專利名稱：具有被動組件結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有被動組件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的中介層基板(interposer)包括一硅基板、一絕緣層及一線路層。絕緣層形成于硅基板上，線路層形成于絕緣層上。由于硅基板不具有絕緣性，因此需經(jīng)由絕緣層隔離線路層與硅基板，使線路層與硅基板不致電性導(dǎo)通而導(dǎo)致短路。然而，絕緣層的形成衍生至少一道的光罩工藝成本，導(dǎo)致工藝成本及工藝復(fù)雜性增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明有關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)采用具絕緣性的基板， 可減少絕緣層的形成，以降低制造成本、節(jié)省工藝時間。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一絕緣基板、一被動組件結(jié)構(gòu)層、一第一電性觸點(diǎn)及一第一介電層。被動組件結(jié)構(gòu)層形成于絕緣基板。第一電性觸點(diǎn)形成于被動組件結(jié)構(gòu)層。第一介電層覆蓋第一電性觸點(diǎn)的一部分，其中，第一介電層具有一第一開孔，第一電性觸點(diǎn)的另一部分從第一開孔露出。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。制造方法包括以下步驟。提供一絕緣基板；形成一被動組件結(jié)構(gòu)層于絕緣基板；形成一第一電性觸點(diǎn)于被動組件結(jié)構(gòu)層；以及，形成一第一介電層覆蓋第一電性觸點(diǎn)的一部分，其中第一介電層具有一第一開孔，第一電性觸點(diǎn)的另一部分從第一開孔露出。為了對本發(fā)明的上述及其它方面有更佳的了解，下文特舉至少一實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下


圖IA繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖IB繪示圖IA中局部1B’的放大示意圖。圖2繪示圖1中電阻、電容及電感結(jié)構(gòu)的上視圖。圖3繪示依照本發(fā)明再一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖4繪示依照本發(fā)明其它實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖5繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖6A繪示依照本發(fā)明又一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖6B繪示圖6A中局部6B，的放大示意圖。圖7A至7G繪示圖1的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造示意圖。圖8繪示圖3的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造示意圖。
圖9繪示圖4的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造示意圖。圖10繪示圖9的環(huán)狀結(jié)構(gòu)的上視圖。圖11繪示圖5的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造示意圖。圖12A至12D繪示圖6A的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造示意圖。主要組件符號說明100、200、300、400、500 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)102、302 絕緣基板102a、112b、302a 第一面102b,302b 第二面104、204、304 被動組件結(jié)構(gòu)層106、206、306 第一電性觸點(diǎn)106a:第一電性觸點(diǎn)的一部分106al、106bl、108b 上表面106b 第一電性觸點(diǎn)的另一部分108、208、308 第一介電層108a 第一開孔110:第一線路層IlOa:第一導(dǎo)電層IlOb:第二導(dǎo)電層IlOc:電容介電層IlOd:第三導(dǎo)電層112、312 第二介電層112a:第二貫孔112c:第二貫孔內(nèi)側(cè)壁114:第二種子層114a:第二種子層的另一部分114s、320s:側(cè)面116、216 第二線路層116a、216a 露出上表面116al 露出上表面的一部分116a2 露出上表面的另一部分122、124 圖案化光阻層122a 形成區(qū)302c:第一貫孔302d:第一貫孔內(nèi)側(cè)壁318:第二電性觸點(diǎn)318a:第二電性觸點(diǎn)的一部分318b 第二電性觸點(diǎn)的另一部分320 第一種子層
326 載板428,528 環(huán)狀結(jié)構(gòu)530 有機(jī)聚合物材料C 電容結(jié)構(gòu)L 電感結(jié)構(gòu)P 切割道R 電阻結(jié)構(gòu)RP 單元區(qū)
具體實(shí)施例方式本文所用的”鄰近”表示接近或連接在一起。相鄰的組件可以互相分開或直接互相連接。在一些例子中，相鄰的組件可以指互相連接或彼此間一體成型的組件。請參照圖IA及圖1B，圖IA繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖，圖 IB繪示圖IA中局部1B’的放大示意圖。如圖IA所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100包括絕緣基板102、 被動組件結(jié)構(gòu)層104、第一電性觸點(diǎn)106及第一介電層108。絕緣基板102例如是玻璃基板、陶瓷基板或其它具備絕緣性的基板。由于絕緣基板102的絕緣特性，故被動組件結(jié)構(gòu)層104可直接形成于絕緣基板102上，可降低工藝成本、降低工藝復(fù)雜程度及提高工藝良率。被動組件結(jié)構(gòu)層形成于絕緣基板上，第一電性觸點(diǎn)形成于被動組件結(jié)構(gòu)層上。例如，絕緣基板102具有相對的第一面10 與第二面102b。被動組件結(jié)構(gòu)層104形成于絕緣基板102的第一面10 上，第一電性觸點(diǎn)106形成于被動組件結(jié)構(gòu)層104上。第一面10 及第二面102b在本實(shí)施例中分別為絕緣基板102的上表面及下表面。第一電性觸點(diǎn)106可以是單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，其材質(zhì)至少包括化錫(immersion Sn)、化銀(immersion Ag)、化學(xué)鎳金(ENIG)、鍍銅、鍍鐵、鍍鎳或有機(jī)焊膜(OSP)；或者，第一電性觸點(diǎn)106亦可由銅(Cu)、鎳(Ni)、鈀(Pd)及金(Au)所構(gòu)成的群組所組成；或者，第一電性觸點(diǎn)106亦可為底部凸塊金屬(Under Bump Metallization，UBM)。第一介電層壓制第一電性觸點(diǎn)，使第一電性觸點(diǎn)穩(wěn)固地形成于被動組件結(jié)構(gòu)層上。例如，第一介電層108覆蓋第一電性觸點(diǎn)106的一部分106a，例如是覆蓋第一電性觸點(diǎn) 106的一部分106a的上表面106al，而第一電性觸點(diǎn)106的另一部分106b露出。第一介電層108壓制第一電性觸點(diǎn)106的該部分106a，使第一電性觸點(diǎn)106更緊固地形成于被動組件結(jié)構(gòu)層104上。第一介電層108具有至少一第一開孔108a，第一電性觸點(diǎn)106的另一部分106b 從第一開孔108a露出。進(jìn)一步地說，第一電性觸點(diǎn)106未突出于第一介電層108的上表面 108b，而是從第一開孔108a露出，使第一介電層108的上表面108b與第一電性觸點(diǎn)106的另一部分10 的上表面106b 1相距一距離。被動組件結(jié)構(gòu)層包括電阻、電感與電容結(jié)構(gòu)中至少一者。例如，請同時參照第1A、 IB及圖2，圖2繪示圖1中電阻、電容及電感結(jié)構(gòu)的上視圖，圖2中第一導(dǎo)電層110a、第二導(dǎo)電層IlOb及第三導(dǎo)電層IlOd將于后續(xù)(圖5A)說明。如圖IA所示，被動組件結(jié)構(gòu)層104 包括第一線路層110、第二介電層112、第二種子層114及第二線路層116。第一線路層110構(gòu)成至少一電阻結(jié)構(gòu)R及至少一電容結(jié)構(gòu)C，而第二線路層116構(gòu)成至少一電感結(jié)構(gòu)L。詳細(xì)而言，第一線路層110形成于絕緣基板102的第一面10 上，第二介電層112覆蓋第一線路層110，其中第二介電層112具有至少一第二貫孔112a、第一面112b及第二貫孔內(nèi)側(cè)壁112c，第二貫孔11 從第一面112b延伸至第一線路層110，第二貫孔內(nèi)側(cè)壁112c對應(yīng)于第二貫孔11 ，第一線路層110的一部分從第二貫孔11 露出。第二種子層114形成于第二線路層116與第二介電層112之間。第二種子層114具有側(cè)面114s，第二種子層114被第二線路層116完全覆蓋僅露出其側(cè)面114s。第一電性觸點(diǎn)106形成于被動組件結(jié)構(gòu)層104的第二線路層116上。第一電性觸點(diǎn)106可作為被動組件結(jié)構(gòu)層104的對外電性連接的電極。第一電性觸點(diǎn)僅覆蓋第二線路層的一部分。例如，第二線路層116具有一露出表面，例如是露出上表面116a。第一電性觸點(diǎn)106僅覆蓋第二線路層116的露出上表面116a 的一部分116al，露出上表面116a的另一部分116a2未被第一電性觸點(diǎn)106覆蓋。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可更包括一環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其定義切割道，可避免切割工藝中，被動組件結(jié)構(gòu)層的電阻結(jié)構(gòu)、電容結(jié)構(gòu)及電感結(jié)構(gòu)被切割到。例如，請參照圖3，其繪示依照本發(fā)明再一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)400更包括環(huán)狀結(jié)構(gòu)428，其鄰近絕緣基板102 的第一面10 形成，且第二介電層112包覆環(huán)狀結(jié)構(gòu)428。環(huán)狀結(jié)構(gòu)4 環(huán)繞被動組件結(jié)構(gòu)層104的電阻結(jié)構(gòu)R、電容結(jié)構(gòu)C及電感結(jié)構(gòu)L，且可不電性連接于任何電路組件。又例如，請參照圖4，其繪示依照本發(fā)明其它實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)500的環(huán)狀結(jié)構(gòu)5 包括環(huán)狀結(jié)構(gòu)4 及有機(jī)聚合物材料530，其鄰近絕緣基板102的第一面10 形成，且位于第二介電層112之外。再例如，一實(shí)施方面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)500中，亦可省略環(huán)狀結(jié)構(gòu)428?；蛘?，另一實(shí)施方面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)500中，亦可省略有機(jī)聚合物材料530。此外，環(huán)狀結(jié)構(gòu)4 及528的材質(zhì)可選自于金屬、有機(jī)聚合物材料 (organicpolymer)及其組合所構(gòu)成的群組。其中，金屬例如是電鍍銅、鎳、鈀或是濺鍍鋁等的單層或多層結(jié)構(gòu)，而有機(jī)聚合物材料例如是聚酰亞胺(PI)或苯并環(huán)丁烯(BCB)或其它有機(jī)聚合物材料。例如，圖3的環(huán)狀結(jié)構(gòu)4 可以是金屬。又例如，圖4的環(huán)狀結(jié)構(gòu)5 環(huán)狀結(jié)構(gòu)428(可以是金屬)與有機(jī)聚合物材料530的組合。在另一實(shí)施例中，第一電性觸點(diǎn)可覆蓋整個第二線路層，例如，請參照圖5，其繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200包括絕緣基板102、被動組件結(jié)構(gòu)層204、第一電性觸點(diǎn)206及第一介電層208。被動組件結(jié)構(gòu)層204及第一介電層 208相似于上述被動組件結(jié)構(gòu)層104及第一介電層108，容此不再贅述。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200的第一電性觸點(diǎn)206完全覆蓋第二線路層216的整個露出上表面216a。其中，第一電性觸點(diǎn) 206的材質(zhì)相同于第一電性觸點(diǎn)106，容此不再贅述。本實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200中，第一介電層208壓制第一電性觸點(diǎn)206的一部分，此特征相似于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100中第一介電層 108將第一電性觸點(diǎn)106壓制于第一電性觸點(diǎn)106上的特征，容此不再贅述。此外，一實(shí)施方面中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200更包括環(huán)狀結(jié)構(gòu)似8或528。上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100、200、400及500單側(cè)具有電性觸點(diǎn)的結(jié)構(gòu)，然又一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的多側(cè)可分別具有電性觸點(diǎn)。例如，請參照圖6A及6B，圖6A繪示依照本發(fā)明又一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖，圖6B繪示圖6A中局部6B’的放大示意圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300包括絕緣基板302、被動組件結(jié)構(gòu)層304、第一電性觸點(diǎn)306、第一介電層308、第二電性觸點(diǎn)318及第一種子層320。第一介電層308、第一電性觸點(diǎn)306及被動組件結(jié)構(gòu)層304的結(jié)構(gòu)及材質(zhì)分別相似于上述第一介電層208、第一電性觸點(diǎn)206及被動組件結(jié)構(gòu)層204，容此不再贅述。第一電性觸點(diǎn)306及第二電性觸點(diǎn)318分別為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的相對二側(cè)的電性接點(diǎn)。絕緣基板302具有相對的第一面30 與第二面302b。被動組件結(jié)構(gòu)層304形成于第一面30 上，第一電性觸點(diǎn)306形成于被動組件結(jié)構(gòu)層304上以電性接觸于被動組件結(jié)構(gòu)層304，成為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300的一側(cè)的電性接點(diǎn)。絕緣基板302具有至少一第一貫孔302c， 第二電性觸點(diǎn)318形成于第一貫孔302c并電性接觸于被動組件結(jié)構(gòu)層304，成為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300的相對一側(cè)的電性接點(diǎn)。第二電性觸點(diǎn)的至少一部分形成于絕緣基板的第一貫孔內(nèi)，以電性連接于被動組件結(jié)構(gòu)層。例如，第二電性觸點(diǎn)318的一部分318a位于第一貫孔302c內(nèi)，第二電性觸點(diǎn)318 的另一部分318b可鄰近絕緣基板302的第二面302b形成，例如是形成于鄰近第二面302b 的第一種子層320上，使第二電性觸點(diǎn)318的另一部分318b突出于第二面302b，以與外部電性組件電性接觸。如圖6B所示，絕緣基板302更具有對應(yīng)第一貫孔302c的第一貫孔內(nèi)側(cè)壁302d。 第一種子層320形成于絕緣基板302的第一貫孔內(nèi)側(cè)壁302d與第二電性觸點(diǎn)318之間。第一線路層覆蓋第一種子層的至少一部分，例如，第一種子層320完全被第二電性觸點(diǎn)318所覆蓋而僅露出第一種子層320的側(cè)面320s。此外，一實(shí)施方面中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300更包括環(huán)狀結(jié)構(gòu)似8或528。以下說明依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造過程。以圖1的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 100為例說明，請參照圖7A至7G，其繪示圖1的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造示意圖。首先，提供如圖7A所示的絕緣基板102。然后，形成被動組件結(jié)構(gòu)層104于絕緣基板102的第一面10 上。在本步驟中， 有多種方法形成被動組件結(jié)構(gòu)層104，以下舉出其中一種說明。首先，如圖7A所示，形成第一線路層110于絕緣基板102的第一面10 上。其中， 第一線路層Iio具有至少一電組結(jié)構(gòu)R及至少一電容結(jié)構(gòu)C。形成第一線路層110的步驟中，可使用數(shù)種材料形成方法的任一種形成一導(dǎo)電材料，例如是以化學(xué)氣相沉積、無電鍍法(electroless plating)、電解電鍍 (electrolyticplating)、印刷、旋涂、噴涂、濺鍍(sputtering)或真空沉積法(vacuum deposition)的方式形成導(dǎo)電材料；然后，在應(yīng)用圖案化技術(shù)形成第一線路層110。圖案化技術(shù)例如是微影工藝(photolithography)、化學(xué)蝕刻(chemical etching)、激光鉆孔 (Iaserdrilling)或機(jī)械鉆孑L (mechanical drilling)。第一線路層多層結(jié)構(gòu)，以構(gòu)成被動組件結(jié)構(gòu)。例如，第一線路層110包括第一導(dǎo)電層110a、第二導(dǎo)電層110b、電容介電層IlOc及第三導(dǎo)電層110d，第一導(dǎo)電層IlOa形成于絕緣基板102的第一面10 上，而第二導(dǎo)電層IlOb形成于第一導(dǎo)電層IlOa上，電容介電層 IlOc位于第二導(dǎo)電層IlOb與第三導(dǎo)電層IlOd之間。第一導(dǎo)電層IlOa可作為電阻結(jié)構(gòu)。第一導(dǎo)電層IlOa的材質(zhì)高電阻值材料，例如是氮化鉭(TaN)、PbTiO3、二氧化釕(RuO2)、磷化鎳(NiP)、鉻化鎳(NiCr)及NCAlSi。
第二導(dǎo)電層IlOb及第三導(dǎo)電層IlOd可由導(dǎo)電性佳的材質(zhì)，例如是鋁(Al)與銅 (Cu)至少一者所組成。然后，如圖7B所示，形成第二介電層112覆蓋第一線路層110。其中，第二介電層 112具有至少一第二貫孔11 、第一面112b及第二貫孔內(nèi)側(cè)壁112c，第二貫孔11 從第一面112b延伸至第一線路層110，第二貫孔內(nèi)側(cè)壁112c對應(yīng)于第二貫孔11加。第一線路層 110的一部分從第二貫孔11 露出，其中，第一線路層110露出的該部分例如是電組結(jié)構(gòu)R 與電容結(jié)構(gòu)C中至少一者的電性接點(diǎn)、正或負(fù)電極。第二介電層112的材質(zhì)由聚酰亞胺(PI)或苯并環(huán)丁烯(BCB)所組成。形成第二介電層112的方式包括涂布技術(shù)，例如是印刷(printing)、旋涂(spinning)或噴涂 (spraying)。此外，第二介電層112的形成方式亦可包括上述圖案化技術(shù)。然后，形成第二種子層于第二貫孔內(nèi)側(cè)壁及第二介電層。例如，如圖7C所示，以無電鍍法或?yàn)R鍍法，形成第二種子層114覆蓋整個第二貫孔內(nèi)側(cè)壁112c及第二介電層112的整個第一面112b。然后，如圖7D所示，經(jīng)由第二種子層114與電鍍設(shè)備的電極(未繪示)電性連接， 形成第二線路層116于第二種子層114上。第二線路層116具有電感結(jié)構(gòu)L。至此，形成被動組件結(jié)構(gòu)層104。其中，第二線路層116的材質(zhì)可以是金屬，例如是銅所組成。在形成第二線路層116之前，可形成一圖案化光阻層122于第二種子層114上。 其中，圖案化光阻層122例如是正型光阻，圖案化光阻層122定義第二線路層116的形成區(qū) 122a (即圖7D的圖案化光阻層122的鏤空區(qū))。之后，再應(yīng)用電鍍方法形成第二線路層116 于形成區(qū)12 內(nèi)。上述露出上表面116a第二線路層116中從形成區(qū)12 露出的表面。形成圖案化光阻層122的方法有數(shù)種。例如，先以上述材料形成方法或涂布方法形成一光阻材料(未繪示)，然后再以上述圖案化方法，圖案化該光阻材料，以形成圖案化光阻層122。第二線路層116形成后，以例如是剝離(strip)或蝕刻(etching)技術(shù)，移除圖案化光阻層122。然后，如圖7E所示，形成至少一第一電性觸點(diǎn)106于被動組件結(jié)構(gòu)層104上。其中，第一電性觸點(diǎn)106的形成經(jīng)由第二種子層114，以例如是電鍍技術(shù)，形成第一電性觸點(diǎn) 106于第二線路層116上。進(jìn)一步地說，經(jīng)由前步驟所形成的第二種子層114與電鍍設(shè)備電性連接，而形成圖7E所示的第一電性觸點(diǎn)106，如此可縮短工藝時間、減少成本及提高生產(chǎn)效率。在形成第一電性觸點(diǎn)106之前，以相似于圖案化光阻層122的形成方法，形成一圖案化光阻層1 于第二種子層114上。其中，圖案化光阻層IM例如是正型光阻，圖案化光阻層1 定義第一電性觸點(diǎn)106的形成區(qū)。之后，以例如是電鍍技術(shù)形成至少一第一電性觸點(diǎn)106于該形成區(qū)內(nèi)。第一電性觸點(diǎn)106形成后，以例如是剝離或蝕刻技術(shù)，移除圖案化光阻層124。本實(shí)施例中，第一電性觸點(diǎn)106形成于第二線路層116的一部分上，例如是第二線路層116的露出上表面116a的一部分。然后，如圖7F所示，以例如是蝕刻技術(shù)，移除第二種子層114的一部分，保留第二種子層114的另一部分114a。其中，第二種子層114中被移除的該部分未被第二線路層116覆蓋的部分，而第二種子層114的另一部分IHa被第二線路層116覆蓋的部分。移除第二種子層114的該部分的步驟后，可應(yīng)用例如是等離子工藝及酸洗工藝， 移除或清洗殘留的圖案化光阻層1 及第二種子層114。然后，形成如圖7G所示的第一介電層108覆蓋第一電性觸點(diǎn)106的一部分106a。 其中，第一介電層108具有第一開孔108a，第一電性觸點(diǎn)106的另一部分106b從第一開孔 108a露出。形成第一介電層108的方式相似于形成第二介電層112的方式，容此不再贅述。之后，如圖7G所示，可應(yīng)用例如是刀具或激光切割技術(shù)，至少切割第一介電層 108、第二介電層112及絕緣基板102，以形成至少一如圖1所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100。以下說明圖3的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)400的制造過程。請參照圖8，其繪示圖3的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造示意圖。形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)428，其中環(huán)狀結(jié)構(gòu)4 環(huán)繞被動組件結(jié)構(gòu)層104的被動組件(電阻結(jié)構(gòu)R、電容結(jié)構(gòu)C及電感結(jié)構(gòu)L (電感結(jié)構(gòu)L繪示于圖7F))。環(huán)狀結(jié)構(gòu)4 可以與第一線路層110于同一工藝中一并形成，例如，環(huán)狀結(jié)構(gòu)4 第一導(dǎo)電層IlOa的一部分。 然，環(huán)狀結(jié)構(gòu)428也可以與第一線路層110分別形成。后續(xù)形成的第二介電層112可包覆整個環(huán)狀結(jié)構(gòu)428，如圖3所示。以下說明圖4的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)500的制造過程。請參照圖9，其繪示圖4的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造示意圖。于第二介電層112形成后，形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)528。環(huán)狀結(jié)構(gòu)5 的有機(jī)聚合物材料530可以與第二介電層112于同一工藝中一并形成；或者，有機(jī)聚合物材料530與第二介電層112分別形成。請參照圖10 (繪示多個單元區(qū)RP)，其繪示圖9的環(huán)狀結(jié)構(gòu)的上視圖。環(huán)狀結(jié)構(gòu)5 定義出至少一切割道P，因此于切割步驟中，可避免切割到位于單元區(qū)RP 內(nèi)的被動組件結(jié)構(gòu)層104，例如是電阻結(jié)構(gòu)R、電容結(jié)構(gòu)C及電感結(jié)構(gòu)L(未繪示于圖10)。以下說明圖3的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200的制造過程。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200的制造方法中，形成第一電性觸點(diǎn)206之前的步驟大致上相似于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的制造方法，容此不再贅述， 以下從形成第一電性觸點(diǎn)206的步驟開始說明。請參照圖11，其繪示圖3的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造示意圖。形成第一電性觸點(diǎn)206于被動組件結(jié)構(gòu)層204上。例如，第一電性觸點(diǎn)206覆蓋被動組件結(jié)構(gòu)層204的第二線路層 216的整個露出上表面216a上。進(jìn)一步地說，于形成第一電性觸點(diǎn)206的步驟中，使用形成第二線路層116(如圖7D)所使用的圖案化光阻層122，因此使第一電性觸點(diǎn)206覆蓋整個露出上表面216a。在此情況下，形成第二線路層的步驟與形成第一電性觸點(diǎn)的步驟使用同一道光罩(即半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200的制造過程中可省略圖7E的圖案化光阻層124)，可節(jié)省工藝成本、降低工藝時間且提高工藝效率。形成第一電性觸點(diǎn)206之后，可以例如是剝離或蝕刻技術(shù)，移除圖11的圖案化光阻層122。以下以圖12A至12D說明圖6A的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300的制造過程。圖12A至12D繪示圖6A的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造示意圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300的制造方法中，形成第一介電層之前的步驟大致上相似于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100或200的步驟，容此不再贅述，以下從形成第一介電層308的步驟之后開始說明。于形成第一介電層308的步驟之后，設(shè)置被動組件結(jié)構(gòu)層于載板上。例如，如圖 12A所示，設(shè)置被動組件結(jié)構(gòu)層304于載板3 上，其中，載板3 具有黏貼層(未繪示)，被動組件結(jié)構(gòu)層304黏貼于該黏貼層上，使絕緣基板302的第二面302b朝向外側(cè)，例如是朝下，然此非用以限制本發(fā)明，于其它實(shí)施方面中，絕緣基板302的第二面302b可朝向方便作業(yè)的方向，例如是朝上。然后，形成至少一第一貫孔貫穿絕緣基板。例如，如圖12B所示，以例如是激光加工技術(shù)、機(jī)械加工技術(shù)或化學(xué)蝕刻技術(shù)，形成至少一第一貫孔302c貫穿絕緣基板302。其中，第一貫孔302c從絕緣基板302的第一面30 延伸至第二面302b。第一貫孔302c形成后，絕緣基板302形成對應(yīng)第一貫孔302c的第一貫孔內(nèi)側(cè)壁302d。于其它實(shí)施方面中，形成第一貫孔302c之前，可從絕緣基板302的第二面302b磨削絕緣基板302，以減少絕緣基板302的厚度。然后，形成第一種子層于第一貫孔內(nèi)側(cè)壁及絕緣基板的第二面。例如，如圖12C所示，以例如是無電鍍(Electro-less)法或?yàn)R鍍法，形成第一種子層320覆蓋整個第一貫孔內(nèi)側(cè)壁302d及絕緣基板302的整個第二面302b。然后，形成第二電性觸點(diǎn)于第一貫孔。例如，如圖12D所示，形成第二電性觸點(diǎn)318 于第一種子層320上，第二電性觸點(diǎn)318的一部分318a位于第一貫孔302c內(nèi)，而第二電性觸點(diǎn)318的另一部分318b鄰近絕緣基板302的第二面302b形成，例如是形成于鄰近第二面30 的第一種子層320上。然后，以例如是刀具或激光切割技術(shù)，至少切割圖12D的第一介電層308、第二介電層312及絕緣基板302，以形成至少一如圖6A所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300。本發(fā)明上述實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，具有多項(xiàng)特征，列舉部份特征說明如下(1).半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)采用具絕緣性的基板，可減少絕緣層的形成，以降低制造成本、節(jié)省工藝時間。(2).第一介電層壓制第一電性觸點(diǎn)，使第一電性觸點(diǎn)穩(wěn)固地形成于被動組件結(jié)構(gòu)層上。(3).第二線路層與第一電性觸點(diǎn)的形成共享同一圖案化光阻層，可節(jié)省工藝成本及時間。綜上所述，雖然本發(fā)明已以數(shù)個實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種具有被動組件結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括 一絕緣基板；一被動組件結(jié)構(gòu)層，形成于該絕緣基板； 一第一電性觸點(diǎn)，形成于該被動組件結(jié)構(gòu)層；以及一第一介電層，覆蓋該第一電性觸點(diǎn)的一部分，其中該第一介電層具有一第一開孔，該第一電性觸點(diǎn)的另一部分從該第一開孔露出。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該絕緣基板具有一第一貫孔，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)更包括一第二電性觸點(diǎn)，形成于該第一貫孔。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該絕緣基板具有相對的一第一面與一第二面，該被動組件結(jié)構(gòu)層形成于該絕緣基板的該第一面，該第二電性觸點(diǎn)的一部分位于該第一貫孔內(nèi)，該第二電性觸點(diǎn)的另一部分鄰近該絕緣基板的該第二面形成。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，更包括一第一種子層，形成于該絕緣基板與該第二電性觸點(diǎn)之間。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該被動組件結(jié)構(gòu)層包括 一第一線路層，形成于該絕緣基板上；一第二介電層，覆蓋該第一線路層，其中該第二介電層具有一第二貫孔、一第一面及一第二貫孔內(nèi)側(cè)壁，該第二貫孔從該第二介電層的該第一面延伸至該第一線路層，該第二貫孔內(nèi)側(cè)壁對應(yīng)于該第二貫孔，該第一線路層從該第二貫孔露出； 一第二線路層；一第二種子層，形成于該第二線路層與該第二介電層之間；以及其中，該第一電性觸點(diǎn)形成于該被動組件結(jié)構(gòu)層的該第二線路層上。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二線路層具有一露出表面，該第一電性觸點(diǎn)覆蓋該第二線路層的整個該露出表面。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二線路層具有一露出表面，該第一電性觸點(diǎn)僅覆蓋該第二線路層的該露出表面的一部分。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該絕緣基板玻璃基板或陶瓷基板。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，更包括一環(huán)狀結(jié)構(gòu)，環(huán)繞該被動組件結(jié)構(gòu)層的被動組件。
10.一種具有被動組件結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括 提供一絕緣基板；形成一被動組件結(jié)構(gòu)層于該絕緣基板； 形成一第一電性觸點(diǎn)于該被動組件結(jié)構(gòu)層；以及形成一第一介電層覆蓋該第一電性觸點(diǎn)的一部分，其中該第一介電層具有一第一開孔，該第一電性觸點(diǎn)的另一部分從該第一開孔露出。
11.如權(quán)利要求10所述的制造方法，更包括 形成一第一貫孔貫穿該絕緣基板；以及形成一第二電性觸點(diǎn)于該第一貫孔。
12.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中于該提供該絕緣基板的該步驟中，該絕緣基板具有相對的一第一面與一第二面；于形成被動組件結(jié)構(gòu)層的該步驟中，該被動組件結(jié)構(gòu)層形成于該絕緣基板的該第一面；于形成該第二電性觸點(diǎn)的該步驟中，該第二電性觸點(diǎn)的一部分位于該第一貫孔內(nèi)，該第二電性觸點(diǎn)的另一部分鄰近該絕緣基板的該第二面形成。
13.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中于形成該第一貫孔的該步驟中，該絕緣基板具有對應(yīng)該第一貫孔的一第一貫孔內(nèi)側(cè)壁，于形成該第二電性觸點(diǎn)的該步驟之前，該制造方法更包括形成一第一種子層于該第一貫孔內(nèi)側(cè)壁；于形成該第二電性觸點(diǎn)的該步驟中，該第二電性觸點(diǎn)形成于該第一種子層上。
14.如權(quán)利要求13所述的制造方法，更包括移除該第一種子層的一部分，其中該第一種子層的該部分未被該第二電性觸點(diǎn)覆蓋。
15.如權(quán)利要求10所述的制造方法，其中于形成該第一電性觸點(diǎn)的該步驟中，該第一電性觸點(diǎn)由鎳層、鈀層與金層中至少一者所組成。
16.如權(quán)利要求10所述的制造方法，其中于形成該被動組件結(jié)構(gòu)層的該步驟包括 形成一第一線路層于該絕緣基板上；形成一第二介電層覆蓋該第一線路層，其中該第二介電層具有一第二貫孔、一第一面及一第二貫孔內(nèi)側(cè)壁，該第二貫孔從該第二介電層的該第一面延伸至該第一線路層，該第二貫孔內(nèi)側(cè)壁對應(yīng)于該第二貫孔，該第一線路層從該第二貫孔露出；形成一第二種子層于該第二貫孔內(nèi)側(cè)壁及該第二介電層的該第一面；及形成一第二線路層于該第二種子層上；以及于形成該第一電性觸點(diǎn)的該步驟中更包括經(jīng)由該第二種子層，形成該第一電性觸點(diǎn)于該第二線路層上。
17.如權(quán)利要求16所述的制造方法，更包括移除該第二種子層的一部分，其中該部分未被該第二線路層覆蓋。
18.如權(quán)利要求16所述的制造方法，其中于形成該第二線路層的該步驟之前，該制造方法更包括形成一圖案化光阻層于該第二種子層上，其中該圖案化光阻層定義一形成區(qū)； 于形成該第二線路層的該步驟中，該第二線路層形成于該圖案化光阻層的該形成區(qū)內(nèi)，該第二線路層并具有一露出表面；于形成該第一電性觸點(diǎn)的該步驟中更包括形成該第一電性觸點(diǎn)于該形成區(qū)內(nèi)，以覆蓋該第二線路層的整個該露出表面。
19.如權(quán)利要求16所述的制造方法，其中于形成該第二線路層的該步驟中，該第二線路層具有一露出表面；于形成該第一電性觸點(diǎn)的該步驟中更包括形成該第一電性觸點(diǎn)覆蓋該第二線路層的該露出表面的一部分。
20.如權(quán)利要求10所述的制造方法，更包括形成一環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其中該環(huán)狀結(jié)構(gòu)環(huán)繞該被動組件結(jié)構(gòu)層的被動組件。
全文摘要
一種具有被動組件結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括絕緣基板、被動組件結(jié)構(gòu)層、電性觸點(diǎn)及介電層。被動組件結(jié)構(gòu)層形成于絕緣基板。電性觸點(diǎn)形成于被動組件結(jié)構(gòu)層。介電層覆蓋電性觸點(diǎn)的一部分，電性觸點(diǎn)的另一部分從介電層的開孔露出。
文檔編號H01L23/48GK102169861SQ20111003748
公開日2011年8月31日 申請日期2011年2月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月1日
發(fā)明者施旭強(qiáng), 李德章, 謝孟偉 申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司