專利名稱：電介質(zhì)陶瓷、電介質(zhì)陶瓷的生產(chǎn)方法和電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末的生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及能夠?qū)⒕哂蠥g等作為主組分的低熔點(diǎn)導(dǎo)體材料用于內(nèi)部電極的具有低溫?zé)Y(jié)性的電介質(zhì)陶瓷、電介質(zhì)陶瓷的生產(chǎn)方法和生產(chǎn)所述電介質(zhì)陶瓷用粉末的生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)：
最近，將約幾百M(fèi)Hz至幾GHz的稱為所謂“準(zhǔn)微波”的高頻帶用于其需求日益增加的手機(jī)和其它此類移動(dòng)通信器件。因此，需要具有良好高頻性的器件(下文中稱為“高頻器件”)作為用于移動(dòng)通信器件的電子器件如濾波器、共振器和電容器等。此外，隨著最近移動(dòng)通信器件的小型化，也要求高頻器件的小型化。關(guān)于此類高頻器件，依賴于預(yù)期目的，期望在使用的頻率中相對(duì)電容率(relative permittivity)為30至60和低介電損耗的電介質(zhì)材料。作為此類電介質(zhì)材料，在具有 BaO-TiO2系化合物作為主組分的材料中，已提出包括BaTi4O9和Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相的電介質(zhì)材料。例如，日本特開(kāi)專利公布5-70222公開(kāi)了抑制裂紋發(fā)生的BaO · XTiO2電介質(zhì)陶瓷，其包括BaTi4O9和Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相，并且其具有小于0. 19的Ba2Ti9O2tl相對(duì)于BaTi4O9和 Ba2Ti9O20總和的含量比。當(dāng)形成高頻器件時(shí)，由于共燒(co-fired)在高頻器件中的電介質(zhì)材料與將用作內(nèi)部電極和配線的導(dǎo)體材料，因此導(dǎo)體材料需要具有高于電介質(zhì)材料的燒結(jié)溫度的熔點(diǎn)從而其在與電介質(zhì)材料共燒期間不會(huì)熔融。對(duì)于BaO-TiO2系電介質(zhì)材料，燒結(jié)溫度為1，OOO0C 以上，這非常高。因此，通常，必須將具有高熔點(diǎn)但昂貴的Pd或Pt用于導(dǎo)體材料。另一方面，Ag或具有Ag作為主組分的合金(下文中稱為“Ag系金屬”)便宜，具有低電阻，并且由于在高頻區(qū)域的傳導(dǎo)而能夠減少損耗。然而，當(dāng)將Ag系金屬用作導(dǎo)體材料時(shí)，Ag系金屬具有約900°C低于1000°C的熔點(diǎn)，其低于電介質(zhì)材料的燒結(jié)溫度。因此，當(dāng)試圖通過(guò)共燒獲得包括導(dǎo)體材料和電介質(zhì)材料的多功能基板(其中低熔點(diǎn)導(dǎo)體材料如Ag系金屬用作內(nèi)部電極)時(shí)，有必要將燒結(jié)溫度降低至例如約900°C。然而，當(dāng)共燒使用低熔點(diǎn)導(dǎo)體材料如Ag系金屬作為內(nèi)部電極的多功能基板時(shí)，對(duì)于包括BaTi4O9和Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相作為主組分的BaO-TiO2系電介質(zhì)材料，存在以下問(wèn)題如果包括較大量的BaTi4O9結(jié)晶相和較小量的Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相，則即使添加用于低溫?zé)齐娊橘|(zhì)材料副組分，也不能充分地進(jìn)行燒結(jié)。因此，電介質(zhì)材料的介電特性如介電常數(shù)er和 Qf劣化，電介質(zhì)材料的機(jī)械強(qiáng)度降低。Qf表示品質(zhì)因子Q= l/tanS和共振頻率f的乘積。如果介電損耗降低，Qf因子增大。術(shù)語(yǔ)“介電損耗”是指高頻電子部件的電損耗。存在對(duì)于具有大Qf因子的低損耗電介質(zhì)材料的需求。此外，還存在以下問(wèn)題為了進(jìn)行充分的燒結(jié)，如果將當(dāng)共燒包括低熔點(diǎn)導(dǎo)體材料和電介質(zhì)材料的多功能基板時(shí)的燒結(jié)溫度升高至例如960°C以上，在導(dǎo)體材料中的Ag熔融。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明一方面的電介質(zhì)陶瓷包括主組分和副組分，所述主組分包含BaTi4O9 結(jié)晶相和Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相并由組成式(BaOqTiO2)表示，所述主組分具有TiO2相對(duì)于BaO 的摩爾比X，所述摩爾比χ在4. 6至8. 0的范圍內(nèi)，并且在X-射線衍射中，所述主組分具有 BaTi4O9結(jié)晶相最大衍射峰強(qiáng)度(I14)與Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相最大衍射峰強(qiáng)度(I29)的X-射線衍射峰強(qiáng)度比129/114，所述X-射線衍射峰強(qiáng)度比I29A14為1以上；所述副組分包含硼氧化物和銅氧化物，其中所述硼氧化物的含量以B2O3計(jì)在0. 5質(zhì)量份至5. 0質(zhì)量份的范圍內(nèi)，相對(duì)于100質(zhì)量份所述主組分，所述銅氧化物的含量以CuO計(jì)在0. 1質(zhì)量份至3. 0質(zhì)量份的范圍內(nèi)，基于100質(zhì)量份所述主組分。根據(jù)本發(fā)明另一方面的方法用于生產(chǎn)電介質(zhì)陶瓷，所述電介質(zhì)陶瓷包括主組分和副組分，所述主組分包含BaTi4O9結(jié)晶相和Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相并由組成式(BaO ·χΤ 02)表示， 所述主組分具有TiO2相對(duì)于BaO的摩爾比X，所述摩爾比χ在4. 6至8. 0的范圍內(nèi)，所述副組分包含硼氧化物和銅氧化物，其中所述硼氧化物的含量以B2O3計(jì)在0. 5質(zhì)量份至5. 0質(zhì)量份的范圍內(nèi)，相對(duì)于100質(zhì)量份所述主組分，所述銅氧化物的含量以CuO計(jì)在0. 1質(zhì)量份至3. 0質(zhì)量份的范圍內(nèi)，相對(duì)于100質(zhì)量份所述主組分。所述方法包括通過(guò)混合含鋇原料粉末與含鈦原料粉末來(lái)生產(chǎn)包括BaTi4O9結(jié)晶相和Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相的主組分粉末；通過(guò)混合所述主組分粉末和包括所述硼氧化物和所述銅氧化物的所述副組分來(lái)生產(chǎn)電介質(zhì)陶瓷組合物；通過(guò)使用所述電介質(zhì)陶瓷組合物來(lái)生產(chǎn)成型體；通過(guò)層壓多個(gè)所述成型體生產(chǎn)層壓體；和通過(guò)燒結(jié)所述層壓體獲得燒結(jié)體。通過(guò)所述主組分粉末的χ-射線衍射獲得的所述 BaTi4O9結(jié)晶相最大衍射峰強(qiáng)度(I14)與所述Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相最大衍射峰強(qiáng)度(I29)的X-射線衍射峰強(qiáng)度比I29A14為1以上。根據(jù)本發(fā)明另一方面的方法用于生產(chǎn)電介質(zhì)陶瓷，所述電介質(zhì)陶瓷包括主組分和副組分，所述主組分含有Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相并由組成式(BaO · xTi02)表示，所述主組分具有 TiO2相對(duì)于BaO的摩爾比X，所述摩爾比χ在4. 6至8. 0的范圍內(nèi)，和所述副組分含有硼氧化物和銅氧化物，其中所述硼氧化物的含量以B2O3計(jì)在0. 5質(zhì)量份至5. 0質(zhì)量份的范圍內(nèi)， 相對(duì)于100質(zhì)量份所述主組分，所述銅氧化物的含量以CuO計(jì)在0. 1質(zhì)量份至3. 0質(zhì)量份的范圍內(nèi)，相對(duì)于100質(zhì)量份所述主組分。所述方法包括通過(guò)混合含鋇原料粉末與含鈦原料粉末并在滿足以下不等式(1)的溫度范圍內(nèi)的熱處理溫度Tl下熱處理所得粉末混合物來(lái)生產(chǎn)包括BaTi4O9結(jié)晶相和Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相的主組分粉末；通過(guò)混合所述主組分粉末和包括所述硼氧化物和所述銅氧化物的所述副組分來(lái)生產(chǎn)電介質(zhì)陶瓷組合物；通過(guò)使用所述電介質(zhì)陶瓷組合物來(lái)生產(chǎn)成型體；通過(guò)層壓多個(gè)所形成的成型體(formed bodies)來(lái)生產(chǎn)層壓體；和通過(guò)燒結(jié)所述層壓體獲得燒結(jié)體。當(dāng)測(cè)量所得粉末混合物的粒徑分布時(shí)，如果累積10%粒徑為Dltl，累積50%粒徑為D5tl，和累積90%粒徑為D9tl，則所得粉末混合物粒徑分布的指標(biāo)值α滿足等式(2)。Tl ≥ 1080+42/α(1)α = (D50-D10) / (D90-D10) (2)。根據(jù)本發(fā)明另一方面的方法用于生產(chǎn)電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末，所述電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末包括BaTi4O9結(jié)晶相和Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相，所述電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末由組成式 (BaO -XTiO2)表示，所述電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末具有TiO2相對(duì)于BaO的摩爾比χ，所述摩爾比χ在4. 6至8.0的范圍內(nèi)。所述方法包括通過(guò)混合含鋇原料粉末與含鈦原料粉末來(lái)制備原料粉末混合物；和熱處理所述原料粉末混合物以獲得電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末。經(jīng)熱處理的電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末通過(guò)X-射線衍射獲得的所述BaTi4O9結(jié)晶相最大衍射峰強(qiáng)度 (I14)與所述Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相最大衍射峰強(qiáng)度(I29)的X-射線衍射峰強(qiáng)度比I29A14為1以上。根據(jù)本發(fā)明另一方面的方法用于生產(chǎn)電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末，所述電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末包括Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相，所述電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末由組成式(Ba0*xTi02)表示， 所述電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末具有TiO2相對(duì)于BaO的摩爾比X，所述摩爾比χ在4. 6至8. 0 的范圍內(nèi)。所述方法包括通過(guò)混合含鋇原料粉末與含鈦原料粉末來(lái)制備原料粉末混合物； 和通過(guò)在滿足上述不等式(1)的溫度范圍內(nèi)的熱處理溫度Tl下熱處理所述原料粉末混合物來(lái)熱處理所述原料粉末混合物以獲得所述電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末。當(dāng)測(cè)量所述原料粉末混合物的粒徑分布時(shí)，如果累積10%粒徑為Dltl，累積50%粒徑為D5tl，和累積90%粒徑為 D9tl，則所述原料粉末混合物粒徑分布的指標(biāo)值α滿足上述等式(2)。當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，通過(guò)閱讀本發(fā)明的目前優(yōu)選實(shí)施方案的以下詳細(xì)描述，將更好地理解本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點(diǎn)以及技術(shù)和工業(yè)意義。


圖1為示出根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷的生產(chǎn)方法的流程圖；圖2為示出使用根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷獲得的帶通濾波器的構(gòu)造的示意性橫截面圖；和圖3為示出指標(biāo)值α和熱處理溫度Tl之間關(guān)系的圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將描述本發(fā)明的實(shí)施方案。然而，本發(fā)明不限于以下實(shí)施方案。電介質(zhì)陶瓷根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷包括主組分，所述主組分包含BaTi4O9結(jié)晶相和Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相并由組成式(BaO ·χ 02)表示，所述主組分具有在4. 6至8. 0范圍內(nèi)的 TiO2相對(duì)于BaO的摩爾比X，并且在X-射線衍射中，所述主組分具有1以上的BaTi4O9結(jié)晶相最大衍射峰強(qiáng)度(I14)與Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相最大衍射峰強(qiáng)度(I29)的X-射線衍射峰強(qiáng)度比 129/114。此外，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷包括副組分，所述副組分包含硼氧化物和銅氧化物，其中所述硼氧化物的含量以B2O3計(jì)為0. 5質(zhì)量份以上至5. 0質(zhì)量份以下，相對(duì)于 100質(zhì)量份所述主組分，所述銅氧化物的含量以CuO計(jì)為0. 1質(zhì)量份以上至3. 0質(zhì)量份以下，基于100質(zhì)量份所述主組分。
在本說(shuō)明書中，術(shù)語(yǔ)“電介質(zhì)陶瓷組合物”是指電介質(zhì)陶瓷的原料組合物。作為燒結(jié)體的電介質(zhì)陶瓷可通過(guò)將原料組合物燒結(jié)來(lái)獲得。此外，“燒結(jié)”是指其中將電介質(zhì)陶瓷組合物轉(zhuǎn)化成稱為“燒結(jié)體”的致密物體的現(xiàn)象。通常，與預(yù)加熱的電介質(zhì)陶瓷組合物相比， 燒結(jié)體的密度和機(jī)械強(qiáng)度增大。此外，“燒結(jié)溫度”是指當(dāng)燒結(jié)電介質(zhì)陶瓷組合物時(shí)電介質(zhì)陶瓷組合物的溫度。此外，“燒制”是指為了燒結(jié)的目的進(jìn)行的熱處理，“燒制溫度”是指在熱處理期間電介質(zhì)陶瓷組合物暴露至其中的環(huán)境溫度。此外，關(guān)于根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷的預(yù)燒結(jié)電介質(zhì)陶瓷組合物是否能夠在低溫下燒制(低溫?zé)Y(jié)性)的評(píng)價(jià)可基于燒制幾種電介質(zhì)陶瓷組合物同時(shí)分別改變(降低)燒制溫度，并觀察電介質(zhì)陶瓷組合物是否充分燒結(jié)從而獲得期望高頻介電特性的電介質(zhì)陶瓷來(lái)判斷。此外，根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷的介電特性可基于Qf因子、由于溫度變化導(dǎo)致的共振頻率的變化(共振頻率溫度系數(shù)Tf)和介電常數(shù)ε r來(lái)評(píng)價(jià)。Qf因子和介電常數(shù)ε r可根據(jù)日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(Japanese Industrial Standards) " Method for Testing Dielectric Properties of Fine Ceramics for Microwaves" (JIS R1627, 1996)來(lái)測(cè)量。主組分在根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷中包括的主組分為包括BaTi4O9結(jié)晶相和 Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相的BaO-TiO2系化合物。通過(guò)包括這些結(jié)晶相，該化合物為介電常數(shù)^r為 30以上至60以下和高Qf因子的低損耗材料。當(dāng)該BaO-TiO2系化合物表示為BaO ·χΤ 02時(shí)，設(shè)定BaO ·χΤ 02中TiO2相對(duì)于BaO 的摩爾比χ以使其為4. 6以上至8.0以下。通過(guò)將摩爾比χ設(shè)定在該范圍內(nèi)，能夠調(diào)整生產(chǎn)的電介質(zhì)陶瓷的線膨脹系數(shù)和介電常數(shù)ε r，并能夠抑制由于調(diào)整Qf因子導(dǎo)致的電特性的劣化。典型地，通過(guò)焊接將使用電介質(zhì)陶瓷獲得的電子部件如濾波器安裝在樹脂基板上。如果摩爾比χ小于4. 6，具體地， 如果TiO2含量相對(duì)于BaO過(guò)低，由于線膨脹系數(shù)過(guò)度低于預(yù)期值，與目標(biāo)樹脂基板的線膨脹系數(shù)的差增大。另一方面，如果摩爾比χ大于8，具體地，如果TiO2含量相對(duì)于BaO過(guò)高， 雖然線膨脹系數(shù)略微增大，但介電常數(shù)ε r高于預(yù)期值，Qf因子趨于降低，并且介電特性劣化。因此，在根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷中包括的主組分具有在4. 6以上至8.0以下范圍內(nèi)的TiO2相對(duì)于BaO的摩爾比χ。在X-射線衍射中，根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷具有1以上的BaTi4O9結(jié)晶相最大衍射峰強(qiáng)度(I14)與Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相最大衍射峰強(qiáng)度(I29)的X-射線衍射峰強(qiáng)度比I29/ 114。此外，X-射線衍射峰強(qiáng)度比I29A14更優(yōu)選5以上，并更優(yōu)選7以上。通過(guò)將X-射線衍射峰強(qiáng)度比129/114設(shè)定為1以上，在主組分中包括的Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相的比例大于BaTi4O9結(jié)晶相的比例。因而，包括該主組分的電介質(zhì)陶瓷組合物能夠在Ag 系金屬不熔融的足夠低的溫度下與Ag系金屬共燒。此外，這也使得通過(guò)燒結(jié)電介質(zhì)陶瓷組合物獲得的根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷維持其介電特性如介電常數(shù)ε r和Qf。副組分在根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷中包括的副組分包括硼氧化物和銅氧化物。將副組分用作在燒制如下所述獲得的電介質(zhì)陶瓷組合物期間用于形成液相的燒結(jié)助劑。硼氧化物的實(shí)例包括B203。銅氧化物的實(shí)例包括CUO。添加作為副組分的硼氧化物和銅氧化物作為在燒制期間用于形成液相的燒結(jié)助劑能夠使得包括BaO-TiO2系化合物的主組分粉末能夠與低熔點(diǎn)導(dǎo)體材料如Ag系金屬共燒。從而，能夠?qū)崿F(xiàn)低溫?zé)啤４送?，通過(guò)包括銅氧化物作為副組分，如果在作為主組分的BaO · XTiO2中的摩爾比χ在上述范圍內(nèi)，則能夠?qū)崿F(xiàn)低溫?zé)Y(jié)，并且能夠維持Qf因子。硼氧化物含量以B2O3計(jì)為0. 5質(zhì)量份以上至5. 0質(zhì)量份以下，相對(duì)于100質(zhì)量份主組分。氧化銅含量以CuO計(jì)為0. 1質(zhì)量份以上至3. 0質(zhì)量份以下，相對(duì)于100質(zhì)量份主組分。Qf因子的劣化是指存在更大的電子部件損耗。因此，Qf因子越大，越能抑制電子部件損耗。將硼氧化物和銅氧化物的含量設(shè)定在上述范圍內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)電介質(zhì)陶瓷組合物的低溫?zé)Y(jié)同時(shí)將根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷的Qf因子維持在等于或大于預(yù)定值(例如 10，000GHz)。因而，能夠在用于具有低熔點(diǎn)導(dǎo)體材料如Ag系金屬作為內(nèi)部電極的電子部件的低溫下燒結(jié)根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷。雖然為了開(kāi)發(fā)主組分的特性(Qf因子)，越小的硼氧化物含量越有效，但如果硼氧化物含量相對(duì)于100質(zhì)量份主組分小于0. 5質(zhì)量份，則其變得難以在允許與導(dǎo)體材料如Ag 系金屬共燒的溫度下進(jìn)行低溫?zé)?，并且Qf因子也降低。為此原因，將硼氧化物含量設(shè)定為0. 5質(zhì)量份以上。此外，雖然較大的硼氧化物含量使得低溫?zé)迫菀祝绻鹧趸锖肯鄬?duì)于100質(zhì)量份主組分大于5.0質(zhì)量份，則主組分的特性(Qf因子)劣化，低溫?zé)埔沧兊酶щy，并且燒制后的密度劣化。為此原因，將硼氧化物含量設(shè)定為5.0質(zhì)量份以下。 優(yōu)選以約2. 5質(zhì)量份的含量包括硼氧化物。雖然為了開(kāi)發(fā)主組分的特性(Qf因子)，越小的銅氧化物含量越有效，但如果銅氧化物含量小于0. 1質(zhì)量份，則其變得難以在允許與低熔點(diǎn)導(dǎo)體材料如Ag系金屬共燒的溫度下進(jìn)行低溫?zé)疲⑶襋f因子也降低。為此原因，將銅氧化物含量設(shè)定為0. 1質(zhì)量份以上。 此外，雖然較大的銅氧化物含量使得低溫?zé)迫菀?，但如果銅氧化物含量大于3.0質(zhì)量份， 則主組分的特性(Qf因子)劣化，低溫?zé)埔沧兊酶щy，并且燒制后的密度劣化。為此原因，將銅氧化物含量設(shè)定為3. 0質(zhì)量份以下。優(yōu)選以約1質(zhì)量份的含量包括銅氧化物。除了硼氧化物和銅氧化物之外，根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷還可包括氧化鋅作為副組分。氧化鋅的實(shí)例包括ZnO。除了硼氧化物和銅氧化物之外添加少量氧化鋅作為副組分能夠?qū)崿F(xiàn)甚至更低的低溫?zé)?。?yōu)選氧化鋅含量以ZnO計(jì)為0. 1質(zhì)量份以上至5. 0質(zhì)量份以下，相對(duì)于100質(zhì)量份主組分。雖然根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷可包括氧化鋅，但其沒(méi)有玻璃組分。根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷，通過(guò)將X-射線衍射峰強(qiáng)度比129/114設(shè)定為1以上，不僅能夠在Ag系金屬不熔融的足夠低的溫度下將電介質(zhì)陶瓷組合物與低熔點(diǎn)導(dǎo)體材料如Ag系金屬共燒，而且能夠維持介電特性和機(jī)械強(qiáng)度。電介質(zhì)陶瓷的生產(chǎn)方法現(xiàn)在將描述根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷的生產(chǎn)方法。圖1為示出根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷的生產(chǎn)方法的流程圖。如圖1所示，根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷的生產(chǎn)方法生產(chǎn)包括包含BaO-TiO2系化合物作為主組分和硼氧化物和銅氧化物作為副組分的電介質(zhì)陶瓷，所述BaO-TiO2系化合物含有BaTi4O9結(jié)晶相和Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相。這些方法包括以下步驟(a)通過(guò)混合作為主組分的含鋇原料粉末與含鈦原料粉末來(lái)生產(chǎn)主組分粉末(步驟 Sll)；(b)從主組分粉末和副組分生產(chǎn)電介質(zhì)陶瓷組合物(步驟S12)；(c)通過(guò)將包括電介質(zhì)陶瓷組合物粉末的糊劑(paste)涂布至基板上來(lái)生產(chǎn)成型體(步驟S13)；(d)通過(guò)層壓多個(gè)生坯片來(lái)生產(chǎn)層壓體(步驟S14)；和(e)通過(guò)燒結(jié)層壓體獲得燒結(jié)體(步驟S15)。主組分粉末牛產(chǎn)步驟步驟Sll在主組分粉末生產(chǎn)步驟(步驟Sll)中，主組分粉末通過(guò)混合作為主組分的含鋇原料粉末與含鈦原料粉末來(lái)生產(chǎn)。主組分粉末生產(chǎn)步驟(步驟Sll)包括制備主組分原料粉末混合物的步驟(步驟S11-1)和熱處理(煅燒)主組分原料粉末混合物的步驟(步驟 S11-2)。將通過(guò)主組分粉末生產(chǎn)步驟(步驟Sll)獲得的主組分粉末用作電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末。在制備主組分原料粉末混合物的步驟(步驟S11-1)中，主組分原料粉末混合物通過(guò)混合作為主組分的含鋇原料粉末與含鈦原料粉末來(lái)制備。電介質(zhì)陶瓷的主組分用原料為例如碳酸鋇(BaCO3)、氧化鈦(TiO2)或BaO-TiO2系化合物，或通過(guò)燒制(熱處理如下述煅燒)轉(zhuǎn)化為這些氧化物的化合物。當(dāng)通過(guò)熱處理如下述煅燒來(lái)燒制時(shí)能夠轉(zhuǎn)化為這些氧化物的化合物的實(shí)例包括碳酸鹽、硝酸鹽、草酸鹽、氫氧化物、硫化物和有機(jī)金屬化合物。稱量預(yù)定量的用作主組分原料的含鋇原料粉末和含鈦原料粉末兩者并混合。在混合前，稱量各原料以使在電介質(zhì)陶瓷主組分的組成式BaO -XTiO2中TiO2相對(duì)于BaO的摩爾比χ在上述范圍內(nèi)。具體地，進(jìn)行混合以使當(dāng)BaO-TiO2系化合物表示為BaO ·χΤ 02時(shí)，TiO2 相對(duì)于BaO的摩爾比χ為4. 6以上至8. 0以下。如上所述，通過(guò)將TiO2相對(duì)于BaO的摩爾比χ設(shè)定在上述范圍內(nèi)，能夠調(diào)整生產(chǎn)的電介質(zhì)陶瓷的線膨脹系數(shù)和介電常數(shù)ε r和Qf因子，并且能夠抑制電特性中的劣化。能夠通過(guò)混合方法如干式混合或濕式混合來(lái)進(jìn)行BaCO3 粉末和TiO2粉末的混合。例如，可用混合/分散機(jī)如球磨機(jī)使用溶劑如純水或乙醇來(lái)進(jìn)行混合。當(dāng)使用球磨機(jī)時(shí)混合時(shí)間可為約4至24小時(shí)。優(yōu)選在100°C以上至200°C以下，更優(yōu)選120°C以上至140°C以下來(lái)干燥含鋇原料粉末和含鈦原料粉末的主組分原料粉末混合物約12至36小時(shí)。在制備主組分原料粉末后， 該工藝進(jìn)行至煅燒主組分原料粉末混合物的步驟(步驟S11-2)。主組分原料粉末混合物煅燒(熱處理)步驟步驟Sl 1-2在煅燒(熱處理)主組分原料粉末混合物的步驟(步驟S11-2)中，主組分粉末通過(guò)煅燒(熱處理)主組分原料粉末混合物獲得。將主組分原料粉末在1，iocrc以上至 1，4000C以下的溫度下煅燒(熱處理)約1至10小時(shí)。煅燒(熱處理)溫度優(yōu)選1，IOO0C 以上至l·，400°C以下，更優(yōu)選1，IOO0C以上至1，3500C以下。由于煅燒(熱處理)，能夠獲得其中合成BaO-TiO2系化合物的電介質(zhì)陶瓷主組分粉末。通過(guò)煅燒(熱處理)主組分原料粉末獲得的主組分粉末包括BaTi4O9結(jié)晶相和Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相。制備主組分粉末，以使在X-射線衍射中，BaTi4O9結(jié)晶相最大衍射峰強(qiáng)度(I14)與 Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相最大衍射峰強(qiáng)度(I29)的X-射線衍射峰強(qiáng)度比129/114為1以上。此外， X-射線衍射峰強(qiáng)度比I29A14更優(yōu)選5以上，并更優(yōu)選7以上。
當(dāng)X-射線衍射峰強(qiáng)度比129/114為1以上時(shí)，主組分粉末包括比BaTi4O9結(jié)晶相更多的Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相。因而，能夠在Ag系金屬不熔融的足夠低的溫度下將使用該主組分粉末獲得的電介質(zhì)陶瓷組合物與Ag系金屬共燒，此外通過(guò)燒結(jié)電介質(zhì)陶瓷組合物獲得的電介質(zhì)陶瓷能夠維持其介電特性如介電常數(shù)ε r和Qf，以及機(jī)械強(qiáng)度。在由含鋇原料粉末和含鈦原料粉末形成的主組分原料粉末混合物的煅燒期間，將熱處理溫度Tl設(shè)定在滿足以下不等式(1)的溫度范圍內(nèi)。此外，當(dāng)測(cè)量主組分原料粉末混合物的粒徑分布時(shí)，如果累積10%粒徑為Dltl，累積50%粒徑為D5tl，和累積90%粒徑為D9tl， 則主組分原料粉末混合物粒徑分布的指標(biāo)值α滿足以下等式(2)Tl 彡 1080+42/α(1)α = (D50-D10) / (D90-D10) (2)術(shù)語(yǔ)“累積50%粒徑”是指在原料粉末混合物的粒徑分布中累積頻率達(dá)到50%的粒徑。這稱為所有顆粒粒徑的“平均粒徑”。術(shù)語(yǔ)“累積90%粒徑”是指在原料粉末混合物的粒徑分布中累積頻率達(dá)到90%的粒徑。術(shù)語(yǔ)“累積10%粒徑”是指在原料粉末混合物的粒徑分布中累積頻率達(dá)到10%的粒徑。使用主組分原料粉末混合物的累積10%粒徑Dltl、累積50%粒徑D5tl和累積90% 粒徑D9tl，和使用上述等式(2)，如果主組分原料粉末混合物的粒徑分布為指標(biāo)值α，當(dāng)熱處理溫度Tl在滿足上述不等式(1)的溫度范圍內(nèi)時(shí)，主組分粉末包括比BaTi4O9結(jié)晶相多的 Ba2Ti9O20結(jié)晶相。因而，能夠在Ag系金屬不熔融的足夠低的溫度下將使用該主組分粉末獲得的電介質(zhì)陶瓷組合物與Ag系金屬共燒。此外，通過(guò)燒結(jié)電介質(zhì)陶瓷組合物獲得的電介質(zhì)陶瓷能夠維持其介電特性如介電常數(shù)ε r和Qf，以及機(jī)械強(qiáng)度。優(yōu)選Tl和α還滿足以下不等式(3)和(4)Tl 彡 1080+62/α (3)A 彡 0. 350(4)。通過(guò)設(shè)定以滿足上述不等式(3)和(4)，BaTi4O9結(jié)晶相最大衍射峰強(qiáng)度(I14)與 Ba2Ti9O20結(jié)晶相最大衍射峰強(qiáng)度(I29)的X-射線衍射峰強(qiáng)度比I29A14變?yōu)?以上，因而能夠充分地生產(chǎn)Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相。在獲得電介質(zhì)陶瓷主組分粉末后，該工藝進(jìn)行至生產(chǎn)電介質(zhì)陶瓷組合物的步驟 (步驟S12)。電介質(zhì)陶瓷組合物生產(chǎn)步驟步驟S12在生產(chǎn)電介質(zhì)陶瓷組合物(步驟S12)的步驟中，由主組分和副組分形成的電介質(zhì)陶瓷組合物通過(guò)在粉碎主組分粉末的同時(shí)混合副組分粉末來(lái)獲得。通過(guò)粉碎主組分粉末， 獲得具有期望平均粒徑的主組分粉末。此外，電介質(zhì)陶瓷組合物能夠通過(guò)混合獲得的主組分粉末與作為在電介質(zhì)陶瓷組合物中的副組分原料的硼氧化物和銅氧化物而獲得。在電介質(zhì)陶瓷組合物中的副組分原料通過(guò)稱量預(yù)定量的硼氧化物和銅氧化物兩者制備。硼氧化物的實(shí)例包括Β203。銅氧化物的實(shí)例包括CUO。此外，當(dāng)通過(guò)熱處理如下述煅燒燒制時(shí)轉(zhuǎn)化為硼氧化物或銅氧化物的化合物也可用作副組分原料。作為在電介質(zhì)陶瓷組合物中的副組分原料，除了硼氧化物和銅氧化物之外，可使用氧化鋅、氧化鋰、堿土金屬氧化物或當(dāng)通過(guò)熱處理如下述煅燒燒制時(shí)轉(zhuǎn)化為這些氧化物的化合物。通過(guò)燒制(熱處理如下述煅燒)能夠轉(zhuǎn)化為這些氧化物的化合物實(shí)例包括碳酸鹽、硝酸鹽、草酸鹽、氫氧化物、硫化物和有機(jī)金屬化合物。進(jìn)行各副組分原料的稱量以使在成品電介質(zhì)陶瓷組合物中各副組分的含量相對(duì)于主組分為上述期望比(質(zhì)量份)。具體地，進(jìn)行稱量以使硼氧化物含量以B2O3計(jì)為0.5 質(zhì)量份以上至5. 0質(zhì)量份以下，相對(duì)于100質(zhì)量份主組分，銅氧化物含量以CuO計(jì)為0. 1質(zhì)量份以上至3. 0質(zhì)量份以下，相對(duì)于100質(zhì)量份主組分。此外，任選地，制備預(yù)定量的氧化鋅(ZnO)用于副組分?？赏ㄟ^(guò)混合方法如干式混合或濕式混合進(jìn)行混合。例如，混合可用混合/分散機(jī)如球磨機(jī)使用溶劑如純水或乙醇來(lái)進(jìn)行?；旌蠒r(shí)間可為約4至24小時(shí)。電介質(zhì)陶瓷組合物優(yōu)選在100°C以上至200°C以下，更優(yōu)選120°C以上至140°C以下干燥約12 至36小時(shí)。粉碎可通過(guò)粉碎方法如干式粉碎或濕式粉碎來(lái)進(jìn)行。例如，粉碎可通過(guò)用球磨機(jī)使用溶劑如純水或乙醇的濕式粉碎來(lái)進(jìn)行。粉碎時(shí)間不特別限定，可進(jìn)行設(shè)定以獲得具有期望平均粒徑的主組分粉末。例如，粉碎時(shí)間可為約16至10小時(shí)。粉末的干燥優(yōu)選在100°C 以上至200°C以下，更優(yōu)選120°C以上至140°C以下的干燥溫度下進(jìn)行約12至36小時(shí)。由主組分和副組分形成的電介質(zhì)陶瓷組合物可在低于下述燒制溫度(860°C以上至1，OOO0C以下)的溫度下，例如600°C以上至800°C以下進(jìn)行約1至10小時(shí)。如果進(jìn)行該煅燒，將煅燒的粉末粉碎并干燥，從而獲得電介質(zhì)陶瓷組合物。粉碎可通過(guò)粉碎方法如干式粉碎或濕式粉碎來(lái)進(jìn)行。例如，粉碎可用球磨機(jī)使用溶劑如純水或乙醇來(lái)進(jìn)行。將粉碎時(shí)間設(shè)定為約4至24小時(shí)。粉碎的電介質(zhì)陶瓷組合物的干燥優(yōu)選在 IOO0C以上至200°C以下，更優(yōu)選120°C以上至140°C以下的處理溫度下進(jìn)行約12至36小時(shí)。在獲得電介質(zhì)陶瓷組合物后，該工藝進(jìn)行至生產(chǎn)成型體的步驟(步驟S13)。成型體生產(chǎn)步驟步驟S13在生產(chǎn)成型體的步驟(步驟S13)中，將包括電介質(zhì)陶瓷組合物粉末的糊劑涂布至基板上以生產(chǎn)成型體。將獲得的電介質(zhì)陶瓷組合物粉末添加至有機(jī)粘合劑如聚乙烯醇粘合劑、丙烯酸類粘合劑或乙基纖維素粘合劑。然后，將所得混合物形成為片形，從而獲得生坯片。用于形成生坯片的方法的實(shí)例包括濕式成型如成片法(sheet method)和印刷法 (printing method)和干式成型法如加壓成型(press molding)。在生產(chǎn)成型體后，該工藝進(jìn)行至生產(chǎn)層壓體的步驟(步驟S14)。層壓體生產(chǎn)步驟步驟S14在生產(chǎn)層壓體的步驟(步驟S14)中，將包含Ag的導(dǎo)電性糊劑涂布至形成的生坯片上從而形成具有期望形狀的內(nèi)部電極。其中涂布有導(dǎo)電性糊劑的多個(gè)生坯片根據(jù)需要生成。將這些生坯片層壓并加壓從而獲得層壓體。此外，任選地，將導(dǎo)電性糊劑涂布在該層壓體上從而形成具有預(yù)定形狀的端子(terminal)。隨后，將層壓體進(jìn)行溶劑除去處理，并通過(guò)干燥從導(dǎo)電性糊劑除去有機(jī)溶劑。在生產(chǎn)層壓體后，該工藝進(jìn)行至燒制層壓體的步驟(步驟 S15)。燒制步驟步驟S15在燒制步驟(步驟S15)中，由獲得的層壓體除去粘合劑，然后將其燒制以獲得燒結(jié)體。從而，獲得根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷。燒制優(yōu)選例如在氧氣氛如空氣中進(jìn)行。燒制溫度優(yōu)選等于或低于用作導(dǎo)體材料的Ag系金屬的熔點(diǎn)。具體地，燒制溫度優(yōu)選860°C以上至1，000°C以下，更優(yōu)選880°C以上至940°C以下。將燒結(jié)體冷卻，然后任選地在獲得的電介質(zhì)陶瓷上形成外部電極等。將電介質(zhì)陶瓷切斷為期望尺寸，由此完成在電介質(zhì)陶瓷上形成的具有外部電極等的電子部件。如果如上所述使用根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷的生產(chǎn)方法，由于獲得的電子部件包括根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷，因此不僅能夠在Ag系金屬不熔融的足夠低的溫度下將電介質(zhì)陶瓷組合物與低熔點(diǎn)導(dǎo)體材料如Ag系金屬共燒，而且能夠提供具有優(yōu)良介電特性和機(jī)械強(qiáng)度的電子部件。電子部件 使用根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷獲得的電子部件的應(yīng)用實(shí)例包括例如在手機(jī)中進(jìn)行的高頻通信用帶通濾波器。圖2為示出使用根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷獲得的帶通濾波器構(gòu)造的示意性橫截面圖。如圖2所示，帶通濾波器10包括多個(gè)電介質(zhì)層11、線圈 12、電容器圖案部13-1至13-3和通路(via)(通路導(dǎo)體)14。電介質(zhì)層11由用于形成根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷的電介質(zhì)陶瓷組合物形成。線圈12和電容器圖案部13-1至13-3 由Ag導(dǎo)體形成。通路14為填充有使得線圈12和電容器圖案部13-1至13-3之間導(dǎo)通的 Ag導(dǎo)體的通路孔部。通路14形成有LC共振回路。電容器圖案部13-1通過(guò)通路(via)(通路導(dǎo)體)14與線圈12連接。雖然在帶通濾波器10中的電容器部為三層結(jié)構(gòu)，但帶通濾波器10不限于三層結(jié)構(gòu)，可形成任意多層結(jié)構(gòu)。如上所述，在電介質(zhì)層11的生產(chǎn)中，使用包括用于主組分的其中BaO-TiO2系化合物的電介質(zhì)陶瓷組合物，所述BaO-TiO2系化合物中 Ba2Ti9O20結(jié)晶相的比例大于BaTi4O9結(jié)晶相的比例。因而，帶通濾波器10可通過(guò)共燒上述電介質(zhì)陶瓷組合物與線圈12、電容器圖案部13-1至13-3和通路14來(lái)獲得，從而能夠維持電介質(zhì)層11的介電特性和強(qiáng)度。多個(gè)電介質(zhì)層11使用電介質(zhì)陶瓷組合物生產(chǎn)，在所述電介質(zhì)陶瓷組合物中，當(dāng)在主組分中包括的BaO-TiO2系化合物由組成式(BaO · xTi02)表示時(shí)，TiO2相對(duì)于BaO的摩爾比χ為4. 6以上至8. 0以下，硼氧化物含量以B2O3計(jì)為0. 5質(zhì)量份以上至5. 0質(zhì)量份以下，相對(duì)于100質(zhì)量份主組分，銅氧化物含量以CuO計(jì)為0. 1質(zhì)量份以上至3. 0質(zhì)量份以下， 相對(duì)于100質(zhì)量份主組分。如果例如將由線膨脹系數(shù)為13ppm/°C的材料形成的FR-4級(jí)樹脂基板和由線膨脹系數(shù)為10ppm/°C的材料形成的樹脂基板用作在其上安裝帶通濾波器10 的樹脂基板，當(dāng)將帶通濾波器10焊接至樹脂基板上時(shí)，生產(chǎn)的帶通濾波器10的線膨脹系數(shù)為約10ppm/°C，因此能夠降低與樹脂基板的差。因而，即使當(dāng)在_55°C以上至125°C以下的溫度條件和1，000個(gè)測(cè)試循環(huán)下進(jìn)行熱沖擊試驗(yàn)時(shí)，也能夠抑制在電介質(zhì)層11中裂紋的產(chǎn)生，并能夠防止帶通濾波器10與樹脂基板之間的焊接部分?jǐn)嗔?breaking)。根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷不限于圖2示出的電子部件，其中交替層壓電介質(zhì)層11和內(nèi)部電極。在其它電子部件中可優(yōu)選使用根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷，只要此電子部件包括電介質(zhì)11即可。此外，即使在單獨(dú)外部安裝另外(extra)元件的電子部件中也可優(yōu)選使用根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷。
實(shí)施例現(xiàn)在將參考以下實(shí)施例和比較例更詳細(xì)地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明不限于以下實(shí)施例。
t施例1-1革1-6 目分原 料粉末、混合物的指標(biāo)倌α以及、混合和分散件的i平價(jià)稱量99. 2%純BaCO3粉末和99. 8%純TiO2粉末作為主組分原料粉末，以使組成式為BaO ·χ 02。然后通過(guò)改變使用&02珠的混合/分散機(jī)的混合和分散條件來(lái)生產(chǎn)主組分原料粉末混合物(Α至F)。設(shè)定混合/分散機(jī)的處理?xiàng)l件，以使混合和分散性從處理?xiàng)l件a 至f依次提高。粒徑分布主組分原料粉末混合物(A至F)的粒徑分布使用激光衍射粒徑分布分析儀(商品名=Microtrac X100，由Nikkiso Co.，Ltd.制造)來(lái)測(cè)量。粒徑分布指標(biāo)值α由主組分原
料粉末混合物(Α至F)的測(cè)量結(jié)果計(jì)算。計(jì)算結(jié)果示于表1中。
權(quán)利要求
1.一種電介質(zhì)陶瓷，其包含主組分，所述主組分含有BaTi4O9結(jié)晶相和Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相并由組成式(BaO · xTi02) 表示，所述主組分具有TiO2相對(duì)于BaO的摩爾比X，所述摩爾比χ在4. 6至8. 0的范圍內(nèi)， 在X-射線衍射中，所述主組分具有BaTi4O9結(jié)晶相的最大衍射峰強(qiáng)度(I14)與Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相的最大衍射峰強(qiáng)度(I29)的χ-射線衍射峰強(qiáng)度比I29A14，所述X-射線衍射峰強(qiáng)度比I29/ I14為1以上；和副組分，所述副組分含有硼氧化物和銅氧化物，其中所述硼氧化物的含量以B2O3計(jì)在 0. 5質(zhì)量份至5. 0質(zhì)量份的范圍內(nèi)，相對(duì)于100質(zhì)量份所述主組分，所述銅氧化物的含量以 CuO計(jì)在0. 1質(zhì)量份至3. 0質(zhì)量份的范圍內(nèi)，基于100質(zhì)量份所述主組分。
2.一種電介質(zhì)陶瓷的生產(chǎn)方法，所述電介質(zhì)陶瓷包括主組分和副組分，所述主組分含有BaTi4O9結(jié)晶相和Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相并由組成式(BaO · xTi02)表示，所述主組分具有TiO2 相對(duì)于BaO的摩爾比X，所述摩爾比χ在4. 6至8. 0的范圍內(nèi)，所述副組分含有硼氧化物和銅氧化物，其中所述硼氧化物的含量以B2O3計(jì)在0. 5質(zhì)量份至5. 0質(zhì)量份的范圍內(nèi)，相對(duì)于 100質(zhì)量份所述主組分，所述銅氧化物的含量以CuO計(jì)在0. 1質(zhì)量份至3. 0質(zhì)量份的范圍內(nèi)，相對(duì)于100質(zhì)量份所述主組分，所述方法包括通過(guò)混合含鋇原料粉末與含鈦原料粉末來(lái)生產(chǎn)包括BaTi4O9結(jié)晶相和Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相的主組分粉末；通過(guò)混合所述主組分粉末與包括所述硼氧化物和所述銅氧化物的所述副組分來(lái)生產(chǎn)電介質(zhì)陶瓷組合物；通過(guò)使用所述電介質(zhì)陶瓷組合物來(lái)生產(chǎn)成型體；通過(guò)層壓多個(gè)所述成型體來(lái)生產(chǎn)層壓體；和通過(guò)燒結(jié)所述層壓體獲得燒結(jié)體，其中所述主組分粉末通過(guò)X-射線衍射獲得的所述BaTi4O9結(jié)晶相的最大衍射峰強(qiáng)度(I14) 與所述Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相的最大衍射峰強(qiáng)度(I29)的X-射線衍射峰強(qiáng)度比129/114為1以上。
3.一種電介質(zhì)陶瓷的生產(chǎn)方法，所述電介質(zhì)陶瓷包括主組分和副組分，所述主組分含有Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相并由組成式(BaOqTiO2)表示，所述主組分具有TiO2相對(duì)于BaO的摩爾比X，所述摩爾比χ在4. 6至8. 0的范圍內(nèi)，所述副組分含有硼氧化物和銅氧化物，其中所述硼氧化物的含量以B2O3計(jì)在0. 5質(zhì)量份至5. 0質(zhì)量份的范圍內(nèi)，相對(duì)于100質(zhì)量份所述主組分，所述銅氧化物的含量以CuO計(jì)在0. 1質(zhì)量份至3. 0質(zhì)量份的范圍內(nèi)，相對(duì)于100質(zhì)量份所述主組分，所述方法包括通過(guò)混合含鋇原料粉末與含鈦原料粉末并在滿足不等式(1)的溫度范圍內(nèi)的熱處理溫度Tl下熱處理所得粉末混合物來(lái)生產(chǎn)包括BaTi4O9結(jié)晶相和Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相的主組分粉末；通過(guò)混合所述主組分粉末與包括所述硼氧化物和所述銅氧化物的所述副組分來(lái)生產(chǎn)電介質(zhì)陶瓷組合物；通過(guò)使用所述電介質(zhì)陶瓷組合物來(lái)生產(chǎn)成型體；通過(guò)層壓多個(gè)所述成型體來(lái)生產(chǎn)層壓體；和通過(guò)燒結(jié)所述層壓體獲得燒結(jié)體，其中當(dāng)測(cè)量所得粉末混合物的粒徑分布時(shí)，如果累積10%粒徑為Dltl，累積50%粒徑為D5tl，和累積90%粒徑為D9tl，則所得粉末混合物粒徑分布的指標(biāo)值α滿足等式(2) Tl ^ 1080+42/α(1)α = (D50-D10)/(D90-D10) (2)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電介質(zhì)陶瓷的生產(chǎn)方法，其中所述Tl和α滿足不等式(3) 和(4)Tl 彡 1040+62/α(3)α 彡 0. 350(4)。
5.一種電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末的生產(chǎn)方法，所述電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末包括BaTi4O9 結(jié)晶相和Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相，所述電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末由組成式(Ba(^xTiO2)表示，所述電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末具有TiO2相對(duì)于B a0的摩爾比X，所述摩爾比χ在4. 6至8. 0的范圍內(nèi)，所述方法包括通過(guò)混合含鋇原料粉末與含鈦原料粉末來(lái)制備原料粉末混合物；和熱處理所述原料粉末混合物以獲得所述電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末，其中經(jīng)熱處理的電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末通過(guò)X-射線衍射獲得的所述BaTi4O9結(jié)晶相的最大衍射峰強(qiáng)度(I14)與所述Ba2Ti9O2tl結(jié)晶相的最大衍射峰強(qiáng)度(I29)的X-射線衍射峰強(qiáng)度比 129/114為1以上。
6.一種電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末的生產(chǎn)方法，所述電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末包括Ba2Ti9O2tl 結(jié)晶相，所述電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末由組成式(BaO -XTiO2)表示，所述電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末具有TiO2相對(duì)于BaO的摩爾比X，所述摩爾比χ在4. 6至8. 0的范圍內(nèi)，所述方法包括通過(guò)混合含鋇原料粉末與含鈦原料粉末來(lái)制備原料粉末混合物；和通過(guò)在滿足不等式(1)的溫度范圍內(nèi)的熱處理溫度Tl下熱處理所述原料粉末混合物， 將所述原料粉末混合物進(jìn)行熱處理以獲得所述電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末；當(dāng)測(cè)量所述原料粉末混合物的粒徑分布時(shí)，如果累積10%粒徑為Dltl，累積50%粒徑為 D5tl，和累積90%粒徑為D9tl，則所述原料粉末混合物粒徑分布的指標(biāo)值α滿足等式(2): Tl ^ 1080+42/α(1)α = (D50-D10)/(D90-D10) (2)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電介質(zhì)陶瓷生產(chǎn)用粉末的生產(chǎn)方法，其中所述Tl和α滿足不等式⑶和⑷Tl 彡 1040+62/α(3)α 彡 0. 350(4)。
全文摘要
一種電介質(zhì)陶瓷，其包括主組分和副組分。所述主組分包括BaTi4O9結(jié)晶相和Ba2Ti9O20結(jié)晶相，由(BaO·xTiO2)表示，具有4.6至8.0的TiO2相對(duì)于BaO的摩爾比x，并且在X-射線衍射中，具有1以上的BaTi4O9結(jié)晶相最大衍射峰強(qiáng)度(I14)與Ba2Ti9O20結(jié)晶相最大衍射峰強(qiáng)度(I29)的X-射線衍射峰強(qiáng)度比I29/I14。所述副組分包括硼氧化物和銅氧化物，其中所述硼氧化物含量在0.5至5.0質(zhì)量份的范圍內(nèi)，相對(duì)于100質(zhì)量份所述主組分，所述銅氧化物含量在0.1至3.0質(zhì)量份的范圍內(nèi)，相對(duì)于100質(zhì)量份所述主組分。
文檔編號(hào)H01B3/12GK102219503SQ20111008412
公開(kāi)日2011年10月19日 申請(qǐng)日期2011年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月31日
發(fā)明者中村知子, 中野貴弘, 宮內(nèi)泰治 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社