專利名稱：具有內(nèi)埋式電極的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、固態(tài)電容及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、固態(tài)電容及其制作方法，尤其涉及一種具有內(nèi)埋式電極的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容及其制作方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的SMD具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容中，內(nèi)部材料都需要通過導(dǎo)線架才能與外部的印刷電路板電路連結(jié)。傳統(tǒng)的SMD具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容會因其構(gòu)造而產(chǎn)生各種阻抗，其中較重要的就為等效串聯(lián)電阻(Equivalent Series Resistance, ESR),電容器的ESR將直接影響系統(tǒng)上漣波電壓的表現(xiàn)。ESR值與漣波電壓的關(guān)系可由以下公式表示V =R(ESR) X I，公式中的V表示漣波電壓，R表示電容的ESR，I表示系統(tǒng)所通過的電流值。由此公式可知，當(dāng)電流值增大，將造成漣波電壓呈倍數(shù)提高，為降低線路上的漣波電壓，采用 更低ESR值的電容器是勢在必行的方向。這也是如今3C產(chǎn)品上的主機板所用的電容，越來越強調(diào)低ESR的緣故。然而，公知SMD具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容都需外加導(dǎo)線架做為外電極，但此做法也增加了導(dǎo)線架與具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容接點所產(chǎn)生的介面阻抗，并引入了導(dǎo)線架本身的傳輸阻抗，此二者均會造成電容器的ESR值的升高。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，本發(fā)明實施例在于提供一種具有內(nèi)埋式電極的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容及其制作方法。本發(fā)明實施例提供一種具有內(nèi)埋式電極的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其包括一基板單兀、一第一導(dǎo)電單兀及一第二導(dǎo)電單兀?；鍐呜＞哂兄辽僖换灞倔w及一內(nèi)埋于基板本體內(nèi)的導(dǎo)電體，其中基板本體具有至少一側(cè)邊開口及多個頂面開口，且導(dǎo)電體具有至少一被側(cè)邊開口所裸露的側(cè)邊導(dǎo)電區(qū)及多個分別被上述多個頂面開口所裸露的頂面導(dǎo)電區(qū)。第一導(dǎo)電單元具有多個彼此分離地成形于基板本體上且分別覆蓋上述多個頂面導(dǎo)電區(qū)的第一導(dǎo)電層。第二導(dǎo)電單元具有多個彼此分離地成形于基板本體上且分別覆蓋上述多個第一導(dǎo)電層的第二導(dǎo)電層，其中每一個第二導(dǎo)電層的孔隙率大于每一個第一導(dǎo)電層的孔隙率。本發(fā)明實施例提供一種具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容，其包括一基板單兀、一第一導(dǎo)電單兀、一第二導(dǎo)電單兀、一第一絕緣單兀、一第三導(dǎo)電單兀、一第二絕緣單兀、及一末端電極單元。基板單元具有至少一基板本體及一內(nèi)埋于基板本體內(nèi)的導(dǎo)電體，其中基板本體具有至少一側(cè)邊開口及多個頂面開口，且導(dǎo)電體具有至少一被側(cè)邊開口所裸露的側(cè)邊導(dǎo)電區(qū)及多個分別被上述多個頂面開口所裸露的頂面導(dǎo)電區(qū)。第一導(dǎo)電單元具有多個彼此分離地成形于基板本體上且分別覆蓋上述多個頂面導(dǎo)電區(qū)的第一導(dǎo)電層。第二導(dǎo)電單元具有至少一成形于基板本體上且覆蓋上述多個第一導(dǎo)電層的第二導(dǎo)電層，其中第二導(dǎo)電層的孔隙率大于每一個第一導(dǎo)電層的孔隙率。第一絕緣單元具有至少一覆蓋第二導(dǎo)電層的外表面的第一絕緣層。第三導(dǎo)電單元具有至少一覆蓋第一絕緣層的第三導(dǎo)電層。第二絕緣單元具有至少一覆蓋第三導(dǎo)電層的其中一部分外表面的第二絕緣層，其中基板單元，第一導(dǎo)電單元、第二導(dǎo)電單元、第一絕緣單元、第三導(dǎo)電單元及第二絕緣單元組合成一核心單元。末端電極單元具有至少兩個分別包覆核心單元的兩相反末端部的末端電極導(dǎo)體，其中一個末端電極導(dǎo)體接觸側(cè)邊導(dǎo)電區(qū)，另外一個末端電極導(dǎo)體接觸第三導(dǎo)電層的另外一部分外表面。本發(fā)明實施例提供一種具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容的制作方法，其包括下列步驟提供一基板單元 ，其具有至少一基板本體及一內(nèi)埋于基板本體內(nèi)的導(dǎo)電體，其中基板本體具有至少一側(cè)邊開口及多個頂面開口，且導(dǎo)電體具有至少一被側(cè)邊開口所裸露的側(cè)邊導(dǎo)電區(qū)及多個分別被上述多個頂面開口所裸露的頂面導(dǎo)電區(qū)；成形多個第一導(dǎo)電層于基板本體上，以分別覆蓋上述多個頂面導(dǎo)電區(qū)；成形至少一第二導(dǎo)電層于基板本體上，以覆蓋上述多個第一導(dǎo)電層，其中第二導(dǎo)電層的孔隙率大于每一個第一導(dǎo)電層的孔隙率；成形至少一第一絕緣層，以覆蓋第二導(dǎo)電層的外表面；成形至少一第三導(dǎo)電層，以覆蓋第一絕緣層；成形至少一第二絕緣層，以覆蓋第三導(dǎo)電層的其中一部分外表面，其中基板單元，第一導(dǎo)電單元、第二導(dǎo)電單元、第一絕緣單元、第三導(dǎo)電單元及第二絕緣單元組合成一核心單元；成形至少兩個末端電極導(dǎo)體，以分別包覆核心單元的兩相反末端部，其中一個末端電極導(dǎo)體接觸側(cè)邊導(dǎo)電區(qū)，另外一個末端電極導(dǎo)體接觸第三導(dǎo)電層的另外一部分外表面。綜上所述，本發(fā)明實施例所提供的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、固態(tài)電容及其制作方法，其可通過“內(nèi)埋于基板本體內(nèi)的導(dǎo)電體(內(nèi)埋式電極)”的設(shè)計，以使得本發(fā)明至少能夠產(chǎn)生下列的優(yōu)點(但不以此為限)(1)可有效降ESR(降低高電阻電極路徑)。⑵可有效防止正電極與負(fù)電極在制作過程中產(chǎn)生電性接觸，因此本發(fā)明可有效提高生產(chǎn)效率，便于進(jìn)行大量生產(chǎn)。(3)可選擇性地制作單顆式或排列式電容。為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。


圖I為本發(fā)明第一實施例的制作流程圖；圖IA至圖IH分別為本發(fā)明第一實施例的制作流程剖面示意圖；圖2A至圖2C分別為本發(fā)明第二實施例的部分制作流程剖面示意圖；圖3A至圖3C分別為本發(fā)明第三實施例的部分制作流程剖面示意圖；以及圖4為本發(fā)明第四實施例的部分俯視示意圖。上述附圖中的附圖標(biāo)記說明如下核心單元 C基板單元 I基板本體 10第一基板IOA第二基板 IOB側(cè)邊開口100頂面開口101容置空間 R穿孔H
導(dǎo)電體11第一導(dǎo)體IlA第二導(dǎo)體IlB側(cè)邊導(dǎo)電區(qū)110頂面導(dǎo)電區(qū)111第一導(dǎo)電單元2 第一導(dǎo)電層 20第二導(dǎo)電單元3 第二導(dǎo)電層 30、第一絕緣單元4 第一絕緣層 40第三導(dǎo)電單元5 第三導(dǎo)電層50第二絕緣單元6 第二絕緣層60末端電極單元7 末端電極導(dǎo)體 70
具體實施例方式〔第一實施例〕請參閱圖I、及圖IA至圖IH所示，本發(fā)明第一實施例提供一種具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容的制作方法，其包括下列步驟步驟SlOO為配合圖I與圖IA所示，提供至少一基板本體10，其中基板本體10內(nèi)具有一容置空間R，且基板本體10具有至少一側(cè)邊開口 100及多個頂面開口 101。舉例來說，基板本體10可為一 Al2O3陶瓷基板或任何的絕緣基板。步驟S102為配合圖I、與圖IA至圖IB所示，將一導(dǎo)電體11填入容置空間R內(nèi)，以使得導(dǎo)電體11被內(nèi)埋于基板本體10內(nèi)，其中導(dǎo)電體11具有至少一被側(cè)邊開口 100所裸露的側(cè)邊導(dǎo)電區(qū)110及多個分別被上述多個頂面開口 101所裸露的頂面導(dǎo)電區(qū)111。舉例來說，導(dǎo)電體11可為鉭或一導(dǎo)電度優(yōu)于鉭的正電極導(dǎo)體(例如鎢、銠、鋁…等)，其即為固態(tài)電容的正電極(+)。此外，依據(jù)不同的設(shè)計需求，上述多個頂面導(dǎo)電區(qū)111可被布局排成一特定形狀或任意形狀。步驟S104為配合圖I與圖IC所示，成形多個第一導(dǎo)電層20于基板本體10上，以分別覆蓋上述多個頂面導(dǎo)電區(qū)111。舉例來說，每一個第一導(dǎo)電層20可為一經(jīng)過燒結(jié)而成的鉭導(dǎo)體、鈮導(dǎo)體、鋁導(dǎo)體或其它導(dǎo)體等等。換言之，以鉭導(dǎo)體為例，每一個第一導(dǎo)電層20可通過將鉭質(zhì)金屬粉末進(jìn)行燒結(jié)來形成。步驟S106為配合圖I與圖ID所示，成形至少一第二導(dǎo)電層30于基板本體10上，以覆蓋上述多個第一導(dǎo)電層20,其中第二導(dǎo)電層30的孔隙率(porosity)大于每一個第一導(dǎo)電層20的孔隙率。舉例來說，第二導(dǎo)電層30為一經(jīng)過燒結(jié)而成的鉭導(dǎo)體、鈮導(dǎo)體或其它導(dǎo)體等等。換言之，以鉭導(dǎo)體為例，第二導(dǎo)電層30可通過將鉭質(zhì)金屬粉末進(jìn)行燒結(jié)來形成。此外，每一個第一導(dǎo)電層20的孔隙率可小于5%，例如可介于0. I至5%之間。換言之，每一個第一導(dǎo)電層20的致密性(density)遠(yuǎn)大于第二導(dǎo)電層30的致密性，而使得較致密的多個第一導(dǎo)電層20可提供較佳的防滲透性。步驟S108為配合圖I與圖IE所示，成形至少一第一絕緣層40，以覆蓋第二導(dǎo)電層30的外表面。舉例來說，若第二導(dǎo)電層30使用經(jīng)過燒結(jié)而成的鉭導(dǎo)體的話，第一絕緣層40則可為一五氧化二鉭金屬氧化物(Ta2O5)層。
步驟SllO為配合圖I與圖IF所示，成形至少一第三導(dǎo)電層50，以覆蓋第一絕緣層40。舉例來說，第三導(dǎo)電層50可為一負(fù)電極導(dǎo)體(例如導(dǎo)電高分子，且導(dǎo)電高分子的外層會再加上導(dǎo)電碳膠及銀膠)，其即為固態(tài)電容的負(fù)電極(_)。步驟SI 12為配合圖I與圖IG所示，成形至少一第二絕緣層60，以覆蓋第三導(dǎo)電層50的其中一部分外表面,其中基板本體10、導(dǎo)電體11、多個第一導(dǎo)電層20、第二導(dǎo)電層30、第一絕緣層40、第三導(dǎo)電層50與第二絕緣層60組合成一核心單兀C。舉例來說,第二絕緣層60可為一絕緣高分子層。步驟SI 14為配合圖I與圖IH所示，成形至少兩個末端電極導(dǎo)體70，以分別包覆核心單元C的兩相反末端部，其中一個末端電極導(dǎo)體70接觸側(cè)邊導(dǎo)電區(qū)110，另外一個末端電極導(dǎo)體70接觸第三導(dǎo)電層50的另外一部分外表面。請再參閱圖IH所示，經(jīng)由上述步驟SlOO至S114后，本發(fā)明第一實施例可提供一 種具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容，其包括一基板單兀I、一第一導(dǎo)電單兀2、一第二導(dǎo)電單兀
3、一第一絕緣單兀4、一第三導(dǎo)電單兀5、一第二絕緣單兀6、及一末端電極單兀7。再者，基板單元I具有至少一基板本體10及一內(nèi)埋于基板本體10內(nèi)的導(dǎo)電體11，其中基板本體10具有至少一側(cè)邊開口 100及多個頂面開口 101，且導(dǎo)電體11具有至少一被側(cè)邊開口 100所裸露的側(cè)邊導(dǎo)電區(qū)110及多個分別被上述多個頂面開口 101所裸露的頂面導(dǎo)電區(qū)111。第一導(dǎo)電單元2具有多個彼此分離地成形于基板本體10上且分別覆蓋上述多個頂面導(dǎo)電區(qū)111的第一導(dǎo)電層20。第二導(dǎo)電單元3具有至少一成形于基板本體10上且覆蓋上述多個第一導(dǎo)電層20的第二導(dǎo)電層30，其中第二導(dǎo)電層30的孔隙率大于每一個第一導(dǎo)電層20的孔隙率。第一絕緣單元4具有至少一覆蓋第二導(dǎo)電層30的外表面的第一絕緣層40。第三導(dǎo)電單元5具有至少一覆蓋第一絕緣層40的第三導(dǎo)電層50。第二絕緣單元6具有至少一覆蓋第三導(dǎo)電層50的其中一部分外表面的第二絕緣層60，其中基板單元I，第一導(dǎo)電單元2、第二導(dǎo)電單元3、第一絕緣單元4、第三導(dǎo)電單元5及第二絕緣單元6組合成一核心單元C。末端電極單元7具有至少兩個分別包覆核心單元C的兩相反末端部的末端電極導(dǎo)體70，其中一個末端電極導(dǎo)體70接觸側(cè)邊導(dǎo)電區(qū)110，另外一個末端電極導(dǎo)體70接觸第三導(dǎo)電層50的另外一部分外表面。〔第二實施例〕請參閱圖2A至圖2C所示，本發(fā)明第二實施例提供一種具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容的制作方法，其與第一實施例最大的不同在于在第二實施例中，第一實施例的步驟SlOO至S102可被更換為首先，配合圖2A所示，提供一第一基板IOA ;接著，配合圖2A所示，形成一第一導(dǎo)體IlA于第一基板IOA的一部分上表面上；然后，配合圖2B與圖2C所示，將一具有多個第二導(dǎo)體IlB的第二基板IOB設(shè)置于第一基板IOA上，以使得上述多個第二導(dǎo)體IlB電性接觸第一導(dǎo)體11A，其中第一基板IOA與第二基板IOB可結(jié)合成基板本體10，且第一導(dǎo)體IlA與上述多個第二導(dǎo)體IlB可結(jié)合成導(dǎo)電體11?！驳谌龑嵤├痴垍㈤唸D3A至圖3C所示，本發(fā)明第三實施例提供一種具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容的制作方法，其與第一實施例最大的不同在于在第三實施例中，第一實施例的步驟SlOO至S102可被更換為首先，配合圖3A所示，提供一第一基板IOA ;接著，配合圖3A所示，形成一第一導(dǎo)體IlA于第一基板IOA的一部分上表面上；然后，配合圖3B所示，將一具有多個穿孔H的第二基板IOB設(shè)置于第一基板IOA上；接下來，配合圖3C所示，將多個第二導(dǎo)體IlB分別填入上述多個穿孔H內(nèi)，以使得上述多個第二導(dǎo)體IlB電性接觸第一導(dǎo)體11A，其中第一基板IOA與第二基板IOB結(jié)合成基板本體10，且第一導(dǎo)體IlA與上述多個第二導(dǎo)體IlB結(jié)合成導(dǎo)電體11?！驳谒膶嵤├痴垍㈤唸D4所示，本發(fā)明第四實施例提供一種具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容，其與第一實施例最大的不同在于第四實施例提供一種具有內(nèi)埋式電極的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元I、一第一導(dǎo)電單元2及一第二導(dǎo)電單元(圖未示)。基板單元I具有至少一基板本體10及一內(nèi)埋于基板本體10內(nèi)的導(dǎo)電體11,其中基板本體10具有至少一側(cè)邊開口(圖未示，但與第一實施例相同)及多個頂面開口 101，且導(dǎo)電體11具有至少一被側(cè)邊開口(圖未示)所裸露的側(cè)邊導(dǎo)電區(qū)(圖未示，但與第一實施例相同)及多個分別被上述多個頂面開口 101所裸露的頂面導(dǎo)電區(qū)111。第一導(dǎo)電單元2具有多個彼此分離地成形于基板本體10上且分別覆蓋上述多個頂面導(dǎo)電區(qū)111的第一導(dǎo)電層20(也即形成多個正電極 )。 第二導(dǎo)電單元(圖未示)具有多個彼此分離地成形于基板本體10上且分別覆蓋上述多個第一導(dǎo)電層20的第二導(dǎo)電層(圖未示，其與第一實施例的第二導(dǎo)電層30的差別在于，第二實施例的每一個第一導(dǎo)電層20具有一個獨立的第二導(dǎo)電層)，其中每一個第二導(dǎo)電層(圖未不)的孔隙率大于每一個第一導(dǎo)電層20的孔隙率。因此，在第四實施例中，上述多個頂面導(dǎo)電區(qū)111不僅可被布局排成一特定形狀，而且對應(yīng)于每一個第一導(dǎo)電層20的每一個第二導(dǎo)電層30可如同第一實施例的第二導(dǎo)電層30 一樣制作個別的第一絕緣單元4、第三導(dǎo)電單元5、第二絕緣單元6、及末端電極導(dǎo)體70。換言之，本發(fā)明不僅可以制作單顆式電容(如同第一、二、三實施例所示)，也可制作排列式電容(如同第四實施例所示，可提供多個正電極 來使用)。〔實施例的可能功效〕綜上所述，本發(fā)明實施例所提供的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、固態(tài)電容及其制作方法，其可通過“內(nèi)埋于基板本體內(nèi)的導(dǎo)電體(內(nèi)埋式電極)”的設(shè)計，以使得本發(fā)明至少能夠產(chǎn)生下列的優(yōu)點(但不以此為限)(1)可有效降ESR(降低高電阻電極路徑)。⑵可有效防止正電極與負(fù)電極在制作過程中產(chǎn)生電性接觸，因此本發(fā)明可有效提高生產(chǎn)效率，便于進(jìn)行大量生產(chǎn)。(3)可選擇性地制作單顆式或排列式電容。以上所述僅為本發(fā)明的較佳可行實施例，非因此局限本發(fā)明的專利范圍，故舉凡運用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所為的等效技術(shù)變化，均包含于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容，其特征在于，包括 一基板單元，其具有至少一基板本體及一內(nèi)埋于上述至少一基板本體內(nèi)的導(dǎo)電體，其中上述至少一基板本體具有至少一側(cè)邊開口及多個頂面開口，且該導(dǎo)電體具有至少一被上述至少一側(cè)邊開口所裸露的側(cè)邊導(dǎo)電區(qū)及多個分別被上述多個頂面開口所裸露的頂面導(dǎo)電區(qū)； 一第一導(dǎo)電單元，其具有多個彼此分離地成形于上述至少一基板本體上且分別覆蓋上述多個頂面導(dǎo)電區(qū)的第一導(dǎo)電層； 一第二導(dǎo)電單元，其具有至少一成形于上述至少一基板本體上且覆蓋上述多個第一導(dǎo)電層的第二導(dǎo)電層，其中上述至少一第二導(dǎo)電層的孔隙率大于每一個第一導(dǎo)電層的孔隙率； 一第一絕緣單元，其具有至少一覆蓋上述至少一第二導(dǎo)電層的外表面的第一絕緣層； 一第三導(dǎo)電單元，其具有至少一覆蓋上述至少一第一絕緣層的第三導(dǎo)電層； 一第二絕緣單元，其具有至少一覆蓋上述至少一第三導(dǎo)電層的其中一部分外表面的第二絕緣層，其中該基板單元，該第一導(dǎo)電單元、該第二導(dǎo)電單元、該第一絕緣單元、該第三導(dǎo)電單元及該第二絕緣單元組合成一核心單元；以及 一末端電極單元，其具有至少兩個分別包覆該核心單元的兩相反末端部的末端電極導(dǎo)體，其中一個末端電極導(dǎo)體接觸上述至少一側(cè)邊導(dǎo)電區(qū)，另外一個末端電極導(dǎo)體接觸上述至少一第三導(dǎo)電層的另外一部分外表面。
2.如權(quán)利要求I所述的具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容，其特征在于，上述至少一基板本體為一陶瓷基板，且該導(dǎo)電體為鉭或一導(dǎo)電度優(yōu)于鉭的正電極導(dǎo)體，上述至少一第一絕緣層為一五氧化二鉭金屬氧化物層，且上述至少一第二絕緣層為一絕緣高分子層。
3.如權(quán)利要求I所述的具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容，其特征在于，每一個第一導(dǎo)電層與上述至少一第二導(dǎo)電層都為一經(jīng)過燒結(jié)而成的鉭導(dǎo)體，且上述至少一第三導(dǎo)電層為一負(fù)電極導(dǎo)體。
4.如權(quán)利要求I所述的具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容，其特征在于，該第三導(dǎo)電層為導(dǎo)電高分子，且導(dǎo)電高分子的外層更進(jìn)一步加上導(dǎo)電碳膠及銀膠。
5.如權(quán)利要求I所述的具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容，其特征在于，上述多個頂面導(dǎo)電區(qū)被布局排成一特定形狀，且每一個第一導(dǎo)電層的孔隙率介于0. I至5%之間。
6.一種具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容的制作方法，其特征在于，包括下列步驟 提供一基板單元，其具有至少一基板本體及一內(nèi)埋于上述至少一基板本體內(nèi)的導(dǎo)電體，其中上述至少一基板本體具有至少一側(cè)邊開口及多個頂面開口，且該導(dǎo)電體具有至少一被上述至少一側(cè)邊開口所裸露的側(cè)邊導(dǎo)電區(qū)及多個分別被上述多個頂面開口所裸露的頂面導(dǎo)電區(qū)； 成形多個第一導(dǎo)電層于上述至少一基板本體上，以分別覆蓋上述多個頂面導(dǎo)電區(qū)；成形至少一第二導(dǎo)電層于上述至少一基板本體上，以覆蓋上述多個第一導(dǎo)電層，其中上述至少一第二導(dǎo)電層的孔隙率大于每一個第一導(dǎo)電層的孔隙率； 成形至少一第一絕緣層，以覆蓋上述至少一第二導(dǎo)電層的外表面； 成形至少一第三導(dǎo)電層，以覆蓋上述至少一第一絕緣層； 成形至少一第二絕緣層，以覆蓋上述至少一第三導(dǎo)電層的其中一部分外表面，其中該基板單元，該第一導(dǎo)電單元、該第二導(dǎo)電單元、該第一絕緣單元、該第三導(dǎo)電單元及該第二絕緣單元組合成一核心單元；以及 成形至少兩個末端電極導(dǎo)體，以分別包覆該核心單元的兩相反末端部，其中一個末端電極導(dǎo)體接觸上述至少一側(cè)邊導(dǎo)電區(qū)，另外一個末端電極導(dǎo)體接觸上述至少一第三導(dǎo)電層的另外一部分外表面。
7.如權(quán)利要求6所述的具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容的制作方法，其特征在于，上述提供該基板單元的步驟中，更進(jìn)一步包括 提供上述至少一基板本體，其中上述至少一基板本體內(nèi)具有一容置空間；以及 將該導(dǎo)電體填入該容置空間內(nèi)。
8.如權(quán)利要求6所述的具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容的制作方法，其特征在于，上述提供該基板單元的步驟中，更進(jìn)一步包括 提供一第一基板； 形成一第一導(dǎo)體于該第一基板的一部分上表面上；以及 將一具有多個第二導(dǎo)體的第二基板設(shè)置于該第一基板上，以使得上述多個第二導(dǎo)體電性接觸該第一導(dǎo)體，其中該第一基板與該第二基板結(jié)合成上述至少一基板本體，且該第一導(dǎo)體與上述多個第二導(dǎo)體結(jié)合成該導(dǎo)電體。
9.如權(quán)利要求6所述的具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容的制作方法，其特征在于，上述提供該基板單元的步驟中，更進(jìn)一步包括 提供一第一基板； 形成一第一導(dǎo)體于該第一基板的一部分上表面上； 將一具有多個穿孔的第二基板設(shè)置于該第一基板上；以及 將多個第二導(dǎo)體分別填入上述多個穿孔內(nèi)，以使得上述多個第二導(dǎo)體電性接觸該第一導(dǎo)體，其中該第一基板與該第二基板結(jié)合成上述至少一基板本體，且該第一導(dǎo)體與上述多個第二導(dǎo)體結(jié)合成該導(dǎo)電體。
10.如權(quán)利要求6所述的具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容的制作方法，其特征在于，上述至少一基板本體為一陶瓷基板，該導(dǎo)電體為鉭或一導(dǎo)電度優(yōu)于鉭的正電極導(dǎo)體，上述至少一第一絕緣層為一五氧化二鉭金屬氧化物層，且上述至少一第二絕緣層為一絕緣高分子層。
11.如權(quán)利要求6所述的具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容的制作方法，其特征在于，每一個第一導(dǎo)電層與上述至少一第二導(dǎo)電層都為一經(jīng)過燒結(jié)而成的鉭導(dǎo)體，且上述至少一第三導(dǎo)電層為一負(fù)電極導(dǎo)體。
12.如權(quán)利要求6所述的具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容的制作方法，其特征在于，該第三導(dǎo)電層為導(dǎo)電高分子，且導(dǎo)電高分子的外層更進(jìn)一步加上導(dǎo)電碳膠及銀膠。
13.如權(quán)利要求6所述的具有內(nèi)埋式電極的固態(tài)電容的制作方法，其特征在于，上述多個頂面導(dǎo)電區(qū)被布局排成一特定形狀，且每一個第一導(dǎo)電層的孔隙率介于0. I至5%之間。
14.一種具有內(nèi)埋式電極的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 一基板單元，其具有至少一基板本體及一內(nèi)埋于上述至少一基板本體內(nèi)的導(dǎo)電體，其中上述至少一基板本體具有至少一側(cè)邊開口及多個頂面開口，且該導(dǎo)電體具有至少一被上述至少一側(cè)邊開口所裸露的側(cè)邊導(dǎo)電區(qū)及多個分別被上述多個頂面開口所裸露的頂面導(dǎo)電區(qū)；以及一第一導(dǎo)電單元，其具有多個彼此分離地成形于上述至少一基板本體上且分別覆蓋上述多個頂面導(dǎo)電區(qū)的第一導(dǎo)電層； 一第二導(dǎo)電單元，其具有多個彼此分離地成形于上述至少一基板本體上且分別覆蓋上述多個第一導(dǎo)電層的第二導(dǎo)電層，其中每一個第二導(dǎo)電層的孔隙率大于每一個第一導(dǎo)電層的孔隙率。
15.如權(quán)利要求14所述的具有內(nèi)埋式電極的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述至少一基板本體為一陶瓷基板，該導(dǎo)電體為鉭或一導(dǎo)電度優(yōu)于鉭的正電極導(dǎo)體，且每一個第一導(dǎo)電層與每一個第二導(dǎo)電層都為一經(jīng)過燒結(jié)而成的鉭導(dǎo)體。
16.如權(quán)利要求14所述的具有內(nèi)埋式電極的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述多個頂面導(dǎo) 電區(qū)被布局排成一特定形狀，且每一個第一導(dǎo)電層的孔隙率介于0. I至5%之間。
全文摘要
一種具有內(nèi)埋式電極的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、固態(tài)電容及其制作方法，其包括基板單元、第一導(dǎo)電單元、第二導(dǎo)電單元、第一絕緣單元、第三導(dǎo)電單元、第二絕緣單元及末端電極單元?；鍐卧哂谢灞倔w及內(nèi)埋于基板本體內(nèi)的導(dǎo)電體，基板本體具有側(cè)邊開口及多個頂面開口，導(dǎo)電體具有一被側(cè)邊開口所裸露的側(cè)邊導(dǎo)電區(qū)及多個分別被多個頂面開口所裸露的頂面導(dǎo)電區(qū)。第一導(dǎo)電單元具有多個分別覆蓋多個頂面導(dǎo)電區(qū)的第一導(dǎo)電層。第二導(dǎo)電單元具有一覆蓋上述多個第一導(dǎo)電層的第二導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電層的孔隙率大于每一個第一導(dǎo)電層的孔隙率?；鍐卧?、第一導(dǎo)電單元與第二導(dǎo)電單元組合成一具有內(nèi)埋式電極的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。本發(fā)明可有效提高生產(chǎn)效率，便于進(jìn)行大量生產(chǎn)。
文檔編號H01G4/005GK102737834SQ20111009241
公開日2012年10月17日 申請日期2011年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月11日
發(fā)明者李瑋志, 陳明宗 申請人:佳邦科技股份有限公司, 鈺邦科技股份有限公司