專(zhuān)利名稱(chēng)：熱處理裝置及其方法和涂布顯影處理系統(tǒng)及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)基板進(jìn)行熱處理的熱處理裝置和具有該熱處理裝置的涂布顯影處理系統(tǒng)。另外，本發(fā)明涉及該熱處理裝置的熱處理方法和通過(guò)該熱處理方法對(duì)基板進(jìn)行涂布顯影處理的涂布顯影處理方法，以及記錄有用于執(zhí)行該熱處理方法和涂布顯影處理方法的程序的記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件的制造中，在光刻工序中，對(duì)半導(dǎo)體晶片等的基板(以下稱(chēng)為“晶片”)，依次進(jìn)行例如涂布處理工序、曝光工序、熱處理工序、顯影處理工序等多個(gè)工序，在晶片上形成規(guī)定的抗蝕劑圖案。在涂布處理工序中，在晶片上涂布抗蝕液來(lái)形成抗蝕劑膜。在曝光工序中，對(duì)抗蝕劑膜進(jìn)行曝光形成規(guī)定的圖案。在熱處理工序(Post Exposure Baking:曝光后烘烤)中，在曝光后促進(jìn)抗蝕劑膜內(nèi)的化學(xué)反應(yīng)。在顯影處理工序中，將曝光后的抗蝕劑膜進(jìn)行顯影。這一系列的處理，在搭載有涂布處理裝置、熱處理裝置和顯影處理裝置等各種處理裝置和晶片的搬送裝置等的涂布顯影處理系統(tǒng)中進(jìn)行。另外，在這樣的涂布顯影處理系統(tǒng)中，連續(xù)搬送例如相同處理方案的多片晶片來(lái)進(jìn)行處理。在這樣的涂布顯影處理系統(tǒng)中，上述的一系列處理需要維持一定的水準(zhǔn)來(lái)進(jìn)行。 因此，在進(jìn)行了上述一系列處理之后，需要求得抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬(Critical Dimension CD，臨界尺寸)等評(píng)價(jià)參數(shù)在晶片的面內(nèi)的分布。該分布例如通過(guò)如下方式求得在例如涂布顯影處理系統(tǒng)中，在制品晶片的處理前進(jìn)行測(cè)試晶片的處理，利用搭載在該系統(tǒng)中的測(cè)定裝置，在該測(cè)試晶片的面內(nèi)的多個(gè)測(cè)定點(diǎn)測(cè)定評(píng)價(jià)參數(shù)(參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。例如，在涂布顯影處理系統(tǒng)所包含的熱處理裝置中，為了降低晶片的面內(nèi)的溫度偏差，將熱板劃分成多個(gè)區(qū)域。然后，通過(guò)在該多個(gè)區(qū)域的每一個(gè)改變?cè)O(shè)定溫度，將在曝光后促進(jìn)抗蝕劑膜內(nèi)的化學(xué)反應(yīng)的熱處理工序，控制成在晶片的面內(nèi)均勻地進(jìn)行。專(zhuān)利文獻(xiàn) 1所示的例子中記載了以下方案，即，在晶片的面內(nèi)的多個(gè)測(cè)定點(diǎn)，測(cè)定抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬 (CD)，求得晶片的面內(nèi)的線(xiàn)寬(CD)分布，修正熱板的設(shè)定溫度進(jìn)行控制。專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2008-84886號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
但是，在如上所述的涂布顯影處理系統(tǒng)的熱處理裝置中，在修正熱板的設(shè)定溫度加以控制時(shí)，存在如下問(wèn)題。在熱處理裝置中，將熱板劃分成多個(gè)區(qū)域，當(dāng)對(duì)設(shè)置在該每個(gè)區(qū)域中的加熱器進(jìn)行加熱控制時(shí)，修正設(shè)定溫度加以控制。例如，在熱板設(shè)置由電阻等發(fā)熱體構(gòu)成的加熱器的情況下，加熱器通過(guò)熱傳導(dǎo)對(duì)熱板加熱，對(duì)載置有加熱后的熱板的晶片通過(guò)熱傳導(dǎo)加熱。因此，即使在同一區(qū)域內(nèi)，由于與加熱器之間的距離不同，晶片的溫度也不同，所以即使基于如上所述的線(xiàn)寬(CD)分布來(lái)修正溫度分布，也不能夠降低線(xiàn)寬(CD)的偏差。另外，在熱板設(shè)置加熱器的情況下，為了使熱板的溫度穩(wěn)定化，需要一直通過(guò)加熱器加熱熱板，不能夠降低熱處理裝置消耗的消耗電力。本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，在對(duì)基板進(jìn)行熱處理的熱處理裝置和該熱處理裝置的熱處理方法中，提供能夠降低晶片的面內(nèi)的線(xiàn)寬的偏差，能夠降低消耗電力的熱處理裝置和熱處理方法。為了解決上述課題，本發(fā)明以如以下所述的各裝置/方法為特征。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供熱處理裝置，在對(duì)基板上形成有抗蝕劑膜的上述基板進(jìn)行曝光后，為了通過(guò)進(jìn)行顯影處理在上述基板上形成抗蝕劑圖案，在進(jìn)行顯影處理前對(duì)曝光后的上述基板進(jìn)行熱處理，上述熱處理裝置的特征在于，包括加熱部，其具有呈二維排列的多個(gè)加熱元件，對(duì)曝光后的上述基板進(jìn)行熱處理；載置部，其設(shè)置在上述加熱部的上方，載置上述基板；和控制部，其在利用上述加熱部對(duì)一個(gè)基板進(jìn)行熱處理時(shí)，基于溫度修正值對(duì)上述加熱部的設(shè)定溫度進(jìn)行修正，基于修正后的上述設(shè)定溫度，對(duì)上述加熱部進(jìn)行控制，該溫度修正值是根據(jù)在預(yù)先由上述加熱部進(jìn)行熱處理后通過(guò)進(jìn)行顯影處理而形成有上述抗蝕劑圖案的其他基板的上述抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬的測(cè)定值求出的。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種熱處理方法，在對(duì)基板上形成有抗蝕劑膜的上述基板進(jìn)行曝光后，為了通過(guò)進(jìn)行顯影處理以在上述基板上形成抗蝕劑圖案，在進(jìn)行顯影處理前利用熱處理裝置對(duì)曝光后的上述基板進(jìn)行熱處理，該熱處理裝置包括對(duì)基板進(jìn)行熱處理的具有呈二維排列的多個(gè)加熱元件的加熱部；和設(shè)置在上述加熱部的上方的載置上述基板的載置部，上述熱處理方法的特征在于具有控制工序，在利用上述加熱部對(duì)一個(gè)基板進(jìn)行熱處理時(shí)，基于溫度修正值對(duì)上述加熱部的設(shè)定溫度進(jìn)行修正，基于修正后的上述設(shè)定溫度，對(duì)上述加熱部進(jìn)行控制，該溫度修正值是根據(jù)在預(yù)先由上述加熱部進(jìn)行熱處理后通過(guò)進(jìn)行顯影處理而形成有上述抗蝕劑圖案的其他基板的上述抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬的測(cè)定值求得的。根據(jù)本發(fā)明，在對(duì)基板進(jìn)行熱處理的熱處理裝置和該熱處理裝置的熱處理方法中，能夠降低晶片的面內(nèi)的線(xiàn)寬的偏差，能夠降低消耗電力。


圖1是表示第一實(shí)施方式的涂布顯影處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的概略的平面圖。圖2是表示第一實(shí)施方式的涂布顯影處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的概略的正面圖。圖3是表示第一實(shí)施方式的涂布顯影處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的概略的背面圖。圖4是表示第一實(shí)施方式的曝光后烘烤裝置的概略正面圖。圖5是第一實(shí)施方式的曝光后烘烤裝置卸下蓋體時(shí)的概略平面圖。圖6是表示線(xiàn)寬測(cè)定裝置的結(jié)構(gòu)的概略的縱截面圖。圖7是表示以在晶片上排列的方式形成的多個(gè)芯片的配置，與測(cè)定形成在晶片上的抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬(CD)的測(cè)定點(diǎn)的關(guān)系的平面圖。圖8是表示線(xiàn)寬測(cè)定值CD與設(shè)定溫度T的關(guān)系的圖表。圖9是表示比較例的曝光后烘烤裝置的概略正面圖。圖10是表示比較例的曝光后烘烤裝置的概略平面圖。圖11是表示比較例的曝光后烘烤裝置的熱板的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。圖12是表示以在晶片上排列的方式形成的多個(gè)芯片的配置，與測(cè)定形成在晶片上的抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬(CD)的測(cè)定點(diǎn)的關(guān)系的平面圖。圖13是第一實(shí)施方式的第二變形例的曝光后烘烤裝置卸下蓋體時(shí)的概略平面圖。圖14是表示第二實(shí)施方式的曝光后烘烤裝置的概略正面圖。圖15是第二實(shí)施方式的曝光后烘烤裝置卸下蓋體時(shí)的概略平面圖。圖16是表示第三實(shí)施方式的涂布顯影處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的概略的平面圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1涂布顯影處理系統(tǒng)20線(xiàn)寬測(cè)定裝置30主體控制部60加熱部62發(fā)光二極管(紅外LED)70液晶面板72液晶元件80載置部81 突起82溫度傳感器90冷卻部110控制部PEB曝光后烘烤裝置TRS 過(guò)渡裝置(transition)
具體實(shí)施例方式接著，對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的方式，結(jié)合附圖進(jìn)行說(shuō)明。(第一實(shí)施方式)首先，參照?qǐng)D1 圖8，對(duì)第一實(shí)施方式的熱處理裝置、包括熱處理裝置的涂布顯影處理系統(tǒng)、熱處理裝置的熱處理方法和涂布顯影處理系統(tǒng)的涂布顯影處理方法進(jìn)行說(shuō)明。先對(duì)本實(shí)施方式的抗蝕劑涂布顯影處理系統(tǒng)和涂布顯影處理系統(tǒng)的涂布顯影處理方法進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示本實(shí)施方式的涂布顯影處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的概略的平面圖。圖2是涂布顯影處理系統(tǒng)的正面圖，圖3是涂布顯影處理系統(tǒng)的背面圖。如圖1所示，涂布顯影處理系統(tǒng)1，具有將盒裝卸臺(tái)(cassette station) 2、處理臺(tái) 3、接口臺(tái)(interface station)4連接成一體的結(jié)構(gòu)。涂布顯影處理系統(tǒng)1，在晶片W上進(jìn)行抗蝕劑的涂布處理，對(duì)晶片W上經(jīng)過(guò)了抗蝕劑涂布處理的晶片W進(jìn)行熱處理，由此在晶片 W上形成抗蝕劑膜。另外，涂布顯影處理系統(tǒng)1，通過(guò)將形成有抗蝕劑膜的晶片W曝光之后進(jìn)行顯影處理，在晶片W上形成抗蝕劑圖案。盒裝卸臺(tái)2以例如25片晶片W為盒單位，將其從外部相對(duì)于涂布顯影處理系統(tǒng)1 搬入/搬出，將晶片相對(duì)于盒C搬入/搬出。處理臺(tái)3與盒裝卸臺(tái)2相鄰設(shè)置，在光刻工序
7中配置有多級(jí)以單片式實(shí)施規(guī)定處理的多個(gè)各種處理裝置。接口臺(tái)4與處理臺(tái)3相鄰設(shè)置， 在與未圖示的曝光裝置之間傳遞(交接)晶片W。在盒裝卸臺(tái)2中設(shè)置有盒載置臺(tái)5。盒載置臺(tái)5可載置自由地使多個(gè)盒C在X方向(圖1中的上下方向)上成一列。在盒裝卸臺(tái)2設(shè)置有能夠在搬送路6上向著X方向移動(dòng)的晶片搬送體7。晶片搬送體7也可以在收容于盒C中的晶片W的晶片排列方向(Z方向垂直方向)上自由移動(dòng)，能夠有選擇地訪(fǎng)問(wèn)(access)排列在X方向上的各個(gè)盒C內(nèi)的晶片W。晶片搬送體7能夠圍繞Z軸在θ方向上旋轉(zhuǎn)，也能夠訪(fǎng)問(wèn)后述的線(xiàn)寬測(cè)定裝置20 和處理臺(tái)3側(cè)的過(guò)渡裝置TRS、粘著(7 κ t —夕3 > )裝置AD。處理臺(tái)3具有將多個(gè)處理裝置成多層地配置的例如7個(gè)處理裝置組Gl G7。在處理臺(tái)3的X方向的負(fù)方向(圖1中的下方向)側(cè)，從盒裝卸臺(tái)2側(cè)起依次配置有第一處理裝置組G1、第二處理裝置組G2和第三處理裝置組G3。在處理臺(tái)3的X方向的正方向(圖 1中的上方向)側(cè)，從盒裝卸臺(tái)2側(cè)起依次配置有第四處理裝置組G4、第五處理裝置組G5、 第六處理裝置組G6和第七處理裝置組G7。在第一處理裝置組Gl 第三處理裝置組G3，與第四處理裝置組G4 第七處理裝置組G7之間，設(shè)置有能夠在搬送路8上向著Y方向移動(dòng)的第一搬送裝置9。第一搬送裝置 9能夠圍繞Z軸在θ方向上旋轉(zhuǎn)，能夠有選擇地對(duì)第一處理裝置組Gl 第七處理裝置組 G7內(nèi)的各處理裝置進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)，以搬送晶片W。如圖2所示，在第一處理裝置組Gl和第二處理裝置組G2，將對(duì)晶片W供給規(guī)定的液體進(jìn)行處理的液體處理裝置，例如抗蝕劑涂布裝置COT和底涂裝置(bottom coating) BARC (底部抗反射涂層)，從下至上依次重疊成五層?？刮g劑涂布裝置COT對(duì)晶片W涂布抗蝕液。底涂裝置BARC形成防止曝光處理時(shí)光的反射的反射防止膜。在第三處理裝置組G3 中，將液體處理裝置例如對(duì)晶片W供給顯影液進(jìn)行顯影處理的顯影處理裝置DEV，從下至上依次重疊成五層。另外，在第一處理裝置組Gl 第三處理裝置組G3的最下層，分別設(shè)置有用于對(duì)各處理裝置組Gl、G2、G3內(nèi)的液體處理裝置供給各種處理液的化學(xué)室CHM。如圖3所示，在第四處理裝置組G4中，將溫度調(diào)節(jié)裝置TCP、過(guò)渡裝置TRS、高精度溫度調(diào)節(jié)裝置CPL和高溫?zé)崽幚硌b置BAKE，從下至上依次重疊成九層。過(guò)渡裝置TRS進(jìn)行晶片W的傳遞。高精度溫度調(diào)節(jié)裝置CPL在高精度的溫度管理下對(duì)晶片W進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)。 高溫?zé)崽幚硌b置BAKE在高溫下對(duì)晶片W進(jìn)行加熱處理。在第五處理裝置組G5中，將例如高精度溫度調(diào)節(jié)裝置CPL、預(yù)烘烤裝置PAB (pre baking)和后烘烤裝置POST，從下至上依次重疊成十層。預(yù)烘烤裝置PAB對(duì)抗蝕劑涂布處理后的晶片W進(jìn)行加熱處理。后烘烤裝置POST對(duì)顯影處理后的晶片W進(jìn)行加熱處理。在第六處理裝置組G6和第七處理裝置組G7中，將對(duì)晶片W進(jìn)行熱處理的多個(gè)熱處理裝置，例如高精度溫度調(diào)節(jié)裝置CPL和曝光后烘烤裝置PEB，從下至上依次重疊成八層。曝光后烘烤裝置PEB在曝光后對(duì)顯影前的晶片W進(jìn)行加熱處理。如圖1所示，在處理臺(tái)3的盒裝卸臺(tái)2 —側(cè)，設(shè)置有用于在晶片搬送體7和第一搬送裝置9之間進(jìn)行晶片W的傳遞的過(guò)渡裝置TRS。然后，在該過(guò)渡裝置TRS的X方向的正方向一側(cè)配置有多個(gè)處理裝置，例如圖3所示，將用于對(duì)晶片W進(jìn)行疏水化處理的粘著 (adhesion)裝置AD，從下至上依次重疊成兩層。
如圖1所示，在處理臺(tái)3的接口臺(tái)4 一側(cè)，設(shè)置有用于在第一搬送裝置9和后述的晶片搬送體11之間進(jìn)行晶片W的傳遞的過(guò)渡裝置TRS。在該過(guò)渡裝置TRS的X方向的正方向一側(cè)，例如配置有僅對(duì)晶片W的邊緣部有選擇地曝光的未圖示的周邊曝光裝置WEE。在接口臺(tái)4例如如圖1所示，設(shè)置有在向X方向延伸的搬送路10上移動(dòng)的晶片搬送體11和緩沖盒12。晶片搬送體11能夠上下移動(dòng)，并且能夠在Θ方向上旋轉(zhuǎn)，能夠?qū)εc接口臺(tái)4相鄰的未圖示的曝光裝置和緩沖盒12進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)，搬送晶片W。另外，如圖1所示，例如在盒裝卸臺(tái)2，設(shè)置有測(cè)定晶片W上的抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬的線(xiàn)寬測(cè)定裝置20。主體控制部30對(duì)通過(guò)涂布顯影處理系統(tǒng)1所進(jìn)行的晶片處理進(jìn)行控制。主體控制部30也能夠?qū)νㄟ^(guò)線(xiàn)寬測(cè)定裝置20所進(jìn)行的在晶片W上形成的抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬測(cè)定進(jìn)行控制。主體控制部30由例如具有CPU、存儲(chǔ)器等的通用計(jì)算機(jī)構(gòu)成。而且，主體控制部30通過(guò)由CPU執(zhí)行存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的程序，能夠控制晶片處理和線(xiàn)寬測(cè)定。另外，存儲(chǔ)在主體控制部30中的程序，也可以利用計(jì)算機(jī)能夠讀取的記錄介質(zhì)安裝到主體控制部30。上述晶片處理和線(xiàn)寬測(cè)定，包含在通過(guò)涂布顯影處理系統(tǒng)1所進(jìn)行的涂布顯影處理方法中。即，涂布顯影處理方法，在晶片W上進(jìn)行抗蝕劑涂布處理，對(duì)晶片W上經(jīng)過(guò)了抗蝕劑的涂布處理后的晶片W進(jìn)行熱處理，在晶片W上形成抗蝕劑膜。另外，涂布顯影處理方法，在對(duì)形成有抗蝕劑膜的晶片W曝光之后，進(jìn)行顯影處理，由此在晶片W上形成抗蝕劑圖案。另外，涂布顯影處理方法包括利用曝光后烘烤裝置PEB對(duì)晶片W進(jìn)行熱處理的熱處理工序；和利用線(xiàn)寬測(cè)定裝置20對(duì)形成在晶片W上的抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬進(jìn)行測(cè)定的線(xiàn)寬測(cè)定工序。如上構(gòu)成的涂布顯影處理系統(tǒng)1中，晶片W的涂布顯影處理過(guò)程，按如下方式進(jìn)行。首先，通過(guò)圖1所示的晶片搬送體7，從盒載置臺(tái)5上的盒C內(nèi)逐片取出相同處理方案的多片制品用晶片Wn (η為大于等于1的自然數(shù))，依次搬送到處理臺(tái)3的第四處理裝置組 G4包括的溫度調(diào)節(jié)裝置TCP中。對(duì)被搬送到溫度調(diào)節(jié)裝置TCP中的晶片Wn，進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)直至規(guī)定溫度，通過(guò)第一搬送裝置9依次將其搬送到底涂裝置BARC，在晶片Wn上進(jìn)行反射防止膜用涂布液的涂布處理。將進(jìn)行了涂布反射防止膜用涂布液的處理之后的晶片Wn，通過(guò)第一搬送裝置9依次搬送到高溫?zé)崽幚硌b置BAKE、高精度溫度調(diào)節(jié)裝置CPL，在各裝置中實(shí)施規(guī)定的處理，從而形成反射防止膜。將形成有反射防止膜的晶片Wn，依次搬送到抗蝕劑涂布裝置C0T，在晶片Wn上進(jìn)行抗蝕劑涂布處理。將進(jìn)行了抗蝕劑的涂布處理后的晶片 Wn，通過(guò)第一搬送裝置9依次搬送到預(yù)烘烤裝置PAB，實(shí)施預(yù)烘烤。將實(shí)施了預(yù)烘烤后的晶片Wn，通過(guò)第一搬送裝置9依次搬送到未圖示的周邊曝光裝置WEE、高精度溫度調(diào)節(jié)裝置 CPL，在各裝置中實(shí)施規(guī)定的處理，從而形成抗蝕劑膜。將形成有抗蝕劑膜的晶片Wn，通過(guò)第一搬送裝置9傳遞給過(guò)渡裝置TRS。將被傳遞給過(guò)渡裝置TRS的晶片Wn，通過(guò)接口臺(tái)4的晶片搬送體11依次搬送到未圖示的曝光裝置，進(jìn)行曝光。將曝光結(jié)束后的晶片Wn，再次通過(guò)晶片搬送體11傳遞給過(guò)渡裝置TRS。將被傳遞給過(guò)渡裝置TRS的晶片Wn，通過(guò)第一搬送裝置9依次搬送到例如曝光后烘烤裝置PEB，實(shí)施曝光后烘烤。將實(shí)施了曝光后烘烤的晶片Wn，通過(guò)第一搬送裝置9依次搬送到高精度溫度調(diào)節(jié)裝置CPL，進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)。此后，將晶片Wn搬送到顯影處理裝置DEV，將形成在晶片Wn 上被曝光后的抗蝕劑膜顯影。此后，通過(guò)第一搬送裝置9將晶片Wn依次搬送到后烘烤裝置POST,對(duì)其實(shí)施后烘烤。此后，將晶片Wn依次搬送到高精度溫度調(diào)節(jié)裝置CPL，進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)。然后，通過(guò)第一搬送裝置9將晶片Wn依次搬送到過(guò)渡裝置TRS，通過(guò)晶片搬送體7使其返回到盒C。由此，完成一系列的晶片處理。接著，參照?qǐng)D4和圖5，對(duì)曝光后烘烤裝置PEB進(jìn)行說(shuō)明。另外，曝光后烘烤裝置 PEB相當(dāng)于本發(fā)明的熱處理裝置。圖4是表示本實(shí)施方式的曝光后烘烤裝置的概略正面圖。圖5是本實(shí)施方式的曝光后烘烤裝置卸下蓋體時(shí)的概略平面圖。如圖4所示，曝光后烘烤裝置PEB包括蓋體40、收容部50、加熱部60、載置部80、 冷卻部90、升降銷(xiāo)100和控制部110。為了在對(duì)晶片W上形成有抗蝕劑膜的晶片W進(jìn)行曝光之后，通過(guò)顯影處理在晶片W形成抗蝕劑圖案，曝光后烘烤裝置PEB在顯影處理前執(zhí)行對(duì)曝光后的晶片W進(jìn)行熱處理的熱處理工序。另外，本發(fā)明的熱處理裝置包含對(duì)熱處理裝置進(jìn)行控制的控制部110。蓋體40位于上側(cè)，設(shè)置成取放晶片W時(shí)可自由上下活動(dòng)。在蓋體40的頂部的中央附近，將貫通蓋體40設(shè)置的供給管41的一端開(kāi)口。供給管41的另一端，與對(duì)經(jīng)過(guò)了溫度濕度管理后的空氣進(jìn)行供給的未圖示的供給源連接。由此，能夠從未圖示的供給源經(jīng)由供給管41將經(jīng)過(guò)了溫度濕度管理后的空氣供給到處理室S內(nèi)。另外，在蓋體40的頂部的周緣附近，將貫通蓋體40設(shè)置的排氣管42的一端開(kāi)口。排氣管42的另一端，與排出空氣的未圖示的排氣部連接。由此，能夠?qū)⑻幚硎襍內(nèi)的空氣，經(jīng)由排氣管42通過(guò)排氣部均勻地排出。另外，如圖4所示，也可以設(shè)置多個(gè)排氣管42的開(kāi)口，此時(shí)，也可以將設(shè)置有多個(gè)開(kāi)口的多個(gè)排氣管42在中途合流與排氣部連接。當(dāng)進(jìn)行曝光后烘烤時(shí)，抗蝕劑所含有的感光部分受熱發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。因此，供給管41和排氣管42，在進(jìn)行曝光后烘烤時(shí)，使空氣以一定量在處理室S內(nèi)循環(huán)。另外，在蓋體40可以設(shè)置有整流板43，該整流板43將供給管41及排氣管42開(kāi)口的空間與處理室S隔開(kāi)。整流板43使經(jīng)由供給管41被供給到處理室S內(nèi)的空氣、從處理室S內(nèi)經(jīng)由排氣管42排出的空氣的氣流，在晶片W的面內(nèi)變得均勻。收容部50位于下側(cè)，與蓋體40成為一體而形成處理室S。在收容部50的中央，從上方側(cè)向下方側(cè)設(shè)置有載置部80、加熱部60和冷卻部90。另外，如圖4和圖5所示，在收容部50的周緣，在載置晶片W的區(qū)域以外的區(qū)域，設(shè)置有防止來(lái)自加熱部60的光從晶片W 的上方漏出的遮光部件51。如圖5所示，加熱部60具有對(duì)晶片W進(jìn)行加熱的多個(gè)發(fā)光二極管元件(Light Emitting Diode :LED) 62，該多個(gè)發(fā)光二極管62在模塊基板61上在大致同一平面上呈大致格子狀即二維地排列。發(fā)光二極管元件62發(fā)射紅外線(xiàn)。加熱部60對(duì)曝光后的晶片W進(jìn)行熱處理。另外，以下將發(fā)射紅外線(xiàn)的發(fā)光二極管元件62稱(chēng)為紅外LED。另外，作為發(fā)射紅外線(xiàn)的發(fā)光元件，除了 LED以外，還能夠使用半導(dǎo)體激光等各種發(fā)光元件。另外，當(dāng)對(duì)例如由Si構(gòu)成的晶片W進(jìn)行加熱時(shí)，在本實(shí)施方式中，作為紅外線(xiàn)，能夠使用具有850nm IOOOnm范圍的波長(zhǎng)的紅外線(xiàn)。如圖5所示，紅外LED62大致格子狀地規(guī)則地、無(wú)間隙地排列。由此，加熱部60構(gòu)成為配置有多個(gè)小的加熱元件。
另外，在本實(shí)施方式中，以作為加熱元件使用發(fā)射紅外線(xiàn)的發(fā)光元件為例進(jìn)行說(shuō)明。但是，只要是配置多個(gè)小的加熱元件即可，也可以配置多個(gè)加熱器等各種發(fā)熱元件而成的元件來(lái)代替發(fā)光元件。作為紅外LED62，能夠使用直徑為5mmcp左右的LED。例如與12英寸的晶片尺寸相對(duì)應(yīng)，使用直徑為5mmcp左右的LED的情況下，如圖5所示，在模塊基板61上使用約四50 個(gè)紅外LED62即可。另外，能夠使紅外LED62在載置部80沒(méi)有載置晶片W時(shí)熄滅，在載置部80載置有晶片W時(shí)點(diǎn)亮。如圖4所示，載置部80具有從加熱部60向上方突出設(shè)置的多個(gè)突起81。即，載置部80設(shè)置在加熱部60的上方。將晶片W按照被多個(gè)突起81保持的方式載置。通過(guò)將晶片W由多個(gè)突起81保持，載置部80能夠在從排列有紅外LED62的加熱部60的上端起向上方離開(kāi)規(guī)定距離地保持晶片W。由此，能夠在晶片W的下表面和加熱部60之間設(shè)置空間。 通過(guò)設(shè)置空間，即使在有污物(雜質(zhì))附著在加熱部60上的情況下，也能夠防止該污物附著到晶片W。另外通過(guò)由紅外LED62加熱的晶片W，能夠防止紅外LED62自身被加熱而受到損傷。另外，能夠使規(guī)定距離為例如100 μ m左右。在多個(gè)突起81，設(shè)置有對(duì)所載置的晶片W的溫度進(jìn)行測(cè)定的溫度傳感器82。通過(guò)設(shè)置有溫度傳感器82，能夠在更靠近晶片W的位置測(cè)定晶片W的溫度。優(yōu)選將多個(gè)突起81設(shè)置成俯視下二維地大致均等地分散配置。例如，可以是格子狀地排列?；蛘?，也可以沿著晶片W的周向按照規(guī)定的角度排列。例如，也可以以中心軸為中心成η次(η為自然數(shù))對(duì)稱(chēng)的方式設(shè)置成放射狀。由此，即使用較少個(gè)數(shù)的突起81，也能夠?qū)⒕哂写笾聢A形形狀的晶片W穩(wěn)定地保持，并且能夠均勻地測(cè)定晶片W的溫度。圖5 表示格子狀地排列并且設(shè)置成四次對(duì)稱(chēng)的例子，表示在四個(gè)位置設(shè)置有突起81的例子。另外，在本實(shí)施方式中，在載置部80被加熱部60支承的狀態(tài)下，載置部80和加熱部60設(shè)置成一體。但是，載置部80也可以不被加熱部60支承。例如，載置部80也可以通過(guò)收容部50或支承收容部50的未圖示的支承部件等，另外構(gòu)成與加熱部60不同的支承。如圖4所示，冷卻部90設(shè)置在加熱部60的下方。冷卻部90對(duì)晶片W或加熱部60 進(jìn)行冷卻。冷卻部90具有俯視下與加熱部60大致相等的圓形形狀。在冷卻部90的內(nèi)部， 內(nèi)置有例如珀耳帖(Peltier)元件等冷卻部件91，能夠?qū)⒗鋮s部90調(diào)整到規(guī)定的設(shè)定溫度?；蛘?，也可以在冷卻部90的內(nèi)部形成流通冷卻水的冷卻水管，將冷卻部90通過(guò)冷卻水冷卻。另外，冷卻部90的形狀在俯視下至少能夠覆蓋加熱部60即可，也可以包括例如比晶片W大的區(qū)域。如圖4和圖5所示，升降銷(xiāo)100設(shè)置成能夠從下方支承晶片W進(jìn)行升降。升降銷(xiāo) 100能夠通過(guò)升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)101進(jìn)行上下移動(dòng)，使其從下方支承的晶片W上下活動(dòng)。在加熱部60和冷卻部90的中央部附近，在多個(gè)位置形成有分別在厚度方向上貫通加熱部60的貫通孔63、92。圖5表示貫通孔63形成在三個(gè)位置的例子，升降銷(xiāo)100能夠通過(guò)貫通孔63、 92，突出到加熱部60的上方。由此，升降銷(xiāo)100能夠在第一搬送裝置9和載置部80之間傳遞晶片W?？刂撇?10是控制加熱部60的部分。另外，控制部110如后所述，通過(guò)主體控制部30，基于線(xiàn)寬測(cè)定裝置20所測(cè)定的晶片W上的抗蝕劑圖案的寬度尺寸的分布，對(duì)加熱部
1160進(jìn)行控制。即，控制部110進(jìn)行通過(guò)加熱部60對(duì)一個(gè)晶片W進(jìn)行熱處理的控制工序。控制工序包含在涂布顯影處理方法的熱處理工序中。在如上構(gòu)成的曝光后烘烤裝置PEB中，首先，通過(guò)使蓋體40上升，載置有晶片W的第一搬送裝置9移動(dòng)，將晶片W移動(dòng)到載置部80的上方。將移動(dòng)到載置部80的上方的晶片W，傳遞給升降銷(xiāo)100，通過(guò)該升降銷(xiāo)100載置到載置部80。在將晶片W載置到載置部80 之后，蓋體40下降，將晶片W搬入處理室S。此時(shí)，紅外LED62仍然是熄滅狀態(tài)。在將晶片W載置到載置部80之后，從供給管41將經(jīng)過(guò)了溫度濕度管理后的空氣供給到處理室S，將被供給的空氣從排氣管42排出，由此使空氣以一定量(固定量)循環(huán)。 在此狀態(tài)下，通過(guò)控制部110，使紅外LED62點(diǎn)亮，對(duì)晶片W進(jìn)行加熱?？刂撇?10控制紅外LED62的輸出，對(duì)從紅外LED62到達(dá)晶片W的光量進(jìn)行控制。 然后，經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后，通過(guò)控制部110，使紅外LED62熄滅，停止對(duì)晶片W的加熱。這里，控制部110能夠?qū)┙o各紅外LED62的電力進(jìn)行個(gè)別控制。即，控制部110能夠?qū)母骷t外 LED62到達(dá)晶片W的紅外線(xiàn)的光量進(jìn)行個(gè)別調(diào)節(jié)。另外，控制部110也可以將供給到各紅外LED62的電力(電)，按照由幾個(gè)紅外 LED62構(gòu)成的組進(jìn)行控制。即，控制部110也可以對(duì)從各紅外LED62到達(dá)晶片W的紅外線(xiàn)的光量，按照由幾個(gè)紅外LED62構(gòu)成的組進(jìn)行調(diào)節(jié)。或者，控制部110也可以對(duì)各紅外LED62供電的時(shí)間進(jìn)行控制。S卩，控制部110也可以通過(guò)將各紅外LED62以脈沖的方式點(diǎn)亮，改變各紅外LED62的導(dǎo)通(ON)時(shí)間和關(guān)閉 (OFF)時(shí)間的比，對(duì)從各紅外LED62到達(dá)晶片W的紅外線(xiàn)的光量進(jìn)行調(diào)節(jié)。在本實(shí)施方式中，如圖5所示，突起81和溫度傳感器82設(shè)置在四個(gè)位置。對(duì)為了符合溫度測(cè)定晶片的指示值而修正這些溫度傳感器的順序進(jìn)行說(shuō)明。溫度測(cè)定晶片的溫度傳感器，位于例如與溫度傳感器82的設(shè)置位置一致的位置。首先，將溫度測(cè)定晶片置于處理室中，將溫度測(cè)定晶片的測(cè)定值加熱至目標(biāo)溫度 (例如110°C)。接著，讀出此時(shí)的溫度傳感器82的溫度。接著，可以對(duì)溫度傳感器82的溫度讀取值作加減法運(yùn)算，對(duì)四個(gè)位置的溫度傳感器82的溫度測(cè)定值進(jìn)行修正，以使溫度傳感器82的溫度與溫度測(cè)定晶片的溫度一致。停止對(duì)晶片W加熱之后，將晶片W繼續(xù)載置在載置部80中，通過(guò)由冷卻部件91或冷卻水進(jìn)行冷卻的冷卻部90，冷卻晶片W。然后，將晶片W冷卻到規(guī)定的溫度后，使蓋體40 上升，將晶片W從載置部80向升降銷(xiāo)100傳遞。向升降銷(xiāo)100傳遞的晶片W，被第一搬送裝置9傳遞，搬出到曝光后烘烤裝置PEB的外部，一系列的熱處理結(jié)束。在本實(shí)施方式中，控制部110在進(jìn)行利用加熱部60對(duì)某個(gè)晶片W熱處理的控制工序時(shí)，基于從線(xiàn)寬測(cè)定裝置20預(yù)先測(cè)定出的其他晶片W的面內(nèi)的抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬的測(cè)定值所求得的溫度修正值，對(duì)加熱部60的設(shè)定溫度進(jìn)行修正，基于修正的設(shè)定溫度，對(duì)加熱部60進(jìn)行控制。對(duì)該控制方法，參照?qǐng)D6，與線(xiàn)寬測(cè)定裝置20 —起進(jìn)行說(shuō)明。圖6是表示線(xiàn)寬測(cè)定裝置的結(jié)構(gòu)的概略的縱截面圖。線(xiàn)寬測(cè)定裝置20例如如圖6所示，具有水平載置晶片W的載置臺(tái)21和光學(xué)式表面形狀測(cè)定儀22。載置臺(tái)21可以是例如X-Y臺(tái)(stage)，能夠在水平方向的二維方向上移動(dòng)。光學(xué)式表面形狀測(cè)定儀22例如具有例如光照射部23、光檢測(cè)部M和計(jì)算部25。光照射部23對(duì)晶片W從斜方向照射光。光檢測(cè)部M檢測(cè)從光照射部23照射、在晶片W反射的光。計(jì)算部25基于該光檢測(cè)部M的受光信息計(jì)算晶片W上的抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬(CD)。線(xiàn)寬測(cè)定裝置20采用例如散射測(cè)量(katterometry)法測(cè)定抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬。在采用散射測(cè)量法的情況下，在計(jì)算部25中，將通過(guò)光檢測(cè)部M檢測(cè)出的晶片W的面內(nèi)的光強(qiáng)度分布，與預(yù)先存儲(chǔ)的預(yù)想的光強(qiáng)度分布進(jìn)行對(duì)照。然后，通過(guò)求得該就經(jīng)過(guò)對(duì)照的預(yù)想的光強(qiáng)度分布相對(duì)應(yīng)的抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬，能夠測(cè)定抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬。另外，線(xiàn)寬測(cè)定裝置20，通過(guò)將晶片W與光照射部23和光檢測(cè)部M相對(duì)地水平移動(dòng)，能夠測(cè)定晶片W的面內(nèi)的多個(gè)測(cè)定點(diǎn)的線(xiàn)寬。線(xiàn)寬測(cè)定裝置20的測(cè)定結(jié)果能夠例如從計(jì)算部25輸出到后述的主體控制部30。將輸出到主體控制部30的測(cè)定結(jié)果，通過(guò)主體控制部30送到曝光后烘烤裝置PEB的控制部110?；诒凰偷娇刂撇?10的測(cè)定結(jié)果，控制部110對(duì)加熱部60的設(shè)定溫度進(jìn)行調(diào)整、控制。接著，參照?qǐng)D6 圖8，對(duì)基于如上構(gòu)成的線(xiàn)寬測(cè)定裝置20所測(cè)定的晶片W的面內(nèi)的抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬的測(cè)定值的分布，曝光后烘烤裝置PEB的控制部110調(diào)整并控制加熱部60的設(shè)定溫度的方法進(jìn)行說(shuō)明。圖7是表示以在晶片上排列的方式形成的多個(gè)芯片的配置與測(cè)定在晶片上形成的抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬(CD)的測(cè)定點(diǎn)的關(guān)系的平面圖。圖8是表示線(xiàn)寬測(cè)定值CD和設(shè)定溫度T的關(guān)系的圖表。在本實(shí)施方式中，如圖7(a)所示，對(duì)例如在12英寸大小的晶片W形成具有例如縱 15mmX橫15mm的正方形的芯片尺寸的芯片CH的情況進(jìn)行說(shuō)明。在形成像這樣的縱15mmX 橫15mm的正方形的芯片(shot，曝光單元)CH時(shí)，包含在晶片W的外周部分的具有正方形的一部分欠缺了的形狀的芯片(欠缺曝光單元(shot))在內(nèi)，合計(jì)321個(gè)芯片(shot，曝光單元)CH。另外，本實(shí)施方式的芯片尺寸，指由曝光時(shí)所用的標(biāo)線(xiàn)(reticule)的1個(gè)曝光單元(Ishot)的區(qū)域。但是，只要是在晶片W上周期地排列形狀的一個(gè)集合即可，也可以是實(shí)際上在晶片W上形成的實(shí)際的芯片尺寸(以下的變形例和實(shí)施方式也一樣)。進(jìn)一步，在本實(shí)施方式中，如圖7 (b)所示，在一個(gè)芯片CH的區(qū)域內(nèi)，令縱3個(gè)位置X橫3個(gè)位置=9個(gè)位置，為測(cè)定線(xiàn)寬(⑶)的測(cè)定點(diǎn)Pl P9。此時(shí)，測(cè)定線(xiàn)寬(⑶)的測(cè)定點(diǎn)Pl P9，以縱5mm、橫5mm的排列間隔二維地排列。另一方面，如用圖5說(shuō)明的那樣，在加熱部60中，5mm(p的紅外LED62無(wú)間隙地排列。因此，測(cè)定線(xiàn)寬(⑶)的各測(cè)定點(diǎn)Pl P9的位置，與各紅外LED62的位置，大致一對(duì)一地對(duì)應(yīng)。在這樣的條件下，曝光后烘烤裝置PEB的控制部110，基于從線(xiàn)寬測(cè)定裝置20預(yù)先測(cè)定出的測(cè)試晶片Wt的抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬的測(cè)定值所求得的溫度設(shè)定值，對(duì)加熱部60的設(shè)定溫度進(jìn)行修正。然后，基于修正后的設(shè)定溫度，對(duì)加熱部60進(jìn)行控制。另外，在本實(shí)施方式中，紅外LED62排列的排列間隔，比晶片W的芯片CH排列的排列間隔小。因此，第一實(shí)施方式的第一變形例也如后所述，能夠減小由曝光時(shí)的標(biāo)線(xiàn)的誤差、透鏡(lens)的像差或曝光單元(芯片)內(nèi)的曝光量的偏差引起的線(xiàn)寬的偏差。預(yù)先，在測(cè)試晶片Wt上進(jìn)行抗蝕劑的涂布處理，對(duì)在測(cè)試晶片Wt上進(jìn)行了抗蝕劑的涂布處理后的測(cè)試晶片Wt進(jìn)行熱處理，由此在測(cè)試晶片Wt上形成抗蝕劑膜。接著，將形成有抗蝕劑膜后的測(cè)試晶片Wt曝光，然后，通過(guò)加熱部60進(jìn)行熱處理。然后，通過(guò)由加熱部60進(jìn)行了熱處理后的測(cè)試晶片Wt進(jìn)行顯影處理，在測(cè)試晶片Wt上形成抗蝕劑圖案。然后，將形成有抗蝕劑圖案后的測(cè)試晶片Wt搬送到線(xiàn)寬測(cè)定裝置20，如圖6所示載置到載置臺(tái)21。接著，對(duì)測(cè)試晶片Wt表面的規(guī)定部分照射來(lái)自光照射部23的光，將其反射光通過(guò)光檢測(cè)部M進(jìn)行檢測(cè)，在計(jì)算部25中算出測(cè)試晶片Wt上的抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬。 在該線(xiàn)寬測(cè)定裝置20中，測(cè)試晶片Wt相對(duì)于光照射部23和光檢測(cè)部M水平移動(dòng)。然后， 如用圖7(a)和圖7(b)說(shuō)明的那樣，對(duì)在測(cè)試晶片Wt的面內(nèi)二維排列的321個(gè)芯片，(缺口芯片除外)分別在9個(gè)位置的測(cè)定點(diǎn)Pl P9測(cè)定線(xiàn)寬(⑶)。線(xiàn)寬測(cè)定結(jié)束后的Wt，返回至盒裝卸臺(tái)2的盒C。然后，將測(cè)試晶片Wt的面內(nèi)的各測(cè)定點(diǎn)的線(xiàn)寬測(cè)定結(jié)果，輸出到主體控制部30。在主體控制部30中，得到測(cè)試晶片Wt的面內(nèi)的各測(cè)定點(diǎn)的線(xiàn)寬的測(cè)定值(線(xiàn)寬測(cè)定值CD)的分布。在求出測(cè)試晶片^的面內(nèi)的各測(cè)定點(diǎn)的線(xiàn)寬測(cè)定值的分布之后，在主體控制部30 中，根據(jù)下面的關(guān)系式(1)，計(jì)算測(cè)試晶片Wt的面內(nèi)的各測(cè)定點(diǎn)的溫度修正值ΔΤ。Δ CD = M · Δ T............ (1)Δ⑶是等于線(xiàn)寬測(cè)定值⑶與預(yù)先設(shè)定的規(guī)定的目標(biāo)線(xiàn)寬OTO之差⑶-⑶0的線(xiàn)寬變化量。另外，溫度修正值Δ T等于修正前的設(shè)定溫度TO與修正后的設(shè)定溫度T之差 Τ-Τ0。進(jìn)一步，M是基于預(yù)先求出的線(xiàn)寬變化量Δ⑶與溫度修正值ΔΤ的相關(guān)而作成的溫度系數(shù)。如圖8所示的一例，例如ArF液浸曝光用等的正性抗蝕劑，一般隨著后曝光溫度上升，存在線(xiàn)寬(CD)變細(xì)的傾向。在圖8的例子中，線(xiàn)寬測(cè)定值CD(nm)和修正前的設(shè)定溫度 TO(0C),具有使靈敏度為-3. 0nm/°C的成大致直線(xiàn)關(guān)系。因此，在主體控制部30中，用關(guān)系式(1)，能夠基于各測(cè)定點(diǎn)的線(xiàn)寬測(cè)定值CD算出與各測(cè)定點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的各紅外LED62的溫度修正值A(chǔ)T0在本實(shí)施方式中，如圖5所示，突起81和溫度傳感器82設(shè)置為四個(gè)位置。在這種情況下，基于如上述那樣得到的各測(cè)定點(diǎn)數(shù)據(jù)通過(guò)近似曲線(xiàn)求得目標(biāo)溫度分布，使用在該目標(biāo)溫度分布中與四個(gè)位置的溫度傳感器82對(duì)應(yīng)的測(cè)定點(diǎn)的溫度修正值△ T的值，對(duì) 29個(gè)位置的溫度傳感器82的溫度設(shè)定值進(jìn)行修正。以下，對(duì)使用基于線(xiàn)寬測(cè)定裝置20的線(xiàn)寬(CD)的測(cè)定結(jié)果求出溫度的各測(cè)定點(diǎn)中一部分測(cè)定點(diǎn)的溫度修正值Δ T，修正加熱部 60的設(shè)定溫度T的例子進(jìn)行說(shuō)明。接著，將各溫度修正值Δ T的信息，從主體控制部30輸出到曝光后烘烤裝置PEB 的控制部110。然后，在控制部110中，基于各溫度修正值ΔΤ的信息，對(duì)加熱部60的設(shè)定溫度進(jìn)行修正，調(diào)整為新的設(shè)定溫度。這里，加熱部60的設(shè)定溫度，指例如將由溫度傳感器 82所測(cè)定的溫度控制成接近該溫度的溫度。然后，基于修正(調(diào)整)后的設(shè)定溫度，控制部 110對(duì)加熱部60進(jìn)行控制，以使例如由溫度傳感器82測(cè)定的溫度成為修正后的設(shè)定溫度。 如上所述，通過(guò)將溫度傳感器82設(shè)置在突起81，能夠在更靠近晶片W的位置測(cè)定晶片W的溫度，因此能夠在控制部110控制加熱部60時(shí)，精度更高地控制晶片W的溫度。另外，控制部110對(duì)加熱部60進(jìn)行控制以使由溫度傳感器82測(cè)定的溫度成為修正后的設(shè)定溫度時(shí)，通過(guò)進(jìn)一步增加溫度傳感器82的個(gè)數(shù)，能夠進(jìn)一步高精度地修正溫度設(shè)定值。另外，也可以設(shè)置與在載置部80設(shè)置的溫度傳感器82不同的溫度傳感器，例如用于測(cè)定位于模塊基板61的晶片W的溫度的溫度傳感器，以使通過(guò)該溫度傳感器測(cè)定的溫度，成為修正后的設(shè)定溫度的方式，對(duì)加熱部60進(jìn)行控制。
另外，也可以進(jìn)一步，在模塊基板61，以與紅外LED62的排列間隔大致相等的排列間隔設(shè)置溫度傳感器?；蛘?，也可以預(yù)先取得各紅外LED62的電壓電流特性的溫度依存性， 控制部110基于各紅外LED62的電壓電流特性算出加熱處理中的溫度。這樣，通過(guò)以與紅外LED62的排列間隔大致相等的排列間隔設(shè)置溫度傳感器，能夠以與紅外LED62大致相同的空間分解能，使晶片W的溫度均勻化。另外，在本實(shí)施方式中，對(duì)在熱處理制品晶片W時(shí)，基于預(yù)先針對(duì)測(cè)試晶片Wt求出的溫度修正值，修正加熱部60的設(shè)定溫度的例子進(jìn)行了說(shuō)明。但是，也可以在以后的對(duì)制品晶片W進(jìn)行熱處理時(shí)，基于初始的針對(duì)制品晶片W求出的溫度修正值，對(duì)加熱部60的設(shè)定溫度進(jìn)行修正。另一方面，參照?qǐng)D9 圖11，對(duì)在曝光后烘烤裝置PEB中，加熱部不具有二維排列的對(duì)晶片W進(jìn)行加熱的多個(gè)加熱元件的情況，作為比較例進(jìn)行說(shuō)明。圖9和圖10分別是表示比較例的曝光后烘烤裝置的概略正面圖和概率平面圖。圖 11是表示比較例的曝光后烘烤裝置的熱板的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。比較例的曝光后烘烤裝置PEB，如圖9和圖10所示，在框體200內(nèi)，具有對(duì)晶片W 進(jìn)行加熱處理的加熱部％0，和對(duì)晶片W進(jìn)行冷卻處理的冷卻部W0。加熱部260如圖9所示，具有位于上側(cè)、上下活動(dòng)自由的蓋體M0，和位于下側(cè)、與該蓋體240為一體地形成處理室S的收容部250。在蓋體240的頂部的中央，連接有排氣管M1，能夠?qū)⑻幚硎襍內(nèi)的空氣，經(jīng)由排氣管241通過(guò)未圖示的排氣部排出。另外，在比較例的曝光后烘烤裝置PEB中，具有熱板261，用以代替具有呈二維排列的多個(gè)加熱元件的加熱部。如圖11所示，熱板261被劃分為多個(gè)區(qū)域，例如六個(gè)熱板區(qū)域Jl、J2、J3、J4、J5、J6。熱板區(qū)域Jl J6，例如以俯視時(shí)呈扇形狀地將熱板261六等分的方式被劃分。在熱板的各熱板區(qū)域Jl J6中，個(gè)別地內(nèi)置有通過(guò)供電來(lái)發(fā)熱的加熱器 262,能夠?qū)γ總€(gè)熱板區(qū)域Jl J6進(jìn)行加熱。各熱板區(qū)域Jl J6的加熱器262的發(fā)熱量， 通過(guò)例如控制部310進(jìn)行調(diào)整。另外，控制部310與主體控制部330連接。在冷卻部290中，設(shè)置有載置晶片W并進(jìn)行冷卻的冷卻板四1。冷卻板291例如如圖10所示具有大致方形的平板形狀，熱板261側(cè)的端面向外側(cè)以凸的圓弧狀彎曲。在冷卻板的內(nèi)部，內(nèi)置有例如珀耳帖元件等冷卻部件四2，能夠?qū)⒗鋮s板291調(diào)整到規(guī)定的設(shè)定溫度，這一點(diǎn)與本實(shí)施方式相同。冷卻板安裝在向著熱板一側(cè)延伸的導(dǎo)軌(rail093。冷卻板能夠通過(guò)驅(qū)動(dòng)部294在導(dǎo)軌293上移動(dòng)，移動(dòng)至熱板261的上方。如圖10所示，在夾著冷卻板291 的框體200的兩側(cè)壁，形成有用于將晶片W搬入搬出的搬入搬出口 201。另外，在冷卻板，沿著X方向形成有兩個(gè)縫隙300。通過(guò)該縫隙300能夠防止向加熱部260側(cè)移動(dòng)的冷卻板與突出到熱板261上的升降銷(xiāo)301的干擾(干涉)。升降銷(xiāo)301由升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)302進(jìn)行升降驅(qū)動(dòng)。另外，在冷卻板四1的下方，設(shè)置有升降銷(xiāo) 303。升降銷(xiāo)303由升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)304進(jìn)行升降驅(qū)動(dòng)。升降銷(xiāo)303能夠從冷卻板的下方上升，通過(guò)縫隙300向冷卻板的上方突出。在比較例中，在各熱板區(qū)域Jl J6內(nèi)，不能夠?qū)⒓訜崞?62的發(fā)熱量在各區(qū)域內(nèi)進(jìn)一步分割調(diào)整。因此，如本實(shí)施方式中說(shuō)明的那樣，即使溫度傳感器設(shè)置在四個(gè)位置，也不能夠以對(duì)通過(guò)該溫度傳感器所計(jì)測(cè)出的溫度分布進(jìn)行修正的方式，對(duì)各熱板區(qū)域Jl J6的加熱器沈2的發(fā)熱量進(jìn)行調(diào)整。因此，不能夠用基于線(xiàn)寬測(cè)定裝置的線(xiàn)寬測(cè)定結(jié)果求出溫度的各測(cè)定點(diǎn)的溫度修正值，對(duì)溫度傳感器的溫度設(shè)定值進(jìn)行修正，不能夠降低晶片W 的面內(nèi)的線(xiàn)寬的偏差。另外，在比較例中，在各熱板區(qū)域Jl J6內(nèi)，為了使熱板沈1的溫度穩(wěn)定化，在進(jìn)行曝光后烘烤之前，必須預(yù)先對(duì)加熱器262供電，使其達(dá)到設(shè)定溫度。因此，不管是在熱板 261載置有晶片W時(shí)，還是在熱板261沒(méi)有載置晶片W時(shí)，都必須對(duì)加熱器262供電，總是將其加熱到100 V左右，需要對(duì)加熱器262供給待機(jī)電力。另外，在比較例中，冷卻板290與加熱部260相鄰地設(shè)置。因此，曝光后烘烤裝置 PEB的框體200的設(shè)置面積(占用面積footprint)，是加熱部260的設(shè)置面積(占用面積) 和冷卻板四0的設(shè)置面積(占用面積)的總和。另一方面，在本實(shí)施方式中，加熱部60配置有多個(gè)小的加熱元件62。另外，如上所述，能夠采用由線(xiàn)寬測(cè)定裝置20測(cè)定了線(xiàn)寬(CD)后的晶片W的面內(nèi)的多個(gè)測(cè)定點(diǎn)的溫度修正值△ T。由此，能夠精度更高地對(duì)四個(gè)位置全部的溫度傳感器82的溫度設(shè)定值進(jìn)行修正，能夠降低晶片W的面內(nèi)的線(xiàn)寬的偏差。另外，在本實(shí)施方式中，由于對(duì)晶片W照射紅外線(xiàn)進(jìn)行加熱，所以能夠按照只在進(jìn)行曝光后烘烤的期間，對(duì)加熱部60的各加熱元件62供電的方式運(yùn)用。因此，在載置部80 沒(méi)有載置晶片W時(shí)，不需要對(duì)加熱部60供電，不需要供給待機(jī)電力。由此，能夠降低曝光后烘烤裝置PEB的消耗電力。另外，在本實(shí)施方式中，在加熱部60的下方設(shè)置有冷卻板90。因此，曝光后烘烤裝置PEB的設(shè)置面積(占用面積)，只要有加熱部60的設(shè)置面積(占用面積)的量即可，不需要有冷卻板90單獨(dú)的設(shè)置面積(占用面積)。具體而言，對(duì)于形成有線(xiàn)寬目標(biāo)值為83. 9nm的抗蝕劑圖案的晶片W，在溫度修正前后在晶片W的面內(nèi)線(xiàn)寬(CD)的偏差3σ降低了多少，對(duì)上述的本實(shí)施方式與比較例進(jìn)行比較。在本實(shí)施方式的方法中，3 σ從溫度修正前的1. 81nm降低到0. 27nm。另一方面，在比較例中，3σ從溫度修正前的l.Slnm只降低到1.61nm。因此，通過(guò)采用本實(shí)施方式的熱處理裝置和熱處理方法進(jìn)行溫度修正，能夠降低晶片W的面內(nèi)的線(xiàn)寬(CD)的偏差。以上，根據(jù)本實(shí)施方式，基于之前的基板的面內(nèi)的抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬的測(cè)定值，求得該基板的面內(nèi)的溫度修正值，在后面對(duì)基板進(jìn)行熱處理時(shí)，基于該溫度修正值，對(duì)加熱部的設(shè)定溫度進(jìn)行修正。由此，對(duì)基板進(jìn)行熱處理的熱處理裝置和該熱處理裝置的熱處理方法中，能夠降低基板的面內(nèi)的線(xiàn)寬的偏差，能夠降低消耗電力。進(jìn)一步，根據(jù)本實(shí)施方式，在加熱部的下方設(shè)置有冷卻板。因此，不需要對(duì)冷卻板在俯視下與加熱部不同的位置設(shè)置冷卻板。因此，能夠降低抗蝕劑涂布顯影處理系統(tǒng)的占用面積。(第一實(shí)施方式的第一變形例)接著，參照?qǐng)D12，對(duì)第一實(shí)施方式的第一變形例的熱處理裝置和熱處理方法進(jìn)行說(shuō)明。本變形例的熱處理裝置和熱處理方法，基于將晶片的面內(nèi)的多個(gè)測(cè)定點(diǎn)的抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬的測(cè)定值進(jìn)行平均而得的平均值，求得溫度修正值，這一方面與第一實(shí)施方式的熱處理裝置和熱處理方法不同。圖12是表示以在晶片上排列的方式形成的多個(gè)芯片的配置，與測(cè)定形成在晶片上的抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬(CD)的測(cè)定點(diǎn)的關(guān)系的平面圖。另外，在以下文中，存在對(duì)前面說(shuō)明過(guò)的部分采用同樣的附圖標(biāo)記，省略其說(shuō)明的情況(以下的變形例和實(shí)施方式也一樣)。在本變形例中，如圖12(a)所示，對(duì)在例如12英寸大小的晶片W，形成具有縱 15mmX橫15mm的正方形的芯片尺寸的芯片CH的情況進(jìn)行說(shuō)明。另外，在本變形例中，在該一個(gè)芯片CH的區(qū)域內(nèi)，如圖12(b)所示，令縱3個(gè)位置X橫3個(gè)位置=9個(gè)位置，為測(cè)定線(xiàn)寬(CD)的測(cè)定點(diǎn)。即，測(cè)定線(xiàn)寬(CD)的測(cè)定點(diǎn)，以縱5mm、橫5mm的排列間隔二維地排列。但是，在本變形例中，在控制部110進(jìn)行通過(guò)加熱部60熱處理某個(gè)晶片W的控制工序時(shí)，使用對(duì)芯片CH內(nèi)的例如9個(gè)測(cè)定點(diǎn)Pl P9的線(xiàn)寬(CD)的測(cè)定值進(jìn)行平均而得的平均值CDave。然后，將線(xiàn)寬CDave，視為該芯片CH的測(cè)定點(diǎn)的代表點(diǎn)例如測(cè)定點(diǎn)P5的線(xiàn)
覓ο另外，在由于時(shí)間關(guān)系難以進(jìn)行芯片內(nèi)多個(gè)位置的測(cè)定的情況下，也能夠通過(guò)作為代表只測(cè)定一個(gè)位置例如P5，視作該芯片的代表值。求出測(cè)試晶片Wt的各芯片CH的線(xiàn)寬平均值CDave之后，在主體控制部30中，通過(guò)上述關(guān)系式(1)，算出測(cè)試晶片Wt的各芯片CH的溫度修正值ΔΤ。接著，將各溫度修正值 Δ T的信息，從主體控制部30輸出到曝光后烘烤裝置PEB的控制部110。然后，在控制部 110中，基于各溫度修正值ΔΤ的信息，修正加熱部60的設(shè)定溫度，調(diào)整到新的設(shè)定溫度。能夠?qū)⒂脠D7說(shuō)明的某個(gè)芯片CH內(nèi)的各測(cè)定點(diǎn)Pl Ρ9的線(xiàn)寬OTl ⑶9，分為某個(gè)芯片CH的測(cè)定值的平均值CDave成分，和與某個(gè)芯片CH內(nèi)的測(cè)定值的平均值CDave的差 Dl D9 成分。BP CDl = CDAVE+D1、CD2 = CD艦+D2、…CD9 = CDAVE+D9。其中，平均值的成分CDave的芯片CH間的偏差，主要起因于晶片W的面內(nèi)的曝光量或曝光后烘烤的溫度的偏差。另外，差的成分Dl D9的芯片CH內(nèi)的偏差，主要起因于曝光時(shí)的標(biāo)線(xiàn)誤差、透鏡像差或曝光單元(shot)(芯片)CH內(nèi)的曝光量的偏差。因此，在本變形例中，在將芯片CH內(nèi)的各測(cè)定點(diǎn)Pl P9的線(xiàn)寬OTl ⑶9用平均值CDave代表進(jìn)行表示的情況下，也能夠表示晶片W的面內(nèi)的曝光量或曝光后烘烤的溫度的偏差。在本變形例中，不使用全部的線(xiàn)寬的測(cè)定點(diǎn)處的測(cè)定值，不計(jì)算測(cè)試晶片Wt的全部測(cè)定點(diǎn)處的溫度修正值。例如，使用一個(gè)芯片內(nèi)的測(cè)定點(diǎn)處的線(xiàn)寬平均值。但是，當(dāng)如本變形例那樣芯片CH的排列間隔比溫度傳感器的排列間隔小時(shí)，能夠?qū)⒕琖的面內(nèi)的溫度，用更加充分的空間分解能均勻化。具體而言，對(duì)于形成有線(xiàn)寬目標(biāo)值為83. 9nm的抗蝕劑圖案的晶片W，在溫度修正前后在晶片W的面內(nèi)線(xiàn)寬(CD)的偏差3σ降低了多少，對(duì)本變形例與第一實(shí)施方式中上述的比較例進(jìn)行比較。在本變形例的方法中，3 σ從溫度修正前的l.Slnm降低到U6nm。另一方面，在比較例中，3 σ從溫度修正前的1. 8Inm只降低到1. 6Inm0因此，在本變形例中，也與第一實(shí)施方式同樣地，能夠降低晶片的面內(nèi)的線(xiàn)寬的偏差，并且能夠減少線(xiàn)寬測(cè)定裝置的控制部和曝光后烘烤裝置的控制部的處理量。由此，能夠
17降低裝置成本和消耗電力。(第一實(shí)施方式的第二變形例)接著，參照?qǐng)D13，對(duì)第一實(shí)施方式的第二變形例的熱處理裝置和熱處理方法進(jìn)行說(shuō)明。本變形例的熱處理裝置和熱處理方法，在晶片的與中心側(cè)相比更靠近周緣側(cè)，進(jìn)行細(xì)微的溫度控制，這一方面與第一實(shí)施方式的熱處理裝置和熱處理方法不同。另外，在本變形例中，在晶片的與中心側(cè)相比更靠近周緣側(cè)，可以以更小的間隔設(shè)置具有溫度傳感器的突起。另外，在晶片的與中心側(cè)相比更靠近周緣側(cè)，可以以更小的間隔測(cè)定線(xiàn)寬。或者，在晶片的與中心側(cè)相比更靠近周緣側(cè)，可以以更小的間隔設(shè)置多個(gè)加熱元件。在這里，代表這些情況，對(duì)在晶片的與中心側(cè)相比更靠近周緣側(cè)，以更小的間隔設(shè)置具有溫度傳感器的突起的情況進(jìn)行說(shuō)明。圖13是本變形例的曝光后烘烤裝置卸下蓋體時(shí)的概略平面圖。但是，在圖13中， 為了容易圖示，省略了紅外LED62和貫通孔63的圖示。在本變形例中，如圖13所示，晶片W的與中心側(cè)相比更靠近周緣側(cè)，特別是外周附近，將具有溫度傳感器82的突起81以小的間隔配置而進(jìn)行設(shè)置。在本變形例中，在進(jìn)行通過(guò)加熱部60熱處理制品晶片W的控制工序時(shí)，基于測(cè)試晶片Wt的面內(nèi)的測(cè)定點(diǎn)的線(xiàn)寬的測(cè)定值，在主體控制部30中，通過(guò)上述關(guān)系式(1)，計(jì)算各測(cè)定點(diǎn)的溫度修正值ΔΤ。接著，將各溫度修正值Δ T的信息，從主體控制部30輸出到曝光后烘烤裝置PEB的控制部110。然后，在控制部110中，基于各溫度修正值ΔΤ的信息，修正加熱部60的設(shè)定溫度，調(diào)整到新的設(shè)定溫度。然后，基于修正(調(diào)整)后的設(shè)定溫度，控制部110以使通過(guò)溫度傳感器82測(cè)定的溫度，成為修正后的設(shè)定溫度的方式，對(duì)加熱部60進(jìn)行控制。此時(shí)，在晶片W的與中心側(cè)相比更靠近周緣側(cè)，以更小的間隔設(shè)置有溫度傳感器 82 (突起81)。因此，在晶片W的周緣側(cè)，能夠精度更高地對(duì)進(jìn)行曝光后烘烤時(shí)的晶片W的溫度分布進(jìn)行控制。其結(jié)果是，在晶片W的周緣側(cè)，也與晶片W的中心側(cè)同樣地，能夠降低線(xiàn)寬(⑶)的寬度尺寸的偏差。具體而言，對(duì)于形成線(xiàn)寬目標(biāo)值為83. 9nm的抗蝕劑圖案的晶片W，在溫度修正前后在晶片W的面內(nèi)線(xiàn)寬(CD)的偏差3σ降低了多少，對(duì)本變形例與第一實(shí)施方式中上述的比較例進(jìn)行比較。在本變形例的方法中，3 σ從溫度修正前的3. 89nm降低到0. 63nm。另一方面，在比較例中，3 σ從溫度修正前的3. 89nm只降低到2. 42nm。因此，能夠進(jìn)一步降低晶片W的面內(nèi)的線(xiàn)寬的偏差。(第二實(shí)施方式)接著，參照?qǐng)D14和圖15，對(duì)第二實(shí)施方式的熱處理裝置和熱處理方法進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施方式的熱處理裝置和熱處理方法，加熱部在多個(gè)發(fā)光元件和晶片之間，具有透過(guò)或遮斷發(fā)光元件發(fā)射的紅外線(xiàn)的多個(gè)液晶元件，這一方面與第一實(shí)施方式的熱處理裝置和熱處理方法不同。圖14是表示本實(shí)施方式的曝光后烘烤裝置的概略正面圖。圖15是本實(shí)施方式的曝光后烘烤裝置卸下蓋體時(shí)的概略平面圖。如圖14所示，曝光后烘烤裝置PEB具有蓋體40、收容部50、加熱部60a、載置部80a、升降銷(xiāo)100和控制部110，這與第一實(shí)施方式相同。另外，蓋體40、收容部50、升降銷(xiāo) 100和控制部110，與第一實(shí)施方式相同。另一方面，加熱部60a，在發(fā)光元件62和晶片W之間具有由多個(gè)液晶元件72構(gòu)成的液晶面板70。另外，載置部80a，從加熱部60a的液晶面板70向上方突出設(shè)置。如圖14所示，加熱部60a在多個(gè)發(fā)光元件62和晶片W之間，具有液晶面板70。液晶面板70如圖15所示，在模塊基板71上，具有大致在同一平面上呈大致格子狀地二維排列的液晶元件(像素)72。各液晶元件72能夠在每個(gè)液晶元件(像素)72能夠進(jìn)行控制地透過(guò)或遮斷發(fā)光元件62發(fā)射的紅外線(xiàn)。另外，控制部110在進(jìn)行熱處理某個(gè)晶片W的控制工序時(shí)，控制紅外線(xiàn)透過(guò)各個(gè)液晶元件(像素)72的透過(guò)率。如圖15所示，載置部80a，是從加熱部60a的液晶面板70向上方突出設(shè)置的多個(gè)突起81。晶片W以被多個(gè)突起81保持的方式被載置。通過(guò)將晶片W由多個(gè)突起81保持， 載置部80a，能夠從包含排列有液晶元件72的液晶面板70的加熱部60a的上端起向上方離開(kāi)規(guī)定的距離地將晶片W保持。由此，能夠在晶片W的下表面和加熱部60a之間設(shè)置空間。通過(guò)設(shè)置空間，即使在有污物附著在加熱部60a上的情況下，也能夠防止該污物附著到晶片W上。另外通過(guò)被紅外LED62加熱的晶片W，能夠防止紅外LED62自身被加熱而受到損傷。在多個(gè)突起81，與第一實(shí)施方式同樣地，設(shè)置有測(cè)定所載置的晶片W的溫度的溫度傳感器82。通過(guò)設(shè)置溫度傳感器82，能夠在更靠近晶片W的位置測(cè)定晶片W的溫度。在本實(shí)施方式中，作為液晶面板70，能夠使用液晶元件72的一個(gè)像素尺寸約為 0. 2mm的液晶面板。另外，如上所述，作為紅外LED62，直徑5mmcp左右的LED，呈大致格子狀地規(guī)則地?zé)o間隙地排列。即，液晶元件72的間隔，比發(fā)光元件62的間隔小。此時(shí)，通過(guò)在發(fā)光元件62和晶片W之間具有液晶面板70，能夠?qū)琖的面內(nèi)的溫度的分布進(jìn)行更精細(xì)的控制。另外，在本實(shí)施方式中，如第一實(shí)施方式的第一變形例中說(shuō)明的那樣，可以基于某個(gè)芯片CH內(nèi)的線(xiàn)寬的測(cè)定值的平均值CDatc，求得該芯片CH內(nèi)的溫度修正值ΔΤ。另外，在本實(shí)施方式中，如第一實(shí)施方式的第二變形例中說(shuō)明的那樣，也可以在晶片W的與中心側(cè)相比更靠近周緣側(cè)，進(jìn)行精細(xì)的溫度控制。(第三實(shí)施方式)接著，參照?qǐng)D16，對(duì)第三實(shí)施方式的涂布顯影處理系統(tǒng)和涂布顯影處理方法進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施方式的涂布顯影處理系統(tǒng)和涂布顯影處理方法，具有以使曝光后的晶片的芯片排列的方向，與加熱元件排列的方向大致平行的方式，進(jìn)行對(duì)位的對(duì)準(zhǔn)裝置，這一方面與第一實(shí)施方式不同。圖16是表示本實(shí)施方式的涂布顯影處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的概略的平面圖。如圖16所示，涂布顯影處理系統(tǒng)la，具有盒裝卸臺(tái)2、處理臺(tái)3、接口臺(tái)4連接成一體的結(jié)構(gòu)，這一方面與第一實(shí)施方式相同。另外，盒裝卸臺(tái)2和接口臺(tái)4也與第一實(shí)施方式相同。另外，處理臺(tái)3中，以下說(shuō)明的過(guò)渡裝置TSR以外的部分，也包含曝光后烘烤裝置 PEB，也與第一實(shí)施方式相同。另一方面，設(shè)置在處理臺(tái)3的接口臺(tái)4 一側(cè)的過(guò)渡裝置TRS，具有用于進(jìn)行對(duì)晶片對(duì)位的對(duì)準(zhǔn)工序的功能。在各晶片W中，作為用于進(jìn)行對(duì)位的基準(zhǔn)，將晶片W的周緣的一部分直線(xiàn)地切斷，形成所謂的被稱(chēng)為定向平面(WF)的缺口部(cut-out)，和要在晶片W的周緣的一部分形成凹陷的所謂被稱(chēng)為凹槽(Iiotch)(WN)的缺口部。因此，也可以具有用于以形成在晶片W的小的缺口(凹槽)為基準(zhǔn)進(jìn)行對(duì)位的凹槽對(duì)準(zhǔn)處理的功能。以下，對(duì)具有凹槽WN的晶片W，對(duì)進(jìn)行缺口部WN的對(duì)位的凹槽對(duì)準(zhǔn)處理的例子進(jìn)行說(shuō)明。另外，本實(shí)施方式的過(guò)渡裝置TRS，相當(dāng)于本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)裝置。另外，在本實(shí)施方式中進(jìn)行對(duì)位的工序，相當(dāng)于本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)工序。如圖16所示，過(guò)渡裝置TRS，具有旋轉(zhuǎn)載置臺(tái)120，和以例如從上下夾著載置在旋轉(zhuǎn)載置臺(tái)120的晶片W的周緣的方式相對(duì)地配置的光學(xué)機(jī)構(gòu)121。過(guò)渡裝置TRS在旋轉(zhuǎn)載置臺(tái)120上使晶片W旋轉(zhuǎn)，通過(guò)光學(xué)機(jī)構(gòu)121獲得關(guān)于晶片W的周緣的周緣形狀(profile， 輪廓)的信息。然后，基于獲得的信息，求得相對(duì)于晶片W的旋轉(zhuǎn)載置臺(tái)120的旋轉(zhuǎn)中心的偏心量和偏心方向，進(jìn)行對(duì)位。接著，再次獲得關(guān)于晶片W周緣的周緣形狀的信息，根據(jù)該信息求得晶片W的切口部WN的方向。然后，使旋轉(zhuǎn)載置臺(tái)120旋轉(zhuǎn)規(guī)定量，對(duì)第一搬送裝置9進(jìn)行晶片W的切口部WN的方向的對(duì)位。如上構(gòu)成的涂布顯影處理系統(tǒng)Ia的晶片W的涂布顯影處理過(guò)程，和晶片W的面內(nèi)的線(xiàn)寬測(cè)定過(guò)程，以如下的方式進(jìn)行。首先，通過(guò)圖1所示的晶片搬送體7，從盒載置臺(tái)5上的盒C內(nèi)逐片取出制品用晶片Wn(η為大于1的自然數(shù))，通過(guò)接口臺(tái)4的晶片搬送體11搬送到未圖示的曝光裝置中， 進(jìn)行曝光。到此為止的各個(gè)工序，能夠與第一實(shí)施方式相同。另一方面，將曝光處理結(jié)束后的晶片Wn，通過(guò)晶片搬送體11傳遞給接口臺(tái)4 一側(cè)的過(guò)渡裝置TRS。傳遞給過(guò)渡裝置TRS的晶片fe，以切口部WN為基準(zhǔn)進(jìn)行對(duì)位(對(duì)準(zhǔn)工序)。將對(duì)位(對(duì)準(zhǔn)工序)結(jié)束后的晶片Wn，通過(guò)第一搬送裝置9，搬送到曝光后烘烤裝置 PEB，實(shí)施曝光后烘烤。接著，從被搬送到高精度溫度調(diào)節(jié)裝置CPL進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)起，到通過(guò)晶片搬送體7 返回至盒C為止，能夠與第一實(shí)施方式相同。如用圖7說(shuō)明的那樣，形成在晶片W上的芯片CH，通常呈格子狀地排列。為了降低晶片W的面內(nèi)的抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬的偏差，優(yōu)選使呈格子狀地排列的芯片CH的排列方向， 如用圖5說(shuō)明的那樣，以與呈格子狀地排列的紅外LED62的排列方向大致平行的方式一致 (對(duì)齊)。但是，將曝光結(jié)束后的晶片W保持狀態(tài)不變地送入曝光后烘烤裝置PEB的情況下， 芯片CH的排列方向與紅外LED62的排列方向不平行。在本實(shí)施方式中，通過(guò)使用設(shè)置在過(guò)渡裝置TRS的旋轉(zhuǎn)載置臺(tái)120和光學(xué)機(jī)構(gòu)121 的對(duì)準(zhǔn)功能，將晶片W的切口部WN的方向?qū)ξ恢?，送入曝光后烘烤裝置PEB，進(jìn)行熱處理。 由此，能夠使形成在晶片W的芯片CH的排列方向，以與紅外LED62的排列方向大致平行的方式一致，能夠進(jìn)一步降低各芯片CH間的溫度偏差。以上對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，但本發(fā)明不僅限于所述特定的實(shí)施方式，能夠在權(quán)利要求的范圍內(nèi)記載的本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變形、變更。另外，本發(fā)明的熱處理裝置，不僅適用于涂布顯影處理系統(tǒng)，也能夠適用于成膜裝置、蝕刻裝置和其他各種裝置。另外，本發(fā)明也能夠適用于包含搬送半導(dǎo)體基板、玻璃基板和其他各種基板的工序的裝置。
權(quán)利要求
1.一種熱處理裝置，在對(duì)基板上形成有抗蝕劑膜的所述基板進(jìn)行曝光后，為了通過(guò)進(jìn)行顯影處理在所述基板上形成抗蝕劑圖案，在進(jìn)行顯影處理前對(duì)曝光后的所述基板進(jìn)行熱處理，所述熱處理裝置的特征在于，包括加熱部，其具有呈二維排列的多個(gè)加熱元件，對(duì)曝光后的所述基板進(jìn)行熱處理；載置部，其設(shè)置在所述加熱部的上方，載置所述基板；和控制部，其在利用所述加熱部對(duì)一個(gè)基板進(jìn)行熱處理時(shí)，基于溫度修正值對(duì)所述加熱部的設(shè)定溫度進(jìn)行修正，基于修正后的所述設(shè)定溫度，對(duì)所述加熱部進(jìn)行控制，該溫度修正值是根據(jù)在預(yù)先由所述加熱部進(jìn)行熱處理后通過(guò)進(jìn)行顯影處理而形成有所述抗蝕劑圖案的其他基板的所述抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬的測(cè)定值求得的。
2.如權(quán)利要求1所述的熱處理裝置，其特征在于所述加熱元件是發(fā)射紅外線(xiàn)的發(fā)光元件，所述控制部，在對(duì)所述一個(gè)基板進(jìn)行熱處理時(shí)，對(duì)從各個(gè)所述發(fā)光元件到達(dá)所述基板的光量進(jìn)行控制。
3.如權(quán)利要求2所述的熱處理裝置，其特征在于所述發(fā)光元件是發(fā)光二極管。
4.如權(quán)利要求2或3所述的熱處理裝置，其特征在于所述加熱部具有多個(gè)液晶元件，該多個(gè)液晶元件在所述多個(gè)發(fā)光元件與所述基板之間呈二維排列，透過(guò)或遮斷所述發(fā)光元件發(fā)射的紅外線(xiàn)，所述控制部，在對(duì)所述一個(gè)基板進(jìn)行熱處理時(shí)，對(duì)所述紅外線(xiàn)透過(guò)各個(gè)所述液晶元件的透過(guò)率進(jìn)行控制。
5.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的熱處理裝置，其特征在于所述載置部具有多個(gè)突起，該多個(gè)突起從所述加熱部向上方突出地設(shè)置，將被載置的所述基板保持在從所述加熱部的上端起向上方離開(kāi)規(guī)定的距離的位置。
6.如權(quán)利要求5所述的熱處理裝置，其特征在于具有溫度傳感器，該溫度傳感器設(shè)置于所述多個(gè)突起，對(duì)被載置的所述基板的溫度進(jìn)行測(cè)定。
7.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的熱處理裝置，其特征在于具有冷卻部，該冷卻部設(shè)置在所述加熱部的下方，對(duì)所述基板或所述加熱部進(jìn)行冷卻。
8.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的熱處理裝置，其特征在于所述基板以多個(gè)芯片排列在所述基板上的方式形成，所述多個(gè)加熱元件的排列間隔，比所述多個(gè)芯片的排列間隔小。
9.一種涂布顯影處理系統(tǒng)，其在基板上進(jìn)行抗蝕劑的涂布處理，對(duì)所述基板上經(jīng)過(guò)了所述抗蝕劑的涂布處理后的所述基板進(jìn)行熱處理，由此在所述基板上形成抗蝕劑膜，在對(duì)形成有所述抗蝕劑膜的所述基板進(jìn)行曝光后，通過(guò)進(jìn)行顯影處理，在所述基板上形成抗蝕劑圖案，所述涂布顯影處理系統(tǒng)的特征在于，包括在對(duì)曝光后的所述基板進(jìn)行顯影處理前，對(duì)所述基板進(jìn)行熱處理的權(quán)利要求1 權(quán)利要求8中任一項(xiàng)所述的熱處理裝置；和對(duì)所述抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬進(jìn)行測(cè)定的線(xiàn)寬測(cè)定裝置，所述控制部，其在利用所述加熱部對(duì)所述一個(gè)基板進(jìn)行熱處理時(shí)，基于所述溫度修正值對(duì)所述設(shè)定溫度進(jìn)行修正，所述溫度修正值是基于預(yù)先由所述線(xiàn)寬測(cè)定裝置測(cè)定出的所述其他基板的所述線(xiàn)寬的測(cè)定值而求得的。
10.如權(quán)利要求9所述的涂布顯影處理系統(tǒng)，其特征在于所述基板以多個(gè)芯片排列在所述基板上的方式形成，具有對(duì)準(zhǔn)裝置，在將曝光后的所述基板載置于所述載置部時(shí)該對(duì)準(zhǔn)裝置進(jìn)行對(duì)位，以使所述多個(gè)芯片排列的方向與所述多個(gè)加熱元件排列的方向大致平行。
11.一種熱處理方法，在對(duì)基板上形成有抗蝕劑膜的所述基板進(jìn)行曝光后，為了通過(guò)進(jìn)行顯影處理在所述基板上形成抗蝕劑圖案，在進(jìn)行顯影處理前利用熱處理裝置對(duì)曝光后的所述基板進(jìn)行熱處理，該熱處理裝置包括對(duì)基板進(jìn)行熱處理的具有呈二維排列的多個(gè)加熱元件的加熱部；和設(shè)置在所述加熱部的上方的載置所述基板的載置部，所述熱處理方法的特征在于具有控制工序，在利用所述加熱部對(duì)一個(gè)基板進(jìn)行熱處理時(shí)，基于溫度修正值對(duì)所述加熱部的設(shè)定溫度進(jìn)行修正，基于修正后的所述設(shè)定溫度，對(duì)所述加熱部進(jìn)行控制，該溫度修正值是根據(jù)在預(yù)先由所述加熱部進(jìn)行熱處理后通過(guò)進(jìn)行顯影處理而形成有所述抗蝕劑圖案的其他基板的所述抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬的測(cè)定值求出的。
12.如權(quán)利要求11所述的熱處理方法，其特征在于所述加熱元件是發(fā)射紅外線(xiàn)的發(fā)光元件，在所述控制工序中，在對(duì)所述一個(gè)基板進(jìn)行熱處理時(shí)，對(duì)從各個(gè)所述發(fā)光元件到達(dá)所述基板的光量進(jìn)行控制。
13.如權(quán)利要求12所述的熱處理方法，其特征在于所述發(fā)光元件是發(fā)光二極管。
14.如權(quán)利要求12或權(quán)利要求13所述的熱處理方法，其特征在于所述加熱部具有多個(gè)液晶元件，該多個(gè)液晶元件在所述多個(gè)發(fā)光元件與所述基板之間呈二維排列，透過(guò)或遮斷所述發(fā)光元件發(fā)射的紅外線(xiàn)，在所述控制工序中，在對(duì)所述一個(gè)基板進(jìn)行熱處理時(shí)，對(duì)所述紅外線(xiàn)透過(guò)各個(gè)所述液晶元件的透過(guò)率進(jìn)行控制。
15.如權(quán)利要求11 13中任一項(xiàng)所述的熱處理方法，其特征在于所述載置部具有多個(gè)突起，該多個(gè)突起從所述加熱部向上方突出地設(shè)置，將被載置的所述基板保持在從所述加熱部的上端起向上方離開(kāi)規(guī)定的距離的位置。
16.如權(quán)利要求15所述的熱處理方法，其特征在于所述熱處理裝置具有溫度傳感器，該溫度傳感器設(shè)置于所述多個(gè)突起，對(duì)被載置的所述基板的溫度進(jìn)行測(cè)定。
17.如權(quán)利要求11 13中任一項(xiàng)所述的熱處理方法，其特征在于所述熱處理裝置具有冷卻部，該冷卻部設(shè)置在所述加熱部的下方，對(duì)所述基板或所述加熱部進(jìn)行冷卻。
18.如權(quán)利要求11 13中任一項(xiàng)所述的熱處理方法，其特征在于所述基板以多個(gè)芯片排列在所述基板上的方式形成，所述多個(gè)加熱元件的排列間隔，比所述多個(gè)芯片的排列間隔小。
19.一種涂布顯影處理方法，其在基板上進(jìn)行抗蝕劑的涂布處理，對(duì)所述基板上經(jīng)過(guò)了所述抗蝕劑的涂布處理后的所述基板進(jìn)行熱處理，由此在所述基板上形成抗蝕劑膜，在對(duì)形成有所述抗蝕劑膜的所述基板進(jìn)行曝光后，通過(guò)進(jìn)行顯影處理，在所述基板上形成抗蝕劑圖案，所述涂布顯影處理方法的特征在于，包括利用權(quán)利要求11 權(quán)利要求13中任一項(xiàng)所述的熱處理方法，在對(duì)曝光后的所述基板進(jìn)行顯影處理前，對(duì)所述基板進(jìn)行熱處理的熱處理工序；和對(duì)所述抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬進(jìn)行測(cè)定的線(xiàn)寬測(cè)定工序，在所述控制工序中，在利用所述加熱部對(duì)所述一個(gè)基板進(jìn)行熱處理時(shí)，基于所述溫度修正值對(duì)所述設(shè)定溫度進(jìn)行修正，所述溫度修正值是基于預(yù)先通過(guò)所述線(xiàn)寬測(cè)定工序測(cè)定出的所述其他基板的所述線(xiàn)寬的測(cè)定值而求得的。
20.如權(quán)利要求19所述的涂布顯影處理方法，其特征在于 所述基板以多個(gè)芯片排列在所述基板上的方式形成，具有對(duì)準(zhǔn)工序，在將曝光后的所述基板載置于所述載置部時(shí)進(jìn)行對(duì)位，以使所述多個(gè)芯片排列的方向與所述多個(gè)加熱元件排列的方向大致平行。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠降低晶片面內(nèi)的線(xiàn)寬的偏差、能夠降低消耗電力的熱處理裝置和熱處理方法。熱處理裝置(PEB)，在進(jìn)行顯影處理前對(duì)形成有抗蝕劑膜的曝光后的基板(W)進(jìn)行熱處理，其中包括加熱部(60)，其具有呈二維排列的多個(gè)加熱元件(62)，對(duì)曝光后的基板(W)進(jìn)行熱處理；載置部(80)，其設(shè)置在加熱部(60)上方，載置基板(W)；和控制部(110)，在利用加熱部(60)對(duì)一個(gè)基板(W)進(jìn)行熱處理時(shí)，基于溫度修正值(ΔT)對(duì)加熱部(60)的設(shè)定溫度進(jìn)行修正，基于修正后的設(shè)定溫度，對(duì)加熱部(60)進(jìn)行控制，該溫度修正值(ΔT)是根據(jù)在預(yù)先由加熱部(60)進(jìn)行熱處理后通過(guò)進(jìn)行顯影處理而形成有抗蝕劑圖案的其他基板(W)的抗蝕劑圖案的線(xiàn)寬測(cè)定值(CD)求得的。
文檔編號(hào)H01L21/66GK102169812SQ201110035368
公開(kāi)日2011年8月31日 申請(qǐng)日期2011年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月4日
發(fā)明者田所真任, 近藤良弘, 齊藤貴 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社