專利名稱:開關及其制造方法、繼電器的制作方法
技術領域:
本發(fā)明涉及一種開關及其制造方法以及繼電器。具體而言,涉及使用有金屬觸點的開關及其制造方法、以及以與可動觸點部的移動方向垂直的面為觸點的開關及其制造方法,此外還涉及使用有該開關結構的繼電器。
背景技術:
作為使金屬觸點接觸分離且以與可動觸點部的移動方向垂直的面為觸點(接觸面)的MEMS(Micro Electrical-Mechanical Systems)開關,具有專利文獻1公開的結構。 在該開關11中,如圖1 (a)所示,在基板1 的上面形成有絕緣層13a,在其之上形成有由Al 及Cu等構成的導電層14a,進而,通過使Au等鍍敷層15a自導電層14a的上面一直成長至端面而形成有可動觸點部17。同樣,在基板12b的上面形成有絕緣層13b,在其之上形成有由Al及Cu等構成的導電層14b,進而,通過使Au等鍍敷層15b自導電層14b的上面一直成長至端面而形成固定觸點部18。而且,如圖1(b)所示,使可動觸點部17沿箭頭方向移動, 通過使鍍敷層15a的突出區(qū)域即可動觸點16a和鍍敷層15b的突出區(qū)域即固定觸點16b接觸或分離而在可動觸點部17與固定觸點部18之間進行開關動作。另外,作為使可動觸點與基體基板平行地移動而使可動觸點彼此接觸或者分離的靜電繼電器,例如具有專利文獻2公開的結構。如圖2所示,在該靜電繼電器21中,通過對可動梳齒狀電極2 和固定梳齒狀電極23a施加電壓而使桿2 彈性地撓曲,同時,通過也對可動梳齒狀電極22b和固定梳齒狀電極2 施加電壓而使桿24b彈性地撓曲,通過使形成于桿2 的前端的可動觸點2 和形成于桿24b的前端的可動觸點2 接觸而將可動觸點25a、25b間閉合。另外,通過解除各梳齒狀電極2 和23a及可動梳齒狀電極22b和2 之間的施加電壓而使可動觸點25a、25b間分開。在該靜電繼電器21中,通過利用蒸鍍、濺射等將金屬膜成膜于桿Ma、Mb的前端部來制作可動觸點25a、25b。專利文獻1 日本特表2006_5沈沈7號公報專利文獻2 日本特開平9-251834號公報在專利文獻1的開關11中,由于采用使形成于導電層14a的端面的可動觸點16a 的表面和形成于導電層14b的端面的固定觸點16b的表面接觸分離的結構,因而可動觸點 16a和固定觸點16b可在與各鍍敷層15a、Mb成長方向垂直的面(鍍敷表面)彼此接觸。 但是,由于鍍敷層的表面因粗糙而存在微細的凹凸,因而在可動觸點16a和固定觸點16b接觸時的實際接觸面積相當小,觸點彼此的接觸電阻大。另外,在為了鍍敷處理而對導電層14a、14b施加電壓時,由于在導電層14a、14b的端面,電場強度高(電力線集中),因而在突出區(qū)域(可動觸點16a、固定觸點16b),鍍敷覆膜的成長速度大,難以控制觸點間的間隔距離。另一方面,由于觸點的表面因粗糙而具有不規(guī)則的微細凹凸,因而因間隔距離的偏差,觸點彼此靠近時,易于在其間產生放電。因此,在這樣的開關11中,觸點間的間隔距離難以狹小化。為了消除這樣的不良情況,公知的方法是通過研磨等使觸點的表面平滑,但是,由
5于增加觸點的研磨工序,而成為開關及繼電器成本上升的要因。專利文獻2的靜電繼電器21也成為使形成于桿Ma、Mb的端面的可動觸點25a、 2 的表面彼此接觸分離的結構。因此,在該靜電繼電器21中,可動觸點25a、2^在與其蒸鍍膜等成長方向垂直的面彼此接觸。但是,從微觀上看,這些觸點與成長方向垂直的面(觸點的表面)相當粗糙,具有不規(guī)則且微細的凹凸。因此,從微觀上看,觸點彼此的接觸面積變小,觸點閉合時的接觸電阻大。另外,由于難以得到相對的觸點的各表面的平行度,因而觸點彼此的接觸電阻容易變得多大。
發(fā)明內容
本發(fā)明是鑒于上述的技術課題而設立的,其目的在于提供一種不用進行研磨等而平滑地形成觸點的接觸面,另外可使觸點彼此可靠地接觸且可減小觸點間的接觸電阻的開關及其制造方法以及使用該開關的繼電器。本發(fā)明的開關具備彼此接觸或者分離的多個觸點,其特征在于,將與用于形成所述觸點的導電層成膜時的成長方向平行的面作為所述觸點彼此的接觸面。在本發(fā)明的開關中,將觸點彼此的接觸面形成為與導電層的成長方向平行的面, 因此,即使不進行觸點的研磨等,也可平滑地形成觸點的接觸面。因此,觸點彼此接觸時的接觸電阻變小。另外,通過使兩觸點的接觸面變得平滑,既使觸點彼此接觸均勻,又不易引起觸點接觸部的破壞。其結果是,可增加開關的開閉壽命,使觸點間距離的狹小化。本發(fā)明的開關的一方面,其特征在于,所述觸點的接觸面為與模制部相接的面,所述模制部在所述導電層成長時用于確定所述導電層的形成區(qū)域。根據(jù)該方面,由于可利用模制部的面形成觸點的接觸面,因而可平滑地形成觸點的接觸面。本發(fā)明的開關的制造方法,該開關具備彼此接觸或者分離的多個觸點,其特征在于,具備如下的工序在基板的上方形成規(guī)定圖案的模制部;在所述基板的上方,使導電層在除了形成有所述模制部的區(qū)域之外的多個區(qū)域、沿所述基板的厚度方向成長;除去所述模制部,將所述導電層與所述模制部側面相接的面作為所述觸點彼此的接觸面;對應形成有所述導電層的多個區(qū)域,將所述基板分割成多個。根據(jù)本發(fā)明的開關的制造方法,由于可在形成導電層時利用模制部的側面形成觸點的接觸面,因而,即使不進行觸點的研磨等,也可平滑地形成觸點的接觸面。因此,觸點彼此接觸時的接觸電阻變小。另外,通過使兩觸點的接觸面變得平滑,而使觸點彼此的接觸位置分散,難以引起觸點接觸部的破壞。其結果,可增加開關的開閉壽命,使觸點間距離的狹小化。本發(fā)明的開關的制造方法的一方面,其特征在于,彼此平行地形成所述模制部的兩側面,該模制部的兩側面用于形成相對的所述各觸點。根據(jù)該方面,可使觸點彼此的接觸面彼此平行。在本發(fā)明的開關的制造方法的一方面中,也可以通過電解鍍敷或者無電解鍍敷使所述導電層在所述基板的上方成長,另外,也可以通過蒸鍍及濺射等堆積法使所述導電層在所述基板的上方成長。通過除去模制部的工序,能夠將堆積于模制部之上的所述導電層材料與模制部一起除去。
本發(fā)明的繼電器,其特征在于,具備本發(fā)明的開關;促動器,其用于使所述觸點的一部分在與所述觸點彼此的接觸面垂直的方向移動而使觸點彼此接觸或者分離。在本發(fā)明的繼電器中,由于可平滑地形成觸點彼此的接觸面,故而觸點彼此接觸時的接觸電阻變小。另外,通過使兩觸點的接觸面平滑,既使觸點彼此均勻地接觸,又不易引起觸點接觸部的破壞。其結果是,增加了繼電器的壽命。本發(fā)明的開關的另一方面,其特征在于,具備在第一基板的上方形成有包含第一導電層的多個層的第一觸點部;和在第二基板的上方形成有包含第二導電層的多個層的第二觸點部,將所述第一導電層中的、與該導電層成膜時的成長方向平行的端面作為第一觸點部的觸點,將所述第二導電層中的、與該導電層成膜時的成長方向平行的端面作為第二觸點部的觸點,在所述第一觸點部和所述第二觸點部中的至少一方的觸點部,該觸點部的觸點比該觸點部中的導電層以外的層以及該觸點部的基板的各自端面更突出,使所述第一觸點部的觸點和所述第二觸點部的觸點相對而使兩觸點彼此接觸或者分離。在該實施方式中,由于將與第一及第二各導電層的成長方向平行的端面分別作為第一觸點部的觸點和第二觸點部的觸點,因而在使用MEMS技術形成第一及第二導電層時可使作為各觸點的面變得平滑,另外,還可提高觸點彼此的平行度。因此,可加大觸點彼此的實際接觸面積,可減小觸點間的接觸電阻。另外,通過使兩觸點的接觸面變得平滑而不易引起觸點彼此的熔敷,增加開關的開閉壽命。另外,由于可使觸點間距離狹小化,故而可由低電壓對促動器進行驅動而進行觸點彼此的開閉。另外,在該方面中,由于在第一觸點部和第二觸點部中至少一觸點部中,其觸點部的觸點比該觸點部中的導電層以外的層及該觸點部的基板的各個端面更加突出,因而在第一觸點部和第二觸點部的觸點彼此接觸前,使導電層以外的層及基板彼此接觸,而不妨礙第一觸點部的觸點與第二觸點部的觸點的接觸。另外,通過使觸點彼此抵接,可阻止導電層以外的層彼此接觸,通過防止導電層以外的層彼此接觸而可延長觸點壽命。本發(fā)明的開關的又一方面,所述第一及第二導電層由貴金屬、合金、具有導電性的 Si系材料或者導電性氧化物中的任一種材料形成。根據(jù)該方面,第一及第二導電層可由高硬度且電阻率小的材料形成。本發(fā)明的開關的再一方面,其特征在于,所述第一觸點部在所述第一基板的上方形成有第一布線層,在所述第一布線層的上面形成有所述第一導電層,所述第二觸點部在所述第二基板的上方形成有第二布線層,在所述第二布線層的上面形成有所述第二導電層。根據(jù)該方面,由于可分為布線用的布線層和具有開閉用的觸點的導電層,因而可對布線層和導電層分別選擇最佳材料。本發(fā)明的開關的其他方面,其特征在于,在觸點比導電層以外的層以及基板的各自端面更突出的所述至少一方的觸點部,該觸點部的布線層的端面成為如下的傾斜面,即, 從該觸點部與導電層相接的一側的邊緣朝向該觸點部靠近基板的方向逐漸回退。根據(jù)該方面,既可避免布線層彼此接觸,又可通過各布線層分別支承導電層的突出部分。本發(fā)明的開關的其他方面,其特征在于,所述第一及第二布線層由貴金屬、合金、 具有導電性的Si系材料或者導電性氧化物中的任一種材料形成。根據(jù)該方面,第一及第二布線層的電阻率可變小,且其可由較高硬度的材料形成。本發(fā)明的開關的制造方法的另一方面,其特征在于,具備如下的工序通過在基板
7的上方使包含導電層的多個層沿所述基板的厚度方向成長而在所述基板的上方形成包含導電層的多個層,并且在其最上面形成規(guī)定圖案的模制部;通過以所述模制部為掩模而對包含所述導電層的多個層進行蝕刻,將包含所述導電層的多個層分割成多個區(qū)域,并且利用以所述導電層的被蝕刻的面形成成為觸點的面;在包含所述導電層的多個層的被分割的區(qū)域間,通過對所述基板的表面進行各向同性蝕刻而在所述基板的表面形成凹槽;在包含所述導電層的多個區(qū)域的被分割的區(qū)域間,通過對所述基板進行各向異性蝕刻,對應包含所述導電層的多個層的被分割的區(qū)域,將所述基板分割成多個;在所述被分割的區(qū)域的至少一個區(qū)域,通過對所述導電層以外的層進行蝕刻而使所述導電層以外的層的端面比所述導電層的成為觸點的面更加后退。所述導電層例如通過蒸鍍、濺射、MBE、CVD、鍍敷、噴霧法、 溶膠凝膠法、噴墨法或者絲網印刷等堆積法而形成。在本發(fā)明的開關的制造方法中,由于將對導電層進行蝕刻而將其分割時被蝕刻的面作為觸點,因而可使作為各觸點的面變得平滑,另外,還可提高觸點彼此的平行度。因此, 可以減小觸點彼此的實際接觸面積可變大的觸點間的接觸電阻。另外,通過使兩觸點的接觸面變得平滑而不易引起觸點彼此的熔敷,增加開關的開閉壽命。另外,由于可使觸點間距離狹小化,因而可由低電壓對促動器進行驅動而進行觸點彼此的開閉。另外,在該制造方法中,由于各觸點比導電層以外的層及該觸點部的基板的各自端面更加突出,因而在各觸點部的觸點彼此接觸之前使導電層以外的層及基板彼此接觸, 而不會妨礙觸點彼此的接觸。另外,通過使觸點彼此抵接,可防止導電層以外的層彼此的接觸,可防止導電層以外的層彼此的固著而延長觸點壽命。本發(fā)明的開關的制造方法的又一方面,其特征在于,具備如下的工序在基板的上方形成規(guī)定圖案的模制部,在所述基板的上方,通過在除了形成有所述模制部的區(qū)域之外的多個區(qū)域使包含導電層的多個層沿所述基板的厚度方向成長,在所述基板的上方形成包含所述導電層的多個層;除去所述模制部,利用所述導電層與所述模制部側面相接的面形成成為觸點的面;在包含所述導電層的多個層的被分離的區(qū)域間,通過對所述基板的表面進行各向同性蝕刻而在所述基板的表面形成凹槽;在包含所述導電層的多個層的被分離的區(qū)域間,通過對所述基板進行各向異性蝕刻,對應包含所述導電層的多個層的被分離的區(qū)域,將所述基板分割成多個;在所述被分離的區(qū)域的至少一個區(qū)域,通過對所述導電層以外的層進行蝕刻,使所述導電層以外的層的端面比導電層的成為觸點的面更加后退。所述布線層例如通過蒸鍍、濺射、PLD、MBE、ALD、MOCVD、熱CVD、鍍敷、噴霧法、溶膠凝膠法、噴墨法或者絲網印刷等堆積法而形成。在本發(fā)明的開關的制造方法中,由于導電層中與模制部相接的面形成為觸點,因而可平滑地形成作為各觸點的面,另外,還可提高觸點彼此的平行度。因此,可減小觸點彼此的實質接觸面積可變大的觸點間的接觸電阻。另外,通過使兩觸點的接觸面變得平滑而不易引起觸點彼此的熔敷,增加開關的開閉壽命。另外,由于可使觸點間距離狹小化,故而可用低電壓對促動器進行驅動而進行各開關的開閉。另外,在該制造方法中,由于各觸點比導電層以外的層及該觸點部的基板的各自端面更加突出,因而可防止在各觸點部的觸點彼此接觸之前、導電層以外的層及基板彼此接觸,阻礙觸點彼此的接觸。另外,通過使觸點彼此抵接,可阻礙導電層以外的層彼此的接觸,可防止導電層以外的層彼此的固著而延長觸點壽命。
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本發(fā)明的開關的制造方法的再一方面,其特征在于,包含所述導電層的多個層在形成于所述基板的上方的布線層的上面形成有導電層。根據(jù)該方面,由于可分為布線用的布線層和具有開閉用的觸點的導電層,因而可分別對布線層和導電層選擇最佳材料。另外, 布線層可通過蒸鍍、濺射、MBE、CVD、鍍敷、噴霧法、溶膠凝膠法、噴墨法或者絲網印刷等堆積法而形成。另外,在該方面中,在使所述導電層以外的層的端面比所述導電層的成為觸點的面更加后退的工序中,所述布線層的端面能夠以從所述導電層側朝向所述基板而很大地后退的方式傾斜。根據(jù)該方面,既可避免布線層彼此接觸,又可通過布線層分別支承導電層的突出部分。本發(fā)明的繼電器,其特征在于,具備本發(fā)明的開關;促動器,其用于使所述第一觸點部和所述第二觸點部中的至少一方的觸點部向與所述第一觸點部和第二觸點部的觸點彼此的接觸面垂直的方向移動而使所述觸點彼此接觸或者分離。在該繼電器中,由于可平滑地形成第一觸點部和第二觸點部的觸點彼此的接觸面,因而可減小觸點彼此接觸時的接觸電阻。另外,通過使兩觸點的接觸面變得平滑,在觸點彼此接近時不易放電,進而不易引起觸點彼此的熔敷。其結果是,繼電器的壽命增加。另外,由于觸點比其他層的端面及基板的端面更加突出,因而不會在使觸點彼此接觸之前使導電層以外的層及各基板接觸而妨礙第一觸點部的觸點和第二觸點部的觸點的接觸。另外,用于解決本發(fā)明的上述課題的方法具有對以上說明的構成要素進行適當組合的特征,本發(fā)明通過該構成要素的組合可有許多的變更。
圖1 (a)、(b)是表示專利文獻1所公開的MEMS開關的剖面圖;圖2是專利文獻2所公開的靜電繼電器的立體圖;圖3是表示本發(fā)明第一實施方式的開關結構的剖面圖;圖4(a) (d)是說明第一實施方式的開關的第一制造方法的概略剖面圖;圖5(a) (d)是說明第一實施方式的開關的第二制造方法的概略剖面圖;圖6是表示本發(fā)明第二實施方式的靜電繼電器的平面圖;圖7是放大表示圖6的A部的立體圖;圖8是沿圖6的B-B線的概略剖面圖;圖9(a)及(b)是表示本發(fā)明第三實施方式的開關結構的剖面圖;圖10(a) (d)是說明第三實施方式的開關的第三制造方法的概略剖面圖;圖11(a) (d)是表示圖10(d)之后的工序的概略剖面圖;圖12(a) (d)是說明第三實施方式的開關的第四制造方法的概略剖面圖;圖13(a) (d)是表示圖12(d)之后的工序的概略剖面圖;圖14(a) (d)是說明第三實施方式的開關的第五制造方法的概略剖面圖;圖15是表示本發(fā)明第四實施方式的開關結構的剖面圖;圖16(a) (d)是說明第四實施方式的開關的第六制造方法的概略剖面圖;圖17(a) (c)是表示圖16(d)之后的工序的概略剖面圖;圖18(a) (d)是說明第四實施方式的開關的第七制造方法的概略剖面圖19(a) (c)是表示圖18(d)之后的工序的概略剖面圖;圖20是表示本發(fā)明第五實施方式的靜電繼電器的平面圖;圖21是放大表示圖20的A部的立體圖;圖22是沿圖20的B-B線的概略剖面圖。符號說明31、31A:開關31B:靜電繼電器32 基體基板33:固定觸點部34 可動觸點部35:固定電極部36:可動電極部37 彈性彈簧38 支承部39 絕緣膜41:固定觸點基板43、53:緊密貼合層44,44a,44b,54 布線層45、45a、45b、55 導電層46、46a、46b 固定觸點51 可動觸點基板56 可動觸點63:固定電極67 分支狀電極部68 分支部74 梳齒狀電極部75:梳齒部Al 基板A2 模制部A3 緊密貼合層A4 布線層A5:導電層A7:凹槽
具體實施例方式下面,參照
本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。但是,本發(fā)明不限于以下的實施方式,在不超出本發(fā)明的宗旨的范圍可進行各種設計變更。(第一實施方式)(結構)
圖3是表示第一實施方式的開關的結構的剖面圖。該開關31具備固定觸點部33 和可動觸點部34。固定觸點部33經由絕緣膜42固定于基體基板32的上面,可動觸點部 34通過驅動機構或者促動器而在與基體基板32的上面平行的方向(用空穴箭頭表示的方向)移動。例如,本發(fā)明的開關還可使用專利文獻1公開的結構的MEMS開關。固定觸點部33在固定觸點基板41的上面形成絕緣層43和基底層44,在其之上形成有導電層45。另外,雖然也將導電層稱為觸點層,但是在本說明書中統(tǒng)一為導電層而加以說明。另外,可動觸點部34在可動觸點基板51的上面形成有絕緣層53和基底層M,在其之上形成有導電層55。導電層45、55通過利用電解鍍敷及無電解鍍敷、蒸鍍、濺射等使導電材料在厚度方向(圖3的箭頭方向)成長而形成,將各自的相對側面形成為固定觸點(電接觸面)和可動觸點56 (電接觸面)。作為導電層45、55的材料,可使用Pt、Au、Pd、Ir、Ru、 Rh,Re,Ta,Pt合金、Au合金等。該固定觸點46和可動觸點56彼此平行且平滑地形成。因此,在使可動觸點部;34平行移動使固定觸點46和可動觸點56接觸而將兩觸點閉合時,兩觸點46、56在幾乎整個面進行面接觸。另外,導電層45和導電層55的相對部分分別從固定觸點基板41和可動觸點基板 51的端面突出,固定觸點基板41和可動觸點基板51的相對面都以越向下面?zhèn)仍交赝说姆绞絻A斜。因此,在使可動觸點部34移動而使可動觸點56與固定觸點46接觸時,不會使固定觸點基板41和可動觸點基板51接觸而妨礙可動觸點56和固定觸點46的接觸。(制造方法1)開關31 使用 MEMS (Micro Electrical-Mechanical System)技術進行制造。圖 4(a) (d)所示的制造方法是通過電解鍍敷制作導電層45、55。圖4(a)表示在由Si構成的基板Al上形成SiO2等絕緣層A3和鍍敷基底層A4,進而在鍍敷基底層A4之上形成模制部A2的圖。鍍敷基底層A4為鍍敷電極,例如形成由底層Cr/上層Au構成的雙層結構, 具有提高絕緣層A3與導電層A5的緊密貼合性(剝離強度)的作用。模制部A2使用對鍍敷液具有抗性且在其后的模制部除去工序不腐蝕導電層A5而有選擇地進行蝕刻除去的材料。例如,只要通過將涂覆于鍍敷基底層A4的上面的光致抗蝕劑通過曝光用掩模進行曝光蝕刻而進行構圖,形成模制部A2即可。或者,也可以在形成鍍敷基底層A4的上面形成氧化膜(Si02)、氮化膜(SiN)、氧化鋁膜(A1203)、與導電層45及55種類不同的金屬膜之后,使用光刻技術將對這些膜進行了構圖的膜形成為模制部A2。這樣,將模制部A2形成于要形成導電層45、55的區(qū)域以外的區(qū)域,在要形成導電層45、55的區(qū)域間進行了構圖的模制部A2的兩側面彼此并行且平滑。另外,在圖4(a)中雖未作圖示,但是基板Al的整個下面經由S^2 等絕緣膜42而固定于由Si基板及玻璃基板等構成的基體基板32的上面。接著,將該基板Al浸漬于鍍敷浴,若以該鍍敷基底層A4為鍍敷電極進行電解鍍敷時,則如圖4(b)所示,在鍍敷基底層A4的表面依次析出Pt等鍍敷金屬粒子,導電層A5在基板Al的厚度方向成長。在被模制部A2覆蓋的區(qū)域不析出鍍敷金屬粒子。另外,也可以替代電解鍍敷而進行無電解鍍敷(化學鍍敷)。在將從鍍敷浴取出的基板Al水洗之后,若通過蝕刻除去模制部A2,則如圖4 (c)所示,在要形成導電層45、55的區(qū)域間被模制部A2覆蓋的地方生成空洞A6。由空洞A6分離的一導電層A5為導電層55,面向空洞A6的側面為可動觸點56。另外,由空洞A6分離的另一導電層A5為導電層45,面向空洞A6的側面為固定觸點46。
接著,如圖4(d)所示,從空洞A6開始將其浸漬在蝕刻液而依次將鍍敷基底層A4 及絕緣層A3分割成兩個。另外,從下面?zhèn)乳_始對基板Al進行蝕刻,或者從空洞A6側開始進行蝕刻將其分割成兩個,將各自一方形成為基底層M、絕緣層53及可動觸點基板52,將另一方形成為基底層44、絕緣層43及固定觸點基板41。這樣將一塊構成為層疊有固定觸點基板41、絕緣層43、基底層44及導電層45的固定觸點部33。將該固定觸點部33經由絕緣膜42固定于基體基板32的上面。另外,將另一塊構成為層疊有可動觸點基板51、絕緣層53、基底層M及導電層55的可動觸點部34。 該可動觸點部34最后通過蝕刻除去下面的絕緣膜而自基體基板32分離,制作開關31 (MEMS 開關)。(制造方法2)另外,該開關31也可通過圖5(a) (d)所示的工序制作。該制造方法為通過蒸鍍及濺射等制作導電層45、55。圖5(a)為與圖4(a)相當?shù)墓ば?,在絕緣層A3之上沒有鍍敷基底層A4,而是形成有用于提高絕緣層A3與導電層A5的緊密貼合強度(剝離強度)的緊密貼合層A7(例如,由底層Cr/表層Au構成的雙層結構)。另外,在圖5(b)的工序,通過蒸鍍及濺射等而在緊密貼合層A7之上堆積Pt等金屬材料。根據(jù)蒸鍍及濺射等堆積法,如圖5 (b)所示,也在模制部A2之上堆積導電層A5,但若模制部A2的高度足夠,則通過蝕刻除去模制部A2,也同時將模制部A2之上的導電層A5除去(提升法)。如圖5(c)所示,可在除去模制部A2之后形成空洞A6,將導電層A5分離為導電層陽和導電層45,這一點與圖4(c)的工序相同。另外,如圖5(d)所示,從空洞A6開始浸漬在蝕刻液而依次將緊密貼合層A7及絕緣層A3分割成兩個,另外,將基板Al分割成兩個,分別將一方形成為基底層54、絕緣層53及可動觸點基板51,將另一方形成為基底層44、絕緣層43及固定觸點基板41,這一點與圖4(d)的工序相同。(作用效果)在本發(fā)明的開關31中,由于固定觸點46的接觸面和可動觸點56的接觸面與導電層A5的成長方向平行,因而即使不進行研磨等也能夠在模制部的側面平滑地形成接觸面。 另外,還提高了兩觸點46、56的接觸面的平行度。因此,兩觸點46、56彼此接觸時的接觸電阻變小。另外,由于可提高兩觸點46、56間的間隔距離的精度并減小偏差,因而可使觸點間的間隔距離狹小化,進而可減小利用促動器進行的可動觸點56的移動距離。另外,由于固定觸點46和可動觸點56的表面變得平滑,因而觸點彼此的接觸位置分散,不易引起觸點接觸部的破壞,從而開關31的開閉壽命延長。(第二實施方式)接著,說明本發(fā)明第二實施方式的高頻用的靜電繼電器31B的結構。圖6是表示靜電繼電器31B的結構的平面圖。圖7是放大表示圖6的A部的立體圖。圖8是沿圖6的 B-B線的概略剖面圖。該靜電繼電器31B在由Si基板及玻璃基板等構成的基體基板32的上面設有固定觸點部33、可動觸點部34、固定電極部35、支承可動觸點部34的可動電極部36、彈簧37、 支承彈簧37的支承部38。如圖8所示,固定觸點部33將由Si構成的固定觸點基板41的下面通過絕緣膜
1242 (SiO2)固定在基體基板32的上面。在固定觸點基板41的上面形成有由氧化膜(SiO2)及氮化膜(SiN)等構成的絕緣層43,在其上面形成有由底層Cr/表層Au構成的基底層44,在基底層44之上形成有Pt等導電層45a、45b。另外,如圖6及圖7所示,固定觸點基板41在基體基板32的上面端部沿寬度方向 (X方向)延伸,在中央部形成有向可動觸點部34側突出的伸出部41a,在兩端分別形成有焊盤支承部41b、41b。導電層45a、45b沿固定觸點基板41的上面布線,導電層45a、45b的一端部在伸出部41a的上面彼此平行配置,從伸出部41a的端面突出的部分的前端面位于同一平面內并分別成為固定觸點46a、46b(電接觸面)。另外,導電層45a、45b的另一端部在上述焊盤支承部41b、41b的上面形成有金屬焊盤部47a、47b??蓜佑|點部34設于與伸出部41a相對的位置。如圖8所示,可動觸點部34在由 Si構成的可動觸點基板51的上面形成有由氧化膜(SiO2)及氮化膜(SiN)等構成的絕緣層 53,其上面形成有由底層Cr/表層Au構成的基底層M,在基底層M之上形成有Pt等導電層55。與導電層45a、^b相對的導電層55的端面從可動觸點基板51的前面突出且與固定觸點46a、46b平行地形成,該端面構成為可動觸點56 (電接觸面)??蓜佑|點56從固定觸點46a的外側緣至固定觸點46b的外側緣的距離具有大致相等的寬度。另外,可動觸點基板51被從可動電極部36突出的支承梁57懸臂狀地支承??蓜佑|點基板51及支承梁57的下面從基體基板32的上面浮起,與可動電極部36 —起與基體基板31的長度方向(X方向)平行地移動。在該靜電繼電器31B中,固定觸點部33的金屬焊盤部47a、47b連接主電路(未圖示),通過使可動觸點56與固定觸點46a、46b接觸,可閉合主電路,通過使可動觸點56從固定觸點46a、46b分離而可斷開主電路。另外,由于伸出部41a和可動觸點基板51的相對面分別以越向下方越后退的方式傾斜,另外,固定觸點46a、46b從伸出部41a突出,同時可動觸點56也從可動觸點基板51突出,因而防止在使觸點間閉合時使伸出部41a和可動觸點基板51接觸而引起可動觸點56和固定觸點46a、46b的接觸不良。用于使可動觸點部34移動的促動器由固定電極部35、可動電極部36、彈簧37及支承部38構成。如圖6所示,在基體基板32的上面彼此平行地配置有多個固定電極部35。固定電極部35在平面看從矩形的焊盤部66的兩面向Y方向分別延伸出形成分支狀的分支狀電極部67。分支狀電極部67分別以左右對稱的方式使分支部68突出,分支部68在Y方向按一定間距排列。如圖8所示,在固定電極部35將固定電極基板61的下面通過絕緣膜62固定于基體基板32的上面。另外,在焊盤部66中,在固定電極基板61的上面由Cu、Al等形成有固定電極63,在固定電極63之上設有電極焊盤層65。如圖6所示,可動電極部36以包圍各固定電極部35的方式形成??蓜与姌O部36 以從兩側夾持各固定電極部35的方式形成有梳齒狀電極部74(在固定電極部35間,通過一對梳齒狀電極部74成為分支狀)。梳齒狀電極部74以各固定電極部35為中心左右對稱,從各梳齒狀電極部74向分支部68間的空隙部延伸出梳齒部75。且各梳齒部75與鄰接于其梳齒部75而位于接近可動觸點部34側的分支部68的距離比與鄰接于該梳齒部75而位于遠離可動觸點部34側的分支部68的距離短。
可動電極部36由Si的可動電極基板71構成,可動電極基板71的下面從基體基板32的上面浮起。另外,在可動電極部36的可動觸點側端面的中央突設有支承梁57而在支承梁57的前端保持有可動觸點部34。支承部38由Si構成,在基體基板32的另一端部沿X方向伸長延伸。支承部38的下面通過絕緣膜39固定在基體基板32的上面。支承部38的兩端部和可動電極部36 (可動電極基板71)通過又Si左右對稱地形成的一對彈簧37連接,可動電極部36經由彈簧37 由支承部38水平地支承。另外,可動電極部36通過使彈簧37彈性變形而可在Y方向移動。在具有上述構成的靜電繼電器3IB中,在固定電極部35和可動電極部36之間連接有直流電壓源,通過控制電路等接通、斷開直流電壓。在固定電極部35中,直流電壓源的一端子與電極焊盤層65連接。直流電壓源的另一端子與支承部38連接。由于支承部38 及彈簧37具有導電性,支承部38、彈簧37及可動電極基板71電氣導通,因而可使施加于支承部38的電壓施加于可動電極基板71。若通過直流電壓源在固定電極部35與可動電極部36之間施加直流電壓,則在分支狀電極部67的分支部68與梳齒狀電極部74的梳齒部75之間產生靜電引力。但是,由于固定電極部35及可動電極部36的結構關于各固定電極部35的中心線對稱形成,因而對可動電極部36作用的X方向的靜電引力平衡,不會使可動電極部36在X方向移動。另一方面,由于與鄰接于各梳齒部75且位于靠近可動觸點部側的分支部68的距離比與鄰接于該梳齒部75鄰接且位于遠離可動觸點部34側的分支部68的距離短,因而各梳齒部75被向可動觸點部側吸引,一邊使彈簧37撓曲一邊使可動電極部36在Y方向移動。其結果是, 可動觸點部34向固定觸點部33側移動,使可動觸點56與固定觸點46a、46b接觸而將固定觸點46a和固定觸點46b之間(主電路)電閉合。另外,由于若解除施加于固定電極部35與可動電極部36之間的直流電壓,則分支部68與梳齒部75之間的靜電引力消失,因而利用彈簧37的彈性復原力而使可動觸點部36 在Y方向上后退,使可動觸點56自固定觸點46a、46b分離而將固定觸點46a與固定觸點 46b之間(主電路)斷開。這樣的靜電繼電器31B通過下面的工序制作。首先,在由絕緣膜覆蓋整個表面的基體基板32(Si晶片、SOI晶片等)的上面接合Si基板(具有導電性的其它Si晶片),在該Si基板的上面蒸鍍金屬材料而形成電極膜。接著,通過光刻技術對該電極膜進行構圖, 通過電極膜在焊盤部66即固定電極基板61的上面形成固定電極63。之后,從電極膜之上在Si基板的上面層疊絕緣層、基底層及導電層。接著,對導電層進行構圖而形成固定觸點部33的導電層45a、45b、可動觸點部34的導電層55及固定電極部35的電極焊盤層65。另外,殘留導電層4如、4恥及導電層55下面的基底層和絕緣層而進行蝕刻除去,通過殘留的基底層而形成基底層44、54,通過殘留的絕緣層而形成絕緣層 43,53ο另外,也可通過與上述不同的順序同時形成固定電極63、導電層4如、4恥及導電層55。其后,在導電層45a、導電層55、固定電極63等之上涂敷光致抗蝕劑而形成抗蝕劑掩模,通過該抗蝕劑掩模對Si基板進行構圖,利用在各區(qū)域殘留的Si基板來制作固定觸點部33的固定觸點基板41、可動觸點部34的可動觸點基板51、固定電極部35的固定電極基板61、可動電極部36的可動電極基板71、彈性彈簧37、支承部38。最后,通過蝕刻除去從Si基板露出的區(qū)域的絕緣膜和可動觸點部34及可動觸點部36下面的絕緣膜,切割成各個靜電繼電器31B。由于在這樣的靜電繼電器31B的制造工序中,可動觸點部34和固定觸點部35可通過與圖4及圖5所示的工序同樣的工序制作,因而將固定觸點部33的固定觸點46a、46b 和可動觸點部34的可動觸點56形成為與導電層的成長方向平行的側面,可以不進行研磨等而得到平滑性和平行性良好的觸點。因此,在該靜電繼電器31B中,也可得到與第一實施方式的開關31同樣的作用效果。(第三實施方式)(結構)圖9(a)是表示本發(fā)明第一實施方式的開關的結構的剖面圖。該開關31具有固定觸點部33和可動觸點部34。固定觸點部33經由絕緣膜42將其下面固定在基體基板32的上面,可動觸點部34自基體基板32的上面浮起且通過促動器在與基體基板32的上面平行的方向(用空心箭頭表示的方向)移動。例如,本發(fā)明的開關也可用于專利文獻1所示的結構的MEMS開關。固定觸點部33在固定觸點基板41的上面設有布線圖案部48。布線圖案部48的構成包含位于固定觸點基板41的上面的緊密貼合層43、層疊于其上的布線層44及導電層45。另外,可動觸點部34在可動觸點基板51的上面設有布線圖案部58。布線圖案部58 的構成包含位于可動觸點基板51的上面的緊密貼合層53、層疊于其上的布線層M及導電層55。緊密貼合層43為用于提高布線層44和固定觸點基板41的緊密貼合強度(剝離強度)的層。緊密貼合層53為用于提高布線層M和可動觸點基板51的緊密貼合強度(剝離強度)的層。緊密貼合層43、53例如為由底層Cr/表層Au構成的雙層結構,通過CVD、蒸鍍、濺射、電解鍍敷及無電解鍍敷等方法形成。優(yōu)選布線層44、54由電阻率小且高硬度的材料形成,由Pt、Rh、Pd、Au等貴金屬及合金、多晶硅(Poly-Si)、摻雜有雜質的摻雜硅(doped Si)、摻雜多晶硅等Si系材料、及Ag0、SrRu03等導電性氧化物構成。另外,也優(yōu)選導電層45、 55由電阻率小且高硬度的材料形成,且由Pt、他、Pd、Au等貴金屬、多晶硅、摻雜硅、摻雜多晶硅等Si系材料、及AgO、SrRuO3等導電性氧化物構成。另外,布線層4454及導電層45、 55可通過蒸鍍、濺射、MBE、CVD、鍍敷、噴霧法、溶膠凝膠法、噴墨法或者絲網印刷法等堆積法形成。但是,由于導電層455為用于形成彼此接觸 分離的固定觸點和可動觸點的層,高硬度材質的一方在觸點彼此接觸時不易引起粘附(固著),開關31的壽命延長,因而理想的是優(yōu)先選擇導電層45、55的材料為高硬度。對此,由于布線層4454為用于傳輸信號的層,因而彼此不直接接觸,另外即使多少柔軟也可期待緩和觸點彼此接觸時的沖擊的效果, 因而布線層4454較之高硬度、以低電阻材料優(yōu)先而選擇材料。因此,雖然布線層4454也與導電層45、55同樣地優(yōu)選低電阻且高硬度的材料,但是,通常用電阻率比導電層45、55小的材料形成布線層44、54,而用硬度比布線層44、54高的材料形成導電層45、55。緊密貼合層43、53、布線層4454及導電層45、55通過使各自的材料在厚度方向 (圖9的箭頭方向α)成長而形成。導電層45和導電層55彼此的相對端面中、將導電層45的相對端面作為固定觸點部46(電接觸面),將導電層55的相對端面作為可動觸點56(電接觸面)。因此,固定觸點46成為與導電層45的成長方向α平行的端面或者與導電層45 的表面垂直的面??蓜佑|點56也成為與導電層55的成長方向α平行的端面或者與導電層55的表面垂直的面。固定觸點46和可動觸點56彼此平行,且都平滑地形成。但是,固定觸點46和可動觸點56不一定必須是平面,即使成為彎曲面也無所謂。在與可動觸點部34相對的面,固定觸點46比固定觸點基板41的端面及緊密貼合層43的端面更向水平方向突出。布線層44上面的端與固定觸點46對齊,或者比固定觸點 46回退,布線層44的端面49以越靠近固定觸點基板41側越遠離可動觸點部34的方式回退。同樣,在與固定觸點部33相對的面,可動觸點56比可動觸點基板51的端面及緊密貼合層53的端面更向水平方向突出。布線層M上面的端與可動觸點56對齊,或者比可動觸點56回退,布線層M的端面59以越靠近可動觸點基板51側越遠離固定觸點部33的方式回退。另外,在固定觸點部33及可動觸點部34中,也可以在緊密貼合層43、53與各基板 41、51之間形成絕緣層。在該開關31中,若通過促動器等使可動觸點部34在與基體基板32的上面平行的方向移動,則如圖9 (b)所示,固定觸點部33的固定觸點46和可動觸點部34的可動觸點56 接觸,將固定觸點46與可動觸點56之間電閉合。而且,由于導電層45、55分別比布線層44、 54及緊密貼合層43、53的端面及各基板41、51的端面更向水平方向突出,因而不會在固定觸點46和可動觸點56接觸前使布線層4454彼此接觸,或者緊密貼合層43、53彼此接觸, 或者兩基板41、51彼此接觸,而妨礙固定觸點46和可動觸點56的接觸。另外,由于通過使固定觸點46和可動觸點56抵接,妨礙布線層4454彼此的接觸及緊密貼合層43、53彼此的接觸,因而即使是布線層4454及緊密貼合層43、53使用硬度低的材料的情況下,也不會使布線層4454彼此粘附及緊密貼合層43、53彼此粘附,不會對觸點壽命造成影響。另外,由于布線層44、54的端面49、59以越向上方越突出的方式傾斜,因而既可避免布線層4454彼此的接觸,又可通過布線層4454分別支承導電層45、55的突出部分。另外,若是該開關31那樣的結構,則可采用如下各種制造方法。(第三制造方法)開關31使用MEMS技術進行制作。圖10(a) (d)及圖11(a) (d)表示開關31 的制造工序之一例。圖10(a)表示在由Si構成的基板Al上面通過蒸鍍、濺射等方法而形成緊密貼合層A3的狀態(tài)。緊密貼合層A3使用緊密貼合性高的材料例如Cr、Ti等材料形成底層,另外, 在其之上形成低電阻材料例如Au、Cu、Al等材料。在基板Al的上面形成緊密貼合層A3之后,在緊密貼合層A3的上面涂敷光致抗蝕劑,使用光刻技術對光致抗蝕劑進行構圖,如圖 10(b)所示,在緊密貼合層A3的上面,在要形成布線圖案部48、58的區(qū)域以外的區(qū)域設置模制部A2。接著,如圖10(c)所示,通過蒸鍍及濺射、電解鍍敷等方法在緊密貼合層A3上堆積布線層的材料,在要形成布線圖案部48及58的區(qū)域層疊布線層A4。接著,通過蒸鍍及濺射、電解鍍敷等方法在布線層A4之上堆積導電層的材料,在要形成布線圖案部48及58的區(qū)域層疊導電層A5。
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之后,若浸漬于剝離液而將模制部A2剝離的話,則如圖10(d)所示,在要形成布線圖案部48及58的區(qū)域形成布線層4454和導電層45、55。另外,與模制部A2相接的導電層45、55的端面平滑且彼此平行地形成,分別成為固定觸點46和可動觸點56。接著,使用布線層44、54、導電層45、55及基板Al對其具有抗性的蝕刻液有選擇地蝕刻緊密貼合層A3,如圖11 (b)所示,除去緊密貼合層A3從導電層45、55露出的區(qū)域,同時對緊密貼合層A3進行過蝕刻,使緊密貼合層A3的邊緣比布線層44、54的邊緣回退而構圖緊密貼合層43、53。之后,在導電層45與導電層55中間的區(qū)域A6,以導電層45、55為掩模對基板Al進行各向同性蝕刻。此時,如圖11(b)所示,使用對導電層45、55、布線層4454及緊密貼合層 43,53具有耐腐蝕性的蝕刻方法,以比緊密貼合層43、53間的開口寬度大的寬度對基板Al 的上面進行蝕刻的方式對基板Al進行過蝕刻,在基板Al的上面設置凹槽A7。作為對基板 Al進行各向同性蝕刻的方法,例如以六氟化硫和全氟環(huán)丁烷為氣體材料進行RIE (Reactive Ion Etching)(例如在壓力為10 lOOPa、高頻功率為50 200W的條件下進行)。作為進行各向同性蝕刻的方法,除此之外還有使用氙氣為氣體材料進行干式蝕刻的方法及使用氟硝酸液進行濕式蝕刻的方法等。這樣,如圖11 (b)所示,在基板Al上面形成凹槽A7之后,以導電層45、55為掩模進一步從凹槽A7側對基板Al進行各向異性蝕刻,如圖11(c)所示,通過各向異性蝕刻將基板Al分割為固定觸點基板41和可動觸點基板51,使固定觸點基板41的端面比固定觸點 46回退,同時使可動觸點基板51的端面比可動觸點56回退。作為各向異性蝕刻的方法, 例如以六氟化硫為氣體材料進行DRIE (De印Reactive Ion Kching)(例如,在壓力為3 lOPa、高頻功率為200 800W的條件下進行)。作為進行各向異性蝕刻的方法,除此之外還有離子蝕刻及使用KOH水溶液、TMAH液進行濕式蝕刻的方法等。另外,各向異性蝕刻后的固定觸點基板41和可動觸點基板51的距離(或者固定觸點基板41、可動觸點基板51的端面后退的程度)可通過圖11(b)的凹槽A7的寬度進行控制。另外,通過對布線層44、54的端面進行蝕刻(深腐蝕)而使布線層44、54的端面 49,59傾斜。在圖11 (d)中,布線層4454上面的端與固定觸點46及可動觸點56對齊,但是也可以從固定觸點46及可動觸點56回退。另外,布線層44、54的端面49、59也可以不是傾斜面,只要從固定觸點46及可動觸點56回退,即使成為與兩觸點46、56平行的垂直面也無妨。這樣將其中一塊形成為層疊有固定觸點基板41、緊密貼合層43、布線層44及導電層45的固定觸點部33。該固定觸點部33經由絕緣膜42固定于基體基板32的上面。另外,將其中的另一塊形成為層疊有可動觸點基板51、緊密貼合層53、布線層M及導電層55 的可動觸點部34。最后,通過蝕刻除去下面的絕緣膜而將該可動觸點部34與基體基板32 分開。其結果是,制作出開關31 (MEMS開關)。在這樣制作的開關31中,由于作為固定觸點46及可動觸點56的面為與導電層 45,55的成長方向平行的面,通過模制部A2的兩側面進行成型,因而與導電層45、55的表面相比可平滑地形成,另外,還提高了平行度。因此可使兩觸點46、56彼此可靠地接觸,進而可減小觸點間的接觸電阻。另外,由于可平滑地形成兩觸點46、56的接觸面,因而在觸點彼此接近時不易放電,難以引起固定觸點46和可動觸點56的熔敷,開關31的開關壽命增加。
另外,根據(jù)這樣的制造方法,可通過模制部A2的寬度高精度地決定固定觸點46與可動觸點56之間的觸點間距離,另外,由于如上述那樣還難以在觸點間發(fā)生放電,因而可使固定觸點46與可動觸點56之間的觸點間距離狹小化,進而可用低電壓對促動器進行驅動使觸點彼此開閉。(第四制造方法)另外,開關31還可以通過圖12(a) (d)及圖13(a) (d)所示的工序制作。以下,說明該第四制造方法。首先,如圖12(a)所示,在由Si構成的基板Al的上面通過蒸鍍、濺射等方法形成緊密貼合層A3,在其上面進一步層疊布線層A4和導電層A5。接著,在導電層A5之上涂敷光致抗蝕劑并進行構圖,如圖12(b)所示,在要形成布線圖案部48及58的區(qū)域形成模制部A2。對模制部A2進行構圖后,如圖12(c)所示,以該模制部A2為掩模對導電層A5的露出區(qū)域有選擇地進行蝕刻,在布線層A4的上面構圖導電層45、55,同時,在導電層45、55的端面分別形成固定觸點46和可動觸點56。另外,更換蝕刻液,如圖12(d)所示,以模制部A2為掩模有選擇地蝕刻布線層A4的露出區(qū)域,在緊密貼合層A3之上構圖布線層44、54。另外,使用導電層45、55及基板Al對其具有抗性的蝕刻液有選擇地蝕刻緊密貼合層A3,如圖13 (a)所示,除去緊密貼合層A3從導電層45、55露出的區(qū)域,同時對緊密貼合層 A3進行過蝕刻使緊密貼合層A3的邊緣比布線層4454的邊緣回退而構圖緊密貼合層43、 53。接著,浸漬于剝離液而將模制部A2剝離。其后,經由與第三制造方法即圖11(b) (d)同樣的工序,通過各向同性蝕刻在基板Al的上面形成凹槽A7(圖13(b)),對基板Al進行各向異性蝕刻而將其分割為固定觸點基板42和可動觸點基板51 (圖13(0)),對布線層44、54的端面49、59進行深腐蝕(圖 13(d)),制作出開關31。在這樣的方法中,由于固定觸點46及可動觸點56通過以模制部A2為掩模對導電層A5進行蝕刻而形成,因而可以平滑且彼此平行地形成固定觸點46及可動觸點56。另外, 還可以以高精度控制固定觸點46和可動觸點56的觸點間距離。(第五制造方法)另外,開關31還可以通過圖10(a) (d)及圖14(a) (d)所示的工序制作。在第五制造方法中,開始也是通過圖10(a) (d)的工序在基板Al的上面形成緊密貼合層 A3,在要形成布線圖案部48、58的區(qū)域以外的區(qū)域設置模制部A2,在要形成布線圖案部48、 58的區(qū)域,在緊密貼合層A3之上層疊布線層A4和導電層A5,之后,在剝離液中將模制部A2 剝離。該圖10(a) (d)的工序由于已經進行了說明因而從略。在第五制造方法中,通過圖10(a) (d)的工序在緊密貼合層A3之上形成布線層 4454和導電層45、55,之后,如圖14(a)所示,使用導電層45、55及基板Al對其具有抗性的蝕刻液有選擇地蝕刻緊密貼合層A3。其結果是,可除去緊密貼合層A3從導電層45、55露出的區(qū)域,同時,對緊密貼合層A3進行過蝕刻而使緊密貼合層A3的邊緣比布線層4454的邊緣回退。其后,在導電層45和導電層55中間的區(qū)域A6,以導電層45、55為掩模在上面?zhèn)葘錋l進行各向異性蝕刻,如圖14(b)所示,將基板Al分割為固定觸點基板41和可動觸點基板51。作為各向異性蝕刻的方法,例如以六氟化硫為氣體材料進行DRIE。作為進行各向異性蝕刻的方法,除此之外,還有離子蝕刻及使用KOH水溶液、TMAH液進行濕式蝕刻的方法等。接著,以導電層45、55為掩模對固定觸點基板41及可動觸點基板51從上方進行各向同性蝕刻,如圖14(c)所示,在固定觸點基板41和可動觸點基板51的上面角部形成凹槽A7。此時,使用導電層45、55、布線層4454及緊密貼合層43、53對其具有耐腐蝕性的蝕刻方法,以比緊密貼合層43、53間的開口寬度大的寬度對基板Al的上面進行蝕刻的方式, 對將基板Al進行過腐蝕。作為對固定觸點基板41及可動觸點基板51進行各向同性蝕刻的方法,例如以六氟化硫和全氟環(huán)丁烷為氣體材料進行RIE。作為進行各向同性蝕刻的方法, 除此之外,還有使用氙氣作為氣體材料進行干式蝕刻的方法及使用氟硝酸液進行濕式蝕刻的方法等。另外,對布線層44、54的端面進行蝕刻(深腐蝕),如圖14(d)所示,使布線層44、 M的端面49、59傾斜。另外,如圖14(d)所示,使布線層4454上面的端與固定觸點46及可動觸點56對齊,但是也可以從固定觸點46及可動觸點56回退。另外,在對布線層44、54 的端面49、59進行蝕刻時,優(yōu)選同時對固定觸點基板41及可動觸點基板51進行蝕刻,使固定觸點基板41的端面從緊密貼合層43的端面回退,同時,使可動觸點基板51的端面從緊密貼合層53的端面回退。(第四實施方式)(結構)圖15是表示本發(fā)明第四實施方式的開關31A的結構的剖面圖。在該開關31A中, 在形成于固定觸點基板41的上面的緊密貼合層43之上直接形成導電層45而形成固定觸點部33,在形成于可動觸點基板51上面的緊密貼合層53之上直接形成導電層55而構成可動觸點部34。導電層45、55彼此相對的端面成為固定觸點46及可動觸點56,這一點與第三實施方式相同。因此,與第三實施方式的開關31相比,在開關31A中不存在布線層44、 M,布線圖案部48成為緊密貼合層43和導電層45的雙層結構,也將布線圖案部58形成為緊密貼合層53和導電層55的雙層結構,使導電層45、55兼?zhèn)溆|點彼此接觸的功能和傳輸信號的功能(布線層功能)。(第六制造方法)圖16(a) (d)及圖17(a) (c)表示開關31A的制造工序之一例。圖16(a)表示在由Si構成的基板Al的上面通過蒸鍍、濺射等方法而形成緊密貼合層A3的狀態(tài)。緊密貼合層A3使用緊密貼合性高的材料例如Cr、Ti等材料形成底層,進而在其之上形成低電阻材料例如Au、Cu、Al等材料。在基板Al的上面形成緊密貼合層A3 之后,在緊密貼合層A3的上面涂敷光致抗蝕劑,使用光刻技術構圖光致抗蝕劑,如圖10(b) 所示,在緊密貼合層A3的上面,在要形成布線圖案部48、58的區(qū)域以外的區(qū)域設置模制部 A2。接著,如圖16(c)所示,通過蒸鍍及濺射、電解鍍敷等方法在緊密貼合層A3之上堆積導電層的材料,在要形成布線圖案部48及58的區(qū)域層疊導電層A5。其后,若除去模制部A2,則如圖16(d)所示,在要形成布線圖案部48及58的區(qū)域形成導電層45、55。其結果是,可平滑且彼此平行地形成與模制部A2相接的導電層45、55的端面,使其分別成為固定觸點46和可動觸點56。接著,使用導電層45、55及基板Al對其具有抗性的蝕刻液有選擇地蝕刻緊密貼合層A3,如圖17(a)所示,除去緊密貼合層A3從導電層45、55露出的區(qū)域,同時,對緊密貼合層A3進行過蝕刻而使緊密貼合層A3的邊緣比導電層45、55的邊緣回退而構圖緊密貼合層 43,53ο其后,在導電層45與導電層55中間的區(qū)域Α6,以導電層45、55為掩模對基板Al進行各向同性蝕刻。此時,如圖17(b)所示,使用導電層45、55和緊密貼合層43、53對其具有抗性的蝕刻方法,以比緊密貼合層43、53間的開口寬度大的寬度對基板Al的上面進行蝕刻的方式對基板Al進行過蝕刻,在基板Al上面設置凹槽Α7。作為對基板Al進行各向同性蝕刻的方法,例如以六氟化硫和全氟環(huán)丁烷為氣體材料進行RIE (例如,在壓力為10 lOOPa、 高頻功率為50 200W的條件下進行)。作為進行各向同性蝕刻的方法,除此之外,還有使用氙氣作為氣體材料進行干式蝕刻的方法、及使用氟硝酸液進行濕式蝕刻的方法等。這樣,如圖17(b)所示,在基板Al的上面形成凹槽A7之后,以導電層45、55為掩模進一步從A7側對凹槽A7進行各向異性蝕刻,如圖17(c)所示,通過各向異性蝕刻將基板 Al分割為固定觸點基板41和可動觸點基板51,同時,分別對固定觸點基板41的端面和可動觸點基板51的端面進行蝕刻直至其比緊密貼合層43、53的端回退。作為各向異性蝕刻的方法,例如以六氟化硫為氣體材料進行DRIE(例如,壓力為3 lOPa、高頻功率為200 800W的條件下進行)。作為進行各向異性蝕刻的方法,除此之外,還有離子蝕刻及使用KOH 水溶液、TMAH液進行濕式蝕刻的方法等。另外,各向異性蝕刻后的固定觸點基板41與可動觸點基板51的距離(或者使固定觸點基板、41、可動觸點基板51的端面后退的程度)可通過圖11(b)的凹槽A7的寬度進行控制。這樣將其中的一塊形成為層疊有固定觸點基板41、緊密貼合層43及導電層45的固定觸點部33。將該固定觸點部33經由絕緣膜42固定在基體基板32的上面。另外,將其中的另一塊設為層疊有可動觸點基板51、緊密貼合層53及導電層55的可動觸點部34。最后,通過蝕刻除去下面的絕緣膜,將該可動觸點部34與基體基板32分離。這樣可制作出開關 3IA (MEMS 開關)。在這樣制作出的開關31A中,由于作為固定觸點46及可動觸點56的面通過模制部A2的兩側面進行成型,因而與導電層45、55的表面相比可平滑地形成,另外,還提高了平行度。因此,可使兩觸點46、56彼此可靠地接觸,減小觸點間的接觸電阻。另外,由于可使兩觸點46、56的接觸面變得平滑,因而不易在觸點彼此接近時產生放電,不易引起固定觸點46和可動觸點56的熔敷,開關31A的開閉壽命增加。另外,根據(jù)這樣的制造方法,由于可按照模制部A2的寬度使固定觸點46與可動觸點56的距離無偏差而高精度地制作,另外,如上所示,在觸點間不易產生放電,因而可使固定觸點46與可動觸點56之間的距離狹小化,進而可用低電壓對促動器進行驅動而將觸點間開閉。(第七制造方法)另外,開關31A還可通過如圖18(a) (d)及圖19(a) (c)所示的工序制作。以下,說明該第七制造方法。首先,如圖18(a)所示,在由Si構成的基板Al的上面通過蒸鍍、濺射等方法形成緊密貼合層A3,在其上面形成導電層A5。接著,在導電層A5之上涂敷光致抗蝕劑并進行構圖,如圖18(b)所示,在要形成布線圖案部48及58的區(qū)域形成模制部A2。若對模制部A2進行了構圖后,則如圖18(c)所示,以該模制部A2為掩模有選擇地蝕刻導電層A5的露出區(qū)域,構圖導電層45、55,同時,在導電層45、55的端面分別形成固定觸點46和可動觸點56。另外,使用導電層45、55及基板Al對其具有抗性的蝕刻液有選擇地蝕刻緊密貼合層A3,如圖18(d)所示,除去緊密貼合層A3從導電層45、55露出的區(qū)域,同時對緊密貼合層A3進行過蝕刻而使緊密貼合層A3的邊緣比導電層45、55的邊緣回退而構圖緊密貼合層 43,53ο其后,在導電層45與導電層55中間的區(qū)域Α6,以模制部Α2為掩模對基板Al進行各向同性蝕刻。此時,如圖19(a)所示,使用導電層45、55和緊密貼合層43、53對其具有抗性的蝕刻方法,以比緊密貼合層43、53間的開口寬度大的寬度對基板Al的上面進行蝕刻的方式對基板Al進行過蝕刻,在基板Al的上面設置凹槽Α7。這樣,如圖19(a)所示,在基板Al的上面形成凹槽Α7之后,以模制部Α2為掩模進一步從凹槽Α7側對基板Al進行各向異性蝕刻,如圖19(b)所示,通過各向異性蝕刻將基板 Al分割為固定觸點基板41和可動觸點基板51,同時,使固定觸點基板41的端面和可動觸點基板51的端面分別比緊密貼合層43、53的端回退。其后,通過剝離液將布線層4454之上的模制部Α2剝離,制作出開關31Α。在這樣制作的開關31Α中,由于作為固定觸點46及可動觸點56的面通過蝕刻而成型,因而與導電層45、55的表面相比可平滑地形成,另外,還提高了平行度。因此,可使兩觸點彼此可靠地接觸,可減小觸點間的接觸電阻。另外,由于可使兩觸點46、56的接觸面變得平滑,因而在觸點彼此接近時不易發(fā)生放電,不易引起固定觸點46和可動觸點56的熔敷,開關31Α的開閉壽命增加。另外,可使固定觸點46與可動觸點56之間的距離狹小化, 可用低電壓對促動器進行驅動而進行觸點間的開閉。另外,在上述開關31中,固定觸點46和可動觸點56雙方從各基板41、51、緊密貼合層43、53、布線層44、54的端面突出,另外,在開關3IA中,固定觸點46和可動觸點56雙方從各基板41、51、緊密貼合層43、53的端面突出,但是,只是使固定觸點46和可動觸點56 中任一方的觸點突出,另一觸點與基板及緊密貼合層等的端對齊也無妨。(第五實施方式)接著,說明本發(fā)明第五實施方式的高頻用的靜電繼電器31Β的結構。圖20是表示靜電繼電器31Β的結構的平面圖。圖21是放大表示圖20的A部的立體圖,圖22是沿圖20 的B-B線的概略剖面圖。該靜電繼電器31Β在由Si基板及玻璃基板等構成的基體基板32的上面設有固定觸點部33、可動觸點部34、固定電極部35、支承可動觸點部34的可動電極部36、彈簧37、 支承彈簧37的支承部38。如圖22所示,固定觸點部33將由Si構成的固定觸點基板41的下面通過絕緣膜 42 (SiO2)固定在基體基板32的上面。如圖21所示,在固定觸點基板41的上面,形成有由使用緊密貼合性高的材料(例如,Cr、Ti等材料)形成底層并進而在其上形成低電阻材料 (例如,Au、Cu、Al等材料)的雙層結構構成的緊密貼合層43a、43b,在緊密貼合層43a、4!3b之上層疊有Pt等布線層44a、44b和導電層45a、45b。另外,如圖20及圖21所示,固定觸點基板41在基體基板32的上面端部沿寬度方向(X方向)延伸,在中央部形成有向可動觸點部34側突出的伸出部41a,在兩端分別形成有焊盤支承部41b、41b。布線圖案部48a、48b沿固定觸點基板41上面的布線,布線圖案部 48a、48b的一端部在伸出部41a的上面彼此平行配置,從伸出部41a的端面突出的導電層 45a、45b的前端面位于同一平面內且分別成為固定觸點46a、46b(電接觸面)。另外,布線圖案部48a、48b的另一端部在上述焊盤支承部41b、41b的上面形成有金屬焊盤部47a、47b。 在布線圖案部48如圖3的開關32那樣地采用緊密貼合層43a、43b、布線層44a、44b及導電層45a、^b三層結構的情況下,不一定必須將導電層4如、4恥設置在布線圖案部48a、48b 的整體,只要至少處于包含固定觸點46及可動觸點56的伸出部41a附近即可??蓜佑|點部34設置于與伸出部41a相對的位置。如圖21所示,可動觸點部34在 Si構成的可動觸點基板51的上面形成有由底層Cr/表層Au構成的緊密貼合層53,在緊密貼合層53之上層疊有Pt等的布線層M和導電層55。如圖22所示,與導電層4如、4恥相對的導電層陽的端面從可動觸點基板51的前面突出,且與固定觸點46a、46b平行地形成, 將該端面作為可動觸點56 (電接觸面)??蓜佑|點56具有與自固定觸點46的外側的邊緣至固定觸點46b的外側的邊緣的距離大致相等的寬度。另外,可動觸點基板51通過從可動電極部36突出的支承梁57而懸臂狀地支承。 可動觸點基板51及支承梁57的下面自基體基板32的上面浮起,可與可動電極部36 —起與基體基板32的長度方向(Y方向)平行地移動。在該靜電繼電器31B中,固定觸點部33的金屬焊盤部47a、47b連接主電路(未圖示),可通過使可動觸點56與固定觸點46a、46b接觸而閉合主電路,可通過使可動觸點56 與固定觸點46a、46b分離而斷開主電路。另外,由于布線層44a、44b、M的端面分別以越向下方越后退的方式傾斜,伸出部41a和可動觸點基板51的端面也分別從固定觸點46a、46b 及可動觸點46回退,因而防止發(fā)生在觸點間閉合時使布線層44a、44b和布線層討接觸,或使伸長部41a和可動觸點基板51接觸而引起可動觸點56和固定觸點46a、46b的接觸不良情況。用于使可動觸點部34移動的促動器由固定電極部35、可動電極部36、彈簧37及支承部38構成。如圖20所示,在基體基板32的上面彼此平行地配置有多個固定電極部35。固定電極部35在平面看時從矩形的焊盤部66的兩面向Y方向分別延伸出成分支狀的分支狀電極部67。分支狀電極部67以左右對稱的方式分別使分支部68突出,分支部68在Y方向以一定間距排列。如圖22所示,在固定電極部35中,將固定電極基板61的下面通過絕緣膜62固定在基體基板32的上面。另外,在焊盤部66中,在固定電極基板61的上面由Cu、Al等形成有固定電極63,在固定電極63之上設有電極焊盤層65。如圖20所示,可動電極部36以包圍各固定電極部35的方式形成。在可動電極部 36以從兩側夾持各固定電極部35的方式形成有梳齒狀電極部74(在固定電極部35間,由一對梳齒狀電極部74構成分支狀)。梳齒狀電極部74以各固定電極部35為中心左右對稱,從各梳齒狀電極部74向分支部68間的空隙部延伸出梳齒部75。且各梳齒部75與鄰接于其梳齒部75而位于靠近可動觸點部34 —側的分支部68的距離比與鄰接于該梳齒部75 而位于遠離可動觸點部34 —側的分支部68的距離短??蓜与姌O部36由Si的可動電極基板71構成,可動電極基板71的下面從基體基板32的上面浮起。另外,在可動電極部36的可動觸點側端面的中央突設有支承梁57,在支承梁57的前端保持有可動觸點部34。支承部38由Si構成,在基體基板32的另一端部沿X方向伸長延伸。支承部38的下面通過絕緣膜39固定在基體基板32的上面。支承部38的兩端部和可動電極部36 (可動電極基板71)通過關于Si左右對稱形成的一對彈性彈簧37連接,可動電極部36經由彈簧37由支承部38水平地支承。另外,可動電極部36通過使彈簧37發(fā)生彈性變形而可在 Y方向移動。在具有上述構成的靜電繼電器3IB中,在固定電極部35與可動電極部36之間連接有直流電壓源,通過控制電路等接通、斷開直流電壓。在固定電極部35中,直流電壓源的一端子與電極焊盤層65連接。直流電壓源的另一端子與支承部38連接。由于支承部38 及彈簧37具有導電性,支承部38、彈簧37及可動電極部36電氣導通,因而可使施加于支承部38的電壓施加于可動電極部36。若通過直流電壓源在固定電極部35與可動電極部36之間施加直流電壓,則在分支狀電極部67的分支部68和梳齒狀電極部74的梳齒部75之間產生靜電引力。但是,由于固定電極部35及可動電極部36的結構關于各固定電極部35的中心線對稱形成,因而對可動電極部36作用的X方向的靜電引力平衡,不會使可動電極部36在X方向移動。另一方面,由于與鄰接于各梳齒部75而位于靠近可動觸點部一側的分支部68的距離比與鄰接于該梳齒部75而位于遠離可動觸點部34 —側的分支部68的距離短,因而各梳齒部75被向可動觸點部側吸引,一邊使彈性彈簧37撓曲一邊使可動電極部36在Y方向移動。其結果是,可動觸點部;34向固定觸點部33側移動,可動觸點56與固定觸點46a、46b接觸而將固定觸點46a與固定觸點46b之間(主電路)電閉合。另外,由于若解除施加于固定電極部35和可動電極部36之間的直流電壓,則分支部68與梳齒部75之間的靜電引力消失,因而利用彈簧37的彈性復原力而使可動觸點部36 沿Y方向后退,使可動觸點56自固定觸點46a、46b分離而將固定觸點46a與固定觸點46b 之間(主電路)斷開。這樣的靜電繼電器31B通過以下的工序制作。首先,在由絕緣膜覆蓋整個表面的基體基板32(Si晶片、SOI晶片等)的上面接合Si基板(具有導電性的其它Si晶片),在該Si基板的上面蒸鍍金屬材料而形成電極膜。接著,通過光刻技術構圖該電極膜,通過電極膜在焊盤部66即固定電極基板61的上面形成固定電極63。接著,從電極膜之上開始在Si基板的上面形成緊密貼合,在其之上層疊布線層和導電層。接著,構圖導電層、布線層及緊密貼合層而形成固定觸點部33的布線圖案部48和可動觸點部34的布線圖案部58。另外,在焊盤部66,在固定電極63之上形成電極焊盤層 65。其后,以光致抗蝕劑等為蝕刻用掩模蝕刻Si基板,通過殘留于各區(qū)域的Si基板, 制作固定觸點部33的固定觸點基板41、可動觸點部34的可動觸點基板51、固定電極部35 的固定電極基板61、可動電極部36的可動電極基板71、彈性彈簧37、支承部38。
最后,通過蝕刻除去從Si基板露出的區(qū)域的絕緣膜和可動觸點部34及可動觸點部36下面的絕緣膜,將其切割成各個靜電繼電器31B。由于在這樣的靜電繼電器31B的制造工序中,可動觸點部34和固定觸點部35可通過與例如第一實施方式的開關31相關而進行了說明的工序同樣的工序制作,因而將固定觸點部33的固定觸點46a、46b和可動觸點部;34的可動觸點56形成為與導電層的成長方向平行的側面,可以不進行研磨等得到平滑性和平行性良好的觸點。因此,在該靜電繼電器31B中,也可得到與第三實施方式的開關31同樣的作用效果。
權利要求
1.一種開關,具備彼此接觸或者分離的多個觸點,其特征在于,將與用于形成所述觸點的導電層成膜時的成長方向平行的面作為所述觸點彼此的接觸面。
2.如權利要求1所述的開關,其特征在于,所述觸點的接觸面為與模制部相接的面,所述模制部在所述導電層成長時用于確定所述導電層的形成區(qū)域。
3.一種開關的制造方法,該開關具備彼此接觸或者分離的多個觸點,其特征在于,具備如下的工序在基板的上方形成規(guī)定圖案的模制部;在所述基板的上方,使導電層在除了形成有所述模制部的區(qū)域之外的多個區(qū)域、沿所述基板的厚度方向成長;除去所述模制部,將所述導電層與所述模制部側面相接的面作為所述觸點彼此的接觸對應形成有所述導電層的多個區(qū)域,將所述基板分割成多個。
4.如權利要求3所述的開關的制造方法,其特征在于,彼此平行地形成所述模制部的兩側面,該模制部的兩側面用于形成相對的所述各觸點。
5.如權利要求3所述的開關的制造方法,其特征在于,通過電解鍍敷或者無電解鍍敷使所述導電層在所述基板的上方成長。
6.如權利要求3所述的開關的制造方法,其特征在于,通過蒸鍍及濺射等堆積法使所述導電層在所述基板的上方成長。
7.如權利要求6所述的開關的制造方法,其特征在于,通過除去所述模制部的工序,將堆積于所述模制部之上的所述導電層材料與所述模制部一起除去。
8.—種繼電器,其特征在于,具備 權利要求1所述的開關;促動器,其用于使所述觸點的一部分在與所述觸點彼此的接觸面垂直的方向移動而使觸點彼此接觸或者分離。
9.如權利要求1所述的開關,其特征在于,具備在第一基板的上方形成有包含第一導電層的多個層的第一觸點部;和在第二基板的上方形成有包含第二導電層的多個層的第二觸點部,將所述第一導電層中的、與該導電層成膜時的成長方向平行的端面作為第一觸點部的觸點,將所述第二導電層中的、與該導電層成膜時的成長方向平行的端面作為第二觸點部的觸點,在所述第一觸點部和所述第二觸點部中的至少一方的觸點部,該觸點部的觸點比該觸點部中的導電層以外的層以及該觸點部的基板的各自端面更突出,使所述第一觸點部的觸點和所述第二觸點部的觸點相對而使兩觸點彼此接觸或者分離。
10.如權利要求9所述的開關,其特征在于,所述第一及第二導電層由貴金屬、合金、具有導電性的Si系材料或者導電性氧化物中的任一種材料形成。
11.如權利要求9所述的開關,其特征在于,所述第一觸點部在所述第一基板的上方形成有第一布線層,在所述第一布線層的上面形成有所述第一導電層,所述第二觸點部在所述第二基板的上方形成有第二布線層,在所述第二布線層的上面形成有所述第二導電層。
12.如權利要求11所述的開關,其特征在于,在觸點比導電層以外的層以及基板的各自端面更突出的所述至少一方的觸點部,該觸點部的布線層的端面成為如下的傾斜面,即,從該觸點部與導電層相接的一側的邊緣朝向該觸點部靠近基板的方向逐漸回退。
13.如權利要求11所述的開關,其特征在于,所述第一及第二布線層由貴金屬、合金、具有導電性的Si系材料或者導電性氧化物中的任一種材料形成。
14.一種開關的制造方法,其特征在于,具備如下的工序通過在基板的上方使包含導電層的多個層沿所述基板的厚度方向成長而在所述基板的上方形成包含導電層的多個層,并且在其最上面形成規(guī)定圖案的模制部;通過以所述模制部為掩模而對包含所述導電層的多個層進行蝕刻,將包含所述導電層的多個層分割成多個區(qū)域,并且利用以所述導電層的被蝕刻的面形成作為觸點的面;在包含所述導電層的多個層的被分割的區(qū)域間,通過對所述基板的表面進行各向同性蝕刻而在所述基板的表面形成凹槽;在包含所述導電層的多個區(qū)域的被分割的區(qū)域間,通過對所述基板進行各向異性蝕刻,對應包含所述導電層的多個層的被分割的區(qū)域,將所述基板分割成多個;在所述被分割的區(qū)域的至少一個區(qū)域,通過對所述導電層以外的層進行蝕刻而使所述導電層以外的層的端面比所述導電層的成為觸點的面更加后退。
15.一種開關的制造方法,其特征在于,具備如下的工序 在基板的上方形成規(guī)定圖案的模制部,在所述基板的上方,通過在除了形成有所述模制部的區(qū)域之外的多個區(qū)域使包含導電層的多個層沿所述基板的厚度方向成長,在所述基板的上方形成包含所述導電層的多個層;除去所述模制部,利用所述導電層與所述模制部側面相接的面形成成為觸點的面; 在包含所述導電層的多個層的被分離的區(qū)域間,通過對所述基板的表面進行各向同性蝕刻而在所述基板的表面形成凹槽;在包含所述導電層的多個層的被分離的區(qū)域間,通過對所述基板進行各向異性蝕刻, 對應包含所述導電層的多個層的被分離的區(qū)域,將所述基板分割成多個;在所述被分離的區(qū)域的至少一個區(qū)域,通過對所述導電層以外的層進行蝕刻,使所述導電層以外的層的端面比導電層的成為觸點的面更加后退。
16.如權利要求14或者15所述的開關的制造方法,其特征在于,所述導電層通過蒸鍍、濺射、MBE、CVD、鍍敷、噴霧法、溶膠凝膠法、噴墨法或者絲網印刷等堆積法而形成。
17.如權利要求14或者15所述的開關的制造方法,其特征在于,包含所述導電層的多個層在形成于所述基板的上方的布線層的上面形成有導電層。
18.如權利要求17所述的開關的制造方法,其特征在于,在使所述導電層以外的層的端面比所述導電層的成為觸點的面更加后退的工序中,所述布線層的端面以從所述導電層側朝向所述基板而很大地后退的方式傾斜。
19.如權利要求17所述的開關的制造方法,其特征在于,所述布線層通過蒸鍍、濺射、MBE、CVD、鍍敷、噴霧法、溶膠凝膠法、噴墨法或者絲網印刷等堆積法而形成。
20.一種繼電器,其特征在于,具備權利要求9所述的開關;促動器,其用于使所述第一觸點部和所述第二觸點部中的至少一方的觸點部向與所述第一觸點部和第二觸點部的觸點彼此的接觸面垂直的方向移動而使所述觸點彼此接觸或者分離。
全文摘要
本發(fā)明提供觸點的接觸面平滑的開關及其制造方法以及繼電器。固定觸點部(33)的側面與可動觸點部(34)的側面相對。固定觸點部(33)在固定觸點基板(41)之上層疊有絕緣層(43)和基底層(44),在其之上通過電解鍍敷等而形成有導電層(45)。將導電層(45)的與可動觸點部(34)相對的側面作為固定觸點(46)(接觸面)。可動觸點部(34)在可動觸點基板(51)之上層疊有絕緣層(53)和基底層(54),在其之上通過電解鍍敷等形成有可動觸點(56)。將導電層(55)的與固定觸點部(33)相對的側面作為可動觸點(56)(接觸面)。該固定觸點(46)及可動觸點(56)為在通過電解鍍敷使導電層(45)及導電層(55)成長的工序中與模制部的側面相接的面。
文檔編號H01H49/00GK102194614SQ20111003806
公開日2011年9月21日 申請日期2011年2月15日 優(yōu)先權日2010年3月1日
發(fā)明者吉武直毅, 增田貴弘, 山本淳也, 日沼健一, 藤原剛史, 藤澤隆志 申請人:歐姆龍株式會社