專利名稱：晶片封裝體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于晶片封裝體，且特別是有關(guān)于光學感測晶片或發(fā)光晶片的封裝體。
背景技術(shù)：
光感測元件或發(fā)光元件等光電元件在擷取影像或照明的應(yīng)用中扮演著重要的角色，這些光電元件均已廣泛地應(yīng)用于例如是數(shù)字相機(digital camera)、數(shù)字攝錄象機 (digital video recorder)、移動電話(mobile phone)、太陽能電池、屏幕、照明設(shè)備等的電子元件中。隨著科技的演進，對于光感測元件的感測精準度或發(fā)光元件的發(fā)光精準度的需求亦隨之提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種晶片封裝體，包括一基底，具有一第一表面及一第二表面；一光學元件，設(shè)置于該第一表面上廣導(dǎo)電層，位于該第二表面上，且電性連接該光學元件；一保護層，設(shè)置于該第二表面及該導(dǎo)電層之上，該保護層具有一開口，露出該導(dǎo)電層；一導(dǎo)電凸塊，設(shè)置于該第二表面上，該導(dǎo)電凸塊具有一底部部分及一上部部分，該底部部分填充于該開口中而與露出的該導(dǎo)電層電性接觸，該上部部分位于該開口之外，并朝遠離該開口的方向延伸；一凹陷，自該導(dǎo)電凸塊的一表面朝向該導(dǎo)電凸塊的內(nèi)部延伸；以及一遮光層，設(shè)置于該第二表面上，且延伸至該導(dǎo)電凸塊的該上部部分之下，并部分位于該凹陷之中而與部分的該導(dǎo)電凸塊重疊。本發(fā)明所述的晶片封裝體，部分該遮光層位于該導(dǎo)電凸塊與該保護層之間。本發(fā)明所述的晶片封裝體，部分該遮光層位于該導(dǎo)電凸塊與該導(dǎo)電層之間。本發(fā)明所述的晶片封裝體，部分該保護層介于該導(dǎo)電凸塊與該遮光層之間。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該遮光層不與該導(dǎo)電凸塊直接接觸。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一凸塊下金屬層，該凸塊下金屬層位于該導(dǎo)電凸塊與該導(dǎo)電層之間，且位于該導(dǎo)電凸塊與該遮光層之間。本發(fā)明所述的晶片封裝體，部分該遮光層直接接觸該凸塊下金屬層。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該遮光層不直接接觸該凸塊下金屬層。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該遮光層包括一負型光致抗蝕劑。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該遮光層至少包括一金屬材料層與一絕緣層，該絕緣層至少介于該金屬材料層與該凸塊下金屬層之間，或至少介于該金屬材料層與該導(dǎo)電層之間。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一孔洞，該孔洞自該第二表面朝該第一表面延伸，且該導(dǎo)電層延伸于該孔洞的一側(cè)壁。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該遮光層不位于該孔洞之中。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該保護層延伸至該導(dǎo)電凸塊的該上部部分之下而與部分的該導(dǎo)電凸塊重疊。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該導(dǎo)電凸塊與該保護層重疊的部分大于該導(dǎo)電凸塊與該遮光層重疊的部分。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該導(dǎo)電凸塊與該保護層重疊的部分小于該導(dǎo)電凸塊與該遮光層重疊的部分。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該凹陷的一側(cè)壁具有一平坦表面，該平坦表面平行于該基底的該第二表面。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該遮光層不直接接觸該導(dǎo)電層。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該遮光層直接接觸該導(dǎo)電層。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該遮光層具有一側(cè)邊緣，該側(cè)邊緣位于該孔洞與該光學元件之間。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該遮光層的該側(cè)邊緣位于導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)于該第二表面上的一正投影區(qū)域之中。本發(fā)明所述的晶片封裝體可使光學元件更為精確地運作而不受光線或噪聲的影響。


圖IA至圖IC顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的晶片封裝體的制程剖面圖。圖2A至圖2C顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的晶片封裝體的制程剖面圖。圖3A至圖;3B顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的晶片封裝體的制程剖面圖。圖4A至圖4C顯示根據(jù)本發(fā)明多個實施例的晶片封裝體的剖面圖。圖5顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的晶片封裝體的導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)示意剖面。圖6A至圖6B分別顯示根據(jù)本發(fā)明實施例的晶片封裝體的剖面圖。圖7A至圖7B顯示根據(jù)本發(fā)明實施例的晶片封裝體的俯視示意圖。
具體實施例方式以下將詳細說明本發(fā)明實施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定型式實施。文中所舉例討論的特定實施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，在不同實施例中可能使用重復(fù)的標號或標示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地敘述本發(fā)明，不代表所討論的不同實施例及 /或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)連性。再者，當述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時， 包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。本發(fā)明一實施例的晶片封裝體可用以封裝光感測元件或發(fā)光元件。然其應(yīng)用不限于此，例如在本發(fā)明的晶片封裝體的實施例中，其可應(yīng)用于各種包含有源元件或無源元件(active or passive elements)、數(shù)字電路或模擬電路(digital or analog circuits) 等集成電路的電子元件(electronic components)，例如是有關(guān)于光電元件(opto electronic devices) ^ ^ ^ (Micro Electro Mechanical System ；MEMS) ,WfiW 系統(tǒng)(micro fluidic systems)、或利用熱、光線及壓力等物理量變化來測量的物理感測器 (Physical Sensor)。特別是可選擇使用晶圓級封裝(wafer scale package ；WSP)制程對
5影像感測元件、發(fā)光二極管(light-emitting diodes ;LEDs)、太陽能電池(solar cells)、 射頻元件(RF circuits)、加速計(accelerators)、陀螺儀(gyroscopes)、微制動器(micro actuators)、表面聲波兀件(surface acoustic wave devices)、壓力感測器(process sensors)、噴墨頭(ink printer heads)或功率模組(power modules)等半導(dǎo)體晶片進行封裝。其中上述晶圓級封裝制程主要指在晶圓階段完成封裝步驟后，再予以切割成獨立的封裝體，然而，在一特定實施例中，例如將已分離的半導(dǎo)體晶片重新分布在一承載晶圓上，再進行封裝制程，亦可稱之為晶圓級封裝制程。另外，上述晶圓級封裝制程亦適用于通過堆疊(stack)方式安排具有集成電路的多片晶圓，以形成多層集成電路(multi-layer integrated circuit devices)的晶片封裝體。圖IA至圖IC顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的晶片封裝體的制程剖面圖。如圖IA所示，提供基底100，其例如為半導(dǎo)體基底或陶瓷基底。在一實施例中，基底100為半導(dǎo)體晶圓(如硅晶圓)而可進行晶圓級封裝以節(jié)省制程時間與成本?；?00具有表面100a與 IOOb0表面100a與100b例如彼此相對。如圖IA所示，在一實施例中，表面100b上設(shè)置有光學元件101。光學元件101可包括(但不限于)光學感測元件或發(fā)光元件。光學感測元件例如是CMOS影像感測元件，而發(fā)光元件例如是發(fā)光二極管元件。光學元件101例如可與形成于表面100b上的導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104電性連接，并可通過導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104而與其他導(dǎo)電通路連結(jié)。雖然，圖IA中僅顯示出單層的導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104。然而，多個導(dǎo)電墊可能彼此堆疊及/或排列于基底100之上。例如，在一實施例中，導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104為多個彼此堆疊的導(dǎo)電墊、或至少一導(dǎo)電墊、或至少一導(dǎo)電墊與至少一層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)所組成的導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)。例如， 請參照圖5，其顯示一實施例的晶片封裝體的導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104。導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104具有多個導(dǎo)電墊，且這些導(dǎo)電墊例如可形成于基底100上的介電層105之中，并通過形成于介電層105 之中的內(nèi)連線而彼此電性接。在以下的實施例中，為方便說明，不于圖式中顯示介電層105 及多個導(dǎo)電墊，圖式中僅顯示單層導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104以簡化圖式。如圖IA所示，基底100的另一表面100a上設(shè)置有導(dǎo)電層102。導(dǎo)電層102與光學元件101電性連接。例如，導(dǎo)電層102可通過導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104而電性連接至光學元件101， 其中導(dǎo)電層102與導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104之間的導(dǎo)電通路例如可以是穿基底導(dǎo)電結(jié)構(gòu)或延伸于基底100的外側(cè)的線路重布層。在圖IA的實施例中，以穿基底導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為例?；?00中包括孔洞132，其自基底100的表面100a朝表面100b延伸。在一實施例中，孔洞132露出部分的導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104。此外，導(dǎo)電層102延伸于孔洞132的側(cè)壁與基底100的表面100a之上，并電性連接導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104。導(dǎo)電層102的材質(zhì)例如為(但不限于)金屬材料，如銅、 鋁、金或前述的組合等。應(yīng)注意的是，當基底100的材質(zhì)具有導(dǎo)電性時，(例如是硅)，需于導(dǎo)電層102與基底100之間形成絕緣層以避免發(fā)生短路。例如，在圖IA的實施例中，可選擇性于基底100與導(dǎo)電層102之間形成絕緣層130。相似地，亦可視情況于其他導(dǎo)電性結(jié)構(gòu)與基底100之間形成絕緣層。如圖IA所示，在表面100a及導(dǎo)電層102上設(shè)置有保護層106。保護層106例如包括(但不限于)防焊材料、聚酰亞胺樹脂(polyimide)或綠漆等。保護層106中定義有至少一開口 108，其露出部分的導(dǎo)電層102。
接著，如圖IB所示，于基底100的表面IOOa上形成遮光層110。在此實施例中，遮光層110形成于保護層106之上。遮光層110的材質(zhì)例如可為高分子材料，或金屬材料層與絕緣層的組合，該絕緣層至少介于該金屬材料層與凸塊下金屬層11 (詳述于后)之間， 或至少介于該金屬材料層與導(dǎo)電層102之間。在一實施例中，遮光層110為一光致抗蝕劑層而可便于將之圖案化。例如，遮光層110可為一黑色的光致抗蝕劑層。在一實施例中，遮光層110為一負型光致抗蝕劑層。在一實施例中，可例如以涂布的方式將遮光層110形成于基底100之上，并接著將之圖案化，例如圖案化為如圖IB所示的結(jié)構(gòu)。遮光層110可有助于阻擋來自晶片封裝體外部的光線，尤其是來自基底100的表面IOOa后的光線，因而可有利于光學元件101的運作。例如，當光學元件101為影像感測元件時，遮光層110可擋住來自基底100的表面IOOa的光線而避免造成影像噪聲?；蛘?，當光學元件101為發(fā)光元件時，遮光層Iio可擋住來自基底100的表面IOOa的光線而避免晶片封裝體所發(fā)出的光線的波長及/或強度受到外界光線的影響。接著，如圖IC所示，于基底100的表面IOOa上設(shè)置導(dǎo)電凸塊112。在一實施例中， 可選擇性于形成導(dǎo)電凸塊112之前，于導(dǎo)電層102之上形成凸塊下金屬層112a。凸塊下金屬層11 可沿著保護層106的開口 108的側(cè)壁延伸，并進一步延伸至保護層106上的遮光層110之上。接著，可于保護層106的開口 108上設(shè)置導(dǎo)電凸塊112。如圖IC所示，導(dǎo)電凸塊112包括底部部分113a及上部部分11北。底部部分113a 填充于保護層106的開口 108中而與露出的導(dǎo)電層102電性接觸。導(dǎo)電凸塊112的上部部分11 位于保護層106的開口 108之外，并且朝著遠離開口 108的方向延伸。例如，導(dǎo)電凸塊112的上部部分11 由開口 108的邊緣大抵水平地朝外延伸，因而至少部分位于遮光層110上而與凸塊下金屬層11 及下方的遮光層110重疊。換言之，在一實施例中，晶片封裝體包括一凹陷114，其自導(dǎo)電凸塊112的一表面朝向?qū)щ娡箟K112的內(nèi)部延伸。設(shè)置于表面IOOa上的遮光層110延伸至導(dǎo)電凸塊112的上部部分11 之下而部分位于凹陷114中。由于遮光層110延伸進入導(dǎo)電凸塊112的凹陷 114中，將能更為有效地阻擋來自表面IOOa上的外界光線，避免光線或噪聲傳至表面IOOb 處的光學元件101。此外，在一實施例中，凹陷114具有一側(cè)壁114a，其具有大抵順應(yīng)性平坦的表面，且大抵平行于基底100的表面100a。在圖IC的實施例中，保護層106延伸至導(dǎo)電凸塊112的上部部分11 之下而與部分的導(dǎo)電凸塊112重疊。在一實施例中，導(dǎo)電凸塊112與保護層106重疊的部分大于與遮光層110重疊的部分。在圖IC的實施例中，遮光層110與導(dǎo)電凸塊112之間可隔有其他材料層，例如是凸塊下金屬層112a。在此情形下，遮光層110直接接觸凸塊下金屬層112a。此外，在一實施例中，遮光層110不直接接觸導(dǎo)電層102，其間例如隔有保護層106。圖2A至圖2C顯示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的晶片封裝體的制程剖面圖，其中相同或相似的標號用以標示相同或相似的元件。再者，部分的元件及其材質(zhì)與形成方法大抵相似于圖IA至圖IC的實施例，因而不再重復(fù)說明。如圖2A所示，在一實施例中，在形成保護層之前，先于基底100的表面IOOa上形成遮光層110。遮光層110例如可延伸導(dǎo)電層102之上。在一實施例中，遮光層與導(dǎo)電層直接接觸。然而，應(yīng)注意的是，本發(fā)明實施例的實施方式不限于此。在其他實施例中，遮光層110可僅形成于表面IOOa之上，但不延伸至導(dǎo)電層102之上而不與之直接接觸。或者， 遮光層110雖延伸至導(dǎo)電層102之上，但兩者之間可形成有其他材料層而彼此不直接接觸。 在一實施例中，遮光層110經(jīng)圖案化而具有至少一開口，其使導(dǎo)電層102至少部分露出。接著，如圖2B所示，于基底100的表面IOOa上形成保護層106。保護層106經(jīng)圖案化而僅覆蓋部分的遮光層110與部分的導(dǎo)電層102。在圖2B的實施例中，保護層106覆蓋部分的遮光層110，且保護層106的開口 108使另一部分的遮光層110露出。接著，如圖2C所示，于保護層106的開口 108所露出的導(dǎo)電層102上形成導(dǎo)電凸塊112，并可選擇性于導(dǎo)電凸塊112與導(dǎo)電層102之間形成凸塊下金屬層112a。導(dǎo)電凸塊 112包括填充于保護層106的開口 108中的底部部分113a及開口 108外的上部部分113b。 此外，導(dǎo)電凸塊112亦具有一凹陷114，其自導(dǎo)電凸塊112的一表面朝向?qū)щ娡箟K112的內(nèi)部延伸。遮光層110延伸至上部部分11 之下，并部分位于凹陷114之中，因而可有效阻擋光線或噪聲傳至光學元件101而影響其運作。在圖2C實施例中，保護層106延伸至導(dǎo)電凸塊112的上部部分11 之下而與部分的導(dǎo)電凸塊112重疊。在一實施例中，導(dǎo)電凸塊112與保護層106重疊的部分小于與遮光層110重疊的部分。圖3A至圖;3B顯示根據(jù)本發(fā)明又一實施例的晶片封裝體的制程剖面圖，其中相同或相似的標號用以標示相同或相似的元件。再者，部分的元件及其材質(zhì)與形成方法大抵相似于圖IA至圖IC的實施例，因而不再重復(fù)說明。如圖3A所示，在一實施例中，在形成保護層之前，先于基底100的表面IOOa上形成遮光層110。遮光層110例如可延伸導(dǎo)電層102之上。遮光層110經(jīng)圖案化而具有至少一開口而使導(dǎo)電層102至少部分露出。接著，于基底100的表面IOOa上形成保護層106。保護層106經(jīng)圖案化而具有露出部分的導(dǎo)電層102的開口 108。在圖3A的實施例中，保護層106將導(dǎo)電層102上的遮光層110大抵完全覆蓋。接著，如圖:3B所示，于保護層106的開口所露出的導(dǎo)電層102上形成導(dǎo)電凸塊 112，并可選擇性于導(dǎo)電凸塊112與導(dǎo)電層102之間形成凸塊下金屬層112a。導(dǎo)電凸塊112 包括填充于保護層106的開口 108中的底部部分113a及開口 108外的上部部分11北。此外，導(dǎo)電凸塊112亦具有一凹陷114，其自導(dǎo)電凸塊112的一表面朝向?qū)щ娡箟K112的內(nèi)部延伸。遮光層110延伸至上部部分11 之下，并部分位于凹陷114之中，因而可有效阻擋光線或噪聲傳至光學元件101而影響其運作。在圖;3B實施例中，保護層106延伸至導(dǎo)電凸塊112的上部部分11 之下而與部分的導(dǎo)電凸塊112重疊。在一實施例中，導(dǎo)電凸塊112與保護層106重疊的部分大于與遮光層110重疊的部分。此外，由于保護層106完全覆蓋導(dǎo)電層102上的遮光層110而位于導(dǎo)電凸塊112與遮光層110之間。遮光層110不與導(dǎo)電凸塊112直接接觸。在形成有凸塊下金屬層11 的情形下，遮光層110亦不與凸塊下金屬層11 直接接觸。圖4A至圖4C顯示根據(jù)本發(fā)明多個實施例的晶片封裝體的剖面圖，其中相同或相似的標號用以標示相同或相似的元件。再者，部分的元件及其材質(zhì)與形成方法大抵相似于圖IA至圖;3B的實施例，因而不再重復(fù)說明。在圖4A至圖4C的晶片封裝體中，穿基底導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可有其他變化。在圖4A至圖4C的實施例中，孔洞132具有“倒角結(jié)構(gòu)”。即，孔洞132的上開口 (接近表面IOOa的開口) 的口徑小于下開口(接近表面IOOb的開口)。在一些實施例中，形成具“倒角結(jié)構(gòu)”的孔洞 132將有利于后續(xù)各制程的進行。如圖4A至圖4C的實施例所示，遮光層110皆不位于孔洞 132中。如此，可增進晶片封裝體的可靠度。圖6A至圖6B分別顯示根據(jù)本發(fā)明實施例的晶片封裝體的剖面圖，其中相似或相同的標號用以標示相似或相同的元件。圖7A至圖7B顯示根據(jù)本發(fā)明實施例的晶片封裝體的俯視示意圖。圖6A顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的晶片封裝體，其相似于顯示于圖2C的結(jié)構(gòu)。然而，主要差別在于圖6A實施例的遮光層110具有介于孔洞132與光學元件101之間的側(cè)邊緣(side edge) IlOa0在此實施例中，遮光層110的側(cè)邊緣IlOa位于區(qū)域R之中，其為導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104于表面IOOa上的正投影區(qū)域。在此情形中，如圖7A所示，遮光層110與部分的導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104重疊。遮光層110的側(cè)邊緣IlOa位于光學元件101與孔洞132之間，且進一步位于區(qū)域R之中。相似地，圖6B顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的晶片封裝體，其相似于顯示于圖4C的結(jié)構(gòu)。主要差別在于圖6B實施例的遮光層110具有介于孔洞132與光學元件101之間的側(cè)邊緣(side edge) IlOa0在此實施例中，遮光層110的側(cè)邊緣IlOa位于區(qū)域R之中，其為導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104于表面IOOa上的正投影區(qū)域。在此情形中，如圖7A所示，遮光層110與部分的導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104重疊。遮光層110的側(cè)邊緣IlOa位于光學元件101與孔洞132之間，且進一步位于區(qū)域R之中。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明實施例不限于此。在其他實施例中，遮光層110的側(cè)邊緣 IlOa可不位于表面IOOa上的導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104的正投影區(qū)域之中。請參照圖7B，在此實施例中，遮光層110的側(cè)邊緣IlOa位于光學元件101與孔洞132之間，且不與其上的導(dǎo)電墊
結(jié)構(gòu)104重疊。如上所述，在本發(fā)明實施例的晶片封裝體中，遮光層設(shè)置于基底的一表面上，并進一步延伸于導(dǎo)電凸塊的凹陷中而與導(dǎo)電凸塊之間具有較大的重疊部分。因此，晶片封裝體的光學元件可更為精確地運作而不受光線或噪聲的影響。以上所述僅為本發(fā)明較佳實施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進一步的改進和變化，因此本發(fā)明的保護范圍當以本申請的權(quán)利要求書所界定的范圍為準。附圖中符號的簡單說明如下100 基底；100a、100b 表面；101 光學元件；102 導(dǎo)電層；104 導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)； 105 介電層；106 保護層；108 開；110 遮光層；IlOa 側(cè)邊緣；112 導(dǎo)電凸塊；112a 凸塊下金屬層；113aU13b 部分；114 凹陷；114a 側(cè)壁；130 絕緣層；132,402 孔洞；R 區(qū)域。
權(quán)利要求
1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括 一基底，具有一第一表面及一第二表面； 一光學元件，設(shè)置于該第一表面上；一導(dǎo)電層，位于該第二表面上，且電性連接該光學元件；一保護層，設(shè)置于該第二表面及該導(dǎo)電層之上，該保護層具有一開口，露出該導(dǎo)電層； 一導(dǎo)電凸塊，設(shè)置于該第二表面上，該導(dǎo)電凸塊具有一底部部分及一上部部分，該底部部分填充于該開口中而與露出的該導(dǎo)電層電性接觸，該上部部分位于該開口之外，并朝遠離該開口的方向延伸；一凹陷，自該導(dǎo)電凸塊的一表面朝向該導(dǎo)電凸塊的內(nèi)部延伸；以及一遮光層，設(shè)置于該第二表面上，且延伸至該導(dǎo)電凸塊的該上部部分之下，并部分位于該凹陷之中而與部分的該導(dǎo)電凸塊重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，部分該遮光層位于該導(dǎo)電凸塊與該保護層之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，部分該遮光層位于該導(dǎo)電凸塊與該導(dǎo)電層之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，部分該保護層介于該導(dǎo)電凸塊與該遮光層之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層不與該導(dǎo)電凸塊直接接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一凸塊下金屬層，該凸塊下金屬層位于該導(dǎo)電凸塊與該導(dǎo)電層之間，且位于該導(dǎo)電凸塊與該遮光層之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片封裝體，其特征在于，部分該遮光層直接接觸該凸塊下
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層不直接接觸該凸塊下金屬層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層包括一負型光致抗蝕劑。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層至少包括一金屬材料層與一絕緣層，該絕緣層至少介于該金屬材料層與該凸塊下金屬層之間，或至少介于該金屬材料層與該導(dǎo)電層之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一孔洞，該孔洞自該第二表面朝該第一表面延伸，且該導(dǎo)電層延伸于該孔洞的一側(cè)壁。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層不位于該孔洞之中。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該保護層延伸至該導(dǎo)電凸塊的該上部部分之下而與部分的該導(dǎo)電凸塊重疊。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體，其特征在于，該導(dǎo)電凸塊與該保護層重疊的部分大于該導(dǎo)電凸塊與該遮光層重疊的部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體，其特征在于，該導(dǎo)電凸塊與該保護層重疊的部分小于該導(dǎo)電凸塊與該遮光層重疊的部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該凹陷的一側(cè)壁具有一平坦表面，該平坦表面平行于該基底的該第二表面。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層不直接接觸該導(dǎo)電層。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層直接接觸該導(dǎo)電層。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層具有一側(cè)邊緣，該側(cè)邊緣位于該孔洞與該光學元件之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層的該側(cè)邊緣位于導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)于該第二表面上的一正投影區(qū)域之中。
全文摘要
一種晶片封裝體，包括基底，具有第一表面及第二表面；光學元件，設(shè)置于該第一表面上；導(dǎo)電層，位于該第二表面上，且電性連接該光學元件；保護層，設(shè)置于該第二表面及該導(dǎo)電層之上，該保護層具有開口，露出該導(dǎo)電層；導(dǎo)電凸塊，設(shè)置于該第二表面上，該導(dǎo)電凸塊具有底部部分及上部部分，該底部部分填充于該開口中而與露出的該導(dǎo)電層電性接觸，該上部部分位于該開口之外，并朝遠離該開口的方向延伸；凹陷，自該導(dǎo)電凸塊的表面朝向該導(dǎo)電凸塊的內(nèi)部延伸；以及遮光層，設(shè)置于該第二表面上，且延伸至該導(dǎo)電凸塊的該上部部分之下，并部分位于該凹陷之中而與部分的該導(dǎo)電凸塊重疊。本發(fā)明可使光學元件更為精確地運作而不受光線或噪聲的影響。
文檔編號H01L31/0203GK102201458SQ20111007620
公開日2011年9月28日 申請日期2011年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月23日
發(fā)明者樓百堯, 許傳進, 邱新智, 鄭家明 申請人:精材科技股份有限公司