專利名稱：具有階梯型氧化埋層的soi的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法。
背景技術(shù)：
絕緣體上硅(SOI，Silicon-On-Insulator)是一種用于集成電路制造的新型原 材料。與目前大量應(yīng)用的體硅相比，SOI材料具有許多優(yōu)勢(shì)采用SOI材料制成的集成電 路的寄生電容小、集成密度高、短溝道效應(yīng)小、速度快；并且還可以實(shí)現(xiàn)集成電路中元器件 的介質(zhì)隔離，徹底消除了體硅集成電路中的寄生閂鎖效應(yīng)等。隨著對(duì)SOI材料的深入研 究，目前形成的較成熟的SOI制造技術(shù)主要有硅片鍵合、注氧隔離(SIMOX，Separation by Implanted Oxygen)、智能剝離(Smart-cut)等技術(shù)。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種SOI的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，該SOI結(jié)構(gòu)包括單晶硅 (Top Silicon) 101、氧化埋層(BOX, Buried Oxide) 102 和襯底 103。所述單晶硅 101 用于 制造器件；所述氧化埋層102用于隔離所述單晶硅101和所述襯底103 ；所述襯底103起支
撐作用。采用SOI制造的集成電路中包括有數(shù)量眾多、類型各異的器件，由于不同類型的 器件的工作性能并不相同，對(duì)SOI氧化埋層的厚度的需求也不盡相同，因而需要形成階梯 型氧化埋層S0I，即SOI結(jié)構(gòu)中氧化埋層的厚度一般是不均勻的，不同區(qū)域的厚度呈階梯型 變化?，F(xiàn)有技術(shù)中階梯型氧化埋層SOI的形成方法一般是在襯底表面的不同區(qū)域形成厚度 不同的氧化埋層，之后與單晶硅晶圓進(jìn)行鍵合，形成階梯型氧化埋層SOI結(jié)構(gòu)，但是該方法 形成的氧化埋層的表面平坦度較低，不利于鍵合工藝的進(jìn)行，影響形成的SOI結(jié)構(gòu)的性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種形成階梯型氧化埋層SOI的方法，改善形成的SOI 結(jié)構(gòu)的性能。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法，包括提供第一半導(dǎo)體襯底，所述第一半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，在所述第 一半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)域形成溝槽；在所述溝槽中形成第一氧化層，所述第一氧化層的表面與所述第一半導(dǎo)體襯底的 第二區(qū)域的表面齊平；提供第二半導(dǎo)體襯底，所述第二半導(dǎo)體襯底的表面形成有第二氧化層；將所述第一半導(dǎo)體襯底與所述第二半導(dǎo)體襯底鍵合，所述第一氧化層和所述第二 氧化層形成階梯型氧化埋層。可選的，使用熱氧化法形成所述第一氧化層。本發(fā)明還提供另一種具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法，包括提供第一半導(dǎo)體襯底，所述第一半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，在所述第 一半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)域形成溝槽；
在所述溝槽中形成第一氧化層，所述第一氧化層的表面高于所述第一半導(dǎo)體襯底 的第二區(qū)域的表面；在所述第一半導(dǎo)體襯底的第二區(qū)域形成第三氧化層，所述第三氧化層的表面與所 述第一氧化層的表面齊平；提供第二半導(dǎo)體襯底，將其與所述第一半導(dǎo)體襯底的第一氧化層和第三氧化層鍵
I=I O可選的，使用熱氧化法形成所述第一氧化層和第三氧化層?？蛇x的，所述在所述第一半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)域形成溝槽包括對(duì)所述第一半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)域的表面部分進(jìn)行氧化，形成第四氧化層；去除所述第四氧化層。 可選的，使用熱氧化法形成所述第四氧化層。可選的，使用濕法刻蝕去除所述第四氧化層?？蛇x的，所述濕法刻蝕中使用的反應(yīng)溶液為氫氟酸溶液。可選的，所述對(duì)所述第一半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)域的表面部分進(jìn)行氧化包括在所述第一半導(dǎo)體襯底的表面上形成掩膜層并圖形化，定義出所述第一區(qū)域的圖 形；以所述圖形化后的掩膜層為掩膜，對(duì)所述第一半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)域的表面部分 進(jìn)行氧化。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)在形成所述第一氧化層之前，先在所述第一半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)域形成溝槽，這 樣有利于更精確的控制在溝槽中形成的第一氧化層的厚度，使其與半導(dǎo)體襯底的第二區(qū)域 的表面齊平；或者使在溝槽中形成的第一氧化層與在第二區(qū)域形成的第三氧化層齊平，有 利于后續(xù)鍵合工藝的實(shí)現(xiàn)。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的一種SOI結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法的流程圖；圖2a 圖2h為本發(fā)明第一實(shí)施例的具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法的剖 面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例的具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法的流程圖；圖3a 圖3f為本發(fā)明第二實(shí)施例的具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法的剖 面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明，下面結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明 的具體實(shí)施方式
。圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例的具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法的流程圖，參 考圖2，本發(fā)明第一實(shí)施例的具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法包括步驟S11，提供第一半導(dǎo)體襯底，所述第一半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，在所述第一半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)域形成溝槽；步驟S12，在所述溝槽中形成第一氧化層，所述第一氧化層的表面與所述第一半導(dǎo) 體襯底的第二區(qū)域的表面齊平；步驟S13，提供第二半導(dǎo)體襯底，所述第二半導(dǎo)體襯底的表面形成有第二氧化層；步驟S14，將所述第一半導(dǎo)體襯底與所述第二半導(dǎo)體襯底鍵合，所述第一氧化層和 所述第二氧化層形成階梯型氧化埋層。圖加 圖池為本發(fā)明第一實(shí)施例的具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法的剖 面結(jié)構(gòu)示意圖，為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明具體實(shí)施方式
的具有階梯型 氧化埋層的SOI的形成方法，下面結(jié)合具體實(shí)施例并結(jié)合參考圖2和圖加 圖池詳細(xì)說(shuō) 明本發(fā)明第一實(shí)施例的具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法。結(jié)合參考圖2和圖2c，執(zhí)行步驟S11，提供第一半導(dǎo)體襯底20，所述第一半導(dǎo)體襯 底20包括第一區(qū)域I和第二區(qū)域II，在所述第一半導(dǎo)體襯底20的第一區(qū)域I形成溝槽。 具體包括參考圖2a，提供第一半導(dǎo)體襯底20，在所述第一半導(dǎo)體襯底20的表面上形成掩膜 層并圖形化，定義出所述第一區(qū)域I的圖形。所述掩膜層可以包括墊氧層21和形成在所述 墊氧層21上的氮化硅層22，圖形化的方法可以是干法刻蝕，所述第一半導(dǎo)體襯底20的材質(zhì) 可以是單晶硅、硅鍺、III-V族元素化合物等，在其他實(shí)施例中，所述掩膜層也可以是其他半 導(dǎo)體工藝中常用的介質(zhì)材料。參考圖2b，以所述圖形化后的掩膜層為掩膜，對(duì)所述第一半導(dǎo)體襯底20的第一區(qū) 域I的表面部分進(jìn)行氧化，形成第四氧化層301'。所述第四氧化層301'可以采用熱氧化 等本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的方法，本發(fā)明實(shí)施例中優(yōu)選采用濕氧氧化方法。參考圖2c，去除所述第四氧化層301'，在所述第一半導(dǎo)體襯底20的第一區(qū)域I 形成溝槽，去除所述第四氧化層301 ‘的方法可以是濕法刻蝕。本發(fā)明具體實(shí)施例中濕法刻 蝕使用的反應(yīng)溶液為氫氟酸溶液。需要說(shuō)明的是，在所述第一半導(dǎo)體上形成溝槽的方法還可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員公 知的其他方法，如使用光刻膠做為掩膜，對(duì)半導(dǎo)體襯底進(jìn)行光刻從而形成溝槽等。結(jié)合參考圖2和圖加，執(zhí)行步驟S12，在所述溝槽中形成第一氧化層301，所述第一 氧化層301的表面與所述第一半導(dǎo)體襯底20的第二區(qū)域II的表面齊平。具體包括參考圖2d，在所述溝槽中形成第一氧化層301 ；所述第一氧化層301可以采用熱氧 化等本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的方法形成，本發(fā)明實(shí)施例中優(yōu)選采用濕氧氧化方法，通過(guò)調(diào)整 熱氧化的溫度、持續(xù)時(shí)間的長(zhǎng)短、氧氣流量等工藝條件可精確控制所述第一氧化層301的 厚度，使得所述第一氧化層301的表面與所述第一半導(dǎo)體襯底20的第二區(qū)域II的表面齊 平。參考圖加，去除所述第一半導(dǎo)體20第二區(qū)域II的掩膜層(墊氧層21和氮化硅層 22)，露出所述第一半導(dǎo)體20的第二區(qū)域II，去除掩膜層的方法可以是干法刻蝕。結(jié)合參考圖2和圖2f，執(zhí)行步驟S13，提供第二半導(dǎo)體襯底40，所述第二半導(dǎo)體襯 底40的表面形成有第二氧化層302。所述第二半導(dǎo)體襯底40的材質(zhì)可以是單晶硅、硅鍺、 III-V族元素化合物等。結(jié)合參考圖2、圖2g和圖池，執(zhí)行步驟S14，將所述第一半導(dǎo)體襯底20與所述第二半導(dǎo)體襯底40鍵合。具體包括 參考圖2g，將所述第一半導(dǎo)體襯底20與所述第二半導(dǎo)體襯底40鍵合，所述第一氧 化層301與所述第二氧化層302鍵合形成階梯型氧化層30。本實(shí)施例中，優(yōu)先在將所述第 一半導(dǎo)體襯底20與所述第二半導(dǎo)體襯底40鍵合前對(duì)所述第一半導(dǎo)體襯底20與所述第二 半導(dǎo)體襯底40進(jìn)行平坦化，平坦化的方法可以是化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)等。本實(shí)施例中通過(guò) 對(duì)熱氧化工藝條件的控制，使得第一氧化層301與半導(dǎo)體襯底20的第二區(qū)域II的表面基 本齊平，有利于平坦化工藝的進(jìn)行，從而保證了鍵合工藝的實(shí)現(xiàn)，有利于改善形成的SOI結(jié) 構(gòu)的性能。參考圖2h，對(duì)鍵合后的第二半導(dǎo)體襯底40進(jìn)行減薄，以形成具有階梯型氧化埋層 的SOI結(jié)構(gòu)，減薄方法可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的方法，如智能剝離技術(shù)。本實(shí)施例中，在形成所述第一氧化層前，先在所述第一半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)域形 成溝槽，這樣能更精確的控制在溝槽中形成的第一氧化層的厚度，提高了所述第一氧化層 與所述第二區(qū)域的表面平坦度，有利于后續(xù)鍵合工藝的實(shí)現(xiàn)。圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例的具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法的流程圖，參 考圖3，本發(fā)明第二實(shí)施例的具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法包括步驟S21，提供第一半導(dǎo)體襯底，所述第一半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域， 在所述第一半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)域形成溝槽；步驟S22，在所述溝槽中形成第一氧化層，所述第一氧化層的表面高于所述第一半 導(dǎo)體襯底的第二區(qū)域的表面；步驟S23，在所述第一半導(dǎo)體襯底的第二區(qū)域形成第三氧化層，所述第三氧化層的 表面與所述第一氧化層的表面齊平；步驟S24，提供第二半導(dǎo)體襯底，將其與所述第一半導(dǎo)體襯底的第一氧化層和第三 氧化層鍵合。圖3a 圖3f為本發(fā)明第二實(shí)施例的具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法的剖 面結(jié)構(gòu)示意圖，為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明具體實(shí)施方式
的具有階梯型 氧化埋層的SOI的形成方法，下面結(jié)合具體實(shí)施例并結(jié)合參考圖3和圖3a 圖3f詳細(xì)說(shuō) 明本發(fā)明第二實(shí)施例的具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法。結(jié)合參考圖3和圖3a，執(zhí)行步驟S21，提供第一半導(dǎo)體襯底50，所述第一半導(dǎo)體襯 底50包括第一區(qū)域I和第二區(qū)域II，在所述第一半導(dǎo)體襯底50的第一區(qū)域I形成溝槽。 具體地，本實(shí)施例中在所述第一半導(dǎo)體襯底50的第一區(qū)域I形成溝槽的方法與本發(fā)明的第 一實(shí)施例中的方法相同(參考圖2a 2c)，在此不再贅述。所述第一半導(dǎo)體襯底50的材質(zhì) 可以是單晶硅、硅鍺、III-V族元素化合物等。 結(jié)合參考圖3和圖3c，執(zhí)行步驟S22，在所述溝槽中形成第一氧化層601，所述第一 氧化層601的表面高于所述第一半導(dǎo)體襯底50的第二區(qū)域II的表面。具體包括
參考圖3b，在所述溝槽中形成第一氧化層601，所述第一氧化層601的表面高于所 述第一半導(dǎo)體襯底50的第二區(qū)域II的表面，本實(shí)施例中所述第一氧化層601的形成方法 與本發(fā)明第一實(shí)施例中第一氧化層301的形成方法相同(參考圖2d)，均采用熱氧化法，優(yōu) 選為濕氧氧化方法，本實(shí)施例中形成所述第一氧化層601的時(shí)間比第一實(shí)施例中形成第一 氧化層的時(shí)間略長(zhǎng)，使得形成的第一氧化層601的表面高于所述半導(dǎo)體襯底50的第二區(qū)域II的表面。參考圖3c，去除所述第一半導(dǎo)體50第二區(qū)域II的掩膜層(墊氧層51和氮化硅層 52)，露出所述第一半導(dǎo)體50的第二區(qū)域II，所述掩膜層的去除方法可以是干法刻蝕。結(jié)合參考圖3和圖3d，執(zhí)行步驟S23，在所述第一半導(dǎo)體襯底50的第二區(qū)域II形 成第三氧化層602，所述第三氧化層602的表面與所述第一氧化層601的表面齊平。本實(shí)施 例中所述第三氧化層602的形成方法為熱氧化法，優(yōu)選為濕氧氧化法，具體的，可以通過(guò)控 制熱氧化過(guò)程中的工藝條件來(lái)精確控制形成的第三氧化層602的厚度，使其與所述第一氧 化層601的表面基本齊平。結(jié)合參考圖3、圖!Be和圖3f，執(zhí)行步驟S24，提供第二半導(dǎo)體襯底70，將其與所述 第一半導(dǎo)體襯底50的第一氧化層601和第三氧化層602鍵合。所述第二半導(dǎo)體襯底70的材質(zhì)可以是單晶硅、硅鍺、III-V族元素化合物等，具體 包括參考圖!Be，將所述第一半導(dǎo)體襯底50與所述第二半導(dǎo)體襯底70鍵合，所述第一氧 化層601與所述第三氧化層602鍵合形成階梯型氧化層60。需要說(shuō)明的是，所述第二半導(dǎo) 體襯底70上也可以形成有氧化層，所述第一半導(dǎo)體襯底50的氧化層和所述第二半導(dǎo)體襯 底70的氧化層經(jīng)過(guò)鍵合后形成階梯型氧化埋層。同樣地，本實(shí)施例中，優(yōu)先在將所述第一 半導(dǎo)體襯底50與所述第二半導(dǎo)體襯底70鍵合前，對(duì)所述第一半導(dǎo)體襯底50與所述第二半 導(dǎo)體襯底70進(jìn)行平坦化，平坦化的方法可以是化學(xué)機(jī)械拋光等。本實(shí)施例中通過(guò)對(duì)熱氧化 工藝條件的控制，使得第一氧化層601的表面與第三氧化層602的表面齊平，有利于平坦化 工藝的進(jìn)行，從而保證了鍵合工藝的實(shí)現(xiàn)，有利于改善形成的SOI結(jié)構(gòu)的性能。參考圖3f，對(duì)鍵合后的第二半導(dǎo)體襯底70進(jìn)行減薄，以形成具有階梯型氧化埋層 的SOI結(jié)構(gòu)。減薄方法同樣可以采用本發(fā)明第一實(shí)施例中的智能剝離技術(shù)。本實(shí)施例中，同樣在形成所述第一氧化層前，先在所述第一半導(dǎo)體襯底的第一區(qū) 域形成溝槽，這樣能更精確的控制在溝槽中形成的第一氧化層的厚度，并且，在以所述第一 氧化層的表面為基準(zhǔn)形成所述第三氧化層時(shí)，由于第一氧化層的表面高于所述第一半導(dǎo)體 襯底的第二區(qū)域的表面，相當(dāng)于在形成所述第三氧化層前在所述第二區(qū)域形成溝槽，這樣 能更精確的控制在溝槽中形成的第三氧化層的厚度，實(shí)現(xiàn)所述第一氧化層和所述第三氧化 層的表面平坦度，從而有利于后續(xù)鍵合工藝的實(shí)現(xiàn)。綜上，采用本發(fā)明的技術(shù)方案，有利于更精確的控制在溝槽中形成的第一氧化層 的厚度，使其與半導(dǎo)體襯底的第二區(qū)域的表面齊平；或者使形成在溝槽中的第一氧化層與 形成在第二區(qū)域的第三氧化層齊平，有利于后續(xù)鍵合工藝的實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域 技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā) 明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明 的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案 的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法，其特征在于，包括提供第一半導(dǎo)體襯底，所述第一半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，在所述第一半 導(dǎo)體襯底的第一區(qū)域形成溝槽；在所述溝槽中形成第一氧化層，所述第一氧化層的表面與所述第一半導(dǎo)體襯底的第二 區(qū)域的表面齊平；提供第二半導(dǎo)體襯底，所述第二半導(dǎo)體襯底的表面形成有第二氧化層；將所述第一半導(dǎo)體襯底與所述第二半導(dǎo)體襯底鍵合，所述第一氧化層和所述第二氧化 層形成階梯型氧化埋層。
2.如權(quán)利要求1所述的具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法，其特征在于，使用熱氧 化法形成所述第一氧化層。
3.一種具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法，其特征在于，包括提供第一半導(dǎo)體襯底，所述第一半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，在所述第一半 導(dǎo)體襯底的第一區(qū)域形成溝槽；在所述溝槽中形成第一氧化層，所述第一氧化層的表面高于所述第一半導(dǎo)體襯底的第 二區(qū)域的表面；在所述第一半導(dǎo)體襯底的第二區(qū)域形成第三氧化層，所述第三氧化層的表面與所述第 一氧化層的表面齊平；提供第二半導(dǎo)體襯底，將其與所述第一半導(dǎo)體襯底的第一氧化層和第三氧化層鍵合。
4.如權(quán)利要求3所述的具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法，其特征在于，使用熱氧 化法形成所述第一氧化層和第三氧化層。
5.如權(quán)利要求1或3所述的具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法，其特征在于，所述 在所述第一半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)域形成溝槽包括對(duì)所述第一半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)域的表面部分進(jìn)行氧化，形成第四氧化層；去除所述第四氧化層。
6.如權(quán)利要求5所述的具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法，其特征在于，使用熱氧 化法形成所述第四氧化層。
7.如權(quán)利要求5所述的具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法，其特征在于，使用濕法 刻蝕去除所述第四氧化層。
8.如權(quán)利要求7所述的具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法，其特征在于，所述濕法 刻蝕中使用的反應(yīng)溶液為氫氟酸溶液。
9.如權(quán)利要求5所述的具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法，其特征在于，所述對(duì)所 述第一半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)域的表面部分進(jìn)行氧化包括在所述第一半導(dǎo)體襯底的表面上形成掩膜層并圖形化，定義出所述第一區(qū)域的圖形；以所述圖形化后的掩膜層為掩膜，對(duì)所述第一半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)域的表面部分進(jìn)行 氧化。
全文摘要
一種具有階梯型氧化埋層的SOI的形成方法，包括提供第一半導(dǎo)體襯底，所述第一半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，在所述第一半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)域形成溝槽；在所述溝槽中形成第一氧化層，所述第一氧化層的表面與所述第一半導(dǎo)體襯底的第二區(qū)域的表面齊平；提供第二半導(dǎo)體襯底，所述第二半導(dǎo)體襯底的表面形成有第二氧化層；將所述第一半導(dǎo)體襯底與所述第二半導(dǎo)體襯底鍵合，所述第一氧化層和所述第二氧化層形成階梯型氧化埋層。本發(fā)明有利于更精確的控制在溝槽中形成的第一氧化層的厚度，使其與半導(dǎo)體襯底的第二區(qū)域的表面齊平；或者使形成在溝槽中的第一氧化層與形成在第二區(qū)域的第三氧化層齊平，利于后續(xù)鍵合工藝的實(shí)現(xiàn)。
文檔編號(hào)H01L21/762GK102148183SQ201110058199
公開(kāi)日2011年8月10日 申請(qǐng)日期2011年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月10日
發(fā)明者李樂(lè) 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司