)等離子體CVD，來(lái)以IOnm IOym的厚度形成由SiN形成的絕緣膜132。接著，如圖11的(a)部分所示，在形成于背面除去區(qū)域230的絕緣膜232上形成第四電極233。具體而言，在絕緣膜232上涂敷光刻膠，并借助曝光裝置進(jìn)行曝光和顯影，來(lái)在要形成第四電極233的部分形成具有開(kāi)口的抗蝕劑圖案。然后，通過(guò)真空蒸鍍，來(lái)形成包含Au等的金屬層疊膜，并使金屬層疊膜浸潰在有機(jī)溶劑等，通過(guò)剝離在抗蝕劑圖案上形成的金屬層疊膜，來(lái)與抗蝕劑圖案一起除去。由此，在形成于背面除去區(qū)域230的絕緣膜232上形成第四電極233。如此形成的第四電極233形成于與形成有源電極21的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分。接著，如圖11的(b)部分所示，在第四電極233及絕緣膜232上形成絕緣膜242，進(jìn)而，除去與形成有柵電極22的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分的絕緣膜232及絕緣膜242來(lái)形成開(kāi)口部243。具體而言，通過(guò)等離子體CVD，來(lái)在第四電極233及絕緣膜232上形成由SiN形成的絕緣膜242。然后，在絕緣膜242上涂敷光刻膠，并借助曝光裝置進(jìn)行曝光和顯影，來(lái)在要形成開(kāi)口部243的區(qū)域形成具有開(kāi)口的抗蝕劑圖案。進(jìn)而，利用含氟氣進(jìn)行RIE等干法刻蝕，來(lái)除去未形成有抗蝕劑圖案的區(qū)域的絕緣膜232及絕緣膜242，并使襯底11的背面的一部分暴露，來(lái)形成開(kāi)口部243。接著，如圖11的(C)部分所示，形成與暴露有襯底11的背面的開(kāi)口部243相連接的漏電極244。具體而言，在絕緣膜242的表面涂敷光刻膠，并借助曝光裝置進(jìn)行曝光和顯影，來(lái)在要形成漏電極244的區(qū)域形成具有開(kāi)口的抗蝕劑圖案。然后，通過(guò)真空蒸鍍，來(lái)形成由Au等形成的金屬層疊膜，并使該金屬層疊膜浸潰在有機(jī)溶劑等，通過(guò)剝離在抗蝕劑圖案上形成的金屬層疊膜，來(lái)與抗蝕劑圖案一起除去。由此，可以形成與暴露有襯底11的背面的開(kāi)口部243相連接的漏電極244。由此，可以制造本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件是通過(guò)設(shè)在襯底11的未圖示的通孔來(lái)使源電極21與第四電極233電鏈接的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。但是，作為本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的另一結(jié)構(gòu)，也可以采用通過(guò)設(shè)在襯底11的未圖示的通孔來(lái)使柵電極22與第四電極233電鏈接的結(jié)構(gòu)。此外，除了上述內(nèi)容之外的內(nèi)容，均與第一實(shí)施方式相同。第四實(shí)施方式接著，將根據(jù)圖12至圖14，對(duì)第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，如圖12的(a)部分所示，通過(guò)MOVPE法，來(lái)在由n+-SiC形成的襯底11上形成未圖示的緩沖層，并在該緩沖層上層疊形成n-GaN層12、p_GaN層13、n_GaN層14。接著，如圖12的(b)部分所示，在要形成后面要說(shuō)明的柵電極22的區(qū)域形成開(kāi)口部41。接著，如圖12的(C)部分所示，在開(kāi)口部41的內(nèi)部及n-GaN層14的表面形成柵極絕緣膜15，并在隔著柵極絕緣膜15的開(kāi)口部41的內(nèi)部形成柵電極22。接著，如圖13的(a)部分所示，形成源電極21。具體而言，在柵極絕緣膜15的表面涂敷光刻膠，并借助曝光裝置進(jìn)行曝光和顯影，來(lái)在要形成源電極21的區(qū)域形成具有開(kāi)口的抗蝕劑圖案。接著，如圖13的(b)部分所示，在襯底11的背面的與形成有柵電極22的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分形成漏電極23。此外，襯底11的背面的與形成有源電極21的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分則不形成漏電極23。接著，如圖13的(C)部分所示，在襯底11的背面及漏電極23上形成絕緣膜32。具體而言，通過(guò)等離子體CVD，來(lái)在襯底11的背面及漏電極23上以IOnm 10 μ m的厚度形成由SiN形成的絕緣膜32。接著，如圖14所示，除去形成有漏電極23的區(qū)域的絕緣膜32的一部分，來(lái)形成開(kāi)口部343。具體而言，在絕緣膜32上涂敷光刻膠，并借助曝光裝置進(jìn)行曝光和顯影，來(lái)在要形成開(kāi)口部343的區(qū)域形成具有開(kāi)口的抗蝕劑圖案。然后，利用含氟氣體進(jìn)行RIE等干法刻蝕，來(lái)除去未形成有抗蝕劑圖案的區(qū)域的絕緣膜32，并使漏電極23的表面的一部分暴露。由此，可以制造出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件。在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件中，漏電極23形成于襯底11的背面的與形成有柵電極22的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分，而不形成于與形成有源電極21的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分。因此，無(wú)需設(shè)置第四電極，也能夠減少向源電極與漏電極之間流動(dòng)的漏電流。此外，除了上述內(nèi)容之外的內(nèi)容，均與第一實(shí)施方式相同。第五實(shí)施方式接著，將根據(jù)圖15至圖17，對(duì)第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，如圖15的(a)部分所示，通過(guò)MOVPE法，在由n+-SiC形成的襯底11上形成未圖示的緩沖層，并在該緩沖層上層疊形成n-GaN層12、p_GaN層13、n_GaN層14。接著，如圖15的(b)部分所示，在要形成后面要說(shuō)明的柵電極22的區(qū)域形成開(kāi)口部41。接著，如圖15的(C)部分所示，在開(kāi)口部41的內(nèi)部及n-GaN層14的表面形成柵極絕緣膜15，并且隔著柵極絕緣膜15在開(kāi)口部41的內(nèi)部形成柵電極22。接著，如圖16的(a)部分所示，形成源電極21。接著，如圖16的(b)部分所示，通過(guò)干法刻蝕或離子銑削等，除去襯底11的背面的除了與形成有柵電極22的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分之外的區(qū)域的一部分，并使n-GaN層12暴露，由此形成背面除去區(qū)域230。具體而言，在襯底11的背面涂敷光刻膠，并借助曝光裝置進(jìn)行曝光和顯影，來(lái)在除去襯底11的背面的區(qū)域形成具有開(kāi)口的抗蝕劑圖案。然后，通過(guò)進(jìn)行干法刻蝕等，來(lái)除去未形成有抗蝕劑圖案的區(qū)域的襯底11及n-GaN層12的一部分，并形成背面除去區(qū)域230。所形成的背面除去區(qū)域230形成于與形成有源電極21的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分。接著，如圖16的(C)部分所示，在襯底11的背面及暴露有n-GaN層12的背面除去區(qū)域230形成絕緣膜232。具體而言，通過(guò)等離子體CVD，來(lái)以IOnm 10 μ m的厚度形成由SiN形成的絕緣膜132。接著，如圖17的(a)部分所示，除去與形成有柵電極22的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分的絕緣膜232，來(lái)形成開(kāi)口部443。具體而言，在絕緣膜232上涂敷光刻膠涂，并借助曝光裝置進(jìn)行曝光和顯影，來(lái)在要形成開(kāi)口部443的區(qū)域形成具有開(kāi)口的抗蝕劑圖案。進(jìn)而，利用含氟氣體進(jìn)行RIE等干法刻蝕，來(lái)除去未形成有抗蝕劑圖案的區(qū)域的絕緣膜432，并使襯底11的背面暴露，由此形成開(kāi)口部443。接著，如圖17的(b)部分所示，形成與暴露有襯底11的背面的開(kāi)口部443相連接的漏電極444。具體而言，在絕緣膜232的表面涂敷光刻膠，并借助曝光裝置進(jìn)行曝光和顯影，來(lái)在要形成漏電極444的區(qū)域形成具有開(kāi)口的抗蝕劑圖案。然后，通過(guò)真空蒸鍍，來(lái)形成由Au等形成的金屬層疊膜，并使金屬層疊膜浸潰在有機(jī)溶劑等，通過(guò)剝離在抗蝕劑圖案上形成的金屬層疊膜，來(lái)與抗蝕劑圖案一起除去。由此，可以形成漏電極444。漏電極444在暴露有襯底11的背面的開(kāi)口部443與襯底11的背面相連接。由此，可以制造出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件。在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件中，漏電極23形成于襯底11的背面的與形成有柵電極22的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分，而襯底11的背面的與形成有源電極21的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分則未形成漏電極23。因此，無(wú)需設(shè)置第四電極，也能夠減少向源電極與漏電極之間流動(dòng)的漏電流。此外，除了上述內(nèi)容之外的內(nèi)容，均與第三實(shí)施方式相同。以上，對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，但并不局限于特定的實(shí)施方式，在專利權(quán)利要求書(shū)的范圍所記載的范圍內(nèi)，可進(jìn)行多種變形及變更。附圖標(biāo)記說(shuō)明11:襯底12:n_GaN 層13:p_GaN 層14:n_GaN 層15:柵極絕緣膜21:源電極22:柵電極23:漏電極
31:第四電極32:絕緣膜(背面絕緣膜)42:絕緣膜43:開(kāi)口部
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具有: 第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層，形成于具有導(dǎo)電性的半導(dǎo)體襯底的一側(cè)面上； 第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層，形成于上述第一半導(dǎo)體層上； 第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層，形成于上述第二半導(dǎo)體層上； 開(kāi)口部，除去上述第三半導(dǎo)體層、上述第二半導(dǎo)體層及上述第一半導(dǎo)體層的一部分而形成； 柵極絕緣膜，覆蓋上述開(kāi)口部的內(nèi)壁； 柵電極，隔著上述柵極絕緣膜形成于上述開(kāi)口部?jī)?nèi)； 源電極，形成于上述第三半導(dǎo)體層的表面； 漏電極，與上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面的對(duì)應(yīng)于上述柵電極的部分相連接； 第四電極，形成于上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面上的與上述源電極相對(duì)應(yīng)的部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述第四電極形成于在上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面上形成的背面絕緣膜上。
3.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具有: 第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層，形成于具有導(dǎo)電性的半導(dǎo)體襯底的一側(cè)面上； 第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層，形成于上述第一半導(dǎo)體層上； 第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層，形成于上述第二半導(dǎo)體層上；` 開(kāi)口部，除去上述第三半導(dǎo)體層、上述第二半導(dǎo)體層及上述第一半導(dǎo)體層的一部分而形成； 柵極絕緣膜，覆蓋上述開(kāi)口部的內(nèi)壁； 柵電極，隔著上述柵極絕緣膜形成于上述開(kāi)口部?jī)?nèi)； 源電極，形成于上述第三半導(dǎo)體層的表面； 背面除去區(qū)域，從上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面起除去與上述源電極相對(duì)應(yīng)的部分的上述半導(dǎo)體襯底及上述第一半導(dǎo)體層的一部分來(lái)形成該背面除去區(qū)域； 第四電極，形成于暴露有上述第一半導(dǎo)體層的上述背面除去區(qū)域； 漏電極，與上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面的對(duì)應(yīng)于上述柵電極的部分相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述第四電極形成于暴露有上述第一半導(dǎo)體層的背面絕緣膜上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，向上述第四電極施加的電勢(shì)為向上述漏電極施加的電勢(shì)與向上述源電極施加的電勢(shì)之間的電勢(shì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，向上述第四電極施加的電勢(shì)為向上述源電極施加的電勢(shì)或向上述柵電極施加的電勢(shì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在上述漏電極與上述第四電極之間形成有絕緣膜。
8.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具有: 第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層，形成于具有導(dǎo)電性的半導(dǎo)體襯底的一側(cè)面上； 第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層，形成于上述第一半導(dǎo)體層上； 第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層，形成于上述第二半導(dǎo)體層上； 開(kāi)口部，除去上述第三半導(dǎo)體層、上述第二半導(dǎo)體層及上述第一半導(dǎo)體層的一部分而形成； 柵極絕緣膜，覆蓋上述開(kāi)口部的內(nèi)壁； 柵電極，隔著上述柵極絕緣膜形成于上述開(kāi)口部?jī)?nèi)； 源電極，形成于上述第三半導(dǎo)體層的表面； 漏電極，與上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面的對(duì)應(yīng)于上述柵電極的部分相連接，而不與上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面的對(duì)應(yīng)于上述源電極的部分相連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面的與上述源電極相對(duì)應(yīng)的部分形成有背面絕緣膜。
10.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具有: 第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層，形成于具有導(dǎo)電性的半導(dǎo)體襯底的一側(cè)面上； 第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層，形成于上述第一半導(dǎo)體層上； 第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層，形成于上述第二半導(dǎo)體層上； 開(kāi)口部，除去上述第三半導(dǎo)體層、上述第二半導(dǎo)體層及上述第一半導(dǎo)體層的一部分而形成； 柵極絕緣膜，覆蓋上述開(kāi)口部的內(nèi)壁； 柵電極，隔著上述柵極絕緣膜形成于上述開(kāi)口部?jī)?nèi)； 源電極，形成于上述第三半導(dǎo)體層的表面； 背面除去區(qū)域，從上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面起除去與上述源電極相對(duì)應(yīng)的部分的上述半導(dǎo)體襯底及上述第一半導(dǎo)體層的一部分來(lái)形成該背面除去區(qū)域； 漏電極，與上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面的對(duì)應(yīng)于上述柵電極的部分相連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在暴露有上述第一半導(dǎo)體層的上述背面除去區(qū)域形成有背面絕緣膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述第一半導(dǎo)體層、上述第二半導(dǎo)體層及上述第三半導(dǎo)體層由包含GaN的材料形成。
13.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括: 在具有導(dǎo)電性的半導(dǎo)體襯底的一側(cè)面上層疊形成第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層、第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層的工序； 除去上述第二半導(dǎo)體層、上述第三半導(dǎo)體層及上述第一半導(dǎo)體層的一部分來(lái)形成開(kāi)口部的工序； 在上述開(kāi)口部?jī)?nèi)形成柵極絕緣膜的工序； 隔著上述柵極絕緣膜在上述開(kāi)口部?jī)?nèi)形成柵電極的工序； 在上述第三半導(dǎo)體層上形成源電極的工序； 在上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面形成漏電極的工序，其中，所述漏電極與上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面的對(duì)應(yīng)于上述柵電極的部分相連接； 在上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面的與上述源電極相對(duì)應(yīng)的部分形成第四電極的工序。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 在形成上述第四電極的工序之前，包括在上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面形成背面絕緣膜的工序， 上述第四電極形成于上述背面絕緣膜上。
15.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括: 在具有導(dǎo)電性的半導(dǎo)體襯底的一側(cè)面上層疊形成第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層、第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層的工序； 除去上述第二半導(dǎo)體層、上述第三半導(dǎo)體層及上述第一半導(dǎo)體層的一部分來(lái)形成開(kāi)口部的工序； 在上述開(kāi)口部?jī)?nèi)形成柵極絕緣膜的工序； 隔著上述柵極絕緣膜在上述開(kāi)口部?jī)?nèi)形成柵電極的工序； 在上述第三半導(dǎo)體層上形成源電極的工序； 從上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面起除去與上述源電極相對(duì)應(yīng)的部分的上述半導(dǎo)體襯底及上述第一半導(dǎo)體層的一部分來(lái)形成背面除去區(qū)域的工序； 在上述背面除去區(qū)域形成第四電極的工序； 在上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面形成漏電極的工序，其中，所述漏電極與上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面的對(duì)應(yīng)于上述柵電極的部分相連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 在形成上述背面除去區(qū)域的工序之后且在上述形成上述第四電極的工序之前，包括在暴露有上述第一半導(dǎo)體層的上述背面除去區(qū)域形成背面絕緣膜的工序； 上述第四電極形成于上述背面絕緣膜上。
17.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括:` 在具有導(dǎo)電性的半導(dǎo)體襯底的一側(cè)面上層疊形成第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層、第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層的工序； 除去上述第二半導(dǎo)體層、上述第三半導(dǎo)體層及上述第一半導(dǎo)體層的一部分來(lái)形成開(kāi)口部的工序； 在上述開(kāi)口部?jī)?nèi)形成柵極絕緣膜的工序； 隔著上述柵極絕緣膜在上述開(kāi)口部?jī)?nèi)形成柵電極的工序； 在上述第三半導(dǎo)體層上形成源電極的工序； 在上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面形成漏電極的步驟，其中，所述漏電極與上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面的對(duì)應(yīng)于上述柵電極的部分相連接，而不與上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面的對(duì)應(yīng)于上述源電極的部分相連接。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括在上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面的與上述源電極相對(duì)應(yīng)的部分形成背面絕緣膜的工序。
19.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括: 在具有導(dǎo)電性的半導(dǎo)體襯底的一側(cè)面上層疊形成第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層、第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層的工序； 除去上述第二半導(dǎo)體層、上述第三半導(dǎo)體層及上述第一半導(dǎo)體層的一部分來(lái)形成開(kāi)口部的工序； 在上述開(kāi)口部?jī)?nèi)形成柵極絕緣膜的工序； 隔著上述柵極絕緣膜在上述開(kāi)口部?jī)?nèi)形成柵電極的工序； 在上述第三半導(dǎo)體層上形成源電極的工序； 從上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面起除去與上述源電極對(duì)應(yīng)的部分的上述半導(dǎo)體襯底及上述第一半導(dǎo)體層的一部分來(lái)形成背面除去區(qū)域的工序； 在上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面形成漏電極的步驟，其中，所述漏電極與上述半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面的對(duì)應(yīng)于上述柵電極的部分相連接。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在形成上述背面除去區(qū)域的工序之后，包括在暴露有上述第一半導(dǎo)體層的上述背面除去區(qū)域形成背面絕緣膜的工序。`
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具有第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層，形成于具有導(dǎo)電性的半導(dǎo)體襯底的一側(cè)面上；第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層，形成于上述第一半導(dǎo)體層上；第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層，形成于上述第二半導(dǎo)體層上；開(kāi)口部，除去上述第三半導(dǎo)體層、上述第二半導(dǎo)體層及上述第一半導(dǎo)體層的一部分而形成；柵極絕緣膜，覆蓋上述開(kāi)口部的內(nèi)壁；柵電極，隔著上述柵極絕緣膜形成于上述開(kāi)口部?jī)?nèi)；源電極，形成于上述第三半導(dǎo)體層的表面；漏電極，與半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面的對(duì)應(yīng)于上述柵電極的部分相連接；第四電極，形成于半導(dǎo)體襯底的另一側(cè)面上的與上述源電極相對(duì)應(yīng)的部分。由此，能夠在絕緣耐壓高、芯片尺寸小的半導(dǎo)體器件中減少漏電流。
文檔編號(hào)H01L29/78GK103201841SQ20108006992
公開(kāi)日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2010年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月5日
發(fā)明者多木俊裕, 西森理人, 今田忠纮 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社