專利名稱：一種低功耗二極管制造工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種二極管制造工藝，具體涉及一種低功耗二極管制造工藝。
背景技術(shù)：
整流二極管廣泛應(yīng)用在各種電路中，可以說凡有電路處皆有二級管，利用其單向?qū)ǖ奶匦园呀涣麟娹D(zhuǎn)化為直流電，使電路的終端部件可以獲得穩(wěn)定的直流電輸入?，F(xiàn)有整流二極管的制造方法是以N型〈111〉晶向單晶硅片為基本材料，在該硅片的上表面進(jìn)行一次硼摻雜形成平的P區(qū)，然后在下表面進(jìn)行一次磷擴(kuò)散形成平的N區(qū)，然后再進(jìn)行光刻、 金屬化、合金等工序，最終形成二極管的PN結(jié)構(gòu)和電極金屬，制成整流二極管，具體結(jié)構(gòu)見附圖1所示。上述整流二極管在工作的過程中，反向截止，正向?qū)?，在正向電流?dǎo)通過程中由于其自身的正向壓降存在，二極管會不斷發(fā)熱，P=U*I (這里U是正向壓降，I是代表正常工作的電流)。這部分功耗不但由于持續(xù)的發(fā)熱而影響器件的可靠性和使用壽命，而且消耗大量無謂的能量，這和目前綠色節(jié)能的環(huán)保要求顯得格格不入。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是通過優(yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計來提供一種低功耗二極管制造工藝，此二極管克服現(xiàn)有二極管功耗較大的缺陷。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是
一種低功耗二極管制造工藝，選擇硅片襯底，該硅片襯底為N型〈111〉晶向，然后按以下步驟進(jìn)行操作
第一步，在所述硅片襯底上表面形成一層二氧化硅薄膜層；
第二步，通過光刻膠掩膜所述二氧化硅薄膜層的周邊區(qū)域，并以此光刻膠作為掩膜層， 刻蝕并去除裸露的所述二氧化硅薄膜層的中央?yún)^(qū)域；
第三步，雜質(zhì)淺摻雜，在所述硅片襯底上表面，采用B紙源通過熱擴(kuò)散方法對所述硅片襯底的中央?yún)^(qū)域進(jìn)行摻雜，從而在此中央?yún)^(qū)域形成B擴(kuò)散面，該B擴(kuò)散面表面摻雜濃度至少 1021atm/cm3,擴(kuò)散深度為 30 50 μ m ；
第四步，將所述二氧化硅薄膜層去除；
第五步，雜質(zhì)深摻雜，在所述B擴(kuò)散面及其周邊區(qū)域采用B紙源通過熱擴(kuò)散方法進(jìn)行深摻雜形成下表面呈弧形的P區(qū)，此P區(qū)由中央P區(qū)域和圍繞此中央P區(qū)域的周邊P區(qū)域組成，此中央P區(qū)域的摻雜深度大于周邊P區(qū)域的摻雜深度，所述中央P區(qū)域擴(kuò)散深度為 80-100 μ m,所述周邊P區(qū)域擴(kuò)散深度為60 80 μ m ；表面摻雜濃度至少1021atm/cm3 ； 第六步，在所述硅片襯底下表面進(jìn)行磷雜質(zhì)摻雜形成N區(qū)；
第七步，在所述周邊P區(qū)域的邊緣區(qū)域開溝槽，從而在所述硅片襯底上表面暴露PN結(jié)， 形成二極管器件區(qū)；
第八步，在所述硅片襯底上表面，沉積一層厚度為0. 2士0. 05 μ m的多晶硅鈍化膜層； 第九步，在所述多晶硅鈍化膜層上形成一層玻璃膠層；第十步，將所述二極管器件區(qū)的中央?yún)^(qū)域所對應(yīng)的玻璃膠去除； 第十一步，將第十步去除玻璃膠后的其余玻璃膠層燒結(jié)硬化； 第十二步，將所述二極管器件區(qū)的中央?yún)^(qū)域所對應(yīng)的多晶硅鈍化膜去除，并裸露出所述P區(qū)；
第十三步，在所述二極管器件區(qū)的中央?yún)^(qū)域和所述硅片襯底下表面均沉積金屬層，形成金屬電極。上述技術(shù)方案中的有關(guān)內(nèi)容解釋如下
1、上述方案中，所述步驟一中，所述二氧化硅薄膜層在1100士0. 50C (1000士0. 50C )爐管內(nèi)，通O2時間為20 士 1分鐘，通水汽H2O時間為2 士0. 05小時的條件下形成。2、上述方案中，所述第三步中，首先，采用B紙源在爐管內(nèi)進(jìn)行雜質(zhì)淺摻雜燒源， 工藝條件為在600°C爐管內(nèi)，時間為4小時，氣氛為N2 ；接著，雜質(zhì)熱擴(kuò)散在1250士0. 5°C 爐管內(nèi)，時間為8士0. 05小時，氣氛為N2的條件下進(jìn)行；
所述第五步中，首先，采用B紙源在爐管內(nèi)進(jìn)行雜質(zhì)深摻雜，工藝條件為在600°C爐管內(nèi)，時間為4小時，氣氛為N2 ；接著，雜質(zhì)熱擴(kuò)散在1250士0. 5°C爐管內(nèi)，時間為觀士0. 05小時，氣氛為隊的條件下進(jìn)行。3、上述方案中，所述第七步中，開溝槽通過光刻方式在所述硅片襯底上表面定義溝槽區(qū)，再在零下2V的HAC HNO3 :HF=3 5 3混合溶液中浸泡15士 1分鐘，去除所述硅片襯底上表面溝槽區(qū)的二氧化硅薄膜及部分硅片襯底，從而形成深度為12(Γ140 μ m的溝槽。4、上述方案中，所述第八步中，多晶硅鈍化膜層采用CVD工藝沉積，其工藝條件為溫度為650士 1°C，時間30分鐘，氣源為SiH4氣體和N2O氣體。5、上述方案中，所述SiH4氣體流速為每分鐘130士5ml，所述隊0氣體流速為每分鐘 30士2ml。6、上述方案中，所述第九步中，玻璃膠層的厚度為25 35μπι。7、上述方案中，所述第i^一步中，玻璃膠層燒結(jié)硬化溫度為860°C，時間為30分鐘。8、上述方案中，所述第十二步中，多晶硅鈍化膜去除采用H20、NH4F和HF的混合溶液，其各成分質(zhì)量比例為H2O =NH4F :HF=5 1 :1，在常溫下進(jìn)行，時間2分鐘。9、上述方案中，所述第十三步中，金屬層為鎳金合金，金屬層制作工藝為
(1)第一次化學(xué)鍍鎳采用氯化鎳、次亞磷酸鈉、氯化銨和檸檬酸銨的混合溶液，該溶液各成分質(zhì)量比為氯化鎳次亞磷酸鈉氯化銨檸檬酸銨=30 10 50 :65，溶液溫度為 90°C，時間為5分鐘；
(2)將第一次化學(xué)鍍鎳后的金屬層燒結(jié)，溫度為600°C，時間為20分鐘；
(3)第二次化學(xué)鍍鎳采用氯化鎳、次亞磷酸鈉、氯化銨和檸檬酸銨的混合溶液，該溶液各成分質(zhì)量比為氯化鎳次亞磷酸鈉氯化銨檸檬酸銨為30 10 50 :65，溶液溫度為 90°C，時間為5分鐘；
(4)化學(xué)鍍金采用金氰化鉀溶液，溫度為90°C，時間為3分鐘。由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)和效果
1、本發(fā)明選擇合適阻值的單晶硅片襯底，進(jìn)行多次選擇性摻雜，從而形成接觸面呈弧形的PN結(jié)，增加了 PN結(jié)有效面積，顯著降低二極管在電路中應(yīng)用時的功耗。
2、本發(fā)明制造工藝，工藝中增加成本不到1%，但是二極管的應(yīng)用功耗降低約10%。3、本發(fā)明采用化學(xué)汽相淀積鈍化和玻璃鈍化結(jié)合的方法，減少側(cè)壁的漏電流，提高了器件的可靠性。


附圖1為現(xiàn)有二極管結(jié)構(gòu)示意附圖2A -H、2J為本發(fā)明低功耗二極管工藝流程圖。以上附圖中1、現(xiàn)有二極管；2、單晶硅片；3、B擴(kuò)散面；4、P區(qū)；5、二氧化硅薄膜層；6、溝槽區(qū)；7、多晶硅鈍化膜層；8、玻璃膠層；9、二極管器件區(qū)；10、中央?yún)^(qū)域；11、金屬層；12、中央P區(qū)域；13、周邊P區(qū)域。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述 實(shí)施例一種低功耗二極管制造工藝，
如附圖2A -H、2J所示，具體工藝步驟如下 1、選擇硅片襯底，該硅片襯底為N型〈111〉晶向。2、清洗半導(dǎo)體硅片用氨水ΝΗ40Η、雙氧水H2A和水H2O按1 :2 :5配制的清洗液， 在75 °C條件下清洗硅片5分鐘。3、旋轉(zhuǎn)甩干把硅片插在旋轉(zhuǎn)體上，在熱氮?dú)怅牨Ｗo(hù)中以每分鐘800轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)5分鐘。4、氧化條件是在1100 士 0. 5°C爐管內(nèi)，通O2時間為20 士 1分鐘，通水汽H2O時間為2士0. 05小時。5、光刻負(fù)性光阻劑在3000轉(zhuǎn)/分鐘條件下涂覆在硅片襯底上表面，光刻，顯影、 140度烘烤60分鐘；在該操作過程中，光刻尺寸的設(shè)計重要參數(shù)，比如50mil的芯片，該光刻的窗口尺寸是27mil。6、酸腐蝕通過光刻膠掩膜所述二氧化硅薄膜層的周邊區(qū)域，并以此光刻膠作為掩膜層，刻蝕并去除裸露的所述二氧化硅薄膜層的中央?yún)^(qū)域；刻蝕具體采用H20、NH4F和HF 的混合溶液，其成分質(zhì)量比為H2O =NH4F :HF=5 1 1常溫，時間2分鐘。7、雜質(zhì)淺摻雜，在所述硅片襯底上表面，采用B紙源通過熱擴(kuò)散方法對所述硅片襯底的中央?yún)^(qū)域進(jìn)行摻雜，從而在此中央?yún)^(qū)域形成B擴(kuò)散面，具體為硼雜質(zhì)源涂抹在硅片襯底上表面，B雜質(zhì)熱擴(kuò)散在1250士0. 5°C爐管內(nèi)，時間為8士0. 05小時，氣氛為N2的條件下進(jìn)行，擴(kuò)散深度3(T50um。8-1、雜質(zhì)燒源前處理第7步擴(kuò)散出爐的硅片在49%的氫氟酸中浸泡2小時，去除表面的氧化層。8-2、雜質(zhì)燒源硅片兩邊分別用P紙和B紙進(jìn)行間隔排列，塞進(jìn)600°C爐管，時間為4小時，氣氛為N2，氣體流速為4L/ min。9、將所述二氧化硅薄膜層去除；
10、雜質(zhì)深擴(kuò)散雜質(zhì)深摻雜，在所述B擴(kuò)散面及其周邊區(qū)域采用B紙源通過熱擴(kuò)散方法進(jìn)行深摻雜形成下表面呈弧形的P區(qū)，此P區(qū)由中央P區(qū)域和圍繞此中央P區(qū)域的周邊P區(qū)域組成，此中央P區(qū)域的摻雜深度大于周邊P區(qū)域的摻雜深度，所述中央P區(qū)域擴(kuò)散深度為80-100 μ m,所述周邊P區(qū)域擴(kuò)散深度為6(Γ80 μ m ；具體為將硅片襯底轉(zhuǎn)至1250°C高溫爐，時間為觀小時，氣氛為隊的條件下進(jìn)行，該氣體流速為4L/ min，則擴(kuò)硼面的表面摻雜濃度至少1021站111/(^3，測試方塊電阻0.015 0/(^，擴(kuò)散深度為80-100 μ m;擴(kuò)磷面的表面摻雜濃度至少102°atm/Cm3，測試方塊電阻0. 02 Ω /cm,擴(kuò)散深度為50-70 μ m。11、噴砂對硅片雙面噴砂，各去除5飛μ m，去除表面的氧化硅。12、氧化在硅片襯底上表面形成形成二氧化硅薄膜層，該二氧化硅薄膜層在 1050°C爐管內(nèi)，通H2O氣體，時間為60分鐘。13、烘烤在氮?dú)獗Ｗo(hù)條件下，將硅片用200°C烘烤30分鐘。14、涂膠以3000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)涂膠10秒。15、烘烤用熱板以100°C烘烤硅片30秒。16、光刻板曝光用光刻板以120萬Lux-kc的光照強(qiáng)度對硅片進(jìn)行曝光。17、顯/定影先后在顯影定影液中浸泡5min。18、烘烤用熱板以120°C烘烤硅片30秒。19、檢驗(yàn)用顯微鏡對光刻的顯影觀察檢驗(yàn)。20、烘烤在氮?dú)獗Ｗo(hù)條件下，用140°C烘烤60分鐘堅膜。21、腐蝕在所述周邊P區(qū)域的邊緣區(qū)域開溝槽，從而在所述硅片襯底上表面暴露 PN結(jié)，形成二極管器件區(qū)，具體為將所述硅片襯底上部分區(qū)域開溝槽，從而在所述硅片襯底挖出PN結(jié)，形成對應(yīng)個數(shù)的二極管器件區(qū)；所述開溝槽通過光刻方式在所述硅片襯底上定義溝槽區(qū)，再在零下2V的HAC HNO3 HF=3 :5:3混合溶液中浸泡15分鐘，去除所述硅片襯底上溝槽區(qū)的二氧化硅薄膜4及部分硅片襯底。溝槽深度約12(Γ 40μπι。22、檢驗(yàn)用顯微鏡觀察檢驗(yàn)。23、去膠用硫酸H2SO4、雙氧水H2O2按10 1比例對硅片去膠，溫度120°C，時間5分鐘。24、用氨水ΝΗ40Η、雙氧水H2A和水H2O按1 :2 :5配制的清洗液，在75°C條件下清洗硅片5分鐘。25、在所述硅片襯底上表面，沉積一層厚度為0. 2士0. 05 μ m的多晶硅鈍化膜層， 具體為CVD沉積一層厚度為0. 2 μ m多晶硅鈍化膜層；所述多晶硅鈍化膜采用CVD工藝沉積，其工藝條件為溫度為650°C，真空度400mmHg，時間30分鐘，氣源為SiH4氣體和N2O氣體。所述SiH4氣體流速為每分鐘130士5ml，所述隊0氣體流速為每分鐘30ml。26、在所述多晶硅鈍化膜層上形成一層玻璃膠層，具體為玻璃膠以2000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)涂膠10秒，在所述多晶硅鈍化膜層上形成一層厚度為25 35 μ m玻璃膠層。27、光刻板曝光用光刻板以10(Γ140萬Luxlec的光照強(qiáng)度對硅片進(jìn)行曝光。28、顯/定影先后以2000轉(zhuǎn)/分鐘在顯影定影液下旋轉(zhuǎn)10s，將所述硅片襯底的二極管器件區(qū)的中央?yún)^(qū)域所對應(yīng)處玻璃膠去除，并裸露出所述P區(qū)。29、玻璃燒結(jié)將其余玻璃膠層燒結(jié)硬化，所述玻璃膠層燒結(jié)硬化溫度為860°C， 時間為30分鐘。30、光刻膠涂覆以3000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)涂膠10秒。31、光刻板曝光用光刻板以120萬Lux-kc的光照強(qiáng)度對硅片進(jìn)行曝光。
32、腐蝕將所述二極管器件區(qū)中央?yún)^(qū)域所對應(yīng)多晶硅鈍化膜和二氧化硅薄膜去除；采用H2O, NH4F和HF的混合溶液，其成分質(zhì)量比為H2O =NH4F :HF=5 1 1常溫，時間2分鐘。33、第一次化學(xué)鍍鎳采用氯化鎳、次亞磷酸鈉、氯化銨和檸檬酸銨的混合溶液，該溶液個成分質(zhì)量比為氯化鎳次亞磷酸鈉氯化銨檸檬酸銨=30 10 50 :65，溶液溫度為 90°C，時間為5分鐘。34、將第一次化學(xué)鍍鎳后的金屬層燒結(jié)，溫度為600°C，時間為20分鐘。35、化學(xué)鍍鎳采用氯化鎳、次亞磷酸鈉、氯化銨和檸檬酸銨的混合溶液，該溶液個成分質(zhì)量比為氯化鎳次亞磷酸鈉氯化銨檸檬酸銨為30 10 50 :65，溶液溫度為90°C， 時間為5分鐘。36、化學(xué)鍍金采用金氰化鉀溶液，溫度為90°C，時間為3分鐘，形成金屬層。37、外觀檢查。表一 IA整流普通二極管為例測試數(shù)據(jù)
權(quán)利要求
1.一種低功耗二極管制造工藝，其特征在于選擇硅片襯底，該硅片襯底為N型〈111〉 晶向，然后按以下步驟進(jìn)行操作第一步，在所述硅片襯底上表面形成一層二氧化硅薄膜層；第二步，通過光刻膠掩膜所述二氧化硅薄膜層的周邊區(qū)域，并以此光刻膠作為掩膜層， 刻蝕并去除裸露的所述二氧化硅薄膜層的中央?yún)^(qū)域；第三步，雜質(zhì)淺摻雜，在所述硅片襯底上表面，采用B紙源通過熱擴(kuò)散方法對所述硅片襯底的中央?yún)^(qū)域進(jìn)行摻雜，從而在此中央?yún)^(qū)域形成B擴(kuò)散面，該B擴(kuò)散面表面摻雜濃度至少 1021atm/cm3,擴(kuò)散深度為 30 50 μ m ；第四步，將所述二氧化硅薄膜層去除；第五步，雜質(zhì)深摻雜，在所述B擴(kuò)散面及其周邊區(qū)域采用B紙源通過熱擴(kuò)散方法進(jìn)行深摻雜形成下表面呈弧形的P區(qū)，此P區(qū)由中央P區(qū)域和圍繞此中央P區(qū)域的周邊P區(qū)域組成，此中央P區(qū)域的摻雜深度大于周邊P區(qū)域的摻雜深度，所述中央P區(qū)域擴(kuò)散深度為 80-100 μ m,所述周邊P區(qū)域擴(kuò)散深度為60 80 μ m ；第六步，在所述硅片襯底下表面進(jìn)行磷雜質(zhì)摻雜形成N區(qū)；第七步，在所述周邊P區(qū)域的邊緣區(qū)域開溝槽，從而在所述硅片襯底上表面暴露PN結(jié)， 形成二極管器件區(qū)；第八步，在所述硅片襯底上表面，沉積一層厚度為0. 2士0. 05 μ m的多晶硅鈍化膜層； 第九步，在所述多晶硅鈍化膜層上形成一層玻璃膠層； 第十步，將所述二極管器件區(qū)的中央?yún)^(qū)域所對應(yīng)的玻璃膠去除； 第十一步，將第十步去除玻璃膠后的其余玻璃膠層燒結(jié)硬化； 第十二步，將所述二極管器件區(qū)的中央?yún)^(qū)域所對應(yīng)的多晶硅鈍化膜去除，并裸露出所述P區(qū)；第十三步，在所述二極管器件區(qū)的中央?yún)^(qū)域和所述硅片襯底下表面均沉積金屬層，形成金屬電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造工藝，其特征在于所述步驟一中，所述二氧化硅薄膜層在1100士0. 5°C爐管內(nèi)，通化時間為20士 1分鐘，通水汽H2O時間為2士0. 05小時的條件下形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造工藝，其特征在于所述第三步中，首先，采用B紙源在爐管內(nèi)進(jìn)行雜質(zhì)淺摻雜燒源，工藝條件為在600°C爐管內(nèi)，時間為4小時，氣氛為N2 ；接著， 雜質(zhì)熱擴(kuò)散在1250士0. 5°C爐管內(nèi)，時間為8士0. 05小時，氣氛為N2的條件下進(jìn)行；所述第五步中，首先，采用B紙源在爐管內(nèi)進(jìn)行雜質(zhì)深摻雜，工藝條件為在600°C爐管內(nèi)，時間為4小時，氣氛為N2 ；接著，雜質(zhì)熱擴(kuò)散在1250士0. 5°C爐管內(nèi)，時間為觀士0. 05小時，氣氛為隊的條件下進(jìn)行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造工藝，其特征在于所述第七步中，開溝槽通過光刻方式在所述硅片襯底上表面定義溝槽區(qū)，再在零下2°C的HAC HNO3 :HF=3 5 :3混合溶液中浸泡 15 士 1分鐘，去除所述硅片襯底上表面溝槽區(qū)的二氧化硅薄膜及部分硅片襯底，從而形成深度為12(Γ 40μπι的溝槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造工藝，其特征在于所述第八步中，多晶硅鈍化膜層采用 CVD工藝沉積，其工藝條件為溫度為650 士 1°C，時間30分鐘，氣源為SiH4氣體和隊0氣體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造工藝，其特征在于所述SiH4氣體流速為每分鐘 130 士 5ml，所述隊0氣體流速為每分鐘30 士 2ml。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造工藝，其特征在于所述第九步中，玻璃膠層的厚度為 25 35 μ m0
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造工藝，其特征在于所述第十一步中，玻璃膠層燒結(jié)硬化溫度為860°C，時間為30分鐘。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造工藝，其特征在于所述第十二步中，多晶硅鈍化膜，去除采用H20、NH4F和HF的混合溶液，其各成分質(zhì)量比例為H2O =NH4F :HF=5 1 :1，在常溫下進(jìn)行，時間2分鐘。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造工藝，其特征在于所述第十三步中，金屬層為鎳金合金，金屬層制作工藝為(1)第一次化學(xué)鍍鎳采用氯化鎳、次亞磷酸鈉、氯化銨和檸檬酸銨的混合溶液，該溶液各成分質(zhì)量比為氯化鎳次亞磷酸鈉氯化銨檸檬酸銨=30 10 50 :65，溶液溫度為 90°C，時間為5分鐘；(2)將第一次化學(xué)鍍鎳后的金屬層燒結(jié)，溫度為600°C，時間為20分鐘；(3)第二次化學(xué)鍍鎳采用氯化鎳、次亞磷酸鈉、氯化銨和檸檬酸銨的混合溶液，該溶液各成分質(zhì)量比為氯化鎳次亞磷酸鈉氯化銨檸檬酸銨為30 10 50 :65，溶液溫度為 90°C，時間為5分鐘；(4)化學(xué)鍍金采用金氰化鉀溶液，溫度為90°C，時間為3分鐘。
全文摘要
本發(fā)明公開一種低功耗二極管制造工藝，選擇硅片襯底；在所述硅片襯底上表面形成一層二氧化硅薄膜層；通過光刻膠掩膜所述二氧化硅薄膜層的周邊區(qū)域，并以此光刻膠作為掩膜層，刻蝕并去除裸露的所述二氧化硅薄膜層的中央?yún)^(qū)域；雜質(zhì)淺摻雜，在所述硅片襯底上表面，采用B紙源通過熱擴(kuò)散方法對所述硅片襯底的中央?yún)^(qū)域進(jìn)行摻雜，從而在此中央?yún)^(qū)域形成B擴(kuò)散面；將所述二氧化硅薄膜層去除；雜質(zhì)深摻雜，在所述B擴(kuò)散面及其周邊區(qū)域采用B紙源通過熱擴(kuò)散方法進(jìn)行深摻雜形成下表面呈弧形的P區(qū)，此P區(qū)由中央P區(qū)域和圍繞此中央P區(qū)域的周邊P區(qū)域組成，此中央P區(qū)域的摻雜深度大于周邊P區(qū)域的摻雜深度。本發(fā)明克服了現(xiàn)有二極管功耗較大的缺陷。
文檔編號H01L21/329GK102169833SQ201110065068
公開日2011年8月31日 申請日期2011年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月17日
發(fā)明者孫玉華 申請人:蘇州固锝電子股份有限公司