專利名稱：瞬變電壓抑制二極管和肖特基二極管組合的晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成的二極晶體管，特別涉及一種瞬變電壓抑制二極管和肖
特基二極管組合的晶體管。
背景技術(shù)：
目前，此類產(chǎn)品只有單一種類芯片，下游客戶產(chǎn)品需要一個(gè)瞬變電壓抑制二極管 (Transient Voltage Suppression Diode)禾口一個(gè)肖特基二極管(Schottky Rectifier Diode)來實(shí)現(xiàn)功能，從而占用了下游產(chǎn)品的大量空間，同時(shí)增加了生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是要提供一種將一個(gè)瞬變電壓抑制二極管和一個(gè)肖 特基二極管集成為一種新的二極晶體管，提高了生產(chǎn)效率，且降低了生產(chǎn)成本。為了解決以上的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種瞬變電壓抑制二極管和肖特基二極 管組合的晶體管，將瞬變電壓抑制二極管芯片和肖特基二極管芯片的兩極引線并聯(lián)后封裝 于一個(gè)本體中，構(gòu)成一個(gè)新的二極晶體管。本發(fā)明適用于軸向二極管產(chǎn)品。本發(fā)明的優(yōu)越功效在于
1)本發(fā)明能大量節(jié)省下游產(chǎn)品的空間；
2)避免重復(fù)的產(chǎn)品生產(chǎn)，提升了裝填速度，提高了生產(chǎn)效率，同時(shí)降低了生產(chǎn)成本。


圖1為本發(fā)明的原理電路圖 圖2為本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)圖； 圖3為焊接臺(tái)的示意圖； 圖中標(biāo)號(hào)說明 卜本體； 3—上引線；
5—瞬變電壓抑制二極管芯片； 7—上焊片；
2—下引線； 4一肖特基二極管芯片 6—下焊片； 8—焊接臺(tái)。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱附圖所示，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。如圖1所示，本發(fā)明提供了一種瞬變電壓抑制二極管和肖特基二極管組合的晶體 管，將瞬變電壓抑制二極管芯片5和肖特基二極管芯片4的兩極引線并聯(lián)后封裝于一個(gè)本 體1中，構(gòu)成一個(gè)新的二極晶體管，適用于軸向二極管產(chǎn)品。如圖2所示，本發(fā)明在封裝時(shí)的具體實(shí)施步驟步驟1 將下引線2水平放置于焊接臺(tái)8，焊接臺(tái)如圖3所示； 步驟2 將下焊片6放置于下引線的凸臺(tái)上；
步驟3 將瞬變電壓抑制二極管芯片5和肖特基二極管芯片4的分別放置于下焊片6， 無須區(qū)分極性；
步驟4 將上焊片7放置于二顆芯片上；
步驟5 將上引線3的二個(gè)凸臺(tái)放置于上焊片7上，使其呈水平狀態(tài)。
步驟6 焊接臺(tái)8蓋上蓋板，刷焊油進(jìn)焊接爐，爐溫峰值溫度為360°C，45分鐘后產(chǎn) 出一個(gè)集成的二極晶體管。
權(quán)利要求
1. 一種瞬變電壓抑制二極管和肖特基二極管組合的晶體管，其特征在于將瞬變電壓 抑制二極管芯片和肖特基二極管芯片的兩極引線并聯(lián)后封裝于一個(gè)本體中，構(gòu)成一個(gè)新的二極晶體管。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種瞬變電壓抑制二極管和肖特基二極管組合的晶體管，將瞬變電壓抑制二極管芯片和肖特基二極管芯片的兩極引線并聯(lián)后封裝于一個(gè)本體中，構(gòu)成一個(gè)新的二極晶體管。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是能大量節(jié)省下游產(chǎn)品的空間；避免重復(fù)的產(chǎn)品生產(chǎn)，提升了裝填速度，提高了生產(chǎn)效率，同時(shí)降低了生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)H01L25/07GK102142433SQ20111004805
公開日2011年8月3日 申請(qǐng)日期2011年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月1日
發(fā)明者常彩青, 徐進(jìn)壽, 楊坤 申請(qǐng)人:上海旭福電子有限公司, 敦南微電子(無錫)有限公司