專利名稱：高電壓靜電放電防護(hù)用的自我檢測(cè)裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例一般是有關(guān)于半導(dǎo)體裝置及其制造方法，且特別是有關(guān)于ー種高電壓靜電放電(ESD)防護(hù)用的自我檢測(cè)裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前在電子裝置制造的幾乎所有實(shí)施樣態(tài)中，存在有一朝向縮小裝置尺寸的進(jìn)行中的趨勢(shì)。當(dāng)較小與較大的兩個(gè)裝置具有實(shí)質(zhì)上相同的能力時(shí)，較小的電子裝置傾向于比較大及更龐大的電子裝置較受到歡迎。因此，能制造較小的元件將清楚地傾向于幫助合并那些元件的較小裝置的生產(chǎn)。然而，多數(shù)的現(xiàn)代化電子裝置需要電子電路以執(zhí)行致動(dòng)功 能(例如，切換裝置)與數(shù)據(jù)處理或其它決定的功能。使用關(guān)于這些雙重功能的低電壓互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)可能不一定來得實(shí)用。因此，高電壓(或高功率)裝置亦已經(jīng)被發(fā)展以處理多數(shù)的應(yīng)用，于此的低電壓操作并不實(shí)用。典型的高電壓裝置的靜電放電(ESD)性能常取決于總寬度與表面或相對(duì)應(yīng)裝置的橫向規(guī)則。因此，ESD性能對(duì)于較小裝置而言可能一般來得更關(guān)鍵。高電壓裝置一般具有包含低導(dǎo)通狀態(tài)電阻(Rdson)、高擊穿電壓及低保持電壓的特征。低導(dǎo)通狀態(tài)電阻可能傾向于在ー ESD事件期間，使一 ESD電流更有可能集中于ー裝置的表面或漏極邊緣。高電流與高電場(chǎng)可能導(dǎo)致于這ー種裝置的一表面接合區(qū)域的物理毀壞?；诘蛯?dǎo)通狀態(tài)電阻的典型需求，表面或橫向規(guī)則似乎無法被増加。因此，ESD防護(hù)可為ー項(xiàng)挑戰(zhàn)。高電壓裝置的高擊穿電壓特征一般意味著擊穿電壓是高于操作電壓，而觸發(fā)電壓(Vtl)是高于擊穿電壓。因此，在一 ESD事件期間，高電壓裝置的內(nèi)部電路在高電壓裝置導(dǎo)通以供ESD防護(hù)用之前，可能處于損壞的風(fēng)險(xiǎn)。高電壓裝置的低保持電壓特征，亦還沒有解決與一通電峰值電壓或一突波電壓相關(guān)的不必要噪聲可能被觸發(fā)或ー閉鎖可能產(chǎn)生在正常操作期間的可能性。由于電場(chǎng)分布可能對(duì)配線(igniting)敏感，以能使ESD電流可能會(huì)在一 ESD事件期間集中于表面或漏極邊緣的事實(shí)，高電壓裝置亦可經(jīng)歷場(chǎng)板效應(yīng)(fieldplate eii'ect)。為了改善相關(guān)于ESD事件的高電壓裝置性能，一項(xiàng)已被實(shí)施的技術(shù)涉及掩模與其它エ藝的附加使用以構(gòu)建ー較大尺寸的ニ極管在雙載子結(jié)晶體管(BJT)元件之內(nèi)，及/或増加MOS晶體管的表面或橫向規(guī)則。其它用以改善性能的嘗試已經(jīng)包含外部ESD偵測(cè)電路的使用。因此，可能需要發(fā)展ー種改善的結(jié)構(gòu)以提供ESD電阻。

發(fā)明內(nèi)容
某些實(shí)施例是因此有關(guān)于ー種高電壓ESD防護(hù)用的自我檢測(cè)裝置。在某些情況下，可由一自我檢測(cè)裝置提供ESD防護(hù)，自我檢測(cè)裝置可由標(biāo)準(zhǔn)BCD(雙載子互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(BiCMOS)擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS))エ藝制造。于某些實(shí)施例中，ESD防護(hù)可涉及ー種EPIエ藝。
于一實(shí)施例中，提供一種高電壓靜電放電(ESD)防護(hù)裝置(使用于此的「示范」，指的是「當(dāng)作一個(gè)例子、實(shí)例或例證」)。高電壓ESD防護(hù)裝置可包含一襯底、一 N型阱區(qū)及
一P型阱區(qū)。N型阱區(qū)配置對(duì)應(yīng)于襯底的一第一部分并具有兩個(gè)配置于其的一表面的N+區(qū)段，P型阱區(qū)配置接近襯底的一第二部分并具有一 P+區(qū)段與一 N+區(qū)段。兩個(gè)N+區(qū)段可彼此隔開且每個(gè)區(qū)段可關(guān)聯(lián)至裝置的一陽極。N+區(qū)段可關(guān)聯(lián)至裝置的一陰極。一接觸部可配置于一在兩個(gè)N+區(qū)段之間的空間中并連接至P+區(qū)段。接觸部可形成一寄生電容，其結(jié)合一個(gè)聯(lián)合N+區(qū)段形成的寄生電阻，提供自我偵測(cè)以高電壓ESD防護(hù)用。于另一實(shí)施例中，提供一種方法。方法包含以下步驟。提供一襯底。提供一 N型阱區(qū)，配置成對(duì)應(yīng)于襯底的一第一部分并具有兩個(gè)配置于其的一表面的N+區(qū)段。兩個(gè)N+區(qū)段彼此隔開且每個(gè)都關(guān)聯(lián)至裝置的一陽極。提供一 P型阱區(qū)，配置成接近襯底的一第二部分并具有一 P+區(qū)段與一 N+區(qū)段。N+區(qū)段關(guān)聯(lián)至裝置的一陰極。提供一接觸部配置于一在兩個(gè)N+區(qū)段之間的空間中并連接至P+區(qū)段。接觸部形成一寄生電容，其與形成于N+區(qū) 段關(guān)聯(lián)的一寄生電阻連接而提供自我偵測(cè)以供高電壓ESD防護(hù)用。為了對(duì)本發(fā)明的上述及其它方面有更佳的了解，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式(不一定依據(jù)比例繪制)，作詳細(xì)說明如下。


圖I顯示可被采用于典型的ESD偵測(cè)結(jié)構(gòu)的例示電路的方塊圖。圖2顯示一種依據(jù)一實(shí)施例的可被采用以提供ESD防護(hù)而不需外部元件的例示電路的方塊圖。圖3顯示使用一自我偵測(cè)ESD裝置來提供高電壓ESD防護(hù)的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖4顯示使用一自我偵測(cè)ESD裝置來提供高電壓ESD防護(hù)的一替代實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖5顯示關(guān)于圖3的實(shí)施例的例示布局的俯視圖。圖6顯示關(guān)于圖4的實(shí)施例的例示布局的俯視圖。圖7顯示提供高壓ESD防護(hù)裝置的方法。主要元件符號(hào)說明10:外部ESD偵測(cè)電路12:電容14:電阻16 :觸發(fā)輸入端子20 =ESD 裝置30 =ESD 裝置40:寄生電容42:寄生電阻50 P型材料襯底或P型外延成長(zhǎng)層52 N+ 埋藏層54 N 型阱
56 :P 型阱60:陽極62:陰極70、72、74、76 :N+區(qū)段80、82 P+ 區(qū)段84、86 :場(chǎng)氧化膜(FOX)88 N+ 區(qū)段90 :氧化層92 :接觸部
·
100:寄生電容110、112、114、116 :BJT120:寄生電阻140 N+ 區(qū)段144:寄生電阻150 :接觸部152 :氧化膜200、210、220、230、240 :步驟
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將更完全地參考附圖來說明本發(fā)明的某些實(shí)施例，于其中顯示本發(fā)明的某些而非所有實(shí)施例。的確，本發(fā)明的各種實(shí)施例可以多種不同的型式來具體化而不應(yīng)被解釋為受限于提出于此的實(shí)施例；反之，這些實(shí)施例的提供是能使此揭露內(nèi)容將滿足適用的法律規(guī)定。本發(fā)明的某些實(shí)施例可提供ー種B⑶エ藝，用以提供高電壓ESD防護(hù)用的自我檢測(cè)裝置。此外，某些實(shí)施例可提供這種防護(hù)而不需額外掩?；颔ㄋ嚒Ｒ虼?，舉例而言，某些實(shí)施例可移除具有外部ESD防護(hù)電路的需求。圖I顯示可被采用于典型的ESD偵測(cè)結(jié)構(gòu)的例示電路的方塊圖。如圖I所示，一種已知的結(jié)構(gòu)可采用ー種外部ESD偵測(cè)電路10，其位于ー ESD裝置20的外部但亦連接至ESD裝置20以提供ESD防護(hù)。外部ESD偵測(cè)電路可包含ー電容12與ー電阻14，其是彼此連接在待防護(hù)裝置(例如，在防護(hù)裝置的陽極與陰極之間)的端子之間。如圖I所示，外部ESD偵測(cè)電路10提供一觸發(fā)輸入端子16至ESD裝置20以觸發(fā)ESD防護(hù)。因此，為了提供圖I的結(jié)構(gòu)，外部元件必須被采用以建立觸發(fā)輸入端子16來觸發(fā)ESD裝置20。為了避免使用外部結(jié)構(gòu)，某些實(shí)施例可采用顯示于圖2的結(jié)構(gòu)。圖2顯示可被采用以提供ESD防護(hù)而不需外部元件的例示電路的方塊圖。如此，圖2顯示ー種高電壓ESD防護(hù)用的自我檢測(cè)裝置。圖2的自我偵測(cè)結(jié)構(gòu)亦可被采用在待防護(hù)裝置的端子(例如，陽極與陰極)之間，但可提供一偵測(cè)電路在ー裝置之內(nèi)。如圖2所示，一 ESD裝置30可結(jié)合一寄生電容40及一寄生電阻42而被提供。ESD裝置30更可包含一雙載子結(jié)晶體管(BJT)，例如NPN BJT，以形成一種不需要外部元件的防護(hù)電路。因此，舉例而言，不需要一外部輸入端子以觸發(fā)ESD裝置30。取而代之的是，ESD裝置30是通過內(nèi)部元件(于此情況下，設(shè)定ESD裝置30的操作的觸發(fā)的寄生電容40與寄生電阻42)的功能而被整體觸發(fā)。因此，可減少用以制造一高電壓切換裝置的金屬配線，并亦可縮小ESD裝置布局面積。此外，某些實(shí)施例最終可能會(huì)對(duì)配線議題變得相當(dāng)不敏感，且可能無法受到場(chǎng)板效應(yīng)。實(shí)施例亦可具有一總面積，其可少于結(jié)合具有相同的ESD性能特征的BJT或金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)的
二極管的使用。在這點(diǎn)上，某些實(shí)施例可提供一種相當(dāng)小尺寸的結(jié)構(gòu)以供高電壓ESD防護(hù)用。此夕卜，某些實(shí)施例可提供這種結(jié)構(gòu)使其包含在一自我檢測(cè)裝置之內(nèi)而非倚靠于外部元件。因此，在電路中可為高電壓裝置提供高電壓ESD防護(hù)。然而，某些實(shí)施例亦可對(duì)低電壓應(yīng)用有用。在這點(diǎn)上，舉例而言，在一般的DC電路操作期間，亦可偵測(cè)到噪聲感應(yīng)生成的通電峰值電壓與突波電壓，而不需外部元件。實(shí)施例亦可具有一接近高電壓裝置操作電壓的擊穿電壓以及一低于高電壓裝置擊穿電壓的觸發(fā)電壓。再者，一相當(dāng)高的保持電壓可被提供，以相較于利用一硅控整流器(SCR)而能更容易地避免閉鎖發(fā)生。在某些情況下，實(shí)施例可提供有標(biāo)準(zhǔn)BCD工藝，其不需要額外的增加數(shù)目的掩?；蚬に?。
圖3顯示使用一自我偵測(cè)ESD裝置來提高電壓ESD防護(hù)的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的剖面圖。從圖3可見，一 P型材料襯底或一 P型外延成長(zhǎng)層(epitaxially-grown P-Iayer ；P-EPI) 50可設(shè)有一配置于其上的N+埋藏層52。一 N型阱54可配置在外邊緣之上以包圍一P型阱56。裝置的陽極60可經(jīng)由對(duì)應(yīng)的N+區(qū)段70、72、74與76而關(guān)聯(lián)至N型阱54。于一實(shí)施例中，各N型阱54可具有兩個(gè)各自的N+區(qū)段(例如，N+區(qū)段70與72與N+區(qū)段74與76)。N+區(qū)段可通過場(chǎng)氧化膜(FOX) 84而與個(gè)別的P+區(qū)段80與82分離，場(chǎng)氧化膜(FOX) 84可對(duì)應(yīng)至在N型阱54與P型阱56之間的邊緣。另一組的FOX元件(例如，F(xiàn)OX 86)可配置于裝置的一表面以將P+區(qū)段80、82分離于對(duì)應(yīng)至裝置的一陰極62的一 N+區(qū)段88。如圖3所示，一氧化層90與接觸部92可配置于關(guān)聯(lián)至N型阱54的N+區(qū)段之間。因此，舉例而言，氧化層90與接觸部92可配置于N+區(qū)段70與72之間與N+區(qū)段74與76之間。氧化層90與接觸部92可連接至P+區(qū)段80與82，而相對(duì)應(yīng)的P+區(qū)段80與82可因而連接至BJT 110、112、114與116的基極。在每個(gè)N型阱54與相對(duì)應(yīng)的N+區(qū)段(例如，區(qū)段70與72或區(qū)段74與76)中，一寄生電容100可形成于氧化層90與接觸部92之間。一寄生電阻120亦可形成于P+區(qū)段80與82以及連接至陰極62的N+區(qū)段88之間。因此，在寄生電容100與寄生電阻120之間的結(jié)可座落于每一個(gè)BJT 110、112、114與116的基極。每一個(gè)BJT 110、112、114與116的集極可經(jīng)由N+區(qū)段70、72、74與76而與陽極60連通，而每一個(gè)BJT 110、112、114與116的射極可經(jīng)由N+區(qū)段88而與陰極62連通。因此，當(dāng)需要ESD防護(hù)時(shí)，寄生電容100與寄生電阻120可設(shè)定一電壓于BJT 110、112、114與116的基極上，以觸發(fā)ESD防護(hù)，而不需使用任何外部電路元件以提供這種觸發(fā)。圖4顯示使用一自我偵測(cè)ESD裝置來提供高電壓ESD防護(hù)的替代實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的剖面圖。關(guān)于設(shè)定ESD防護(hù)而不需要外部元件，圖4的實(shí)施例是類似于圖3的例子。此外，關(guān)于多數(shù)結(jié)構(gòu)特征，圖4的例子亦類似圖3的結(jié)構(gòu)。一些例外包含圖3的N+區(qū)段88被分割成圖4的分布的N+區(qū)段140的事實(shí)。圖4的寄生電阻144是通過配置于每一個(gè)分布的N+區(qū)段140之間的接觸部150與對(duì)應(yīng)的氧化膜152的形成，而設(shè)置在各個(gè)分布的N+區(qū)段140之間。接觸部150與92亦彼此連接以及連接至圖4的陰極62。盡管有這些結(jié)構(gòu)的差異，圖4的例子亦利用寄生電容100與寄生電阻144來設(shè)定一電壓于BJT 110、112、114與116的基極上以觸發(fā)ESD防護(hù)，而不需使用任何外部電路元件來提供這種觸發(fā)。圖5顯示上述圖3的實(shí)施例的例示布局的俯視圖。同時(shí)，圖6顯示上述圖4的實(shí)施例的例示布局的俯視圖。每個(gè)例示布局提供ー種高電壓ESD防護(hù)用的自我檢測(cè)裝置，其可被應(yīng)用至任何エ藝并被施以任何操作電壓。實(shí)施例亦可由標(biāo)準(zhǔn)BCDエ藝制造，而不需使用額外掩摸。在某些實(shí)施例中，可移除N+埋藏層52，而實(shí)施例可被應(yīng)用于一雙阱エ藝。某些實(shí)施例亦可被應(yīng)用至具有三阱エ藝的非EPIエ藝，或于單ー多晶エ藝。圖7顯示提供高壓ESD防護(hù)裝置的方法。如圖7所示，方法可包括在步驟200提供襯底。方法可更包括在步驟210提供N型阱區(qū)，配置成對(duì)應(yīng)于襯底的第一部分并具有兩個(gè)配置于其的一表面的N+區(qū)段。兩個(gè)N+區(qū)段可彼此隔開且每個(gè)都關(guān)聯(lián)至裝置的陽極。方法可更包括在步驟220提供P型阱區(qū)，配置成接近襯底的第二部分并具有P+區(qū)段與N+區(qū)段。N+區(qū)段可關(guān)聯(lián)至裝置的陰極。于ー實(shí)施例中，方法可更包括在步驟230提供接觸部配置于在兩個(gè)N+區(qū)段之間的空間中并連接至P+區(qū)段。接觸部可形成寄生電容，其與形成于 N+區(qū)段關(guān)聯(lián)的寄生電阻連接而因應(yīng)ESD事件發(fā)生提供自我偵測(cè)以供高電壓ESD防護(hù)用。在一些情況里，方法可包括其它任選的步驟(顯示于圖7中的虛線中)。舉例來說，于ー些實(shí)施例中，方法可更包括在步驟240提供N+摻雜埋藏層配置于襯底與N型阱區(qū)及P型阱區(qū)之間。提出于此的本發(fā)明多數(shù)變形例與其它實(shí)施例，將對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員理解到具有呈現(xiàn)于上述說明與相關(guān)圖式的教導(dǎo)的益處。因此，吾人應(yīng)理解到本發(fā)明并非受限于所揭露的特定實(shí)施例，而變形例與其它實(shí)施例意圖被包含在隨附的權(quán)利要求范圍的范疇之內(nèi)。此夕卜，雖然上述說明與相關(guān)圖式說明于某個(gè)例示組合的元件及/或功能的上下文中的實(shí)施例，但吾人應(yīng)明白到不同組合的元件及/或功能可在不背離隨附的權(quán)利要求范圍的范疇之下，由替代實(shí)施例提供。在這點(diǎn)上，舉例而言，不同于上述詳細(xì)說明的那些的組合的元件及/或功能亦考慮可被提出于隨附的權(quán)利要求范圍的某些中。雖然于此采用特定的用語，但它們的使用是只有通稱與描述性的認(rèn)知而非限制的目的。綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)的，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視隨附的權(quán)利要求范圍所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種靜電放電防護(hù)裝置，包含 ー襯底； 一 N型阱區(qū)，配置成對(duì)應(yīng)于該襯底的一第一部分并具有兩個(gè)配置于其的一表面的N+區(qū)段，該兩個(gè)N+區(qū)段彼此隔開且每個(gè)都關(guān)聯(lián)至該裝置的ー陽極； 一 P型阱區(qū)，配置成接近該襯底的一第二部分并具有一 P+區(qū)段與一 N+區(qū)段，該N+區(qū)段關(guān)聯(lián)至該裝置的一陰極， 其中一接觸部是配置于ー在該兩個(gè)N+區(qū)段之間的空間中并連接至該P(yáng)+區(qū)段，該接觸部形成一寄生電容，其與形成于該N+區(qū)段關(guān)聯(lián)的一寄生電阻連接而提供自我偵測(cè)以供高電壓ESD防護(hù)用。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ESD防護(hù)裝置，其中該N型阱區(qū)包含兩個(gè)配置于該P(yáng)型阱區(qū)的相對(duì)側(cè)上的部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ESD防護(hù)裝置，更包含一N+摻雜埋藏層，其配置于該襯底與該N及P型阱區(qū)之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ESD防護(hù)裝置，其中該寄生電阻是形成于該N+區(qū)段與該P(yáng)+區(qū)段之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ESD防護(hù)裝置，其中關(guān)聯(lián)至該陰極的該N+區(qū)段是分布成多個(gè)N+區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的ESD防護(hù)裝置，其中該寄生電阻是形成于該分布的N+區(qū)段的該些N+區(qū)的每ー個(gè)之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的ESD防護(hù)裝置，更包含多個(gè)接觸部，其設(shè)置于在對(duì)應(yīng)于該寄生電阻的形成的該些N+區(qū)的每ー個(gè)之間的多個(gè)空間中。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的ESD防護(hù)裝置，其中該P(yáng)+區(qū)段與該接觸部亦關(guān)聯(lián)至該陰扱。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ESD防護(hù)裝置，其中多個(gè)雙載子結(jié)晶體管是形成于該裝置中以因應(yīng)于該寄生電容與該寄生電阻所提供的觸發(fā)來提供該高電壓ESD防護(hù)，而不需外部元件。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ESD防護(hù)裝置，其中該裝置是經(jīng)由ー標(biāo)準(zhǔn)エ藝而不需額外掩模所制造。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ESD防護(hù)裝置，其中該襯底包含P型襯底材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ESD防護(hù)裝置，其中該襯底包含外延形成的P型材料。
13.ー種方法，包含 提供一襯底； 提供一 N型阱區(qū)，配置成對(duì)應(yīng)于該襯底的一第一部分并具有兩個(gè)配置于其的一表面的N+區(qū)段，該兩個(gè)N+區(qū)段彼此隔開且每個(gè)都關(guān)聯(lián)至該裝置的ー陽極； 提供一 P型阱區(qū)，配置成接近該襯底的一第二部分并具有一 P+區(qū)段與一 N+區(qū)段，該N+區(qū)段關(guān)聯(lián)至該裝置的一陰極；以及 提供一接觸部配置于ー在該兩個(gè)N+區(qū)段之間的空間中并連接至該P(yáng)+區(qū)段，該接觸部形成一寄生電容，其與形成于該N+區(qū)段關(guān)聯(lián)的一寄生電阻連接而提供自我偵測(cè)以供高電壓ESD防護(hù)用。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中提供該N型阱區(qū)包含提供兩個(gè)配置于該P(yáng)型阱區(qū)的相對(duì)側(cè)上的部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，更包含提供一N+摻雜埋藏層該襯底與該N型阱區(qū)及該P(yáng)型阱區(qū)之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中該寄生電阻是形成于該N+區(qū)段與該P(yáng)+區(qū)段之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中關(guān)聯(lián)至該陰極的該N+區(qū)段是分布成多個(gè)N+區(qū)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中該寄生電阻是形成于該分布的N+區(qū)段的該些N+區(qū)的每ー個(gè)之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，更包含提供多個(gè)接觸部于對(duì)應(yīng)于該寄生電阻的形成的該些N+區(qū)的每ー個(gè)之間的多個(gè)空間中。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中多個(gè)雙載子結(jié)晶體管是形成于該裝置中以因應(yīng)于該寄生電容與該寄生電阻所提供的觸發(fā)來提供該高電壓ESD防護(hù)，而不需外部元件。
全文摘要
本發(fā)明公開了高電壓靜電放電(ESD)防護(hù)用的自我檢測(cè)裝置及其制造方法。ESD防護(hù)裝置可包含一襯底、一N型阱區(qū)及一P型阱區(qū)。N型阱區(qū)配置對(duì)應(yīng)于襯底的一第一部分并具有兩個(gè)配置于其的一表面的N+區(qū)段。P型阱區(qū)配置成接近襯底的一第二部分并具有一P+區(qū)段與一N+區(qū)段。兩個(gè)N+區(qū)段可彼此隔開且每個(gè)可關(guān)聯(lián)至裝置的一陽極。N+區(qū)段可關(guān)聯(lián)至裝置的一陰極。一接觸部可配置于在兩個(gè)N+區(qū)段之間的一空間中并連接至P+區(qū)段。接觸部可形成一寄生電容，其關(guān)聯(lián)至聯(lián)合N+區(qū)段形成的一寄生電阻而提供自我偵測(cè)以供高電壓ESD防護(hù)使用。
文檔編號(hào)H01L27/02GK102693977SQ201110072048
公開日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2011年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月22日
發(fā)明者吳錫垣, 杜碩倫, 陳信良, 陳永初 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司