專利名稱：具有單側(cè)基板設(shè)計的半導(dǎo)體封裝及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件封裝及其制造方法，且特別是涉及一種具有單側(cè)基板設(shè)計的半導(dǎo)體元件封裝及其制造方法。
背景技術(shù)：
集成電路(IC)封裝技術(shù)在電子產(chǎn)業(yè)中扮演著重要角色。隨著輕質(zhì)、緊密性及高效率已變?yōu)橄M者電子元件及通信產(chǎn)品的典型要求，芯片封裝應(yīng)提供優(yōu)良電特性、較小總體積及大量I/O埠。此等芯片封裝中使用的基板常具有可使用線路(traces)及/或通孔 (vias)電連接的多個金屬層。隨著芯片封裝的尺寸減小，此等用于連接多個金屬層的線路及通孔可變得更小且更緊密間隔，此可增加集成電路封裝工藝的成本及復(fù)雜性。因此，需要開發(fā)出一種基板，其具有薄構(gòu)型、通過較不復(fù)雜的工藝進(jìn)行制造、適于大量生產(chǎn)，且可以高生產(chǎn)良率生產(chǎn)。亦需要開發(fā)出包括所述基板的對應(yīng)封裝，以及所述基板及所述對應(yīng)封裝的制造方法。正是對照已知技術(shù)才需要開發(fā)出本文描述的半導(dǎo)體封裝及相關(guān)方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝。在實施例中，半導(dǎo)體封裝包括基板單元、管芯以及封裝主體。基板單元包括(1)具有上表面的第一圖案化導(dǎo)電層；( 配置于第一圖案化導(dǎo)電層的上表面的第一介電層，第一介電層暴露出第一圖案化導(dǎo)電層的一部分以形成多個第一接觸墊；C3)位于第一圖案化導(dǎo)電層下方且具有下表面的第二圖案化導(dǎo)電層；(4) 位于第一圖案化導(dǎo)電層與第二圖案化導(dǎo)電層之間的第二介電層，其中第二介電層定義出多個從第一圖案化導(dǎo)電層延伸至第二圖案化導(dǎo)電層的開口，且其中第二圖案化導(dǎo)電層包括多個被第二介電層所暴露出的第二接觸墊；以及(5)多個導(dǎo)電凸塊，每一導(dǎo)電凸塊經(jīng)由位于第二介電層中對應(yīng)的一個開口自第一圖案化導(dǎo)電層延伸至對應(yīng)的一個第二接觸墊，且每一導(dǎo)電凸塊填充于位于第二介電層中對應(yīng)的依各開口。至少其中的一個導(dǎo)電凸塊定義出凹槽。管芯電性連接至第一接觸墊。封裝主體覆蓋第一圖案化導(dǎo)電層與管芯。本發(fā)明的另一示例有關(guān)于一種基板的制作方法。在實施例中，此方法包括(1) 提供具有上表面與下表面的承載器，且形成鄰近承載器的上表面的第一金屬層；( 形成多個至第一金屬層垂直延伸的第一導(dǎo)電塊，每一第一導(dǎo)電塊具有上表面；C3)形成定義出多個第一開口的第一介電層，每一第一開口暴露出對應(yīng)的一個第一導(dǎo)電塊的上表面的一部分；(4)形成第一導(dǎo)電凸塊以及第一圖案化導(dǎo)電層，每一第一導(dǎo)電凸塊從對應(yīng)的一個第一導(dǎo)電塊延伸至第一圖案化導(dǎo)電層，并填充于對應(yīng)的一個第一開口 ；以及(5)移除承載器以暴露出第一金屬層。本發(fā)明的另一示例有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝的制作方法。在實施例中，此方法包括 (1)提供基板，其包括(a)金屬層；(b)多個形成鄰近金屬層的導(dǎo)電塊，每一導(dǎo)電塊具有上表面；(c)定義出開口的介電層，每一開口暴露出對應(yīng)的一個導(dǎo)電塊的上表面的一部分；(d)圖案化導(dǎo)電層；以及(e)多個導(dǎo)電凸塊，每一導(dǎo)電凸塊從對應(yīng)的一個導(dǎo)電塊延伸至圖案化導(dǎo)電層，并填充于對應(yīng)的一個開口 ；(2)電性連接芯片至圖案化導(dǎo)電層；(3)形成封裝主體覆蓋介電層與管芯；以及(4)移除金屬層以暴露出導(dǎo)電塊。本發(fā)明的其他示例及實施例。以上概述及以下詳細(xì)描述并非意欲將本發(fā)明限于任何特定實施例，而是僅意在描述本發(fā)明的一些實施例。


圖1為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝的剖面示意圖。圖2為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝的剖面示意圖。圖3為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝的剖面示意圖。圖4為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝的剖面示意圖。圖5為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝的剖面示意圖。圖6為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝的剖面示意圖。圖7為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝的剖面示意圖。圖8為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝的剖面示意圖。圖9為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝的剖面示意圖。圖10為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝的剖面示意圖。圖IlA至圖IlY為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝的制作方法的剖面示意圖。圖12為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝的剖面示意圖。圖13為圖12的半導(dǎo)體封裝的俯視示意圖。為更好地理解本發(fā)明的一些實施例的性質(zhì)及目的，應(yīng)參考結(jié)合附圖作出的以下詳細(xì)描述。在附圖中，除非上下文另外清楚地規(guī)定，否則相同參考標(biāo)號表示相同元件。附圖標(biāo)記說明100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1200 半導(dǎo)體封裝102,302 管芯104、204 基板單元106 封裝主體110、210、610、710、810、910、1146、1210 圖案化導(dǎo)電層112、142、146、1102、1120、1121 上表面114、1110、1111 導(dǎo)電塊116、134、144、234、1104 下表面118、124、218、228、424、524、624、724、1148、1149、1156 介電層120、402、502、611、711、811、911、1107a、1107b、1109a、1109b、1124a、1124b、 1126a、1126b、1130a、1130b、1132a、1132b、1140、1141 開口122、122a、222a、222b、622、722、822、922、1137a、1137b 導(dǎo)電凸塊126,226a,226b 第一接觸墊130、130a、230、230a、230b 第二接觸墊133:電性接點136 焊線
138 主動表面140、940 管芯粘著層141 底膠148、248b、249 線路ΙδΟ:厚度214、1103、1105、1116、1117、1122、1123、1128、1129、1142、1142' ,1144 導(dǎo)電層227、1150 表面處理層/電鍍層335:熔融導(dǎo)電凸塊723、823、923 凹槽1100:承載器1106、1108、1138、1139 光致抗蝕劑層1112、1114、1134、1136 層1152:基板1154:模制結(jié)構(gòu)1158、1160:虛線623:凹槽1162、1164、1166、1168 阻障層IllOaUllla 第一部分IllObUlllb 第二部分1190:玻纖1112a:第一開口1180、1181 種子層1182a、1182b 部分1172:厚度1250 接地層
具體實施例方式首先，請先參考圖1，其說明本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝的剖面示意圖。半導(dǎo)體封裝100包括管芯102、基板單元104以及封裝主體106?；鍐卧?04包括具有上表面112的圖案化導(dǎo)電層110以及具有下表面116的一或多個導(dǎo)電塊114。圖案化導(dǎo)電層110 橫向延伸于基板單元104內(nèi)?；鍐卧?04亦包括介于圖案化導(dǎo)電層110與導(dǎo)電塊114之間的介電層118。介電層118具有下表面134。介電層118定義出多個從圖案化導(dǎo)電層110 延伸至導(dǎo)電塊114的開口 120。每一導(dǎo)電凸塊122經(jīng)由對應(yīng)的一個開口 120從圖案化導(dǎo)電層110延伸至對應(yīng)的導(dǎo)電塊114。導(dǎo)電凸塊122亦可形成如同一導(dǎo)電層，例如是種子層(請參考圖11K)?；蛘撸瑢?dǎo)電凸塊122亦可包括形成如同一導(dǎo)電層，例如是種子層(請參考圖 11K)的第一部分以及形成于種子層(請參考圖11M)上的第二部分。導(dǎo)電凸塊122的第一部分的至少一部分可配置于導(dǎo)電凸塊122的第二部分與導(dǎo)電塊114之間。在實施例中，每一導(dǎo)電凸塊122實質(zhì)上填充于對應(yīng)的一個開口 120中?；鍐卧?04還包括介電層124， 其中介電層124配置于圖案化導(dǎo)電層110的上表面112。介電層IM可為防焊層(soldermask) 0介電層1 暴露出圖案化導(dǎo)電層110的一部分以形成多個第一接觸墊126。在實施例中，例如在引線接合的應(yīng)用中，第一接觸墊1 可位于管芯102所占據(jù)面積(footprint) 的外部。或者，例如在倒裝接合(flip-chip bonding)的應(yīng)用中，第一接觸墊1 可位于管芯102下方。在實施例中，第一接觸墊1 可被表面處理層(surface finish layer)(未繪示)所覆蓋。在實施例中，介電層118暴露出導(dǎo)電塊114的下表面116以形成多個第二接觸墊 130。第二接觸墊130可用于外部電連接至封裝100，例如電連接至另一半導(dǎo)體封裝或電連接至電路板上的其他元件。舉例而言，例如焊球的電性接點133可電連接至并配置鄰近于對應(yīng)的一個第二接觸墊130。在實施例中，每一導(dǎo)電凸塊122具有介于約30 μ m至約150 μ m的范圍內(nèi)的高度， 例如約30 μ m至約50μπκ約30 μ m至約100 μ m、約50 μ m至約100 μ m，以及約100 μ m至約150 μ m。每一導(dǎo)電凸塊122的直徑可介于約150 μ m至250 μ m的范圍內(nèi)，例如直徑約為 200 μ m0每一導(dǎo)電凸塊122具有擁有第一面積的上表面142以及擁有第二面積的下表面 144。在實施例中，第一面積大于第二面積。另外，每一第二接觸墊130的上表面146擁有第三面積。第二接觸墊130的直徑可介于約150 μ m至約300 μ m以上變化。因此，在實施例中，第三面積大于第二面積?；蛘?，第三面積亦可小于或等于第二面積。在實施例中，導(dǎo)電凸塊122的上表面142與下表面144可具有包括(但不限于)實質(zhì)上圓形的形狀、實質(zhì)上橢圓形的形狀、實質(zhì)上正方形的形狀及實質(zhì)上矩形的形狀。本發(fā)明的實施例中具有單側(cè)基板的設(shè)計，導(dǎo)電凸塊122將圖案化導(dǎo)電層110電連接至第二接觸墊130，且無需通孔，例如是經(jīng)電鍍的通孔。此可顯著減少封裝100的成本。 另外，一些導(dǎo)電凸塊122(例如是導(dǎo)電凸塊12 ，其至少部分配置于管芯的下方，如下所述) 可促進(jìn)熱傳導(dǎo)離開管芯102，且離開封裝100。并且，第二接觸墊130可內(nèi)埋于介電層118 中，此可增加封裝100的安裝可靠性，因為應(yīng)力集中減小。在實施例中，導(dǎo)電塊114的下表面116凹入于介電層118的下表面134，使得第二接觸墊130凹入于下表面134。第二接觸墊130凹入于下表面134可促進(jìn)電性接點133附接至第二接觸墊130。或者，導(dǎo)電塊114的下表面116可暴露于介電層118的下表面134 處。在實施例中，封裝100具有介于約200 μ m至約500 μ m的范圍內(nèi)的厚度150，例如約 200 μ m 至約;350μπι、約 300 μ m 至約!350ym、約 300 μ m 至約 400 μ m、約 300 μ m 至約 450 μ m，以及約300 μ m至約500 μ m，但封裝100的厚度不限于此范圍。在實施例中，管芯102的主動表面138上的接合墊經(jīng)由焊線136電性連接至第一接觸墊126。第一接觸墊1 配置于管芯102的周圍，且可完全或部分圍繞管芯102。封裝主體106實質(zhì)上覆蓋或包覆管芯102、焊線136以及第一圖案化導(dǎo)電層110，以提供機(jī)械穩(wěn)定性以及對氧化、潮濕及其他環(huán)境條件的防護(hù)。封裝主體106可由模制材料所制成，模制材料可包括，例如是酚醛清漆基樹脂(Novolac-based resin)、環(huán)氧基樹脂(印oxy-based resin)、聚硅氧基樹脂(silicone-based resin)、其他適當(dāng)?shù)姆庋b體。亦可包括例如粉末狀氧化硅(SiO2)等適宜的填充劑。在實施例中，管芯102配置鄰近于介電層124，其一部分可作為管芯座。管芯粘著層(die attach layer) 140是由芯片接合材料所構(gòu)成，例如是粘劑或薄膜，可選擇性地添加于管芯102與介電層IM之間。管芯粘著層140可包括環(huán)氧樹脂、樹脂或其他適宜材料。單側(cè)基板，例如是基板單元104，常具有單一金屬層(例如是圖案化導(dǎo)電層110)。 在此單一金屬層內(nèi)，可經(jīng)由線路進(jìn)行布線以獲得扇入(fan-in)組態(tài)、扇出(fan-out)組態(tài)或兩者的組合。在實施例中，圖案化導(dǎo)電層110可包括線路148，其將每一第一接觸墊1 電性連接至對應(yīng)的一個導(dǎo)電凸塊122，且電性連接至對應(yīng)的第二接觸墊130。在圖1的實施例中，線路148將第一接觸墊126電性連接至在扇出組態(tài)中于管芯102的占據(jù)面積外部延伸的第二接觸墊130。在實施例中，圖案化導(dǎo)電層110的至少部分在管芯102下方的部分亦可經(jīng)由導(dǎo)電凸塊12 電連接至第二接觸墊130a。盡管在圖1的實施例中，管芯102不電性連接至導(dǎo)電凸塊12 及第二接觸墊130a，但導(dǎo)電凸塊12 及第二接觸墊130a仍可有助于傳導(dǎo)熱離開管芯102并離開封裝100。圖2為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝200的剖面示意圖。半導(dǎo)體封裝200在許多方面類似于圖ι描述的半導(dǎo)體封裝100，因此此處僅論述半導(dǎo)體封裝200的不同示例。 半導(dǎo)體封裝200包括基板單元204，其中基板單元204包括圖案化導(dǎo)電層210 (類似于圖案化導(dǎo)電層110)，此圖案化導(dǎo)電層210包括第一接觸墊226a (類似于第一接觸墊126)、線路 248 (類似于線路148)、導(dǎo)電凸塊222 (類似于導(dǎo)電凸塊122)、導(dǎo)電層214及介電層2 。導(dǎo)電層214包括第二接觸墊230(類似于第二接觸墊130)及鄰近于介電層218(類似于介電層118)的下表面234的一或多個線路對9。介電層2 暴露導(dǎo)電層214的一部分以形成第二接觸墊230。在實施例中，第一接觸墊2 可以被表面處理層227所覆蓋。在實施例中，管芯102經(jīng)由焊線136、管芯102的占據(jù)面積外部的第一接觸墊 226b、線路MSb及導(dǎo)電凸塊222b電連接至管芯102下方的第二接觸墊230b。由線路MSb 促進(jìn)封裝200的此扇入支援，其中線路M8b自管芯102下方橫向延伸至位于管芯102的占據(jù)面積外部的第一接觸墊226b。如先前圖1的描述，可經(jīng)由包括于單一金屬層210中的線路進(jìn)行布線以獲得扇入組態(tài)、扇出組態(tài)或兩者的組合。第二接觸墊230b可覆蓋導(dǎo)電凸塊 222b，使得介電層218的下表面234上不需要額外線路。如先前所描述，本發(fā)明的實施例的單側(cè)基板設(shè)計的優(yōu)點為，導(dǎo)電凸塊將基板單元的第一側(cè)上的圖案化導(dǎo)電層電性連接至基板單元的第二側(cè)上的接觸墊，而無需通孔(諸如，經(jīng)鍍敷的通孔)。封裝200利用單側(cè)基板設(shè)計的此優(yōu)點。另外，封裝200的額外導(dǎo)電層 214經(jīng)由介電層218的下表面234上的線路249提供額外布線彈性。在實施例中，第二接觸墊230a經(jīng)由線路對9電連接至導(dǎo)電凸塊22 ，且可自其對應(yīng)的導(dǎo)電凸塊22 橫向移位。 線路249可由介電層2 所覆蓋，且可覆蓋導(dǎo)電凸塊22加。有利的是使導(dǎo)電凸塊222自其對應(yīng)的第二接觸墊230橫向移位以簡化封裝200內(nèi)的布線，因為第二接觸墊230的定位可基于至封裝200的外部介面要求而為固定的。圖3為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝300的剖面示意圖。半導(dǎo)體封裝300類似于圖1描述的半導(dǎo)體封裝100，不同之處在于管芯302為倒裝接合。底膠(underfill layer)可選擇性地添加于管芯302與介電層IM之間。因此，管芯302下方的第二接觸墊 130a可經(jīng)由熔融導(dǎo)電凸塊(fused conductivebump) 335電性連接至管芯302，而此熔融導(dǎo)電凸塊335可由例如是焊料等導(dǎo)電材料制成。管芯302亦可電性連接至一或多個位于管芯的外圍的第二接觸墊130，例如是扇出應(yīng)用。電連接管芯302至管芯外圍的這些第二接觸墊130亦可透過一或多個位于管芯下方的熔融導(dǎo)電凸塊335至圖案化導(dǎo)電層110到介電層118內(nèi)的跡腺(未繪示)。本領(lǐng)域一般技術(shù)人員將了解，圖2的封裝200亦可以類似方式支援倒裝接合。圖4為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝400的剖面示意圖。半導(dǎo)體封裝400類似于圖1描述的半導(dǎo)體封裝100，不同之處在于管芯粘著層140鄰近于介電層118。管芯粘著層140可位于由介電層424(另外類似于圖1的介電層124)所定義的開口 402中。本領(lǐng)域一般技術(shù)人員將了解，圖2的封裝200亦可支援類似結(jié)構(gòu)。圖5為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝500的剖面剖面圖。半導(dǎo)體封裝500類似于圖3描述的半導(dǎo)體封裝300，不同之處在于底膠141鄰近于介電層118。底膠141可位于管芯302與介電層118之間，且于介電層524(另外類似于圖1的介電層124)所定義的開口 502內(nèi)。本領(lǐng)域一般技術(shù)人員將了解，圖2的封裝200亦可支援具有類似結(jié)構(gòu)的倒
裝接合。圖6為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝600的剖面示意圖。半導(dǎo)體封裝600類似于圖1描述的半導(dǎo)體封裝100，不同之處在于圖案化導(dǎo)電層610定義出實質(zhì)上被介電層 6 的一部分所填充的開口 611，且一或多個導(dǎo)電凸塊622各自定義出凹槽623，實質(zhì)上介電層624的一部分填充于凹槽623中。圖案化導(dǎo)電層610、介電層擬4及導(dǎo)電凸塊622另外分別類似于圖1的圖案化導(dǎo)電層110、介電層124及導(dǎo)電凸塊122。圖7為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝700的剖面示意圖。半導(dǎo)體封裝700類似于圖2描述的半導(dǎo)體封裝200，不同之處在于圖案化導(dǎo)電層710定義出實質(zhì)上被介電層 7 的一部分所填充的開口 711，且一或多個導(dǎo)電凸塊722各自定義出凹槽723，實質(zhì)上介電層724的一部分填充于凹槽723中。圖案化導(dǎo)電層710、介電層7 及導(dǎo)電凸塊722另外分別類似于圖1及2的圖案化導(dǎo)電層210、介電層124及導(dǎo)電凸塊222。圖8為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝800的剖面示意圖。半導(dǎo)體封裝800類似于圖3描述的半導(dǎo)體封裝300，不同之處在于圖案化導(dǎo)電層810定義出實質(zhì)上被熔融導(dǎo)電凸塊335所填充的開口 811，且一或多個導(dǎo)電凸塊822各自定義出凹槽823，實質(zhì)上熔融導(dǎo)電凸塊335填充于凹槽823中。圖案化導(dǎo)電層810以及導(dǎo)電凸塊822另外類似于圖1的圖案化導(dǎo)電層110及導(dǎo)電凸塊122。本領(lǐng)域一般技術(shù)人員將了解，圖2的封裝200亦可支援具有類似結(jié)構(gòu)的倒裝接合。圖9為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝900的剖面示意圖。半導(dǎo)體封裝900類似于圖4描述的半導(dǎo)體封裝400，不同之處在于圖案化導(dǎo)電層910定義出實質(zhì)上被管芯粘著層940所填充的開口 911，且一或多個導(dǎo)電凸塊922各自定義出凹槽923，實質(zhì)上管芯粘著層940填充于凹槽923中。圖案化導(dǎo)電層910、導(dǎo)電凸塊922及管芯粘著層940另外類似于圖1的圖案化導(dǎo)電層110、導(dǎo)電凸塊122及管芯粘著層140。本領(lǐng)域一般技術(shù)人員將了解，圖2的封裝200亦可支援類似結(jié)構(gòu)。圖10為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝1000的剖面示意圖。半導(dǎo)體封裝1000 類似于圖8描述的半導(dǎo)體封裝800，不同之處在于底膠141鄰近于介電層118。本領(lǐng)域一般技術(shù)人員將了解，圖2的封裝200亦可支援具有類似結(jié)構(gòu)的倒裝接合。圖IlA至圖IlY為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝的制作方法的剖面示意圖。 為了容易呈現(xiàn)，請參考圖2的封裝200描述以下制造方法。然而，預(yù)期的制造方法可類似地實行以形成具有與封裝200不同的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的其他半導(dǎo)體元件封裝，例如是圖1及圖3-10中說明的封裝。預(yù)期的制造方法亦可類似地實行以形成包括多個相連的半導(dǎo)體封裝陣列的基板條(substratestrip)，每一基板條可對應(yīng)例如是圖1及圖3_10中說明的封裝。如圖 IlY所描述，相連的半導(dǎo)體封裝陣列可單體化成多個獨立的封裝，例如是圖1-10及圖12中說明的封裝。首先，請參考圖11A，提供承載器(carrier) 1100。在實施例中，承載器1100包括核心層(core layer)(未圖示)，其在附接至核心層的兩個承載器導(dǎo)電層(未圖示)之間。 每一承載器導(dǎo)電層可由金屬、金屬合金、其中分散有金屬或金屬合金的基質(zhì)，或另一適宜的導(dǎo)電材料形成。舉例而言，每一承載器導(dǎo)電層可包括由銅或包括銅的合金形成的金屬箔。金屬箔可具有介于約10 μ m至約30 μ m的范圍內(nèi)的厚度，例如是在約15 μ m至約25 μ m的范圍內(nèi)。承載器1100具有依上表面1102及下表面1104。導(dǎo)電層1103 (導(dǎo)電薄片1103) 配置鄰近于上表面1102，且導(dǎo)電層1105(導(dǎo)電薄片1105)配置鄰近于下表面1104。每一導(dǎo)電層1103及導(dǎo)電層1105可由金屬、金屬合金、其中分散有金屬或金屬合金的基質(zhì)，或另一適宜的導(dǎo)電材料形成。舉例而言，導(dǎo)電層1103及1105可包括由銅或包括銅的合金形成的可撕除的(releasable)金屬箔。導(dǎo)電層1103及1105可通過離型層(未圖示)附接至承載器1100。在實施例中，離型層是可為有機(jī)或無機(jī)的粘合層(adhesive layer)，例如膠帶 (tape)。此膠帶(其可實施為單側(cè)或雙側(cè)粘合膠帶)以相對于彼此的適當(dāng)間隔緊固組件， 且允許對于配置鄰近于承載器1100的組件實行后續(xù)制造操作。每一導(dǎo)電層1103及導(dǎo)電層 1105可具有介于約2 μ m至約20 μ m的范圍內(nèi)的厚度，例如在約3 μ m至約5 μ m、約3 μ m至約ΙΟμπκ約10 μ m至約20 μ m以及約15 μ m至約20 μ m的范圍內(nèi)。接著，請參考圖11B，在實施例中，阻障層1162可選擇性地配置鄰近導(dǎo)電層110，因此導(dǎo)電層1103位于承載器1100與阻障層1162之間。同樣地，阻障層1164可選擇性地配置鄰近導(dǎo)電層1105，因此導(dǎo)電層1105位于承載器1100與阻障層1164之間。阻障層1162 與阻障層1164可視為蝕刻終止層。每一阻障層可由金屬、金屬合金、其中分散有金屬或金屬合金的基質(zhì)，或另一適宜的導(dǎo)電材料所形成。舉例來說，每一阻障層可由鉭、鎢、鉻、鎳、 金、錫、引線與/或包括至少上述一種的適當(dāng)合金。于實施例中，阻障層可包括鎳層與鄰近的金層、或金層與鄰近的鎳層。于其他實施例中，阻障層可由錫引線合金與/或錫銀合金所形成。每一阻障層的形成方法包括濺鍍工藝、浸沒法、電鍍法與/或已知適當(dāng)?shù)姆椒?。這些實施例中所利用的阻障層1162與阻障層1164會一直存在至于圖IlX中被移除，請參考下述說明。接著，請參考圖11C，光致抗蝕劑材料(photoresist material)可形成鄰近于導(dǎo)電層1103及1105?；蛘撸庵驴刮g劑材料可形成鄰近于阻障層1162及1164(請參考圖 11B)。光致抗蝕劑材料可為干膜光致抗蝕劑(dry filmphotoresist)，或另一類型的可圖案化層或介電層。光致抗蝕劑層1106及1108可通過涂覆、印刷或任何其他適當(dāng)技術(shù)所形成。光致抗蝕劑層1106及1108的預(yù)定或選定部分可經(jīng)光成像及顯影以便形成開口，包括暴露出介電層1103的開口 1107a、1107b及暴露出介電層1105的開口 1109a、1109b?？墒褂霉庋谀?photomask)(未繪示)以光化學(xué)方式界定光致抗蝕劑層1106及1108。光成像 (Photoimaging)或顯影與用于在光致抗蝕劑層1106及1108中形成開口的其他方法相比可具有較低成本及縮短的工藝時間的優(yōu)點。所得開口可具有若干形狀中的任一者，包括圓柱形狀，例如圓形圓柱形狀、橢圓形圓柱形狀、正方形圓柱形狀，或矩形圓柱形狀；或者非圓柱形狀，諸如錐形、漏斗形或另一漸縮形狀。亦預(yù)期所得開口的橫向邊界可彎曲或大致紋理化 (textured)。接著，請參考圖11D，將導(dǎo)電材料應(yīng)用于開口中，包括由光致抗蝕劑層1106所定義的開口 1107a、1107b及由光致抗蝕劑層1108所定義的開口 1109a、1109b，以形成從導(dǎo)電層1103垂直延伸的導(dǎo)電塊1110及從導(dǎo)電層1105垂直延伸的導(dǎo)電塊1111?；蛘撸瑢?dǎo)電塊 1110可從阻障層1162(請參考圖11B)垂直延伸，以及導(dǎo)電塊1111可從阻障層1164(請參考圖11B)垂直延伸。導(dǎo)電塊1110及1111可由金屬、金屬合金、其中分散有金屬或金屬合金的基質(zhì)，或其他適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料形成。舉例而言，導(dǎo)電塊1110及1111可包括銅或包括銅的合金之一或多層?？墒褂萌舾赏扛布夹g(shù)中的任一者形成導(dǎo)電塊1110及1111，例如化學(xué)氣相沉積(chemical vapor d印osition)、無電電鍍(electroless plating)、電解電鍍 (electrolytic plating)、￡口屈1」、方寵涂(spinning)、噴涂(spraying) >SilJl (sputtering)或真空沉禾只(vacuum deposition)。接著，請參考圖11E，可形成至少一阻障層1166與1168來替代先前圖IlB所描述的阻障層1162與/或1164。阻障層1166與1168視為蝕刻終止層?？尚纬蓪?dǎo)電塊1100的第一部分1110a。阻障層1166可透過濺鍍法、浸沒法、電鍍法與/或已知適當(dāng)?shù)姆椒ㄅ渲绵徑谝徊糠?110a。導(dǎo)電塊1110的第二部分IllOb可形成鄰近阻障層1166，因此阻障層 1166可位于第一部分IllOa與第二部分IllOb之間。阻障層1168可以類似方式形成于導(dǎo)電塊1111的第一部分Illla與第二部分Illlb之間。阻障層1166與1168的形成材料可與阻障層1162與1164的形成材料相似，請參考上述圖IlB的說明。接著，請參考圖11F，剝離光致抗蝕劑層1106及1108以暴露導(dǎo)電層1103及1105。 接著，提供層1112。于實施例中，層1112可預(yù)先形成設(shè)置多個第一開口 1112a，以及這些第一開口 111 的多個部分分別對應(yīng)這些導(dǎo)電塊1110所在的位置。可提供具有對應(yīng)導(dǎo)電塊1111所在位置的開口的相似層1114(請參考圖11G)。于實施例中，層1112包括纖維加強(qiáng)型樹脂材料(fiber-reinforcedresin material)，例如是膠材，包括玻纖1190，來加強(qiáng)層1112。如圖IlF所示，玻纖1190最初是沿著層1112的水平平面配置。當(dāng)這些第一開口 1112a，請參考圖11F，部分延伸穿過層1112。預(yù)期的其他實施例中，這些第一開口 111 亦可完全延伸穿過層1112。接著，請參考圖11G，層1112形成鄰近于導(dǎo)電塊1110及導(dǎo)電層1103的被暴露的部分。于實施例中，層1112對應(yīng)且包括介電層218，請參考圖2。類似地，層1114形成鄰近于導(dǎo)電塊1111及導(dǎo)電層1105被暴露出的部分。層1112及1114實質(zhì)上分別覆蓋導(dǎo)電層1103及1105，使得導(dǎo)電層1103及1105分別內(nèi)嵌于層1112及1114中。在實施例中，層 1112可通過將介電材料層壓于導(dǎo)電塊1110的每一者的上表面1120上以及導(dǎo)電層1103的暴露部分上而形成。類似地，層1114可通過將介電材料層壓于導(dǎo)電塊1111的每一者的上表面1121(針對制造操作而顛倒)上以及導(dǎo)電層1105的暴露部分上而形成。于實施例中， 在層1112與1114堆疊后玻纖1190被定向，隨著鄰近沿著導(dǎo)電塊1110與1111的垂直延伸方向延伸的導(dǎo)電塊1110與1111的部分，且分別遠(yuǎn)離導(dǎo)電層1103與1105。經(jīng)層壓的介電材料可由纖維加強(qiáng)型樹脂材料及/或預(yù)浸體(pr印reg，PP)制成以增加剛性。纖維可為玻璃纖維或克維拉纖維(Kevlar fibers)(酰胺纖維)。經(jīng)層壓的介電材料可由用纖維加強(qiáng)的膜形成?？捎衫w維加強(qiáng)以用于經(jīng)層壓的介電材料中的樹脂材料的實例包括Ajinomoto增層膜(AjinomotobuiId-up film, ABF)、雙馬來酰亞胺三嗪 (bismaleimide triazine, BT)、聚酰亞胺(polyimide, PI)、液晶聚合物(liquid crystal polymer, LCP)、環(huán)氧樹脂，及其他樹脂材料。樹脂材料可部分固化。在實施例中，經(jīng)層壓的介電材料經(jīng)預(yù)成型以在對應(yīng)于導(dǎo)電塊1110或?qū)щ妷K1111的位置處界定開口?；蛘撸瑢?112及1114可由未加強(qiáng)的較不具剛性的材料形成，諸如焊料掩模(阻焊劑)、包括(但不限于)味之素(Ajinomoto)增層膜(ABF)、雙馬來酰亞胺三嗪(BT)、聚酰亞胺(PI)、液晶聚合物(LCP)及環(huán)氧樹脂的樹脂材料，或另一類型的可圖案化層或介電層。 可使用若干涂覆技術(shù)中的任一者施加此材料，諸如印刷、旋涂或噴涂。層1112及1114接著分別由導(dǎo)電層1116及1117覆蓋。導(dǎo)電層1116及1117可由與用于形成導(dǎo)電層1103及1105的材料類似的材料形成。導(dǎo)電層1116及1117中的每一者可具有介于約10 μ m至約20 μ m的范圍內(nèi)的厚度，例如在約10 μ m至約15 μ m的范圍內(nèi)。接著，請參考圖11H，例如通過閃蝕(flash etching)移除每一導(dǎo)電層1116及1117 的一部分，以形成導(dǎo)電層1122及1123。每一導(dǎo)電層1122及1123可具有介于約3μπι至約 ΙΟμπι的范圍內(nèi)的厚度，例如在約3μπι至約7μπι的范圍內(nèi)。接著，請參考圖111，在導(dǎo)電層1122中形成暴露層1112的開口 IlMa及1124b以形成導(dǎo)電層1128。類似地，在導(dǎo)電層1123中形成暴露層1114的開口及l(fā)U6b以形成導(dǎo)電層11四。預(yù)期的開口 11 及1126可分別具有小于導(dǎo)電塊1110及1111的寬度?；蛘?，開口 IlM及11 可分別具有實質(zhì)上相等于導(dǎo)電塊1110及1111的寬度。于實施例中， 可圖案化導(dǎo)電層11 及11 的部分(未繪示)已形成至少一接地層1250(請參考圖12 及13)的一部分?？梢匀舾煞绞街械娜我徽邔嵭袌D案化以形成層11 及11 ，諸如化學(xué)蝕刻、激光鉆孔或機(jī)械鉆孔，且所得開口可具有若干形狀中的任一者，諸如圓柱形狀，諸如圓形圓柱形狀、橢圓形圓柱形狀、正方形圓柱形狀，或矩形圓柱形狀；或者非圓柱形狀，諸如錐形、漏斗形或另一漸縮形狀。亦預(yù)期所得開口的橫向邊界可彎曲或大致紋理化。接著，請參考圖11H，在層1112中形成暴露導(dǎo)電塊1110的開口 1130a及1130b以形成層1134。類似地，在層1114中形成暴露導(dǎo)電塊1111的開口 113 及1132b以形成層 1136。預(yù)期的開口 1130及1132可分別對應(yīng)開口 IlM及11 的尺寸(請參考圖111)。于實施例中，可圖案化層1112及1114的多個部分，以暴露出位于接地層1250(請參考圖12及 13)下方的導(dǎo)電塊?？梢匀舾煞绞街械娜我徽邔嵭袌D案化以形成層1134及1136，諸如激光鉆孔、等離子體蝕刻或等離子體清洗，且所得開口可具有若干形狀中的任一者，諸如圓柱形狀，諸如圓形圓柱形狀、橢圓形圓柱形狀、正方形圓柱形狀，或矩形圓柱形狀；或者非圓柱形狀，諸如錐形、漏斗形或另一漸縮形狀。亦預(yù)期所得開口的橫向邊界可彎曲或大致紋理化。 在實施例中，開口 1130及1132中之一或多者(諸如圖IlJ中的開口 1130b及1132b)可實質(zhì)上分別相對于導(dǎo)電塊1110及1111中的對應(yīng)者而居中。替代地或另外，開口 1130及1132 中之一或多者(諸如圖IlJ中的開口 1130a及1132a)可實質(zhì)上分別相對于導(dǎo)電塊1110及 1111中的對應(yīng)者而偏離中心。接著，請參考圖11K，金屬材料配置鄰近導(dǎo)電層11 及導(dǎo)電塊1110以形成種子層 1180。相似種子層1181配置鄰近導(dǎo)電層11 與導(dǎo)電塊1111。于實施例中，種子層1180可實質(zhì)上填充于開口 11130，因此種子層1180的部分形成導(dǎo)電禿塊，例如是圖2的導(dǎo)電凸塊222a及222b。相似地，種子層1181可實質(zhì)上填充于開口 1132，因此種子層1181的多個部分形成導(dǎo)電凸塊，例如是導(dǎo)電凸塊1137a及1137b。(對應(yīng)于單獨半導(dǎo)體封裝的類似導(dǎo)電凸塊1137a及1137b繪示于承載器1100的相對側(cè)上。)或者，種子層1180可部分填充于開口 1130，因此種子層1180的多個部分形成圖2的導(dǎo)電凸塊22 及222b的第一部分。種子層1181可部分填充于開口 1132內(nèi)，因此種子層1181的多個部分形成導(dǎo)電凸塊1137a及 1137b的第一部分。于實施例中，導(dǎo)電凸塊(未繪示)可形成于接地層1250(請參考圖12 及13)與位于接地層1250下方的導(dǎo)電塊之間。金屬材料可具有與用于形成導(dǎo)電塊1110及 1111的材料類似的特性，例如銅或銅合金。種子層1180及1181可使用若干涂覆技術(shù)中的任一者而形成，例如是無電電鍍。在實施例中，導(dǎo)電凸塊22 相對于導(dǎo)電塊1110的偏離中心的定位對應(yīng)于圖2所示的第二接觸墊230a相對于導(dǎo)電凸塊22 的橫向位移。導(dǎo)電凸塊222b相對于導(dǎo)電塊1111 的居中定位對應(yīng)于圖2所示的導(dǎo)電凸塊222b相對于第二接觸墊230b的居中定位。接著，請參考圖11L，分別形成鄰近種子層1180及1181的光致抗蝕劑層1138及 1139。光致抗蝕劑層1138及1139的預(yù)定或選定部分可經(jīng)光成像及顯影以便分別形成開口 1140及1141。開口 1140暴露種子層1180，且開口 1141暴露種子層1181。光致抗蝕劑層1138及1139(以及開口 1140及1141)具有與參看圖IlC描述的光致抗蝕劑層1106及 1108(以及開口 1107及1109)類似的特性及類似的形成方式。接著，請參考圖11M，金屬材料配置鄰近于種子層1180及1181未被光致抗蝕劑層 1138及1139所覆蓋的部分，以形成導(dǎo)電層1142及1144。于實施例中，導(dǎo)電層1142及1144 分別鄰近導(dǎo)電凸塊222及1137?；蛘撸瑢?dǎo)電層1142及1144的部分可分別形成導(dǎo)電凸塊 222及1137的第二部分。導(dǎo)電凸塊222及1137的第二部分鄰近先前圖IlK所述的導(dǎo)電凸塊222及1137的第一部分。金屬材料可具有與用于形成導(dǎo)電塊1110及1111的材料類似的特性，例如銅或銅合金。導(dǎo)電凸塊222及1137以及導(dǎo)電層1142及1144可使用若干涂覆技術(shù)中的任一者而形成，例如電解電鍍。接著，請參考圖11N，剝離光致抗蝕劑層1138及1139以暴露種子層1180及1181 的額外部分。在實施例中，額外光致抗蝕劑可配置成鄰近于導(dǎo)電層1142，其中光致抗蝕劑定義對應(yīng)于圖7的封裝700中的開口 711的位置的開口。導(dǎo)電層1142的一部分可經(jīng)移除以形成開口 711。另外，每一導(dǎo)電凸塊222的一部分可經(jīng)移除以形成凹槽723(請參考圖7)。導(dǎo)電層1142的此等部分的移除可經(jīng)由化學(xué)蝕刻、激光鉆孔或機(jī)械鉆孔進(jìn)行。開口 711及凹槽 723(請參考圖7)具有與先前針對開口 IlM及1126(見圖111)描述的特性類似的特性。 接著，可移除額外光致抗蝕劑以暴露導(dǎo)電層1142'，如圖110所示。接著，請參考圖1IP至圖1IY遵循圖11N，但本領(lǐng)域一般技術(shù)人員將了解，類似步驟可遵循圖110。接著，請參考圖11P，移除每一導(dǎo)電層11 及1129的一部分以及種子層1180及 1181的一部分，例如是透過快速蝕刻(flash etching)，以形成相似于圖2的圖案化導(dǎo)電層 210的圖案化導(dǎo)電層。圖案化導(dǎo)電層210包括種子層1180的部分118 及1182b，圖案化導(dǎo)電層210配置鄰近導(dǎo)電凸塊222。(對應(yīng)于單獨半導(dǎo)體封裝的類似圖案化導(dǎo)電層1146繪示于承載器1100的相對側(cè)上。)于實施例中，相似于圖2的圖案化導(dǎo)電層的圖案化導(dǎo)電層可包括接地層1250 (請參考圖12及13)。接著，請參考圖11Q，形成介電層1148及1149以分別覆蓋圖案化導(dǎo)電層210及 1146的部分。介電層1148暴露圖案化導(dǎo)電層210的包括第二接觸墊226的一部分。介電層1148及1149可由阻焊劑(焊料掩模)或另一類型的介電材料形成。接著，請參考圖11R，圖案化導(dǎo)電層210及1146剩余的部分分別未被介電層1148 及1149所覆蓋，但可被類似圖2的電鍍層227的電鍍層所覆蓋。(對應(yīng)于單獨半導(dǎo)體封裝的類似電鍍層1150繪示于承載器1100的相對側(cè)上。)電鍍層227及1150可由錫、鎳及金或者包括錫或包括鎳及金的合金中的至少一者形成。接著，請參考圖11S，移除承載器1100以暴露基板1152的導(dǎo)電層1103。(另一基板的導(dǎo)電層1105亦通過移除承載器1100而暴露。此在圖IlS中未繪示。)基板1152包括多個鄰近基板單元，其例如類似于(但不限于)圖1的基板單元104或圖2的基板單元 204。如圖IA所述，導(dǎo)電層1103可具有介于15 μ m至20 μ m的厚度1172。導(dǎo)電層1103 可透過化學(xué)蝕刻來將導(dǎo)電層1103的厚度1172減少至介于3 μ m至10 μ m的范圍內(nèi)，例如是從3μπι至8μπι。蝕刻導(dǎo)電層1103的原因在于介于3μπι至8μπι的厚度可有效減少基板 1152的翹曲，且可增加利用基板1152制作封裝的可靠度。導(dǎo)電層1103的厚度大于或小于此范圍可導(dǎo)致基板1152的翹曲。接著，請參考圖11Τ，在實施例中，支撐件1170可隨意地配置鄰近導(dǎo)電層1103，因此導(dǎo)電層1103位于導(dǎo)電塊1110與支撐件1170之間。在基板1152的制作期間及組裝包括基板1152(請參考圖IlW至11Y)封裝時，貼附支撐件1170至基板1152亦可有效降低基板 1152的翹曲，進(jìn)而可增加利用機(jī)基板1152制作封裝的可靠度。于實施例中，支撐件可由聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、金屬、環(huán)氧樹脂、雙層銅箔疊層與 /或已知適當(dāng)?shù)牟牧?。接著，請參考圖11U，先前圖IlB所述的阻障層1162可選擇性地配置于導(dǎo)電塊 1110與導(dǎo)電層1103之間。接著，請參考圖11V，先前圖IlE所述的阻障層1166可選擇性地配置于導(dǎo)電塊 1110的第一部分IllOa與第二部分IllOb之間。接著，請參考圖11W，一或多個管芯102電連接至基板1152且電連接至導(dǎo)電層 1103。管芯102可經(jīng)由焊線136電連接至導(dǎo)電層1103?；蛘?，管芯(如圖3、5、8及10所示的管芯30 可經(jīng)由倒裝接合電連接至導(dǎo)電層1103。管芯102可通過管芯粘著層140附接至基板1152。形成模制結(jié)構(gòu)IlM以包覆管芯102。于實施例中，選擇性的支撐元件1170(請參考圖11T)可移除以暴露出導(dǎo)電層1103。然后，請參考圖11X，可例如經(jīng)由化學(xué)蝕刻及/或快速蝕刻來移除導(dǎo)電層1103，以暴露介電層1156。在移除導(dǎo)電層1103之后，可例如經(jīng)由化學(xué)蝕刻移除導(dǎo)電塊1110(見圖 11E)的一部分，以形成圖2的第二接觸墊230及線路M9。有利的是，介電層1156及導(dǎo)電塊1110的表面可由導(dǎo)電層1103保護(hù)以防止暴露于環(huán)境條件?？尚枰ㄟ^在附接并包覆管芯102之后移除導(dǎo)電層1103來延長此保護(hù)的持續(xù)時間。在實施例中，在圖IlB所述的阻障層1162與/或圖IlE所述的阻障層1166可視為保護(hù)罩，用以避免過渡蝕刻導(dǎo)電塊1110，因此第二接觸墊230與線路249具有至少最小所需的厚度。于另一實施例中，在蝕刻導(dǎo)電層1103之后，阻障層1162與/或阻障層1166可利用移除阻障層1162與/或阻障層1166而無損害第二接觸墊230、線路249及介電層1156的蝕刻液來進(jìn)行選擇的化學(xué)蝕刻。最后，請參考圖11Y，包括圖2的介電層2 的介電層可經(jīng)形成并圖案化，使得介電層2 暴露第二接觸墊230?？山又靥摼€1158及1160進(jìn)行單體化步驟，以獲得多個各自獨立的半導(dǎo)體封裝，例如圖2的半導(dǎo)體封裝200。諸如圖1所示的電性接點133的電性接點可在單體化之前或之后配置在第二接觸墊230上。本領(lǐng)域一般技術(shù)人員應(yīng)了解圖1的圖案化導(dǎo)電層110與導(dǎo)電凸塊122、圖2的圖案化導(dǎo)電層210及導(dǎo)電凸塊222以及于圖3-10封裝中的對應(yīng)結(jié)構(gòu)可包括種子層的部分，例如是包括于圖IlY中所描述的封裝結(jié)構(gòu)的種子層1180。圖12為本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝1200的剖面示意圖。半導(dǎo)體封裝1200 類似于圖1描述的半導(dǎo)體封裝100，不同之處在于半導(dǎo)體封裝1200包括接地層1250，其配置于介電層1 與介電層118之間。接地層1250包括且是由與圖案化導(dǎo)電層1240相同材料所構(gòu)成，例如同圖1的圖案化導(dǎo)電層110的形成。接地層1250可作為雙重散熱目的且可提供管芯102電性連接至接地。管芯102可透過焊線136電性連接至接地層1250。接地層 1250透過導(dǎo)電凸塊122電性連接外部電性接點133。封裝1200的熱可透過外部電性接點 133來分散，例如是，位于印刷電路板之下。一或多個外部電性接點133可提供電連接至接地。或者，外部接點133可僅視為散熱功效。本領(lǐng)域一般技術(shù)人員將了解，引線實施例的封裝亦可支援具有類似的結(jié)構(gòu)。圖13為圖12的半導(dǎo)體封裝1200的俯視示意圖。此俯視示意圖呈現(xiàn)接地層1250的結(jié)構(gòu)。于實施例中，接地層1250為網(wǎng)狀形狀，其定義出多個二維格子圖案的開口，請參考圖 13。這些開口可實質(zhì)上具有相同尺寸，且可實質(zhì)上具有均勻的間距，請參考圖13?；蛘呤?， 開口可具有不同的尺寸且可具有均勻的間距(舉例來說，在實施例中，有些開口較大，而有些開口較小)。網(wǎng)狀圖案的接地層1250可相較于其他圖案的接地層1250于介電層124(如防焊層)與接地層1250之間的介面提供優(yōu)選的可靠度。或者，接地層1250可為無空隙平面、環(huán)狀圖案或/與條狀圖案。環(huán)狀圖案可包括單一環(huán)，或可包括多個環(huán)，其具有多個開口于各種環(huán)之間。多個環(huán)可為不同尺寸的同心環(huán)， 且環(huán)可實質(zhì)上為圓。條狀圖案可包括多個從接地層1250的第一側(cè)邊延伸至接地層1250的第二側(cè)邊的條狀物，且具有多個介于條狀物之間的開口。條狀物可實質(zhì)上平行。條狀物可實質(zhì)上具有相同的長度，或可具有不同的長度。雖然圖1至圖13繪示封裝包括單側(cè)基板與內(nèi)埋于單側(cè)基板內(nèi)的電性導(dǎo)電凸塊，預(yù)期的半導(dǎo)體封裝的基板，一般地，可包括多個介電層，每一介電層包括具有多個導(dǎo)電凸塊的內(nèi)埋組(或，特別是，電性導(dǎo)電孔)。包括多個介電層的基板可以被期望，舉例來說，在具有相對復(fù)雜電路的封裝內(nèi)可考慮到線路的靈活性。當(dāng)控制封裝工藝的成本與復(fù)雜度時，電性導(dǎo)電凸塊可以被利用以有效降低封裝尺寸與封裝面積。于其他實施例中，可包括多個內(nèi)埋分別電性導(dǎo)電凸塊的介電層以處理多種電性分布以增加結(jié)構(gòu)強(qiáng)度與結(jié)構(gòu)的可靠度。雖然已參考本發(fā)明的特定實施例描述本發(fā)明，但本領(lǐng)域一般技術(shù)人員應(yīng)了解，在不偏離如權(quán)利要求界定的本發(fā)明的真實精神及范疇的情況下，可作出各種變化且可替換各種等同物。另外，可作出許多修改以使特定情形、材料、物質(zhì)組份、方法或工藝適于本發(fā)明的目的、精神及范疇。所有此類修改意欲在附于此的權(quán)利要求的范疇內(nèi)。特定而言，雖然已參考以特定次序執(zhí)行的特定操作描述本文披露的方法，但將了解，在不偏離本發(fā)明的教示的情況下，此等操作可組合、細(xì)分或重新定序以形成等同方法。因此，除非本文明確指示，否則操作的次序及分組不是對本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝，包括 基板單元，包括第一圖案化導(dǎo)電層，具有上表面；第一介電層，配置于該第一圖案化導(dǎo)電層的該上表面，該第一介電層暴露出該第一圖案化導(dǎo)電層的一部分以形成多個第一接觸墊；第二圖案化導(dǎo)電層，位于該第一圖案化導(dǎo)電層的下方且具有下表面； 第二介電層，位于該第一圖案化導(dǎo)電層與該第二圖案化導(dǎo)電層之間，其中該第二介電層定義出多個從該第一圖案化導(dǎo)電層延伸至該第二圖案化導(dǎo)電層的開口，以及該第二圖案化導(dǎo)電層包括多個被該第二介電層所暴露出的第二接觸墊；以及多個導(dǎo)電凸塊，每一導(dǎo)電凸塊經(jīng)由位于該第二介電層中的對應(yīng)的一個開口從該第一圖案化導(dǎo)電層延伸至對應(yīng)的一個第二接觸墊，每一導(dǎo)電凸塊填充于位于該第二介電層中的對應(yīng)的一個開口內(nèi)，其中至少一個導(dǎo)電塊定義出凹槽； 管芯，電性連接該多個第一接觸墊；以及封裝主體，覆蓋該第一圖案化導(dǎo)電層與該管芯。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中每一導(dǎo)電凸塊具有擁有第一面積的上表面以及擁有第二面積的下表面；以及每一第二接觸墊具有擁有第三面積的上表面；其中該第一面積大于該第二面積，且該第三面積大于該第二面積。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中 該第二介電層具有下表面；以及該第二圖案化導(dǎo)電層的該下表面凹入于該第二介電層的該下表面。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第一圖案化導(dǎo)電層包括接地層，該接地層位于該第一介電層與該第二介電層之間； 經(jīng)由該第二電層所定義出的至少一個開口從該接地層延伸至第二圖案化導(dǎo)電層；以及至少一個導(dǎo)電凸塊經(jīng)由該第二介電層中的至少一個開口從該接地層延伸到至少一個第二接觸墊。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝，其中該接地層包括網(wǎng)狀部。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝，其中該管芯透過該接地層與至少一個導(dǎo)電凸塊而電性連接至至少一個第二接觸墊，以提供該管芯電連接至接地，以促進(jìn)該半導(dǎo)體封裝的散熱。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中該管芯倒裝接合于該多個第一接觸墊。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝，其中該管芯透過多個延伸穿過該第一介電層的熔融導(dǎo)電凸塊而電性連接至該多個第一接觸墊。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝，其中該管芯透過多個熔融導(dǎo)電凸塊而電性連接至該多個第一接觸墊，其中至少一個熔融導(dǎo)電凸塊的一部分填充于該凹槽內(nèi)。
10.一種基板的制作方法，包括提供承載器，具有上表面以及下表面，且鄰近該承載器的該上面上已形成有第一金屬層；形成多個從該第一金屬層垂直延伸的第一導(dǎo)電塊，每一第一導(dǎo)電塊具有上表面； 形成定義出多個開口的第一介電層，每一第一開口暴露出至少一個對應(yīng)的第一導(dǎo)電塊的該上表面的一部分；形成多個第一導(dǎo)電凸塊以及第一圖案化導(dǎo)電層，每一第一導(dǎo)電凸塊從對應(yīng)的一個第一導(dǎo)電塊延伸至該第一圖案化導(dǎo)電層，并填充于對應(yīng)的一個第一開口內(nèi)；以及移除該承載器，以暴露出該第一金屬層。
11.如權(quán)利要求10所述的基板的制作方法，還包括在移除該承載器之后，移除該第一金屬層的一部分。
12.如權(quán)利要求10所述的基板的制作方法，其中該第一金屬層包括金屬箔以及鄰近該金屬箔的阻障層，該多個第一導(dǎo)電塊垂直延伸至該阻障層。
13.如權(quán)利要求10所述的基板的制作方法，其中第二金屬層形成于鄰近該承載器的該下表面，且還包括形成多個從該第二金屬層垂直延伸的第二導(dǎo)電塊，每一第二導(dǎo)電塊具有下表面； 形成定義出多個第二開口的第二介電層，每一第二開口暴露出對應(yīng)的一個第二導(dǎo)電塊的該下表面的一部分；形成多個第二導(dǎo)電凸塊以及第二圖案化導(dǎo)電層，每一第二導(dǎo)電凸塊從對應(yīng)的一個第二導(dǎo)電塊延伸至該第二圖案化導(dǎo)電層，并填充于對應(yīng)的一個第二開口內(nèi)；以及移除該承載器，以暴露出該第二金屬層。
14.如權(quán)利要求10所述的基板的制作方法，還包括移除該多個第一導(dǎo)電塊的一部分以形成用以外部進(jìn)行電連接的多個接觸墊。
15.如權(quán)利要求10所述的基板的制作方法，其中形成該第一介電層包括配置覆蓋該第一金屬層及該多個第一導(dǎo)電塊的介電層，其中該介電層位于第二金屬層與該多個第一導(dǎo)電塊之間；圖案化該第二金屬層以暴露出該介電層的多個部分；以及移除該介電層被暴露出的該多個部分，以形成該多個第一開口。
16.一種半導(dǎo)體封裝的制作方法，包括 提供基板，包括金屬層；多個導(dǎo)電塊，形成鄰近于金屬層，每一導(dǎo)電塊具有上表面；介電層，定義出多個開口，每一開口暴露出對應(yīng)的一個導(dǎo)電塊的該上表面的一部分； 圖案化導(dǎo)電層；以及多個導(dǎo)電凸塊，每一導(dǎo)電凸塊從對應(yīng)的一個導(dǎo)電塊延伸至該圖案化導(dǎo)電層，并填充于對應(yīng)的一個開口內(nèi)；電性連接管芯至該圖案化導(dǎo)電層； 形成封裝主體，覆蓋該介電層與該管芯；以及移除該金屬層以暴露出該多個導(dǎo)電塊。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝的制作方法，其中該金屬層包括 金屬箔；以及阻障層，鄰近該金屬箔且位于該金屬箔與該多個導(dǎo)電塊之間。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體封裝的制作方法，其中移除該金屬層包括 移除該金屬箔以暴露出該阻障層；以及移除該阻障層以暴露出該多個導(dǎo)電塊。
19.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝的制作方法，其中提供該基板包括提供具有上表面與下表面的承載器，且該金屬層形成鄰近于該承載器的該上表面； 形成該多個導(dǎo)電塊從該金屬層的上表面垂直延伸，每一導(dǎo)電塊具有上表面； 形成該介電層，該介電層定義出該多個開口，每一開口暴露出對應(yīng)的一個導(dǎo)電塊的該上表面的一部分；形成該多個導(dǎo)電凸塊與該圖案化導(dǎo)電層，每一導(dǎo)電凸塊從對應(yīng)的一個導(dǎo)電塊的該上表面延伸至該圖案化導(dǎo)電層，并填充于對應(yīng)的一個開口內(nèi)；以及移除該承載器，以完全暴露出該金屬層的下表面。
20.如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體封裝的制作方法，其中形成該圖案化導(dǎo)電層包括 形成鄰近該多個導(dǎo)電塊的第一導(dǎo)電層；形成鄰近第一導(dǎo)電層的圖案化干膜； 形成鄰近該第一導(dǎo)電層的第二導(dǎo)電層；形成延伸穿過至少該第二導(dǎo)電層的凹槽，該凹槽與對應(yīng)的一個導(dǎo)電塊相連接；以及配置于該圖案化導(dǎo)電層的該介電層，該介電層的一部分填充于該凹槽內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體封裝及其制造方法，該半導(dǎo)體封裝包括基板單元、電性連接至多個第一接觸墊的管芯以及覆蓋第一圖案化導(dǎo)電層與管芯的封裝主體?；鍐卧?1)第一圖案化導(dǎo)電層；(2)暴露出第一圖案化導(dǎo)電層的一部分以形成第一接觸墊的第一介電層；(3)第二圖案化導(dǎo)電層；(4)定義出多個從第一圖案化導(dǎo)電層延伸至第二圖案化導(dǎo)電層的開口的第二介電層，其中第二圖案化導(dǎo)電層包括多個被第二介電層所暴露出的第二接觸墊；(5)多個從第一圖案化導(dǎo)電層延伸至穿過開口的第二接觸墊的導(dǎo)電凸塊，每一導(dǎo)電凸塊填充一個對應(yīng)的開口。至少其中的一個導(dǎo)電凸塊定義出凹穴。
文檔編號H01L23/495GK102157476SQ20111005061
公開日2011年8月17日 申請日期2011年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月4日
發(fā)明者李明錦, 蘇洹漳, 謝佳雄, 謝寶明, 陳光雄, 陳嘉成, 陳姿慧, 黃士輔 申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司