專利名稱：半導體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
平板印刷技術(shù)中的微細化正在向曝光波長短波化、及增大曝光裝置的成像光學系統(tǒng)的孔徑(NA值)的方向發(fā)展。具體地，將曝光波長短波化為I線(波長365nm)、KrF受激準分子激光(波長M8nm)和ArF受激準分子激光(波長193nm)。另外，NA值也逐漸變大， 成為0. 9左右的值，通過進一步在投影透鏡和基板之間灌滿水進行液浸化，能夠?qū)崿F(xiàn)1以上的NA值。與此相對，在尖端領(lǐng)域裝置中半導體器件所使用的最小間距圖案尺寸也形成 hp (半間距)65nm — hp45nm — hp32nm的越來越微細化的發(fā)展線路。在此，作為轉(zhuǎn)印hp32nm 圖案的量產(chǎn)工具重點考慮EUV曝光、ArF液浸曝光這2種。不過，從器件開發(fā)日程的角度考慮，發(fā)現(xiàn)EUV曝光直到量產(chǎn)開始時期之前，對應(yīng)于量產(chǎn)的裝置趕不上器件開發(fā)的日程，因此正研究延長ArF液浸曝光的使用期來進行應(yīng)用。但是，考慮到使用水(折射率1.43)作為液浸液的最大NA值的界限為1. 3 1. 35，此NA值的可轉(zhuǎn)印的最小間距理論界限值為KlX 波長/NA = 0. 25X 193/1. 35 = 35. 7，不能轉(zhuǎn)印 hp32nm 圖案。另外，相對于現(xiàn)有的SOC工藝中，kl因子換算(在此kl是工藝因子)為0.35以上的工藝條件下形成最小間距位置圖案的情況，對正在研究的應(yīng)用于hp32nm節(jié)點SOC布線層等中的最小圖案間距90nm圖案來說，根據(jù)可應(yīng)用曝光裝置的關(guān)系，若kl = 0. 3左右時， 就在接近理論界限值kl = 0. 25的工藝條件下進行圖案形成，在kl = 0. 3左右的工藝條件下構(gòu)筑如邏輯布線圖案這樣的任意形狀圖案的操作非常困難。由于這種情況，作為32nm節(jié)點SOC對應(yīng)的平板印刷技術(shù)，正在研究ArF液浸曝光 +兩次構(gòu)圖技術(shù)。即，為了在kl = 0.35左右的工藝條件下形成圖案，正在研究為了緩和轉(zhuǎn)印到基板上的所希望的電路圖案的圖案間距而分解為多條掩模圖案、并對所分解的掩模圖案進行多重曝光或進行多重加工的圖案轉(zhuǎn)印方法。具體地，考慮以SOC的布線圖案等的任意形狀圖案配置作為前提時，在分辨率的公式⑶=kl X曝光波長/NA (在此⑶為分辨率、NA為孔徑)中kl > 0. 35的情況下，圖案配置間距為⑶X2以上，即使不分割圖案也可以通過一次曝光來轉(zhuǎn)印，但在kl < 0. 35的情況下，通過一次曝光來轉(zhuǎn)印圖案配置間距為⑶X2以上的圖案變得更困難，因此有分割掩模圖案以便緩和圖案的配置間距的方法。另外，兩次構(gòu)圖法的圖案分割方法有幾種方法，存在如上所述的在密集配置的周期性圖案中對每一個圖案進行間隔以分割為兩個掩模圖案的方法，或在密集配置形成在同一層中的2維的電路圖案的情況下，分割為χ方向成分和y方向成分的2種掩模圖案的方法。這種分割的掩模圖案可以通過多重曝光或所謂曝光一加工一曝光一加工的多重加工來形成所希望的圖案。作為此種圖案轉(zhuǎn)印方法，有將分辨界限間距以下的圖案一直緩和成可分辨的間距配置，從而分割圖案圖形的方法。例如，在ArF、NA = 1. 30的條件下，當加工比理論分辨界限值hp = 37nm更微細的32nmL/S(hp = 32nm)圖案的情況下，對行圖案每隔一行地分割為兩個掩模圖案，分別設(shè)為32nm行/USnm間距的圖案。使用此方法進行多重曝光及多重加工來形成所希望的圖案。(例如，參照下述的非專利文獻1 4)。另外，有使用電子射線曝光法的多重曝光方法，還有通過將圖案的彎曲部分作為分割邊界，并在圖案的彎曲部中的銳角部分中設(shè)計2重曝光部分，或者在鈍角部分設(shè)計非曝光部分進行修正，形成所希望的圖案的方法(例如，參照下述的專利文獻1)。[非專利文獻 1]SEMATECH Litho Forum 2006 conference proceedings[非專利文獻 2]Proceedings of SPIE 2005, vol 5754-32[非專利文獻 3]Proceedings of SPIE 2006, vol 5754-203[非專利文獻 4]Proceedings of SPIE 2006, vol 6154-37[專利文獻1]日本特開平11-135417公報在使用現(xiàn)有的兩次構(gòu)圖法的圖案轉(zhuǎn)印方法中，根據(jù)處于同一層中的圖案密度關(guān)系來判定是否進行掩模圖案分割。即，如hp32nm等的很難通過一次曝光進行轉(zhuǎn)印或者不可能轉(zhuǎn)印的圖案密度大的圖案，使用分割的掩模圖案進行多重曝光、多重加工，圖案密度小的圖案不進行分割，通過一次曝光來進行轉(zhuǎn)印。然而，作為圖案形成的特征，在通過一次曝光將形成拐角部并鄰接的2邊圖案轉(zhuǎn)印到基板上時，由于光強度的關(guān)系，會在拐角部生成圓形。例如，像MOS晶體管中的有源區(qū)域圖案和柵極圖案之間的關(guān)系那樣，在配置形成角形的拐角部的有源區(qū)域圖案、和在有源圖案的上方而且接近拐角部的柵極圖案的情況下，通過一次曝光來轉(zhuǎn)印圖案密度小的有源區(qū)域，在有源區(qū)域圖案的角處生成圓形。由于柵極圖案相對于有源區(qū)域圖案的拐角部定位， 并重合加工，因為在有源圖案的角處生成圓形，柵極圖案的位置發(fā)生偏差，所以會存在晶體管的特性發(fā)生變化的問題。作為進一步小地抑制上述的角部圓形的手法，有光鄰近效應(yīng)修正技術(shù)，但使用此方法抑制圓形是有限制的。此外，為了確保相對于此晶體管特性的偏差的富裕度，采取充分確保操作上的余量，或者采取離開足夠的距離進行布圖直到不生成特性偏差的程度布圖的措施，但這些對應(yīng)措施具有芯片特性降低、面積擴大這樣的問題。另外，在使用電子曝光法的多重曝光方法中，為了修正由鄰近效果所引起的電子劑量，必須使用復雜形狀的掩模，另外，由于沒有以硬掩模為前提，因此會在掩模配置的精度和成本上存在問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，為了解決上述問題而完成本發(fā)明，其目的在于根據(jù)不同層的圖案的密度關(guān)系來判定是否分割掩模圖案并進行多重曝光以及多重加工，從而抑制圖案拐角部的角部圓形，消除晶體管特性的變化。本發(fā)明的一個實施方式的半導體器件的制造方法中，上述半導體器件在同一層中包括形成外角的拐角部并鄰接的2邊的圖案、和密集配置的周期性圖案，該半導體器件的制造方法包括以下工序(a)用具有第1掩模圖案的第1掩模，對與包含分割上述2邊圖案的第1邊的第1分割圖案和將上述周期性圖案交錯的第1交錯圖案相對應(yīng)的區(qū)域進行曝光；(b)用具有第2掩模圖案的第2掩模，對與包含分割上述2邊圖案的第2邊的第2分割圖案、和將上述周期性圖案交錯的第2交錯圖案相對應(yīng)的區(qū)域進行曝光。根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，通過分別對第一方向的圖案邊緣和第二方向的圖案邊緣進行曝光，經(jīng)轉(zhuǎn)印、重合加工，就可以抑制圖案拐角的角部圓形。在將此曝光方法應(yīng)用到 MOS晶體管的有源區(qū)域圖案的加工中時，能夠解決由柵極圖案的位置偏差所引起的晶體管特性變化的問題，上述柵極圖案是相對于有源區(qū)域圖案的拐角部定位并重合加工而成的。


圖1是表示轉(zhuǎn)印到本發(fā)明的實施方式1的半導體器件上的圖案的圖。圖2是表示本發(fā)明的實施方式1的曝光工序的圖。圖3是表示本發(fā)明的實施方式1的曝光工序的圖。圖4是表示通過本發(fā)明的實施方式1的曝光工序所轉(zhuǎn)印的圖案的圖。圖5是表示現(xiàn)有技術(shù)的曝光工序的圖。圖6是表示現(xiàn)有技術(shù)的曝光工序的圖。圖7是表示通過現(xiàn)有技術(shù)的曝光工序所轉(zhuǎn)印的圖案的圖。圖8是表示本發(fā)明的實施方式2中的圖案轉(zhuǎn)印方法的圖。圖9是表示本發(fā)明的實施方式2中的圖案轉(zhuǎn)印方法的圖。圖10是表示本發(fā)明的實施方式2中的圖案轉(zhuǎn)印工序的圖。圖11是表示本發(fā)明的實施方式2中的圖案轉(zhuǎn)印工序的圖。圖12是表示本發(fā)明的實施方式2中的圖案轉(zhuǎn)印工序的圖。符號說明1、27有源區(qū)域圖案，la、Ua第1邊，lb、12b第2邊，2J8柵極圖案，3、5、8、10、11、 15,16掩模圖案，4、6、9、27、四、30抗蝕劑圖案，7、12、17圖案，13,14掩模，18硅基板，19氮
化硅膜，20第1硬掩模，21第2硬掩模，22,24有機抗反射膜，23、25抗蝕劑膜，沈圖案。
具體實施例方式實施方式1圖1是表示轉(zhuǎn)印到本發(fā)明的實施方式1的半導體器件的基板上的圖案的圖。下面結(jié)合

此圖案轉(zhuǎn)印方法。圖1是表示MOS晶體管的布案例子的圖，配置有包含形成90度的外角的拐角部并鄰接的第1、第2邊la、lb的有源區(qū)域圖案1，和在此有源區(qū)域圖案1的上方且接近拐角部配置的柵極圖案2。在此，在本發(fā)明的實施方式中，雖然對形成90度的外角的拐角部的 MOS晶體管的有源區(qū)域圖案進行說明，但也可以是形成小于180度的外角的拐角部的圖案。接下來，對有源區(qū)域圖案1的轉(zhuǎn)印方法進行說明。在此，現(xiàn)有的圖案轉(zhuǎn)印方法，根據(jù)處于同一層中的圖案的密集密度的關(guān)系來判定是否分割掩模圖案并進行多重曝光及多重加工。例如，將SOC等的任意形狀圖案配置作為前提進行考慮時，一般，在分辨率(⑶=klX曝光波長/NA)中kl > 0. 35的尺寸區(qū)域的圖案，構(gòu)筑通過一次曝光形成抗蝕劑圖案的工藝，對應(yīng)于kl < 0. 35的尺寸區(qū)域(最小圖案配置間距為CDX2)的圖案，由于很難通過1次曝光進行轉(zhuǎn)印，因此有時分割掩模圖案以便緩和配置的間距。然而，本實施方式的特征在于還根據(jù)不同層的圖案的密集密度的關(guān)系判定是否分割掩模圖案并進行多重曝光及多重加工。即，如本實施方式所表示的MOS晶體管那樣，當具有90度外角的拐角部的有源區(qū)域的圖案1、和相對于此有源區(qū)域圖案1的拐角部定位并進行重合加工的柵極圖案2是接近的關(guān)系的情況下，判定為分割掩模圖案并進行多重曝光及多重加工。圖2、圖3是表示為了形成有源區(qū)域圖案1，使用分割的掩模圖案的曝光工序的圖， 下面進行說明。圖2(a)是表示第1掩模的圖，第1掩模的第1掩模圖案(掩模圖案3)包含與包括分割有源區(qū)域圖案1的第1邊Ia的第1分割圖案相對應(yīng)的區(qū)域。圖3(a)是表示第2掩模的圖，第2掩模的第2掩模圖案(掩模圖案5)包含與包括分割有源區(qū)域圖案1的第2邊Ib的第2分割圖案相對應(yīng)的區(qū)域。其次，圖2(b)是使用曝光裝置使圖2(a)的掩模圖案3在基板上成像時的光學圖像模擬結(jié)果，圖3(b)是使用曝光裝置使圖3(a)的掩模圖案5在基板上成像時的光學圖像模擬結(jié)果。再次，圖2(c)是表示使用曝光裝置將圖2(a)的掩模圖案3轉(zhuǎn)印在基板上的抗蝕劑圖案4的圖、圖3(c)是表示使用曝光裝置將圖3(a)的掩模圖案5轉(zhuǎn)印在基板上的抗蝕劑圖案6的圖。接著，使用這兩個抗蝕劑圖案，對基板上的被加工膜進行2次加工、合成，就能夠加工如圖4所示的抑制了角部圓形的圖案7。在此，通過在兩個圖案重合的邊界區(qū)域附近(分割區(qū)域附近)附加重疊的部分，就具有防止由在基板上對每個圖案進行曝光時的重合偏差所引起的轉(zhuǎn)印圖案斷開的效果。由此，使用本實施方式中的圖案轉(zhuǎn)印方法，就可以形成圖1中所示的具有90度外角的拐角部的有源區(qū)域圖案1。接著，下面說明不分割掩模圖案而形成有源區(qū)域圖案1時的有源區(qū)域圖案1的形成方法。為了作比較，在圖5(a)中表示具有90度外角的拐角部的掩模圖案8，在圖5(b)中表示使用曝光裝置使此掩模圖案8在基板上成像時的光學圖像模擬結(jié)果，以及在圖5 (c)中表示轉(zhuǎn)印在基板上的圖案9。如圖所示，可知對掩模圖案8來說，當將90度布圖的角部投影到基板上時，會生成圓形。因此，轉(zhuǎn)印圖案9也在角部生成圓形。另外，在圖6中，為了盡可能使轉(zhuǎn)印圖案形狀接近設(shè)計圖案，進行光接近效應(yīng)修正 (Opticalo Proximity effect Correction、0PC)，設(shè)為如圖 7 (a)所示的掩模圖案 8，由此進行抑制角部圓形的修正。通常，通過被稱為規(guī)則基準OPC或模型基準OPC的計算機處理來生成這種掩模圖案8，但也有通過手動配置來配置這種掩模圖案8的情況。通過像這樣地對掩模圖案最優(yōu)化，和圖5相比也能夠進一步抑制角部圓形。但是，即使進行這種修正，在使用曝光波長為248nm、193nm這樣的紫外光 遠紫外光作為光源的情況下，還會在距角部 IOOnm左右的范圍內(nèi)殘留圓形狀。如此，比較圖4和圖5以及圖6時，可知在使用本實施方式1的圖4中，在有源區(qū)域圖案的角部明顯消除了圓形。如圖5和圖6所示，一旦在有源區(qū)域圖案1中生成了角部圓形，在進行柵極圖案2的定位時，由于柵極圖案2和有源區(qū)域1的相對位置的偏差量，如圖7(a)或圖7(b)所示，圖案間的相對位置發(fā)生了變化。從而，由于角部圓形形狀，柵極長度因重合偏差而發(fā)生變化，即，發(fā)生了晶體管特性偏差。根據(jù)上述情況，如本實施方式，通過根據(jù)不同層的密集密度的關(guān)系來判定是否分割掩模圖案并進行多重曝光及多重加工，就能夠消除有源區(qū)域圖案的角部圓形，相對于有源區(qū)域圖案定位并重合加工的柵極圖案的位置偏差消失，能夠消除晶體管特性的變化。實施方式2圖8、圖9是表示在半導體器件的基板上，加工具有形成拐角部并鄰接的2邊的非密集配置的圖案、和被密集配置的圖案的工藝的圖，本實施方式2的特征在于，在使用實施方式1中所示的兩個方向的其他掩模圖案進行轉(zhuǎn)印時，還同時分割、轉(zhuǎn)印形成密集配置圖案的掩模圖案這一點。以下結(jié)合附圖進行說明。圖8(c)、圖9(c)是想轉(zhuǎn)印的所期望的圖案，在同一層中形成。圖8(c)中所示的圖案12是鄰接間隔比較寬的非密集配置的孤立的圖案，圖9(c)中示出的圖案17是鄰接間隔比較狹小的密集配置的周期性圖案。在本實施方式中，雖然此圖案12在χ軸，y軸上包含形成90度的外角的拐角部并鄰接的第1、第2的邊12a、12b，但也可以包含形成小于180度的拐角部并鄰接的第1、第2邊。而且，在本實施例中，根據(jù)后述的ArF掃描曝光裝置的條件， 上述的kl值為0. 31左右時，周期性圖案的最小圖案配置間距為130nm。另外，圖8的圖案 12和圖9的各個圖案17的距離，比圖9的圖案17彼此之間的距離大。圖8(a)和圖9(a)是包含在第1掩模(掩模13)上形成的掩模圖案10和掩模圖案15的第1掩模圖案，掩模圖案10包含與包含分割圖案12的第2邊12b的分割圖案相對應(yīng)的區(qū)域，掩模圖案15包含與間隔圖案17的第1間隔圖案相對應(yīng)的區(qū)域。圖8(b)和圖9(b)是包含在第2掩模(掩模14)上形成的掩模圖案11和掩模圖案16的第2掩模圖案，掩模圖案11包含與包含分割圖案12的第1邊12a的分割圖案相對應(yīng)的區(qū)域，掩模圖案16包含與間隔圖案17的第2間隔圖案相對應(yīng)的區(qū)域。使用以上的掩模圖案，通過第1掩模13和第2掩模圖案14進行曝光，經(jīng)加工、轉(zhuǎn)印，能夠在同一層中形成圖案12、17。在此，由于形成拐角的鄰接的2邊圖案的轉(zhuǎn)印方法與實施方式1相同，所以省略說明。接著，結(jié)合圖10、圖11進行各工序的說明。圖10、圖11是示意性地表示本發(fā)明的實施方式中的工藝流程的各工序的基板剖面構(gòu)造的圖。下面說明各工序。在此，圖10相當于圖8(c)的A-A’方向的剖面，圖11相當于圖9(c)的B_B’方向的剖剖面。另外，圖10和圖11是在同一基板上進行的工序。在硅基板18上依次層積氮化硅膜19(膜厚150nm)、第1硬掩模20 (多晶硅、膜厚150nm)、第2硬掩模21 (氧化硅、膜厚150nm)、有機抗反射膜22 (BrewerScience公司制 ARC-29A、膜厚78nm)、抗蝕劑膜23 (信越化學公司制、SAIL-X121、膜厚200nm)(圖10 (a)、圖11(a))。接著，在此基板上使用ArF掃描曝光裝置(曝光波長193nm、NA = 0. 93)對第1掩模圖案進行曝光、顯影，形成所希望的抗蝕劑圖案(圖10 (b)、圖11 (b))。接著，以此抗蝕劑圖案作為掩模對基底的有機抗反射膜22進行選擇地刻(圖 10 (c)、圖11 (c))、使用規(guī)定條件對第2硬掩模21進行選擇蝕刻，進行加工(圖10 (d)、圖 11(d))。接著，再次依次層積有機抗反射膜M、抗蝕劑膜25 (圖10 (e)、圖11 (e))。相對于使用第1掩模圖案而轉(zhuǎn)印的抗蝕劑圖案定位第2掩模圖案，重合并曝光，然后進行規(guī)定的顯影處理，形成所希望的抗蝕劑圖案(圖10(f)、圖11(f))。再有，根據(jù)設(shè)計規(guī)則，也可以事先在基板上形成定位用的基準圖案，相對于此基準圖案，定位第1掩模圖案及第2掩模圖案， 進行重合并曝光。接著，以形成的抗蝕劑圖案作為掩模，對有機抗反射膜M進行選擇蝕刻(圖 10 (g)、圖11 (g))、以所形成的抗蝕劑圖案及第2硬掩模圖案作為掩模，對第1硬掩模圖案 20進行選擇蝕刻(圖10(h)、圖11(h))、然后以第1硬掩模圖案及第2硬掩模圖案作為掩模，對基底的氮化硅膜19進行選擇蝕刻。接著，對硅基板18蝕刻150nm的深度，在除掉第1硬掩模20及第2硬掩模21、氮化硅膜19之后，就能夠在硅基板18上形成所希望的圖案沈(圖10 (i)、圖11 (i))。根據(jù)上述，通過在同一基板上進行圖10以及圖11的各工序，就可以在同一層中形成圖8(c)及圖9(c)的圖案。圖12是表示使用上述工序形成的電路圖案的一個例子的圖，形成有實施方式1所示的有源區(qū)域圖案和柵極圖案。圖12(b)及圖12(c)在是同一掩模上形成的掩模圖案，是為了轉(zhuǎn)印圖12(a)中表示的有源區(qū)域圖案27而分割掩模圖案的掩模圖案的例子。上側(cè)的兩個圖案，是為了分別利用不同的掩模圖案來轉(zhuǎn)印夾持拐角部的χ方向圖案邊緣和y方向圖案邊緣而進行分割的結(jié)構(gòu)，在圖中示出的最下面的圖案是為了緩和圖案間距而分割的結(jié)構(gòu)。如以上所述，根據(jù)同一層及不同層的圖案的密集密度的關(guān)系判定是否分割掩模圖案并進行多重曝光及多重加工，就可以在同一掩模上形成掩模圖案，可以得到圖12(a)表示的所希望的電路圖案。在此，與實施方式1相同地，通過在兩個圖案重合的邊界區(qū)域附近(分割區(qū)域附近)附加重疊部分，就具有防止在基板上對各個圖案進行曝光時的重合偏差所引起的轉(zhuǎn)印圖案被斷開的效果。另外，在本實施方式中，圖12(b)的圖案及圖12(c)的圖案分別為不同的掩模，但也可以在同一掩?；迳戏謪^(qū)域事先制作，可以降低成本。
權(quán)利要求
1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于 上述半導體器件在同一層中包含鄰接間隔為第一間隔的非密集配置的孤立圖案，和鄰接間隔比上述第一間隔狹小的密集配置的周期性圖案；上述孤立圖案包含形成小于180度的外角的拐角部并鄰接的第1、第2邊；該半導體器件的制造方法包括下述工序(a)通過使用具有第1掩模圖案的第1掩模，對對應(yīng)于包含分割上述孤立圖案的上述第 1邊的第1分割圖案和間隔上述周期性圖案的第1間隔圖案的區(qū)域進行曝光；(b)通過使用具有第2掩模圖案的第2掩模，對對應(yīng)于包含分割上述孤立圖案的上述第 2邊的第2分割圖案和間隔上述周期性圖案的第2間隔圖案的區(qū)域進行曝光，上述第1掩模圖案和上述第2掩模圖案在分割區(qū)域附近具有重疊的規(guī)定區(qū)域， 上述孤立圖案是有源區(qū)域圖案，上述有源區(qū)域圖案的一部分是利用上述第1掩模來形成，上述有源區(qū)域圖案的另一部分是利用上述第2掩模來形成，在上述分割區(qū)域附近重疊的上述規(guī)定區(qū)域是在利用上述第1掩模和第2掩模共同地進行曝光時被掩模。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于上述半導體器件還包括在上述孤立圖案上方且接近上述拐角部配置的柵極圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于上述工序(a)及(b)中包括將上述第1、第2掩模圖案轉(zhuǎn)印到硬掩模上的工序。
4.一種半導體器件的制造方法，其特征在于 上述半導體器件包括包含形成小于180度的外角的拐角部并鄰接的第1、第2邊的有源區(qū)域圖案，和在上述有源區(qū)域圖案上方且接近上述拐角部配置的柵極圖案； 該半導體器件的制造方法包括下述工序(a)通過使用具有第1掩模圖案的第1掩模，對對應(yīng)于包含分割上述有源區(qū)域圖案的上述第1邊的第1分割圖案的區(qū)域進行曝光；(b)通過使用具有第2掩模圖案的第2掩模，對對應(yīng)于包含分割上述有源區(qū)域圖案的上述第2邊的第2分割圖案的區(qū)域進行曝光，上述第1掩模圖案和上述第2掩模圖案在分割區(qū)域附近具有重疊的規(guī)定區(qū)域， 上述有源區(qū)域圖案的一部分是利用上述第1掩模來形成，上述有源區(qū)域圖案的另一部分是利用上述第2掩模來形成，在上述分割區(qū)域附近重疊的上述規(guī)定區(qū)域是在利用上述第 1掩模和第2掩模共同地進行曝光時被掩模。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于上述半導體器件還包括在與上述有源區(qū)域圖案處于同一層中且鄰接間隔為第一間隔的密集配置的周期性圖案；上述有源區(qū)域圖案是鄰接間隔比上述第一間隔寬的非密集配置的孤立圖案； 上述工序(a)包含用具有上述第1掩模圖案的上述第1掩模，對對應(yīng)于包含分割上述孤立圖案的上述第1邊的上述第1分割圖案和間隔上述周期性圖案的第1間隔圖案的區(qū)域進行曝光；上述工序(b)包含用具有上述第2掩模圖案的上述第2掩模，對對應(yīng)于包含分割上述孤立圖案的上述第2邊的上述第2分割圖案和間隔上述周期性圖案的第2間隔圖案的區(qū)域進行曝光。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于上述工序(a)及(b)中包括將上述第1、第2掩模圖案轉(zhuǎn)印到硬掩模上的工序。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于上述第1掩模和第2掩模通過在同一掩?；迳蟿澐稚鲜龅?、第2掩模圖案的區(qū)域而形成。
8.一種半導體器件的制造方法，其特征在于上述半導體器件在同一層中包括鄰接間隔為第一間隔的孤立圖案，和鄰接間隔比上述第一間隔狹小的周期性圖案；上述孤立圖案包含形成小于180度的外角的拐角部并鄰接的第1、第2邊；該半導體器件的制造方法包括下述工序(a)通過使用具有第1掩模圖案的第1掩模，對對應(yīng)于包含分割上述孤立圖案的上述第 1邊的第1分割圖案和間隔上述周期性圖案的第1間隔圖案的區(qū)域進行曝光；(b)通過使用具有第2掩模圖案的第2掩模，對對應(yīng)于包含分割上述孤立圖案的上述第 2邊的第2分割圖案和間隔上述周期性圖案的第2間隔圖案的區(qū)域進行曝光，上述第1掩模圖案和上述第2掩模圖案在分割區(qū)域附近具有重疊的規(guī)定區(qū)域，上述孤立圖案是有源區(qū)域圖案，上述有源區(qū)域圖案的一部分是利用上述第1掩模來形成，上述有源區(qū)域圖案的另一部分是利用上述第2掩模來形成，在上述分割區(qū)域附近重疊的上述規(guī)定區(qū)域是在利用上述第1掩模和第2掩模共同地進行曝光時被掩模。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導體器件的制造方法。由于在有源區(qū)域圖案的角處生成圓形，配置在有源圖案上的柵極圖案面積發(fā)生變化，由此產(chǎn)生晶體管特性變化的問題。本發(fā)明中的、在同一層中包含形成外角的拐角部并鄰接的2邊圖案和密集配置的周期性圖案的半導體器件的制造方法，包括下述工序(a)用具有第1掩模圖案的第1掩模，對對應(yīng)于包含分割上述2邊圖案的第1邊的第1分割圖案和間隔上述周期性圖案的第1間隔圖案的區(qū)域進行曝光；(b)用具有第2掩模圖案的第2掩模，對對應(yīng)于包含分割上述2邊圖案的第2邊的第2分割圖案和間隔上述周期性圖案的第2間隔圖案的區(qū)域進行曝光。
文檔編號H01L21/00GK102157350SQ20111005065
公開日2011年8月17日 申請日期2008年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月11日
發(fā)明者今井彰, 筱原正昭 申請人:瑞薩電子株式會社