專利名稱：發(fā)光二極管封裝件、照明裝置和制造該封裝件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝件、一種具有該發(fā)光二極管封裝件的照明裝置和一種用于制造發(fā)光二極管封裝件的方法。
背景技術(shù)：
近來，已經(jīng)在各種領(lǐng)域中將發(fā)光二極管(LED)應(yīng)用于各種裝置，例如鍵盤、背光、 交通燈、機(jī)場跑道上的引導(dǎo)燈、照明燈泡等。隨著已經(jīng)在各種領(lǐng)域中將LED應(yīng)用于各種裝置，已經(jīng)顯示出用于封裝LED的技術(shù)的重要性。在現(xiàn)有技術(shù)的LED封裝件中，第一引線框和第二引線框設(shè)置在封裝件主體內(nèi)，LED 芯片安裝在第一引線框上。第一引線框和第二引線框通過布線電連接。在這種情況下，封裝件主體具有杯狀形狀，樹脂部件形成在杯中，從而保護(hù)LED芯片和布線等。在樹脂部件中， 用于轉(zhuǎn)換光的波長以使白光從LED芯片發(fā)射的磷光體(或熒光材料)可以分散在樹脂部件中。然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，從LED芯片發(fā)射的光在樹脂部件中被反射和漫射多次，從而入射到封裝件主體、第一引線框和第二引線框等，損失了能量，能量的損失量等于每個表面的吸收率的量。即，當(dāng)入射光的量為1，并且每個表面的反射率為R時，入射光的一部分以 (I-R)的比率被吸收和消散(即，變無)。另外，樹脂部件填充在具有杯狀的封裝件主體的整個內(nèi)部中，并且光從樹脂部件的整個表面發(fā)射，從而增加了 LED封裝件的光學(xué)擴(kuò)展量。因此，現(xiàn)有技術(shù)的LED封裝件不能應(yīng)用于需要具有低光學(xué)擴(kuò)展量的光源的應(yīng)用領(lǐng)域，例如相機(jī)閃光燈、相機(jī)頭燈、投影儀的光源等。這里，光學(xué)擴(kuò)展量是通過將輻射的光的立體角與光源的面積相乘所獲得的值，隨著光源的面積增加，該值增大。另外，在現(xiàn)有技術(shù)中，在LED芯片的光發(fā)射表面上產(chǎn)生光的色溫偏差，因此，當(dāng)通過透鏡觀看發(fā)射的光的輻射圖案時，過分地出現(xiàn)所謂牛眼的顏色模糊。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面提供了一種發(fā)光二極管(LED)封裝件、一種用于制造所述LED封裝件的方法和一種具有所述LED封裝件的照明裝置，與其它產(chǎn)品相比，所述LED封裝件具有提高的發(fā)光效率，和/或從LED芯片的光發(fā)射表面發(fā)射具有均勻色溫的光，和/或具有減小的色溫差異。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種發(fā)光二極管(LED)封裝件，該LED封裝件包括 封裝基底；LED芯片，安裝在所述封裝基底上；波長轉(zhuǎn)換層，當(dāng)從上面觀看所述LED芯片時由所述LED芯片形成的表面被定義為所述LED芯片的上表面時，所述波長轉(zhuǎn)換層被形成為覆蓋所述LED芯片的所述上表面的至少一部分，其中，所述波長轉(zhuǎn)換層被形成為沒有超出所述LED芯片的所述上表面的區(qū)域，并包括與所述LED芯片的所述上表面平行的平坦表面和連接所述LED芯片的所述上表面的邊緣的彎曲表面。 所述LED封裝件還可以包括光反射層，形成在所述封裝基底上，以圍繞所述LED 芯片的側(cè)面。所述光反射層可以由包括TiO2的材料制成。所述LED封裝件還可以包括光分布層，覆蓋所述波長轉(zhuǎn)換層和所述光反射層。所述光分布層可以由包括SiO2的材料制成。所述LED封裝件還可以包括阻擋件，形成在所述封裝基底上，以界定用于將所述 LED芯片、所述光反射層和所述光分布層容納在其中的腔。所述阻擋件可以由包括樹脂的材料制成。所述LED封裝件還可以包括透明覆蓋層，覆蓋所述LED芯片。所述封裝基底可以由包括陶瓷的材料制成。所述波長轉(zhuǎn)換層可以由包含透明樹脂和磷光體的材料制成。所述磷光體與所述透明材料的重量比可以為2 1或更大。所述LED芯片可以包括結(jié)構(gòu)支撐層，由導(dǎo)電材料制成；光發(fā)射結(jié)構(gòu)，形成在所述結(jié)構(gòu)支撐層的一個表面上，并包括P型半導(dǎo)體層、有源層和η型半導(dǎo)體層。所述光發(fā)射結(jié)構(gòu)可以形成在所述結(jié)構(gòu)支撐層的一個表面的一部分上，所述LED芯片的所述上表面可以包括所述光發(fā)射結(jié)構(gòu)的一個表面和所述結(jié)構(gòu)支撐層的一個表面的沒有形成所述光發(fā)射結(jié)構(gòu)的其它剩余區(qū)域。所述LED芯片可以包括生長基底；光發(fā)射結(jié)構(gòu)，形成在所述生長基底的一個表面上，并包括η型半導(dǎo)體層、有源層和ρ型半導(dǎo)體層，其中，所述有源層和所述ρ型半導(dǎo)體層可以形成在所述η型半導(dǎo)體層的一個表面的一部分上。所述LED芯片的所述上表面可以包括所述P型半導(dǎo)體層的一個表面以及所述η型半導(dǎo)體層的一個表面的沒有形成所述有源層和所述P型半導(dǎo)體層的其它剩余區(qū)域。所述LED芯片的所述上表面可以是所述生長基底的另一表面。所述LED封裝件還可以包括電極焊盤，形成在所述LED芯片的所述上表面上，其中，所述波長轉(zhuǎn)換層可以被形成為覆蓋所述電極焊盤。所述LED封裝件還可以包括布線，將所述電極焊盤電連接到所述封裝基底。所述波長轉(zhuǎn)換層可以延伸到所述LED芯片的側(cè)表面。可以形成多個LED芯片和多個波長轉(zhuǎn)換層，所述多個波長轉(zhuǎn)換層可以分別形成在所述多個LED芯片的上表面上。可以提供一種包括上述LED封裝件的照明裝置。一種用于制造LED封裝件的方法，所述方法包括在封裝基底上安裝LED芯片；將含有透明樹脂、磷光體和溶劑的混合物施加到所述LED芯片的上表面，其中，在施加所述混合物的工藝中從所述混合物去除所述溶劑之后，當(dāng)從上面觀看所述LED芯片時由所述LED 芯片形成的表面被定義為所述LED芯片的上表面時，所述波長轉(zhuǎn)換層被形成為不超出所述 LED芯片的所述上表面的區(qū)域，并包括與所述LED芯片的上表面平行的平坦表面和將所述平坦表面與所述LED芯片的上表面的邊緣連接的彎曲表面。
所述溶劑可以由揮發(fā)性材料制成。所述方法還可以包括在施加所述混合物的工藝中，加熱施加到所述LED芯片的所述上表面的混合物，以使所述溶劑蒸發(fā)?？梢酝ㄟ^使用分配器來執(zhí)行所述混合物的施加。所述混合物的施加可以包括連續(xù)地施加所述混合物，以保持將所述混合物從所述分配器連續(xù)地施加到所述LED芯片的所述上表面的狀態(tài)。當(dāng)在所述LED芯片的上側(cè)上方以螺旋或Z字形方式移動所述分配器的同時，可以執(zhí)行所述混合物的施加。所述方法還可以包括在施加了所述混合物之后，在所述封裝基底上形成光反射層，以圍繞所述LED芯片的側(cè)面。所述光反射層可以由包括TiO2的材料制成。 所述方法還可以包括在形成所述光反射層之后，形成覆蓋所述波長轉(zhuǎn)換層和所述光反射層的光分布層。所述光分布層可以由包括SiO2的材料制成。所述方法還可以包括在形成所述光反射層之前，在所述封裝基底上形成阻擋件， 以界定將所述LED芯片、所述光反射層和所述光分布層容納在其中的腔。所述阻擋件可以形成在所述封裝基底的邊緣上，并且所述方法還可以包括在形成所述光分布層之后，去除所述阻擋件和所述封裝基底的形成有所述阻擋件的邊緣。所述阻擋件可以由包括樹脂的材料制成?？梢酝ㄟ^使用分配器來執(zhí)行所述阻擋件的形成。所述方法還可以包括在施加了所述混合物之后，形成覆蓋所述LED芯片的透明
覆蓋層。所述封裝基底可以由包括陶瓷的材料制成。所述磷光體與所述透明樹脂的重量比可以為2 1或更大。所述LED芯片可以包括結(jié)構(gòu)支撐層，由導(dǎo)電材料制成；光發(fā)射結(jié)構(gòu)，形成在所述結(jié)構(gòu)支撐層的一個表面上，并包括P型半導(dǎo)體層、有源層和η型半導(dǎo)體層。所述光發(fā)射結(jié)構(gòu)可以形成在所述結(jié)構(gòu)支撐層的一個表面的一部分上，所述LED芯片的所述上表面可以包括所述光發(fā)射結(jié)構(gòu)的一個表面和所述結(jié)構(gòu)支撐層的一個表面的未形成所述光發(fā)射結(jié)構(gòu)的其它剩余區(qū)域。所述LED芯片可以包括生長基底；光發(fā)射結(jié)構(gòu)，形成在所述生長基底的一個表面上，并包括η型半導(dǎo)體層、有源層和ρ型半導(dǎo)體層，其中，所述有源層和所述ρ型半導(dǎo)體層可以形成在所述η型半導(dǎo)體層的一個表面的一部分上。所述LED芯片的所述上表面可以包括所述P型半導(dǎo)體層的一個表面以及所述η型半導(dǎo)體層的一個表面的未形成所述有源層和所述P型半導(dǎo)體層的其它剩余區(qū)域。所述LED芯片的所述上表面可以是所述生長基底的另一表面?？梢栽谒鯨ED芯片的所述上表面上形成電極焊盤，可以執(zhí)行所述混合物的施加來覆蓋所述電極焊盤。所述方法還可以包括在所述LED芯片的安裝和所述混合物的施加之間，通過使用布線將所述電極焊盤電連接到所述封裝基底。在所述混合物的施加中，可以將所述混合物施加到所述LED芯片的上表面和側(cè)表面。

可以形成多個LED芯片，并且在所述混合物的施加中，可以將所述混合物分別施加到所述多個LED芯片的所述上表面。


根據(jù)結(jié)合附圖進(jìn)行的以下詳細(xì)描述，將更清楚地理解本發(fā)明的以上和其它方面、 特征及其它優(yōu)點(diǎn)，在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管(LED)封裝件的剖視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件的波長轉(zhuǎn)換層的示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件的色溫特性的曲線圖；圖4至圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件的LED芯片的剖視圖；圖7至圖9是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管(LED)封裝件的剖視圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管(LED)封裝件的剖視圖；圖11是在圖10中示出的LED封裝件的平面圖；圖12是示出在圖10中示出的LED封裝件的光分布圖案的曲線圖；圖13是在圖10中示出的LED封裝件產(chǎn)品的色散和根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的LED封裝件產(chǎn)品的色散的曲線圖；圖14至圖16是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件的示例的剖視圖；圖17是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件的示意圖；圖18是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的用于制造LED封裝件的方法的工藝的流程圖。圖19至圖21是示出了在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的用于制造LED封裝件的方法中形成波長轉(zhuǎn)換層的工藝的示圖；圖22至圖28是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的用于制造LED封裝件的方法的各個工藝的剖視圖；圖29至圖35是示出了根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的用于制造LED封裝件的方法的各個工藝的平面圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實(shí)施，而不應(yīng)該被理解為局限于在此提出的實(shí)施例。而是提供這些實(shí)施例使本公開將是徹底的且完整的，并將把本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在附圖中， 為了清楚起見，會夸大形狀和尺寸，并且將始終使用相同的標(biāo)號來指示相同或類似的組件。圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管(LED)封裝件的剖視圖。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，如圖1所示，LED封裝件100包括封裝基底110、通過粘結(jié)層114安裝在封裝基底110上且通過布線130電連接到封裝基底110的LED芯片120、 僅形成在LED芯片120的元件的上表面上的波長轉(zhuǎn)換層140、填充成圍繞LED芯片120的光反射層150以及覆蓋LED芯片120和光反射層150的光分布層160。這里，LED芯片120 的元件的上表面是指當(dāng)從上面觀看LED芯片120時由LED芯片120形成的平面。當(dāng)從上面觀看時，形成了 LED芯片120的元件的上表面，關(guān)于此方面，所述上表面可以被形成為包括各自具有不同高度或由不同材料制成的多個區(qū)域。例如，參照圖5，LED芯片120的一個上表面可以由光發(fā)射結(jié)構(gòu)123中的ρ型半導(dǎo)體層124和η型半導(dǎo)體層126形成。在本公開中使用的諸如“上表面”、“下表面”和“側(cè)表面”的術(shù)語是基于與其相 關(guān)的附圖的，這些術(shù)語可以根據(jù)實(shí)際上設(shè)置元件的方向而改變。根據(jù)本示例性實(shí)施例，與包括磷光體的樹脂部件圍繞LED的周圍以及在LED的上表面上模制的現(xiàn)有技術(shù)的LED封裝件不同，波長轉(zhuǎn)換層140僅形成在LED芯片120的上表面上，由此可以使由于樹脂部件中的反射和漫射而導(dǎo)致所產(chǎn)生的光的一部分被周圍結(jié)構(gòu)吸收的現(xiàn)象最小化，從而提高了 LED封裝件100的發(fā)光效率，并且還減小了 LED封裝件100的總的光發(fā)射面積，因此，增大了 LED封裝件100在需要低光學(xué)擴(kuò)展量的各種照明裝置中使用的可能性。另外，波長轉(zhuǎn)換層140形成在LED芯片120的上表面上，使得波長轉(zhuǎn)換層140除了具有接近LED芯片120的上表面的邊緣的部分之外，還具有與所述上表面平行的平坦表面 146，因此，從LED芯片120產(chǎn)生的光可以在LED芯片120的上側(cè)具有均勻的色溫，從而在所產(chǎn)生的光內(nèi)顯著減少了顏色模糊(例如，顏色污點(diǎn)或顏色斑點(diǎn))。另外，在將LED芯片120分成單獨(dú)的LED芯片120之后，考慮到每個LED芯片120 的特性，波長轉(zhuǎn)換層140可以被形成為具有適當(dāng)?shù)暮穸?，因此還可以有效地減小在各個LED 封裝件100的產(chǎn)品之間可能產(chǎn)生的色溫差異?，F(xiàn)在將參照圖1至圖6詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的本示例性實(shí)施例的LED封裝件100 的構(gòu)造。如圖1所示，電路圖案112形成在封裝基底110上，LED芯片120安裝在電路圖案 112上，LED芯片120的電極焊盤121可以通過引線鍵合電連接到電路圖案112。這里，為了提高其散熱性能和發(fā)光效率，封裝基底110可以由具有高耐熱性、優(yōu)異的導(dǎo)熱性、高反射效率等的陶瓷材料(例如，諸如Al2O3或AlN等的材料)制成。然而，封裝基底110的材料不限于此，考慮到LED封裝件100的散熱性能和電連接等，可以使用各種材料來形成封裝基底110。另外，除了上述陶瓷基底之外，還可以使用印刷電路板和引線框架等作為本示例性實(shí)施例的封裝基底110。如圖1所示，LED芯片120安裝在封裝基底110上。S卩，LED芯片120通過粘結(jié)層 114附著到封裝基底110，形成在LED芯片120上的電極焊盤121可以通過布線130電連接到封裝基底110的電路圖案112。這里，LED芯片120可以具有各種結(jié)構(gòu)，例如垂直結(jié)構(gòu)或水平結(jié)構(gòu)，LED芯片120可以以諸如引線鍵合或倒裝芯片鍵合等各種方式電連接到封裝基底110。稍后將參照圖4至圖6更詳細(xì)地描述LED芯片120的具體結(jié)構(gòu)。根據(jù)上述的LED芯片120的結(jié)構(gòu)，粘結(jié)層114可以由導(dǎo)電材料或非導(dǎo)電材料制成，還將參照圖4至圖6描述粘結(jié)層114的材料。 圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件100的波長轉(zhuǎn)換層140的示意圖。波長轉(zhuǎn)換層140可以轉(zhuǎn)換從LED芯片120產(chǎn)生的光的一部分的波長，并且當(dāng)波長轉(zhuǎn)換了的光與波長未轉(zhuǎn)換的其它剩余光混合時，可以從LED封裝件100發(fā)射白光。例如，當(dāng)LED芯片120發(fā)射藍(lán)光時，含有黃色磷光體144的波長轉(zhuǎn)換層140可以用于產(chǎn)生白光，當(dāng)LED芯片120發(fā)射紫外光時，混合有紅色、綠色、藍(lán)色磷光體144的波長轉(zhuǎn)換層140可以用于形成白光。除此之外，可以以不同方式組合各種類型的LED芯片120和各種類型的磷光體144，以產(chǎn)生白光。如圖1和圖2所示，波長轉(zhuǎn)換層140僅形成在LED芯片120的上表面上，波長轉(zhuǎn)換層140的表面可以包括與所述上表面平行的平坦表面146和將平坦表面146與所述上表面的邊緣連接的彎曲表面148。也就是說，如圖1和圖2所示，波長轉(zhuǎn)換層140被形成為不超出LED芯片120的上表面的區(qū)域，并且波長轉(zhuǎn)換層140被形成為具有與LED芯片120的上表面平行的平坦表面 146，且被形成為在與LED芯片120的上表面的邊緣相鄰的區(qū)域處具有將平坦表面146與 LED芯片120的上表面的邊緣連接的彎曲表面148。這里，如上所述，LED芯片120的上表面是指光發(fā)射表面，所述光發(fā)射表面被設(shè)為允許來自LED芯片120的光穿過其而發(fā)射的路徑。根據(jù)LED芯片120的結(jié)構(gòu)，所述上表面可以是具有相同高度的單個表面，或可以包括從上面觀看為一個表面的多個表面，盡管所述多個表面可以彼此呈臺階狀。稍后將參照圖4至圖6描述LED芯片120的結(jié)構(gòu)。波長轉(zhuǎn)換層140的平坦表面146可以指就工藝而言在高度方面存在不可避免的差異的情況，而不是指其在物理上與LED芯片120的上表面平行的情況。例如，波長轉(zhuǎn)換層 140的平坦表面146的高度可以基于其平均值在大約-10%至+10%的范圍內(nèi)改變。另外，基于圖1的剖視圖，波長轉(zhuǎn)換層140的形成有平坦表面146的中心區(qū)域的寬度可以是與從LED芯片120的上表面的中心到LED芯片120的上表面的兩個邊緣的相應(yīng)長度的大約70%對應(yīng)的兩個點(diǎn)之間的距離，波長轉(zhuǎn)換層140的平坦表面146的寬度可以基于用于形成波長轉(zhuǎn)換層140的工藝條件(例如，材料的物理特性、混合物的粘度或混合物的加熱溫度)而改變。如圖2所示，波長轉(zhuǎn)換層140可以由包括透明樹脂142和磷光體144的材料制成， 形成在LED芯片120的上表面的中心區(qū)域上的波長轉(zhuǎn)換層140的厚度可以設(shè)置為在例如30 微米至150微米的范圍內(nèi)。由波長轉(zhuǎn)換層140轉(zhuǎn)換的光和從LED芯片120發(fā)射的光混合，從而允許白光從LED 封裝件100發(fā)射。例如，當(dāng)從LED芯片120發(fā)射藍(lán)光時，可以使用黃色磷光體，當(dāng)從LED芯片120發(fā)射紫外光時，可以混合紅色、綠色和藍(lán)色磷光體，以供使用。除此之外，可以以不同方式組合磷光體和LED芯片120的顏色，以發(fā)射白光。另外，可以僅施加諸如綠色和紅色等的波長轉(zhuǎn)換材料，以實(shí)現(xiàn)用于發(fā)射相應(yīng)顏色的光而未必是白光的光源。詳細(xì)地說，當(dāng)從LED芯片120發(fā)射藍(lán)光時，與其一起使用的紅色磷光體可以包括 MAlSiNx:Re (1彡χ彡5)氮化物磷光體和MD:Re硫化物磷光體等。這里，M是從Ba、Sr、Ca和 Mg中選擇的至少一種，D是從S、Se和Te中選擇的至少一種，而Re是從Eu、Y、La、Ce、Nd、 Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、F、Cl、Br和I中選擇的至少一種。另外，與其一起使用的綠色磷光體可以包括M2SiO4 = Re硅酸鹽磷光體、MA2D4IRe硫化物磷光體、β -SiAlONiRe 磷光體和MA' 204:Re'氧化物基磷光體等。這里，M可以是從Ba、Sr、Ca和Mg中選擇的至少一種，A可以是從Ga、Al和In中選擇的至少一種，D可以是從S、Se和Te中選擇的至少一種，A'可以是從Sc、Y、Gd、La、Lu、Al和In中選擇的至少一種，Re可以是從Eu、Y、La、Ce、 Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、F、Cl、Br 禾口 I 中選擇的至少一種，Re'可以是從 Ce、Nd、Pm、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、F、Cl、Br 和 I 中選擇的至少一種。波長轉(zhuǎn)換層140可以包括代替磷光體或與磷光體一起設(shè)置的量子點(diǎn)。量子點(diǎn)是包括核和殼的納米晶體粒子，量子點(diǎn)的核尺寸范圍為2nm至lOOnm?？梢允褂昧孔狱c(diǎn)作為發(fā)射各種顏色(例如，藍(lán) 色(B)、黃色(Y)、綠色(G)和紅色(R))的磷光體，II-VI族化合物半導(dǎo)體(ZnS、ZnSe, ZnTe, CdS、CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, MgTe 等)、III-V 族化合物半導(dǎo)體(GaN、GaP, GaAs, GaSb, InN、InP, InAs, InSb, AlAs, Α1Ρ、AlSb, AlS 等)或 IV 族半導(dǎo)體 (Ge、Si、Pb等)中的至少兩種類型的半導(dǎo)體可以形成異質(zhì)結(jié)，以形成構(gòu)成量子點(diǎn)的核殼結(jié)構(gòu)。在這種情況下，為了在殼的外邊緣處使量子點(diǎn)的殼的表面上的分子結(jié)合終止，抑制量子點(diǎn)的凝聚，并提高樹脂(例如硅樹脂或環(huán)氧樹脂等)的分散特性，或者提高磷光體功能，可以使用諸如油酸的材料來形成有機(jī)配體。量子點(diǎn)易于受到濕氣或空氣的影響，具體地說，當(dāng)量子點(diǎn)與基底的鍍覆圖案或封裝件的引線框架接觸時，可能發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。因此，可以僅將波長轉(zhuǎn)換層140施加到LED芯片120的上表面，以消除與鍍覆圖案或引線框架接觸的可能性，從而提高其可靠性。因此，盡管將磷光體作為波長轉(zhuǎn)換材料的示例，但是可以使用量子點(diǎn)代替磷光體，或者可以將量子點(diǎn)加入到磷光體中。磷光體144與透明樹脂142的重量比可以為2 1或更大。因此，如圖2所示，透明樹脂142用于結(jié)合磷光體144的粒子，透明樹脂142可以由例如硅樹脂、環(huán)氧樹脂或通過混合硅樹脂和環(huán)氧樹脂所得到的材料制成。與磷光體與透明樹脂之比僅為1/10或1的現(xiàn)有技術(shù)中的磷光體的比率相比，磷光體144的比率顯著地高。因此，在這樣的高比率的情況下，磷光體144和透明樹脂142的混合物可以具有提高的粘度，從而減小了在LED芯片120的上表面上的移動性。因此，可以防止波長轉(zhuǎn)換層由于受到低粘度的磷光體和透明樹脂另外引起的表面張力的影響而形成為具有整體彎曲的表面，并且波長轉(zhuǎn)換層可以在LED芯片120的上表面上形成為具有均勻的厚度。稍后在參照圖18至圖35解釋用于制造LED封裝件200的方法時將對此進(jìn)行更詳細(xì)地描述。根據(jù)本示例性實(shí)施例，與LED的周圍以及LED的上表面完全地模制有磷光體的現(xiàn)有技術(shù)的LED封裝件相比，因?yàn)椴ㄩL轉(zhuǎn)換層140僅形成在LED芯片120的上表面上，所以可以使周圍結(jié)構(gòu)的光吸收最小化，從而提高了 LED封裝件100的發(fā)光效率，另外，因?yàn)椴恍枰糜谀Ｖ屏坠怏w的封裝件主體(例如，現(xiàn)有技術(shù)的封裝件主體)，所以LED封裝件100可以在尺寸方面大大減小。另外，光發(fā)射面積基本上局限于LED芯片120的上表面，從而提高了光源的每單位面積的光量。因此，LED封裝件100可以更加適宜地用于需要低光學(xué)擴(kuò)展量的各種照明裝置。另外，因?yàn)椴ㄩL轉(zhuǎn)換層140具有與LED芯片120的上表面平行的平坦表面146，所以LED封裝件100可以均勻地發(fā)光。即，僅除了 LED芯片120的上表面的邊緣部分之外，波長轉(zhuǎn)換層140被形成為具有均勻的厚度，從而具有均勻的光程，因此，盡管在LED芯片120產(chǎn)生的光穿過波長轉(zhuǎn)換層140的同時其波長發(fā)生改變，但是所述光仍可以具有均勻的色溫。

圖3是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件100的色溫特性的曲線圖。將參照圖3詳細(xì)描述上述效果。圖3是示出了相對于輻射角的LED封裝件100的色溫特性(A)和相對于輻射角的現(xiàn)有技術(shù)的LED封裝件的色溫特性(B)的比較曲線圖，在現(xiàn)有技術(shù)的LED封裝件中，含有磷光體的樹脂模制在封裝件主體的整個內(nèi)部。如圖3所示，在現(xiàn)有技術(shù)(B)的情況下，所產(chǎn)生的色溫相對于輻射角的變化的最大值達(dá)到322K，從而導(dǎo)致嚴(yán)重的顏色模糊。相比之下，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的LED封裝件 100(A)的情況下，色溫相對于輻射角的變化的最大值僅為126K，小于現(xiàn)有技術(shù)的色溫相對于輻射角的變化的最大值的一半，從而產(chǎn)生均勻的光發(fā)射，而沒有顏色模糊。同時，波長轉(zhuǎn)換層140還可以包括與磷光體144和透明樹脂142在一起的透明細(xì)粒。透明細(xì)?？梢杂芍T如3102、1102或41203等的材料制成。以這種方式，通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)包含在波長轉(zhuǎn)換層140中的透明細(xì)粒的比率，可以將發(fā)射到外部的光的色溫設(shè)置為具有期望的水平，在這種情況下，例如，透明細(xì)粒與磷光體144的重量比可以為1 2或更小。如圖1所示，光反射層150形成在封裝基底110上，以圍繞LED芯片120的側(cè)面。 例如，光反射層可以如下形成通過分配或模制操作將包括反射入射光的反射材料(例如 TiO2等)的材料填充在LED芯片120周圍。在這種情況下，如圖1所示，光反射層150可以被形成為具有與形成在LED芯片 120的上表面上的波長轉(zhuǎn)換層140的高度對應(yīng)的高度，因此波長轉(zhuǎn)換層140不會被光反射層 150覆蓋。因此，因?yàn)楣夥瓷鋵?50被形成為圍繞LED芯片120，所以在入射到光分布層160 之后反射的而沒有發(fā)射到外部的光可以再次朝向光分布層160反射，從而排出到外部，進(jìn)而提高了 LED封裝件100的亮度。光反射層150可以形成在由形成在封裝基底110上的阻擋件(圖9中的170)界定的腔172內(nèi)?？梢栽谛纬晒夥瓷鋵?50和光分布層(待描述)之后將LED封裝件100切割為單元LED封裝件的工藝中去除阻擋件(圖9中的170)。阻擋件(圖9中的170)可以由樹脂(即，緩沖材料)制成。因此，盡管如上所述的由陶瓷材料制成的封裝基底110在制造工藝中根據(jù)加熱和冷卻操作而膨脹或收縮，但是因?yàn)樽钃跫?70可以對應(yīng)于膨脹和收縮的程度而變形，所以可以有效地防止封裝基底110 彎曲等現(xiàn)象，并且可以使用具有優(yōu)異的耐熱性的AlN作為封裝基底110的材料。稍后在參照圖18至圖35解釋用于制造LED封裝件200的方法時再更加詳細(xì)地描述阻擋件170的形成和去除。如圖1所示，光分布層160可以被形成為覆蓋光反射層150和沒有被光反射層150 覆蓋的波長轉(zhuǎn)換層140。光分布層160可以如下形成通過分配操作將包括分散入射光的分散劑(例如SiO2等)的材料施加到光反射層150和波長轉(zhuǎn)換層140。光反射層150還可以形成在由上述阻擋件170界定的腔172中，并可以在將LED 封裝件100切割為單元封裝件的工藝中被去除。因?yàn)楣夥植紝?60被形成為覆蓋光反射層150和波長轉(zhuǎn)換層140，所以從LED芯片產(chǎn)生的光可以被分布，以發(fā)射到外部，從而提高了 LED封裝件100的光均勻性。 現(xiàn)在將參照圖4至圖6描述可適用于本示例性實(shí)施例的LED芯片120的各種結(jié)構(gòu)。圖4至圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件的LED芯片的剖視圖。首先，參照圖4，提出了具有垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片120。LED芯片120可以包括結(jié)構(gòu)支撐層122和形成在結(jié)構(gòu)支撐層122上的光發(fā)射結(jié)構(gòu) 123，光發(fā)射結(jié)構(gòu)123可以包括ρ型半導(dǎo)體層124、有源層125和η型半導(dǎo)體層126。如圖4所示，結(jié)構(gòu)支撐層122用于在結(jié)構(gòu)上支撐光發(fā)射結(jié)構(gòu)123，并且因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)支撐層122通過導(dǎo)電粘結(jié)層114結(jié)合到封裝基底110的電路圖案(圖1中的112)，所以它還可以用于實(shí)現(xiàn)封裝基底110和LED芯片120之間的電連接。因此，結(jié)構(gòu)支撐層122由從Au、Ni、Al、Cu、W、Si、Se、GaAs或它們中的兩種或更多種的組合中選擇的導(dǎo)電材料制成，粘結(jié)層114由導(dǎo)電焊料或糊等制成。如圖4所示，光發(fā)射結(jié)構(gòu)123的P型半導(dǎo)體層124、有源層125和η型半導(dǎo)體層126 以該次序順序地形成在結(jié)構(gòu)支撐層122上，并且由諸如GaAs、AlGaAs、GaN或InGaInP等的化合物半導(dǎo)體制成，以產(chǎn)生光。如圖4所示，用作η型電極的電極焊盤121形成在η型半導(dǎo)體層126上，并通過布線130連接到封裝基底110的電路圖案112。如圖4所示，光發(fā)射結(jié)構(gòu)123可以形成在除了結(jié)構(gòu)支撐層122的一個表面的邊緣部之外的區(qū)域上?？梢酝ㄟ^用于將LED芯片120分為單獨(dú)的單元LED芯片的蝕刻工藝來獲得具有此種構(gòu)造的光發(fā)射結(jié)構(gòu)123。在這種情況下，LED芯片120的上表面可以由光發(fā)射結(jié)構(gòu)123的一個表面(即，η 型半導(dǎo)體層126的上表面)以及結(jié)構(gòu)支撐層122的一個表面的其上沒有形成光發(fā)射結(jié)構(gòu) 123的邊緣部的區(qū)域限定。因此，如圖4所示，波長轉(zhuǎn)換層140可以形成在η型半導(dǎo)體層126的上表面和結(jié)構(gòu)支撐層122的一個表面的邊緣區(qū)域(均為LED芯片120的上表面)上。如上所述，中心區(qū)域被構(gòu)造為平坦表面146，邊緣區(qū)域被構(gòu)造為彎曲表面148。即使在這種情況下，波長轉(zhuǎn)換層140仍被形成為不超出結(jié)構(gòu)支撐層122的一個表面的邊緣部。在安裝了 LED芯片120并將電極焊盤121和電路圖案112引線鍵合的狀態(tài)下形成波長轉(zhuǎn)換層140，從而如圖4所示，布線130的一部分(即，結(jié)合部分，作為與電極焊盤121 的連接部分)以及電極焊盤121埋在波長轉(zhuǎn)換層140中。隨后，如圖5所示，提出了具有水平結(jié)構(gòu)的LED芯片120。在圖5中示出的LED芯片120可以包括生長基底127和形成在生長基底127上的光發(fā)射結(jié)構(gòu)123。光發(fā)射結(jié)構(gòu)123可以包括η型半導(dǎo)體層126、有源層125和ρ型半導(dǎo)體層 124。藍(lán)寶石基底等可以用作生長基底127，包括η型半導(dǎo)體層126、有源層125和ρ型半導(dǎo)體層124的光發(fā)射結(jié)構(gòu)123可以生長，從而形成在生長基底127上。因?yàn)樯L基底127 是絕緣體，所以生長基底127可以通過粘結(jié)層114物理地結(jié)合到基底110。如圖5所示，有源層125和ρ型半導(dǎo)體層124可以形成在η型半導(dǎo)體層126的一個表面的一部分上。可以通過在η型半導(dǎo)體層126上生長有源層125和ρ型半導(dǎo)體層124， 然后對有源層125和ρ型半導(dǎo)體層124的部分進(jìn)行臺面蝕刻來形成該結(jié)構(gòu)。
在圖5中，夸大地示出了通過對有源層125和ρ型半導(dǎo)體層124進(jìn)行臺面蝕刻所形成的臺階，但實(shí)際上，該臺階對于生長基底127的厚度來說是非常小的。如圖5所示，分別用作η型電極和ρ型電極的電極焊盤121形成在η型半導(dǎo)體層 126和ρ型半導(dǎo)體層124上。電極焊盤121可以分別通過布線130電連接到封裝基底110 的電路圖案112(在圖1 中)。如圖5所示，LED芯片120的上表面可以由ρ型半導(dǎo)體層124的上表面以及η型半導(dǎo)體層126的一個表面的沒有有源層125和ρ型半導(dǎo)體層124 (因?yàn)橛性磳?25和ρ型半導(dǎo)體層124已經(jīng)被臺面蝕刻掉)的其它剩余區(qū)域限定。因此，如圖5所示，波長轉(zhuǎn)換層140可以形成在ρ型半導(dǎo)體層124的上表面上，并可形成在η型半導(dǎo)體層126的通過對有源層125和ρ型半導(dǎo)體層124進(jìn)行臺面蝕刻所暴露的部分上，P型半導(dǎo)體層124的該上表面和η型半導(dǎo)體層126的該部分作為LED芯片120的上表面。如上所述，波長轉(zhuǎn)換層140的中心區(qū)域被形成為平坦表面146，波長轉(zhuǎn)換層140的邊緣區(qū)域被形成為彎曲表面148。另外，即使在這種情況下，波長轉(zhuǎn)換層140仍被形成為不超出η型半導(dǎo)體層126的邊緣。與具有垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片120類似，在安裝了 LED芯片120并將電極焊盤121 和電路圖案112引線鍵合的狀態(tài)下形成波長轉(zhuǎn)換層140，從而如圖5所示，電極焊盤121和布線130的一部分埋在波長轉(zhuǎn)換層140中。參照圖6，提供了根據(jù)倒裝芯片方法安裝在基底110上的LED芯片120。如圖6所示，LED芯片120可以包括生長基底127和形成在生長基底127下方的光發(fā)射結(jié)構(gòu)123。按照從上至下的順序，光發(fā)射結(jié)構(gòu)可以包括η型半導(dǎo)體層126、有源層125 和P型半導(dǎo)體層124。在圖6中示出的LED芯片120的基本結(jié)構(gòu)與在圖5中示出的具有水平結(jié)構(gòu)的LED 芯片120的基本結(jié)構(gòu)類似，在這種情況下，LED芯片120根據(jù)倒裝芯片方法而不是引線鍵合電連接到封裝基底110 (在圖1中)。S卩，如圖6所示，分別形成在η型半導(dǎo)體層126和ρ型半導(dǎo)體層124上的電極焊盤 121通過導(dǎo)電粘結(jié)層114(例如，焊料凸塊等)物理地結(jié)合到封裝基底110 (在圖1中)的電路圖案112(在圖1中)，從而電連接。在這種情況下，如圖6所示，LED芯片120的上表面可以限定為生長基底127的上表面。因此，如圖6所示，波長轉(zhuǎn)換層140可以形成在生長基底127的上表面(S卩，LED芯片120的上表面)上，并且如上所述，波長轉(zhuǎn)換層140的中心區(qū)域被形成為平坦表面146，波長轉(zhuǎn)換層140的邊緣區(qū)域被形成為彎曲表面148。在這種情況下，波長轉(zhuǎn)換層140被形成為不超出生長基底127的邊緣?，F(xiàn)在將參照圖7至圖9描述根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的LED封裝件100。圖7至圖9是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件100的示例的剖視圖。在描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件100的示例時，將省略與上述構(gòu)造相同或類似的構(gòu)造的描述，并將描述不同的構(gòu)造。參照圖7，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件100被構(gòu)造為使得腔172形成在封裝基底110上，LED芯片120、光反射層150和光分布層160容納在腔172中。
參照在圖1中示出的LED封裝件100，光反射層150和光分布層160形成在由阻擋件170 (在圖9)界定的腔172中，通過將LED封裝件100分為單元封裝件的切割工藝來去除阻擋件170。相比之下，如圖7所示，腔172可以形成在封裝基底110自身上，以在其中形成光反射層150和光分布層160，并且腔172保留在LED封裝件100的最終產(chǎn)品中。參照圖8，根據(jù)本 發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件100被構(gòu)造為使得封裝基底110 包括第一基底116和第二基底118，腔172形成在第二基底118上，以在其中容納LED芯片 120、光反射層150和光分布層160。與在圖1中示出的LED封裝件100不同，在圖8所示的LED封裝件100中，具有腔 172的第二基底118堆疊在第一基底116上，從而確保用于安裝LED芯片120以及用于形成光反射層150和光分布層160的空間。第一基底116和第二基底118可以由具有諸如高耐熱性、優(yōu)異的導(dǎo)熱性和高反射效率等特性的陶瓷材料(例如，Al2O3或AlN等)制成。參照圖9，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件100被構(gòu)造為使得界定腔172的阻擋件170形成在封裝基底110上，LED芯片120、光反射層150和光分布層160容納在腔 172 中。與在圖1中示出的LED封裝件100類似，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的LED封裝件100 中，由樹脂制成的阻擋件170形成在基底上，以界定腔172，從而安裝LED芯片120，并形成光反射層150和光分布層160，但在圖9中示出的LED封裝件100與在圖1中示出的LED封裝件100的不同之處在于阻擋件170保留在最終產(chǎn)品中。如上參照在圖1中示出的LED封裝件100所述，阻擋件170可以由樹脂(S卩，緩沖材料)制成。因此，盡管由陶瓷材料制成的封裝基底Iio在LED封裝件100的制造工藝過程中或在操作LED封裝件100的過程中根據(jù)加熱和冷卻操作而膨脹或收縮，但是因?yàn)樽钃跫?70可以對應(yīng)于膨脹和收縮的程度而變形，所以可以有效地防止封裝基底110被彎曲等現(xiàn)象，可以使用在耐熱性方面具有優(yōu)點(diǎn)的AlN作為封裝基底110的材料。同時，在圖7至圖9中示出的LED封裝件100采用在圖4中示出的具有垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片120，但本發(fā)明不限于此，在圖5和圖6示出的LED芯片120和具有任何其它基底的LED芯片也可以應(yīng)用于LED封裝件100。現(xiàn)在將參照圖10至圖13描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件100的其它示例。圖10是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管(LED)封裝件的剖視圖，圖11 是在圖10中示出的LED封裝件的平面圖。在描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件100的示例時，將省略與上面描述的構(gòu)造相同或類似的構(gòu)造的描述，并將描述不同的構(gòu)造。如圖10所示，多個LED芯片120被設(shè)置為彼此隔開，因此，與在圖1中示出的LED 芯片120不同，多個波長轉(zhuǎn)換層140形成在各個LED芯片120的上表面上。在本示例性實(shí)施例中，如圖10所示，光反射層150可以填充在圍繞LED芯片120 的相應(yīng)側(cè)處，并填充在LED芯片120之間的空間中。根據(jù)本示例性實(shí)施例，光反射層150填充在LED芯片120之間的空間中，光分布層160形成在LED芯片120和光反射層150上，由此可以提高LED芯片120之間的空間中的發(fā)光強(qiáng)度，從而獲得安裝有多個LED芯片120的LED封裝件100的總體均勻的發(fā)光強(qiáng)度分布。 S卩，在含有磷光體的樹脂部件模制在封裝件主體內(nèi)的現(xiàn)有技術(shù)的LED封裝件的情況下，黑色部分存在于LED芯片之間的空間中，但在本示例性實(shí)施例中，如圖10所示，波長轉(zhuǎn)換層140均勻地形成在二極管芯片120的上表面上，光反射層150形成在LED芯片120 之間的空間中，光分布層160形成在波長轉(zhuǎn)換層140和光反射層150上，由此可以提高LED 芯片120之間的空間中的發(fā)光強(qiáng)度，從而形成均勻的發(fā)光強(qiáng)度分布。更詳細(xì)地說，光分布層160均勻地分布從LED芯片120發(fā)射的光，光反射層150將從光分布層160反射的光再次朝向外部反射，從而可以顯著地提高LED芯片120之間的空間(即，對應(yīng)于現(xiàn)有技術(shù)的LED封裝件中的黑色部分)中的發(fā)光強(qiáng)度。圖12是示出了沿圖11中的X-X線截取的LED封裝件100的二維發(fā)光強(qiáng)度分布的曲線圖。在圖12中，比較地示出了根據(jù)本示例性實(shí)施例的LED封裝件100的發(fā)光強(qiáng)度分布 (C)和在封裝件主體的整個內(nèi)部模制含有磷光體的樹脂的現(xiàn)有技術(shù)的LED封裝件的發(fā)光強(qiáng)度分布Φ)。如圖12所示，與現(xiàn)有技術(shù)的LED芯片之間的空間中的發(fā)光強(qiáng)度⑶相比，提高了 LED封裝件的LED芯片120之間的空間(即，對應(yīng)于黑色區(qū)域)中的發(fā)光強(qiáng)度(C)，詳細(xì)地說，發(fā)光強(qiáng)度之差(G)為大約45a. u.或更大。因此，因?yàn)楦鶕?jù)本示例性實(shí)施例的LED封裝件100的多個LED芯片120之間的區(qū)域中的黑色部分的形成被最小化，所以LED封裝件100 的總體發(fā)光強(qiáng)度可以相應(yīng)地具有均勻的分布。另外，根據(jù)本示例性實(shí)施例，考慮到被分為單元芯片的各個LED芯片120的單獨(dú)特性，波長轉(zhuǎn)換層140可以被形成為具有適當(dāng)?shù)暮穸?，從而可以有效地減小會在各個LED封裝件100之間產(chǎn)生的色溫差異。S卩，在晶片級磷光體膜形成方法中，S卩，在將LED芯片120分為單元芯片之前總體形成磷光體膜的情況下，施加具有相同厚度的磷光體膜，而沒有反映出或考慮各個芯片的發(fā)光特性，從而與本發(fā)明相比，增加了色溫差異。在本示例性實(shí)施例中，如上所述，可根據(jù)每個芯片的特性，將波長轉(zhuǎn)換層140形成為具有不同的厚度，從而有效地減小了各個LED封裝件100的產(chǎn)品之間的色溫差異。圖13是在圖10中示出的LED封裝件100的產(chǎn)品的色散的曲線圖。將再次描述減小上述產(chǎn)品之間的色溫差異的效果。具體地說，圖13是示出了 LED封裝件100的產(chǎn)品中的色溫分布(E)和根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的在封裝件主體內(nèi)模制含有磷光體的樹脂部件的LED封裝件的產(chǎn)品中的色溫分布(F)的 CIE色坐標(biāo)系的曲線圖，當(dāng)安裝的LED芯片120的功率范圍為390mW至410mW時，中心波長的分布范圍為445nm至450nm，LED芯片120使用750mA的電流來驅(qū)動。如圖13所示，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的LED封裝件100的情形(E)下，產(chǎn)品之間的色散為大約176K，這等同于大約小于40%。因此，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的LED封裝件 100的情況下，如上所述，在形成波長轉(zhuǎn)換層時，對于每個LED芯片120，單獨(dú)地精確調(diào)節(jié)波長轉(zhuǎn)換層140的厚度，從而可以顯著地減小各個LED封裝件100的產(chǎn)品之間的色溫差異?，F(xiàn)在將參照圖14至圖17描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件100的其它示例。
圖14至圖16是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件的不同示例的剖視圖。圖17是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件的不同示例的示意圖。在描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件100的示例時，將省略與上述構(gòu)造相同或類似的構(gòu)造的描述，并將描述不同的構(gòu)造。首先，參照 圖14，LED封裝件100被構(gòu)造為使得多個LED芯片120安裝在具有腔 172的封裝基底110上，并且透明覆蓋層180覆蓋腔172。與在圖10中示出的LED封裝件不同，在圖14示出的本示例性實(shí)施例中，腔172形成在封裝基底110自身中，透明覆蓋層180 (例如透鏡和玻璃層等)可以堆疊在封裝基底 110上，以覆蓋LED芯片120。另外，在本示例性實(shí)施例中，如圖14所示，省去了光分布層160 (在圖10中)和光反射層150 (在圖10中)，并且具有在圖5中示出的水平結(jié)構(gòu)的多個LED芯片120可以安裝在封裝基底110上。參照圖15，LED封裝件100被構(gòu)造為使得阻擋件170形成在封裝基底110上，多個 LED芯片120安裝在由阻擋件170界定的腔172中，并形成光反射層150和光分布層160。與在圖10中示出的LED封裝件100不同，在本示例性實(shí)施例中，如圖15所示，由樹脂制成的阻擋件170保留在LED封裝件100的最終產(chǎn)品上。另外，在本示例性實(shí)施例中，如圖15所示，在圖6中示出的多個LED芯片120可以以倒裝芯片方式安裝在封裝基底110上。參照圖16，LED封裝件100被構(gòu)造為使得多個LED芯片120安裝在封裝基底110上。與圖10所示的LED封裝件100不同，在本示例性實(shí)施例中，如圖16所示，可以未形成光反射層150和光分布層16，在圖6中示出的多個LED芯片120可以以倒裝芯片方式安裝在封裝基底110上。參照圖17，LED封裝件100被構(gòu)造為使得多個LED芯片120安裝在具有腔172的封裝基底110上，多個波長轉(zhuǎn)換層140形成在LED芯片120的側(cè)表面上，以及形成在LED芯片120的上表面上。在本示例性實(shí)施例中，如圖17所示，波長轉(zhuǎn)換層140可以延長地形成在甚至各個 LED芯片120的側(cè)表面上，以及形成在LED芯片120的上表面上。因此，波長轉(zhuǎn)換層140的位于LED芯片120的側(cè)面處的表面部分可以被形成為與LED芯片120的側(cè)面平行，如圖17 所示。S卩，如圖17所示，波長轉(zhuǎn)換層140可以被形成為具有均勻的厚度，從而與LED芯片120的上表面和側(cè)表面平行。在這種情況下，圖17是根據(jù)本示例性實(shí)施例的LED封裝件 100的示意圖，其中，稍微夸大地示出了波長轉(zhuǎn)換層140的整個表面，從而波長轉(zhuǎn)換層140具有與LED芯片120的上表面和側(cè)表面平行的表面，但是波長轉(zhuǎn)換層140 (其實(shí)際上通過制造 LED封裝件100的工藝形成(稍后描述))的與LED芯片120的上表面的邊緣和LED芯片 120的側(cè)表面的邊緣部相鄰的部分可以被形成為彎曲表面(圖10中的148)，所述彎曲表面類似于上面示例性實(shí)施例中的彎曲表面。根據(jù)本示例性實(shí)施例，因?yàn)椴ㄩL轉(zhuǎn)換層140形成在LED芯片120的側(cè)表面上，所以 LED封裝件100可以根據(jù)所應(yīng)用的LED芯片120的結(jié)構(gòu)被實(shí)現(xiàn)為具有有利的結(jié)構(gòu)。S卩，在圖5所示的具有水平結(jié)構(gòu)的LED芯片120的情況下，光可以部分地通過LED芯片120的側(cè)面發(fā)射，因此在LED芯片120的側(cè)面上形成波長轉(zhuǎn)換層140可以是更有利的。同時，在圖14至圖17分別示出的LED封裝件100的情況下，不受限制地應(yīng)用具有所示結(jié)構(gòu)的LED芯片120，但是在圖4至圖6中示出的LED芯片120和具有任何其它結(jié)構(gòu)的 LED芯片還可以以不同方式應(yīng)用于LED封裝件100。已經(jīng)描述了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件100的構(gòu)造和功能?？梢酝ㄟ^使用LED封裝件100實(shí)現(xiàn)用于各種照明裝置(例如，街燈、相機(jī)閃光燈、警示燈、裝飾燈、車輛頭燈、用于醫(yī)療用途的照明燈泡、背光單元和投影儀等)的光源。

詳細(xì)地說，如上所述，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件100可以產(chǎn)生具有均勻色溫的光，而不會導(dǎo)致顏色模糊，并減小了整個光發(fā)射表面的面積，從而具有低光學(xué)擴(kuò)展量。因此，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED封裝件100可以適宜地用作相機(jī)閃光燈、車輛頭燈、背光單元和投影儀等的光源。現(xiàn)在將參照圖18至圖35描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的用于制造LED封裝件 200的方法。在本示例性實(shí)施例中，LED封裝件200、封裝基底210、電路圖案212、粘結(jié)層214、 LED芯片220、電極焊盤221、結(jié)構(gòu)支撐層222、光發(fā)射結(jié)構(gòu)223、布線230、波長轉(zhuǎn)換層240、平坦表面246、彎曲表面248、光反射層250、光分布層260、阻擋件270和腔272與LED封裝件 100、封裝基底110、電路圖案112、粘結(jié)層114、LED芯片120、電極焊盤121、結(jié)構(gòu)支撐層122、 光發(fā)射結(jié)構(gòu)123、布線130、波長轉(zhuǎn)換層140、平坦表面146、彎曲表面148、光反射層150、光分布層160、阻擋件170和腔172相同或類似，因此，將省略該結(jié)構(gòu)的詳細(xì)描述，并且將描述用于制造LED封裝件200的工藝。圖18是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的用于制造LED封裝件200的方法的工藝的流程圖。根據(jù)本示例性實(shí)施例，如圖18所示，用于制造LED封裝件200的方法包括在封裝基底210上安裝LED芯片的步驟Sl 10、將封裝基底210和LED芯片220電連接的步驟S120、 通過使用分配器294在封裝基底210上形成阻擋件270的步驟S130、使用分配器292將混合物249施加到LED芯片220的上表面以形成波長轉(zhuǎn)換層240的步驟S140、在封裝基底210 上形成光反射層250的步驟S150、形成光分布層260的步驟S160和去除阻擋件270的步驟 S170。根據(jù)本示例性實(shí)施例，因?yàn)椴ㄩL轉(zhuǎn)換層240被形成為在LED芯片220的上表面上具有均勻的厚度，所以可以提高LED封裝件200的發(fā)光效率，可減小光學(xué)擴(kuò)展量，并可顯著地減小光的顏色模糊。另外，因?yàn)榭紤]到在將LED芯片220分為單元LED芯片之后各個LED芯片的特性， 波長轉(zhuǎn)換層240可以被形成為具有適當(dāng)?shù)暮穸?，所以還可以有效地減小可能在各個LED封裝件200之間產(chǎn)生的色溫差異。首先，現(xiàn)在將描述通過混合透明樹脂(圖2中的142)、磷光體(圖2中的144)和溶劑而獲得的以用于在LED芯片220的上表面上形成波長轉(zhuǎn)換層240的混合物249。為了在LED芯片的上表面上形成磷光體層，可以使用將透明樹脂和磷光體的混合物施加到LED芯片并使樹脂固化的方法。然而，利用該方法，因?yàn)槭┘拥幕旌衔镉捎谠诠袒熬哂懈咭苿有缘耐该鳂渲谋砻鎻埩Χ哂锌傮w上凸起的彎曲表面，所以難以形成具有均勻厚度的磷光體層。因此，在本示例性實(shí)施例中，相對于透明樹脂(圖2中的142)相對地增加磷光體 (圖2中的144)的量，以增加混合物249的粘度，從而減小施加到LED芯片220的上表面的混合物249的 移動性，因此，可以形成具有平坦表面246的波長轉(zhuǎn)換層240。在這種情況下，磷光體(圖2中的144)與透明樹脂(圖2中的142)的重量比為2 1或更大。然而，在這種情況下，為了提高粘度而增加磷光體(圖2中的144)的量會導(dǎo)致難以執(zhí)行分配工藝，因此，當(dāng)使用分配器292來施加混合物249時，可以將溶劑加入到含有透明樹脂(圖2中的142)和磷光體(圖2中的144)的混合物249中，從而暫時降低混合物 249的粘度，以提高移動性。以這種方式，因?yàn)閷⑷軇┘尤氲胶型该鳂渲?圖2中的142)和磷光體(圖2中的144)的混合物249中來暫時為混合物249提供移動性，所以可以在LED芯片220的上表面上有效地形成具有均勻厚度的波長轉(zhuǎn)換層240。該溶劑是用于為混合物249提供暫時移動性的材料。例如，該溶劑可以是在混合物249施加到LED芯片220的上表面之后蒸發(fā)的揮發(fā)性材料，并且可以使用具有相對低的分子量的有機(jī)溶劑類材料(例如聚合物、單體、醇或丙酮等)作為溶劑。另外，溶劑是用于為由于磷光體(圖2中的144)的量增加而具有減小的移動性的混合物249提供特定水平的移動性的材料，所以不需要大量的溶劑，例如，基于磷光體(圖 2中的144)的重量比，溶劑可以以磷光體的十分之一的水平混合。另外，混合物249還可以含有由諸如Si02、TiO2和Al2O3的材料制成的透明細(xì)粒， 以調(diào)節(jié)色溫，可以混合透明細(xì)粒，以使透明細(xì)粒相對于磷光體(圖2中的144)的重量比為 1/2或更小。現(xiàn)在將參照圖19至圖21描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的通過使用含有透明樹脂 (圖2中的142)、磷光體(圖2中的144)和溶劑的混合物249在制造LED封裝件200的方法中形成波長轉(zhuǎn)換層240的工藝。圖19至圖21是示出了在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的制造LED封裝件的方法中形成波長轉(zhuǎn)換層的工藝的示圖。首先，如圖19所示，使用分配器292將含有透明樹脂(圖2中的142)、磷光體(圖 2中的144)和溶劑的混合物249施加到LED芯片220的上表面。將LED芯片220安裝在封裝基底210上，在將LED芯片220和封裝基底210引線鍵合之后，可以分配混合物249，因此，封裝件200的電極221和布線230的一部分可以被混合物249掩埋。S卩，混合物249被設(shè)置為甚至覆蓋電極焊盤221以及用于發(fā)光的LED芯片220的表面，在該工藝中，甚至布線230的一部分也可以被波長轉(zhuǎn)換層覆蓋。同時，在本示例性實(shí)施例中，分配可以指通過針狀物用由泵施加到磷光體混合物的壓力連續(xù)地施加磷光體混合物(即，在大多數(shù)情況下，保持磷光體混合物從分配器施加到芯片的上表面的狀態(tài))，這與諸如噴涂等的工藝不同，在噴涂中，材料被顆?；瑥亩诳諝庵袊娚?。如上所述，混合物249可以平穩(wěn)地從分配器292中排出，所述混合物249最初由于磷光體(圖2中的144)的量的增加而具有減小的移動性，但是當(dāng)前在分配工藝中根據(jù)溶劑的加入而暫時具有提高的移動性。 在這種情況下，如圖19所示，可以以螺旋方式移動分配器292來均勻地施加混合物249，或者如圖21所示，可以以Z字形方式移動分配器292來均勻地施加混合物249。然后，如圖20所示，通過加熱裝置296來加熱混合物249，以使混合物249的溶劑蒸發(fā)。如上所述，溶劑可以由揮發(fā)性材料制成，因此溶劑可以在不使用加熱裝置296的情況下蒸發(fā)，從而被去除。因此，只有透明樹脂(圖2中的142)和磷光體(圖2中的144) 留在LED芯片220的上表面上，從而形成由透明樹脂和磷光體制成的波長轉(zhuǎn)換層240。在這種情況下，為了防止波長轉(zhuǎn)換層240由于混合物249的移動性(由溶劑的蒸發(fā)延遲潛在地引起)而變形，可以通過加熱裝置296來加熱含有溶劑的混合物249。例如， 可以在50攝氏度至170攝氏度的溫度范圍內(nèi)加熱LED芯片220，由此可以加熱混合物249， 并可以更有效地去除混合物249中的溶劑?，F(xiàn)在將參照圖18至圖35描述根據(jù)本發(fā)明的用于制造LED封裝件的方法的各個工藝。圖22至圖28是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的用于制造LED封裝件的方法的各個工藝的剖視圖。圖29至圖35是示出了根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的用于制造LED 封裝件的方法的各個工藝的平面圖。首先，如圖22至圖29所示，在封裝基底210上安裝多個LED芯片220 (步驟S110)。 艮口，在其一個表面上形成有電路圖案212的封裝基底210上安裝多個LED芯片220，在這種情況下，LED芯片220可以通過粘結(jié)層214物理地結(jié)合到且電連接到封裝基底210的電路圖案212。在這種情況下，LED芯片220可以串聯(lián)電連接到形成在封裝基底210上的電路圖案212。然而，本發(fā)明不限于此，LED芯片220可以并聯(lián)電連接到電路圖案212，或者可以串并聯(lián)電連接到電路圖案212。在本示例性實(shí)施例中，如圖22和圖29所示，在封裝基底210上安裝總共8個LED 芯片220用來形成兩個單元封裝件，然后后面通過切割工藝而分開，但本發(fā)明不限于此，根據(jù)需要，可以以不同方式修改安裝的LED芯片220的數(shù)量和切割的單元封裝件的數(shù)量。如圖23和圖30所示，通過使用布線230將電極焊盤221電連接到封裝基底 210(步驟S120)。在本示例性實(shí)施例中，使用具有在圖4中示出的垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片220 作為示例，并且因?yàn)殡姌O焊盤221形成在LED芯片220的上表面上，所以電極焊盤221可以通過布線230電連接到封裝基底210的電路圖案212。當(dāng)在本示例性實(shí)施例中使用在圖6中示出的LED芯片120時，因?yàn)殡姌O焊盤121 沒有形成在LED芯片220的上表面上，所以可以省略該工藝。然后，如圖24和圖31所示，通過使用分配器294在封裝基底210上形成阻擋件270，以界定將LED芯片220、光反射層250和光分布層260容納在其中的腔272 (步驟 S130)。即，在該工藝中，通過使用分配器294沿封裝基底210的邊緣施加樹脂材料來形成阻擋件270。阻擋件270的形成構(gòu)成用于將LED芯片220、光反射層250和光分布層260容納在其中的腔272。在這種情況下，用于形成阻擋件270的樹脂材料可以是緩沖材料。因此，雖然由陶瓷材料制成的封裝基底110在制造工藝中根據(jù)加熱和冷卻操作而膨脹或收縮，但是因?yàn)樽钃跫?70可以對應(yīng)于膨脹和收縮的程度而變形，所以可以有效地防止封裝基底210彎曲等現(xiàn)象，并且可以使用具有優(yōu)異的耐熱性的AlN作為封裝基底210的材料。當(dāng)如在圖7或圖8中示出的LED封裝件100那樣在封裝基底110上形成腔172時， 或者當(dāng)封裝基底110包括第一基底116和第二基底118時，可以省略該工藝。然后，如圖19、圖25和圖32所示，通過使用分配器292將含有透明樹脂(圖2中的142)、磷光體(圖2中的144)和溶劑的混合物249施加到各個LED芯片220的上表面， 以形成波長轉(zhuǎn)換層240 (步驟S140)。如上面參照圖19至圖21所述，可以通過將含有透明樹脂(圖2中的142)、磷光體(圖2中的144)和溶劑的混合物249分配到LED芯片220的每個上表面來形成波長轉(zhuǎn)
換層對0。S卩，如上所述，可以基于例如重量比，相對于透明樹脂(圖2中的142)將磷光體 (圖2中的144)的量增加到透明樹脂的兩倍以上，以減小透明樹脂和磷光體的混合物的移動性，因此形成具有平坦表面246的波長轉(zhuǎn)換層M0，所述平坦表面246形成在除了與LED 芯片220的上表面的邊緣相鄰的部分之外的其它部分處。然而，在這種情況下，磷光體(圖2 中的144)導(dǎo)致的混合物249的粘度的提高會妨礙混合物249的順暢施加，所以為了順暢的分配操作，將溶劑加入到混合物對9，從而在分配工藝中為混合物249提供暫時的移動性。 因此，可以將混合物249有效地施加到LED芯片220的上表面，同時可以精確地調(diào)節(jié)波長轉(zhuǎn)換層MO的構(gòu)造或厚度等。如上所述，溶劑可以由揮發(fā)性材料制成，以提供暫時的移動性，基于重量比，溶劑的量可以為磷光體(圖2中的144)的量的大約十分之一。同時，在圖17所示的LED封裝件100的情況下，將混合物249甚至施加到LED芯片120的側(cè)表面以及LED芯片120的上表面，從而形成從LED芯片120的上表面延伸到LED 芯片120的側(cè)表面的波長轉(zhuǎn)換層140。另外，在這種情況下，在正將混合物249施加到LED芯片120的上表面和側(cè)表面的同時，可以蒸發(fā)溶劑，從而將溶劑去除，因此，波長轉(zhuǎn)換層140的表面可以具有與LED芯片 120的上表面和側(cè)表面平行的平坦表面M6。隨后，如圖26至圖33所示，在封裝基底210上形成光反射層250，以圍繞LED芯片 220的側(cè)面(步驟S150)。例如，光反射層250可以如下形成通過分配或模制操作，使用包括諸如TW2等的反射材料(或反射物)填充LED芯片220周圍的區(qū)域。在這種情況下，根據(jù)上述工藝，因?yàn)樾纬稍诜庋b基底210上的阻擋件270界定用于形成光反射層250的腔272，所以可以更加容易地形成光反射層250。然后，如圖27和圖34所示，形成覆蓋波長轉(zhuǎn)換層240和光反射層250的光分布層沈0(步驟S160)。例如，光分布層260可以如下形成通過分配操作將包括分散劑(例如 SiO2等)的材料施加到光反射層250和波長轉(zhuǎn)換層M0。類似于光反射層250，也可以通過上述阻擋件270容易地形成光分布層沈0。同時，在圖14所示的LED封裝件100的情況下，省去了光反射層150和光分布層 160，并在LED芯片120上形成透明覆蓋層180。因此，在圖14所示的LED封裝件100的情況下，省去了形成光反射層150的工藝和形成光分布層160的工藝，同時必須另外執(zhí)行在LED芯片上形成透明覆蓋層180的工藝。然后，如圖觀和圖35所示，去除阻擋件270和封裝基底210的形成有阻擋件270 的邊緣(步驟S170)。即，在形成光分布層260之后，將封裝基底210切割成單元LED封裝件200，并且可以去除用于形成光反射層250和光分布層沈0的阻擋件270以及封裝基底 210的形成有阻擋件270的邊緣。如上所述，在本示例性實(shí)施例中，將在封裝基底210上安裝多個LED芯片220并通過切割工藝將所述多個LED芯片220分開的制造LED封裝件200的工藝視為示例。然而， 如圖15所示，在制造具有留在最終產(chǎn)品中的阻擋件170的LED封裝件的情況下，可以省去去除阻擋件270的工藝。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，因?yàn)闇p小了 LED封裝件的光發(fā)射表面的總面積，所以可以提高LED封裝件的發(fā)光效率。另外，因?yàn)閺奈挥贚ED芯片的上側(cè)處的光發(fā)射表面發(fā)射具有均勻色溫的光，所以可以減少光的顏色模糊。另外，還可以有效地減小在產(chǎn)品之間可能產(chǎn)生的色溫差異。雖然已經(jīng)結(jié)合示例性實(shí)施例示出并描述了本發(fā)明，但對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說明顯的是，在不脫離如權(quán)利要求書限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出修改和改變。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件包括封裝基底；發(fā)光二極管芯片，安裝在所述封裝基底上；波長轉(zhuǎn)換層，當(dāng)從上面觀看所述發(fā)光二極管芯片時由所述發(fā)光二極管芯片形成的表面被定義為所述發(fā)光二極管芯片的上表面時，所述波長轉(zhuǎn)換層被形成為覆蓋所述發(fā)光二極管芯片的所述上表面的至少一部分，其中，所述波長轉(zhuǎn)換層被形成為不超出所述發(fā)光二極管芯片的所述上表面的區(qū)域，且所述波長轉(zhuǎn)換層包括與所述發(fā)光二極管芯片的所述上表面平行的平坦表面和連接所述發(fā)光二極管芯片的所述上表面的邊緣的彎曲表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件還包括光反射層，形成在所述封裝基底上，以圍繞所述發(fā)光二極管芯片的側(cè)面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述光反射層由包括TiO2的材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件還包括光分布層，覆蓋所述波長轉(zhuǎn)換層和所述光反射層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述光分布層由包括SiO2的材料制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件還包括阻擋件， 形成在所述封裝基底上，以界定用于將所述發(fā)光二極管芯片、所述光反射層和所述光分布層容納在其中的腔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述阻擋件由包括樹脂的材料制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件還包括透明覆蓋層，覆蓋所述發(fā)光二極管芯片。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述封裝基底由包括陶瓷的材料制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述波長轉(zhuǎn)換層由包含透明樹脂和磷光體的材料制成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述磷光體與所述透明樹脂的重量比為2 1或大于2 1。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述發(fā)光二極管芯片包括結(jié)構(gòu)支撐層，由導(dǎo)電材料制成；光發(fā)射結(jié)構(gòu)，形成在所述結(jié)構(gòu)支撐層的一個表面上，并包括P型半導(dǎo)體層、有源層和η 型半導(dǎo)體層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述光發(fā)射結(jié)構(gòu)形成在所述結(jié)構(gòu)支撐層的一個表面的一部分上，所述發(fā)光二極管芯片的所述上表面包括所述光發(fā)射結(jié)構(gòu)的一個表面和所述結(jié)構(gòu)支撐層的一個表面的沒有形成所述光發(fā)射結(jié)構(gòu)的其它剩余區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述發(fā)光二極管芯片包括生長基底；光發(fā)射結(jié)構(gòu)，形成在所述生長基底的一個表面上，并包括η型半導(dǎo)體層、有源層和ρ型半導(dǎo)體層，其中，所述有源層和所述P型半導(dǎo)體層形成在所述η型半導(dǎo)體層的一個表面的一部分上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述發(fā)光二極管芯片的所述上表面包括所述P型半導(dǎo)體層的一個表面以及所述η型半導(dǎo)體層的一個表面的沒有形成所述有源層和所述P型半導(dǎo)體層的其它剩余區(qū)域。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述發(fā)光二極管芯片的所述上表面是所述生長基底的另一表面。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件還包括電極焊盤，形成在所述發(fā)光二極管芯片的所述上表面上，其中，所述波長轉(zhuǎn)換層被形成為覆蓋所述電極焊盤。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件還包括布線， 將所述電極焊盤電連接到所述封裝基底。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述波長轉(zhuǎn)換層延伸到所述發(fā)光二極管芯片的側(cè)表面。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，形成多個發(fā)光二極管芯片和多個波長轉(zhuǎn)換層，所述多個波長轉(zhuǎn)換層分別形成在所述多個發(fā)光二極管芯片的上表面上。
21.一種照明裝置，所述照明裝置包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件。
22.一種制造發(fā)光二極管封裝件的方法，所述方法包括在封裝基底上安裝發(fā)光二極管芯片；將含有透明樹脂、磷光體和溶劑的混合物施加到所述發(fā)光二極管芯片的上表面，其中，在施加所述混合物的工藝中從所述混合物去除所述溶劑之后，當(dāng)從上面觀看所述發(fā)光二極管芯片時由所述發(fā)光二極管芯片形成的表面被定義為所述發(fā)光二極管芯片的所述上表面時，所述波長轉(zhuǎn)換層被形成為不超出所述發(fā)光二極管芯片的所述上表面的區(qū)域，且所述波長轉(zhuǎn)換層包括與所述發(fā)光二極管芯片的所述上表面平行的平坦表面和將所述平坦表面與所述發(fā)光二極管芯片的所述上表面的邊緣連接的彎曲表面。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述溶劑由揮發(fā)性材料制成。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，所述方法還包括在施加所述混合物的工藝中，加熱施加到所述發(fā)光二極管芯片的所述上表面的混合物，以使所述溶劑蒸發(fā)。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，通過使用分配器來執(zhí)行所述混合物的施加。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中，所述混合物的施加包括連續(xù)地施加所述混合物，以保持將所述混合物從所述分配器連續(xù)地施加到所述發(fā)光二極管芯片的所述上表面的狀態(tài)。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中，當(dāng)在所述發(fā)光二極管芯片的上側(cè)上方以螺旋或Z字形方式移動所述分配器的同時，執(zhí)行所述混合物的施加。
28.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，所述方法還包括在施加了所述混合物之后，在所述封裝基底上形成光反射層，以圍繞所述發(fā)光二極管芯片的側(cè)面。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中，所述光反射層由包括TiO2的材料制成。
30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，所述方法還包括在形成所述光反射層之后，形成覆蓋所述波長轉(zhuǎn)換層和所述光反射層的光分布層。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中，所述光分布層由包括SiO2的材料制成。
32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，所述方法還包括在形成所述光反射層之前，在所述封裝基底上形成阻擋件，以界定將所述發(fā)光二極管芯片、所述光反射層和所述光分布層容納在其中的腔。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中，所述阻擋件形成在所述封裝基底的邊緣上，所述方法還包括在形成所述光分布層之后，去除所述阻擋件和所述封裝基底的形成有所述阻擋件的邊緣。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中，所述阻擋件由包括樹脂的材料制成。
35.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中，通過使用分配器來執(zhí)行所述阻擋件的形成。
36.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，所述方法還包括在施加了所述混合物之后，形成覆蓋所述發(fā)光二極管芯片的透明覆蓋層。
37.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述封裝基底由包括陶瓷的材料制成。
38.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述磷光體與所述透明樹脂的重量比為2 1 或大于2 1。
39.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述發(fā)光二極管芯片包括 結(jié)構(gòu)支撐層，由導(dǎo)電材料制成；光發(fā)射結(jié)構(gòu)，形成在所述結(jié)構(gòu)支撐層的一個表面上，并包括P型半導(dǎo)體層、有源層和η 型半導(dǎo)體層。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中，所述光發(fā)射結(jié)構(gòu)形成在所述結(jié)構(gòu)支撐層的一個表面的一部分上，所述發(fā)光二極管芯片的所述上表面包括所述光發(fā)射結(jié)構(gòu)的一個表面和所述結(jié)構(gòu)支撐層的一個表面的未形成所述光發(fā)射結(jié)構(gòu)的其它剩余區(qū)域。
41.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述發(fā)光二極管芯片包括 生長基底；光發(fā)射結(jié)構(gòu)，形成在所述生長基底的一個表面上，并包括η型半導(dǎo)體層、有源層和ρ型半導(dǎo)體層，其中，所述有源層和所述P型半導(dǎo)體層形成在所述η型半導(dǎo)體層的一個表面的一部分上。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，其中，所述發(fā)光二極管芯片的所述上表面包括所述P 型半導(dǎo)體層的一個表面以及所述η型半導(dǎo)體層的一個表面的未形成所述有源層和所述P型半導(dǎo)體層的其它剩余區(qū)域。
43.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，其中，所述發(fā)光二極管芯片的所述上表面是所述生長基底的另一表面。
44.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，在所述發(fā)光二極管芯片的所述上表面上形成電極焊盤，執(zhí)行所述混合物的施加來覆蓋所述電極焊盤。
45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，所述方法還包括在所述發(fā)光二極管芯片的安裝和所述混合物的施加之間，通過使用布線將所述電極焊盤電連接到所述封裝基底。
46.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，在所述混合物的施加中，將所述混合物施加到所述發(fā)光二極管芯片的所述上表面和側(cè)表面。
47.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，形成多個發(fā)光二極管芯片，并且在所述混合物的施加中，將所述混合物分別施加到所述多個發(fā)光二極管芯片的所述上表面。
全文摘要
公開了一種發(fā)光二極管(LED)封裝件、一種包括該LED封裝件的照明裝置和一種用于制造LED封裝件的方法。所述LED封裝件包括封裝基底；LED芯片，安裝在所述封裝基底上；波長轉(zhuǎn)換層，當(dāng)從上面觀看LED芯片時由所述LED芯片形成的表面被定義為所述LED芯片的上表面時，所述波長轉(zhuǎn)換層被形成為覆蓋所述LED芯片的所述上表面的至少一部分，其中，所述波長轉(zhuǎn)換層被形成為沒有超出所述LED芯片的所述上表面的區(qū)域，并包括與所述LED芯片的所述上表面平行的平坦表面和連接所述LED芯片的所述上表面的邊緣的彎曲表面。
文檔編號H01L33/54GK102222757SQ201110105659
公開日2011年10月19日 申請日期2011年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月15日
發(fā)明者全忠培, 樸武允, 鄭宰有, 金奎相, 金鎮(zhèn)夏 申請人:三星Led株式會社