專利名稱：形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)是關(guān)于制造集成電路的領(lǐng)域，更特別地，是關(guān)于包括根據(jù)替換柵極方法形成的金屬柵極電極結(jié)構(gòu)的復(fù)合集成電路。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)在集成電路中，在單一芯片面積上，形成非常多的個(gè)別電路組件，例如場(chǎng)效晶體管、電阻、電容與類似組件。典型地，隨著進(jìn)入每一個(gè)新電路世代，這些電路組件的特征尺寸漸漸減小，就速度與/或功率消耗而言，提供高效能的集成電路。晶體管尺寸的降低對(duì)于改善復(fù)合集成電路，例如CPU，的裝置效能是重要的。尺寸降低通常造成切換速度增加，因而增進(jìn)信號(hào)處理效能。隨著半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的電路組件，例如晶體管，特征尺寸縮小，顯著增加制造工藝的整理復(fù)雜性以及存寫系統(tǒng)的復(fù)雜性，建立半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的電路組件與任何其他電路組件的電連接，用以增加電路組件的數(shù)量以及明顯增加的封裝密度。結(jié)果，典型在復(fù)合集成電路中，需要多個(gè)堆棧的線路層或金屬化層，其中金屬線與通孔共同建立裝置的電路布局所需要的電連接。由于整體減少的特征尺寸，金屬線與通孔的尺寸也持續(xù)減小，因而復(fù)合金屬化系統(tǒng)需要新的方法與材料。為了這個(gè)理由，銅與所謂的低k介電材料典型用于復(fù)合金屬化系統(tǒng)，然而可和半導(dǎo)體設(shè)備中處理銅的重要問題相關(guān)。已知銅很快擴(kuò)散在多個(gè)材料中，例如二氧化硅、二氧化硅為基礎(chǔ)的低k介電材料與類似物。然而，當(dāng)銅擴(kuò)散到例如復(fù)合晶體管組件的敏感裝置區(qū)域時(shí)，銅可明顯改變晶體管特性，以及因而可能最后造成復(fù)合半導(dǎo)體裝置的產(chǎn)量損失與信賴度下降。因而，已經(jīng)在形成復(fù)合金屬化系統(tǒng)中發(fā)展府和制造方法，其中為了確保適當(dāng)?shù)你~限制，可典型提供銅材料結(jié)合適當(dāng)?shù)膫鲗?dǎo)與介電障蔽材料。雖然相較于其他材料，例如鋁與類似物，銅通常可提供很好的電效能以及改善電遷移作用，其他傳導(dǎo)材料與金屬可典型用于直接連接至半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的電路組件，為了避免銅擴(kuò)散至這些半導(dǎo)體裝置中的風(fēng)險(xiǎn)。再者，半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的電路組件，例如晶體管與類似物，可典型需要某程度的鈍化，亦即某機(jī)械與化學(xué)阻抗，以及晶體管結(jié)構(gòu)因而典型包埋在適當(dāng)?shù)慕殡姴牧现?，可包括兩個(gè)或更多不同的材料層，取決于整體裝置需求。在本申請(qǐng)中，用于鈍化半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的電路組件的介電材料亦指為層間介電材料，可因而成為實(shí)際半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的電路組件與復(fù)合金屬化系統(tǒng)之間的適當(dāng)接口，所述復(fù)合金屬化系統(tǒng)通常是由銅與精密低k介電材料組成。為了適當(dāng)連接電路組件至金屬化系統(tǒng)，因而必須在層間介電材料中提供適當(dāng)?shù)慕佑|組件，在一些例子中， 提供數(shù)個(gè)電路組件之間的直接連接，以及也提供電路組件的接觸區(qū)域與金屬線的連接或是金屬化系統(tǒng)的第一金屬化層的金屬區(qū)域。結(jié)合鈍化介電材料與其中形成的接觸組件也可指為半導(dǎo)體的接觸結(jié)構(gòu)或接觸階層。因此，在減少裝置階層中的電路組件尺寸之后，需要使用接觸組件的對(duì)應(yīng)關(guān)鍵尺寸，造成非常復(fù)雜的圖案化方法，用于形成層間介電材料中的接觸組件。亦即在密集堆棧的裝置區(qū)域中，接觸組件的關(guān)鍵尺寸可以與電路組件的關(guān)鍵尺寸相同程度，因而為了免于過度消耗有價(jià)值的芯片面積，也需要關(guān)鍵尺寸的第一金屬化層。使用
4精密微影蝕刻與蝕刻技術(shù)，通過第一圖案化所述層間介電材料，典型形成接觸組件，以及后續(xù)以適當(dāng)?shù)膫鲗?dǎo)材料，例如屋宇類似物，填充接觸開口，如果有需要?jiǎng)t可能結(jié)合傳導(dǎo)障蔽材料。因此，取決于層間介電材料的厚度，由于開口的側(cè)向尺寸為50nm或更小，必須用非常關(guān)鍵的工藝條件形成接觸開口，穿過150nm或更大的層間介電材料，這取決于整體裝置架構(gòu)。 在提供具有所要的關(guān)鍵尺寸的接觸開口之后，為了獲得低接觸阻抗，需要更關(guān)鍵的工藝步驟，亦即沉積適當(dāng)?shù)膫鲗?dǎo)材料，可靠地填充接觸開口而沒有過度不規(guī)則，例如在接觸開口內(nèi)的空隙。在這方面，應(yīng)理解在精密應(yīng)用中，整體信號(hào)處理能力可顯著取決于裝置階層與接觸階層中的整體電阻，其中在非常規(guī)?；陌雽?dǎo)體裝置中，接觸電阻是決定最終電性能的主要因子。在沉積接觸材料之后，必須移除任何過多部分，典型由化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)完成，其中適當(dāng)選擇工藝參數(shù)，例如下沉力(downforce)、拋光墊與基板的相對(duì)速度，以及特別是泥漿材料的化學(xué)性質(zhì)，有效移除過多材料而不會(huì)過度造成其他裝置區(qū)域的破壞，例如接觸階層的介電材料與類似物。在移除工藝過程中，從介電表面區(qū)域移除傳導(dǎo)材料，提供電性絕緣的接觸組件，因而需要某程度的過度拋光時(shí)間，這可取決于整體工藝一致性。也就是必須選擇過度拋光時(shí)間(over-polish time)，因而在任何裝置區(qū)域，例如密集封裝的裝置區(qū)域或是降低封裝密度的裝置區(qū)域中，可靠地移除過多材料。在移除工藝中，重要的是避免過度移除介電材料，這可使用高選擇性泥漿材料完成，因而提供與傳導(dǎo)材料的化學(xué)反應(yīng)，而不會(huì)過度影響介電材料。晶體管組件的關(guān)鍵尺寸持續(xù)縮小已經(jīng)造成40nm或更小的場(chǎng)效晶體管的最小柵極長度。如眾所知，非常短信道長度的晶體管需要額外測(cè)量，用來保留信道區(qū)域的可控制性， 這已經(jīng)由減少柵極介電材料的厚度而解決，柵極介電材料將場(chǎng)效晶體管的柵極電極結(jié)構(gòu)與下層信道區(qū)域分開。因此，通過減少柵極介電材料的厚度，可增加電極與信道區(qū)域之間的電容耦合，因而結(jié)合汲極與源極區(qū)域非常復(fù)雜的摻質(zhì)狀況，能夠適當(dāng)控制傳導(dǎo)信道，所述傳導(dǎo)信道是在施加適當(dāng)控制電壓至柵極電極后，形成在信道區(qū)域中。由于使用二氧化硅作為基本材料用于硅基礎(chǔ)通道上形成的柵極絕緣層有許多優(yōu)點(diǎn)，二氧化硅為基礎(chǔ)的介電材料已經(jīng)被廣泛作為柵極介電材料。然而，對(duì)于約1. 5nm或更小厚度，精密晶體管中對(duì)應(yīng)的柵極漏電流可達(dá)到許多復(fù)合半導(dǎo)體裝置型式不再可接受的值。為了這個(gè)理由，已經(jīng)發(fā)展新的方法，其中可用自身對(duì)準(zhǔn)方式提供汲極與源極區(qū)域，如同多晶硅/ 二氧化硅柵極電極結(jié)構(gòu)，同時(shí)增加?xùn)艠O介電材料的有效厚度，而提供1. 5nm或更小的氧化物均等厚度。為了達(dá)到這個(gè)目的， 可將所謂的高k介電材料，亦即介電常數(shù)10.0或更高的介電材料，合并至精密晶體管的柵極絕緣層，用來減少漏電流，提供所想到的電容耦合。再者，用超傳導(dǎo)性金屬替換多晶硅材料，可更增進(jìn)柵極電極結(jié)構(gòu)的效能，因而通常降低柵極電阻并且也避免在柵極介電材附近產(chǎn)生消耗區(qū)，這在多晶硅為基礎(chǔ)的柵極電極結(jié)構(gòu)中典型可見。在早期制造階段中提供高k介電材料結(jié)合含金屬電極材料，可造成顯著的困難， 例如調(diào)整適當(dāng)?shù)墓ぷ骱瘮?shù)以及保留貫穿整體工藝流程的值。因此，在非常成名的方法中，亦即所謂的替換柵極方法，柵極電極結(jié)構(gòu)的形成可與習(xí)知的多晶硅柵極電極高度兼容，以及可在非常末期制造階段，亦即在完成基礎(chǔ)晶體管結(jié)構(gòu)與在層間介電材料中側(cè)向包埋柵極電極結(jié)構(gòu)之后，提供高傳導(dǎo)電極金屬，可能結(jié)合任何工作函數(shù)調(diào)整物種以及高k介電材料。在這個(gè)制造階段中，移除多晶硅材料，在柵極電極結(jié)構(gòu)中，形成開口或溝渠，以及可在柵極開口中，填充任何適當(dāng)?shù)牟牧舷到y(tǒng)。例如，常可使用高傳導(dǎo)電極金屬，例如鋁，用來得到高k金屬柵極電極結(jié)構(gòu)的低電阻。因此，在這個(gè)替換柵極方法的最終階段，必須沉積電極金屬，并且接著需要移除任何過多部分，典型是由CMP工藝完成的。然而，特別是替換柵極方法的最終階段會(huì)造成在形成接觸組件之后的顯著缺陷以及甚至裝置失敗，參閱圖Ia-If的詳細(xì)解釋。圖Ia概示說明制造階段中的半導(dǎo)體裝置100的橫切面。如圖所示，裝置100包括基板101與半導(dǎo)體層102，例如硅為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體材料與類似物。當(dāng)半導(dǎo)體層102下方形成包埋的絕緣材料(未顯示)時(shí)，半導(dǎo)體層102與基板101可成為SOI (絕緣體上硅)架構(gòu)。 在其他例子中，至少在初始制造階段中，半導(dǎo)體層102可成為基板101的晶體材料，因而形成大塊(bulk)架構(gòu)。在半導(dǎo)體層102中與上方，形成多個(gè)晶體管150a、150b，其中在所示的范例中，可使用平面晶體管結(jié)構(gòu)。在這個(gè)例子中，晶體管150a、150b包括半導(dǎo)體層102內(nèi)的汲極與源極區(qū)域153，以及側(cè)向包圍信道區(qū)域152，其中在施加適當(dāng)控制電壓至柵極電極結(jié)構(gòu)130后，形成傳導(dǎo)通道，如前所述。汲極與源極區(qū)域153可包括適當(dāng)?shù)慕佑|區(qū)域，范例中顯示為金屬硅化物區(qū)域154。在其他例子中，接觸區(qū)域巧4可以是高摻雜的半導(dǎo)體區(qū)域，在后續(xù)的制造階段中，例如在完成柵極電極結(jié)構(gòu)130之后，若需要與所要的金屬硅化物材料熱穩(wěn)定性不相融的任何額外高溫工藝，可接收金屬硅化物，?？稍诙嗑Ч璨牧系幕A(chǔ)上初始提供柵極電極結(jié)構(gòu)130可，依設(shè)計(jì)需求而圖案化， 用來調(diào)整所要的柵極電極結(jié)構(gòu)130的關(guān)鍵尺寸，在精密應(yīng)用中，可以是40nm或更小。在所示的制造階段中，具有任何適當(dāng)架構(gòu)的側(cè)壁間隔結(jié)構(gòu)151結(jié)合介電材料120可側(cè)向包圍柵極電極結(jié)構(gòu)130，所述介電材料120亦可指為層間介電材料，以及可包括兩個(gè)或多個(gè)個(gè)別材料層，例如層121、122，這取決于整體工藝與裝置需求。例如，層121可為氮化硅為基礎(chǔ)的材料，而層122可包括二氧化硅，可經(jīng)常作為包埋精密半導(dǎo)體裝置中半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的電路組件。柵極電極結(jié)構(gòu)130可包括柵極絕緣層131，可包括高k介電材料，例如鉿氧化物、鉿硅氧化物、鋯氧化物與類似物。如圖所示，柵極介電材料131也可形成在柵極電極結(jié)構(gòu)130的側(cè)壁上，而在其他例子中，柵極介電材料可僅形成在柵極開口 130ο的底部。再者，在所示的范例中，可提供含金屬材料層132，例如鑭、鋁或類似物，以及可合并至適當(dāng)?shù)慕饘傥锓N，用來調(diào)整柵極電極結(jié)構(gòu)130的工作函數(shù)。最后，可提供高傳導(dǎo)電極金屬133，例如鋁、鋁鈦或類似物的鋁合金，用來作為低奧姆電極材料。可用后續(xù)工藝方法形成圖Ia的半導(dǎo)體裝置100。提供適當(dāng)?shù)慕^緣結(jié)構(gòu)(未顯示)， 在半導(dǎo)體層102中形成適當(dāng)?shù)闹鲃?dòng)區(qū)域(未顯示)，用來側(cè)向勾畫所述主動(dòng)區(qū)域。而后，提供材料層的適當(dāng)堆棧，例如二氧化硅、多晶硅層結(jié)合其他材料，例如介電覆蓋層、應(yīng)屏蔽材料或類似物，形成柵極電極結(jié)構(gòu)130，這是裝置100的后續(xù)工藝需要的。接著，可使用精密微影蝕刻與蝕刻技術(shù)，用來圖案化柵極電極結(jié)構(gòu)130，類似使用二氧化硅/多晶硅柵極電極結(jié)構(gòu)而沒有任何精密高k材料的習(xí)知工藝方法。在其他方法中，可在此早期制造階段中，提供高k介電材料結(jié)合傳導(dǎo)覆蓋材料與硅材料。在柵極電極結(jié)構(gòu)的圖案化之后，例如具有關(guān)鍵長度40nm或更小，在任何適當(dāng)工藝流程的基礎(chǔ)上，繼續(xù)其他工藝，用于形成汲極與源極區(qū)域13與側(cè)壁間隔結(jié)構(gòu)151。在活化摻質(zhì)與調(diào)整汲極與源極區(qū)域153的最終摻質(zhì)狀況的任何高溫工藝之后，可在任何適當(dāng)硅化技術(shù)基礎(chǔ)上，形成金屬硅化物154。接著，形成材料120， 例如沉積層121、122，可包含高應(yīng)變介電材料的沉積，用于進(jìn)一步促進(jìn)晶體管150a、150b中的一個(gè)或兩個(gè)的效能。而后，可將材料120平面化，最后暴露柵極電極結(jié)構(gòu)130中的多晶硅材料，而后以高選擇性蝕刻化學(xué)移除，因而形成柵極開口 130ο。應(yīng)理解若認(rèn)為適當(dāng)，也可至少部分移除在柵極開口 130ο底部的任何介電材料，以及而后可沉積高k介電材料131。在其他例子中，在早期制造階段中，已經(jīng)提供高k介電材料。如果需要，用任何適當(dāng)?shù)某练e技術(shù)，沉積材料層132，接著可用濺鍍沉積、電化學(xué)沉積或類似方法，沉積電極金屬133。為了可靠地填充柵極開口 130ο，典型需要某程度的過度填充，如圖Ia虛線所示。接著，用化學(xué)機(jī)械拋光工藝103，移除層13以及可能層132的任何過多材料，其中較佳為移除層133的材料。如上所述，典型地使用適當(dāng)?shù)哪酀{材料，亦即含有化學(xué)活性成分的溶液，同時(shí)也提供磨蝕，提供重要的物理成分用來移除材料133與132。例如，當(dāng)移除鋁材料或是鋁合金，可使用典型礬土，亦即氧化鋁，作為磨蝕顆粒的適當(dāng)材料，然而，特別是在移除工藝103的最終階段，當(dāng)?shù)湫蛢蓚€(gè)不同金屬物種，例如層133的金屬與層132的金屬成分待拋光時(shí)，會(huì)傾向于凝聚成塊。因此，除了由介電材料120中的礬土顆粒造成的任何微刮痕之外，亦即在移除非常薄的介電材料131之后，增加的礬土顆粒凝聚塊會(huì)造成材料122的裂縫，如IM所指。由于必須使用對(duì)應(yīng)的過度拋光時(shí)間，可靠地移除任何金屬殘留，在移除工藝10過程中，會(huì)產(chǎn)生許多的裂縫124。在移除工藝103之后，層間介電材料120側(cè)向包埋柵極電極結(jié)構(gòu)130，而另一方面， 高傳導(dǎo)柵極電極結(jié)構(gòu)130具有暴露的金屬表面區(qū)域，因而能與金屬化系統(tǒng)的任何金屬區(qū)域接觸。另一方面，汲極與源極區(qū)域153中的接觸區(qū)域IM需要接觸組件延伸穿過層間介電材料120，然而，其中相對(duì)于許多其他的習(xí)知方法，可形成這些接觸組件穿過現(xiàn)代薄的介電材料，因而避免過度的縱深比(aspect ratio)，以及因而允許具有降低側(cè)向尺寸的接觸開口的圖案化。圖Ib概示描述進(jìn)一步制造階段中的半導(dǎo)體裝置100。在層積介電材料120上，形成蝕刻罩幕104，例如阻抗屏蔽或類似物，并且適當(dāng)建構(gòu)用以定義材料120中形成的接觸開口 123的側(cè)向尺寸與位置。由于接觸開口 123的高度實(shí)質(zhì)受限于柵極電極結(jié)構(gòu)130的高度， 所以可以達(dá)到所要減少的側(cè)向尺寸，因而可提供具有增加封裝密度的半導(dǎo)體裝置100。亦即可選擇晶體管150a、150b的側(cè)向偏離，用以符合圖案化能力，用于形成接觸開口 120，穿過實(shí)質(zhì)高度對(duì)應(yīng)于柵極電極結(jié)構(gòu)130高度的層120。可用任何適當(dāng)?shù)奈⒂拔g刻技術(shù)為基礎(chǔ)，提供蝕刻屏蔽104。而后，使用適當(dāng)?shù)奈g刻順序，用以蝕刻穿過材料122與121，用來最后暴露接觸區(qū)域巧4中的金屬硅化物。而后，移除蝕刻屏蔽104，以及如果需要，則可使用適當(dāng)?shù)那宄に?。圖Ic概示說明在上述工藝順序之后的半導(dǎo)體裝置100的俯視圖。如圖所示，提供多個(gè)柵極電極結(jié)構(gòu)130，以及適當(dāng)定位接觸開口 123，用來提供所需要的電接觸至晶體管 150a、150b，如圖Ia與Ib所示。再者，如圖所示，裂縫IM可能更多或更少，其中一些裂縫 IM可在兩個(gè)接觸開口 123之間延伸，如圖Ic左側(cè)所示。圖Id概示說明進(jìn)一步制造階段中裝置100的橫切面。如圖所示，可在介電材料 120上方以及接觸開口 123內(nèi)，形成接觸材料126，可能結(jié)合傳導(dǎo)障蔽材料127。例如，接觸材料1 可包括鎢，而傳導(dǎo)障蔽材料127可包括鈦、氮化鈦或類似物?？捎萌魏芜m當(dāng)沉積技術(shù)，例如CVD或類似方法，提供材料126、127。圖Ie概示說明包括化學(xué)機(jī)械拋光工藝的進(jìn)一步移除工藝105過程中的裝置100。 在工藝105過程中，如果有提供(參閱圖Id)，移除層1 與127任何過多的材料，如上所述。典型地，必須選擇特定的泥漿材料，用來在拋光工藝105過程中提供所要的選擇性程度。然而，在工藝105的最終相過程中，至少有兩種不同金屬，亦即電極金屬133，例如鋁、鋁合金或類似物，以及接觸材料126，例如鎢的形式。因此，由于金屬133、126的不同電化學(xué)作用， 這些材料對(duì)于所使用的泥漿有不同的“反應(yīng)”，可造成在工藝105的最終相過中有不同程度的材料移除。在一些例子中，在最終拋光相過程中，可在一種金屬形式中發(fā)現(xiàn)金屬凝聚塊， 而在另一種金屬形式中發(fā)現(xiàn)明顯的金屬消耗。再者，為了提供電絕緣接觸組件125，由于必須有一些過度拋光時(shí)間，因此響應(yīng)所使用泥漿材料的對(duì)應(yīng)差別造成金屬消耗，例如在接觸組件125造成金屬消耗。在另一方面，先前產(chǎn)生的裂縫1 仍被接觸材料填充，因而提供有效的“漏電路徑(leakage path)，，。圖If概示說明在圖Ie拋光工藝后的半導(dǎo)體裝置100。如圖所示，一些接觸組件 15可包含不規(guī)則，例如消耗區(qū)域125a，可造成接觸電阻明顯增加。另一方面，金屬填充的裂縫，例如圖If左側(cè)的裂縫124，可連接兩個(gè)接觸組件125，因而將這些接觸125短路，甚至造成裝置100的總失敗。因此，在接觸方法中使用介電材料120用于形成高度降低的接觸組件，上述的習(xí)知方法形成明顯的缺陷與裝置錯(cuò)誤，這會(huì)造成產(chǎn)率下降。在一些習(xí)知方法中，在圖Ie的移除工藝105過程中，可使用超泥漿材料，然而，需要努力研究與發(fā)展以得到適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)溶液，否則很難達(dá)到兩種不同金屬材料化學(xué)反應(yīng)之間的理想平衡。再者，金屬填充的裂縫也會(huì)造成明顯的接觸錯(cuò)誤。根據(jù)以上所述的狀況，本申請(qǐng)揭露內(nèi)容是關(guān)于工藝方法，其中可在替換柵極方法中，形成縱深比降低的接觸組件，同時(shí)避免或至少減少上述一或多個(gè)問題的效應(yīng)。

發(fā)明內(nèi)容
一般而言，本申請(qǐng)?zhí)峁┲圃旒夹g(shù)，其中可在有精密高k金屬柵極電極結(jié)構(gòu)存在下， 形成接觸組件，其中屏蔽金屬柵極電極可減少金屬移除工藝造成的任何缺陷，而不會(huì)使層間介電材料中形成的接觸開口的縱深比過度增加。同時(shí)，屏蔽材料可靠地填充在較早制造程序中已經(jīng)產(chǎn)生的任何裂縫，因而降低產(chǎn)生額外漏電路徑的風(fēng)險(xiǎn)，而在替換柵極方法過程中使用已經(jīng)建立的拋光為基礎(chǔ)的移除工藝。在本申請(qǐng)揭露的一些部分中，可同時(shí)使用屏蔽材料作為硬屏蔽，用于蝕刻接觸開口，因而貢獻(xiàn)非常有效率的整體工藝流程，而不增加所得接觸開口的縱深比。本申請(qǐng)揭露的方法包括在晶體管的柵極電極結(jié)構(gòu)上方，形成介電覆蓋層，所述柵極電極結(jié)構(gòu)是形成在半導(dǎo)體區(qū)域上方。柵極電極結(jié)構(gòu)側(cè)向包埋在層間介電材料中，以及包括高k介電材料與電極金屬。所述方法更包括形成從柵極電極結(jié)構(gòu)側(cè)向偏移的接觸開口， 延伸穿過所述介電覆蓋層與層間介電材料。所述方法更包括在接觸開口中形成接觸材料， 以及移除所述接觸材料的過多部分，暴露所述介電覆蓋層。此外，所述方法包括進(jìn)行移除工藝，暴露柵極電極結(jié)構(gòu)的電極金屬。本申請(qǐng)揭露的另一方法包括在晶體管的柵極電極結(jié)構(gòu)的開口中形成電極金屬，其中所述柵極電極結(jié)構(gòu)側(cè)向包埋在介電材料中。所述方法更包括進(jìn)行第一移除工藝，移除電極金屬的過多部分。再者，所述方法包括在所述電極金屬與介電材料上方形成介電覆蓋層。 此外，所述方法包括在介電覆蓋層與介電材料中形成接觸開口，不暴露所述電極金屬，其中
8所述接觸開口連接至汲極區(qū)域與源極區(qū)域其中之一。再者，所述方法包括在接觸開口中與介電層上方，形成接觸金屬。所述方法更包括進(jìn)行第二移除工藝，移除所述接觸金屬的過多部分。本申請(qǐng)揭露的另一方法包括在介電材料與柵極電極結(jié)構(gòu)的電極金屬上方，形成介電蝕刻屏蔽，柵極電極結(jié)構(gòu)的電極金屬側(cè)向包埋在介電材料中。蝕刻屏蔽覆蓋電極金屬，并且包括屏蔽開口，用以定義接觸開口的側(cè)向位置與尺寸。所述方法更包括使用所述蝕刻屏蔽，在介電材料中，形成接觸開口。再者，所述方法包括在所述蝕刻屏蔽存在下，用傳導(dǎo)材料填充所述接觸開口，以及至少從所述電極金屬，移除所述蝕刻屏蔽。


本申請(qǐng)的其他實(shí)施例定義在權(quán)利要求書中，參閱以下詳細(xì)說明與附隨圖式，可了解本申請(qǐng)內(nèi)容。圖Ia與Ib概示說明根據(jù)習(xí)知方法，當(dāng)在高度與高k金屬柵極電極結(jié)構(gòu)匹配的介電材料中形成接觸開口時(shí)的半導(dǎo)體裝置橫切面。圖Ic概示說明說明根據(jù)習(xí)知方法，在形成接觸開口的蝕刻工藝之后的半導(dǎo)體裝置俯視圖。圖Id與Ie概示說明根據(jù)習(xí)知方法，進(jìn)一步制造方法中半導(dǎo)體裝置的橫切面，其中移除接觸金屬的過多材料會(huì)造成高缺陷率。圖If概示說明根據(jù)習(xí)知方法，具有缺陷接觸組件的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。圖加是根據(jù)實(shí)施例，概示說明半導(dǎo)體裝置的橫切面，包括替換柵極方法為基礎(chǔ)形成的高k金屬柵極電極結(jié)構(gòu)，具有介電覆蓋層或屏蔽層，覆蓋柵極電極結(jié)構(gòu)的電極金屬。圖2b是根據(jù)實(shí)施例，概示說明具有蝕刻屏蔽的裝置，用于共同圖案化介電覆蓋層與層間介電材料。圖2c是根據(jù)另一實(shí)施例，概示說明具有圖案化屏蔽層的半導(dǎo)體裝置，所述圖案化屏蔽層可作為硬屏蔽，用于形成接觸開口，而同時(shí)可靠地填充任何裂縫以及覆蓋電極金屬。圖2d_2g是根據(jù)其他實(shí)施例，概示說明在進(jìn)一步制造階段過程中的半導(dǎo)體裝置的橫切面，移除接觸材料的任何過多材料，以及移除至少明顯部分的借電覆蓋材料或蝕刻屏蔽。
具體實(shí)施例方式雖然本申請(qǐng)揭露內(nèi)容如以下詳細(xì)說明與圖式所描述，但應(yīng)理解以下詳細(xì)說明與圖式并非用以限制本申請(qǐng)揭露內(nèi)容于特定實(shí)施例，而是所描述的實(shí)施例僅舉例本申請(qǐng)揭露內(nèi)容的不同部分，本申請(qǐng)的范圍由權(quán)利要求書定義。本申請(qǐng)?zhí)峁┲圃旆椒ǎ渲锌稍谘b置幾何基礎(chǔ)上形成接觸組件，由柵極電極結(jié)構(gòu)的高度實(shí)質(zhì)決定，其中可減少整體缺陷，同時(shí)可在以建立的移除工藝基礎(chǔ)上，例如CMP，使用可獲得的泥漿材料，移除接觸金屬的過多材料。為了達(dá)到這個(gè)目的，半導(dǎo)體裝置可接收現(xiàn)代薄介電材料層，可理解作為材料層具有的厚度適應(yīng)早期制造相過程中產(chǎn)人的任何裂縫的深度，可靠地接合這些裂縫，并且也覆蓋高k金屬柵極電極結(jié)構(gòu)的電極金屬。例如，在一些實(shí)施例中，介電覆蓋層也可作為硬屏蔽，并且具有厚度約20nm至數(shù)百納米。因此，可繼續(xù)其他工藝，亦即形成接觸開口以及用適當(dāng)傳導(dǎo)材料填充接觸開口，而不過度增加接觸開口的整體縱深比，同時(shí)可避免或至少明顯減少錯(cuò)誤機(jī)制，例如裂縫與移除工藝最終相中不同形式傳導(dǎo)材料移除工藝的不同響應(yīng)。因此，接觸開口以及接觸組件可具有減小的關(guān)鍵尺寸，并且可用于精密半導(dǎo)體裝置，所述精密半導(dǎo)體裝置包含具有關(guān)鍵尺寸40nm或更小的電路組件， 例如30nm的電路組件。參閱圖更詳細(xì)的實(shí)施例，其中若需要，也請(qǐng)參閱圖la-lf。應(yīng)理解特別是可參閱圖1的制造技術(shù)以及包含高k金屬柵極電極結(jié)構(gòu)的精密晶體管的特性與特征。圖加概示說明半導(dǎo)體裝置200的橫切面，包括基板201、半導(dǎo)體層202，其中與其上方可提供晶體管組件250a、250b。晶體管250a、250b可包括柵極電極結(jié)構(gòu)230、汲極與源極區(qū)域253、信道區(qū)域252以及接觸區(qū)域254。在這個(gè)制造階段中的柵極電極結(jié)構(gòu)230可為高k金屬柵極電極結(jié)構(gòu)，可包括高k介電材料231與電極金屬233，可能結(jié)合功率函數(shù)金屬232或任何其他形式的傳導(dǎo)障蔽或蝕刻停止材料，例如氮化鈦、氮化鉭或類似物。晶體管250a、250b可為精密平面晶體管裝置，其中關(guān)鍵尺寸，亦即柵極電極結(jié)構(gòu)230的長度可為 40nm或更小。應(yīng)理解考慮所描述的組件特性，當(dāng)參閱圖Ia描述類似組件時(shí)，如前所述可使用參考裝置100相同的標(biāo)準(zhǔn)。同樣地，半導(dǎo)體裝置200可包括層間介電材料220，其中柵極電極結(jié)構(gòu)230被側(cè)向包埋如前所述，參閱半導(dǎo)體裝置100。例如，介電材料220可包括兩個(gè)或多個(gè)個(gè)別材料層，例如材料221，例如包括氮化硅，以及材料層222，例如二氧化硅層或類似物。如圖所示，介電材料220與柵極電極結(jié)構(gòu)230具有實(shí)質(zhì)相同高度。再者，可在介電材料220與柵極電極結(jié)構(gòu)230上方，形成介電覆蓋層或屏蔽層210。屏蔽層210可包括適當(dāng)?shù)慕殡姴牧希绲?、氧氮化硅、二氧化硅或類似。在其他例子，可使用其他材料例如聚合物材料或類似物，只要這些材料禁得起后續(xù)工藝的工藝條件，例如沉積工藝與后續(xù)材料移除工藝。在其他實(shí)施例中，材料210可包括兩個(gè)或多個(gè)材料層，在后續(xù)工藝過程中可作為硬屏蔽材料。例如，在這例子中可使用無定形碳、氧氮化硅或類似物?？捎萌魏芜m當(dāng)?shù)闹圃旒夹g(shù)為基礎(chǔ)，形成半導(dǎo)體裝置200，用于提供晶體管250a、 250b與介電材料220。例如，可使用如前所述的相同工藝技術(shù)與材料，參考半導(dǎo)體裝置100。 因此，在一些實(shí)施例中，在沉積介電材料220之后，可使用替換柵極方法，以及任何置放支持材料可至少由電極金屬233替換，可能結(jié)合額外的金屬材料232與高k介電層231。而后，材料233的任何過多部分可能與材料232可由任何適當(dāng)移除工藝移除，例如工藝103，參考圖Ia所述。因此，可使用任何適當(dāng)?shù)墓に嚪椒ǎ欢鴷?huì)造成產(chǎn)生一些表面不規(guī)則，例如介電材料220中的裂縫224，如前所述。然而，相對(duì)于習(xí)知方法，裂縫224的存在不會(huì)負(fù)面影響后續(xù)工藝。為了達(dá)到這個(gè)目的，為了形成介電覆蓋層或屏蔽曹210，可使用沉積工藝211， 例如CVD技術(shù)、旋涂(spin-on)技術(shù)或類似方法。如前所述，層210厚度約為20nm至數(shù)百納米，這取決于在移除工藝之后層220的表面狀況。亦即典型選擇層210的厚度大于裂縫 224的最大深度，因而確保用介電材料可靠填充裂縫224。取決于所使用的沉積技術(shù)，可使用拋光工藝，提供層210的抄表面狀況。圖2b概示說明進(jìn)一步制階段中的半導(dǎo)體裝置200。如圖所示，為了決定介電材料 220與介電覆蓋層210中所形成接觸開口 223的側(cè)向尺寸與位置，可提供蝕刻屏蔽204，例
10如用電阻材料形式。為了達(dá)到這個(gè)目的，可使用任何適當(dāng)?shù)奈⒂拔g刻技術(shù)。而后，可使用任何的蝕刻工藝，用以蝕刻穿過層210以及穿過層220，因而最終暴露部分的接觸區(qū)域254。為了達(dá)到這個(gè)目的，可使用任何適當(dāng)?shù)墓に嚪椒?。例如，介電覆蓋層210可與材料222具有類似的蝕刻作用，因而可使用以建立的蝕刻方法。在其他例子中，可使用適當(dāng)?shù)奈g刻化學(xué)，用來蝕刻穿過層210，以及可使用后續(xù)已建立的蝕刻參數(shù)，用于蝕刻穿過介電材料220。圖2c是根據(jù)另一實(shí)施例，概示說明半導(dǎo)體裝置200，其中可使用層210作為蝕刻屏蔽。亦即可將層210的介電材料圖案化，用來接收對(duì)應(yīng)于接觸開口 223的個(gè)別屏蔽開口 210a。為了達(dá)到這個(gè)目的，可使用電阻屏蔽，用于圖案化層210，而后在移除電阻材料之后， 作為實(shí)際蝕刻屏蔽。例如，層210可包括無定形碳，可能結(jié)合氧氮化硅或類似物，因而厚度減少的層210可提供足夠的蝕刻阻抗，可靠地形成具有理想側(cè)向尺寸的接觸開口 223。另一方面，電極金屬233可被層210覆蓋，以及除了對(duì)應(yīng)于接觸開口 223的區(qū)域內(nèi)的任何裂縫部分之外，裂縫2M也可被接合。亦即在圖案化層210之后，可暴露定位在開口 210內(nèi)的任何裂縫部分。在其他例子中，蝕刻屏蔽210可以是聚合物材料，所述聚合物材料可在高非一致方法(highly non-conformal manner)且在后續(xù)接觸材料的沉積過程中可用于承受工藝條件。在形成接觸開口 223之后，可用任何適當(dāng)?shù)某练e技術(shù)為基礎(chǔ)，例如CVD、電化學(xué)沉積、濺鍍沉積或任何結(jié)合，沉積一或多個(gè)傳導(dǎo)材料，而可有層210因而可靠接合裂縫2M并且覆蓋電極金屬233。在一些實(shí)施例中，相較于電極金屬233，沉積在開口 223中的接觸材料可具有不同的材料組成，因而對(duì)于選擇柵極電極結(jié)構(gòu)230與開口 223中接觸組件的適當(dāng)材料，具有高選擇彈性。在其他例子中，可使用與電極金屬233類似或是相同材料用于接觸組件。圖2d概示說明具有接觸材料226的半導(dǎo)體裝置200，接觸材料2 例如鎢、鋁、鋁合金或類似物，形成在接觸開口 223中或是介電覆蓋層210上方。應(yīng)理解如果有需要，可提供一或多個(gè)額外材料層，例如傳導(dǎo)障蔽材料或類似物，如前所述以及參考半導(dǎo)體裝置100。 再者，裝置200可用于材料移除工藝205，在一些實(shí)施例中包括化學(xué)機(jī)械工藝，其中適當(dāng)選擇泥漿材料，使得有效移除層226的過多部分。由于提供介電覆蓋層210，可使用已建立的泥漿材料，層210可作為停止層，或是在移除工藝205的最終階段中，層210可至少避免材料2 與233的直接接觸。因此，在移除層2 過多部分的過程中，可使用已建立的材料系統(tǒng)與CMP方法。圖2e概示說明移除工藝205最終相中的半導(dǎo)體裝置200，其中可從層210移除傳導(dǎo)材料2 不需要的部分，因而形成電性絕緣的接觸組件225。因此，由于材料層210的存在，可避免工藝205環(huán)境與電極金屬233的過度交互作用。在一些實(shí)施例中，可以適當(dāng)過度拋光時(shí)間進(jìn)行工藝205，產(chǎn)生某程度的碟狀225d，而層210仍可靠地覆蓋電極金屬233。在此方法中，用電極金屬233，在柵極電極結(jié)構(gòu)230中達(dá)到接觸組件225中金屬226的類似高度程度。在其他例子中，例如在工藝205過程中，當(dāng)材料210與金屬2 具有類似的移除速度時(shí)，可避免明顯程度的碟狀。圖2f概示說明在進(jìn)一步階段中的裝置200，其中為了暴露柵極電極結(jié)構(gòu)230的電極金屬233，可移除介電路覆蓋層210。為了達(dá)到這個(gè)目的，在一些實(shí)施例中，可進(jìn)行移除工藝206，用“溫和”的工藝參數(shù)，例如下沉力或類似參數(shù)，與任何適當(dāng)?shù)哪酀{材料進(jìn)行拋光工藝，因而有效移除材料210，而不過度破壞柵極電極結(jié)構(gòu)230與接觸組件225中的金屬。應(yīng)理解在工藝206過程中，選擇工藝參數(shù)，因而用任何工藝方法移除與任何金屬材料不會(huì)過度反應(yīng)的介電材料，移除材料210。再者，由于在習(xí)知方法中，必須從介電表面部分穩(wěn)定移除實(shí)質(zhì)連續(xù)的金屬層，所以相較于圖Ie所述的移除工藝105，工藝206過程的狀況相當(dāng)不同， 其中然而在典型不同方式中，所使用的泥漿可明顯與任何金屬材料作用。再者，由于任何的金屬殘留會(huì)造成過度的漏電路徑，所以需要明顯的過度拋光時(shí)間。另一方面，在圖2f中，雖然最終暴露電極金屬233，選擇工藝條件，移除層210的介電材料，不實(shí)質(zhì)影響組件225與 230中的金屬材料。另一方面，如果有需要，可在后續(xù)清除工藝的基礎(chǔ)上，有效移除例如柵極電極結(jié)構(gòu)230中的任何介電殘留物。在其他實(shí)施例中，移除工藝206可以是圖2e中工藝205的過度拋光時(shí)間，其中持續(xù)移除層210，同時(shí)也減少接觸組件225的高度，可在非常進(jìn)階相中暴露電極金屬233，其中已經(jīng)移除接觸組件225的任何過多材料。因此，在這例子中，也可達(dá)到更好的工藝條件。圖2g概示說明材料移除工藝206a過程中的半導(dǎo)體裝置200，所述材料移除工藝 206a包括選擇性蝕刻步驟，用來移除層210。在這例子中，層210可具有任何適當(dāng)材料組成， 用來對(duì)于材料220與組件225與230的傳導(dǎo)材料有選擇性移除。例如，可使用有效的濕化學(xué)蝕刻方法，例如用于移除聚合物材料或類似物。另一方面，對(duì)于多種金屬材料，任何此種蝕刻化學(xué)具有明顯降低的蝕刻速率，因而不會(huì)過度減少接觸組件225與電極金屬233的高度。如前所述，當(dāng)認(rèn)為對(duì)應(yīng)于層210厚度的接觸組件225額外高度不適當(dāng)時(shí)，在一些程度度的碟狀基礎(chǔ)上已經(jīng)提供有適當(dāng)高度的接觸組件225，在蝕刻工藝206a的基礎(chǔ)上移除層210。在其他例子中，工藝206a可包括適當(dāng)?shù)氐入x子輔助蝕刻方法。應(yīng)理解蝕刻工藝 206a過程中也可暴露裂縫224，然而，在這例子中，由于提供另一介電材料，例如用于在介電材料220上方形成金屬化層，因此不會(huì)負(fù)面影響進(jìn)一步的工藝。因此，本申請(qǐng)揭露內(nèi)容提供制造技術(shù)，其中在圖案化層間介電材料之后覆蓋精密高k金屬柵極電極結(jié)構(gòu)的電極金屬，以及用適當(dāng)?shù)膫鲗?dǎo)材料再度填充接觸開口，可減少或完全避免接觸組件中裂縫與/或材料消耗所造成的缺陷率。結(jié)果，在沉積接觸材料之前，可用介電材料可靠地填充任何裂縫，以及后續(xù)移除接觸材料任何過多部分不會(huì)造成與電極金屬的過度交互作用。對(duì)于熟知此技藝的人士來說，參考本申請(qǐng)的詳細(xì)說明之后，本申請(qǐng)揭露內(nèi)容的其他修飾與變化是明顯的。因此，本申請(qǐng)的詳細(xì)說明僅是為了教導(dǎo)熟知此技藝的人士如何實(shí)行實(shí)施例。應(yīng)理解本申請(qǐng)顯示與描述的內(nèi)容是呈現(xiàn)較佳的實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法，包括以下步驟在半導(dǎo)體區(qū)域上方形成的晶體管的柵極電極結(jié)構(gòu)上方，形成介電覆蓋層，所述柵極電極結(jié)構(gòu)是側(cè)向包埋在層間介電材料中，并且包含高k介電材料與電極金屬；形成從所述柵極電極結(jié)構(gòu)側(cè)向偏離的接觸開口，延伸穿過所述介電覆蓋層與所述層間介電材料；在所述接觸開口中，形成接觸材料；移除所述接觸材料的過多部分，用來暴露所述介電覆蓋層；以及進(jìn)行移除工藝，用來暴露所述柵極電極結(jié)構(gòu)的所述電極金屬。
2.如權(quán)利要求1所述的形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法，其中移除所述接觸材料的過多部分包括進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝。
3.如權(quán)利要求1所述的形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法，其中進(jìn)行所述移除工藝包括進(jìn)行拋光工藝。
4.如權(quán)利要求1所述的形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法，其中進(jìn)行所述移除工藝包括進(jìn)行蝕刻工藝。
5.如權(quán)利要求1所述的形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法，更包括提供所述柵極電極結(jié)構(gòu)，用以包括放置支持材料用來進(jìn)行形成所述柵極電極結(jié)構(gòu)，移除所述放置支持材料，形成至少所述電極金屬，以及進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝用來移除所述電極金屬的過多部分。
6.如權(quán)利要求1所述的形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法，其中形成所述接觸開口包括圖案化所述介電覆蓋層，以及使用所述圖案化的介電覆蓋層作為蝕刻屏蔽。
7.如權(quán)利要求1所述的形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述電極金屬與所述接觸材料具有不同的材料組合物。
8.如權(quán)利要求1所述的形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法，其中移除所述接觸材料的過多部分以及暴露所述電極金屬包括進(jìn)行單一化學(xué)機(jī)械拋光工藝。
9.如權(quán)利要求1所述的形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法，其中在進(jìn)行所述移除工藝之后，所述電極金屬與所述接觸材料之間的側(cè)向距離是40納米(nm)或更小。
10.一種形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法，包括以下步驟在晶體管的柵極電極結(jié)構(gòu)的開口中形成電極金屬，所述柵極電極結(jié)構(gòu)側(cè)向包埋在介電材料中；進(jìn)行第一移除工藝，移除所述電極金屬的過多部分；在所述電極金屬與所述介電材料上方，形成介電覆蓋層；在所述介電覆蓋層與所述介電材料中形成接觸開口，而不暴露所述電極金屬，所述接觸開口連接汲極區(qū)域與源極區(qū)域其中之一；在所述接觸開口中與所述介電覆蓋層上方，形成接觸金屬；以及進(jìn)行第二移除工藝，移除所述接觸金屬的過多部分。
11.如權(quán)利要求10所述的形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述進(jìn)行所述第一移除工藝包括進(jìn)行第一化學(xué)機(jī)械拋光工藝。
12.如權(quán)利要求11所述的形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述進(jìn)行所述第二移除工藝包括進(jìn)行第二化學(xué)機(jī)械拋光工藝。
13.如權(quán)利要求10所述的形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法，更包括在進(jìn)行所述第二移除工藝之后，暴露所述電極金屬。
14.如權(quán)利要求13所述的形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法，其中暴露所述電極金屬包括進(jìn)行拋光工藝。
15.如權(quán)利要求13所述的形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法，其中暴露所述電極金屬包括進(jìn)行蝕刻工藝。
16.如權(quán)利要求10所述的形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法，其中形成所述接觸開口包括在所述介電覆蓋層中形成屏蔽開口，以及使用所述屏蔽開口作為蝕刻屏蔽。
17.如權(quán)利要求10所述的形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述接觸開口從所述電極金屬的側(cè)向偏移是40納米(nm)或更小。
18.一種形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法，包括以下步驟在介電材料與側(cè)向包埋在所述介電材料中的柵極電極結(jié)構(gòu)的電極金屬上方，形成介電蝕刻屏蔽，所述蝕刻屏蔽覆蓋所述電極金屬，以及包括定義接觸開口的側(cè)向位置與尺寸的屏蔽開口 ；使用所述蝕刻屏蔽，在所述介電材料中形成所述接觸開口；在所述蝕刻屏蔽存在時(shí)，用傳導(dǎo)材料填充所述接觸開口 ；以及至少從所述電極金屬上方移除所述蝕刻屏蔽。
19.如權(quán)利要求18所述的形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法，更包括移除至少部分的所述柵極電極結(jié)構(gòu)，形成所述電極金屬，用以形成柵極開口，在所述介電材料與所述柵極開口上方，形成所述電極金屬的層，以及進(jìn)行移除工藝，移除所述層的過多部分。
20.如權(quán)利要求18所述的形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法，其中至少從所述電極金屬移除所述蝕刻屏蔽包括進(jìn)行拋光工藝。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種形成具有介電覆蓋層的半導(dǎo)體裝置的方法。在半導(dǎo)體裝置中形成超接觸組件，其中可使用精密替換柵極方法。為了達(dá)到這個(gè)目的，在圖案化所述層間介電材料之前，提供介電覆蓋層，因而在沉積接觸材料之前，可靠地接合任何先前產(chǎn)生的裂縫，而進(jìn)行任何過多部分的移除并不會(huì)與柵極電極結(jié)構(gòu)的電極金屬過度交互作用。因此，可實(shí)現(xiàn)顯著減少缺陷率。
文檔編號(hào)H01L21/336GK102237271SQ20111011498
公開日2011年11月9日 申請(qǐng)日期2011年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月30日
發(fā)明者G·馬克森, J·海因里克 申請(qǐng)人:格羅方德半導(dǎo)體公司, 格羅方德半導(dǎo)體德累斯頓第一模數(shù)有限責(zé)任及兩合公司