專利名稱：一種高結(jié)溫半導(dǎo)體可控硅的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高結(jié)溫半導(dǎo)體可控硅，具體涉及ー種起控制或開關(guān)電源用的高結(jié)溫半導(dǎo)體可控娃BTB16。
背景技術(shù)：
目前，普通可控硅廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源用或調(diào)壓用設(shè)備上，如廣泛應(yīng)用在調(diào)速、調(diào)壓，調(diào)光電源上，但是現(xiàn)有技術(shù)中的普通可控硅的PN結(jié)的結(jié)溫為110°C。因此，目前現(xiàn)有技術(shù)中的普通可控硅BTB16不能滿足高要求的標(biāo)準(zhǔn)。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供ー種PN結(jié)最高結(jié)溫達(dá)1400C以上的高結(jié)溫半導(dǎo)體可控硅BTB16。技術(shù)方案為了實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明采用了這樣ー種高結(jié)溫半導(dǎo)體可控硅，它包括銅電極片底座、設(shè)置在銅電極片底座上的ニ個(gè)引腳、焊接在銅電極片底座上的高結(jié)溫可控硅芯片，所述的可控硅芯片的門極和陰極分別通過金屬絲焊接到ニ個(gè)引腳上，塑封料將整個(gè)可控硅芯片封裝在銅電極底座上，形成一個(gè)完整的高結(jié)溫可控硅BTB16。所述的高結(jié)溫半導(dǎo)體可控硅BTB16，其中所述的焊接在底座上的可控硅芯片為高結(jié)溫可控硅芯片，其中采用的高結(jié)溫可控硅芯片面積為任何芯片面積及各形狀。所述的高結(jié)溫半導(dǎo)體可控硅BTB16，其中底座為銅電極，該銅電極底座可以采用不同形狀，也可以采用的較大面積或厚度的銅電極片。所述的高結(jié)溫半導(dǎo)體可控硅，其中塑封料將整個(gè)高結(jié)溫可控硅芯片封裝在銅電極底座上，形成一個(gè)完整的塑料封裝的可控硅。有益效果本發(fā)明所述的高結(jié)溫半導(dǎo)體可控硅最高結(jié)溫可達(dá)到140°C以上，而現(xiàn)有技術(shù)中的普通半導(dǎo)體可控硅BTB16最高結(jié)溫可達(dá)到110°C，在實(shí)際應(yīng)用過程中大大提高了產(chǎn)品在使用過程中的可靠性。


圖I為本發(fā)明所述的高結(jié)溫半導(dǎo)體可控硅的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖I沿A-A方向的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例如圖I、圖2所不，一種高結(jié)溫半導(dǎo)體可控娃，具體為改良半導(dǎo)體可控娃BTB16,它包括銅電極底座I、設(shè)置在銅電極底座I上的兩個(gè)銅引腳2、焊接在銅電極底座I上的高結(jié)溫可控硅芯片3、粘設(shè)在銅電極底座I上的塑封料4，其中高結(jié)溫可控硅3的門極7和陰極6分別通過金屬絲5用超聲波焊接到ニ個(gè)銅引腳2上，其中塑封料4將整個(gè)可控硅芯片3封裝在銅電極底座I上，其中采用的高結(jié)溫可控硅芯片3的面積為任何芯片面積及各形狀，形成一個(gè)完整的高結(jié)溫可 控娃8。
權(quán)利要求
1.一種高結(jié)溫半導(dǎo)體可控硅，其特征在干它包括銅電極底座(I)、設(shè)置在該銅電極底座(I)上的兩個(gè)銅引腳(2)、焊接在所述銅電極底座(I)上的高結(jié)溫可控硅芯片(3)、該高結(jié)溫可控硅芯片(3)的門極(7)和陰極(6)分別通過金屬絲(5)用超聲波焊接到兩個(gè)銅引腳(2)上，塑封料(4)將整個(gè)高結(jié)溫可控硅芯片(3)封裝在銅電極底座(I)上，由此形成一個(gè)完整的高結(jié)溫可控硅(8)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高結(jié)溫半導(dǎo)體可控硅，其特征在干所述高結(jié)溫可控硅(8)最高結(jié)溫達(dá)140°C以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高結(jié)溫半導(dǎo)體可控硅，其特征在于所述高結(jié)溫可控硅芯片(3)的形狀為任何幾何形狀。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高結(jié)溫半導(dǎo)體可控硅，具體為高結(jié)溫半導(dǎo)體可控硅BTB16，它包括銅電極底座、設(shè)置在銅電極底座上的兩個(gè)銅引腳、焊接在銅電極底座上的高結(jié)溫可控硅芯片、焊接在銅電極底座上的塑封料，其中高結(jié)溫可控硅芯片的門極和陰極分別通過金屬絲用超聲波焊接到二個(gè)銅引腳上，其中塑封料將整個(gè)高結(jié)溫可控硅芯片封裝在銅電極底座上，形成一個(gè)完整的高結(jié)溫BTB16可控硅。在國內(nèi)半導(dǎo)體可控硅PN結(jié)最高溫度為110℃，本發(fā)明提供的改良半導(dǎo)體可控硅最高結(jié)溫可達(dá)到140℃以上，可應(yīng)用于更廣泛的領(lǐng)域、滿足更高要求的標(biāo)準(zhǔn)。
文檔編號(hào)H01L23/495GK102651391SQ20111004549
公開日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2011年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月25日
發(fā)明者伍林, 左亞兵, 潘建英 申請(qǐng)人:宜興市環(huán)洲微電子有限公司