專(zhuān)利名稱(chēng)：色穩(wěn)定白光oled器件及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)白光器件結(jié)構(gòu)，尤其涉及磷光摻雜發(fā)光層為分層結(jié)構(gòu)的高效器件實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定色坐標(biāo)的白光器件結(jié)構(gòu)及其制法，屬于OLED器件技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)具有高效率、自發(fā)光、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、輕薄、面光源等特征而在白光照明與顯示領(lǐng)域備受關(guān)注。對(duì)OLED實(shí)現(xiàn)高效白光的一種重要方法，是采用理論內(nèi)量子效率可達(dá)100%的磷光材料摻雜作發(fā)光層，獲得高的發(fā)光效率；同時(shí)采用紅、黃互補(bǔ)雙色或紅、藍(lán)、綠三色發(fā)光結(jié)構(gòu)復(fù)合出白光。在多種不同波長(zhǎng)發(fā)射的磷光材料摻雜作為發(fā)光層的結(jié)構(gòu)中，不同磷光材料分層摻雜相對(duì)同一層主體材料內(nèi)共摻多種發(fā)光材料，能避免激子間的相互作用，更有利于提高器件發(fā)光效率。研究表明多基色層的復(fù)合發(fā)光層結(jié)構(gòu)中，若采用如CBP等寬帶隙雙極性分子的薄層把各摻雜基色發(fā)光層隔開(kāi)，器件效率進(jìn)一步增加。此外， OLED器件的效率與發(fā)光層中的電子空穴平衡、激子限定等器件結(jié)構(gòu)調(diào)控、材料體系選擇有重要關(guān)系。對(duì)不同磷光材料分層摻雜的多基色層復(fù)合發(fā)光層結(jié)構(gòu)OLED白光，最簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)是采用藍(lán)、黃互補(bǔ)雙色兩層基色層，為提高白光色還原指數(shù)(CRI)，可進(jìn)一步采用紅、綠、藍(lán)三基色，甚至紅、綠、黃、藍(lán)四基色多層復(fù)合發(fā)光層結(jié)構(gòu)。通過(guò)調(diào)節(jié)優(yōu)化不同基色的發(fā)光比例，使色坐標(biāo)位于白光區(qū)域，色坐標(biāo)最佳為(0. 33,0. 33)。在OLED器件中，發(fā)光是通過(guò)電子與空穴分別從陰極與陽(yáng)極經(jīng)過(guò)電子或空穴傳輸層在發(fā)光層相遇，并復(fù)合產(chǎn)生激子，激子輻射衰減產(chǎn)生光子。一般來(lái)說(shuō)，在OLED有機(jī)材料中，空穴的遷移率是電子遷移率的10-1000倍左右，因而激子復(fù)合區(qū)域通常在鄰近電子傳輸層一側(cè)的發(fā)光層附近，復(fù)合區(qū)域總寬約30nm，中心處的激子密度最高、并沿兩側(cè)激子密度逐步遞減。材料的電荷遷移率，是隨電壓變化而變的，電子的遷移率與空穴的遷移率變化趨勢(shì)也有很大不同，電子遷移率隨電壓增加比空穴相應(yīng)值要快得多，因此在OLED器件中，發(fā)光層中的復(fù)合區(qū)域是隨驅(qū)動(dòng)電壓增加而從鄰近電子傳輸層一側(cè)向鄰近空穴傳輸層一側(cè)移動(dòng)的。對(duì)多基色層復(fù)合發(fā)光層結(jié)構(gòu)的白光0LED，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓增加時(shí)，復(fù)合區(qū)域的中心從一種基色層移到另一基色層，從而不同基色層中的激子數(shù)目出現(xiàn)此消彼漲的情況，基色貢獻(xiàn)比例發(fā)生明顯變化，從而發(fā)光顏色改變明顯，白光色坐標(biāo)很不穩(wěn)定。如發(fā)光層為藍(lán)、黃雙色雙層摻雜的白光0LED，在電壓從5V增加到12伏時(shí)，色坐標(biāo)變化值超過(guò)40%，視覺(jué)上的白光明顯從偏黃向偏藍(lán)變化。這個(gè)問(wèn)題已成為多基色層復(fù)合發(fā)光層結(jié)構(gòu)白光OLED的共同問(wèn)題，但要使磷光OLED發(fā)光效率高，這種發(fā)光層中的各基色磷光材料分層摻雜結(jié)構(gòu)是必須采用的。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中OLED磷光器件色坐標(biāo)隨電壓變化缺乏穩(wěn)定性的問(wèn)題，本發(fā)明的目的旨在提供一種色穩(wěn)定白光OLED器件，以期實(shí)現(xiàn)色坐標(biāo)不隨電壓變化的穩(wěn)定高效白光0LED，并提高器件的發(fā)光效率。本發(fā)明上述第一個(gè)目的，其技術(shù)解決方案是色穩(wěn)定白光OLED器件，為透明襯底上依次包括透明導(dǎo)電膜、空穴注入層、空穴傳輸層、第一激子限定層、發(fā)光層、第二激子限定層、電子傳輸層、電子注入層及陰極構(gòu)成的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，其特征在于所述發(fā)光層為重復(fù)單元數(shù)介于1. 5 5的基色光單元交替重復(fù)形成的多層結(jié)構(gòu)，其中所述基色光單元為磷光有機(jī)小分子摻雜的黃藍(lán)雙基色單元或紅、綠、藍(lán)
三基色單元。進(jìn)一步地，所述發(fā)光層的總厚度小于60nm，每個(gè)基色光單元的厚度介于1 15nm 之間。所述發(fā)光層的最小結(jié)構(gòu)為藍(lán)、黃、藍(lán)三層結(jié)構(gòu)，且當(dāng)重復(fù)單元數(shù)大于等于2時(shí)，各基色光單元的膜厚介于1 5nm之間。并且，所述基色光單元各基色層之間設(shè)有具高三重態(tài)能級(jí)、且具空穴、電子雙傳輸能力的間隔層，至少為CBP，間隔層厚度為7nm以下。進(jìn)一步地，構(gòu)成發(fā)光層多層結(jié)構(gòu)的所述基色光單元，均為寬帶隙主體材料摻雜磷光小分子發(fā)光材料而成的膜層，其中最靠近電子傳輸層的主體材料為具有電子傳輸功能的TPBi，BCP, BPhen,3TPYMB或PBD ；最靠近空穴傳輸層的主體材料為具有空穴傳輸功能的 mcP, TAPc或TCTA ；且中間的主體材料為同時(shí)具有電子與空穴傳輸功能的CBP或⑶BP。更進(jìn)一步地，摻雜的磷光小分子中，綠光、黃光和紅光磷光小分子的能級(jí)介于 1.7 2. 4eV之間，發(fā)光光譜在500 700nm范圍之中，選自Ir(ppy)3，Ir(2-hpq)3, Ir (2-hpq) 2 (acac)，Ir (piq) 2 (acac)，Ir (piq) 3 或 Ir (btpy) 2 (acac)；而且藍(lán)光磷光小分子的能級(jí)介于2. 5 3. 5eV之間，發(fā)光光譜在350 550nm范圍之中，至少選為FIrpic。進(jìn)一步地，所述第一激子限定層為帶隙寬度大于3. 2eV的電子阻擋空穴傳輸?shù)哪硬牧希辽贋門(mén)APC ；而所述第二激子限定層為帶隙寬度大于3. 2eV的空穴阻擋電子傳輸?shù)哪硬牧希x自 TPBi，BCP, BPhen, 3TPYMB 或 TAZ。本發(fā)明上述第二個(gè)目的，其制法的技術(shù)方案為采用熱蒸發(fā)真空沉積的方法，在透明襯底上制備形狀符合所需的透明導(dǎo)電膜，并依次控制厚度沉積空穴注入層、空穴傳輸層、 第一激子限定層、發(fā)光層、第二激子限定層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，最后封裝、連接外電路、測(cè)試。應(yīng)用本發(fā)明的色穩(wěn)定白光OLED器件及其制法，其有益效果體現(xiàn)為本發(fā)明針對(duì)白光OLED器件的發(fā)光層改進(jìn)，采用多基色光單元重復(fù)交替結(jié)構(gòu)，使得發(fā)光層內(nèi)激子復(fù)合區(qū)移動(dòng)時(shí)，各基色光貢獻(xiàn)的比例基本保持不變，從而實(shí)現(xiàn)了色坐標(biāo)不隨電壓變化的穩(wěn)定白光OLED ；同時(shí)進(jìn)一步改善了器件的發(fā)光效率。


圖1為本發(fā)明白光OLED器件的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1所示白光OLED器件發(fā)光層的細(xì)化結(jié)構(gòu)示意圖。圖中各附圖標(biāo)記的含義如下1 透明襯底，2 透明導(dǎo)電膜，3 空穴注入層，4 空穴傳輸層，5 第一激子限定層，6 發(fā)光層，7 第二激子限定層，8 電子傳輸層9 電子注入層，10 金屬陰極， 11 外電路；61 三基色單元，612 藍(lán)光基色層，614 紅光基色層，613 綠光基色層；62 三基色單元，622 藍(lán)光基色層，6 紅光基色層，623 綠光基色層；66 間隔層。
具體實(shí)施例方式為了解決可實(shí)現(xiàn)高效白光的多基色層復(fù)合發(fā)光層結(jié)構(gòu)OLED磷光器件色坐標(biāo)隨電壓變化、從而色坐標(biāo)不穩(wěn)定的問(wèn)題，本發(fā)明的目的旨在提供一種新型的白光OLED器件及其制法，具體是對(duì)發(fā)光層創(chuàng)新了多基色層重復(fù)交替結(jié)構(gòu)，各基色層更薄，層數(shù)更多，當(dāng)發(fā)光層內(nèi)激子復(fù)合區(qū)隨電壓增加而移動(dòng)時(shí)，各基色光貢獻(xiàn)的比例保持基本不變，從而實(shí)現(xiàn)色坐標(biāo)不隨電壓變化的穩(wěn)定高效白光0LED。在獲得穩(wěn)定色坐標(biāo)白光器件結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，結(jié)合一系列器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新設(shè)計(jì)，進(jìn)一步提高本發(fā)明器件的發(fā)光效率。如圖1所示的本發(fā)明白光OLED器件的整體結(jié)構(gòu)示意圖可見(jiàn)其為透明襯底1上依次包括透明導(dǎo)電膜2、空穴注入層3、空穴傳輸層4、第一激子限定層5、發(fā)光層6、第二激子限定層7、電子傳輸層8、電子注入層9及陰極10構(gòu)成的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，并且從透明導(dǎo)電膜2與陰極10連接外電路11。特別地，該發(fā)光層6為重復(fù)單元數(shù)介于1. 5 5的基色光單元交替重復(fù)形成的多層結(jié)構(gòu)，其中基色光單元為磷光有機(jī)小分子摻雜的黃藍(lán)雙基色單元或紅、綠、藍(lán)三基色單元。如圖2所示，本實(shí)施圖例中，發(fā)光層6為由多個(gè)三基色單元交替重復(fù)形成的多層結(jié)構(gòu)。為圖示方便，此處僅示出靠近電子傳輸層的三基色單元61和靠近空穴傳輸層的三基色單元62 ；并且每個(gè)三基色單元中各光色的基色層排序相同或不同。其中藍(lán)光基色層612的主體材料為具電子傳輸功能的TPBi，BCP，BPhen, 3TPYMB或PBD之一；藍(lán)光基色層622的主體材料為具空穴傳輸功能的mcP，TAPc或TCTA，而其它基色層(紅光基色層 614、綠光基色層613、紅光基色層624、綠光基色層62 的主體材料為同時(shí)具有電子與空穴傳輸功能的CBP或⑶BP。此外基色光單元各基色層之間設(shè)有具高三重態(tài)能級(jí)、且具空穴、電子雙傳輸能力的間隔層，至少為CBP，間隔層厚度為7nm以下。從本發(fā)明進(jìn)一步優(yōu)選的方案來(lái)看發(fā)光層的總厚度小于60nm，每個(gè)基色光單元的厚度介于1 15nm之間。所述發(fā)光層的最小結(jié)構(gòu)為藍(lán)、黃、藍(lán)三層結(jié)構(gòu)，且當(dāng)重復(fù)單元數(shù)大于等于2時(shí)，各基色光單元的膜厚介于1 5nm之間。并且，所述基色光單元各基色層之間設(shè)有具高三重態(tài)能級(jí)、且具空穴、電子雙傳輸能力的間隔層，至少為CBP，間隔層厚度為7nm 以下。摻雜的磷光小分子中，綠光、黃光和紅光磷光小分子的能級(jí)介于1. 7 2. 4eV之間，發(fā)光光譜在 500 700nm 范圍之中，選自 Ir(ppy)3, Ir(2-hpq)3, Ir (2-hpq) 2 (acac), Ir(piq)2(acac)，Ir(piq)3或Ir (btpy) 2 (acac)；而且藍(lán)光磷光小分子的能級(jí)介于2. 5 3. 5eV之間，發(fā)光光譜在350 550nm范圍之中，至少選為FIrpic。第一激子限定層為帶隙寬度大于3. 2eV的電子阻擋空穴傳輸?shù)哪硬牧?，至少?TAPC ；而所述第二激子限定層為帶隙寬度大于3. 2eV的空穴阻擋電子傳輸?shù)哪硬牧希x自 TPBi，BCP，BPhen, 3TPYMB 或 TAZ。從本發(fā)明制法技術(shù)方案簡(jiǎn)單來(lái)看，所使用的是較為常規(guī)的現(xiàn)有技術(shù)，只是根據(jù) OLED器件結(jié)構(gòu)的改進(jìn)對(duì)工藝進(jìn)行相對(duì)應(yīng)的調(diào)整，即采用熱蒸發(fā)真空沉積的方法，在透明襯底上制備形狀符合所需的透明導(dǎo)電膜，并依次控制厚度沉積空穴注入層、空穴傳輸層、第一激子限定層、發(fā)光層、第二激子限定層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，封裝，最后連接外電路、測(cè)試。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯、易理解，下面結(jié)合本發(fā)明具體實(shí)施例，詳細(xì)說(shuō)明如下實(shí)施案例一襯底1為玻璃，透明電極2為20歐/ 口的陽(yáng)極ITO膜，刻蝕形成圖案后清洗干凈氮?dú)獯蹈?，并在UV臭氧下處理15分鐘。然后，在高真空GXl(T4W)下依次沉積空穴注入層，材料為m-MTDATA厚度IOnm ；沉積空穴傳輸材料NPB厚度20nm、第一激子限定層TAPC 厚度IOnm ；雙源共蒸的方法沉積FIrpic摻雜藍(lán)光發(fā)光層，摻雜主體材料為mcp，摻雜濃度為 7 %，蒸鍍厚度至12nm ；接著沉積5nm CBP間隔層，然后雙源共蒸沉積Ir- (2-phq) 3摻雜的黃光發(fā)光層，摻雜比例7%，厚度為5nm，主體材料為雙傳輸性能的CBP ；沉積5nm的CBP間隔層；再次沉積12nm、7% FIrpic摻雜藍(lán)光發(fā)光層，主體材料為3TPYMB ；然后沉積激子限定/ 電子傳輸TPBi層，厚度為30nm ；再沉積Inm的LiF層與IOOnm的金屬陰極Al層。測(cè)試器件在直流偏壓3. 5V時(shí)啟亮，在5-8V時(shí)色坐標(biāo)穩(wěn)定為(0. 325,0. 331)，驅(qū)動(dòng)電壓繼續(xù)連續(xù)增加到12V的整個(gè)過(guò)程中色坐標(biāo)變化率不超過(guò)1. 5%。電壓為12V時(shí)亮度能達(dá)到23000cd/cm2。器件效率比雙基色層器件提高了 25%。實(shí)施案例二在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，改變發(fā)光層結(jié)構(gòu)，包括基色層材料及重復(fù)單元數(shù)，發(fā)光層結(jié)構(gòu)具體為第一層為mcp摻雜7% FIrpic的藍(lán)光發(fā)光層，厚度5nm ；第二層為CBP摻雜6% 的Ir(ppy)3綠光發(fā)光層，厚度Inm ；第三層為CBP摻雜5% (DMPQ)2Iracac紅光發(fā)光層，厚度Inm ；第四層為T(mén)CTA摻雜7% FIrpic的藍(lán)光發(fā)光層，厚度5nm ；第五層為CBP摻雜6%的 Ir(ppy)3綠光發(fā)光層，厚度Inm;第六層為CBP摻雜5% (DMPQ) Jracac紅光發(fā)光層，厚度 Inm ；第七層為3TPYMB摻雜7% FIrpic藍(lán)光發(fā)光層，厚度為5nm ；所有發(fā)光層之間均有3nm 厚的CBP間隔層。其它制作條件都與實(shí)施例1相同。器件測(cè)試后的效果表明器件電致下為寬光譜，光譜峰位主要包括480nm，532nm， 611nm，6V下CIE坐標(biāo)為(0. 334，0. 33 ，器件驅(qū)動(dòng)電壓增加到12V時(shí)色坐標(biāo)為(0.336， 0. 32 ，變化率小于；三基色白光色還原指數(shù)CRI為86，器件最大電流效率18cd/A，12V 時(shí)亮度達(dá)到2386kd/cm2。針對(duì)白光OLED器件的發(fā)光層改進(jìn)，尤其是采用了磷光摻雜的多基色層重復(fù)交替結(jié)構(gòu)，各基色層更薄，從而使得發(fā)光層內(nèi)激子復(fù)合區(qū)移動(dòng)時(shí)，各基色光貢獻(xiàn)的比例基本保持不變，從而實(shí)現(xiàn)色坐標(biāo)不隨電壓變化的穩(wěn)定白光0LED。此外，基色層之間引入了間隔層，激子間的相互猝滅作用降低；激子限定層使激子局域于發(fā)光層內(nèi)，提高了發(fā)光效率及色穩(wěn)定性；各基色發(fā)光層的主體材料充分考慮了電子空穴的傳輸與注入問(wèn)題，發(fā)光層內(nèi)的電荷注入更平衡。總的來(lái)說(shuō)，本發(fā)明器件不僅解決了白光OLED色坐標(biāo)隨電壓變化較大的問(wèn)題，還進(jìn)一步改善了器件發(fā)光效率。如本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)藍(lán)、黃、藍(lán)三重發(fā)光層OLED器件，在6v 時(shí)色坐標(biāo)為(0. 325,0. 331)，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓從4V增加到14V時(shí)白光顏色不變，色坐標(biāo)變化不超過(guò)2%，而傳統(tǒng)黃、藍(lán)雙層發(fā)光層OLED器件則呈現(xiàn)了從黃白光到藍(lán)白光的變化，色坐標(biāo)變化超過(guò)40%。此外，改進(jìn)結(jié)構(gòu)后的白光OLED器件的發(fā)光效率比原器件提高了 25%。綜上所述，是對(duì)本發(fā)明若干具體實(shí)施例的詳細(xì)描述，對(duì)本案保護(hù)范圍不構(gòu)成任何限制，凡采用等同變換或者等效替換而形成的技術(shù)方法，均落在本發(fā)明權(quán)利保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.色穩(wěn)定白光OLED器件，為透明襯底上依次包括透明導(dǎo)電膜、空穴注入層、空穴傳輸層、第一激子限定層、發(fā)光層、第二激子限定層、電子傳輸層、電子注入層及陰極構(gòu)成的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，其特征在于所述發(fā)光層為重復(fù)單元數(shù)介于1. 5 5的基色光單元交替重復(fù)形成的多層結(jié)構(gòu)，其中所述基色光單元為磷光有機(jī)小分子摻雜的黃藍(lán)雙基色單元或紅、綠、藍(lán)三基色單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的色穩(wěn)定白光OLED器件，其特征在于所述發(fā)光層的總厚度小于60nm，每個(gè)基色光單元的厚度介于1 15nm之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的色穩(wěn)定白光OLED器件，其特征在于所述發(fā)光層的最小結(jié)構(gòu)為藍(lán)、黃、藍(lán)三層結(jié)構(gòu)，且當(dāng)重復(fù)單元數(shù)大于等于2時(shí)，各基色光單元的膜厚介于1 5nm之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的色穩(wěn)定白光OLED器件，其特征在于所述基色光單元各基色層之間設(shè)有具高三重態(tài)能級(jí)、且具空穴、電子雙傳輸能力的間隔層，至少為CBP，間隔層厚度為7nm以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的色穩(wěn)定白光OLED器件，其特征在于構(gòu)成發(fā)光層多層結(jié)構(gòu)的所述基色光單元，均為寬帶隙主體材料摻雜磷光小分子發(fā)光材料而成的膜層，其中最靠近電子傳輸層的主體材料為具電子傳輸功能的TPBi，BCP, BPhen,3TPYMB或PBD ；最靠近空穴傳輸層的主體材料為具空穴傳輸功能的mcP，TAPc或TCTA ；且中間的主體材料為同時(shí)具有電子與空穴傳輸功能的CBP或CDBP。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的色穩(wěn)定白光OLED器件，其特征在于摻雜的磷光小分子中，綠光、黃光和紅光磷光小分子的能級(jí)介于1. 7 2. 4eV之間，發(fā)光光譜在500 700nm 范圍之中，選自 Ir(ppy)3, Ir(2-hpq)3, Ir (2-hpq) 2 (acac), Ir (piq) 2 (acac), Ir(piq)3 或 Ir(btpy)2(acac)；而且藍(lán)光磷光小分子的能級(jí)介于2. 5 3. 5eV之間，發(fā)光光譜在350 550nm范圍之中，至少選為FIrpic。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的色穩(wěn)定白光OLED器件，其特征在于所述第一激子限定層為帶隙寬度大于3. 2eV的電子阻擋空穴傳輸?shù)哪硬牧?，至少為T(mén)APC ；而所述第二激子限定層為帶隙寬度大于3. 2eV的空穴阻擋電子傳輸?shù)哪硬牧?，選自TPBi，BCP, BPhen, 3TPYMB 或 TAZ。
8.權(quán)利要求1所述色穩(wěn)定白光OLED器件的制法，其特征在于采用熱蒸發(fā)真空沉積的方法，在透明襯底上制備形狀符合所需的透明導(dǎo)電膜，并依次控制厚度沉積空穴注入層、空穴傳輸層、第一激子限定層、發(fā)光層、第二激子限定層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，最后封裝、連接外電路、測(cè)試。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種具有高效率、色穩(wěn)定的白光OLED器件及其制法，采用磷光摻雜的多基色光單元重復(fù)交替的多層結(jié)構(gòu)，及將各基色層薄化并在個(gè)基色層之間引入間隔層，使得發(fā)光層內(nèi)激子復(fù)合區(qū)移動(dòng)時(shí)，各基色光貢獻(xiàn)的比例基本保持不變，從而實(shí)現(xiàn)色坐標(biāo)不隨電壓變化的穩(wěn)定白光OLED器件。經(jīng)驗(yàn)證實(shí)施本發(fā)明的一個(gè)藍(lán)、黃、藍(lán)三重發(fā)光層OLED器件，在6V時(shí)色坐標(biāo)為(0.325，0.331)，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓從4V增加到14V時(shí)白光顏色不變，色坐標(biāo)變化不超過(guò)2％，而傳統(tǒng)黃、藍(lán)雙層發(fā)光層OLED器件則呈現(xiàn)了從黃白光到藍(lán)白光的變化，色坐標(biāo)變化超過(guò)40％。本發(fā)明在獲得穩(wěn)定色坐標(biāo)白光器件結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，結(jié)合器件結(jié)構(gòu)的改進(jìn)，還進(jìn)一步提高了本發(fā)明白光OLED器件的發(fā)光效率。
文檔編號(hào)H01L51/54GK102195003SQ20111010246
公開(kāi)日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月25日
發(fā)明者周明, 崔錚, 張東煜, 林文晶, 蘇文明 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所