專利名稱：溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具體涉及一種垂直結(jié)構(gòu)的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
功率溝槽式MOS場(chǎng)效應(yīng)管作為一種在平面式MOS場(chǎng)效應(yīng)管基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的新型大功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管，與其他場(chǎng)效應(yīng)管相比，它消除了平面式MOS場(chǎng)效應(yīng)管的寄生JFET效應(yīng)；導(dǎo)通電阻減小，飽和壓降低，開(kāi)關(guān)速度快；溝道密度高，芯片尺寸小，是中低壓大功率 MOS場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)展的主流。圖I為普通溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管100剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖I所示，溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管100在N+硅襯底110上生長(zhǎng)一層N—外延層120，電子由N+源摻雜區(qū)101流經(jīng)溝道102后改為垂直方向由襯底110流出。因此，硅片底面的金屬層109c引出漏電極113，硅片表面的金屬層109b引出源電極112,且金屬層109a引出柵電極111，其中，多晶娃柵104位于襯底娃表面的溝槽中，且溝槽多晶硅柵104、源摻雜區(qū)101和溝道區(qū)102包圍，多晶硅柵104與源摻雜區(qū)101、溝道區(qū)102及外延層120之間有一柵氧化層105，用于將多晶硅柵104和其他結(jié)構(gòu)域隔開(kāi)。圖2為公開(kāi)號(hào)為CN101764155A的專利中提出的一種溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管。如圖2所示，在該溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管中，N+源源摻雜區(qū)201、P型溝道區(qū)202與N_外延層220構(gòu)成寄生的NPN三極管，其中，N+源源摻雜區(qū)201為NPN三極管的發(fā)射極E，P型溝道區(qū)202為NPN三極管的基極B，N_外延層220為三極管的集電極C。當(dāng)溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管處于大電流大電壓狀態(tài)時(shí)，寄生的NPN三極管可能導(dǎo)通，N_外延層220中靠近集電結(jié)B-C處產(chǎn)生大量的空穴，形成較大的空穴電流，即NPN三極管的基極電流，影響器件性能，降低器件的使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管，減小寄生三極管中基區(qū)電壓降，抑制寄生三極管導(dǎo)通，有效減小寄生三極管效應(yīng)，改善溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管的性能，改善器件的耐用性。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管包括半導(dǎo)體襯底，其具有第一導(dǎo)電類型；具有第一導(dǎo)電類型的外延層，其覆蓋半導(dǎo)體襯底表面；具有第一導(dǎo)電類型的源摻雜區(qū)，其位于外延層內(nèi)；具有第二導(dǎo)電類型的溝道區(qū)，位于外延層內(nèi)，且位于源摻雜區(qū)下方；溝槽，位于外延層內(nèi)，且與源摻雜區(qū)和溝道區(qū)均相鄰接觸，溝槽深度小于外延層厚度，大于溝道區(qū)注入深度，溝槽側(cè)壁與底部均覆有柵氧化層，溝槽內(nèi)填充多晶硅，形成多晶硅柵；源/漏/柵電極，用于連接外電極；具有第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)，位于溝道區(qū)下方，且與溝道區(qū)相鄰接觸。本發(fā)明提供的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管中，柵氧化層的厚度為500 A 1200 A;第一摻雜區(qū)通過(guò)離子注入形成，其寬度為0. 5微米至0. 8微米，離子注入并高溫推進(jìn)后的深度為I. 5微米至2. 5微米，且第一摻雜區(qū)與柵氧化層相鄰兩邊的間距為0. 2微米至0. 5微米。本發(fā)明提供的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管中，半導(dǎo)體襯底的摻雜濃度大于外延層的摻雜濃度，此外，源摻雜區(qū)的摻雜濃度約為lE21cnT3，遠(yuǎn)大于外延層的摻雜濃度；溝道區(qū)為輕摻雜區(qū)域，其摻雜濃度約為lE17Cm_3 ;第一摻雜區(qū)為摻雜濃度約為lE12cnT3。作為較佳技術(shù)方案，第一半導(dǎo)體類型為N型，第二半導(dǎo)體類型為P型。作為可選技術(shù)方案，第一半導(dǎo)體類型為P型，第二半導(dǎo)體類型為N型。本發(fā)明還提供了一種上述溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管的制備方法，減小寄生三極管中基區(qū)電壓降，有效減小寄生三極管效應(yīng)，改善溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管的性能，其步驟包括(I)提供半導(dǎo)體襯底，并在半導(dǎo)體襯底表面生長(zhǎng)外延層；(2)在外延層表面摻雜形成溝道區(qū)，并在表面依次沉積二氧化硅和氮化硅，以此作為掩膜在外延層表面刻蝕形成溝槽，在溝槽側(cè)壁與底部生長(zhǎng)柵氧化層，在溝槽中沉積多晶硅形成多晶硅柵，最后依次去除外延層表面的氮化硅與二氧化硅；(3)在外延層表面摻雜形成第一摻雜區(qū)；(4)在外延層表面摻雜形成源摻雜區(qū)，并完成源、漏電極的制備。本發(fā)明提供的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管制備方法中，采用離子注入并高溫推進(jìn)方式形成第一摻雜區(qū)，其寬度為0. 5微米至0. 8微米，離子注入并高溫推進(jìn)后的深度為I. 5微米至2. 5微米，且第一摻雜區(qū)與柵氧化層相鄰兩邊的間距為0. 2微米至0. 5微米；溝槽的刻蝕采用硬掩膜刻蝕實(shí)現(xiàn)，且其刻蝕深度大于源摻雜區(qū)以及溝道區(qū)的深度；柵氧化層采用熱氧化方法生長(zhǎng)，其厚度為500 A 1200人。該方法中，外延層表面作為掩膜的氮化硅和二氧化硅采用濕法腐蝕或干法刻蝕方法去除。本發(fā)明提供的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管制備方法中，溝道區(qū)為輕摻雜區(qū)域，其摻雜方式為擴(kuò)散或低能離子注入，并經(jīng)高溫推進(jìn)形成，而源摻雜區(qū)的摻雜方式為高濃度離子注入，且溝道區(qū)環(huán)繞包圍整個(gè)源摻雜區(qū)域。本發(fā)明提供的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管制備方法中，多晶硅柵的淀積、溝道區(qū)和源區(qū)的摻雜以及源、漏電極的制備均采用標(biāo)準(zhǔn)常規(guī)半導(dǎo)體工藝實(shí)現(xiàn)，其制備方法與普通溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管一致。在該制備方法中，半導(dǎo)體襯底的摻雜濃度大于外延層的摻雜濃度，此外，源摻雜區(qū)的摻雜濃度約為lE21cnT3，大于半導(dǎo)體襯底的摻雜濃度，遠(yuǎn)大于外延層的摻雜濃度；而溝道區(qū)為輕摻雜區(qū)域，其摻雜濃度約為lE17Cm_3，第一摻雜區(qū)的摻雜濃度約為lE12Cm_3。作為可選技術(shù)方案，第一半導(dǎo)體類型為N型，第二半導(dǎo)體類型為P型；作為另一可選技術(shù)方案，第一半導(dǎo)體類型為P型，第二半導(dǎo)體類型為N型。本發(fā)明的技術(shù)效果是通過(guò)增加較高摻雜濃度的第一摻雜區(qū)，抑制空穴電流，減小基區(qū)的電壓降，抑制寄生三極管導(dǎo)通，有效降低基區(qū)電流，從而改善溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管的性倉(cāng)泛。


圖I為普通溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管剖面結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為公開(kāi)號(hào)為CN101764155A的專利中提出的一種溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明提供的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管剖面結(jié)構(gòu)示意圖4為本發(fā)明提供的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管制備方法流程圖；圖5a 圖5f為本發(fā)明提供的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管制備方法工藝步驟結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。圖3為本發(fā)明提供的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管300包括第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底310以及覆蓋其上表面的第一導(dǎo)電類型的外延層320，位于外延層320內(nèi)的第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)306，位于外延層310內(nèi)的第一導(dǎo)電類型的源摻雜區(qū)301和第二導(dǎo)電類型的溝道區(qū)302，位于外延層320內(nèi)、且與源摻雜區(qū)301和溝道區(qū)302均相鄰接觸的溝槽，溝槽側(cè)壁與底部均覆有 柵氧化層305，源摻雜區(qū)301和溝道區(qū)302包圍的溝槽多晶硅柵304，用于連接外電極的源/ 漏 / 柵電極 312/313/311。在本具體實(shí)施方式
中，溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管300的溝槽多晶硅柵304的寬度W為Iii m，深度為2 u m ;柵氧化層305的厚度為500人 1200 A;第一摻雜區(qū)通過(guò)離子注入并高溫推進(jìn)形成，其寬度為0. 5微米至0. 8微米，離子注入并高溫推進(jìn)后的深度為I. 5微米至2. 5微米，且第一摻雜區(qū)與柵氧化層相鄰兩邊的間距為0. 2微米至0. 5微米。在本具體實(shí)施方式
中，溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管300所選用的半導(dǎo)體襯底310的摻雜濃度大于外延層320的摻雜濃度，此外，源摻雜區(qū)301的摻雜濃度約為lE21cm_3，遠(yuǎn)大于外延層320的摻雜濃度；溝道區(qū)302為輕摻雜區(qū)域，其摻雜濃度約為lE17cm_3 ;第一摻雜區(qū)為摻雜濃度約為lE12cm_3。作為最佳實(shí)施例，第一半導(dǎo)體類型為N型，第二半導(dǎo)體類型為P型。即在N+摻雜的半導(dǎo)體襯底310上外延一 N-摻雜的外延層320，在外延層320表面摻雜形成P-溝道區(qū)302，在外延層320表面刻蝕形成溝槽，在溝槽側(cè)壁與底部熱氧化形成柵氧化層305，之后在溝槽內(nèi)填充多晶硅形成多晶硅柵304，在外延層320表面摻雜形成N+第一摻雜區(qū)306，在外延層320表面摻雜形成N+源摻雜區(qū)301，最后通過(guò)位于外延層320表面并覆蓋溝槽多晶硅柵304的金屬層309a引出柵電極311，通過(guò)位于外延層320表面并覆蓋源摻雜區(qū)301的金屬層309b引出源電極312，通過(guò)位于半導(dǎo)體襯底310地面的金屬層309c引出漏電極313，該溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管300為NMOS晶體管。作為又一實(shí)施例，第一半導(dǎo)體類型為P型，第二半導(dǎo)體類型為N型。即在P+摻雜的半導(dǎo)體襯底310上外延一 P-摻雜的外延層320，在外延層320表面摻雜形成N-溝道區(qū)302，在外延層320表面刻蝕形成溝槽，之后在溝槽側(cè)壁與底部熱氧化形成柵氧化層305，此后，在溝槽內(nèi)填充多晶娃形成多晶娃柵304,之后在外延層320表面摻雜形成P+第一摻雜區(qū)306，在外延層320表面摻雜形成P+源摻雜區(qū)301，最后通過(guò)位于外延層320表面并覆蓋溝槽多晶硅柵304的金屬層309a引出柵電極311，通過(guò)位于外延層320表面并覆蓋源摻雜區(qū)301的金屬層309b引出源電極312，通過(guò)位于半導(dǎo)體襯底310地面的金屬層309c引出漏電極313，該溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管300為NMOS晶體管。作為最佳實(shí)施例的參數(shù)選擇，溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管300的多晶硅柵極303寬度W為I U m,深度為2 u m,柵氧化層305的厚度為800 A,源摻雜區(qū)301摻雜濃度為lE21cm_3，溝道區(qū)302的摻雜濃度為lE17cm_3，且溝道區(qū)302中間區(qū)域的摻雜濃度較高，邊緣區(qū)域的摻雜濃度較低，第一摻雜區(qū)注入磷離子，離子注入并高溫推進(jìn)后的深度為2微米，且摻雜濃度為lE12cm_3，第一摻雜區(qū)與柵氧化層的相鄰兩邊的間距為0. 5微米至0. 8微米，第一摻雜區(qū)的寬度為0.2微米至0.5微米。本具體實(shí)施方式
還提供了一種溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管的制備方法，圖4為本具體實(shí)施方式
提供的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管制備方法流程圖。在本具體實(shí)施方式
中，溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管30 0的制備方法包括以下步驟步驟一，提供半導(dǎo)體襯底310，并在半導(dǎo)體襯底310表面生長(zhǎng)一外延層320。該步驟中，如圖5a所示，所涉及的半導(dǎo)體襯底310及外延層320均為第一半導(dǎo)體類型摻雜，其中，外延層320位于半導(dǎo)體襯底310表面，半導(dǎo)體襯底310的摻雜濃度高于外延層320的摻雜濃度。步驟二，完成溝道區(qū)302、柵氧化層305與多晶硅柵304的制備。在該步驟中，首先采用擴(kuò)散或離子注入并高溫推進(jìn)的方法形成溝道區(qū)302，溝道區(qū)302為第二導(dǎo)電類型的輕摻雜區(qū)域，其摻雜濃度約為lE17cm_3，且其邊緣位置的摻雜濃度略低于中間位置。如圖5b所示，在外延層320表面依次沉積二氧化硅及氮化硅層，并以此作掩膜在外延層320表面刻蝕形成溝槽330。用作掩膜的二氧化硅及氮化硅層厚度較薄，溝槽330的刻蝕采用硬掩膜刻蝕或硅回蝕方法實(shí)現(xiàn)。如圖5c所示，采用濕法腐蝕或干法刻蝕方法去除覆蓋在外延層320表面用作掩膜的二氧化硅和氮化硅薄膜，并熱氧化在溝槽330底部形成柵氧化層305，其厚度為500 A 1200 A。之后在溝槽330內(nèi)沉積多晶硅形成多晶硅柵304，并采用刻蝕方法去除多余的多晶硅，該溝槽多晶硅柵304的寬度W為I ii m，深度為2 u m。最后去除用作掩膜的二氧化硅和
氮化硅薄膜。步驟三，在外延層320表面摻雜形成所述第一摻雜區(qū)306。該步驟中，如圖5d所示，在外延層320表面依次沉積二氧化硅及氮化硅層，并以此作掩膜進(jìn)行離子注入并高溫推進(jìn)，形成第一摻雜區(qū)306，其寬度為0. 5微米至0. 8微米，深度為2微米，摻雜濃度為lE12cm_3，最后去除用作掩膜的二氧化硅及氮化硅。步驟四，在外延層表面摻雜形成源摻雜區(qū)301，并完成源、漏電極的制備。該步驟中，源摻雜區(qū)301為第一導(dǎo)電類型的輕摻雜區(qū)域，其摻雜濃度約為lE21cnT3，大于半導(dǎo)體襯底的摻雜濃度，遠(yuǎn)大于外延層的摻雜濃度，其摻雜方式為高濃度離子注入，如圖5e所示，源摻雜區(qū)301位于外延層320表面，位于溝道區(qū)302上方，并與之相鄰接觸。該步驟中，如圖5f所示,夕卜延層320表面派射形成金屬層309a,金屬層309a與溝槽多晶硅柵304直接接觸并與源摻雜區(qū)301相隔離，用以引出溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管300的柵電極311 ;外延層320表面濺射形成金屬層309b，金屬層309b與源摻雜區(qū)301直接接觸并與溝槽多晶硅柵304相隔離，用以引出溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管300的源電極312 ;半導(dǎo)體襯底310地面派射形成一金屬層309c,用以引出漏電極313。作為最佳實(shí)施例，第一半導(dǎo)體類型為N型，第二半導(dǎo)體類型為P型，該溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管300為NMOS晶體管。
作為又一實(shí)施例，第一半導(dǎo)體類型為P型，第二半導(dǎo)體類型為N型，該溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管300為PMOS晶體管。該具體實(shí)施方式
中，通過(guò)增加較高摻雜濃度的第一摻雜區(qū)，減小寄生三極管中基區(qū)電壓降，抑制寄生三極管導(dǎo)通，有效減小寄生三極管效應(yīng)，改善溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管的性能，改善器件的耐用性。
在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下還可以構(gòu)成許多有很大差別的實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解，除了如所附的權(quán)利要求所限定的，本發(fā)明不限于在說(shuō)明書中所述的具體實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管，包括 具有第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底； 具有第一導(dǎo)電類型的外延層，覆蓋所述半導(dǎo)體襯底表面； 具有第一導(dǎo)電類型的源摻雜區(qū)，位于所述外延層內(nèi)； 具有第二導(dǎo)電類型的溝道區(qū)，位于所述外延層內(nèi)，且位于所述源摻雜區(qū)下方； 溝槽，位于所述外延層內(nèi)，且與所述源摻雜區(qū)和溝道區(qū)均相鄰接觸，所述溝槽深度小于所述外延層厚度，大于所述溝道區(qū)注入深度，所述溝槽側(cè)壁與底部均覆有柵氧化層，溝槽內(nèi)填充多晶硅，形成多晶硅柵； 源/漏/柵電極，用于連接外電極； 其特征在于，所述溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管還包括具有第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)，位于所述溝道區(qū)下方，且與所述溝道區(qū)相鄰接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)的寬度為0.5微米至0. 8微米，其與所述柵氧化層的相鄰兩邊的間距為0. 2微米至0. 5微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)摻雜濃度為IEllcnT3至lE13cm_3，其離子注入并高溫推進(jìn)后的深度為I. 5微米至2. 5微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底的摻雜濃度大于所述外延層的摻雜濃度，所述源摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述半導(dǎo)體襯底的摻雜濃度，所述第一摻雜區(qū)的摻雜濃度小于所述溝道區(qū)的摻雜濃度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體類型為N型，所述第二半導(dǎo)體類型為P型。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體類型為P型，所述第二半導(dǎo)體類型為N型。
7.—種溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管制備方法，其步驟包括 (1)提供所述半導(dǎo)體襯底，并在所述半導(dǎo)體襯底表面生長(zhǎng)所述外延層； (2)在所述外延層表面摻雜形成所述溝道區(qū)，并在表面依次沉積二氧化硅和氮化硅，以此作為掩膜在所述外延層表面刻蝕形成溝槽，在溝槽側(cè)壁與底部生長(zhǎng)所述柵氧化層，之后在溝槽中沉積多晶硅，形成所述多晶硅柵，最后依次去除所述外延層表面的氮化硅與二氧化硅； (3)在所述外延層表面摻雜形成所述第一摻雜區(qū)； (4)在所述外延層表面摻雜形成所述源摻雜區(qū)，并完成源、漏電極的制備。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管制備方法，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)通過(guò)離子注入形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管制備方法，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)的寬度為0. 5微米至0. 8微米，其與所述柵氧化層的相鄰兩邊的間距為0. 2微米至0. 5微米。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管制備方法，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)的摻雜濃度為IEllcnT3至lE13cm_3，其離子注入并高溫推進(jìn)后的深度為I. 5微米至2. 5微米。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底的摻雜濃度大于所述外延層的摻雜濃度，所述源摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述半導(dǎo)體襯底的摻雜濃度，所述第一摻雜區(qū)的摻雜濃度小于所述溝道區(qū)的摻雜濃度。
12.根據(jù)權(quán)利要求7-11任意一項(xiàng)所述的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管制備方法，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體類型為N型，所述第二半導(dǎo)體類型為P型。
13.根據(jù)權(quán)利要求7-11任意一項(xiàng)所述的溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管制備方法，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體類型為P型，所述第二半導(dǎo)體類型為N型。
全文摘要
溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管及其制備方法，屬于半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，包括半導(dǎo)體襯底，覆蓋半導(dǎo)體襯底表面的外延層，位于外延層內(nèi)的源摻雜區(qū)，位于外延層內(nèi)且在源摻雜區(qū)下方的溝道區(qū)，位于外延層內(nèi)且與源摻雜區(qū)和溝道區(qū)均相鄰接觸的溝槽，用于連接外電極的源/漏/柵電極，以及位于溝道區(qū)下方且與溝道區(qū)相鄰接處的第一摻雜區(qū)。通過(guò)所述第一摻雜區(qū)的引入，減小寄生三極管中基區(qū)電壓降，抑制寄生三極管導(dǎo)通，從而降低三極管的基極電流，有效減小寄生三極管效應(yīng)，改善溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管的性能。
文檔編號(hào)H01L29/78GK102637737SQ20111003587
公開(kāi)日2012年8月15日 申請(qǐng)日期2011年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月10日
發(fā)明者王顥 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司