專利名稱：側(cè)部浮動(dòng)耦合電容器器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法
側(cè)部浮動(dòng)耦合電容器器件終端結(jié)構(gòu)相關(guān)申請(qǐng)的引用本申請(qǐng)主張于2010年4月15日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)第61/324，587號(hào)的權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容結(jié)合于此作為參考用于所有目的。
背景技術(shù)：
在包括高壓器件的半導(dǎo)體器件中，期望獲得主要由漂移區(qū)電阻決定的低導(dǎo)通電阻。通常，通過增加漂移區(qū)的摻雜水平來降低晶體管的低導(dǎo)通電阻。然而，增加漂移區(qū)的摻雜水平具有降低擊穿電壓的不良效果。因此優(yōu)化漂移區(qū)的摻雜水平，以在仍然維持足夠高的擊穿電壓的同時(shí)獲得最大導(dǎo)通電阻。隨著對(duì)擊穿電壓要求的增加，使用漂移區(qū)摻雜濃度來調(diào)節(jié)導(dǎo)通電阻和擊穿電壓變得更加困難。除了受到漂移區(qū)摻雜濃度的影響，擊穿電壓還受到有源器件內(nèi)部和外部電場(chǎng)分布的影響。結(jié)果，已經(jīng)努力在現(xiàn)有技術(shù)中通過電場(chǎng)成型方法來控制電場(chǎng)分布，因此控制晶體管器件的導(dǎo)通電阻和擊穿電壓。例如，已經(jīng)使用側(cè)部浮動(dòng)耦合電容器(LFCC)結(jié)構(gòu)控制晶體管漂移區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)，從而改進(jìn)導(dǎo)通電阻。這些LFCC結(jié)構(gòu)包括形成在晶體管漂移區(qū)內(nèi)的絕緣溝槽(trench)，絕緣溝槽包含隔離電極并與電流方向平行。這些LFCC結(jié)構(gòu)改進(jìn)了晶體管的性能。例如，LFCC區(qū)所提供的漂移區(qū)電場(chǎng)成型可以期望地同時(shí)提供高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻。然而，當(dāng)源極漏極可承受電壓高達(dá)700伏特時(shí)，可能在有源晶體管區(qū)的端部和邊緣處發(fā)生擊穿。已知在現(xiàn)有技術(shù)中，圍繞有源器件區(qū)的終端區(qū)優(yōu)選具有比有源器件區(qū)高的擊穿電壓，以防止有源區(qū)端部和邊緣過早擊穿。因此，需要一種改進(jìn)的LFCC半導(dǎo)體器件，其通過在終端區(qū)內(nèi)使用相似的LFCC結(jié)構(gòu)而具有較高的終端擊穿電壓，而不會(huì)在工藝流程中引進(jìn)附加步驟。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施方式提供了一系列防止LFCC器件在邊緣或端部過早擊穿的終端結(jié)構(gòu)(termination structure)。LFCC器件具有帶一個(gè)或多個(gè)電容性耦合溝槽的電壓終端結(jié)構(gòu)，電容性耦合溝槽可以與有源晶體管的漂移區(qū)內(nèi)的溝槽相似。終端區(qū)內(nèi)的電容性耦合溝槽沿著平行或垂直于有源器件漂移區(qū)內(nèi)的溝槽的方向設(shè)置。實(shí)施方式還提供了具有(填充有導(dǎo)電材料并且完全被硅臺(tái)面區(qū)圍繞的)介電襯里區(qū)的電容性分段溝槽結(jié)構(gòu)。實(shí)施方式還提供了完全由從器件表面垂直延伸有限距離的電絕緣層組成的連續(xù)區(qū)域。在一個(gè)實(shí)施方式中，半導(dǎo)體器件包括有源區(qū)和電壓終端結(jié)構(gòu)，有源區(qū)包括多個(gè)沿著第一方向彼此平行設(shè)置的電容性耦合有源溝槽，電壓終端結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)沿著第二方向設(shè)置的電容性耦合終端溝槽(termination trench) 0第二方向垂直于第一方向。在另一個(gè)實(shí)施方式中，有源溝槽和終端溝槽基本上相似。在又一個(gè)實(shí)施方式中，至少一個(gè)終端節(jié)距(溝槽+臺(tái)面)包括硅區(qū)，硅區(qū)從電容器到電容器在橫向上(laterally，在側(cè)面上)比用于有源器件漂移區(qū)中的導(dǎo)電的硅區(qū)更寬或更窄。
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在又一個(gè)實(shí)施方式中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括第一硅區(qū)，第一硅區(qū)從電容器到電容器的寬度是用于有源器件漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)的一半。在又一個(gè)實(shí)施方式中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括第一硅區(qū)，第一硅區(qū)在平行于終端溝槽的方向上比用于有源器件漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)更短或更長(zhǎng)。在又一個(gè)實(shí)施方式中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括第一硅區(qū)，第一硅區(qū)在平行于終端溝槽的方向上是用于有源器件漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)的兩倍長(zhǎng)。在又一個(gè)實(shí)施方式中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括第一硅區(qū)，第一硅區(qū)與用于有源器件漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)相比，更高或者更低地?fù)诫s，或者用不同的摻雜物來?yè)诫s。在又一個(gè)實(shí)施方式中，終端結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在源極側(cè)、漏極側(cè)或這兩側(cè)的金屬場(chǎng)板。 場(chǎng)板(field plate)可以使用用于形成金屬互連層的工藝來制造。在又一個(gè)實(shí)施方式中，半導(dǎo)體器件還包括設(shè)置在多晶硅場(chǎng)板上的多晶硅連接器， 多晶硅場(chǎng)板位于至少一個(gè)終端溝槽中。多晶硅連接器可以電耦合至至少一個(gè)多晶硅場(chǎng)板。 多晶硅連接器可以被設(shè)置為垂直于至少一個(gè)終端溝槽，并具有將相鄰的多晶硅連接器分隔開的、變化的間隔。在一個(gè)實(shí)施方式中，間隔越靠近漏極側(cè)越大。在又一個(gè)實(shí)施方式中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括設(shè)置在終端溝槽和導(dǎo)電溝槽之間的過渡硅臺(tái)面。過渡臺(tái)面的寬度可以與導(dǎo)電臺(tái)面一樣，或者比導(dǎo)電臺(tái)面更寬或更窄。在又一個(gè)實(shí)施方式中，終端結(jié)構(gòu)包括一個(gè)或多個(gè)由多晶硅、金屬或其他導(dǎo)電材料形成的場(chǎng)板，場(chǎng)板以修正終端溝槽中出現(xiàn)的電場(chǎng)的圖案(pattern)從導(dǎo)電溝槽上方到終端溝槽上方延伸。在另一個(gè)實(shí)施方式中，半導(dǎo)體器件包括有源區(qū)和電壓終端結(jié)構(gòu)，有源區(qū)包括多個(gè)沿著第一方向彼此平行設(shè)置的電容性耦合有源溝槽，電壓終端結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)沿著第二方向設(shè)置的電容性耦合終端溝槽。第二方向垂直于第一方向。在終端溝槽平行于有源溝槽的又一個(gè)實(shí)施方式中，有源溝槽和終端溝槽基本上相似。在終端溝槽平行于有源溝槽的又一個(gè)實(shí)施方式中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括第一硅區(qū)，硅區(qū)橫向地(laterally)從電容器到電容器比用于有源器件漂移區(qū)中的導(dǎo)電的第二硅區(qū)更寬或更窄。在終端溝槽平行于有源溝槽的又一個(gè)實(shí)施方式中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括第一硅區(qū)，第一硅區(qū)從電容器到電容器的寬度是用于有源器件漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)的一半。在終端溝槽平行于有源溝槽的又一個(gè)實(shí)施方式中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括第一硅區(qū)，第一硅區(qū)在平行于終端溝槽的方向上比用于有源器件漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)更短或更長(zhǎng)。在終端溝槽平行于有源溝槽的又一個(gè)實(shí)施方式中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括第一硅區(qū)，第一硅區(qū)在平行于終端溝槽的方向上是用于有源器件漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)的兩倍長(zhǎng)。在終端溝槽平行于有源溝槽的又一個(gè)實(shí)施方式中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括第一硅區(qū)，第一硅區(qū)與用于有源器件漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)相比，更高或者更低地?fù)诫s，或者用不同的摻雜物來?yè)诫s。在終端溝槽平行于有源溝槽的又一個(gè)實(shí)施方式中，終端結(jié)構(gòu)包括在源極側(cè)、漏極側(cè)或二者側(cè)的金屬場(chǎng)板。場(chǎng)板可以通過任意或所有加工金屬互連層的工藝來制造。在另一個(gè)實(shí)施方式中，半導(dǎo)體器件還包括設(shè)置在多晶硅場(chǎng)板上的多晶硅連接器。 多晶硅連接器可以電耦合至至少一個(gè)多晶硅場(chǎng)板，多晶硅場(chǎng)板位于至少一個(gè)終端溝槽中。 多晶硅連接器可以被設(shè)置為垂直于至少一個(gè)終端溝槽，并具有將相鄰的多晶硅連接器分隔開的、變化的間隔。在一個(gè)實(shí)施方式中，間隔越靠近漏極側(cè)越大。在終端溝槽平行于有源溝槽的又一個(gè)實(shí)施方式中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括在終端溝槽和導(dǎo)電溝槽之間的過渡硅臺(tái)面。過渡臺(tái)面的寬度可以與導(dǎo)電臺(tái)面一樣，或者比導(dǎo)電臺(tái)面更寬或更窄。在終端溝槽平行于有源溝槽的又一個(gè)實(shí)施方式中，終端結(jié)構(gòu)包括一個(gè)或多個(gè)由多晶硅、金屬或其他導(dǎo)電材料形成的場(chǎng)板，場(chǎng)板以修正終端溝槽中出現(xiàn)的電場(chǎng)的圖案從導(dǎo)電溝槽上方到終端溝槽上方延伸。在另一個(gè)實(shí)施方式中，半導(dǎo)體器件包括有源區(qū)和電壓終端結(jié)構(gòu)，有源區(qū)包括多個(gè)沿著第一方向彼此平行設(shè)置的電容性耦合有源溝槽，包括至少一個(gè)電容性分段溝槽結(jié)構(gòu)， 電容性分段溝槽結(jié)構(gòu)包括填充有導(dǎo)電材料并且完全被硅臺(tái)面區(qū)圍繞的介電襯里區(qū)。在又一個(gè)實(shí)施方式中，至少一個(gè)終端溝槽包括大約為一的寬度與高度的縱橫比。在又一個(gè)實(shí)施方式中，至少一個(gè)終端溝槽的包括與本征器件導(dǎo)電溝槽基本上相同、或者更寬或更窄的寬度。在又一個(gè)實(shí)施方式中，至少一個(gè)終端溝槽與本征器件漏極漂移區(qū)導(dǎo)電溝槽共有一個(gè)或多個(gè)加工步驟。在又一個(gè)實(shí)施方式中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括第一硅區(qū)，第一硅區(qū)與用于有源器件漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)相比，更高或者更低地?fù)诫s，或者用不同的摻雜物來?yè)诫s。在又一個(gè)實(shí)施方式中，終端結(jié)構(gòu)包括在源極側(cè)、漏極側(cè)或這兩側(cè)的金屬場(chǎng)板，以及包括至少一個(gè)多晶硅場(chǎng)板的至少一個(gè)終端溝槽。半導(dǎo)體器件可以還包括設(shè)置在多晶硅場(chǎng)板上的多晶硅連接器。多晶硅連接器可以電耦合至至少一個(gè)多晶硅場(chǎng)板，多晶硅連接器被設(shè)置為垂直于至少一個(gè)終端溝槽，并具有將相鄰的多晶硅連接器分隔開的、變化的間隔。在一個(gè)實(shí)施方式中，間隔越靠近漏極側(cè)越大。在又一個(gè)實(shí)施方式中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括在終端溝槽和導(dǎo)電溝槽之間的過渡硅臺(tái)面。過渡臺(tái)面的寬度與導(dǎo)電臺(tái)面一樣，或者比導(dǎo)電臺(tái)面更寬或更窄。在另一個(gè)實(shí)施方式中，半導(dǎo)體器件包括有源區(qū)和電壓終端結(jié)構(gòu)，有源區(qū)包括多個(gè)沿著第一方向彼此平行設(shè)置的電容性耦合有源溝槽，電壓終端結(jié)構(gòu)包括具有完全由從器件表面垂直延伸有限距離的電絕緣層組成的連續(xù)終端區(qū)域。在又一個(gè)實(shí)施方式中，絕緣層包括沉積的二氧化硅。在又一個(gè)實(shí)施方式中，絕緣層包括熱生長(zhǎng)二氧化硅。在又一個(gè)實(shí)施方式中，絕緣層包括沉積的氮化硅。在又一個(gè)實(shí)施方式中，絕緣層包括熱生長(zhǎng)氮化硅。而且，根據(jù)下文提供的詳細(xì)說明，本文公開內(nèi)容的其他適用范圍將變得顯而易見。 應(yīng)該理解的是，盡管用于說明各種實(shí)施方式，但詳細(xì)的描述和具體實(shí)施例僅用于示例性說明，而不一定用于限定本文公開內(nèi)容的范圍。


通過參照以下給出的申請(qǐng)文件的其余部分和附圖，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)本發(fā)明性質(zhì)和優(yōu)點(diǎn)的進(jìn)一步理解。這些附圖結(jié)合到本發(fā)明的詳細(xì)說明部分中。圖IA是具有側(cè)部浮動(dòng)耦合電容器器件(LFCC)終端結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件100的俯視圖。圖IB是示出(示出有源LFCC溝槽的)半導(dǎo)體器件100的截面的示圖。圖2是示出具有垂直終端結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件俯視圖的示圖。圖3是示出具有平行終端結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件俯視圖的示圖。圖4是示出具有帶M1/M2場(chǎng)板的平行終端結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的俯視圖的示圖。圖5是示出具有帶一半過渡間隔的平行終端結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件俯視圖的示圖。圖6A是示出具有(從有源區(qū)延伸至終端區(qū)以修正終端溝槽中的電場(chǎng)的)多晶硅場(chǎng)板的半導(dǎo)體器件的示圖。圖6B是圖6A中被標(biāo)記為6B的區(qū)域的分解圖。圖7是示出具有帶有一個(gè)或更多電容性分段溝槽結(jié)構(gòu)的電壓終端結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的示圖，。圖8是示出具有(具有完全由從器件表面垂直延伸有限距離的電絕緣層組成的連續(xù)區(qū)域)電壓終端結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的示圖。圖9A是示出具有(根據(jù)實(shí)施方式的，均等地間隔開的，垂直于有源區(qū)并具有多晶硅連接的)電壓終端結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的示圖。圖9B是示出具有終端結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的示圖，(根據(jù)實(shí)施方式的，垂直于有源區(qū)并且朝向漏極指端具有較寬的在多晶硅連接之間的多晶硅連接與多晶硅連接的間隔。
具體實(shí)施例方式在以下說明書中，為了解釋說明，闡述了具體細(xì)節(jié)以提供對(duì)本發(fā)明的徹底理解。然而，顯而易見的是，沒有這些具體細(xì)節(jié)也可以實(shí)踐本發(fā)明。本發(fā)明的實(shí)施方式提供了帶有一個(gè)或多個(gè)電容性耦合溝槽的電壓終端結(jié)構(gòu)，電容性耦合溝槽可以與有源晶體管漂移區(qū)內(nèi)的溝槽相似。終端區(qū)內(nèi)的電容性耦合溝槽以平行或垂直于有源晶體管漂移區(qū)內(nèi)的溝槽的方向設(shè)置。實(shí)施方式還提供了電容性分段溝槽結(jié)構(gòu)， 電容性分段溝槽結(jié)構(gòu)具有填充有導(dǎo)電材料并且完全被硅臺(tái)面區(qū)圍繞的介電襯里區(qū)。實(shí)施方式還提供了完全由從器件表面垂直延伸有限距離的電絕緣層組成的連續(xù)區(qū)域。實(shí)施方式還提供了設(shè)置在多晶硅場(chǎng)板上的多晶硅連接器，多晶硅場(chǎng)板設(shè)置在終端溝槽中。多晶硅連接器可以電耦合至至少一個(gè)多晶硅場(chǎng)板。多晶硅連接器可以設(shè)置為垂直于至少一個(gè)終端溝槽，并且可以具有將相鄰多晶硅連接器分隔開的、變化的間隔。在某些實(shí)施方式中，多晶硅連接器越靠近漏極側(cè)間隔越大。圖IA是具有LFCC終端結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件100的俯視圖，LFCC終端結(jié)構(gòu)包括漏極終端區(qū)105、有源區(qū)110和源極終端區(qū)115。在所示實(shí)施方式中，如圖所示，半導(dǎo)體器件100 包括兩個(gè)電連接在一起的漏極(120A和120B)和三個(gè)同樣電連接在一起的源極指(125A、 125B和125C)。一個(gè)源極指可以是源極指端130，如圖所示。漏極終端區(qū)105通過第一過渡區(qū)135A與有源區(qū)110分離，而有源區(qū)110通過第二過渡區(qū)135B與源極終端區(qū)115分離。有
8源區(qū)110包括漂移溝槽，而終端區(qū)105包括終端溝槽。在一個(gè)實(shí)施方式中，半導(dǎo)體器件100 的尺寸為0. 2mm2 (800umX250um)，漂移溝槽的長(zhǎng)度為50um，而漏極終端的寬度為200um。在一個(gè)實(shí)施方式中，源極終端(S-term) 115的總寬度為有源區(qū)110漂移長(zhǎng)度的至少2X倍。在某些實(shí)施方式中，終端區(qū)105被配置為使得最高電位接近漏極(120A和120B)，而最低電位接近終端區(qū)105的邊緣，終端區(qū)105的邊緣離漏極(120A和120B)最遠(yuǎn)?？芍饾u從最高電位向最低電位過渡。圖IB是示出半導(dǎo)體器件100截面的示圖，半導(dǎo)體器件100包括具有(設(shè)置在溝槽 150內(nèi)的)LFCC結(jié)構(gòu)155的有源LFCC溝槽150。LFCC溝槽包括被電介質(zhì)165分離的電容性耦合浮動(dòng)導(dǎo)體160。在一個(gè)實(shí)施方式中，電容性耦合浮動(dòng)導(dǎo)體160是多晶硅，而電介質(zhì)165 是氧化物。將源極指(125A、125B和125C)示出為電連接到柵極上。漏極(120A和120B) 緊挨著有源LFCC溝槽150設(shè)置，并且設(shè)置在有源LFCC溝槽150的與源極指(125A、125B和 125C)和柵極相對(duì)的側(cè)。圖2是示出具有位于(垂直于位于有源區(qū)110內(nèi)的有源溝槽210的)漏極終端區(qū) 105內(nèi)的終端溝槽205的半導(dǎo)體器件100的實(shí)施方式的分解俯視圖的示圖。在一個(gè)實(shí)施方式中，半導(dǎo)體器件100包括(包括多個(gè)沿著第一方向彼此平行設(shè)置的電容性耦合有源溝槽 210的)有源區(qū)110和(包括沿著第二方向設(shè)置的至少一個(gè)電容性耦合終端溝槽205的) 電壓終端結(jié)構(gòu)105。第二方向垂直于第一方向。有源溝槽210和終端溝槽205可以基本上相似。在一實(shí)施方式中，至少一個(gè)終端節(jié)距(終端溝槽205+終端溝槽205間的間隔)包括硅區(qū)，硅區(qū)橫向地從電容器到電容器比用于有源器件110漂移區(qū)中的導(dǎo)電的硅區(qū)更寬或更窄。至少一個(gè)終端節(jié)距可以還包括第一硅區(qū)，第一硅區(qū)從電容器到電容器的寬度是用于有源器件110漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)的一半。至少一個(gè)終端節(jié)距可以包括第一硅區(qū)，第一硅區(qū)在平行于終端溝槽的方向上比用于有源器件110漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)更短或更長(zhǎng)。至少一個(gè)終端節(jié)距還可以包括第一硅區(qū)，第一硅區(qū)在平行于終端溝槽的方向上是用于有源器件110漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)的兩倍長(zhǎng)。至少一個(gè)終端節(jié)距還可以包括第一硅區(qū)，第一硅區(qū)與用于有源器件110漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)相比，可以更高或者更低地?fù)诫s，或者用不同的摻雜物摻雜。圖3是示出具有設(shè)置在(平行于位于有源區(qū)110內(nèi)的有源溝槽310的)漏極終端區(qū)105內(nèi)的終端溝槽305的半導(dǎo)體器件100的實(shí)施方式分解俯視圖的示圖。在一個(gè)實(shí)施方式中，半導(dǎo)體器件100包括(包括多個(gè)沿著第一方向彼此平行設(shè)置的電容性耦合有源溝槽 310的)有源區(qū)110和(包括沿著第二方向設(shè)置的至少一個(gè)電容性耦合終端溝槽305的) 電壓終端結(jié)構(gòu)105。第二方向平行于第一方向。有源溝槽310和終端溝槽305可以基本上相似。在一個(gè)實(shí)施方式中，至少一個(gè)終端節(jié)距(終端溝槽305+終端溝槽305之間的間隔)包括硅區(qū)，硅區(qū)橫向地從電容器到電容器比用于有源器件110漂移區(qū)中的導(dǎo)電的硅區(qū)寬或窄。至少一個(gè)終端節(jié)距可以還包括第一硅區(qū)，第一硅區(qū)從電容器到電容器的寬度是用于有源器件110漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)的一半。至少一個(gè)終端節(jié)距可以包括第一硅區(qū)， 第一硅區(qū)在平行于終端溝槽的方向上比用于有源器件110漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)更短或更長(zhǎng)。至少一個(gè)終端節(jié)距還可以包括第一硅區(qū)，第一硅區(qū)在平行于終端溝槽的方向上是用于有源器件110漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)的兩倍長(zhǎng)。至少一個(gè)終端節(jié)距還可以包括第一硅區(qū)，第一硅區(qū)被不同地?fù)诫s，要么更高要么更低，或者具有與用于有源器件110漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)不同的摻雜種類。圖4是示出具有金屬1 (Ml)場(chǎng)板420和金屬2 (M2)場(chǎng)板425的半導(dǎo)體器件100的實(shí)施方式的分解俯視圖的示圖。Ml場(chǎng)板420和M2場(chǎng)板425在具有平行于有源溝槽310的終端溝槽305的半導(dǎo)體器件100中。終端結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在源極側(cè)、漏極側(cè)或二者側(cè)的金屬場(chǎng)板(420和425)。場(chǎng)板(420和425)可以通過任意或所有使用已建立的設(shè)計(jì)方法加工金屬互連層的工藝來制造。在有源區(qū)110內(nèi)和在源極指125B端部上的M1/M2場(chǎng)板(420和425) 延伸10-20 μ m。多層場(chǎng)板使用具有不同延伸度的多晶硅、金屬1和金屬2 (例如，分別從多晶硅、金屬1和金屬2增大延伸度)，可以用于進(jìn)一步提高覆蓋(plating)在擊穿電壓上的電場(chǎng)的效果。圖5是示出具有在(使終端區(qū)105和有源區(qū)110分離的)第一過渡區(qū)135A內(nèi)具有一半溝槽間隔的半導(dǎo)體器件100的實(shí)施方式的分解俯視圖的示圖。在具有平行于有源溝槽310的終端溝槽305半導(dǎo)體器件100中示出了過渡區(qū)135A。終端溝槽305包括在終端溝槽305與導(dǎo)電有源溝槽310之間的、位于過渡區(qū)135A中的過渡硅臺(tái)面。過渡臺(tái)面的寬度可以與導(dǎo)電有源溝槽310相同，或者比導(dǎo)電有源溝槽310更寬或更窄。圖6A是示出具有終端區(qū)105、有源區(qū)110、源極指(125A和125B)和漏極指120A 的半導(dǎo)體器件100的示圖。半導(dǎo)體器件110包括從有源區(qū)110延伸至終端區(qū)105的、用于修正終端溝槽305中的電場(chǎng)的多晶硅場(chǎng)板，如參照?qǐng)D6B的進(jìn)一步說明的。圖6B是在圖6A中被標(biāo)記為6B的區(qū)域的分解圖。終端溝槽620包括一個(gè)或多個(gè)多晶硅場(chǎng)板305。這些多晶硅場(chǎng)板305類似于圖IB中的浮動(dòng)導(dǎo)體區(qū)160。在一個(gè)實(shí)施方式中，位于終端溝槽620內(nèi)的多晶硅場(chǎng)板305耦合至垂直于終端溝槽620延伸的多晶硅連接605B。多晶硅連接605B用于將有源區(qū)110內(nèi)的電位攜帶到終端區(qū) 105內(nèi)，其中電壓通過多個(gè)隔離LFCC區(qū)(未示出)沿著漂移區(qū)從源極向漏極增大。多晶硅連接605B垂直于有源溝槽310延伸。每個(gè)多晶硅連接605B可以在垂直方向上覆蓋所有終端溝槽620，并與設(shè)置在終端溝槽620中的至少一個(gè)多晶硅場(chǎng)板305接觸?？蛇x地，每個(gè)多晶硅連接605B可以在垂直方向上覆蓋至少一個(gè)終端溝槽620，并與設(shè)置在被覆蓋的終端溝槽620中的至少一個(gè)多晶硅場(chǎng)板305接觸。在一個(gè)實(shí)施方式中，每個(gè)多晶硅連接605B被設(shè)定為與位于單個(gè)終端溝槽620中的多晶硅場(chǎng)板305接觸。可以使用各種配置(諸如下面參照?qǐng)D9A和9B所描述的那些)，在終端溝槽620和多晶硅場(chǎng)板305上布局多晶硅連接605B。盡管圖4、圖5和圖6所示的實(shí)施方式被示出為用于具有位于(與位于有源區(qū)110 內(nèi)的有源溝槽310平行的)漏極終端區(qū)105內(nèi)的終端溝槽305的半導(dǎo)體器件100，如圖3所示，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將意識(shí)到本發(fā)明擴(kuò)至具有位于(垂直于位于有源區(qū)110內(nèi)的有源溝槽210的)漏極終端區(qū)105內(nèi)的終端溝槽205的半導(dǎo)體器件100，如圖2所示。圖7是示出具有(位于帶有一個(gè)或多個(gè)電容性分段溝槽結(jié)構(gòu)705的漏極終端區(qū) 105內(nèi)的)電壓終端結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件100的實(shí)施方式分解俯視圖的示圖。在一個(gè)實(shí)施方式中，半導(dǎo)體器件100包括(包括多個(gè)沿著第一方向彼此平行設(shè)置的電容性耦合有源溝槽 310的)有源區(qū)110和(包括一個(gè)或多個(gè)沿著第二方向設(shè)置的電容性分段溝槽結(jié)構(gòu)705的) 電壓終端結(jié)構(gòu)105。電容性分段溝槽結(jié)構(gòu)705可以包括尺寸大約為IymXlym的溝槽段。電容性分段溝槽結(jié)構(gòu)705可以包括填充有導(dǎo)電材料并且完全被硅臺(tái)面區(qū)圍繞的介電襯里區(qū)。終端溝槽705可以包括大約為1的寬度與高度的縱橫比。至少一個(gè)終端溝槽705可以具有與本征器件導(dǎo)電溝槽基本相同、或更寬或更窄的寬度。假設(shè)分段溝槽705之間的臺(tái)面保持恒定，每列分段溝槽705的布置可以對(duì)齊(如圖所示)、偏移或交錯(cuò)。終端節(jié)距(終端溝槽705+終端溝槽之705間的間隔)還可以包括不同地?fù)诫s的第一硅區(qū)。第一硅區(qū)與用于有源器件110漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)相比，可以更高或者更低地?fù)诫s，或者用不同的摻雜物來?yè)诫s。終端結(jié)構(gòu)還可以包括在源極側(cè)、漏極側(cè)或二者側(cè)的金屬場(chǎng)板。終端節(jié)距還可以包括在終端溝槽和導(dǎo)電溝槽之間的過渡硅臺(tái)面。過渡臺(tái)面的寬度可以與導(dǎo)電臺(tái)面的寬度一樣、更寬或更窄。終端溝槽705的制作工藝可以與本征器件漏極漂移區(qū)導(dǎo)電溝槽共有一個(gè)或多個(gè)加工步驟。圖8是示出具有(具有一個(gè)或多個(gè)電容性分段溝槽結(jié)構(gòu)805A或條形溝槽結(jié)構(gòu) 805B的)氧化終端區(qū)105的半導(dǎo)體器件100的實(shí)施方式的分解俯視圖的示圖。半導(dǎo)體器件 100包括具有完全由從器件表面垂直延伸有限距離的電絕緣層組成的連續(xù)區(qū)域的電壓終端結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)體器件110包括(包括多個(gè)沿著第一方向彼此平行設(shè)置的電容性耦合有源溝槽310的)有源區(qū)110和(包括完全由從器件表面垂直延伸有限距離的電絕緣層組成的連續(xù)區(qū)域的)電壓終端結(jié)構(gòu)105。在一個(gè)實(shí)施方式中，絕緣層包括沉積的二氧化硅。在另一個(gè)實(shí)施方式中，絕緣層包括熱生長(zhǎng)二氧化硅。在另一個(gè)實(shí)施方式中，絕緣層包括沉積的氮化硅。在另一個(gè)實(shí)施方式中，絕緣層包括熱生長(zhǎng)氮化硅。圖9A是示出具有(位于垂直于位于有源區(qū)110內(nèi)的有源溝槽910A的漏極終端區(qū) 105內(nèi)的)終端溝槽905A的半導(dǎo)體器件100的實(shí)施方式的分解俯視圖的示圖。每個(gè)終端溝槽905A包含可以浮動(dòng)的多晶硅場(chǎng)板。在一個(gè)實(shí)施方式中，半導(dǎo)體器件100具有(包括多個(gè)沿著第一方向彼此平行設(shè)置的電容性耦合有源溝槽910A的)有源區(qū)110和(包括沿著第二方向設(shè)置的至少一個(gè)電容性耦合終端溝槽905A的)電壓終端結(jié)構(gòu)105。第二方向垂直于第一方向。有源溝槽910A和終端溝槽905A可以基本上相似。位于終端溝槽905A內(nèi)的多晶硅場(chǎng)板耦合至垂直于終端溝槽905A延伸的多晶硅連接950B，多晶硅連接950B平行于有源溝槽910A延伸。每個(gè)多晶硅連接950B可以在垂直方向上覆蓋所有終端溝槽905A，并與設(shè)置在終端溝槽905A內(nèi)的至少一個(gè)多晶硅場(chǎng)板接觸。 可選地，每個(gè)多晶硅連接950B可以在垂直方向上覆蓋至少一個(gè)終端溝槽905A，并與設(shè)置在所覆蓋的終端溝槽905A內(nèi)的至少一個(gè)多晶硅場(chǎng)板接觸。在一個(gè)實(shí)施方式中，每個(gè)多晶硅連接905B被設(shè)定為與位于單個(gè)終端溝槽905A內(nèi)的多晶硅場(chǎng)板接觸。在另一個(gè)實(shí)施方式中， 每個(gè)多晶硅連接905B被設(shè)定為與位于單個(gè)終端溝槽905A內(nèi)的多晶硅場(chǎng)板接觸，從而最接近漏極(120A、120B)設(shè)置的第一多晶硅連接905B與位于最接近漏極(120A、120B)設(shè)置的第一終端溝槽905A內(nèi)的多晶硅場(chǎng)板接觸。相繼的多晶硅連接905B可以進(jìn)一步與位于相繼的終端溝槽905A內(nèi)的多晶硅場(chǎng)板，使得遠(yuǎn)離漏極(120A、120B)的第二多晶硅連接905B與位于遠(yuǎn)離漏極(120A、120B)的第二終端溝槽905A內(nèi)的多晶硅場(chǎng)板接觸；遠(yuǎn)離漏極(120A、 120B)的第三多晶硅連接905B與位于遠(yuǎn)離漏極(120A、120B)的第三終端溝槽905A內(nèi)的多晶硅場(chǎng)板接觸；等等。在圖9A所示實(shí)施方式中，多晶硅連接905B均等地分隔開。在終端溝槽905A同樣
11均等地分隔開的實(shí)施方式中，多晶硅連接905B與終端溝槽905A內(nèi)的多晶硅場(chǎng)板之間的接觸點(diǎn)形成一條直線。在終端溝槽905A不均等地分隔開的實(shí)施方式中，多晶硅連接905B與終端溝槽905A內(nèi)的多晶硅場(chǎng)板之間的接觸點(diǎn)形成一條曲線而非直線。與圖9A相似的圖9B是示出具有變化地分隔開的多晶硅連接905B的半導(dǎo)體器件 100的示圖。如同圖9A中所示的半導(dǎo)體器件一樣，圖9B中所示的半導(dǎo)體器件具有位于(垂直于位于有源區(qū)110內(nèi)的有源溝槽910A的)漏極終端區(qū)105內(nèi)的終端溝槽905A。在圖9B 所示的實(shí)施方式中，多晶硅連接905B離漏極區(qū)(120A、120B)指端越近，多晶硅連接905B之間的間隔越寬。在終端溝槽905A均等地分隔開的實(shí)施方式中，多晶硅連接905B與終端溝槽905A內(nèi)的多晶硅場(chǎng)板之間的接觸點(diǎn)形成一條曲線。在終端溝槽905A不均等地分隔開的實(shí)施方式中，多晶硅連接905B與終端溝槽905A內(nèi)的多晶硅場(chǎng)板之間的接觸點(diǎn)同樣形成一條(在某些配置中可能是直線的)曲線。在實(shí)施方式中，至少一個(gè)終端節(jié)距(終端溝槽905A+終端溝槽905A之間的間隔) 包括硅區(qū)，硅區(qū)橫向地從電容器到電容器比用于有源器件110漂移區(qū)中的導(dǎo)電的硅區(qū)更寬或更窄。至少一個(gè)終端節(jié)距可以還包括第一硅區(qū)，第一硅區(qū)從電容器到電容器的寬度是用于有源器件110漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)的一半。至少一個(gè)終端節(jié)距可以包括第一硅區(qū)， 第一硅區(qū)在平行于終端溝槽的方向上比用于有源器件110漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)更短或更長(zhǎng)。至少一個(gè)終端節(jié)距還可以包括第一硅區(qū)，第一硅區(qū)在平行于終端溝槽的方向上是用于有源器件110漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)的兩倍長(zhǎng)。至少一個(gè)終端節(jié)距還可以包括第一硅區(qū)，第一硅區(qū)與用于有源器件110漂移區(qū)的導(dǎo)電的第二硅區(qū)相比，可以更高或者更低地?fù)诫s，或者用不同的摻雜物來?yè)诫s。盡管描述了本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但是各種修正、變更、可選結(jié)構(gòu)以及等同物也包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。所描述的發(fā)明不限于在一定具體實(shí)施方式
中操作，而是在其他實(shí)施方式配置中自由地操作，如對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，本發(fā)明的范圍不限于所描述的一系列處理和步驟中。因此，說明書和附圖要看作是說明性的而不是限制性的。然而，顯而易見的是，在不背離權(quán)利要求書所闡明的本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行增加、減少、刪除以及其他修改和改變。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括有源區(qū)，包括多個(gè)沿著第一方向彼此平行設(shè)置的電容性耦合有源溝槽；以及電壓終端結(jié)構(gòu)，包括沿著第二方向設(shè)置的至少一個(gè)電容性耦合終端溝槽；其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括硅區(qū)，所述硅區(qū)從電容器到電容器在橫向上比用于在有源器件漂移區(qū)中導(dǎo)電的硅區(qū)更寬或更窄。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括第一硅區(qū)，所述第一硅區(qū)從電容器到電容器的寬度是用于在有源器件漂移區(qū)中導(dǎo)電的第二硅區(qū)的一半。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括第一硅區(qū)，所述第一硅區(qū)在平行于所述至少一個(gè)終端溝槽的方向上比用于在有源器件漂移區(qū)中導(dǎo)電的第二硅區(qū)更短或更長(zhǎng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括第一硅區(qū)，所述第一硅區(qū)在平行于所述至少一個(gè)終端溝槽的方向上是用于在有源器件漂移區(qū)中導(dǎo)電的第二硅區(qū)的兩倍長(zhǎng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括第一硅區(qū)，所述第一硅區(qū)與用于在有源器件漂移區(qū)中導(dǎo)電的第二硅區(qū)相比，更高或者更低地?fù)诫s，或者用不同的摻雜物來?yè)诫s。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述終端結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在源極側(cè)、漏極側(cè)或這兩側(cè)的金屬場(chǎng)板。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述場(chǎng)板使用用于形成金屬互連層的工藝來制造。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括設(shè)置在至少一個(gè)場(chǎng)板上的至少一個(gè)多晶硅連接器，其中所述至少一個(gè)場(chǎng)板設(shè)置在所述終端溝槽中；以及所述多晶硅連接器連接至至少一個(gè)多晶硅場(chǎng)板。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多晶硅連接器被設(shè)置為垂直于所述至少一個(gè)終端溝槽，并具有將相鄰的所述多晶硅連接器分隔開的間隔，其中所述間隔越靠近所述漏極側(cè)變得越大。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括設(shè)置在所述終端溝槽和導(dǎo)電溝槽之間的過渡硅臺(tái)面。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述過渡臺(tái)面的寬度與導(dǎo)電臺(tái)面一樣， 或者比所述導(dǎo)電臺(tái)面更寬或更窄。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述終端結(jié)構(gòu)包括一個(gè)或多個(gè)由多晶硅、金屬或其他導(dǎo)電材料形成的場(chǎng)板，所述場(chǎng)板以修正所述終端溝槽中出現(xiàn)的電場(chǎng)的圖案從導(dǎo)電溝槽上方到所述終端溝槽上方延伸。
14.一種半導(dǎo)體器件，包括有源區(qū)，包括多個(gè)沿著第一方向彼此平行設(shè)置的電容性耦合有源溝槽；以及電壓終端結(jié)構(gòu)，包括沿著第二方向設(shè)置的至少一個(gè)電容性耦合終端溝槽；其中，所述第二方向平行于所述第一方向。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述有源溝槽和所述終端溝槽基本上相似。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括第一硅區(qū)，所述硅區(qū)從電容器到電容器在橫向上比用于在有源器件漂移區(qū)中導(dǎo)電的第二硅區(qū)更寬或更窄。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括第一硅區(qū)，所述第一硅區(qū)從電容器到電容器的寬度是用于在有源器件漂移區(qū)中導(dǎo)電的第二硅區(qū)的一半。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括第一硅區(qū)，所述第一硅區(qū)在平行于所述至少一個(gè)終端溝槽的方向上比用于在有源器件漂移區(qū)中導(dǎo)電的第二硅區(qū)更短或更長(zhǎng)。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括第一硅區(qū)，所述第一硅區(qū)在平行于所述至少一個(gè)終端溝槽的方向上是用于在有源器件漂移區(qū)中導(dǎo)電的第二硅區(qū)的兩倍長(zhǎng)。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括第一硅區(qū)，所述第一硅區(qū)與用于在有源器件漂移區(qū)中導(dǎo)電的第二硅區(qū)相比，更高或者更低地?fù)诫s，或者用不同的摻雜物來?yè)诫s。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述終端結(jié)構(gòu)包括在源極側(cè)、漏極側(cè)或這兩側(cè)的金屬場(chǎng)板。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述場(chǎng)板通過任意或所有加工金屬互連層的工藝來制造。
23.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括在所述終端溝槽和導(dǎo)電溝槽之間的過渡硅臺(tái)面。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述過渡臺(tái)面的寬度與導(dǎo)電臺(tái)面一樣， 或者比所述導(dǎo)電臺(tái)面更寬或更窄。
25.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述終端結(jié)構(gòu)包括一個(gè)或多個(gè)由多晶硅、金屬或其他導(dǎo)電材料形成的場(chǎng)板，所述場(chǎng)板以修正所述終端溝槽中出現(xiàn)的電場(chǎng)的圖案從導(dǎo)電溝槽上方到所述終端溝槽上方延伸。
26.一種半導(dǎo)體器件，包括有源區(qū)，包括多個(gè)沿著第一方向彼此平行設(shè)置的電容性耦合有源溝槽；以及電壓終端結(jié)構(gòu)，包括至少一個(gè)電容性分段溝槽結(jié)構(gòu)，所述電容性分段溝槽結(jié)構(gòu)包括填充有導(dǎo)電材料并且完全被硅臺(tái)面區(qū)圍繞的介電襯里區(qū)。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體器件，其中，至少一個(gè)終端溝槽包括大約為1的寬度與高度的縱橫比。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體器件，其中，至少一個(gè)終端溝槽包括與本征器件導(dǎo)電溝槽基本上相同、或者更寬或更窄的寬度。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體器件，其中，至少一個(gè)終端溝槽與本征器件漏極漂移區(qū)導(dǎo)電溝槽共有一個(gè)或多個(gè)加工步驟。
30.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體器件，其中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括第一硅區(qū)，所述第一硅區(qū)與用于在有源器件漂移區(qū)中導(dǎo)電的第二硅區(qū)相比，更高或者更低地?fù)诫s，或者用不同的摻雜物來?yè)诫s。
31.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述終端結(jié)構(gòu)包括在源極側(cè)、漏極側(cè)或這兩側(cè)的金屬場(chǎng)板。
32.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體器件，其中，至少一個(gè)終端節(jié)距包括在所述終端溝槽和導(dǎo)電溝槽之間的過渡硅臺(tái)面。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述過渡臺(tái)面的寬度與導(dǎo)電臺(tái)面一樣， 或者比所述導(dǎo)電臺(tái)面更寬或更窄。
34.一種半導(dǎo)體器件，包括有源區(qū)，包括多個(gè)沿著第一方向彼此平行設(shè)置的電容性耦合有源溝槽；以及電壓終端結(jié)構(gòu)，包括具有完全由從器件表面垂直延伸有限距離的電絕緣層組成的連續(xù)終端區(qū)域。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述絕緣層包括沉積的二氧化硅。
36.根據(jù)權(quán)利要求34所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述絕緣層包括熱生長(zhǎng)二氧化硅。
37.根據(jù)權(quán)利要求34所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述絕緣層包括沉積的氮化硅。
38.根據(jù)權(quán)利要求34所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述絕緣層包括熱生長(zhǎng)氮化硅。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種側(cè)部浮動(dòng)耦合電容器器件終端結(jié)構(gòu)。電壓終端結(jié)構(gòu)包括一個(gè)或多個(gè)可與有源晶體管的漂移區(qū)內(nèi)的溝槽相似的電容性耦合溝槽。終端區(qū)內(nèi)的電容性耦合溝槽沿著平行或垂直于有源器件漂移區(qū)內(nèi)的溝槽的方向設(shè)置。電壓終端結(jié)構(gòu)可以還包括電容性分段溝槽結(jié)構(gòu)，電容性分段溝槽結(jié)構(gòu)具有填充有導(dǎo)電材料并且完全被硅臺(tái)面區(qū)圍繞的介電襯里區(qū)。電壓終端結(jié)構(gòu)可以還包括完全由從器件表面垂直延伸有限距離的電絕緣層組成的連續(xù)區(qū)域。
文檔編號(hào)H01L29/78GK102222685SQ201110095760
公開日2011年10月19日 申請(qǐng)日期2011年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月15日
發(fā)明者約瑟夫·A·葉季納科, 羅伯特·國(guó)-昌·楊, 金成龍 申請(qǐng)人:飛兆半導(dǎo)體公司