專利名稱：薄膜形成用氣相沉積材、具備該薄膜的薄膜片材和層壓片材的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及適合形成透明性、阻氣性等諸特性優(yōu)異的薄膜的氣相沉積材和具備該薄膜的薄膜片材以及層壓片材。更具體地，涉及用于形成這些諸特性優(yōu)異，特別是適合作為液晶顯示器、有機EL顯示器或太陽能電池模塊等的阻氣材的薄膜的氣相沉積材和具備該薄膜的薄膜片材以及層壓片材。
背景技術：
液晶顯示器、有機EL顯示器或太陽能電池等機器通常不耐濕，由于吸濕使其特性快速劣化，因此必須裝備具有高防濕性、即具有防止氧或水蒸氣等透過或侵入的阻氣性的部件。例如，在太陽能電池的例子中，在與太陽能電池模塊的受光面相反側的背面設置有底座(back seat) 0該底座典型地在基材上由具有高防濕性的阻氣材和保護它們的部件等構成。作為這樣的構成太陽能電池模塊的底座，例如公開了通過高強度的耐熱性耐氣候性樹脂夾入防濕性金屬箔，進而在其一方設置玻璃質的氣相沉積薄膜而成的太陽能電池模塊的背面保護用片材材料(例如，參考專利文獻1)。在該片材材料中，作為阻氣材使用鋁箔、鍍鋅鐵箔、鍍錫鐵箔等金屬箔。另外，公開了將高防濕薄膜和高耐氣候薄膜層壓并一體化而成的太陽能電池覆蓋材用于背面?zhèn)缺Ｗo部件的太陽能電池(例如，參考專利文獻2)。 該太陽能電池覆蓋材中的高防濕薄膜使用在聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜等基材薄膜上通過化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)法等形成由二氧化硅、氧化鋁等無機氧化物的涂敷膜構成的防濕膜作為阻氣材。另外，公開了具備呈現(xiàn)無機氧化物層的由塑料薄膜或塑料復合材構成的阻擋層的光生伏打模塊(例如，參考專利文獻幻。在該無機氧化物層中，氧化鋁或二氧化硅作為其涂敷材料使用。專利文獻1 日本實公平2-44995號公報(實用新型注冊的權利要求書和第五欄的第41 44行)專利文獻2 日本特開2000-174296號公報(權利要求1、權利要求7和
段)專利文獻3 日本特表2002-520820號公報(權利要求1和
段)但是，上述專利文獻1中所示的背面保護用片材材料由于使用鋁箔等金屬箔作為阻氣材，若將該片材材料應用于太陽能電池模塊的底座，則有可能耐電壓性降低，電流泄漏。另外，使用金屬箔的片材材料若金屬箔的厚度為20 μ m以下，則在耐熱性耐氣候性樹脂與金屬箔之間產生的針孔增加，阻氣性顯著降低。另一方面，若增加金屬箔的厚度，則產生制造成本提高的問題。另外，如果是上述專利文獻2和專利文獻3中所使用的二氧化硅、氧化鋁等無機氧化物的情況下，為了得到高阻氣性必須確保膜厚在IOOnm以上，即使這樣也不能斷言阻氣性充分。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于，提供適合形成透明性和阻氣性優(yōu)異的薄膜的氣相沉積材。本發(fā)明的另一目的在于，提供具備透明性和阻氣性優(yōu)異的薄膜的薄膜片材和層壓片材。本發(fā)明的第一方面為氣相沉積材，混合第一氧化物粉末和第二氧化物粉末而制作，其特征在于，上述第一氧化物粉末為TW2粉末，該第一氧化物粉末的第一氧化物純度為 98%以上，上述第二氧化物粉末為選自aiO、MgO和CaO中的一種粉末或兩種以上的混合粉末，該第二氧化物粉末的第二氧化物純度為98%以上，氣相沉積材由含有第一氧化物粒子和第二氧化物粒子的顆粒構成，氣相沉積材中的第一氧化物與第二氧化物的摩爾比為5 85 95 15，且顆粒的堿度為0. 1以上。本發(fā)明的第二方面為基于第一方面的發(fā)明，其特征在于，進一步地，第一氧化物粒子的平均粒徑為0. 1 10 μ m，且第二氧化物粒子的平均粒徑為0. 1 10 μ m。本發(fā)明的第三方面為膜的制造方法，其特征在于，通過將基于第一或第二方面的氣相沉積材用作靶材的真空成膜法，在第一基材薄膜上形成包含第一氧化物所含的金屬元素A和第二氧化物所含的金屬元素B的氧化物薄膜。如圖1所示，本發(fā)明的第四方面為薄膜片材10，通過將基于第一或第二方面的氣相沉積材用作靶材的真空成膜法，在第一基材薄膜11上形成包含第一氧化物所含的金屬元素A和第二氧化物所含的金屬元素B的氧化物薄膜12，薄膜12中的金屬元素A與金屬元素B的摩爾比為5 85 95 15。本發(fā)明的第五方面為基于第四方面的發(fā)明，其特征在于，進一步地，真空成膜法為電子束蒸鍍法、離子鍍法、反應性等離子體沉積法、電阻加熱法或感應加熱法中的一種。本發(fā)明的第六方面為基于第四或第五方面的發(fā)明，其特征在于，進一步地，在溫度 20°C、相對濕度50% RH的條件下放置1小時時的水蒸氣透過率S為0. 3g/m2 ·天以下。本發(fā)明的第七方面為基于第六方面的發(fā)明，其特征在于，進一步地，在溫度20°C、 相對濕度50% RH的條件下放置1小時后，在溫度85°C、相對濕度90% RH的條件下進一步放置100小時時的水蒸氣透過率設為T時，水蒸氣透過率T相對于水蒸氣透過率S的變化率T/SX100為200%以下。如圖1所示，本發(fā)明的第八方面為層壓片材20，在基于第四至第七方面的薄膜片材10的薄膜12形成側通過粘接層13層壓第二基材薄膜14而成。在本發(fā)明的第一方面的氣相沉積材中，第一氧化物粉末為TiA粉末，該第一氧化物粉末的第一氧化物純度為98%以上，上述第二氧化物粉末為選自Zn0、Mg0和CaO中的一種粉末或兩種以上的混合粉末，該第二氧化物粉末的第二氧化物純度為98%以上，氣相沉積材由含有第一氧化物粒子和第二氧化物粒子的顆粒構成，氣相沉積材中的第一氧化物與第二氧化物的摩爾比為5 85 95 15，且顆粒的堿度為0.1以上，從而可以形成與現(xiàn)有的阻氣材相比大幅提高阻氣性的薄膜。在本發(fā)明的第二方面的氣相沉積材中，第一氧化物粒子的平均粒徑為0. 1 10 μ m,且第二氧化物粒子的平均粒徑為0. 1 10 μ m，從而可以形成氣相沉積效率良好且稠密的氣相沉積膜，因此可以維持高阻氣性并使其穩(wěn)定化。
在本發(fā)明的第四方面的薄膜片材中，通過具備包含第一氧化物所含的金屬元素A 和第二氧化物所含的金屬元素B的薄膜，其中，金屬元素A與金屬元素B的摩爾比為5 85 95 15，具有優(yōu)異的透明性和阻氣性。在本發(fā)明的第六方面的薄膜片材中，在溫度20°C、相對濕度50% RH的條件下放置 1小時時的水蒸氣透過率S為0. 3g/m2 ·天以下，具有隨著時間經過帶來的劣化小的非常高的阻氣性。在本發(fā)明的第七方面的薄膜片材中，在溫度20°C、相對濕度50% RH的條件下放置 1小時后，在溫度85°C、相對濕度90% RH的條件下進一步放置100小時時的水蒸氣透過率設為τ時，水蒸氣透過率T相對于水蒸氣透過率S的變化率T/SX 100為200%以下，具有隨著時間經過帶來的劣化非常小的阻氣性。在本發(fā)明的第八方面的層壓片材中，采取在第四至第七方面的薄膜片材的薄膜形成側進一步通過粘接層層壓第二基材薄膜的結構。由此，第二基材薄膜可以保護薄膜，因此可以維持高阻氣性并使其穩(wěn)定化。


圖1為簡要表示本發(fā)明實施方式的薄膜片材和層壓片材的層壓結構的截面圖。圖2為簡要表示現(xiàn)有的薄膜片材的截面結構的圖。圖3為簡要表示本發(fā)明實施方式的薄膜片材的截面結構的圖。符號說明10 薄膜片材11 第一基材薄膜12:薄膜13 粘接層14 第二基材薄膜20 層壓片材
具體實施例方式以下，參照

本發(fā)明的實施方式。本發(fā)明的氣相沉積材可以適合用于薄膜的形成。使用該氣相沉積材所形成的薄膜起到防止氧或水蒸氣等透過或侵入的阻氣材的作用。該氣相沉積材混合第一氧化物粉末和第二氧化物粉末而制作。用于制作氣相沉積材的第一氧化物粉末為TiO2粉末，該第一氧化物粉末的第一氧化物純度為98%以上，優(yōu)選為98. 4%以上，第二氧化物粉末為選自Zn0、Mg0和CaO中的一種粉末或兩種以上的混合粉末，該第二氧化物粉末的第二氧化物純度為98%以上，優(yōu)選為99. 5%以上。在此，將第一氧化物粉末的第一氧化物純度限定為98%以上，是因為小于98%時由于雜質而結晶性惡化， 結果阻擋特性降低。另外，將第二氧化物粉末的第二氧化物純度限定為98%以上，是因為小于98%時由于雜質而結晶性惡化，結果阻擋特性降低。并且，本說明書中的粉末純度通過光譜分析法(電感耦合等離子體發(fā)光分析裝置日本^ ~ 一 >> 7 7 制ICAP-88)測定。另外，該氣相沉積材優(yōu)選由含有第一氧化物粒子和第二氧化物粒子的多晶顆粒構成，其相對密度為90%以上，優(yōu)選為95%以上。使相對密度為90%以上是因為小于90%時成膜時的飛濺增加。而且，在該實施方式中，使顆粒的組織為多晶，但也可以是單晶。另外，該氣相沉積材含有的第一氧化物粒子的平均粒徑為0. 1 10 μ m，且第二氧化物粒子的平均粒徑為0. 1 10 μ m，氣相沉積材中的第一氧化物與第二氧化物的摩爾比為5 85 95 15。而且，顆粒的堿度為0. 1以上。通過以規(guī)定比例含有如此微細化的第一氧化物粒子和第二氧化物粒子，可以使高阻氣性顯現(xiàn)在使用該氣相沉積材所形成的膜中。其技術上的理由如下通常使用(1)僅含第一氧化物粒子而不含第二氧化物粒子的氣相沉積材、( 僅含第二氧化物粒子而不含第一氧化物粒子的氣相沉積材、(3)同時含有第一氧化物粒子和第二氧化物粒子但第一氧化物粒子的含有比例少的氣相沉積材、或者 (4)同時含有第一氧化物粒子和第二氧化物粒子但第二氧化物粒子的含有比例少的氣相沉積材的情況下，如圖2所示，形成在第一基材薄膜11上的氧化物薄膜32成為柱狀晶的結晶相對于氣體的滲透方向平行地聚集的結構。水蒸氣等氣體分子由于沿著平行地聚集的晶界的界面前進，在上述柱狀晶的結晶平行地聚集的結構的薄膜32中阻擋性低。另一方面，當使用以規(guī)定比例含有微細化的第一氧化物粒子或第二氧化物粒子的氣相沉積材時， 如圖3所示，對于形成在第一基材薄膜11上的氧化物薄膜12，使用單一組成的氣相沉積材時形成的柱狀晶的一部分潰散，變成接近非晶狀態(tài)的致密的微細結構。在接近非晶狀態(tài)的致密的微細結構中，水蒸氣等氣體分子需要在迷宮狀中長距離移動，因此在上述接近非晶狀態(tài)的致密的微細結構的薄膜12，阻擋性得到提高。如此，推定通過結晶結構為非柱狀晶， 并成膜為適合防止水分等的透過或侵入的結構，阻氣性提高。另外，還認為若含有的第一氧化物粒子和第二氧化物粒子都被微細化，則使膜通過氣相沉積法成長時，可以以極少的電子束或等離子體的量來成膜，因此可以形成致密的膜，由此阻氣性得到提高。在此，氣相沉積材、即顆粒中所含的第一氧化物粒子和第二氧化物粒子這兩者的平均粒徑限定為上述范圍是因為各自的平均粒徑小于下限值時，在氣相沉積材的制造工序中，粉末的凝聚顯著， 妨礙均勻混合，若各自的平均粒徑超過上限值，則無法充分得到形成有助于提高阻氣性的疑似固溶體的效果。其中，特別優(yōu)選第一氧化物粒子的平均粒徑為0. 1 ΙΟμπι，第二氧化物粒子的平均粒徑為0. 1 ΙΟμπι。并且，在本說明書中，平均粒徑是根據(jù)激光衍射散射法 (micro-track method)，使用日機裝社制(FRA型)，使用六偏磷酸鈉作為分散介質，一次測定時間設定為30秒進行測定，并將測定三次的值平均化而得到。另外，將氣相沉積材中所含的第一氧化物與第二氧化物的摩爾比限定在上述范圍是因為當?shù)谝谎趸锏哪柋刃∮?或者第二氧化物的摩爾比小于5時，第一氧化物粒子或第二氧化物粒子的含有比例過少，接近單一組成，從而容易變成柱狀晶的結晶相對于氣體滲透方向平行地聚集的結構，不能形成具有致密的微細結構的薄膜。進而，將顆粒的堿度規(guī)定為0. 1以上是因為當小于0. 1時，薄膜不易變成柱狀晶的一部分潰散而接近非晶狀態(tài)的致密的微細結構。該“堿度”由森永健次等提出，例如在他的著錄(K. Morinaga，H. Yoshida And H. Takebe J. AmCerm. Soc.，77，3113 (1994))中使用如下所示的式子來規(guī)定玻璃粉末的堿度。其摘錄如下?！把趸颩iO的Mi-O之間的鍵強度作為陽離子-氧離子間引力Ai由下式得到。Ai = Zi · Z02J (Γ +Γ02_)2 = Zi · 2/ (Γ +1. 40)2
Zi 陽離子的價數(shù)，氧離子為2Ri 陽離子的離子半徑(A ),氧離子為1.40A將該Ai的倒數(shù)Bi (1/A,)作為單成分氧化物MiO的氧供給能力。Bi = IAi將該Bi歸一化為 a() = UBsi02 = 0，則賦予各單成分氧化物的Bi-指標。將該各成分的Bi-指標通過陽離子分數(shù)擴大到多成分體系，則可以算出任意組成的玻璃氧化物的熔融體的B-指標(=堿度)。B = Σ Hi · BiIii 陽離子分數(shù)這樣規(guī)定的堿度如上所述地表示氧供給能力，值越大越容易供給氧，容易引起與其它金屬氧化物的氧的授受?！痹诒景l(fā)明中，對于玻璃粉末的堿度指標，通過使玻璃替換氧化物來進行解釋，將氧化物混合物的堿度整理為在薄膜中容易變成接近非晶狀態(tài)的致密的微細結構的指標。在玻璃的情況下是熔融的概念，但在本發(fā)明中，以成膜時產生玻璃形成的機理為基本。從氣相沉積材升華的元素成為離子狀態(tài)，元素在基板上以非平衡的狀態(tài)堆積。此時通過上式得到的顆粒的堿度為0.1以上，則膜以玻璃狀(非晶)成長，元素以非常致密的狀態(tài)整齊地排列。使用本發(fā)明的氣相沉積材形成的薄膜由于具有高阻氣性，除了有構成太陽能電池的底座的防濕膜等阻氣材的用途之外，還可以適當?shù)乩脼橐壕э@示器、有機EL顯示器或照明用有機EL顯示器等的阻氣材。另外，該薄膜由于具有透過率為85% 95%程度的透明性，還適合作為用于要求高阻氣性且要求透過光的部件、例如太陽能電池的受光面?zhèn)然蝻@示器的圖像視覺側等的阻氣材等。接著，以通過燒結法制作的情況為代表說明本發(fā)明的氣相沉積材的制造方法。首先，將作為第一氧化物粉末的純度98%以上高純度粉末、作為第二氧化物粉末的純度98% 以上高純度粉末、粘合劑和有機溶劑混合，制備濃度為30 75質量％的漿料。優(yōu)選制備 40 65質量％的漿料。而且，第一氧化物粉末和第二氧化物粉末是以制造后的氣相沉積材中的第一氧化物與第二氧化物的摩爾比滿足上述范圍的方式進行調整和混合。漿料的濃度限定為30 75質量％是因為若超過75質量％，則由于上述漿料為非水體系，存在難以進行穩(wěn)定的混合造粒的問題，若不足30質量％，則無法得到具有均勻組織的致密的燒結體。另外，由于制造后的氣相沉積材所含的第一氧化物粉末的平均粒徑和第二氧化物粒子的平均粒徑調整為上述的范圍內，因此使用的第一氧化物粉末的平均粒徑和第二氧化物粉末的平均粒徑優(yōu)選為第一氧化物粉末在0. 1 10 μ m的范圍內、第二氧化物粉末在0. 1 10 μ m的范圍內。粘合劑優(yōu)選使用聚乙二醇、聚乙烯醇縮丁醛等，有機溶劑優(yōu)選使用乙醇、丙醇等。 粘合劑優(yōu)選添加0. 2 5. 0質量％。另外，高純度粉末與粘合劑和有機溶劑的濕式混合、特別是高純度粉末與作為分散介質的有機溶劑的濕式混合通過濕式球磨機或攪拌研磨機進行。濕式球磨機中，使用 ZrO2制的球時，使用直徑5 IOmm的多個制的球濕式混合8 M小時，優(yōu)選濕式混合20 M小時。^O2制的球的直徑限定為5 IOmm是因為不足5mm時混合不充分，超過 IOmm時存在雜質增加的不良問題。另外，混合時間最長為M小時是因為即使長時間連續(xù)混合，雜質產生得也很少。
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在攪拌研磨機中，使用直徑1 3mm的^O2制的球濕式混合0. 5 1小時。^O2 制的球的直徑限定為1 3mm是因為若不足Imm則混合不充分，若超過3mm則存在雜質增加的麻煩。另外，混合時間縮短為最長1小時是因為若超過1小時，不僅是原料的混合，球本身也會磨損，會成為產生雜質的原因，并且只需1小時就可以充分混合。接著噴霧干燥上述漿料得到平均粒徑為50 250 μ m、優(yōu)選50 200 μ m的混合造粒粉末。將該造粒粉末放入規(guī)定的模具中以規(guī)定壓力成形。上述噴霧干燥優(yōu)選使用噴霧干燥機進行，規(guī)定模具使用單軸沖壓裝置或冷等靜壓(CIP :Cold Isostatic ft~eSS)成形裝置。在單軸沖壓裝置中，使造粒粉末在750 2000kg/cm2 (73. 55 196. IMPa)、優(yōu)選1000 1500kg/cm2(98. 1 147. IMPa)的壓力下單軸加壓成形，在CIP成形裝置中，使造粒粉末在 1000 3000kg/cm2 (98. 1 294. 2MPa)、優(yōu)選 1500 2000kg/cm2 (147. 1 196. IMPa)的壓力下CIP成形。將壓力限定在上述范圍是因為提高成形體的密度的同時防止燒結后的變形并且不需要進行后加工。進而，以規(guī)定溫度燒結成形體。燒結是在大氣、惰性氣體、真空或還原氣體氣氛中， 在1000°C以上、優(yōu)選1200 1400°C溫度下進行1 10小時、優(yōu)選進行2 5小時。由此， 得到相對密度為90%以上的顆粒。上述燒結在大氣壓下進行，但進行如熱壓(HP)燒結或熱等靜壓(HIP:Hot Isostatic I^ress)燒結這樣的加壓燒結時，優(yōu)選在惰性氣體、真空或還原氣體氣氛中，在1000°C以上的溫度下進行1 5小時。接著，對本發(fā)明的薄膜片材和層壓片材與其制造方法一起進行說明。如圖1所示， 本發(fā)明的薄膜片材10具有第一基材薄膜11和優(yōu)選使用上述氣相沉積材形成的本發(fā)明的薄膜12。而且，本發(fā)明的層壓片材20具有上述本發(fā)明的薄膜片材10和在該薄膜片材10的薄膜形成側通過粘接層13粘接的第二基材薄膜14。第一基材薄膜11和第二基材薄膜14優(yōu)選具有能耐長時間的高溫高濕度環(huán)境試驗的機械性強度和耐氣候性等。例如，可以舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚芳酯、聚醚砜、三乙酰纖維素 (TAC)、環(huán)狀烯烴(共)聚合物等樹脂薄膜。這些樹脂薄膜根據(jù)需要也可以配合阻燃劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、防靜電劑等。第一基材薄膜11和第二基材薄膜14的厚度優(yōu)選5 300 μ m、更優(yōu)選 10 150 μ m。在該第一基材薄膜11上優(yōu)選使用上述本發(fā)明的氣相沉積材形成作為阻氣材的薄膜12。將氣相沉積材中的第一氧化物中所含的金屬元素設為A、第二氧化物中所含的金屬元素設為B，則薄膜12中的金屬元素A與金屬元素B的摩爾比為5 85 95 15。薄膜 12中的金屬元素A、B的含有比例在上述范圍外時，各氧化物的結晶狀態(tài)分別成為優(yōu)先，產生無法得到非晶狀的致密的微細結構的不良問題。薄膜12的厚度優(yōu)選在10 200nm的范圍內。當小于下限值時，不易得到作為阻氣材的充分的阻氣性，另外膜的耐久性易降低。另一方面，當超過上限值時，浪費材料，并且由于增厚效應易產生彎曲等外力帶來的開裂。在此，薄膜12的厚度特別優(yōu)選在20 IOOnm的范圍內。作為使用氣相沉積材的薄膜12的形成方法，優(yōu)選電子束蒸鍍法(Electron BeamEvaporation Method、以下稱為EB)、離子鍍法、 反應性等離子體沉積法(Reactive Plasma Deposition Method、以下成為RPD)、電阻加熱法或感應加熱法等真空成膜法。另外，圖1中未圖示，但也可以在第一基材薄膜11上為了提高與薄膜12的密合強度根據(jù)需要設置由丙烯酸多元醇酯、異氰酸酯、硅烷偶聯(lián)劑構成的底漆涂敷層，或者在氣相沉積工序之前實施使用等離子體等的表面處理。另一方面，在形成的薄膜12表面露出的狀態(tài)下，處理片材時，膜的表面產生傷痕或摩擦，則對阻氣性產生較大影響。因此，在薄膜12上優(yōu)選設置保護薄膜12表面的阻氣性被膜(未圖示)等。該阻氣性被膜可以例如將具有烷氧基的硅化合物、鈦化合物、氧化鋯化合物、錫化合物或其水解物和具有羥基的水溶性高分子混合而成的溶液涂布在薄膜12表面后，進行加熱干燥而形成。該阻氣性被膜不僅起到薄膜12的薄膜層的作用，還具有提高阻氣性的效果。這樣形成的本發(fā)明的薄膜片材10例如在溫度20°C、相對濕度50% RH的條件下放置1小時后，在溫度40°C、相對濕度90% RH的條件下測定的水蒸氣透過率S顯示0. 3g/ m2 ·天以下。另外，在溫度20°C、相對濕度50% RH的條件下放置1小時后，在溫度85°C、 相對濕度90% RH的條件下進一步放置100小時，之后在與上述條件相同的條件下測定的水蒸氣透過率設為T時，水蒸氣透過率T相對于水蒸氣透過率S的變化率(T/SX100)顯示 200%以下。S卩，該薄膜10具有非常高且時間經過帶來的劣化小的阻氣性。進而，在本發(fā)明的層壓片材20中，在上述本發(fā)明的薄膜片材10的薄膜形成側、即薄膜12上或上述阻氣性被膜上形成粘接層13，該粘接層13起到用于粘合形成有薄膜12的第一基材薄膜11和第二基材薄膜14的粘接劑的作用。因此，可以舉出需要粘接強度經過長時間不會劣化，不產生脫層等且不會變黃等條件的例如聚氨酯系、聚酯系、聚酯-聚氨酯系、聚碳酸酯系、聚環(huán)氧-胺系、熱熔系粘接劑等。對于粘接層13的層壓方法，可以通過干式層壓法等公知的方法進行層壓。通過在該粘接層13上粘接第二基材薄膜14并粘合，完成層壓片材20。并且，如圖1所示，薄膜12和粘接層13沒必要限定在分別各層壓一層，也可以將薄膜12和粘接層 13交替層壓或者是將薄膜12、上述阻氣性被膜等其他部件和粘接層13交替或隨意層壓成 2 10層的多層。由此，可以進一步提高阻氣性和耐氣候性。該層壓片材20適合利用為太陽能電池模塊的底座、液晶顯示器或有機EL顯示器或照明用有機EL顯示器等用途。[實施例]接著，詳細說明本發(fā)明的實施例和比較例。<實施例1>首先，通過球磨機進行的濕式混合以規(guī)定比例混合第一氧化物粉末、第二氧化物粉末、粘合劑和有機溶劑，制備出濃度為40質量％的漿料。此時，第一氧化物粉末使用平均粒徑為1. 3 μ m、純度為99. 8 %的高純度T^2粉末，第二氧化物粉末使用平均粒徑為 0. 8 μ m、純度為99. 8 %的高純度ZnO粉末，粘合劑使用聚乙烯醇縮丁醛，有機溶劑使用乙醇。另外，TW2粉末和ZnO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為5摩爾％、SiO為95摩爾％。接著，將制備的漿料使用噴霧干燥機進行噴霧干燥，得到平均粒徑為200 μ m的混合造粒粉末后，將該造粒粉末放入規(guī)定的模具中通過單軸沖壓裝置進行沖壓成形。使得到的成形體在大氣氣氛中，在1300°C溫度下燒結5小時，得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子和ZnO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Zn0的含量和顆粒的堿度表示在以下表1中。<實施例2>將TW2粉末和ZnO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為10 摩爾％、ZnO為90摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子和ZnO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Zn0的含量和顆粒的堿度表示在以下表1中。<實施例3>將TW2粉末和ZnO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為20 摩爾％、ZnO為80摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子和ZnO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Zn0的含量和顆粒的堿度表示在以下表1中。<實施例4>將TW2粉末和ZnO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為30 摩爾％、ZnO為70摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子和ZnO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Zn0的含量和顆粒的堿度表示在以下表1中。<實施例5>將TW2粉末和ZnO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為40 摩爾％、ZnO為60摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子和ZnO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Zn0的含量和顆粒的堿度表示在以下表1中。<實施例6>將TW2粉末和ZnO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為50 摩爾％、ZnO為50摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子和ZnO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Zn0的含量和顆粒的堿度表示在以下表1中。<實施例7>將TW2粉末和ZnO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為60 摩爾％、ZnO為40摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子和ZnO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Zn0的含量和顆粒的堿度表示在以下表1中。<實施例8>將TW2粉末和ZnO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為70 摩爾％、ZnO為30摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子和ZnO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Zn0的含量和顆粒的堿度表示在以下表1中。<實施例9>將TW2粉末和ZnO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為80 摩爾％、ZnO為20摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子和ZnO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Zn0的含量和顆粒的堿度表示在以下表1中。< 實施例 10>將TW2粉末和ZnO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為85 摩爾％、ZnO為15摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子和ZnO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Zn0的含量和顆粒的堿度表示在以下表1中。〈實施例11>作為第二氧化物粉末使用平均粒徑為0. 9 μ m、純度為99. 7%的高純度MgO粉末， 除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TiO2粒子和MgO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Mg0的含量和顆粒的堿度表示在以下表1中。< 實施例 12>將TW2粉末和MgO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為30 摩爾％、MgO為70摩爾％，除此之外與實施例11同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子和MgO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Mg0的含量和顆粒的堿度表示在以下表1中。< 實施例 13>將TW2粉末和MgO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為50 摩爾％、MgO為50摩爾％，除此之外與實施例11同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子和MgO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Mg0的含量和顆粒的堿度表示在以下表1中。< 實施例 14>將TW2粉末和MgO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為80 摩爾％、MgO為20摩爾％，除此之外與實施例11同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TiO2粒子和MgO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Mg0的含量和顆粒的堿度表示在以下表1中。< 實施例 15>將TW2粉末和MgO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為85 摩爾％、MgO為15摩爾％，除此之外與實施例11同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子和MgO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Mg0的含量和顆粒的堿度表示在以下表1中?！磳嵤├?6>作為第二氧化物粉末使用平均粒徑為0. 6 μ m、純度為99. 8%的高純度CaO粉末， 除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TiO2粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Ca0的含量和顆粒的堿度表示在以下表1中?！磳嵤├?7>將TW2粉末和CaO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為30 摩爾％、CaO為70摩爾％，除此之外與實施例16同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Ca0的含量和顆粒的
11堿度表示在以下表1中?！磳嵤├?8>將TW2粉末和CaO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為50 摩爾％、CaO為50摩爾％，除此之外與實施例16同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Ca0的含量和顆粒的堿度表示在以下表1中。〈實施例19>將TiA粉末和CaO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TiA為80 摩爾％、CaO為20摩爾％，除此之外與實施例16同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Ca0的含量和顆粒的堿度表示在以下表1中?！磳嵤├?0>將TW2粉末和CaO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為85 摩爾％、CaO為15摩爾％，除此之外與實施例16同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Ca0的含量和顆粒的堿度表示在以下表1中?！磳嵤├?1>作為第二氧化物粉末使用平均粒徑為0. 8 μ m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末和平均粒徑為0. 9 μ m、純度為99. 7%的高純度MgO粉末的混合粉末，將TiO2粉末和上述混合粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為5摩爾％、ZnO和MgO分別為90 摩爾％和5摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子、ZnO粒子和MgO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、ZnO, MgO的含量和顆粒的堿度表示在以下表2中?！磳嵤├?2>作為第二氧化物粉末使用平均粒徑為0. 8 μ m、純度為99. 8%的高純度SiO粉末和平均粒徑為0. 6 μ m、純度為99. 8%的高純度CaO粉末的混合粉末，將TiO2粉末和上述混合粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為5摩爾％、ZnO和CaO分別為90 摩爾％和5摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子、ZnO粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、ZnO, CaO的含量和顆粒的堿度表示在以下表2中。〈實施例23>作為第二氧化物粉末使用平均粒徑為0. 8 μ m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末， 平均粒徑為0. 9 μ m、純度為99. 7%的高純度MgO粉末和平均粒徑為0. 6 μ m、純度為99. 8% 的高純度CaO粉末的混合粉末，將TW2粉末和上述混合粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TiR為5摩爾％，Zn0、Mg0和CaO分別為75摩爾％、10摩爾％和10摩爾％， 除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子、ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、ZnO, MgO、CaO的含量和顆粒的堿度表示在以下表2中?！磳嵤├龑?gt;
作為第二氧化物粉末使用平均粒徑為0. 8 μ m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末， 平均粒徑為0. 9 μ m、純度為99. 7%的高純度MgO粉末和平均粒徑為0. 6 μ m、純度為99. 8% 的高純度CaO粉末的混合粉末，將TW2粉末和上述混合粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TiR為5摩爾％，Zn0、Mg0和CaO分別為55摩爾％、20摩爾％和20摩爾％， 除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TiO2粒子、ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、ZnO, MgO、CaO的含量和顆粒的堿度表示在以下表2中。〈實施例25>作為第二氧化物粉末使用平均粒徑為0. 8 μ m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末， 平均粒徑為0. 9 μ m、純度為99. 7%的高純度MgO粉末和平均粒徑為0. 6 μ m、純度為99. 8% 的高純度CaO粉末的混合粉末，將TW2粉末和上述混合粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TiR為5摩爾％，Zn0、Mg0和CaO分別為30摩爾％、35摩爾％和30摩爾％， 除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TiO2粒子、ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、ZnO, MgO、CaO的含量和顆粒的堿度表示在以下表2中?！磳嵤├龥?gt;作為第二氧化物粉末使用平均粒徑為0. 8 μ m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末， 平均粒徑為0. 9 μ m、純度為99. 7%的高純度MgO粉末和平均粒徑為0. 6 μ m、純度為99. 8% 的高純度CaO粉末的混合粉末，將TW2粉末和上述混合粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TiR為5摩爾％，Zn0、Mg0和CaO分別為10摩爾％、35摩爾％和50摩爾％， 除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子、ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、ZnO, MgO、CaO的含量和顆粒的堿度表示在以下表2中?！磳嵤├?7>作為第二氧化物粉末使用平均粒徑為0. 9 μ m、純度為99. 7%的高純度MgO粉末和平均粒徑為0. 6 μ m、純度為99. 8%的高純度CaO粉末的混合粉末，將TiO2粉末和上述混合的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為5摩爾％、MgO和CaO分別為35摩爾％和60摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的 TiO2粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、MgO、CaO的含量和顆粒的堿度表示在以下表2中?！磳嵤├龥a>作為第二氧化物粉末使用平均粒徑為0. 8 μ m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末和平均粒徑為0. 9 μ m、純度為99. 7%的高純度MgO粉末的混合粉末，將TiO2粉末和上述混合粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為30摩爾％、ZnO和MgO分別為60 摩爾％和10摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子、ZnO粒子和MgO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、ZnO, MgO的含量和顆粒的堿度表示在以下表2中?！磳嵤├?gt;作為第二氧化物粉末使用平均粒徑為0. 8 μ m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末和平均粒徑為0. 6 μ m、純度為99. 8%的高純度CaO粉末的混合粉末，將TiO2粉末和上述混合粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為30摩爾％、ZnO和CaO分別為60 摩爾％和10摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子、ZnO粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、ZnO, CaO的含量和顆粒的堿度表示在以下表2中?！磳嵤├?0>作為第二氧化物粉末使用平均粒徑為0. 8 μ m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末， 平均粒徑為0. 9 μ m、純度為99. 7%的高純度MgO粉末和平均粒徑為0. 6 μ m、純度為99. 8% 的高純度CaO粉末的混合粉末，將TW2粉末和上述混合粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TiR為30摩爾％，ZnO, MgO和CaO分別為30摩爾％、25摩爾％和15摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TiO2粒子、 ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、ZnO, MgO、CaO的含量和顆粒的堿度表示在以下表2中。〈實施例31>作為第二氧化物粉末使用平均粒徑為0. 9 μ m、純度為99. 7%的高純度MgO粉末和平均粒徑為0. 6 μ m、純度為99. 8%的高純度CaO粉末的混合粉末，將TiO2粉末和上述混合粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為30摩爾％ ,MgO和CaO分別為25 摩爾％和45摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、MgO、CaO的含量和顆粒的堿度表示在以下表2中?！磳嵤├?2>作為第二氧化物粉末使用平均粒徑為0. 8 μ m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末和平均粒徑為0. 9 μ m、純度為99. 7%的高純度MgO粉末的混合粉末，將TiO2粉末和上述混合粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為85摩爾％、ZnO和MgO分別為 10摩爾％和5摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子、ZnO粒子和MgO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、ZnO, MgO的含量和顆粒的堿度表示在以下表2中?！磳嵤├?3>作為第二氧化物粉末使用平均粒徑為0. 8 μ m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末和平均粒徑為0. 6 μ m、純度為99. 8%的高純度CaO粉末的混合粉末，將TiO2粉末和上述混合粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為85摩爾％、ZnO和CaO分別為 10摩爾％和5摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子、ZnO粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、ZnO, CaO的含量和顆粒的堿度表示在以下表3中?！磳嵤├?；34>作為第二氧化物粉末使用平均粒徑為0. 8 μ m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末， 平均粒徑為0. 9 μ m、純度為99. 7%的高純度MgO粉末和平均粒徑為0. 6 μ m、純度為99. 8% 的高純度CaO粉末的混合粉末，將TW2粉末和上述混合粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為85摩爾％，ZnO,MgO和CaO分別為5摩爾％、5摩爾％和5摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子、ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、ZnO, MgO、CaO的含量和顆粒的堿度表示在以下表3中?！磳嵤├?；35>作為第二氧化物粉末使用平均粒徑為0. 9 μ m、純度為99. 7%的高純度MgO粉末和平均粒徑為0. 6 μ m、純度為99. 8%的高純度CaO粉末的混合粉末，將TiO2粉末和上述混合粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為85摩爾％、MgO和CaO分別為5 摩爾％和10摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、MgO、CaO的含量和顆粒的堿度表示在以下表3中?！磳嵤├?6>與實施例25同樣的條件下得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TiO2粒子、 ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、ZnO, MgO、CaO的含量和顆粒的堿度表示在以下表3中?！磳嵤├?7>與實施例30同樣的條件下得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TiO2粒子、 ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、ZnO, MgO、CaO的含量和顆粒的堿度表示在以下表3中?！磳嵤├?8>與實施例34同樣的條件下得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TiO2粒子、 ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、ZnO, MgO、CaO的含量和顆粒的堿度表示在以下表3中?！磳嵤├?9>與實施例25同樣的條件下得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TiO2粒子、 ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、ZnO, MgO、CaO的含量和顆粒的堿度表示在以下表3中。〈實施例40>與實施例30同樣的條件下得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TiO2粒子、 ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、ZnO, MgO、CaO的含量和顆粒的堿度表示在以下表3中?！磳嵤├?1>與實施例34同樣的條件下得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TiO2粒子、 ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、ZnO, MgO、CaO的含量和顆粒的堿度表示在以下表3中。<比較例1>調整為不混合第一氧化物粒子之外，與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材中所含的ZnO粒子的平均粒徑、顆粒的堿度表示在以下表4中。〈比較例2>將TW2粉末和ZnO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為3摩爾％、ZnO為97摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子和ZnO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Zn0的含量和顆粒的堿度表示在以下表4中?！幢容^例3>將TW2粉末和ZnO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為90 摩爾％、ZnO為10摩爾％，除此之外與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子和ZnO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Zn0的含量和顆粒的堿度表示在以下表4中?！幢容^仿Ij4>調整為不混合第二氧化物粒子之外，與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材中所含的T^2粒子的平均粒徑、顆粒的堿度表示在以下表4中?！幢容^例5>調整為不混合第一氧化物粒子之外，與實施例11同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材中所含的MgO粒子的平均粒徑、顆粒的堿度表示在以下表4中?！幢容^仿Ij6>將TW2粉末和MgO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為3 摩爾％、MgO為97摩爾％，除此之外與實施例11同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TiO2粒子和MgO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Mg0的含量和顆粒的堿度表示在以下表4中?！幢容^例7>將TW2粉末和MgO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為90 摩爾％、MgO為10摩爾％，除此之外與實施例11同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子和MgO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Mg0的含量和顆粒的堿度表示在以下表4中。〈比較仿Ij8>調整為不混合第二氧化物粒子之外，與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材中所含的T^2粒子的平均粒徑、顆粒的堿度表示在以下表4中?！幢容^仿Ij9>調整為不混合第一氧化物粒子之外，與實施例16同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材中所含的CaO粒子的平均粒徑、顆粒的堿度表示在以下表4中。〈比較例10>將TiA粉末和CaO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TiA為3 摩爾％、CaO為97摩爾％，除此之外與實施例16同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的Tih粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Ca0的含量和顆粒的堿度表示在以下表4中。〈比較例11>將TW2粉末和CaO粉末的混合量調整為形成后的氣相沉積材中所含的TW2為90 摩爾％、CaO為10摩爾％，除此之外與實施例16同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材所含的TW2粒子和CaO粒子的平均粒徑，氣相沉積材中所含的Ti02、Ca0的含量和顆粒的
16堿度表示在以下表4中?！幢容^例12>調整為不混合第二氧化物粒子之外，與實施例1同樣地得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材中所含的T^2粒子的平均粒徑、顆粒的堿度表示在以下表4中。〈比較例13>與比較例1同樣的條件下得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材中所含的ZnO粒子的平均粒徑、氣相沉積材中所含的ZnO含量、顆粒的堿度表示在以下表4中?！幢容^例14>與比較例5同樣的條件下得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材中所含的MgO粒子的平均粒徑、氣相沉積材中所含的MgO含量、顆粒的堿度表示在以下表4中。< 比較例 15>與比較例9同樣的條件下得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材中所含的CaO粒子的平均粒徑、氣相沉積材中所含的CaO含量、顆粒的堿度表示在以下表4中。< 比較例 16>與比較例4同樣的條件下得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材中所含的TW2粒子的平均粒徑、氣相沉積材中所含的TW2含量、顆粒的堿度表示在以下表4中。< 比較例 17>與比較例1同樣的條件下得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材中所含的ZnO粒子的平均粒徑、氣相沉積材中所含的ZnO含量、顆粒的堿度表示在以下表4中。< 比較例 18>與比較例5同樣的條件下得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材中所含的MgO粒子的平均粒徑、氣相沉積材中所含的MgO含量、顆粒的堿度表示在以下表4中。< 比較例 19>與比較例9同樣的條件下得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材中所含的CaO粒子的平均粒徑、氣相沉積材中所含的CaO含量、顆粒的堿度表示在以下表4中?！幢容^例20>與比較例4同樣的條件下得到氣相沉積材。得到的氣相沉積材中所含的TW2粒子的平均粒徑、氣相沉積材中所含的TW2含量、顆粒的堿度表示在以下表4中。[表1]
1權利要求
1.一種氣相沉積材，為混合第一氧化物粉末和第二氧化物粉末而制作的氣相沉積材， 其特征在于，所述第一氧化物粉末為TiO2粉末，所述第一氧化物粉末的第一氧化物純度為98%以上，所述第二氧化物粉末為選自&10、MgO和CaO中的一種粉末或兩種以上的混合粉末，所述第二氧化物粉末的第二氧化物純度為98%以上，所述氣相沉積材由含有所述第一氧化物粒子和所述第二氧化物粒子的顆粒構成，所述氣相沉積材中的第一氧化物與第二氧化物的摩爾比為5 85 95 15，且所述顆粒的堿度為0.1以上。
2.根據(jù)權利要求1所述的氣相沉積材，所述第一氧化物粒子的平均粒徑為0.1 10 μ m,且所述第二氧化物粒子的平均粒徑為0. 1 10 μ m。
3.一種膜的制造方法，其特征在于，通過將權利要求1或2所述的氣相沉積材用作靶材的真空成膜法，在第一基材薄膜上形成包含所述第一氧化物所含的金屬元素A和所述第二氧化物所含的金屬元素B的氧化物薄膜。
4.一種薄膜片材，通過將權利要求1或2所述的氣相沉積材用作靶材的真空成膜法，在第一基材薄膜上形成包含所述第一氧化物所含的金屬元素A和所述第二氧化物所含的金屬元素B的氧化物薄膜，所述薄膜中的所述金屬元素A與所述金屬元素B的摩爾比為5 85 95 15。
5.根據(jù)權利要求4所述的薄膜片材，所述真空成膜法為電子束蒸鍍法、離子鍍法、反應性等離子體沉積法、電阻加熱法或感應加熱法中的任意一種。
6.根據(jù)權利要求4或5所述的薄膜片材，在溫度20°C、相對濕度50%RH的條件下放置 1小時時的水蒸氣透過率S為0. 3g/m2 ·天以下。
7.根據(jù)權利要求6所述的薄膜片材，在溫度20°C、相對濕度50%RH的條件下放置1小時后，在溫度85°C、相對濕度90% RH的條件下進一步放置100小時時的的水蒸氣透過率設為T時，所述水蒸氣透過率T相對于所述水蒸氣透過率S的變化率T/SX 100為200%以下。
8.一種層壓片材，在權利要求4 7中的任意一項所述的薄膜片材的薄膜形成側通過粘接層層壓第二基材薄膜而成。
全文摘要
本發(fā)明提供適合形成透明性和阻氣性優(yōu)異的薄膜的氣相沉積材和具備該薄膜的薄膜片材以及層壓片材。本發(fā)明的氣相沉積材為混合第一氧化物粉末和第二氧化物粉末而制作的氣相沉積材，其特征在于，第一氧化物粉末為TiO2粉末，第一氧化物粉末的第一氧化物純度為98％以上，第二氧化物粉末為選自ZnO、MgO和CaO中的一種粉末或兩種以上的混合粉末，第二氧化物粉末的第二氧化物純度為98％以上，氣相沉積材由含有第一氧化物粒子和第二氧化物粒子的顆粒構成，氣相沉積材中的第一氧化物與第二氧化物的摩爾比為5～85∶95～15，且顆粒的堿度為0.1以上。
文檔編號H01L31/04GK102191458SQ20111004595
公開日2011年9月21日 申請日期2011年2月23日 優(yōu)先權日2010年3月4日
發(fā)明者有泉久美子, 黑光祥郎, 黛良享 申請人:三菱綜合材料株式會社