專利名稱：陣列基板及其制造方法和液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示器。
背景技術(shù)：
液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱TFT-LCD)是液晶顯示器中的主流產(chǎn)品。圖IA所示為現(xiàn)有典型陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖IB為圖IA中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。如圖IA和圖IB所示，該陣列基板包括襯底基板1 ；襯底基板1上形成有橫縱交叉的數(shù)據(jù)線5和柵線2 ；數(shù)據(jù)線5和柵線2圍設(shè)形成矩陣形式排列的像素單元；每個(gè)像素單元包括TFT開關(guān)和像素電極11 ；TFT開關(guān)包括柵電極3、源電極7、漏電極8 和有源層6 ；柵電極3連接?xùn)啪€2，源電極7連接數(shù)據(jù)線5，像素電極11通過(guò)漏電極過(guò)孔10 連接漏電極8，有源層6形成在源電極7和漏電極8與柵電極3之間。上述各個(gè)圖案可統(tǒng)稱為導(dǎo)電圖案，為保持上述導(dǎo)電圖案之間的彼此絕緣，可布設(shè)絕緣層。一般在柵線2和柵電極 3上覆蓋柵絕緣層4，在源電極7、漏電極8、有源層6和數(shù)據(jù)線5上覆蓋鈍化層9，像素電極 11形成在鈍化層9上。陣列基板上不僅包括由上述像素單元構(gòu)成的像素區(qū)域30，在像素區(qū)域30四周還包括接口區(qū)域40。接口區(qū)域40用于將柵線2和數(shù)據(jù)線5導(dǎo)出至四周以便與驅(qū)動(dòng)電路相連。 為實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路與柵線2和數(shù)據(jù)線5相連，需要在接口區(qū)域40柵線2和數(shù)據(jù)線5的上方分別開設(shè)柵線過(guò)孔13和數(shù)據(jù)線過(guò)孔14，以便露出下方的金屬線。柵線過(guò)孔13 —般需貫穿鈍化層9和柵絕緣層4而形成，數(shù)據(jù)線過(guò)孔14則需貫穿鈍化層9來(lái)形成。形成過(guò)孔之后，通常還以像素電極11的材料填充至過(guò)孔中作為連接電極15，從而來(lái)連接?xùn)啪€2、數(shù)據(jù)線5和驅(qū)動(dòng)電路。但上述結(jié)構(gòu)在制備過(guò)程中存在一定缺陷。為盡量減少工藝步驟，通常柵線過(guò)孔13、 數(shù)據(jù)線過(guò)孔14和漏電極過(guò)孔10是在形成鈍化層9之后同步刻蝕形成的。如圖IB所示，當(dāng)同步刻蝕時(shí)，漏電極過(guò)孔10、數(shù)據(jù)線過(guò)孔14和柵線過(guò)孔13處的鈍化層9被一齊刻蝕掉，此后需繼續(xù)刻蝕柵線過(guò)孔13處的柵絕緣層4，然而此時(shí)數(shù)據(jù)線過(guò)孔14和漏電極過(guò)孔10處已經(jīng)露出了數(shù)據(jù)線5和漏電極8，不會(huì)再刻蝕柵絕緣層4 了。此時(shí)會(huì)對(duì)暴露在外的數(shù)據(jù)線5和漏電極8進(jìn)行過(guò)刻。如圖2所示為金屬線的層次結(jié)構(gòu)示意圖，數(shù)據(jù)線5和柵線2都屬于金屬線，漏電極 8與數(shù)據(jù)線5的材質(zhì)相同，其通?？梢杂卸喾N金屬構(gòu)成疊層，如圖2所示即包括了中間的鋁 (Al)層和兩側(cè)的鉬(Mo)層，兩側(cè)也可能是鉻(Cr)層。上側(cè)采用鉬材料的優(yōu)點(diǎn)在于可以保護(hù)鋁層，還可以減少鋁層與像素電極材料之間的接觸電阻，使導(dǎo)電性能更佳。雖然刻蝕絕緣材料的刻蝕劑對(duì)數(shù)據(jù)線等金屬材料的刻蝕作用沒有那么大，但是仍然會(huì)對(duì)數(shù)據(jù)線和漏電極等造成損壞。由于輕薄化的要求，金屬線的厚度在逐漸減小，特別是鉬層。因此很有可能刻蝕掉金屬線表面的鉬層，使得鉬層表面粗糙化和針孔化，像素電極材料會(huì)與鋁層接觸。由于通常情況下液晶顯示面板會(huì)工作在潮濕的環(huán)境下，所以粗糙化和針孔化的鉬層會(huì)滲透水分，使得金屬線發(fā)生腐蝕。則會(huì)出現(xiàn)斷線(Line Open)和密封泄漏(Seal Leak)等問題，導(dǎo)致顯示不良。上述金屬過(guò)刻腐蝕現(xiàn)象是陣列基板中的典型問題，不僅出現(xiàn)于接口區(qū)域的數(shù)據(jù)線過(guò)孔和像素區(qū)域的漏電極過(guò)孔處，其他的同步刻蝕兩類過(guò)孔，且兩類過(guò)孔需刻蝕的絕緣層總厚度不同，而使得某一類過(guò)孔首先暴露出金屬材料的情況下，都會(huì)出現(xiàn)金屬過(guò)刻，進(jìn)而導(dǎo)致金屬腐蝕現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示器，以避免刻蝕兩類過(guò)孔時(shí)對(duì)一類過(guò)孔下的金屬材料進(jìn)行過(guò)刻的問題，從而保證液晶顯示器的顯示效果。本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)電圖案以及絕緣層，所述絕緣層中形成有過(guò)孔，其中所述導(dǎo)電圖案至少包括第一導(dǎo)電圖案，所述絕緣層至少包括第一絕緣層和第二絕緣層，所述第一導(dǎo)電圖案形成在所述第一絕緣材料之上且覆蓋在所述第二絕緣層之下；所述過(guò)孔包括第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，所述第一過(guò)孔貫穿于所述第一絕緣層和第二絕緣層中，所述第二過(guò)孔貫穿于所述第二絕緣層中且位于所述第一導(dǎo)電圖案的上方；所述第一導(dǎo)電圖案和第二絕緣層之間還形成有保護(hù)層。本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上制備導(dǎo)電圖案和絕緣層，以及在所述絕緣層中形成過(guò)孔的流程，其中，所述導(dǎo)電圖案至少包括第一導(dǎo)電圖案， 所述絕緣層至少包括第一絕緣層和第二絕緣層，所述過(guò)孔至少包括第一過(guò)孔和第二過(guò)孔， 則制備所述第一導(dǎo)電圖案、第一絕緣層、第二絕緣層、第一過(guò)孔和第二過(guò)孔的流程包括在襯底基板上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成第一導(dǎo)電圖案；在所述第一導(dǎo)電圖案上形成保護(hù)層的圖案；在形成上述圖案的襯底基板上形成第二絕緣層；對(duì)所述第二絕緣層和第一絕緣層采用構(gòu)圖工藝進(jìn)行刻蝕，貫穿刻蝕所述第二絕緣層和第一絕緣層以形成第一過(guò)孔的圖案，同時(shí)貫穿所述第二絕緣層直至所述保護(hù)層以形成第二過(guò)孔的圖案，所述第二過(guò)孔位于所述第一導(dǎo)電圖案的上方。本發(fā)明還包括一種液晶顯示器，包括框架和液晶面板，其中，所述液晶面板包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和本發(fā)明所提供的陣列基板，所述液晶面板固定在所述框架中。本發(fā)明提供的陣列基板及其制造方法和液晶顯示器，通過(guò)在過(guò)孔下方的導(dǎo)電圖案上設(shè)置保護(hù)層，從而在過(guò)孔刻蝕過(guò)程中對(duì)導(dǎo)電圖案進(jìn)行保護(hù)，防止過(guò)刻現(xiàn)象發(fā)生，從而保證液晶顯示器的顯示效果。


圖IA所示為現(xiàn)有典型陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖IB為圖IA中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為金屬線的層次結(jié)構(gòu)示意圖；圖3A為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖;3B為圖3A中沿B-B線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖4A為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4B為圖4A中沿C-C線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖4C為圖4A中沿D-D線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例三提供的陣列基板的制造方法的流程圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例四提供的陣列基板的制造方法的流程圖；圖7A為本發(fā)明實(shí)施例四中形成柵線和柵電極圖案的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖7B為圖7A中沿B-B線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖8A為本發(fā)明實(shí)施例四中形成有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線圖案的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖8B為圖8A中沿B-B線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖9A為本發(fā)明實(shí)施例四中形成保護(hù)層圖案的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖9B為圖9A中沿B-B線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖IOA為本發(fā)明實(shí)施例四中形成過(guò)孔圖案的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖IOB為圖IOA中沿B-B線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為本發(fā)明實(shí)施例五提供的陣列基板的制造方法的流程圖；圖12A為本發(fā)明實(shí)施例五中形成柵線和柵電極圖案的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖12B為圖12A中沿C-C線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖12C為圖12A中沿D-D線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖13A為本發(fā)明實(shí)施例五中形成有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線圖案的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖13B為圖13A中沿C-C線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖13C為圖13A中沿D-D線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖14A為本發(fā)明實(shí)施例五中形成保護(hù)層和第一透明電極圖案的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖14B為圖14A中沿C-C線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖14C為圖14A中沿D-D線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖15A為本發(fā)明實(shí)施例五中形成過(guò)孔圖案的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖15B為圖15A中沿C-C線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖15C為圖15A中沿D-D線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記1-襯底基板；2-柵線；3-柵電極；
4-柵絕緣層；5-數(shù)據(jù)線；6-有源層；
7-源電極；8-漏電極；9-鈍化層；
10-漏電極過(guò)孔;11-像素電極;13-柵線過(guò)孔14-數(shù)據(jù)線過(guò)孔；15-連接電極； 16-保護(hù)層；17-第一透明電極；18-第二透明電極；30-像素區(qū)域；
40-接口區(qū)域。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括襯底基板，襯底基板上設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)電圖案以及絕緣層，絕緣層中形成有過(guò)孔。各導(dǎo)電圖案至少包括第一導(dǎo)電圖案，絕緣層至少包括第一絕緣層和第二絕緣層，第一導(dǎo)電圖案形成在第一絕緣材料之上且覆蓋在第二絕緣層之下；過(guò)孔包括第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，第一過(guò)孔貫穿于第一絕緣層和第二絕緣層中，第二過(guò)孔貫穿于第二絕緣層中且位于第一導(dǎo)電圖案的上方；第一導(dǎo)電圖案和第二絕緣層之間還形成有保護(hù)層。本發(fā)明所提供的陣列基板適用于需要同時(shí)刻蝕兩類過(guò)孔，且兩類過(guò)孔所需刻蝕的絕緣層總厚度不同的情況。本發(fā)明通過(guò)在第一導(dǎo)電圖案上覆蓋保護(hù)層的方式來(lái)為防止在刻蝕過(guò)孔中過(guò)刻損傷第一導(dǎo)電圖案。該保護(hù)層的材料優(yōu)選采用像素電極所使用的銦錫氧化物 (Indium Tin Oxides，簡(jiǎn)稱IT0)等透明導(dǎo)電材料，可以不引入額外的材料，并且ITO等透明導(dǎo)電材料相對(duì)于制備柵線和數(shù)據(jù)線的金屬材料具有較強(qiáng)的抗腐蝕性，能夠有效的保護(hù)導(dǎo)電圖案免于絕緣層刻蝕劑的過(guò)刻。陣列基板上各導(dǎo)電圖案和絕緣層根據(jù)具體需要有多種設(shè)計(jì)形式，下面介紹幾種優(yōu)選的陣列基板結(jié)構(gòu)。實(shí)施例一圖3Α為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖:3Β為圖3Α 中沿B-B線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3Α和;3Β所示，為典型垂直電場(chǎng)形式的扭曲向列 (Twisted Nematic，簡(jiǎn)稱TN)陣列基板。該陣列基板包括襯底基板1，襯底基板1上設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)電圖案以及絕緣層，絕緣層中形成有過(guò)孔。導(dǎo)電圖案具體包括橫縱交叉的數(shù)據(jù)線5和柵線2，形成開關(guān)元件的柵電極3、有源層6、源電極7和漏電極8，還包括像素電極11。數(shù)據(jù)線5和柵線2圍設(shè)形成矩陣形式排列的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元中均設(shè)置有開關(guān)元件和像素電極11。各像素單元構(gòu)成像素區(qū)域30，像素區(qū)域30周圍形成接口區(qū)域40。位于接口區(qū)域40的數(shù)據(jù)線5和/或位于像素區(qū)域30的漏電極8可作為第一導(dǎo)電圖案。柵線過(guò)孔13作為第一過(guò)孔，形成在位于接口區(qū)域40的柵線2的上方。柵線2和柵電極3上覆蓋有柵絕緣層4，柵絕緣層4作為第一絕緣層；有源層6、源電極7、漏電極8和數(shù)據(jù)線5形成在柵絕緣層4上；有源層6、源電極7、漏電極8和數(shù)據(jù)線5上覆蓋有鈍化層9，鈍化層9作為第二絕緣層；像素電極11形成在鈍化層9 上，通過(guò)漏電極過(guò)孔10與漏電極8相連。本實(shí)施例以接口區(qū)域40的數(shù)據(jù)線5作為第一導(dǎo)電圖案，其上形成的數(shù)據(jù)線過(guò)孔14 作為第二過(guò)孔為例進(jìn)行說(shuō)明。保護(hù)層16采用像素電極11的ITO材料制備，覆蓋在接口區(qū)域40的數(shù)據(jù)線5上。當(dāng)形成鈍化層9之后，同時(shí)刻蝕數(shù)據(jù)線過(guò)孔14和柵線過(guò)孔13，通過(guò)控制刻蝕時(shí)間來(lái)控制所刻蝕的鈍化層9和柵絕緣層4的厚度。在柵線過(guò)孔13中的鈍化層9刻蝕完成之后繼續(xù)刻蝕柵絕緣層4，同時(shí)，數(shù)據(jù)線過(guò)孔14中的鈍化層9刻蝕完成之后，保護(hù)層16被暴露出來(lái)，從而保護(hù)其下的數(shù)據(jù)線5不會(huì)被過(guò)刻損壞。類似的，漏電極8也可以作為第一導(dǎo)電圖案，其上覆蓋保護(hù)層16。在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)電圖案優(yōu)選為疊層結(jié)構(gòu)，在鄰近第二絕緣層的方向上至少包括鉬層和鋁層，或至少包括鉻層和鋁層，如圖2所示，可以是上述兩層的疊層結(jié)構(gòu)，也可以再增設(shè)其他層次。則ITO材料的保護(hù)層16主要可以保護(hù)鄰近第二絕緣層的鉬層或鉻層不會(huì)被過(guò)刻損壞，從而避免金屬腐蝕引起的斷線、粗糙化和針孔化，能夠保證顯示效果。本實(shí)施例的陣列基板上優(yōu)選還包括連接電極15，連接電極15填充在第一過(guò)孔和第二過(guò)孔中，即填充在柵線過(guò)孔13和數(shù)據(jù)線過(guò)孔14中的連接電極15，能夠有效的連通柵線 2、數(shù)據(jù)線5和外部的驅(qū)動(dòng)電路。連接電極15通常與像素電極11采用相同材料同步形成。 當(dāng)保護(hù)層16與連接電極15為相同的材料時(shí)，其接觸和導(dǎo)通效果更佳。實(shí)施例二圖4A為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖4B為圖4A中沿C-C線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖，圖4C為圖4A中沿D-D線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。如圖 4A、4B和4C所示，本實(shí)施例為典型高開口率高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān)技術(shù)(High aperture ratio Advanced-Super Dimensional Switching ；簡(jiǎn)稱HAD-SDS)陣列基板，AD-SDS 通過(guò)同一平面內(nèi)像素電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場(chǎng)以及像素電極層與公共電極層間產(chǎn)生的縱向電場(chǎng)形成多維空間復(fù)合電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)像素電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。該陣列基板包括襯底基板1，襯底基板1上設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)電圖案以及絕緣層，絕緣層中形成有過(guò)孔。導(dǎo)電圖案具體包括橫縱交叉的數(shù)據(jù)線5和柵線2，形成開關(guān)元件的柵電極3、有源層6、源電極7和漏電極8，還包括第一透明電極17和第二透明電極18。位于接口區(qū)域40 的數(shù)據(jù)線5作為第一導(dǎo)電圖案，作為第一過(guò)孔的柵線過(guò)孔13形成在位于接口區(qū)域40的柵線2的上方。柵線2和柵電極3上覆蓋有柵絕緣層4，作為該第一絕緣層；有源層6、源電極 7、漏電極8和數(shù)據(jù)線5形成在柵絕緣層4上；第一透明電極17相當(dāng)于像素電極，形成在柵絕緣層4上，且與漏電極8搭接相連；有源層6、源電極7、漏電極8、數(shù)據(jù)線5和第一透明電極17上覆蓋有鈍化層9，作為第二絕緣層；第二透明電極18形成在鈍化層9上，第二透明電極18相當(dāng)于公共電極，為具有縫隙的圖案。第一透明電極17和第二透明電極18形成在像素區(qū)域30，柵線2和數(shù)據(jù)線5延伸至像素區(qū)域30周圍的接口區(qū)域40。本實(shí)施例以接口區(qū)域40的數(shù)據(jù)線5作為第一導(dǎo)電圖案，其上形成的數(shù)據(jù)線過(guò)孔14 作為第二過(guò)孔為例進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施例中，形成在第一導(dǎo)電圖案上的保護(hù)層16采用第一透明電極17的材料與第一透明電極17同步成型。本實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于，不僅能夠防止第一導(dǎo)電圖案被過(guò)刻，而且保護(hù)層的制備可以與第一透明電極同步形成，不必增加額外的構(gòu)圖工藝步驟。本實(shí)施例能夠有效防止 HAD-SDS結(jié)構(gòu)中金屬線的腐蝕。實(shí)施例三圖5為本發(fā)明實(shí)施例三提供的陣列基板的制造方法的流程圖。該制造方法包括在襯底基板上制備導(dǎo)電圖案和絕緣層，以及在絕緣層中形成過(guò)孔的流程，其中，導(dǎo)電圖案至少包括第一導(dǎo)電圖案，絕緣層至少包括第一絕緣層和第二絕緣層，過(guò)孔至少包括第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，則制備第一導(dǎo)電圖案、第一絕緣層、第二絕緣層、第一過(guò)孔和第二過(guò)孔的流程包括步驟510、在襯底基板上形成第一絕緣層；步驟520、在第一絕緣層上形成第一導(dǎo)電圖案；步驟530、在第一導(dǎo)電圖案上形成保護(hù)層的圖案；步驟M0、在形成上述圖案的襯底基板上形成第二絕緣層；步驟550、對(duì)第二絕緣層和第一絕緣層采用構(gòu)圖工藝進(jìn)行刻蝕，貫穿刻蝕第二絕緣層和第一絕緣層以形成第一過(guò)孔的圖案，同時(shí)貫穿第二絕緣層直至保護(hù)層以形成第二過(guò)孔的圖案，第二過(guò)孔位于所述第一導(dǎo)電圖案的上方。本實(shí)施例所提供的陣列基板的制造方法，既實(shí)現(xiàn)了對(duì)兩類過(guò)孔的同時(shí)刻蝕，能夠分別刻蝕兩類過(guò)孔中不同總厚度的絕緣層，而且能夠通過(guò)保護(hù)層避免絕緣層較薄的過(guò)孔中的第一導(dǎo)電圖案的過(guò)刻，避免了導(dǎo)電圖案的損壞，從而能夠保證液晶顯示器的顯示效果。該保護(hù)層的材料優(yōu)選為ΙΤ0，即可以采用透明導(dǎo)電材料來(lái)制備，既具有良好的抗腐蝕性，又能夠不額外增加陣列基板的原始材料。本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板可以采用本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板的制造方法來(lái)制備，形成相應(yīng)的圖案結(jié)構(gòu)。對(duì)于不同結(jié)構(gòu)的陣列基板而言，導(dǎo)電圖案和絕緣層可以有不同的形式，下面分別介紹幾種優(yōu)選實(shí)施方式。實(shí)施例四圖6為本發(fā)明實(shí)施例四提供的陣列基板的制造方法的流程圖。本實(shí)施例制造方法中在襯底基板上制備導(dǎo)電圖案和絕緣層，以及在絕緣層中形成過(guò)孔的流程具體包括步驟610、在襯底基板1上形成柵線金屬薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕形成包括柵線 2和柵電極3的圖案；所謂構(gòu)圖工藝可以是包括掩膜、曝光顯影、刻蝕和去除光刻膠等一系列工藝，經(jīng)步驟610之后所形成的陣列基板如圖7A和7B所示。步驟620、在形成上述圖案的襯底基板1上形成柵絕緣層4作為第一絕緣層；步驟630、在第一絕緣層上形成有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕形成包括有源層6、源電極7、漏電極8和數(shù)據(jù)線5的圖案；有源層6、源電極7、漏電極8和數(shù)據(jù)線5可以通過(guò)雙色調(diào)掩膜版采用一次構(gòu)圖工藝刻蝕而成，經(jīng)步驟620之后所形成的陣列基板如圖8A和8B所示。步驟640、在形成上述圖案的襯底基板1上形成第一透明導(dǎo)電薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕形成保護(hù)層16的圖案，保護(hù)層16覆蓋在位于接口區(qū)域40的數(shù)據(jù)線5上，如圖9A和 9B所示；本步驟中，也可以將保護(hù)層16覆蓋在位于像素區(qū)域30的漏電極8圖案上，或者同時(shí)覆蓋在位于接口區(qū)域40的數(shù)據(jù)線5和位于像素區(qū)域30的漏電極8圖案上。步驟650、在形成上述圖案的襯底基板1上形成鈍化層9作為第二絕緣層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成漏電極過(guò)孔10、柵線過(guò)孔13和數(shù)據(jù)線過(guò)孔14，該柵線過(guò)孔13作為第一過(guò)孔， 該數(shù)據(jù)線過(guò)孔14作為第二過(guò)孔，如圖IOA和IOB所示；步驟660、在第二絕緣層上形成第二透明導(dǎo)電薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕形成包括像素電極11和連接電極15的圖案，該連接電極15填充于第一過(guò)孔和第二過(guò)孔之中，即填充于柵線過(guò)孔13和數(shù)據(jù)線過(guò)孔14中，可參見圖3A和:3B所示。本實(shí)施例中為典型TN陣列基板的制造方法，不同圖案的構(gòu)圖工藝和圖案位置并不限于本實(shí)施例，還可以根據(jù)需要進(jìn)行其他變化。實(shí)施例五圖11為本發(fā)明實(shí)施例五提供的陣列基板的制造方法的流程圖。本實(shí)施例制造方法中在襯底基板上制備導(dǎo)電圖案和絕緣層，以及在絕緣層中形成過(guò)孔的流程具體包括步驟111、在襯底基板1上形成柵線金屬薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕形成包括柵線 2和柵電極3的圖案，如圖12A、12B和12C所示；步驟112、在形成上述圖案的襯底基板1上形成柵絕緣層4作為第一絕緣層；步驟113、在第一絕緣層上形成有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕形成包括有源層6、源電極7、漏電極8和數(shù)據(jù)線5的圖案，如圖13A、i;3B和13C所示；步驟114、在形成上述圖案的襯底基板1上形成第一透明導(dǎo)電薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕形成包括保護(hù)層16和第一透明電極17的圖案，保護(hù)層16覆蓋在位于接口區(qū)域40 的數(shù)據(jù)線5上，第一透明電極17形成在柵線2和數(shù)據(jù)線5圍設(shè)形成的像素單元中，搭接在漏電極8上與漏電極8導(dǎo)通，如圖14A、14B和14C所示；步驟115、在形成上述圖案的襯底基板1上形成鈍化層9作為第二絕緣層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵線過(guò)孔13和數(shù)據(jù)線過(guò)孔14，柵線過(guò)孔13作為第一過(guò)孔，數(shù)據(jù)線過(guò)孔14作為第二過(guò)孔，如圖15AU5B和15C所示；步驟116、在第二絕緣層上形成第二透明導(dǎo)電薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕形成包括第二透明電極18和連接電極15的圖案，第二透明電極18形成在像素區(qū)域30中，連接電極 15填充于第一過(guò)孔和第二過(guò)孔之中，即填充于柵線過(guò)孔13和數(shù)據(jù)線過(guò)孔14中，可參見圖 4A、4C和4C所示。本實(shí)施例中為典型HAD-SDS陣列基板的制造方法，不同圖案的構(gòu)圖工藝和圖案位置并不限于本實(shí)施例，還可以根據(jù)需要進(jìn)行其他變化。本實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于，在制備第一透明電極的過(guò)程中同時(shí)制備保護(hù)層，無(wú)需采用額外的材料和額外的構(gòu)圖工藝，對(duì)已有制備工藝的改動(dòng)較小。本發(fā)明還提供了一種液晶顯示器，包括框架和液晶面板，其中，液晶面板包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和本發(fā)明任意實(shí)施例所提供的陣列基板，該液晶面板固定在框架中。本發(fā)明的液晶顯示器能夠有效防止數(shù)據(jù)線等導(dǎo)電圖案在過(guò)孔刻蝕中的過(guò)刻，防止出現(xiàn)斷線、表面粗糙化和針孔化等不良，從而保證顯示效果。最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)電圖案以及絕緣層，所述絕緣層中形成有過(guò)孔，其特征在于所述導(dǎo)電圖案至少包括第一導(dǎo)電圖案，所述絕緣層至少包括第一絕緣層和第二絕緣層，所述第一導(dǎo)電圖案形成在所述第一絕緣材料之上且覆蓋在所述第二絕緣層之下；所述過(guò)孔包括第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，所述第一過(guò)孔貫穿于所述第一絕緣層和第二絕緣層中，所述第二過(guò)孔貫穿于所述第二絕緣層中且位于所述第一導(dǎo)電圖案的上方； 所述第一導(dǎo)電圖案和第二絕緣層之間還形成有保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述第一導(dǎo)電圖案為疊層結(jié)構(gòu)，在鄰近第二絕緣層的方向上至少包括鉬層和鋁層，或至少包括鉻層和鋁層；所述保護(hù)層的材料為銦錫氧化物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括連接電極，填充在所述第一過(guò)孔和第二過(guò)孔中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的陣列基板，其特征在于所述導(dǎo)電圖案包括橫縱交叉的數(shù)據(jù)線和柵線，形成開關(guān)元件的柵電極、有源層、源電極和漏電極，還包括像素電極，位于接口區(qū)域的所述數(shù)據(jù)線和/或位于像素區(qū)域的漏電極作為所述第一導(dǎo)電圖案，所述第一過(guò)孔形成在位于接口區(qū)域的所述柵線的上方； 所述柵線和柵電極上覆蓋有柵絕緣層，作為所述第一絕緣層； 所述有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線形成在所述柵絕緣層上； 所述有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線上覆蓋有鈍化層，作為所述第二絕緣層； 所述像素電極形成在所述鈍化層上，通過(guò)漏電極過(guò)孔與漏電極相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的陣列基板，其特征在于所述導(dǎo)電圖案包括橫縱交叉的數(shù)據(jù)線和柵線，形成開關(guān)元件的柵電極、有源層、源電極和漏電極，還包括第一透明電極和第二透明電極，位于接口區(qū)域的所述數(shù)據(jù)線作為所述第一導(dǎo)電圖案，所述第一過(guò)孔形成在位于接口區(qū)域的所述柵線的上方； 所述柵線和柵電極上覆蓋有柵絕緣層作為所述第一絕緣層； 所述有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線形成在所述柵絕緣層上； 第一透明電極形成在所述柵絕緣層上，且與所述漏電極搭接相連，形成在第一導(dǎo)電圖案上的所述保護(hù)層采用第一透明電極的材料且與第一透明電極同步成型；所述有源層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和第一透明電極上覆蓋有鈍化層，作為所述第二絕緣層；所述第二透明電極形成在所述鈍化層上。
6.一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上制備導(dǎo)電圖案和絕緣層，以及在所述絕緣層中形成過(guò)孔的流程，其特征在于，所述導(dǎo)電圖案至少包括第一導(dǎo)電圖案，所述絕緣層至少包括第一絕緣層和第二絕緣層，所述過(guò)孔至少包括第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，則制備所述第一導(dǎo)電圖案、第一絕緣層、第二絕緣層、第一過(guò)孔和第二過(guò)孔的流程包括在襯底基板上形成第一絕緣層； 在所述第一絕緣層上形成第一導(dǎo)電圖案； 在所述第一導(dǎo)電圖案上形成保護(hù)層的圖案； 在形成上述圖案的襯底基板上形成第二絕緣層；對(duì)所述第二絕緣層和第一絕緣層采用構(gòu)圖工藝進(jìn)行刻蝕，貫穿刻蝕所述第二絕緣層和第一絕緣層以形成第一過(guò)孔的圖案，同時(shí)貫穿所述第二絕緣層直至所述保護(hù)層以形成第二過(guò)孔的圖案，所述第二過(guò)孔位于所述第一導(dǎo)電圖案的上方。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制造方法，其特征在于所述保護(hù)層的材料為銦錫氧化物。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在襯底基板上制備導(dǎo)電圖案和絕緣層，以及在所述絕緣層中形成過(guò)孔的流程包括在襯底基板上形成柵線金屬薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕形成包括柵線和柵電極的圖案；在形成上述圖案的襯底基板上形成柵絕緣層作為所述第一絕緣層； 在所述第一絕緣層上形成有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕形成包括有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖案；在形成上述圖案的襯底基板上形成第一透明導(dǎo)電薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕形成所述保護(hù)層的圖案，所述保護(hù)層覆蓋在位于接口區(qū)域的所述數(shù)據(jù)線和/或位于像素區(qū)域的漏電極圖案上；在形成上述圖案的襯底基板上形成鈍化層作為所述第二絕緣層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成漏電極過(guò)孔、柵線過(guò)孔和數(shù)據(jù)線過(guò)孔，所述柵線過(guò)孔作為所述第一過(guò)孔，所述數(shù)據(jù)線過(guò)孔作為所述第二過(guò)孔；在所述第二絕緣層上形成第二透明導(dǎo)電薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕形成包括像素電極和連接電極的圖案，所述連接電極填充于所述第一過(guò)孔和第二過(guò)孔之中。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在襯底基板上制備導(dǎo)電圖案和絕緣層，以及在所述絕緣層中形成過(guò)孔的流程包括在襯底基板上形成柵線金屬薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕形成包括柵線和柵電極的圖案；在形成上述圖案的襯底基板上形成柵絕緣層作為所述第一絕緣層； 在所述第一絕緣層上形成有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕形成包括有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖案；在形成上述圖案的襯底基板上形成第一透明導(dǎo)電薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕形成包括保護(hù)層和第一透明電極的圖案，所述保護(hù)層覆蓋在位于接口區(qū)域的所述數(shù)據(jù)線上，所述第一透明電極形成在柵線和數(shù)據(jù)線圍設(shè)形成的像素單元中；在形成上述圖案的襯底基板上形成鈍化層作為所述第二絕緣層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵線過(guò)孔和數(shù)據(jù)線過(guò)孔，所述柵線過(guò)孔作為所述第一過(guò)孔，所述數(shù)據(jù)線過(guò)孔作為所述第二過(guò)孔；在所述第二絕緣層上形成第二透明導(dǎo)電薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕形成包括第二透明電極和連接電極的圖案，所述第二透明電極形成在像素區(qū)域中，所述連接電極填充于所述第一過(guò)孔和第二過(guò)孔之中。
10.一種液晶顯示器，包括框架和液晶面板，其特征在于，所述液晶面板包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和權(quán)利要求1 5任一所述的陣列基板，所述液晶面板固定在所述框架中。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示器。該陣列基板的襯底基板上設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)電圖案以及絕緣層，絕緣層中形成有過(guò)孔，其中導(dǎo)電圖案至少包括第一導(dǎo)電圖案，絕緣層至少包括第一絕緣層和第二絕緣層，第一導(dǎo)電圖案形成在第一絕緣材料之上且覆蓋在第二絕緣層之下；過(guò)孔包括第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，第一過(guò)孔貫穿于第一絕緣層和第二絕緣層中，第二過(guò)孔貫穿于第二絕緣層中且位于第一導(dǎo)電圖案的上方；第一導(dǎo)電圖案和第二絕緣層之間還形成有保護(hù)層。本發(fā)明提供的陣列基板及其制造方法和液晶顯示器，通過(guò)在過(guò)孔下方的導(dǎo)電圖案上設(shè)置保護(hù)層，從而在過(guò)孔刻蝕過(guò)程中對(duì)導(dǎo)電圖案進(jìn)行保護(hù)，防止過(guò)刻現(xiàn)象發(fā)生，從而保證液晶顯示器的顯示效果。
文檔編號(hào)H01L27/02GK102403311SQ20111010306
公開日2012年4月4日 申請(qǐng)日期2011年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月16日
發(fā)明者樸相鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司