專利名稱：背側(cè)照明cmos圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式涉及背側(cè)照明CMOS圖像傳感器，更特別地，涉及包括光電二極管的背側(cè)照明CMOS傳感器及其制造方法，該光電二極管具有凸起的光接收表面。
背景技術(shù)：
CMOS圖像傳感器可包括將感測到的圖像轉(zhuǎn)換成電信號的多個單位像素元件(像素)。每個單位像素可包括感測所輸入的圖像信號的光電二極管以及可用于將所感測的圖像信號轉(zhuǎn)換成電信號的多個MOS晶體管。光可以通過芯片的頂表面被圖像傳感器接收，芯片包括形成在其上的光電二極管和MOS晶體管。因為單位像素不僅包括光電二極管而且包括MOS晶體管，所以僅部分單位像素可分配給光電二極管的光接收區(qū)。背側(cè)照明CMOS圖像傳感器可接收通過芯片(例如基板)的底表面的光。該背側(cè)照明CMOS圖像傳感器可以以這樣的方式制造形成組成背側(cè)照明CMOS圖像傳感器的光電二極管和MOS晶體管；將芯片的底面研磨至最適于接收光的厚度；以及在被研磨的底面上形成濾色器和微透鏡。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式可提供將入射光子折射到光電二極管的中心的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式，提供包括金屬層、絕緣層和光電二極管的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器。絕緣層可以形成在金屬層上。光電二極管可以形成在絕緣層上，光電二極管的接收光的頂面具有預(yù)定曲率。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實施方式，提供包括一個或多個金屬層、至少一個金屬間電介質(zhì)、層間電介質(zhì)和光電二極管的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器。該至少一個金屬間電介質(zhì)可以形成在一個或多個金屬層之間。該層間電介質(zhì)可以形成在該一個或多個金屬層上。該光電二極管可以形成在該層間電介質(zhì)上。該光電二極管的接收光的頂面可以朝接收光的方向凸起。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實施方式，提供制造背側(cè)照明CMOS圖像傳感器的方法，該背側(cè)照明CMOS圖像傳感器包括具有凸起光接收面的光電二極管，該方法包括在光電二極管的光接收面的預(yù)定部分上形成小于光電二極管的島；以及退火所述島以形成具有凸起光接收面的光電二極管。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實施方式，一種背側(cè)照明CMOS圖像傳感器包括多個金屬層、在該多個金屬層之間的至少一個金屬間電介質(zhì)、在該多個金屬層上的層間電介質(zhì)、 以及在該層間電介質(zhì)上具有凸起表面的光電二極管，該凸起表面在光電二極管的與該層間電介質(zhì)相反的側(cè)上。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實施方式，一種背側(cè)照明CMOS圖像傳感器包括導(dǎo)電層；在該導(dǎo)電層上的絕緣層；以及在該絕緣層上具有至少一個彎曲表面的光電二極管。


示例實施方式將從下面結(jié)合附圖的簡要描述被更清楚地理解。圖1-10非限制性地表示在此描述的示例實施方式。圖1是橫截面示圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器的堆疊結(jié)構(gòu)；圖2是橫截面示圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器的堆疊結(jié)構(gòu)；圖3是橫截面示圖，示出具有平坦光接收表面的光電二極管；圖4是橫截面示圖，示出包括凸起的光接收表面的光電二極管；圖5是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的CMOS圖像傳感器的單位像素的電路圖；圖6是單位像素的橫截面示圖；圖7-9是橫截面示圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的光電二極管和MOS 晶體管的制造方法；以及圖10是框圖，示出根據(jù)示例實施方式的包括背側(cè)照明CMOS圖像傳感器的基于處理器的系統(tǒng)。這些圖旨在示出在特定示例實施方式中使用的方法、結(jié)構(gòu)和/或材料的一般特征并且旨在補充以下提供的書面描述。然而，這些圖沒有按比例繪制并且可以不精確地反映任何所給實施方式的精確結(jié)構(gòu)特征或性能特征，且不應(yīng)被解釋為定義或限制由示例實施方式所包括的特性或數(shù)值的范圍。例如，為了清晰，可以減少或夸大微結(jié)構(gòu)(molecule)、層、區(qū)域和/或結(jié)構(gòu)元件的相對厚度和位置。在不同的圖中使用相似或相同的附圖標記旨在顯示相似或相同的元件或特征的存在。
具體實施例方式現(xiàn)在將參照其中示出示例實施方式的附圖更全面地描述本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式。然而，實施方式可以體現(xiàn)為許多不同的形式，不應(yīng)解釋為局限于在此闡述的實施方式；而是，提供這些實施方式使得本公開將徹底和完整，并將示例實施方式的構(gòu)思充分傳達給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。在圖中，為了清晰，夸大了層和區(qū)域的厚度。在圖中相似的附圖標記表示相似的元件，因而將省略對它們的描述。將理解，當元件被稱為“連接”或“耦接”到另一元件時，它可以直接連接或耦接到另一元件，或者可以存在中間元件。相反，當元件被稱為“直接連接”或“直接耦接”到另一元件時，則沒有中間元件存在。相似的附圖標記通篇表示相似的元件。如這里所使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)列舉項中的一個或更多的任何和所有組合。用于描述元件或?qū)又g的
關(guān)系的其它詞語應(yīng)以相似的方式理解(例如，“在......之間”與“直接在......之間”，
“鄰近”與“直接鄰近”，“在......上”與“直接在......上”)。將理解，雖然術(shù)語“第一”、“第二”等可在此用來描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/ 或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一元件、部件、區(qū)域、層或部分區(qū)別開。因此，下面論述的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分，而不背離示例實施方式的教導(dǎo)。在這里為了描述的方便，可以使用空間相對術(shù)語，諸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等，來描述一個元件或特征與另一元件(或多個元件)或特征(或多個特征)如圖所示的關(guān)系。將理解，空間相對術(shù)語旨在包含除了圖示取向之外器件在使用或操作中的不同取向。例如，如果圖中的器件被倒置，則描述為在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件則應(yīng)取向在所述其它元件或特征的“上方”。因此，示范性術(shù)語“下方”能包含上和下兩種取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)且相應(yīng)地解釋這里使用的空間相對描述語。這里所使用的術(shù)語是僅用于描述特定實施方式，無意限制本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式。這里使用時，單數(shù)形式“一”、“一個”和“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地另外表示。還將理解，當在此使用時術(shù)語“包括”和/或“包含”說明所述特征、整體、步驟、 操作、元件和/或部件的存在，但是不排除存在或添加一個或更多其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組。這里參考橫截面圖描述了本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式，該橫截面圖是示例實施方式的理想實施方式(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖。因此，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或容差引起的圖示形狀的變化。因而，示例實施方式不應(yīng)解釋為局限于這里所示的特定區(qū)域形狀，而是包括由于例如制造引起的形狀的偏離。例如，示為矩形的注入?yún)^(qū)可具有圓化或彎曲的特征和/或在其邊緣具有注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。相似地，由注入形成的埋入?yún)^(qū)可以引起埋入?yún)^(qū)和通過其進行注入的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因此，圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀無意示出器件的區(qū)域的實際形狀且無意限制示例實施方式的范圍。除非另外定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有示例實施方式所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員一般理解的相同意思。還將理解，術(shù)語，諸如在公共使用的字典中定義的那些，應(yīng)解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域的背景中的涵義一致的涵義，而不應(yīng)在理想化或過于正式的意義上理解，除非在這里明確地如此定義。本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式可包括具有凸起的光接收面的光電二極管。當與光對應(yīng)的光子輸入到光電二極管時，光子可以被折射并集中到光電二極管的中心上。因為大多數(shù)所輸入的光子可被折射并且集中到光電二極管的中心上，所以相對少的光子可落在相鄰光電二極管上或附近。落在相鄰光電二極管上或附近的光子可能被傳送到相鄰的光電二極管并且被錯誤地轉(zhuǎn)變成電信號。相鄰光電二極管中的電信號的誤產(chǎn)生可被稱為串擾。如果發(fā)生串擾，則不能產(chǎn)生正確的圖像信號。圖1是橫截面圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器的堆疊結(jié)構(gòu)。圖1示出背側(cè)照明CMOS圖像傳感器100的多個單位像素中的兩個。參考圖1，單位像素可包括第二導(dǎo)電層110、在第二導(dǎo)電層110上的層間電介質(zhì)120、在層間電介質(zhì)120上的第一導(dǎo)電層130以及在第一導(dǎo)電層130上的層間電介質(zhì)140。光電二極管PDl 和PD2可以在層間電介質(zhì)140上。光電二極管PDl和PD2的光接收表面可以是彎曲的，而光電二極管PDl和PD2的在層間電介質(zhì)140上的表面可以是平坦的。第一平坦化層150可以在光電二極管PDl和PD2上，濾色器160可以在第一平坦化層150上，第二平坦化層170可以在濾色器上，微透鏡180可以在第二平坦化層170上。光電二極管PDl和PD2可以通過隔離材料190彼此分隔開。第一導(dǎo)電層130和第二導(dǎo)電層110可以是例如金屬。圖2是橫截面圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器的堆疊結(jié)構(gòu)。圖2示出背側(cè)照明CMOS圖像傳感器200的多個單位像素中的兩個。參考圖2，單位像素可包括第二導(dǎo)電層210、在第二導(dǎo)電層210上的層間電介質(zhì)220、在層間電介質(zhì)220上的第一導(dǎo)電層230、以及在第一導(dǎo)電層230上的層間電介質(zhì)M0。光電二極管PDl 和PD2可以在層間電介質(zhì)240上。光電二極管PDl和PD2的光接收表面可以是彎曲的，而光電二極管PDl和PD2的在層間電介質(zhì)240上的表面可以是平坦的。濾色器250可以在光電二極管PDl和PD2上，平坦化層260可以在濾色器250上，微透鏡270可以在第一平坦化層260上。光電二極管PDl和PD2可以通過隔離材料280彼此分隔開。濾色器250中的虛線示出具有平坦表面的濾色器的示例實施方式。濾色器250的頂表面和底表面可以是彎曲的和/或濾色器250的頂表面可以是平坦的而濾色器250的底表面可以是彎曲的。其它組合是可能的，并且示例實施方式不限于此。圖2示出的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器200的濾色器250的曲率可以例如與光電二極管PDl和PD2的在濾色器250下的表面的曲率相同，而圖1示出的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器100的濾色器160 的表面可以是平坦表面。圖2示出的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器200可包括單個平坦化層沈0，而圖1示出的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器100可包括第一平坦化層150和第二平坦化層170。圖1和圖2示出的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器100和200可以例如根據(jù)制造CMOS 圖像傳感器的兩種不同方法形成。光電二極管和MOS晶體管以及用于電連接光電二極管和MOS晶體管的金屬層可以形成在基板(例如晶片)的第一側(cè)上。例如，圖1和圖2示出的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器 100和200的多個層中的光電二極管PDl和PD2、層間電介質(zhì)層140和M0、第一金屬層130 和230、金屬間電介質(zhì)120和220、以及第二金屬層110和210可以形成在基板的第一側(cè)上。 基板的第二側(cè)可以被研磨至期望厚度。平坦化層150和沈0、濾色器160和250以及微透鏡 180和270可以形成在基板第二側(cè)的研磨面上。圖3是橫截面圖，示出具有平坦的光接收表面的光電二極管PDl和PD2。參考圖 3，因為光電二極管PDl和PD2的光接收表面可以是平坦的，所以入射到光電二極管PDl和 PD2的光子的方向可以對應(yīng)于光電二極管PDl和PD2內(nèi)光子行進的方向。如果光由光子表示，則圖3示出輸入到光電二極管PDl和PD2的八個光子1-8。八個光子中的四個可輸入到光電二極管PDl，另四個光子可輸入到光電二極管PD2。兩個光子4和5可以在光電二極管 PDl和PD2的邊界(圖3的虛線)附近。在光子被轉(zhuǎn)變成電信號時兩個光子4和5中的任一個可以移到其相鄰的光電二極管且可引起串擾。圖4是橫截面圖，示出包括凸起的光接收表面的光電二極管。參考圖4，光電二極管PDl和PD2的光接收表面可以是彎曲的，入射光子可以朝光電二極管PDl和PD2的中心行進而與光子的入射方向無關(guān)。八個光子中的光子1、2、3和4可以輸入到光電二極管PD1， 光子5、6、7和8可以輸入到光電二極管PD2。光子4和5可以分別集中到光電二極管PDl 和PD2的中心。在光子被轉(zhuǎn)變成電信號時，光子4和5不易移到相鄰的光電二極管。圖5是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的CMOS圖像傳感器的單位像素的電路圖。 參考圖5，單位像素500可以包括光電二極管PD，用于感測光；轉(zhuǎn)移晶體管M1，用于將集中在光電二極管PD上的光子轉(zhuǎn)移到浮置擴散區(qū)F/D ；重置晶體管M2，用于重置浮置擴散區(qū)F/ D ；轉(zhuǎn)換晶體管M3，用于產(chǎn)生與轉(zhuǎn)移到浮置擴散區(qū)F/D的光子相應(yīng)的電信號；以及選擇晶體管M4，用于傳輸電信號到外部器件。電源Vdd可以連接在重置晶體管M2和轉(zhuǎn)換晶體管M3之間。電源Vss可以連接到光電二極管PD。轉(zhuǎn)移晶體管Ml、重置晶體管M2、以及選擇晶體管M4的操作可以分別通過轉(zhuǎn)移控制信號Tx、復(fù)位控制信號RE以及選擇控制信號控制。背側(cè)照明CMOS圖像傳感器可以根據(jù)接收光的方向而與常規(guī)CMOS圖像傳感器區(qū)別開。背側(cè)照明CMOS圖像傳感器可以接收輸入到光電二極管PD的P型電極的光LIGHT 2，而常規(guī)CMOS圖像傳感器可以接收輸入到光電二極管PD的N型電極的光LIGHT 1。在常規(guī)CMOS圖像傳感器中，MOS晶體管可以阻擋單位像素的入射光輸入到光電二極管。背側(cè)照明CMOS圖像傳感器可以接收通過整個單位像素的光，背側(cè)照明CMOS圖像傳感器的光接收效率可以高于常規(guī)CMOS圖像傳感器的光接收效率。圖6是單位像素600的橫截面圖。參考圖6，單位像素600可以包括在P型基板 SUB上的光電二極管PD和MOS晶體管M0S。單位像素可以根據(jù)例如CMOS工藝形成。光電二極管PD的第一電極可對應(yīng)于基板SUB，光電二極管PD的第二電極可以對應(yīng)于N+型擴散區(qū)。 MOS晶體管MOS可以通過施加信號到兩個N+型擴散區(qū)之間的柵極而操作。柵極可以包括例如堆疊在基板SUB上的柵電介質(zhì)⑶(例如SiO2)和柵導(dǎo)電膜GC (例如多晶硅)。光LIGHT 2 輸入到光電二極管PD的P基板SUB時光電二極管PD的可接收光LIGHT 2的區(qū)域可以大于光LIGHT 1輸入到光電二極管PD的N+型擴散區(qū)時光電二極管PD的可接收光LIGHT 1的區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器可以接收輸入到光電二極管PD的P基板SUB的光。圖7-9是橫截面圖，示出根據(jù)示例實施方式的制造光電二極管和MOS晶體管的方法。圖7示出單位像素700，單位像素700包括當晶片面朝下時形成在晶片上的光電二極管PD2和MOS晶體管。參考圖7，在形成單位像素700的工藝期間對應(yīng)最下層的光電二極管 PD2被示為頂層，在形成單位像素700的工藝期間對應(yīng)頂層的導(dǎo)電層710示為最下層。層間電介質(zhì)720可以將用作光電二極管的電極的基板與導(dǎo)電層710分隔開。在形成光電二極管和MOS晶體管后，其上形成光電二極管的電極的基板表面可以被研磨以調(diào)整光電二極管的端子的寬度。研磨深度可以針對選擇來形成島的工藝調(diào)整。圖8是單位像素800的橫截面圖，示出形成在光電二極管PD2上的島830。參考圖8，單位像素800可以包括島830，其小于基板的用作光電二極管PD2的電極的區(qū)域?？蓪τ诿總€單位像素800形成島830，島830的尺寸可以根據(jù)后續(xù)處理變化。島830的形狀可對應(yīng)于單位像素800的形狀并且可以根據(jù)單位像素800的形狀按比例縮小。例如，如果單位像素800具有矩形形狀，則島830可具有矩形形狀；如果單位像素800具有六邊形或八邊形形狀，則島830可具有六邊形或八邊形形狀。此外，島830可具有圓形形狀。島830的形狀不受限制。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式的島830可以通過形成定義島830的掩模來制造，例如，島830可以通過光刻工藝來定義，光刻工藝中光致抗蝕劑保留在光電二極管 PDl和PD2的將要形成島830的部分上。島830 (例如硅島)可以利用蝕刻工藝蝕刻沒有光致抗蝕劑存在的區(qū)域中的基板來形成。圖9是單位像素900的橫截面圖，示出熱工藝的結(jié)果。例如，熱可以施加到形成在光電二極管PD2上的島830使得光電二極管的光接收表面彎曲。單位像素900可以通過施加熱到島830使得光電二極管PDl和PD2的光接收表面彎曲而形成。圖10是框圖，示意性示出包括背側(cè)照明CMOS圖像傳感器1040的基于處理器的系統(tǒng)1000。參考圖10，基于處理器的系統(tǒng)1000可以包括經(jīng)由匯流線1060彼此通信的處理器 (CPU) 1010、隨機存取存儲器(RAM) 1020、硬盤驅(qū)動器(HDD) 1030、背側(cè)照明CMOS圖像傳感器 1040以及輸入/輸出(I/O)器件1050。背側(cè)照明CMOS圖像傳感器1040可以是以上關(guān)于圖 1-9描述的圖像傳感器之一。背側(cè)照明CMOS圖像傳感器1040可以接收來自處理器1010和 /或基于處理器的系統(tǒng)1000的其它元件的控制信號和/或數(shù)據(jù)。背側(cè)照明CMOS圖像傳感器1040可以將基于控制信號和/或數(shù)據(jù)定義圖像的信號供應(yīng)到處理器1010。處理器1010 可以處理從背側(cè)照明CMOS圖像傳感器1040接收的信號。基于處理器的系統(tǒng)1000的示例可以包括例如數(shù)字電路、計算機系統(tǒng)、攝影機系統(tǒng)、掃描儀、視頻電話、電子監(jiān)視系統(tǒng)、車輛導(dǎo)航系統(tǒng)、自動聚焦系統(tǒng)、星象跟蹤系統(tǒng)(star tracker system)、運動檢測系統(tǒng)、圖像穩(wěn)定系統(tǒng)、數(shù)據(jù)壓縮系統(tǒng)、和/或可以包括根據(jù)示例實施方式的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器的其它各種系統(tǒng)。雖然已經(jīng)特別地顯示并描述了本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，可以在其中進行形式和細節(jié)上的變化而不脫離權(quán)利要求書的精神和范圍。本申請要求享有2010年2月5日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局(KIPO)的韓國專利申請 No. 10-2010-0011180的優(yōu)先權(quán)，在此通過引用并入其全部內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種背側(cè)照明CMOS圖像傳感器，包括 導(dǎo)電層；在所述導(dǎo)電層上的絕緣層；以及在所述絕緣層上的具有至少一個彎曲表面的光電二極管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器，其中所述光電二極管的所述至少一個彎曲表面是凸起表面，且所述光電二極管配置來接收通過所述凸起表面的光。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器，還包括 在所述光電二極管上的第一平坦化層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器，還包括 在所述第一平坦化層上的濾色器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器，其中所述濾色器是平坦的。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器，還包括 在所述濾色器上的微透鏡。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器，還包括 在所述濾色器與所述微透鏡之間的第二平坦化層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器，還包括 在所述光電二極管上的濾色器。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器，其中所述濾色器的距所述光電二極管最遠的表面是平坦的。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器，其中所述濾色器的距所述光電二極管最遠的表面是彎曲的。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器，其中所述濾色器的所述表面的曲率對應(yīng)于所述光電二極管的所述至少一個彎曲表面的曲率。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器，還包括在所述濾色器上的微透鏡。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器，還包括在所述濾色器與所述微透鏡之間的平坦化層。
14.一種背側(cè)照明CMOS圖像傳感器，包括 多個金屬層；在所述多個金屬層之間的至少一個金屬間電介質(zhì)； 在所述多個金屬層上的層間電介質(zhì)；以及在所述層間電介質(zhì)上的具有凸起表面的光電二極管，所述凸起表面在所述光電二極管的與所述層間電介質(zhì)相反的側(cè)上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器，還包括在所述光電二極管的凸起表面上的濾色器和微透鏡。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器，其中所述濾色器的距所述光電二極管最遠的表面是平坦的，所述微透鏡在所述濾色器的所述平坦表面上。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器，還包括在所述光電二極管與所述濾色器之間的平坦化層。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器，其中所述濾色器的距所述光電二極管最遠的表面是彎曲的，所述濾色器的所述彎曲表面的曲率對應(yīng)于所述光電二極管的所述凸起表面的曲率。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器，還包括在所述濾色器與所述微透鏡之間的平坦化層。
20.一種制造權(quán)利要求14的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器的方法，包括 在所述光電二極管的所述相反側(cè)上形成比所述光電二極管小的島；以及退火所述島以形成具有所述凸起表面的所述光電二極管。
全文摘要
本發(fā)明公開一種具有凸起的光接收面的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器及其制造方法。背側(cè)照明CMOS圖像傳感器包括金屬層、絕緣層和光電二極管。絕緣層在金屬層上。光電二極管在絕緣層上，光電二極管的接收光的頂面是彎曲的。制造具有帶凸起表面的光電二極管的背側(cè)照明CMOS圖像傳感器的方法包括在光電二極管的光接收面的一部分上形成小于光電二極管的島；以及退火所述島以形成具有凸起的光接收面的光電二極管。
文檔編號H01L27/146GK102194838SQ20111002799
公開日2011年9月21日 申請日期2011年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月5日
發(fā)明者安正*, 李景鎬 申請人:三星電子株式會社